TWI841862B - 光調節元件及包括其的窗戶及天窗 - Google Patents
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Abstract
一種光調節元件及包括其的窗戶及天窗。本申請案提供
一種光調節元件、光學元件或其製造方法,所述光調節元件即使在施加壓力的包封製程(例如,加壓處理製程)之後亦能夠穩定地保持所設計的光學性質。本申請案還提供一種光調節元件、包括所述光調節元件的光學元件或其製造方法,所述光調節元件還可穩定地保持光調節層的取向狀態,同時有效地確保上部基板與下部基板之間的黏著力。
Description
本申請案是有關於一種光調節元件。
其中包含液晶化合物等的光調節層位於兩個基板之間的光調節元件被用於各種應用。
為使光調節元件表現出所需的效能,控制基板之間的液晶化合物的取向狀態是重要的。因此,當光調節層是液晶層時,在液晶層的兩側上形成液晶配向膜以便控制液晶化合物的取向。
專利文獻1揭露了一種具有以下結構的光調節元件:在所述結構中,液晶配向膜形成於液晶層的一側上,並且黏著劑層代替液晶配向膜形成於另一側上。
在本文中描述了由於專利文獻1中揭露的黏著劑層具有液晶取向力,因此液晶化合物的所需取向是可能的,而無需將液晶配向膜施加至液晶層的一側。
在專利文獻1中揭露的光調節元件具有以下優點:由於黏著劑已被施加至一個基板,因此彼此相對設置的兩個基板的黏
著力可被優異地保持。
然而,問題在於:僅用在專利文獻1中揭露的黏著劑層不容易充分穩定地保持液晶化合物的取向,且具體而言,液晶化合物的取向在高溫條件下被破壞,藉此導致光學缺陷。
(專利文獻1)韓國註冊專利公報第1987373號
本申請案提供一種光調節元件。本申請案旨在提供一種光調節元件,所述光調節元件同時穩定地保持液晶化合物的取向,同時藉由施加壓敏黏著劑層或黏著劑層來確保彼此相對設置的基板之間的黏著力,且具體而言,即使在高溫下亦能夠實施液晶化合物的所需取向狀態。
在本說明書中,定義角度及角度數值的術語「垂直、平行、正交或水平」是指在不損害所需效果的範圍內「實質上垂直、平行、正交或水平」以及角度的實質上數值。垂直、平行、正交或水平以及數值範圍包括例如製造誤差或偏差(變化)等誤差。舉例而言,上述情形可各自包括約±10度內的誤差、約±9度內的誤差、約±8度內的誤差、約±7度內的誤差、約±6度內的誤差、約±5度內的誤差、約±4度內的誤差、約±3度內的誤差、約±2度內的誤差、約±1度內的誤差、約±0.8度內的誤差、約±0.6度內的
誤差或約±0.4度內的誤差。
在本說明書中提及的物理性質中,當量測的溫度影響相關的物理性質時,物理性質是在室溫下量測的物理性質,除非另有說明。術語室溫是在無特別加熱或冷卻的狀態下的溫度,其可指在約10℃至30℃的範圍內的一個溫度,例如約15℃或高於15℃、18℃或高於18℃、20℃或高於20℃、或約23℃或高於23℃、以及約27℃或低於27℃的溫度。除非另有規定,否則在本文中提及的溫度單位為℃。
除非另有說明,否則在本說明書中提及的相位差、折射率及折射率各向異性是指相對於波長約為550奈米的光的相位差、折射率及折射率各向異性。
除非另外指明,否則本文中提及的由任何兩個方向形成的角度可為由所述兩個方向形成的銳角到鈍角中的銳角,或者可為來自在順時針方向及逆時針方向上量測的角度中的小角度。因此,除非另外指明,否則本文中提及的角度是正的。然而,為在必要時顯示在順時針方向或逆時針方向上量測的角度之間的量測方向,在順時針方向上量測的角度可表示為正數,而在逆時針方向上量測的角度可表示為負數。
本申請案是有關於一種光調節元件。術語光調節元件可指能夠在至少二或更多種不同的光狀態之間切換的元件。此處,不同的光狀態可指至少透射率、反射率、顏色及/或霧度不同的狀態。
光調節元件可實施的狀態的實例包括指示特定顏色及類似物的透明、黑色、高反射、低反射及/或顏色模式狀態,但並非僅限於此。
在一個實例中,光調節元件可為能夠至少在透明模式狀態與黑色模式狀態之間切換的元件。
透明模式下的光調節元件的透射率可為至少10%或大於10%、15%或大於15%、20%或大於20%、25%或大於25%、30%或大於30%、35%或大於35%、40%或大於40%、45%或大於45%、50%或大於50%、55%或大於55%、60%或大於60%、65%或大於65%、70%或大於70%、75%或大於75%、或80%或大於80%。在另一實例中,透明模式下的透射率亦可為約100%或小於100%、95%或小於95%、90%或小於90%、或85%或小於85%左右。然而,上限不受特別限制,乃因在透明模式下透射率越高越有利。
黑色模式狀態下的光調節元件的透射率可為60%或小於60%、55%或小於55%、50%或小於50%、45%或小於45%、40%或小於40%、35%或小於35%、30%或小於30%、25%或小於25%、20%或小於20%、15%或小於15%、10%或小於10%、或5%或小於5%。在另一實例中,黑色模式下的透射率亦可為約0%或大於0%、5%或大於5%、10%或大於10%、15%或大於15%、20%或大於20%、或25%或大於25%左右。然而,黑色模式狀態下的透射率的下限不受特別限制,乃因在黑色模式下的透射率越低越有利。
透射率可為例如線性透光率(linear light transmittance)。
線性透光率是在與入射方向相同的方向上透射的光對入射於元件上的光的比率的百分比。舉例而言,若元件呈膜或片材的形式,則在平行於膜或片材表面的法線方向的方向上入射的光中,在平行於法線方向的方向上經由元件透射的光的百分比可被定義為透射率。
透射率可為對於可見光區域中任何一種波長(例如,在約400奈米至700奈米或約380奈米至780奈米範圍內的任何一種波長)而言的每一透射率,或者為對於整個可見光區域而言的透射率、對於整個可見光區域而言的透射率中的最大或最小透射率或者可見光區域中的透射率的平均值。
在一個實例中,本申請案的光調節元件可被設計成在自透明模式及黑色模式狀態中選擇的任何一種狀態與另一種狀態之間切換。必要時,亦可實施除上述狀態之外的其他第三種不同狀態或更高狀態。
光調節元件的切換可依據是否施加外部訊號(例如,例如電壓等電訊號)來控制。舉例而言,在未施加所述外部訊號的狀態下,光調節元件可維持上述狀態中的任何一種,且接著可在施加電壓時切換至另一種狀態。藉由改變所施加電壓的強度、頻率及/或形狀,可改變模式狀態,或者亦可實施第三種不同的模式狀態。
本申請案的光調節元件可包括彼此相對設置的兩個基板及位於所述基板之間的光調節層。圖2是示出所述結構的一個實
例的圖式。如圖所示,光調節元件包括相對設置的第一基板(100)與第二基板(200)。第一基板及第二基板可各自具有第一表面及第二表面。此處,第一表面可為基板的一個主表面,且第二表面可指與其相對的主表面。
可在第一基板(100)的一個表面(例如,第一表面)上形成功能層,並且可在第二基板(200)的一個表面(例如,第一表面)上形成液晶配向膜(2001)。此處,功能層可為將在以下描述的黏著劑層或壓敏黏著劑層。光調節層(600)位於相對設置的第一基板(100)與第二基板(200)之間。光調節層的類型不受特別限制,且通常,可使用液晶層作為所述光調節層。當光調節層是液晶層時,通常在第一基板及第二基板(100,200)的兩個表面上形成液晶配向膜,但在第一基板(100)上形成壓敏黏著劑層或黏著劑層來代替液晶配向膜,並且僅在第二基板(200)上形成液晶配向膜,由此亦可獲得在特定應用(例如,智慧型窗口或眼鏡)中極為有用的液晶化合物的取向狀態。在此種情形中,液晶配向膜不形成於第一基板上。此外,雖然圖中未示出,但在光調節元件的第一基板及第二基板中的任一者中,存在用於保持第一基板與第二基板之間的間隔(胞元間隙)的間隔件,但當第一基板(100)上的功能層是壓敏黏著劑層或黏著劑層(1001)時,壓敏黏著劑層或黏著劑層(1001)附接至間隔件,藉此能夠大大改善第一基板與第二基板之間的層疊力。
作為基板,可使用已知的基板材料,對此並無特別限制。
舉例而言,例如玻璃基板、晶體矽基板或非晶矽基板或石英基板等無機基板或塑膠基板可用作基板。作為塑膠基板,可使用三乙醯纖維素(triacetyl cellulose,TAC)基板;環烯烴共聚物(cycloolefin copolymer,COP)基板,例如降冰片烯衍生物基板;聚(甲基丙烯酸甲酯)(poly(methyl methacrylate),PMMA)基板;聚碳酸酯(polycarbonate,PC)基板;聚乙烯(polyethylene,PE)基板;聚丙烯(polypropylene,PP)基板;聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)基板;二乙醯纖維素(diacetyl cellulose,DAC)基板;聚丙烯酸酯(polyacrylate,Pac)基板;聚醚碸(poly ether sulfone,PES)基板;聚醚醚酮(polyetheretherketon,PEEK)基板;聚苯碸(polyphenylsulfone,PPS)、聚醚醯亞胺(polyetherimide,PEI)基板;聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)基板;聚酯基板,例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,PET)基板;聚醯亞胺(polyimide,PI)基板;聚碸(polysulfone,PSF)基板;聚芳酯(polyarylate,PAR)基板或包含非晶氟樹脂的基板或類似物,但並非僅限於此。此種基板的厚度不受特別限制,其可在適當的範圍內選擇。
在一個實例中,作為基板,亦可應用光學各向異性膜。具有此種光學各向異性的膜在機械性質上通常亦是各向異性的,並且可藉由利用此種各向異性來提供具有優異耐久性等的光調節元件。
在一個實例中,各向異性膜可具有約500奈米或大於500
奈米的面內相位差。所述面內相位差是相對於波長為550奈米的光的值,並且是由以下方程式A界定的物理量。在另一實例中,延遲膜的面內相位差可為600奈米或大於600奈米、700奈米或大於700奈米、800奈米或大於800奈米、900奈米或大於900奈米、1000奈米或大於1000奈米、1100奈米或大於1100奈米、1200奈米或大於1200奈米、1300奈米或大於1300奈米、1400奈米或大於1400奈米、1500奈米或大於1500奈米、2000奈米或大於2000奈米、2500奈米或大於2500奈米、3000奈米或大於3000奈米、3500奈米或大於3500奈米、4000奈米或大於4000奈米、4500奈米或大於4500奈米、5000奈米或大於5000奈米、5500奈米或大於5500奈米、6000奈米或大於6000奈米、6500奈米或大於6500奈米、7000奈米或大於7000奈米、7500奈米或大於7500奈米、8000奈米或大於8000奈米、8500奈米或大於8500奈米、9000奈米或大於9000奈米或9500奈米或大於9500奈米,或者亦可為100000奈米或小於100000奈米、90000奈米或小於90000奈米、80000奈米或小於80000奈米、70000奈米或小於70000奈米、60000奈米或小於60000奈米、50000奈米或小於50000奈米、40000奈米或小於40000奈米、30000奈米或小於30000奈米、20000奈米或小於20000奈米、15000奈米或小於15000奈米、14000奈米或小於14000奈米、13000奈米或小於13000奈米、12000奈米或小於12000奈米、10000奈米或小於10000奈米、9500奈米或小於9500奈米、9000奈米或小於9000奈米、8500奈米或小於8500
奈米、8000奈米或小於8000奈米、7500奈米或小於7500奈米、7000奈米或小於7000奈米、6500奈米或小於6500奈米、6000奈米或小於6000奈米、5500奈米或小於5500奈米、5000奈米或小於5000奈米、或4500奈米或小於4500奈米左右。
適用於基板的膜的具體種類不受特別限制,只要其在上述範圍內表現出面內相位差即可。舉例而言,可應用藉由拉伸賦予光學各向異性的各向異性聚合物膜。聚合物膜可例如由以下舉例說明:聚烯烴膜,例如聚乙烯膜或聚丙烯膜;環烯烴聚合物(cycloolefin polymer,COP)膜,例如聚降冰片烯膜、聚氯乙烯膜、聚丙烯腈膜、聚碸膜、聚丙烯酸酯膜、聚(乙烯醇)(poly(vinyl alcohol),PVA)膜;或纖維素酯系聚合物膜,例如三乙醯纖維素(TAC)膜、聚酯膜或聚碳酸酯膜、或形成聚合物的單體中二或更多種單體的共聚物膜及類似物。
在一個實例中,作為膜,可應用聚酯膜,例如聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(poly(ethylene terephthalate),PET)膜。亦即,在上述範圍內表現出面內相位差的膜在所述行業中是已知的,並且在聚合物膜的情形中,此種膜甚至在製造製程中藉由拉伸等表現出機械性質的不對稱性以及光學上大的各向異性。在所述行業中已知的此種延遲膜的代表性實例是拉伸聚酯膜,例如拉伸聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)膜。
因此,在一個實例中,例如PET膜等聚酯膜可用作所述膜,但在本申請案中可用作基板的膜的類型並非僅限於此。
此外,面內相位差是根據以下方程式A的物理量。
[方程式A]Rin=d×(nx-ny)
在方程式A中,Rin為面內相位差,nx為膜在慢軸方向上的折射率,ny為膜在快軸方向上的折射率,且d為膜的厚度。此處,慢軸及快軸的含義在所述行業中是已知的。
當各向異性膜被同時施加至第一基板及第二基板時,所述基板可被設置成使得其慢軸彼此平行或垂直。
存在於基板之間的光調節層是能夠依據是否施加了外部訊號而單獨或結合其他部件來改變透光率、反射率、霧度及/或顏色等的功能層。此種光調節層在本文中可被稱為主動光調節層。
在本說明書中,外部訊號可指外部因素,例如可影響包含在光調節層(例如,液晶層)中的光調節材料(例如,液晶化合物)的行為的電訊號,例如電壓。因此,無任何外部訊號的狀態可指未自外部施加電訊號的狀態。無任何外部訊號的狀態亦可被稱為初始狀態。
在本申請案中,光調節層的類型不受特別限制,只要其具有上述功能即可,並且可應用已知的光調節層。光調節層可為例如液晶層、電致變色材料層、光致變色材料層、電泳材料層或分散顆粒取向層。
在一個實例中,液晶層可用作光調節層。液晶層是含有液晶化合物的層。在本說明書中,術語液晶層的範圍包括含有液
晶化合物的所有層,且例如,包含液晶化合物(液晶主體)及二色性染料的所謂客體主體層、或者包含其他添加劑(例如,手性摻雜劑)以及液晶化合物的層亦為在本說明書中定義的一種液晶層。液晶層可包含液晶化合物,所述液晶化合物形成為使得取向方向依據是否施加外部訊號而改變。作為液晶化合物,可使用任何種類的液晶化合物,只要可藉由施加外部訊號改變取向方向即可。舉例而言,近晶型液晶化合物、向列型液晶化合物或膽固醇型液晶化合物可用作所述液晶化合物。此外,液晶化合物可為例如不具有可聚合基團或可交聯基團的化合物,使得可藉由施加外部訊號來改變取向方向,或者可為即使具有所述基團,但仍以未聚合及交聯狀態存在的化合物。
液晶層可包含介電常數各向異性為正或負的液晶化合物。可慮及本申請案的目的適當地選擇液晶的介電常數各向異性的絕對值。術語介電常數各向異性(△ε)可指液晶的水平介電常數(ε//)與垂直介電常數(ε⊥)之間的差(ε//-ε⊥)。在本說明書中,術語水平介電常數(ε//)指在施加電壓以使得液晶的指向矢(director)與所施加電壓產生的電場方向實質上水平的狀態下沿電場方向量測的介電常數值,且垂直介電常數(ε⊥)指在施加電壓以使得液晶的指向矢與所施加電壓產生的電場方向實質上垂直的狀態下沿電場方向量測的介電常數值。
舉例而言,液晶層的折射率各向異性(△n)可在0.01至0.5的範圍內。在另一實例中,折射率各向異性可為0.02或大於
0.02、0.03或大於0.03、0.04或大於0.04、0.05或大於0.05、0.06或大於0.06、0.07或大於0.07、0.08或大於0.08、或0.085或大於0.085,或者可為0.45或小於0.45、0.4或小於0.4、0.35或小於0.35、0.3或小於0.3、0.25或小於0.25、0.2或小於0.2、0.15或小於0.15、或0.1或小於0.1左右。根據目的選擇液晶層的折射率各向異性,但並非僅限於此。
液晶層的驅動模式可由例如動態散射(dynamic scattering,DS)模式、電性可控雙折射(electrically controllable birefringence,ECB)模式、面內切換(in-plane switching,IPS)模式、邊緣場切換(fringe-field switching,FFS)模式、光學補償彎曲(optically compensated bend,OCB)模式、垂直配向(vertical alignment,VA)模式、多域垂直配向(multi-domain vertical alignment,MVA)模式、圖案化垂直配向(patterned vertical alignment,PVA)模式、混合配向向列(hybrid aligned nematic,HAN)模式、扭轉向列(twisted nematic,TN)模式、超級扭轉向列(super twisted nematic,STN)模式或反向扭轉向列(reversed twisted nematic,R-TN)模式及類似模式來舉例說明。
本申請案的液晶層可被設計(形成)為能夠在上述模式中實施至少扭轉取向。扭轉取向是指液晶層中的液晶化合物基於假想螺旋軸以扭轉形式取向的狀態,並且此種扭轉取向可在液晶層的液晶化合物水平取向、垂直取向、傾斜取向或展曲取向(spray oriented)的狀態下實施。此外,扭轉取向可在液晶層的初始狀態
下實施,或者亦可在施加外部訊號的狀態下實施。
在一個實例中,液晶層可被設計(形成)為能夠至少在垂直取向狀態與扭轉取向狀態之間切換。舉例而言,其可在初始狀態下實施兩種狀態中的任一者,或者可在施加外部訊號(例如,例如電壓等電訊號)時切換至另一種狀態。在一個實例中,垂直取向狀態可在初始狀態下實施。
本申請案的光調節元件可被設計成使得即使在高溫下亦可穩定地保持如上所述的液晶層的取向狀態(具體而言,垂直取向狀態)。
舉例而言,光調節元件包括:第一基板及第二基板,各自具有第一表面及第二表面,並且相對設置,使得其第一表面彼此面向;並且存在於第一基板與第二基板之間的液晶層可滿足以下方程式1。
[方程式1]T2≦3×T1
在方程式1中,T1是在垂直取向所述液晶層並將其放置於正交偏振器之間之後量測的初始透射率,且T2是在垂直取向狀態下將示出T1透射率的所述液晶層在100℃下保持5分鐘且然後將其放置於所述正交偏振器之間之後量測的透射率。
此處,T1及T2的單位是%。此外,此處,初始透射率T1是在室溫下量測的,且透射率T2是在將溫度保持在100℃下5分鐘且然後原樣保持在100℃下的狀態下量測的。
此外,透射率T1及T2的量測波長是可見光波長(380奈米至770奈米)。
圖1是示出確認T1及T2的過程的圖式。
如圖1所示,透射率T1及T2可在液晶層或光調節元件(200)位於兩片正交偏振器(101,102)之間的狀態下量測。此時,如圖1所示,透射率是在允許光自兩片正交偏振器(101,102)中的另一偏振器(102)側入射至任一偏振器(101)上(在圖1中箭頭的方向上)之後量測的透射率。
正交偏振器是指兩片偏振器的光吸收軸彼此垂直的狀態。通常,當在兩片偏振器中的一個偏振器的光吸收軸固定而另一個偏振器的光吸收軸相對於所述光吸收軸旋轉的狀態下量測透射率時,最低透射率出現的點被視為兩片偏振器的光吸收軸彼此垂直的點。
在垂直取向狀態的情形中,液晶層如圖1所示位於兩個正交偏振器之間,且若量測透射率,則透射率被量測為低。因此,T1顯示為極低的數值。當液晶層的垂直取向性質損壞或劣化、同時液晶層在垂直取向狀態下在高溫下保持一定時間段(在100℃下保持5分鐘)時,如此量測的T2表現為高於T1。在上述量測T1及T2的過程中,當光調節元件的第一及/或第二基板是各向異性基板時,相關基板的慢軸被佈置成平行於兩片偏振器中的任一偏振器的光吸收軸。
然而,在本申請案的光調節元件中,即使在高溫下,液
晶層的取向性質(尤其是垂直取向性質)亦可穩定地保持,使得上述T2可為T1的3倍或小於3倍(3×T1或小於3×T1)。在另一實例中,上述T2亦可為T1的2.5倍或小於2.5倍(2.5×T1或小於2.5×T1)、T1的2倍或小於2倍(2×T1或小於2×T1)、T1的1.5倍或小於1.5倍(1.5×T1或小於1.5×T1)、或者T1的1倍或小於1倍(T1或小於T1)左右。上述T2的下限不受特別限制,並且在一個實例中,其亦可為T1的0.5倍或大於0.5倍(0.5×T1或大於0.5×T1)、T1的0.7倍或大於0.7倍(0.7×T1或大於0.7×T1)、或者T1的0.9倍或大於0.9倍(0.9×T1或大於0.9×T1)。在一個實例中,T1與T2可實質上相同。
T2的具體數值不受特別限制,但在一個實例中,其可為2%或小於2%左右。在另一實例中,T2可為1.8%或小於1.8%、1.6%或小於1.6%、1.4%或小於1.4%、1.2%或小於1.2%、1%或小於1%、0.8%或小於0.8%、0.6%或小於0.6%、0.4%或小於0.4%、或0.2%或小於0.2%左右。T2的下限不受限制,且例如,T2可為0%或大於0%。
在實例中具體描述了上述量測T1及T2的方法。
作為液晶層的光調節層基本上包含液晶化合物,必要時,所述光調節層還可包含附加組分。
舉例而言,作為光調節層的液晶層亦可與液晶化合物一起包含所謂的手性摻雜劑。此種手性摻雜劑可誘發螺旋結構的取向,即液晶化合物中的扭轉取向。
可包含於光調節層中的手性摻雜劑可不受特別限制地使用,只要其可誘發所需的旋轉(扭轉)而不使例如向列規律性等液晶性劣化即可。用於誘發液晶分子旋轉的手性摻雜劑需要在分子結構中至少包括手性。手性摻雜劑可藉由例如以下來舉例說明:具有一或兩個或更多個非對稱碳的化合物;在雜原子上具有非對稱點的化合物,例如手性胺或手性亞碸;或者具有軸向非對稱光學活性位點的化合物,例如疊烯類(cumulene)或聯萘酚(binaphthol)。手性摻雜劑可為例如分子量為1,500或小於1,500的低分子量化合物。作為手性摻雜劑,可應用可商業購得的手性向列型液晶,例如可自默克有限公司(Merck Co.,Ltd.)商業購得的手性摻雜劑液晶S811或巴斯夫(BASF)的LC756。
對手性摻雜劑的比率亦無特別限制,但可添加所述手性摻雜劑,使得光調節層的厚度(d,胞元間隙)對藉由添加手性摻雜劑產生的液晶化合物的螺旋結構的節距(扭轉取向的節距)(p)的比率(d/p)可滿足以下將要描述的K值。
應用手性摻雜劑的所謂扭轉取向光調節層(液晶層)的節距(p)可藉由使用楔形胞元的量測方法來量測,並且所述節距(p)可藉由在德米特羅.波多爾斯基(D.Podolskyy)等人的使用「條紋楔形格蘭讓-卡諾胞元」準確量測膽固醇節距的簡單方法(Simple method for accurate measurement of the cholesteric pitch using a “stripe-wedge Grandjean-Cano cell”)(液晶(Liquid Crystals),第35卷,第7期,2008年7月8日,789-791)中闡
述的方法來量測。此外,手性摻雜劑的含量(重量%)是藉由方程式100/(螺旋扭轉功率(helical twisting power,HTP)×節距(奈米))計算,其可慮及所需的節距(p)以適當的比率來選擇。
液晶層可被設計成使得光調節層(液晶層)的厚度(d,胞元)對扭轉取向的節距(p)的比率(d/p)小於1。在另一實例中,比率(d/p)可為0.95或小於0.95、0.9或小於0.9、0.85或小於0.85、0.8或小於0.8、0.75或小於0.75、0.7或小於0.7、0.65或小於0.65、0.6或小於0.6、0.55或小於0.55、0.5或小於0.5、0.45或小於0.45、0.4或小於0.4、0.35或小於0.35、0.3或小於0.3、0.25或小於0.25、或0.2或小於0.2,或者亦可為0.1或大於0.1、0.15或大於0.15、0.2或大於0.2、0.25或大於0.25、0.3或大於0.3、0.35或大於0.35、0.4或大於0.4、0.45或大於0.45、或0.5或大於0.5左右。
液晶層可被設計成使得扭轉取向的節距(p)在1微米至100微米的範圍內。在另一實例中,所述比率可為2微米或大於2微米、3微米或大於3微米、4微米或大於4微米、5微米或大於5微米、6微米或大於6微米、7微米或大於7微米、8微米或大於8微米、9微米或大於9微米、10微米或大於10微米、11微米或大於11微米、12微米或大於12微米、13微米或大於13微米、14微米或大於14微米、15微米或大於15微米、16微米或大於16微米、17微米或大於17微米、18微米或大於18微米、19微米或大於19微米、或19.5微米或大於19.5微米,或者亦可為95
微米或小於95微米、90微米或小於90微米、85微米或小於85微米、80微米或小於80微米、75微米或小於75微米、70微米或小於70微米、65微米或小於65微米、60微米或小於60微米、55微米或小於55微米、50微米或小於50微米、45微米或小於45微米、40微米或小於40微米、35微米或小於35微米、30微米或小於30微米、或25微米或小於25微米左右。
液晶層的厚度(d,胞元間隙)可在0.5微米至50微米的範圍內。在另一實例中,厚度(d,胞元間隙)可為1微米或大於1微米、1.5微米或大於1.5微米、2微米或大於2微米、2.5微米或大於2.5微米、3微米或大於3微米、或3.5微米或大於3.5微米、4微米或大於4微米、4.5微米或大於4.5微米、5微米或大於5微米、5.5微米或大於5.5微米、6微米或大於6微米、6.5微米或大於6.5微米、7微米或大於7微米、7.5微米或大於7.5微米、8微米或大於8微米、8.5微米或大於8.5微米、9微米或大於9微米、9.5微米或大於9.5微米、或10微米或大於10微米,或者亦可為48微米或小於48微米、46微米或小於46微米、44微米或小於44微米、42微米或小於42微米、40微米或小於40微米、38微米或小於38微米、36微米或小於36微米、34微米或小於34微米、32微米或小於32微米、30微米或小於30微米、28微米或小於28微米、26微米或小於26微米、24微米或小於24微米、22微米或小於22微米、20微米或小於20微米、18微米或小於18微米、16微米或小於16微米、14微米或小於14微米、12
微米或小於12微米、或10微米或小於10微米左右。
藉由此種設計,可提供一種更高效地達成本申請案的目的的光調節元件。
在光調節層(液晶層)中,亦可包含其他必要的附加組分(例如,二色性染料等)。
在光調節元件中在第一基板的第一表面上形成黏著劑層或壓敏黏著劑層的情形中,壓敏黏著劑層或黏著劑層的類型不受特別限制,但可根據其與下式1的化合物(在下文中,可被稱為矽化合物)混合的事實來施加矽酮系壓敏黏著劑層或矽酮系黏著劑層,以容易發揮所需效果。舉例而言,有各種類型的矽酮系壓敏黏著劑或矽酮系黏著劑在所述行業中被稱為所謂的光學透明黏著劑(optically clear adhesive,OCA)或光學透明樹脂(optical clear resin,OCR),並且該些壓敏黏著劑或黏著劑可在包含以下將要描述的矽化合物的狀態下與液晶配向膜結合,以誘發液晶化合物的合適取向。
亦即,矽酮系壓敏黏著劑或包含矽化合物的黏著劑的特定表面特性可與液晶配向膜(尤其是垂直配向膜)結合誘發適合於所述目的的液晶化合物的取向狀態。
作為矽酮系壓敏黏著劑或黏著劑,可使用可固化矽酮黏著劑或壓敏黏著劑組成物的固化產物(在下文中,可簡稱為可固化矽酮組成物)。可固化矽酮組成物的類型不受特別限制,且舉例而言,可使用可熱固化矽酮組成物或可紫外線固化矽酮組成物。
在一個實例中,可固化矽酮組成物是可加成固化矽酮組成物,其可包含(1)分子中含有二或更多個烯基的有機聚矽氧烷及(2)分子中含有二或更多個與矽鍵合的氫原子的有機聚矽氧烷。此種矽酮化合物可例如在存在例如鉑觸媒等觸媒的情況下藉由加成反應形成固化產物。
(1)有機聚矽氧烷在一個分子中包含至少兩個烯基作為構成矽酮固化產物的主要組分。此時,烯基的具體實例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基等,且通常應用前述者中的乙烯基,但並非僅限於此。在(1)有機聚矽氧烷中,如上所述的烯基的鍵合位置並無特別限制。舉例而言,烯基可鍵合至分子鏈的末端及/或分子鏈的側鏈。另外,在(1)有機聚矽氧烷中,除上述烯基以外可包括的取代基的類型可包括:烷基,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基;芳基,例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基;芳烷基,例如苄基或苯乙基;經鹵素取代的烷基,例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基等,且通常應用前述者中的甲基或苯基,但並非僅限於此。
(1)有機聚矽氧烷的分子結構並無特別限制,其亦可具有任何形狀,例如線性、支化、環狀、網狀或部分支化的線性。通常應用此種分子結構中具有線性分子結構的一者,但並非僅限於此。
(1)有機聚矽氧烷的更具體的實例可包括在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基乙烯基
矽氧烷共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的甲基乙烯基聚矽氧烷、在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基乙烯基矽氧烷基封端的二甲基聚矽氧烷、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基乙烯基矽氧烷基封端的甲基乙烯基聚矽氧烷、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基乙烯基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基乙烯基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、包含由R1 2SiO2/2表示的矽氧烷單元及由R1 2R2SiO1/2表示的矽氧烷單元以及由SiO4/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、包含由R1 2R2SiO1/2表示的矽氧烷單元及由SiO4/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、包含由R1R2SiO2/2表示的矽氧烷單元及由R1SiO3/2表示的矽氧烷單元或由R2SiO3/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、以及前述者中的二或更多者的混合物,但並非僅限於此。此處,R1是除烯基以外的烴基,具體而言是:烷基,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基;芳基,例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基;芳烷基,例如苄基或苯乙基;經鹵素取代的烷基,例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基等。另外,此處,R2是烯基,其具體而言可為乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或庚烯基等。
在可加成固化矽酮組成物中,(2)有機聚矽氧烷可用於
交聯(1)有機聚矽氧烷。在(2)有機聚矽氧烷中,氫原子的鍵合位置並無特別限制,其可例如鍵合至分子鏈的末端及/或側鏈。此外,在(2)有機聚矽氧烷中,除與矽鍵合的氫原子以外可包括的取代基的種類並無特別限制,其可包括例如在(1)有機聚矽氧烷中提及的烷基、芳基、芳烷基或經鹵素取代的烷基等,且在該些中,通常應用甲基或苯基,但並非僅限於此。
(2)有機聚矽氧烷的分子結構並無特別限制,且亦可具有任何形狀,例如線性、支化、環狀、網狀或部分支化的線性。通常應用此種分子結構中具有線性分子結構的一者,但並非僅限於此。
(2)有機聚矽氧烷的更具體的實例可包括在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的甲基氫聚矽氧烷、在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基氫共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用三甲基矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基氫矽氧烷基封端的二甲基聚矽氧烷、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基氫矽氧烷基封端的二甲基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、在分子鏈的兩個末端處利用二甲基氫矽氧烷基封端的甲基苯基聚矽氧烷、包含由R1 3SiO1/2表示的矽氧烷單元、由R1 2HSiO1/2表示的矽氧烷單元及由SiO4/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、包含由R1 2HSiO1/2表示的矽氧烷單元及由SiO4/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、包含由
R1HSiO2/2表示的矽氧烷單元及由R1SiO3/2表示的矽氧烷單元或由HSiO3/2表示的矽氧烷單元的有機聚矽氧烷共聚物、以及前述者中的二或更多者的混合物,但並非僅限於此。此處,R1是除烯基以外的烴基,其具體而言可為:烷基,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或庚基;芳基,例如苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基;芳烷基,例如苄基或苯乙基;經鹵素取代的烷基,例如氯甲基、3-氯丙基或3,3,3-三氟丙基等。
(2)有機聚矽氧烷的含量並無特別限制,只要其被包含的程度使得可實行適當的固化即可。舉例而言,如上所述,可以對於(1)有機聚矽氧烷中所含有的每一烯基有0.5至10個與矽鍵合的氫原子的量含有(2)有機聚矽氧烷。在此範圍內,可充分執行固化並且可確保耐熱性。
可加成固化矽酮組成物可更包含鉑或鉑化合物作為固化觸媒。此種鉑或鉑化合物的具體類型不受特別限制。觸媒的比率亦可調整至可執行適當固化的水準。
此外,可加成固化矽酮組成物還可包含自以適當比率改善儲存穩定性、處理性質及可加工性的視角來看所需的適當添加劑。
在另一實例中,矽酮組成物可包含例如(a)含烷氧基的矽氧烷聚合物;及(b)含羥基的矽氧烷聚合物作為可縮合固化的矽酮組成物。
(a)矽氧烷聚合物可為例如由下式I表示的化合物。
[式I]R1 aR2 bSiOc(OR3)d
在式I中,R1及R2各自獨立地表示氫原子或經取代或未經取代的單價烴基,R3表示烷基,其中當存在多個R1、R2及R3時,其各自可彼此相同或彼此不同,且a及b各自獨立地表示0或大於0且小於1的數,a+b表示大於0且小於2的數,c表示大於0小於2的數,d表示大於0且小於4的數,且a+b+c×2+d為4。
在式I的定義中,單價烴可為例如具有1至8個碳原子的烷基、苯基、苄基或甲苯基等,其中具有1至8個碳原子的烷基可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基等。此外,在式1的定義中,單價烴基可被例如鹵素、胺基、巰基、異氰酸酯基、縮水甘油基、縮水甘油氧基或脲基等已知的取代基取代。
在式I的定義中,R3的烷基的實例可包括甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基等。在該些烷基中,通常應用甲基或乙基等,但並非僅限於此。
在式I的聚合物中,可使用支化或第三交聯矽氧烷聚合物。此外,在此(a)矽氧烷聚合物中,羥基可保持在不損害目的的範圍內,具體而言在不抑制脫醇反應(dealcoholization reaction)的範圍內。
(a)矽氧烷聚合物可例如藉由水解及縮聚多官能烷氧基矽烷或多官能氯矽烷等來生產。此領域中的普通技術人員可依據
所需的(a)矽氧烷聚合物容易地選擇適當的多官能烷氧基矽烷或氯矽烷,且亦可使用所述多官能烷氧基矽烷或氯矽烷容易地控制水解及縮聚反應的條件。同時,在(a)矽氧烷聚合物的生產中,依據目的,亦可組合使用適當的單官能烷氧基矽烷。
作為(a)矽氧烷聚合物,舉例而言,可使用可商業購得的有機矽氧烷聚合物,例如信越矽酮(Shin-Etsu Silicone)的X40-9220或X40-9225,或通用電氣東麗矽酮(GE Toray Silicone)的XR31-B1410、XR31-B0270或XR31-B2733。
作為包含在可縮合固化矽酮組成物中的(b)含羥基的矽氧烷聚合物,舉例而言,可使用由下式II表示的化合物。
在式II中,R4及R5各自獨立地表示氫原子或經取代或未經取代的單價烴基,其中當存在多個R4及R5時,其可彼此相同或彼此不同,且n表示5至2,000的整數。
在式II的定義中,單價烴基的具體類型可包括例如與上式I的情形相同的烴基。
(b)矽氧烷聚合物可例如藉由水解及縮聚二烷氧基矽烷及/或二氯矽烷等來生產。此領域的普通技術人員可根據所需的(b)矽氧烷聚合物容易地選擇適當的二烷氧基矽烷或二氯矽烷,且亦
可使用二烷氧基矽烷或二氯矽烷容易地控制水解及縮聚反應的條件。作為上述(b)矽氧烷聚合物,可使用可商業購得的雙官能有機矽氧烷聚合物,例如GE東麗矽酮的XC96-723、YF-3800或YF-3804等。
上述加成固化或縮合固化矽酮組成物是用於形成在本申請案中應用的矽酮壓敏黏著劑或黏著劑的材料的實例。亦即,基本上,在所述行業中被稱為OCA或OCR的所有矽酮壓敏黏著劑或黏著劑及類似物皆可應用於本申請案中。
壓敏黏著劑或黏著劑或形成所述壓敏黏著劑或黏著劑的可固化組成物的類型不受特別限制,所述類型可根據預期用途適當選擇。舉例而言,可使用固體、半固體或液體壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物。固體或半固體壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物可在結合黏合物體之前固化。液體壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物被稱為所謂的光學透明樹脂(OCR),其可在結合黏合物體後固化。根據一個實例,作為壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物,可使用所謂的聚二甲基矽氧烷系壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物、或聚甲基乙烯基矽氧烷系壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物、或烷氧基矽酮系壓敏黏著劑或黏著劑或可固化組成物,但並非僅限於此。
在矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層中包含特定的矽化合物。作為矽化合物,可應用具有下式1的三或更多個取代基的化合物。此種化合物可藉由控制矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層的表
面特性等來有效地形成及保持液晶化合物的取向,並且可允許即使在高溫條件下亦穩定地保持此取向。
在式1中,R1至R3各自獨立地為氫原子或烷基,但R1至R3中的至少兩者可為烷基。此外,在式1中,*是指相應的位點被連接。
在式1中,烷基可為具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基。此種烷基可視情況被一或多個取代基取代,或者可為未經取代的烷基。
在一個實例中,上述式1的烷基可為具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷基,或者可為直鏈烷基。
在一個實例中,式1中R1至R3中的任一者可為氫原子,且另外兩者可為烷基。此外,在一個實例中,式1中的R1至R3中的任一者可為氫原子,且另外兩者可為具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個
碳原子的直鏈或支鏈烷基,或者可為直鏈烷基,並且此種烷基可視情況被一或多個取代基取代,或者可為未經取代的烷基。
具有三或更多個以上式1的取代基的化合物可含有3至10個、3至9個、3至8個、3至7個、3至6個、3至5個或3至4個以上式1的取代基。
作為所述化合物,可應用含有以上式1的取代基的各種類型的化合物,且一個實例是由以下式2表示的化合物。
在式2中,R4至R7各自獨立地為氫、烷基或式1的取代基,但R4至R7中的三或更多者或全部為以上式1的取代基。
在式2中,烷基可為具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基。此種烷基可視情況被一或多個取代基取代,或者可為未經取代的烷基。
在一個實例中,上述式2的烷基可為具有1至20個碳原子、1至16個碳原子、1至12個碳原子、1至8個碳原子或1至4個碳原子的直鏈或支鏈烷基,或者可為直鏈烷基。
在矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層中具有三或更多個以上式1的取代基的化合物(矽化合物)的比率不受特別限制,但所述比率可在1重量%至50重量%的範圍內調整。在另一實例中,所述比率可為2重量%或大於2重量%、3重量%或大於3重量%、4重量%或大於4重量%、5重量%或大於5重量%、6重量%或大於6重量%、7重量%或大於7重量%、8重量%或大於8重量%、9重量%或大於9重量%、10重量%或大於10重量%、11重量%或大於11重量%、12重量%或大於12重量%、13重量%或大於13重量%、14重量%或大於14重量%、或15重量%或大於15重量%,或者亦可為49重量%或小於49重量%、48重量%或小於48重量%、47重量%或小於47重量%、46重量%或小於46重量%、45重量%或小於45重量%、44重量%或小於44重量%、43重量%或小於43重量%、42重量%或小於42重量%、41重量%或小於41重量%、40重量%或小於40重量%、39重量%或小於39重量%、38重量%或小於38重量%、37重量%或小於37重量%、36重量%或小於36重量%、35重量%或小於35重量%、34重量%或小於34重量%、33重量%或小於33重量%、32重量%或小於32重量%、31重量%或小於31重量%、30重量%或小於30重量%、29重量%或小於29重量%、28重量%或小於28重量%、27重量%或小於27重量%、26重量%或小於26重量%、25重量%或小於25重量%、24重量%或小於24重量%、23重量%或小於23重量%、22重量%或小於22重量%、21重量%或小於21重量%、20重量%或小於
20重量%、19重量%或小於19重量%、18重量%或小於18重量%、17重量%或小於17重量%、16重量%或小於16重量%、15重量%或小於15重量%、14重量%或小於14重量%、13重量%或小於13重量%、12重量%或小於12重量%、11重量%或小於11重量%、或10重量%或小於10重量%左右。在上述比率範圍內,可更有效地確保液晶化合物的所需取向性質及高溫穩定性。
在一個實例中,可選擇及應用具有上述式1的取代基的化合物(矽化合物),使得根據以下方程式1的K值為2微米或大於2微米。
[方程式1]K=A×B×D
在方程式1中,A是由以下方程式2確定的值,B是包含在具有三或更多個式1的取代基的化合物(矽化合物)中的式1的取代基的數量,D是矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層的厚度。此處,矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層的厚度(D)的單位是微米。
[方程式2]A=S/(S+O)
在方程式2中,S是包含在矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層中的具有三或更多個式1的取代基的化合物(矽化合物)的重量,且O是不包含具有三或更多個上述式1的取代基的化合物的壓敏黏著劑層或黏著劑層的重量。若重量S及O的單位彼此相等,則可使用各種單位,但一般應用克。
在另一實例中,上述方程式1的K值可為2.5或大於2.5、或3或大於3,或者可為10或小於10、9或小於9、8或小於8、7或小於7、6或小於6、5或小於5、或4.5或小於4.5左右。在此範圍內,可更穩定地確保液晶化合物的所需取向及高溫取向穩定性。
在方程式1中,A例如可在0.01至0.5的範圍內。在另一實例中,A可為0.02或大於0.02、0.03或大於0.03、0.04或大於0.04、0.05或大於0.05、0.06或大於0.06、0.07或大於0.07、0.08或大於0.08、0.09或大於0.09、0.10或大於0.10、0.11或大於0.11、0.12或大於0.12、0.13或大於0.13、0.14或大於0.14、或0.15或大於0.15,或者亦可為0.49或小於0.49、0.48或小於0.48、0.47或小於0.47、0.46或小於0.46、0.45或小於0.45、0.44或小於0.44、0.43或小於0.43、0.42或小於0.42、0.41或小於0.41、0.40或小於0.40、0.39或小於0.39、0.38或小於0.38、0.37或小於0.37、0.36或小於0.36、0.35或小於0.35、0.34或小於0.34、0.33或小於0.33、0.32或小於0.32、0.31或小於0.31、0.30或小於0.30、0.29或小於0.29、0.28或小於0.28、0.27或小於0.27、0.26或小於0.26、0.25或小於0.25、0.24或小於0.24、0.23或小於0.23、0.22或小於0.22、0.21或小於0.21、0.20或小於0.20、0.19或小於0.19、0.18或小於0.18、0.17或小於0.17、0.16或小於0.16、0.15或小於0.15、0.14或小於0.14、0.13或小於0.13、0.12或小於0.12、0.11或小於0.11、或0.10或小於0.10左右。在
上述比率範圍內,可更有效地確保液晶化合物的所需取向性質及高溫穩定性。在此範圍內,可更穩定地確保液晶化合物的所需取向及高溫取向穩定性。
方程式1中的D(亦即,矽酮壓敏黏著劑層或黏著劑層的厚度)可例如在0.5微米至50微米的範圍中。在另一實例中,厚度(d,胞元間隙)可為1微米或大於1微米、1.5微米或大於1.5微米、2微米或大於2微米、2.5微米或大於2.5微米、3微米或大於3微米、或3.5微米或大於3.5微米、4微米或大於4微米、4.5微米或大於4.5微米、5微米或大於5微米、5.5微米或大於5.5微米、6微米或大於6微米、6.5微米或大於6.5微米、7微米或大於7微米、7.5微米或大於7.5微米、8微米或大於8微米、8.5微米或大於8.5微米、9微米或大於9微米、9.5微米或大於9.5微米、10微米或大於10微米,或者亦可為48微米或小於48微米、46微米或小於46微米、44微米或小於44微米、42微米或小於42微米、40微米或小於40微米、38微米或小於38微米、36微米或小於36微米、34微米或小於34微米、32微米或小於32微米、30微米或小於30微米、28微米或小於28微米、26微米或小於26微米、24微米或小於24微米、22微米或小於22微米、20微米或小於20微米、18微米或小於18微米、16微米或小於16微米、14微米或小於14微米、12微米或小於12微米、或10微米或小於10微米左右。在此範圍內,可更穩定地確保液晶化合物的所需取向及高溫取向穩定性。
當如上所述的壓敏黏著劑層或黏著劑層形成於第一基板的第一表面上時,液晶配向膜可不形成於第一基板上。
對於可形成於光調節元件中的第二基板的第一表面上的液晶配向膜的種類無特別限制。慮及所需的初始取向,可應用已知的垂直或水平配向膜或其他配向膜作為所述配向膜。至於配向膜的類型,可應用接觸配向膜(例如,摩擦配向膜)或非接觸配向膜(例如,光配向膜)。在一個實例中,垂直配向膜可用作所述配向膜。舉例而言,如上所述的垂直配向膜及壓敏黏著劑層或黏著劑層的組合可誘發適合各種應用的液晶化合物的取向狀態。
在作為光調節層的液晶層中,由液晶配向膜及/或壓敏黏著劑層或黏著劑層及液晶配向膜形成的液晶化合物的初始取向可為垂直取向、水平取向、傾斜取向或展曲取向。此外,在垂直取向、水平取向、傾斜取向或展曲取向狀態下,液晶化合物可扭轉或可不扭轉從而以扭轉取向或膽固醇取向存在。初始取向是指液晶化合物在上述初始狀態下的取向。
水平取向、傾斜取向、垂直取向或展曲取向的含義是此項技術中已知的。當光調節層的液晶化合物在初始狀態下保持水平取向、傾斜取向、垂直取向或展曲取向狀態時,其可根據外部訊號改變至其他取向狀態。
在一個實例中,光調節層中的液晶化合物的初始取向可為垂直取向或者類似於垂直取向的取向狀態,並且扭轉取向可在施加外部訊號時實施。此種取向狀態是藉由應用垂直配向膜作為
液晶配向膜而獲得的。此種取向在實施所謂的反向扭轉向列(R-TN)取向的組件中是有用的。
光調節層在垂直取向或類似於垂直取向的取向狀態下的面內相位差(基於550奈米的波長)可為例如約30奈米或小於30奈米、25奈米或小於25奈米、20奈米或小於20奈米、15奈米或小於15奈米、10奈米或小於10奈米、或5奈米或小於5奈米,或者可為0奈米或大於0奈米、或大於0奈米。
根據以上方程式A獲得面內相位差,並且在此種情形中,方程式A中的nx、ny及d分別為慢軸方向折射率、快軸方向折射率及光調節層的厚度。
光調節元件可更包括用於保持第一基板與第二基板之間的距離的間隔件。作為間隔件,可應用作為常用間隔件的球間隔件、柱間隔件或分隔壁間隔件或者前述二或更多者的組合。在合適的實例中,分隔壁間隔件可用作所述間隔件,並且具體而言,可應用其中分隔壁形成至少一個封閉圖形的分隔壁間隔件。作為由分隔壁間隔件形成的封閉圖形,可舉例說明六邊形(例如,正六邊形等)或四邊形(例如,正方形或矩形)。封閉圖形為六邊形、具體而言為正六邊形的分隔壁間隔件亦被稱為所謂的蜂巢型間隔件。當自基板的法線方向觀察形成於基板上的分隔間隔件的形狀時,如眾所習知,此種蜂巢狀或四邊形分隔間隔件指由分隔間隔件形成的圖形是蜂巢型或四邊形型的情形。蜂巢型通常是正六邊形的組合,且在四邊形型的情形中,可存在正方形、矩形或正方
形與矩形的組合等。慮及第一基板與第二基板之間的黏合性,分隔壁間隔件可用作所述間隔件,但並非僅限於此。
亦可慮及所需的黏合力或胞元間隙保持效率等適當地選擇間隔件的節距。舉例而言,當應用分隔間隔件時,分隔間隔件的節距可在50微米至2,000微米的範圍中。舉例而言,若分隔間隔件是蜂巢型的,則節距是藉由形成蜂巢的六邊形中相對邊的間隔獲得的,而在四邊形的情形中,節距是藉由四邊形的邊長獲得的。在形成蜂巢的六邊形中彼此面對的邊的間隔或者四邊形的邊長不恆定的情形中,其平均值可被定義為節距。
當分隔壁間隔件構成封閉圖形時,例如,封閉圖形的面積(即,例如六邊形或四邊形的面積)可例如在約1平方毫米至200平方毫米的範圍內。當分隔壁間隔件形成多個封閉圖形並且封閉圖形具有不同的面積時,所述面積是算術平均值。
分隔間隔件的線寬(例如,形成蜂巢的六邊形或四邊形的每一壁的寬度)可在例如約5微米至50微米的範圍中。在另一實例中,線寬可為約10微米或大於10微米、或者15微米或大於15微米,或者亦可為45微米或小於45微米、40微米或小於40微米、35微米或小於35微米、30微米或小於30微米、25微米或小於25微米、或者20微米或小於20微米左右。
在此種範圍內,可適當地保持胞元間隙,並且亦可優異地保持基板之間的黏合性。舉例而言,當壓敏黏著劑層或黏著劑層形成於第一基板上時,與分隔壁間隔件的結合可在基板之間提
供優異的黏著力。
作為用於向光調節層施加外部訊號的部件,可於光調節元件的每個基板上形成電極層。舉例而言,電極層可存在於第一基板中的第一表面與功能層(液晶配向膜、壓敏黏著劑或黏著劑層)之間(圖2中在100與1001之間)及/或第二基板中的第一表面與液晶配向膜之間(圖2中在200與2001之間)(若存在間隔件,則在間隔件與配向膜之間)。在第二基板的情形中,通常首先在第一表面上形成電極層,並且在其上依序形成間隔件及配向膜,使得當存在間隔件時,電極層可位於第二基板的第一表面與間隔件及配向膜之間。
作為電極層,可應用已知的透明電極層,並且舉例而言,所謂的導電聚合物層、導電金屬層、導電奈米線層或例如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)等金屬氧化物層可用作所述電極層。此外,能夠形成透明電極層的各種材料及形成方法是已知的,其可不受限制地應用。
光調節元件可根據需要在基本上包括光調節元件的同時包括其他附加構造。亦即,依據驅動模式,即使僅利用光調節元件,上述透明、黑色、高反射及/或低反射模式的實施以及其之間的切換亦為可能的,但為便於該些模式的實施或切換,亦可包括附加部件。
舉例而言,所述元件可更包括設置於光調節元件的一側或兩側的偏振層(被動偏振層)。作為以上結構的實例,圖3是在
圖2的結構中偏振層(400)僅設置於光調節元件的一側的情形,且圖4是在圖2的結構中偏振層(400)設置於光調節元件的兩側的情形。此外,當分隔間隔件被應用為間隔件並且形狀是四邊形(正方形或矩形)時,四邊形的邊及偏振層的吸收軸被適當地設置成彼此實質上垂直或水平。
術語偏振層可指將自然光或非偏振光轉換成偏振光的組件。在一個實例中,偏振層可為線性偏振層。線性偏振層是指選擇性透射光是在任一方向上振動的線性偏振光而選擇性吸收或反射光是在與線性偏振光的振動方向正交的方向上振動的線性偏振光的情形。亦即,線性偏振層可具有在平面方向上彼此正交的透射軸及吸收軸或反射軸。
偏振層可為吸收偏振層或反射偏振層。作為吸收偏振層,例如,可使用其中碘被染色至例如PVA拉伸膜等聚合物拉伸膜的偏振層、或者其中以取向狀態聚合的液晶被用作主體並且沿著液晶的取向排列的二色性染料被用作客體的客體-主體偏振層,但並非僅限於此。
作為反射偏振層,例如,可使用被稱為所謂的雙亮度增強膜(dual brightness enhancement film,DBEF)的反射偏振層或藉由塗佈液晶化合物(例如,溶致液晶(lyotropic liquid crystal,LLC))形成的反射偏振層,但並非僅限於此。
如圖4所示,其可具有其中偏振層設置於光調節元件兩側的結構。在此種情形中,由設置於兩側的偏振層的透射軸形成
的角度可在85度至95度的範圍內,或者近似垂直。
在一個實例中,光學元件亦可被配置為不包括任何偏振層。舉例而言,在將二色性染料作為附加組分混合在液晶層中之後,亦可配置光學元件而不施加任何偏振層。
除了以上構造之外,光調節元件可包括其他必要的構造。
舉例而言,光調節元件可更包括滿足以下方程式3的折射率關係的光學各向異性膜。此種膜可藉由對基板或光調節層進行光學補償來進一步改善元件的效能。
[方程式3]nz<ny
在方程式3中,ny是光學各向異性膜在快軸方向上相對於550奈米波長的折射率,且nz是光學各向異性膜在厚度方向上相對於550奈米波長的折射率。
滿足以上方程式3的關係的光學各向異性膜是表現出所謂的負C板(negative C plate)的性質的膜。
此種光學各向異性膜的厚度方向相位差基於550奈米的波長可例如在0奈米至-600奈米或大於-600奈米的範圍內。光學各向異性膜亦可存在於光學元件中的一層或二或更多層中,並且當光學各向異性膜存在於一層中時,厚度方向相位差是一層膜的厚度方向相位差,並且當其存在於二或更多個層中時,其為所有膜的厚度方向相位差的總和。
此外,厚度方向相位差是由以下方程式4確定的物理量。
[方程式4]Rin=d×(nz-ny)
在方程式4中,Rth是厚度方向相位差,nz是膜的厚度方向折射率,ny是膜的快軸方向折射率,且d是膜的厚度。此處,厚度方向及快軸的含義在所述行業中是已知的。
作為光學各向異性膜,可應用作為已知延遲膜的滿足以上方程式3的膜,並且作為此種類型的膜,例如,拉伸聚合物膜或液晶膜等在所述行業中以各種方式習知。
光學各向異性膜可存在於第一基板及/或第二基板上,其可形成於例如第一基板及/或第二基板的第一表面上。此時,光學各向異性膜可存在於第一基板及/或第二基板與光調節層之間;當液晶配向膜或壓敏黏著劑層或黏著劑層(液晶配向膜等)形成於第一表面上時,其可形成於第一基板及/或第二基板與液晶配向膜等之間;並且當電極層形成於第一表面上時,其亦可形成於第一基板及/或第二基板與電極層之間。
必要時,除了以上構造之外,光調節元件還可包括其他構造。舉例而言,可添加驅動或使用光調節元件所必需的任何其他構造,例如除了形成於第一基板的第一表面上的壓敏黏著劑層或黏著劑層之外用於附接其他部件的壓敏黏著劑層或黏著劑層、硬塗膜、抗反射膜及/或近紅外(near-infrared,NIR)切割層。
製造光調節元件的方法不受特別限制,且除了將以上組
件用作每個部件之外,所述元件可藉由已知方法製造。
此種光學元件可用於各種應用,並且可用於例如眼鏡,例如太陽鏡或用於增強實境(augmented reality,AR)或虛擬實境(virtual reality,VR)的眼鏡、建築物的外牆或車輛的天窗及類似物。
本申請案可提供一種光調節元件、光學元件或其製造方法,所述光調節元件即使在施加壓力的包封製程(例如,加壓處理製程)之後亦能夠穩定地保持所設計的光學性質。本申請案亦可提供一種光調節元件、包括所述光調節元件的光學元件或其製造方法,所述光調節元件還可穩定地保持光調節層的取向狀態,同時有效地確保上部基板與下部基板之間的黏著力。
100:第一基板
101、102:偏振器
200:第二基板/液晶層/光調節元件
400:偏振層
600:光調節層
1001:壓敏黏著劑層/黏著劑層
2001:液晶配向膜
圖1是示出量測透射率T1及T2的過程的圖式。
圖2至圖4是本申請案的示例性光調節元件的示意圖。
圖5是評估實例1的光調節元件的高溫取向穩定性的結果。
圖6是評估比較例1的光調節元件的高溫取向穩定性的結果。
在下文中,將藉由實例詳細描述本申請案,但本申請案的範圍不受以下實例的限制。
量測了在實例或比較例中製造的光調節元件的透射率T1及T2。此時,應用於量測的光調節元件是在將聚(乙烯醇)(PVA)偏振層貼附至第一基板及第二基板的第二表面之前的元件。此外,實例或比較例的光調節元件是被配置成使得初始取向是垂直取向的元件,使得在不應用單獨的電源的情況下量測透射率T1及T2。
在奧林巴斯(Olympus)BX51偏振顯微鏡中,內置偏振器的光吸收軸被設置成彼此正交,並且在打開顯微鏡的金屬鹵化物光源之後,將林凱姆(Linkam)LTS420熱台安裝在顯微鏡台上。將樣品(光調節元件)放在Linkam LTS420熱台上。此時,使光調節元件的基板的慢軸平行於BX51偏振顯微鏡中內置的偏振器中的一者的光吸收軸。在此種狀態下,量測了透射率T1。透射率是藉由在顯微鏡上安裝司代樂尼特(StellarNet)的藍波(Blue-Wave),UVN光譜儀來量測的,且量測波長設置於可見光波長範圍(約380奈米至770奈米)內。
在量測透射率T1之後,將Linkam LTS420熱台的溫度設定為100℃,並保持在此5分鐘。
在高溫條件下保持後,以與透射率T1相同的方式量測了透射率T2。然而,在使用Linkam LTS420熱台在100℃下保持5分鐘後,立即量測透射率T2,同時保持溫度不變。
使用安捷倫有限公司(Agilent Co.,Ltd.)的紫外/可見分光鏡8453儀器量測了波長為550奈米的光的膜的面內延遲值(Rin)。將兩片偏振器裝設於UV/VIS分光鏡中,以使得所述兩片偏振器的透射軸彼此正交,且使聚合物膜安裝於所述兩片偏振器之間,以使得所述聚合物膜基板的慢軸分別與所述兩個偏振器的透射軸形成45度,且接著量測了隨波長變化的透射率。自隨波長變化的透射率曲線圖獲得了每一峰值的相位延遲次序。具體而言,隨波長變化的透射率曲線圖中的波形滿足以下方程式A,且正弦波形中的最大峰值(Tmax)條件滿足以下方程式B。在方程式A中的λmax的情形中,由於方程式A的T與方程式B的T相同,因此方程式展開。由於方程式亦展開為n+1、n+2及n+3,列出n及n+1方程式以消除R且將n代入λn及λn+1方程式,因此推導出以下方程式C。由於n及λ可基於方程式A的T與方程式B的T相同的事實而已知,因此獲得對於λn、λn+1、λn+2及λn+3中的每一者的R。獲得4個點的隨波長變化的R值的線性趨勢線,並計算方程式550奈米的R值。線性趨勢線的函數是Y=ax+b,其中a及b是常數。當以550奈米代入函數的x時,Y值是對於波長為550奈米的光的Rin值。
[方程式A]T=sin2[(2πR/λ)]
[方程式B]T=sin2[((2n+1)π/2)]
[方程式C]n=(λn-3λn+1)/(2λn+1+1-2λn)
在以上中,R表示面內延遲(Rin),λ表示波長,且n表示正弦波形的節點度(nodal degree)。
使用量測元件(F20,由費爾麥特科(Filmetric)製造)確認了液晶層及矽酮壓敏黏著劑層的厚度。此處,液晶層的厚度是胞元間隙,此是藉由間隔件的高度來確認的。
作為光調節元件的第一基板,使用厚度為145微米左右的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(SKC,高拉伸PET產品),其中在一側上沈積有氧化銦錫(ITO)電極層。PET膜的面內相位差(550奈米)近似為10,000奈米左右。在PET膜的ITO電極層表面上形成矽酮壓敏黏著劑層。
將藉由向矽酮壓敏黏著劑前驅物溶液(由信越化學公司(Shin-Etsu Chemical)製造,KR-3700)中加入觸媒(信越,CAT-PL-56)及下式A的化合物而製備的壓敏黏著劑溶液棒塗在ITO層上(其中矽酮壓敏黏著劑前驅物以約60重量%的固體濃度溶解在作為溶劑的甲苯中),並在約150℃左右下保持了5分鐘,以將矽酮壓敏黏著劑層形成至8微米左右的厚度。此處,矽酮壓敏黏著劑前驅物、觸媒及式A化合物的重量比(前驅物(不包含
溶劑):觸媒:式A的化合物)為60:0.5:6.7。
由於矽酮壓敏黏著劑前驅物(由信越化學公司製造,KR-3700)、觸媒(信越,CAT-PL-56)及式A的化合物在壓敏黏著劑溶液中的重量比為約60:0.5:6.7,因此在形成的壓敏黏著劑層中根據以下方程式2的A值約為0.1。
作為第二基板,使用厚度為80微米左右的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(由東洋公司(Toyobo)製造,SRF產品),其中氧化銦錫(ITO)層沈積在第一表面上。PET膜的面內相位差(550奈米)近似為9,000左右。在PET膜的ITO層上,以約9%的面積比率(間隔件佔總基板面積的比率)形成節距約為350微米左右、線寬約為10微米左右且高度為6微米左右的作為四邊形分隔壁間隔件的分隔壁間隔件。在間隔件上形成垂直配向膜(5661LB3,尼桑(Nissan))。將配向膜材料(5661LB3,尼桑)在溶劑中稀釋至具有約2.2重量%的固體含量,進行2號(#2)棒塗佈,且然後在100℃下保持了10分鐘左右以形成配向膜。垂直配向膜是藉由在一個方向上對其進行摩擦而形成的。使摩擦方向垂直於第二基板的慢軸方向。
隨後,將液晶組成物塗佈在第二基板的垂直配向膜的表面上,並將第一基板的壓敏黏著劑層層疊成面向液晶組成物的塗佈表面。此時,調整第一基板及第二基板的慢軸的位置,使得所述軸彼此平行。
此處,作為液晶組成物,使用包含液晶化合物(默克
(Merck),MAT-19-1205)及手性摻雜劑(默克,S811)的組成物。對手性摻雜劑的含量進行調整,使得扭轉取向的節距(手性節距)(p)約為20微米左右。
隨後,將聚(乙烯醇)(PVA)偏振層貼附至第一基板的第二表面及第二基板的第二表面中的每一者。此時,使貼附至第二基板的PVA偏振層的吸收軸垂直於第二基板的慢軸,並且使貼附至第一基板的PVA偏振層的吸收軸平行於第一基板的慢軸。
[方程式2]A=S/(S+O)
在方程式2中,S是壓敏黏著劑層中的矽化合物(在實例1的情形中為式A的化合物)的重量,且O是除矽化合物之外的壓敏黏著劑層的重量。
除了矽酮壓敏黏著劑層被形成為具有約10微米左右的厚度之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了調整式A的化合物的比率使得方程式2的A值約為0.125且矽酮黏著劑層的厚度約為6微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用以下式B的化合物代替式A的化合物且調整式B的化合物的比率使得方程式2的A值約為0.15、並且矽酮黏著劑層的厚度約為8微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用以下式C的化合物代替式A的化合物且調整式C的化合物的比率使得方程式2的A值約為0.15、並且矽酮黏著劑層的厚度約為4微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用比較例1中式C的化合物代替式A的化合物且調整式C的化合物的比率使得方程式2的A值約為0.15、並且矽酮黏著劑層的厚度約為15微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用以下式D的化合物代替式A的化合物並且矽酮黏著劑層的厚度約為5微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用比較例3中式D的化合物代替式A的化合物並且矽酮壓敏黏著劑層的厚度約為12微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用以下式E的化合物代替式A的化合物並且矽酮壓敏黏著劑層的厚度約為3.6微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
除了應用比較例5中式E的化合物代替式A的化合物並且矽酮壓敏黏著劑層的厚度約為14微米左右之外,以與實例1中相同的方式製造了光調節元件。
實例及比較例的壓敏黏著劑層的K值概括並描述在下表1及表2中。
實例及比較例的光調節元件的上述確定的透射率T1及T2概括並描述在下表3中。
自表3的結果可確認,根據本申請案的光調節元件在保持高溫之前及之後穩定地保持所設計的液晶取向性質(垂直取向性質),由此相等地量測到透射率T1及T2。
以另一種方式進一步確認了光調節元件在高溫下的垂直取向性質。當用光照射光調節元件的一側時,並且當使用溫度控制元件(LTS-350,Linkam)改變元件的環境溫度時,在不將外部訊號施加至元件的情況下評估了垂直取向性質。正交偏振層設置於光調節層的兩側上,且因此,若適當地保持垂直取向,則在被照射光的一側的相對側上的光調節元件中不會引起光洩漏。當元件的溫度保持在100℃時,以上述方式評估了垂直取向性質,且結果概括於下表4中。在下表4中,P是不發生光洩漏的情形(當穩定地保持垂直取向時),且N是發生光洩漏的情形(當未保持垂
直取向狀態時)。
如在表4中所概括,觀察到在實例的元件中,即使在高溫下亦穩定地保持初始狀態的垂直取向,由此不發生光洩漏,但比較例的元件中,光洩漏在高溫下被破壞,由此發生光洩漏。
圖5是實例1的光洩漏的評估結果,且圖6是比較例1的結果。
101、102:偏振器
200:第二基板/液晶層/光調節元件
Claims (18)
- 一種光調節元件,包括:第一基板及第二基板;以及液晶層,其中所述第一基板及所述第二基板中的每一者具有第一表面及第二表面,其中所述第一基板與所述第二基板相對設置,使得其第一表面彼此面向,其中所述液晶層位於所述第一基板與所述第二基板之間,並且其中所述光調節元件滿足以下方程式1:[方程式1]T2≦3×T1其中,T1是在垂直取向所述液晶層並將其放置於正交偏振器之間之後量測的初始透射率,且T2是在垂直取向狀態下將示出所述T1透射率的所述液晶層在100℃下保持5分鐘且然後將其放置於所述正交偏振器之間之後量測的透射率。
- 如請求項1所述的光調節元件,其中所述透射率T2為2%或小於2%。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,其中所述液晶層被形成為能夠在垂直取向狀態與扭轉取向狀態之間切換。
- 如請求項3所述的光調節元件,其中在式1中,R1至R3中的任一者是氫原子,並且另外兩者是烷基。
- 如請求項3所述的光調節元件,其中在式1中,R1至R3中的任一者是氫原子,並且另外兩者是具有1至20個碳原子的直鏈烷基。
- 如請求項3所述的光調節元件,其中所述具有三或更多個式1的取代基的化合物包括3至10個上述式1的取代基。
- 如請求項3所述的光調節元件,其中所述黏著劑層以1重量%至50重量%的比率包含所述具有三或更多個式1的取代基的化合物。
- 如請求項3所述的光調節元件,其中根據以下方程式1的K值是2微米或大於2微米:[方程式1]K=A×B×D其中,A是由以下方程式2確定的值,B是包含在所述具有三或更多個式1的取代基的化合物中的上述式1的取代基的數量,且D是黏著劑層的厚度(單位:微米):[方程式2]A=S/(S+O)其中,S是包含在所述黏著劑層中的所述具有三或更多個式1 的取代基的化合物的重量,且O是除了所述具有三或更多個式1的取代基的化合物之外的所述壓敏黏著劑層或黏著劑層的重量。
- 如請求項9所述的光調節元件,其中方程式1中的A在0.01至0.5的範圍內。
- 如請求項9所述的光調節元件,其中方程式1中的D在0.5微米至50微米的範圍內。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,其中在所述第一基板上未形成液晶配向膜。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,其中液晶配向膜形成於所述第二基板的所述第一表面上。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,其中所述第一基板或所述第二基板對於波長為550奈米的光具有500奈米或大於500奈米的面內相位差。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,更包括設置於所述第一基板或所述第二基板的所述第二表面上的偏振層。
- 如請求項1或3所述的光調節元件,更包括存在於所述第一基板或所述第二基板與所述液晶層之間並且滿足以下方程式3的光學各向異性膜:[方程式3]nz<ny其中,ny是所述光學各向異性膜在快軸方向上對於550奈米波長的折射率,且nz是所述光學各向異性膜在厚度方向上對於550 奈米波長的折射率。
- 一種窗戶,包括如請求項1或3所述的光調節元件。
- 一種天窗,包括如請求項1或3所述的光調節元件。
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