TWI843533B - 半導體處理裝置及方法 - Google Patents
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Abstract
一種半導體處理裝置及方法包括將第二腔室部置於相對於第一腔室部的打開位置；將待處理半導體晶圓放於第一腔室部和第二腔室部之間；將第二腔室部置於相對於第一腔室部的關閉位置；向密封通道內通入腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體對所述半導體晶圓的部分表面進行腐蝕，隨後將所述密封通道內的廢氣排出；向所述密封通道內通入預定量的提取液，所述提取液被驅動著在所述密封通道內流動直至流出所述密封通道，以實現金屬污染物的提取。
Description
本發明涉及半導體晶圓或相似工件的表面處理領域，特別涉及半導體處理裝置及方法。
晶圓的加工過程會帶來各種金屬雜質沾汙，這些污染如果留在晶圓中，會轉變成極少量的金屬離子污染物，由於它們本身具有較強的遷移性，會對器件的壽命、器件性能和可靠性等均產生嚴重的影響。因此測試晶圓表面的金屬污染含量在半導體器件加工過程中具有非常重要的意義。當前比較常見的金屬元素分析技術一般為：VPD(Vapor Phase decomposition化學氣相分解)配合ICPMS(電感耦合等離子體質譜)分析設備來實現。
現有的VPD技術是把晶圓僅僅能溶解晶圓表層的自然氧化物或熱氧化的SiO2表面層。此外，現有的金屬元素分析方案通常採用傳統的化學腐蝕方法，這種方法需要大量的化學品，並且可能因化學液殘留造成的過度腐蝕問題。
因此，有必要提出一種新的方案來克服上述問題。
本發明的目的在於提供一種半導體處理裝置及方法，其可以大幅降低體金屬檢測時所需的化學品的用量，精准控制腐蝕面積、腐蝕深度以及腐蝕表面的粗糙度及均勻性。為實現上述目的，根據本發明的一個方面，本發明提
供一種半導體處理裝置，其包括：第一腔室部；第二腔室部，其被配置的可相對於第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動，其中在第二腔室部相對於第一腔室部位於所述關閉位置時，第一腔室部和第二腔室部之間形成有微腔室，待處理半導體晶圓能夠容納於所述微腔室內，在第二腔室部相對於第一腔室部位於所述打開位置時，所述待處理半導體晶圓能夠被取出或放入；第一腔室部或/和第二腔室部具有自面向所述微腔室的內壁表面凹陷形成的凹槽道，在第二腔室部相對於第一腔室部位於所述關閉位置且所述待處理半導體晶圓容納於所述微腔室內時，所述待處理半導體晶圓的一個表面與第一腔室部或第二腔室部形成所述凹槽道的內壁表面相抵靠並緊密接觸，此時所述凹槽道與所述待處理半導體晶圓的所述表面形成一條密封通道。執行腐蝕操作，其具體步驟為：向所述密封通道內通入腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體在所述密封通道內對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面進行腐蝕，隨後將所述密封通道內的廢氣排出；重複所述步驟，增加腐蝕深度。執行提取操作，其具體為：向所述密封通道內通入預定量的提取液，所述提取液被驅動氣體驅動著在所述密封通道內流動，直至流出所述密封通道，所述提取液對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面的金屬污染物進行提取。
根據本發明的一個方面，本發明提供一種利用上述半導體處理裝置的半導體處理方法，其包括：將第二腔室部置於相對於第一腔室部的打開位置；將待處理半導體晶圓放於第一腔室部和第二腔室部之間；將第二腔室部置於相對於第一腔室部的關閉位置；執行腐蝕操作，其具體為：向所述密封通道內通入腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體在所述密封通道內對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面進行腐蝕，隨後將所述密封通道內的廢氣排出；和，執行提取操作，其具體為：向所述密封通道內通入預定量的提取液，所述提取液被驅動氣體驅動著在所述密封通道內流動直至流出所述密封通道，
所述提取液對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面的金屬污染物進行提取。
與現有技術相比，本發明中在一個腔室部的內壁表面上設置凹槽道，該凹槽道借助所述待處理半導體晶圓的阻擋形成密封通道，處理流體在所述密封通道內流動的同時可以對所述待處理半導體晶圓的表面進行處理，這樣可以更精准控制對晶圓表面的腐蝕，同時大大的降低化學品的用量。此外，本發明可利用腐蝕性混合氣體而不是腐蝕性液體進行腐蝕操作，這樣可以更好的控制腐蝕過程及提取過程，精准控制提取溶液的體積，實現精准定量檢測。規避傳統方法的化學腐蝕過程因殘留的化學液造成的腐蝕表面粗糙，提取溶液品質不易精准控制等問題。
100,400:半導體處理裝置
110,410:上腔室部
120,620:下腔室部
111,411:上腔室板
112,412,415:凸緣
113,413,623:內壁表面
114,124,414,624:凹槽道
121:下腔室板
122:第一凹槽
123,623:內壁表面
125,625:第一通孔
126,626:第二通孔
200:待處理半導體晶圓
125a:第一緩衝口部
125b:第一通孔部
126:第二通孔
126b:第二通孔部
126a:第二緩衝口部
416:通道
700:半導體處理方法
710至750:步驟
結合參考附圖及接下來的詳細描述，本發明將更容易理解，其中同樣的附圖標記對應同樣的結構部件，其中：圖1a為本發明中的半導體處理裝置在一個實施例中的剖視示意圖；圖1b為圖1a中的圈A的放大示意圖；圖1c為圖1a中的圈B的放大示意圖；圖2a為本發明中的下腔室部在一個實施例中的俯視圖；圖2b為圖2a中的圈C的放大示意圖；圖2c為圖2a中的圈D的放大示意圖；圖2d為圖2a中的本發明中的下腔室部的剖視示意圖；圖2e為圖2d中的圈E的放大示意圖；圖2f為圖2a中的圈F的放大示意圖；圖3a為本發明中的上腔室部在一個實施例中的俯視圖；
圖3b為圖3a中的圈G的放大示意圖；圖3c為圖3a中的圈H的放大示意圖；圖3d為圖3a中的本發明中的上腔室部的剖視示意圖；圖3e為圖3d中的圈I的放大示意圖；圖3f為圖3a中的圈J的放大示意圖；圖4a為本發明中的半導體處理裝置在另一個實施例中的剖視示意圖；圖4b為圖4a中的圈K的放大示意圖；圖5a為本發明中的上腔室部在一個實施例中的俯視圖；圖5b為沿圖5a中的剖面線C-C的剖視示意圖；圖5c為圖5b中的圈L的放大示意圖；圖6a為本發明中的下腔室部在另一個實施例中的俯視圖；圖6b為沿圖6a中的圈M的放大示意圖；圖7為本發明中的半導體處理方法在一個實施例中的流程示意圖。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。
此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指與所述實施例相關的特定特徵、結構或特性至少可包含於本發明至少一個實現方式中。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”並非必須都指同一個實施例，也不必須是與其他實施例互相排斥的單獨或選擇實施例。本發明中的“多個”、“若干”表示兩個或兩個以上。本發明中的“和/或”表示“和”或者“或”。
本發明提出一種半導體處理裝置，其可以精確控制處理流體的流動方向以及流動速度，同時可以大大節省處理流體的用量。
圖1a為本發明中的半導體處理裝置100在一個實施例中的剖視示意圖。圖1b為圖1a中的圈A的放大示意圖；圖1c為圖1a中的圈B的放大示意圖。如圖1a所示的，所述半導體處理裝置100包括上腔室部110和下腔室部120。
所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板的周邊向下延伸而成的第一凸緣112。所述下腔室部120包括下腔室板121和在所述下腔室板121的周邊向下凹陷而成的第一凹槽122。
所述上腔室部110可相對於下腔室部120在打開位置和關閉位置之間移動。在所述上腔室部110相對於下腔室部120處於打開位置時，可以將待處理半導體晶圓放置於所述下腔室部120的內壁表面上，或者可以從所述下腔室部120的內壁表面上取出所述待處理半導體晶圓。在所述上腔室部110相對於下腔室部120處於關閉位置時，在所述上腔室部110相對於下腔室部120處於關閉位置時，所述第一凸緣112與第一凹槽122配合，以在上腔室板和下腔室板之間形成密封的微腔室，所述待處理半導體晶圓能夠容納於所述微腔室內，等待被後續處理。
上腔室部110和下腔室部120中的一個可以被稱為第一腔室部，上腔室部110和下腔室部120中的另一個可以被稱為第二腔室。所述上腔室部110和下腔室部120的運動是相對的，既可以由上腔室部110移動進而導致所述上腔室部110可相對於下腔室部120移動，也可以由下腔室部120進而導致所述上腔室部110可相對於下腔室部120移動。
圖2a為本發明中的下腔室部120在一個實施例中的俯視圖。圖2b為圖2a中的圈C的放大示意圖。圖2c為圖2a中的圈D的放大示意圖。圖2d為圖2a中的本發明中的下腔室部的剖視示意圖。圖2e為圖2d中的圈E的放大示意圖。圖2f為圖2a中的圈F的放大示意圖。
結合圖2a-2f所示，所述下腔室部120具有自該下腔室部120面向所述
微腔室的內壁表面123凹陷形成的凹槽道124、自外部穿過該下腔室部以與所述凹槽道124的第一位置連通的第一通孔125和自外部穿過該下腔室部以與所述凹槽道124的第二位置連通的第二通孔126。所述凹槽道124的截面可以為U形、V形或半圓形，還可以是其他形狀。所述凹槽道124內的通孔數量可以大於或等於1個。
在另一個實施例中，每個凹槽道124可以對應多個通孔，每個凹槽道124被多個通孔分成多段，每個凹槽道段的兩端中的每一端都設置有與其連通的一個通孔。
如圖1a、1b和1c所示的，在所述上腔室部110相對於下腔室部120位於所述關閉位置且所述待處理半導體晶圓200容納於所述微腔室內時，所述待處理半導體晶圓200的一個表面(下表面)與形成所述凹槽道124的內壁表面123相抵靠，此時所述凹槽道124借助所述待處理半導體晶圓200的所述表面的阻擋形成一條密封通道，該條密封通道通過第一通孔125和第二通孔126與外部相通。在應用時，處理流體能夠通過第一通孔125進入所述密封通道，進入所述密封通道的流體能夠沿所述密封通道的導引前行，此時所述處理流體能夠接觸到並處理所述待處理半導體晶圓200的所述表面的部分區域，處理過所述待處理半導體晶圓200的所述表面的流體能夠通過第二通孔126流出並被提取。這樣，這樣不僅可以精確的控制處理流體的流動方向以及流動速度，還可以大大節省處理流體的用量。
在一個實施例中，如圖2a、2b和2c所示的，所述凹槽道124環繞形成螺旋狀，其中第一通孔125位於所述螺旋狀的凹槽道中心區域(圈D的區域)，第二通孔126位於所述螺旋狀的凹槽道124周邊區域(圈C的區域)。第一通孔125可以被用作為入口，第二通孔126可以被用作為出口。在其他實施例中，也可以將第一通孔125可以被用作為出口，第二通孔126可以被用作為入口。
在一個實施例中，如圖2d、2e和2f所示的，第一通孔125包括與所述凹槽道124直接相通且較所述凹槽道124更深、更寬的第一緩衝口部125a和與該第一緩衝口部125a直接相通的第一通孔部125b。由於設置了第一緩衝口部125a，可以避免處理流體通過第一通孔125進入的初速度過快導致所述半導體晶圓的中心區域被過分處理。第二通孔126包括與所述凹槽道124直接相通且較所述凹槽道124更深、更寬的第二緩衝口部126a和與該第二緩衝口部126a直接相通的第二通孔部126b。由於設置了第二緩衝口部126a，可以防止處理流體不能及時從第二通孔126排出而溢出。優選的，第一緩衝口部125a可以為錐形凹槽，第二緩衝口部126a可以為圓柱形凹槽。
圖3a為本發明中的上腔室部110在一個實施例中的俯視圖；圖3b為圖3a中的圈G的放大示意圖；圖3c為圖3a中的圈H的放大示意圖；圖3d為圖3a中的本發明中的上腔室部的剖視示意圖；圖3e為圖3d中的圈I的放大示意圖；圖3f為圖3a中的圈J的放大示意圖。
結合圖3a至3f所示的，所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板111的周邊向下延伸而成的第一凸緣112。上腔室部110具有自該上腔室部面向所述微腔室的內壁表面113凹陷形成的凹槽道114，形成於上腔室部的內壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相鄰的凹槽道114之間的部分)與形成於下腔室部120的內壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相鄰的凹槽道124之間的部分)相對應(圖1b、圖1c)。這樣，在所述上腔室部110相對於下腔室部120位於所述關閉位置且所述待處理半導體晶圓200容納於所述微腔室內時，所述上腔室部110的凹槽道114的槽壁能夠抵壓所述待處理半導體晶圓200的相應位置，並使得所述待處理半導體晶圓200能夠更緊地抵靠於所述下腔室部120的凹槽道124的槽壁上，使得最後形成的密封通道的密封性能更好。此外，形成於上腔室部的內壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相鄰的凹槽道114之間的部分)與形成於下腔室部120的
內壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相鄰的凹槽道124之間的部分)也可以相交錯排布。
在另一個改變的實施例中，所述上腔室部110和所述下腔室部的結構可以互換或具備相同的結構，此時待處理半導體晶圓200的上表面將會與所述上腔室部110的凹槽道一起形成密封通道。在密封通道內流通處理流體可以對所述待處理半導體晶圓200的上表面或下表面進行處理，或上下表面同時處理。
圖4a為本發明中的半導體處理裝置在另一個實施例200中的剖視示意圖；圖4b為圖4a中的圈K的放大示意圖。如4a中的半導體處理裝置400與圖1a中的半導體處理裝置相比的差別在於：圖4a中的上腔室部410和圖1a中的上腔室部110的結構不同。圖5a為本發明中的上腔室部410在一個實施例中的俯視圖；圖5b為沿圖5a中的剖面線C-C的剖視示意圖；圖5c為圖5b中的圈L的放大示意圖。如圖5a至5c所示，所述上腔室部410包括上腔室板411、第一凸緣412、面向微腔室的第一內壁表面413、第二凹槽414、位於第一內壁表面413和第二凹槽414之間的第二凸緣415和位於第一內壁表面413中心的通道416。由第二凸緣415抵靠於半導體晶圓200和第一內壁表面413形成一個密封空間，通過通道416與外界連通。流體可通過通道416進入此密封空間產生壓力，並使得所述待處理半導體晶圓200能夠更緊地抵靠於所述下腔室部120的凹槽道124的槽壁上，使得最後形成的密封通道的密封性能更好。
圖6a為本發明中的下腔室部在另一個實施例620中的俯視圖；圖6b為沿圖6a中的圈M的放大示意圖。自該下腔室部620面向所述微腔室的內壁表面623凹陷形成的凹槽道624為多個，圖6a中有5個，在其他實施例中，可以為其他數目個，每個凹槽道624都對應有一個第一通孔625和一個第二通孔626。所述下腔室部620的不同的凹槽道624位於所述內壁表面623的不同區域內。這樣可以針對不同的區域進行不同的處理，它們互相獨立。
本發明還提出了一種利用上述半導體處理裝置的半導體處理方法。如圖7所示的，所述半導體處理方法700包括如下步驟。
步驟710、將第二腔室部置於相對於第一腔室部的打開位置。
步驟720，將待處理半導體晶圓放於第一腔室部和第二腔室部之間。
步驟730，將第二腔室部置於相對於第一腔室部的關閉位置。
步驟740，執行腐蝕操作：向所述密封通道內通入腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體在流過所述密封通道內時，對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面進行腐蝕，隨後用氣體或液體將所述密封通道內的剩餘反應氣體和反應產物氣體排出通道，其中所述密封通道內的剩餘反應氣體和反應產物氣體可以被稱為廢氣。
所述腐蝕性混合氣體包括腐蝕性氣體，所述腐蝕性氣體為氫氟酸氣體、硝酸氣體中的一種或多種。所述腐蝕性混合氣體還包括臭氧或運載氣體，所述運載氣體包括氮氣、惰性氣體中的一種或多種。
在一個實施例中，所述腐蝕性混合氣體包括兩種，第一種腐蝕性混合氣體是在腐蝕性液體中通入臭氧而形成的包括腐蝕性氣體和臭氧的混合氣體，第二中腐蝕性混合氣體是在腐蝕性液體中通入臭氧而形成的包括腐蝕性氣體和運載氣體的混合氣體。此時，所述腐蝕性氣體也可以被稱為腐蝕性蒸汽，比如氫氟酸蒸汽、硝酸蒸汽等。
在一個優選的實施例中，所述腐蝕操作包括迴圈交替執行的第一腐蝕步驟和第二腐蝕步驟，其中在第一腐蝕步驟中向所述密封通道內通入包括所述腐蝕性氣體和臭氧的第一腐蝕性混合氣體並保持第一預定時段，在第二腐蝕步驟中向所述密封通道內通入包括所述腐蝕性氣體和運載氣體的第二腐蝕性混合氣體並保持第二預定時段。在一個示例中，第一預定時段為20秒，第二預定時段為10秒，迴圈交替的次數為22次。更為具體的，在第二腐蝕步驟中，第一
腐蝕性混合氣體仍然保持在所述密封通道內，第二腐蝕性混合氣體中的腐蝕性氣體通過擴散的方式進入所述密封通道內。
在一個具體的實施例中，腐蝕原理為：O3+Si=SiO2+O2 SiO2+4HF=SiF4+2H2O。
在第一腐蝕步驟中，臭氧與半導體晶圓表面的矽發生反應形成氧化矽，而氫氟酸氣體與氧化矽反應形成氟化矽氣體，這樣可以腐蝕掉一定深度的矽層，原矽表面及反應層內的金屬雜質保留在半導體晶圓的表面。在第二腐蝕步驟中，通過補充氫氟酸氣體來反應掉過量的臭氧。在一個示例中，腐蝕反應速率大約1-6um/H。
在所述腐蝕操作中，可以不斷改變所述腐蝕性混合氣體在所述密封通道內的流動方向。通過控制反應時間及氣流方向來控制被腐蝕的矽層深度。
在迴圈交替執行完第一腐蝕步驟和第二腐蝕步驟後，所述腐蝕操作還包括利用第二腐蝕性混合氣體連續吹掃所述密封通道並持續第三預定時段，以便進一步的腐蝕半導體晶圓的表面上的矽氧化物。
在利用第二腐蝕性混合氣體連續的流過所述密封通道並持續第三預定時段後，所述腐蝕操作還包括利用運載氣體連續吹掃所述密封通道並持續第四預定時段，以便將所述密封通道內的剩餘反應氣體和反應產物氣體排出通道。當然也可以利用液體將所述密封通道內的剩餘反應氣體和反應產物氣體排出通道。
步驟750，執行提取操作：向所述密封通道內通入預定量的提取液，所述提取液被驅動著在所述密封通道內流動直至流出所述密封通道，所述提取液對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面的金屬污染物進行提取。具體的，當所述提取液被驅動著在所述密封通道內流動時，與殘留在所述晶圓表面的金屬污染物發生化學反應，把污染物溶解到提取溶液裡。
隨著提取液滴在半導體晶圓表面移動，它會收集所有流經區域的金屬污染物；將提取液滴從半導體晶圓表面上轉移至取樣瓶中。所述提取液被驅動氣體驅動的流動，所述驅動氣體包括氮氣、惰性氣體中的一種或多種。所述提取液包括硝酸、HF、雙氧水中的一種多多種。
在一個優選的實施例中，所述密封通道為上文所述的螺旋結構。如上文所述的，每個凹槽道被多個通孔分成多段，每個凹槽道段的兩端中的每一端都設置有與其連通的一個通孔，這樣形成多個密封通道段。在一個實施例中，可以針對每個密封通道段分別的進行腐蝕操作和提取操作，也可以針對多個密封通道段共同進行腐蝕操作和提取操作。
與現有技術相比，本發明具有如下優點中的一個或多個：1、腐蝕和提取在同一腔室內完成，避免晶圓移動造成的二次污染；2、微腔室設置螺旋結構，最大程度的提高反應氣體的利用率；3、利用腐蝕氣體通過密封通道對半導體晶圓進行腐蝕，不僅大大節省化學品用量，並且氣體腐蝕可以實現化學反應立即停止，規避傳統的化學腐蝕因化學液殘留造成的過度腐蝕問題；4、工藝過程無廢水、無廢液，大大減少污染物排放及處理成本；5、可以精准控制腐蝕深度；6、通過改變氣體壓力可以控制反應腔的氣體濃度、比例及流速，進而控制反應速度；7、由於提取液量非常少，因此化學品用量很低；此外，由於提取液量小，與現有技術中大提取液容量的方案相比，同樣污染濃度的金屬污染物在本發明中的提取液中的濃度就會高很多，這樣金屬檢出率會大幅的提升；8、通過本發明的方案能夠精准控制腐蝕面積、腐蝕深度以，及腐蝕表面的粗糙度及均勻性。
上述說明已經充分揭露了本發明的具體實施方式。需要指出的是，熟悉該領域的技術人員對本發明的具體實施方式所做的任何改動均不脫離本發明的權利要求書的範圍。相應地，本發明的權利要求的範圍也並不僅僅局限於所述具體實施方式。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:半導體處理裝置
110:上腔室部
120:下腔室部
111:上腔室板
112:凸緣
121:下腔室板
Claims (10)
- 一種半導體處理裝置，其特徵在於，其包括：一第一腔室部；一第二腔室部，其被配置的可相對於所述第一腔室部在一打開位置和一關閉位置之間移動，其中在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述關閉位置時，所述第一腔室部和所述第二腔室部之間形成有一微腔室，一待處理半導體晶圓能夠容納於所述微腔室內，在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述打開位置時，所述待處理半導體晶圓能夠被取出或放入；所述第一腔室部或/和所述第二腔室部具有自面向所述微腔室的內壁表面凹陷形成的一凹槽道，在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述關閉位置且所述待處理半導體晶圓被容納於所述微腔室內時，所述待處理半導體晶圓的至少一個表面與形成所述凹槽道的內壁表面相抵靠，此時所述凹槽道與所述待處理半導體晶圓的所述表面緊密接觸，形成一條密封通道，執行腐蝕操作：向所述密封通道內通入一腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體在流過所述密封通道內時，對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面進行腐蝕，隨後用氣體或液體將所述密封通道內的剩餘反應氣體和反應產物氣體排出通道；執行提取操作：向所述密封通道內通入預定量的提取液，當所述提取液被驅動著在所述密封通道內流動時，與殘留在所述晶圓表面的一金屬污染物發生化學反應，把所述污染物溶解到提取溶液裡，直至流出所述密封通道，所述提取液對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面的金屬污染物進行提取。
- 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中：所述腐蝕性混合氣體包括一腐蝕性氣體，所述腐蝕性氣體為氫氟酸氣體、 硝酸氣體中的一種或多種；所述腐蝕性混合氣體還包括臭氧或一運載氣體，所述運載氣體包括氮氣、惰性氣體中的一種或多種；所述提取液被一驅動氣體驅動的流動，所述驅動氣體包括氮氣、惰性氣體中的一種或多種。
- 如請求項2所述的半導體處理裝置，其中：所述腐蝕性混合氣體是在所述腐蝕性液體中通入臭氧或運載氣體而形成的包括所述腐蝕性氣體和臭氧的混合氣體，或者包括所述腐蝕性氣體和所述運載氣體的混合氣體。
- 如請求項2所述的半導體處理裝置，其中：在所述腐蝕操作中迴圈交替的執行一第一腐蝕步驟和一第二腐蝕步驟，其中在所述第一腐蝕步驟中向所述密封通道內通入包括所述腐蝕性氣體和臭氧的一第一腐蝕性混合氣體並保持第一預定時段，在所述第二腐蝕步驟中向所述密封通道內通入包括所述腐蝕性氣體和運載氣體的一第二腐蝕性混合氣體並保持第二預定時段。
- 如請求項4所述的半導體處理裝置，其中：在所述第二腐蝕步驟中，所述第一腐蝕性混合氣體仍然保持在所述密封通道內，所述第二腐蝕性混合氣體中的腐蝕性氣體通過擴散的方式進入所述密封通道內。
- 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中：在所述腐蝕操作中，不斷改變所述腐蝕性混合氣體在所述密封通道內的流動方向。
- 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中：所述第一腔室部或/和所述第二腔室部還具有自外部穿過所述第一腔室部或 /和所述第二腔室部以與所述凹槽道的第一位置連通的一第一通孔和自外部穿過該所述第一腔室部或/和所述第二腔室部以與所述凹槽道的第二位置連通的一第二通孔，該條密封通道通過所述第一通孔和所述第二通孔與外部相通，所述第一通孔和所述第二通孔中的一個作為該條密封通道的流體入口，另一個作為該條密封通道的流體出口。
- 如請求項7所述的半導體處理裝置，其中：所述凹槽道環繞形成螺旋狀。
- 如請求項1所述的半導體處理裝置，其中：自所述第一腔室部面向所述微腔室的內壁表面凹陷形成的所述凹槽道為多個，每個凹槽道都對應有一個第一通孔和一個第二通孔，這樣形成多個密封通道，對於每個密封通道的腐蝕操作均獨立進行。
- 一種半導體處理裝置的半導體處理方法，所述半導體處理裝置包括：一第一腔室部；一第二腔室部，其被配置的可相對於所述第一腔室部在一打開位置和一關閉位置之間移動，其中在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述關閉位置時，所述第一腔室部和所述第二腔室部之間形成有一微腔室，待處理半導體晶圓能夠容納於所述微腔室內，在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述打開位置時，所述待處理半導體晶圓能夠被取出或放入；所述第一腔室部或/和所述第二腔室部具有自面向所述微腔室的內壁表面凹陷形成的一凹槽道，在所述第二腔室部相對於所述第一腔室部位於所述關閉位置且所述待處理半導體晶圓被容納於所述微腔室內時，所述待處理半導體晶圓的至少一個表面與形成所述凹槽道的內壁表面相抵靠，此時所述凹槽道與所述待處理半導體晶圓的所述表面緊密接觸，形成一條密封通道，其中：將所述第二腔室部置於相對於所述第一腔室部的打開位置；將待處理半導體晶圓放於所述第一腔室部和所述第二腔室部之間； 將所述第二腔室部置於相對於所述第一腔室部的關閉位置；執行腐蝕操作：向所述密封通道內通入一腐蝕性混合氣體，所述腐蝕性混合氣體在所述密封通道內對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面進行腐蝕，隨後將所述密封通道內的廢氣排出；執行提取操作：向所述密封通道內通入預定量的提取液，所述提取液被驅動著在所述密封通道內流動直至流出所述密封通道，所述提取液對所述半導體晶圓的面向所述密封通道的部分表面的金屬污染物進行提取。
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2022111047082 | 2022-09-09 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210351343A1 (en) | 2018-08-03 | 2021-11-11 | Jiangsu Leuven Instruments Co. Ltd | Etching method for magnetic tunnel junction |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210351343A1 (en) | 2018-08-03 | 2021-11-11 | Jiangsu Leuven Instruments Co. Ltd | Etching method for magnetic tunnel junction |
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