TWI839858B - 用於調節雷射電極之方法及設備 - Google Patents

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保羅 克里斯多福 米契爾
尤昌琦
安德魯 杰 二世 艾芬伯格
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Abstract

本發明揭示用於藉由在一腔室製造鈍化程序之部分期間或在一雷射放電腔室已投入使用之後間歇地或根據需要將反極性脈衝供應至該腔室中通常用作一陰極之一第一電極來使該第一電極鈍化的設備及方法，該腔室亦包括通常用作一陽極的一第二電極。

Description

用於調節雷射電極之方法及設備
本發明所揭示之主題係關於諸如用於積體電路光微影製造製程中的雷射產生光源。
在深紫外線(「DUV」)雷射源中，藉由使得在放電腔室中之電極之間發生電漿放電來產生雷射輻射之脈衝。習知DUV腔室係以負極性激發，其中下部電極在放電腔室之底部處處於接地電位，且上部電極在放電腔室之頂部處接收高負電壓之脈衝。此配置在製造時用於初始電極鈍化期間。其亦為在現場用於腔室之實際操作中的配置。在此處及其他處，術語「上部」及「下部」用以指示電極之相對位置，且未必指示其相對於重力之位置，但電極可經配置以使得「上部」及「下部」亦對應於其相對於重力之位置。
此等雷射通常經組態以產生被稱作叢發的脈衝序列。此類腔室之一個操作參數為作為施加於電極上之電壓之函數而產生的雷射能量之量。對於高效雷射，應針對電極之間的給定電位差產生儘可能多的能量。
用於評估雷射腔室之效能的另一準則為作為電極上之電壓 之函數的能量產生之穩定性。換言之，通常需要由給定電極電壓產生之雷射輻射能量之量隨著時間推移儘可能保持恆定。然而，隨著雷射腔室及其電極成熟，能量相對於電壓的關係存在改變之趨勢，從而導致能量電壓不穩定性(EVI)。需要限制給定電位差(叢發至叢發及脈衝至脈衝兩者)的能量變化。
EVI之一個原因為放電腔室中之放電傾向於在導電電極之表面處集中並形成瞬時放電，亦即，絲狀放電或流光。此過程自產生雷射輻射的電漿中竊取能量。其亦導致能量相對於電壓關係的不可預測變化。因此，減少流光可導致EVI降低。
流光傾向於在電極表面上已被各種機制損壞的位置處形成。減輕此損壞之一種措施為調節電極表面，以使其不易受到此類損壞，例如使電極之放電表面鈍化。鈍化通常涉及將放電表面曝露於電子及負離子(例如，F-)的通量。
鈍化為藉由將負脈衝施加至陰極以使陰極及陽極鈍化來製備電極以供服務的製程之部分。鈍化傾向於優先(更快速且完全地)發生在正陽極上，而不發生在負陰極上，即使在陽極及陰極由類似材料製成時亦如此。因此，通常需花費比使陽極鈍化更多的時間(亦即，更多脈衝)來使陰極鈍化。
在現場，一些鈍化在使用期間先天地發生。然而，同樣，陽極比陰極更多地受益於此先天鈍化。因此，陰極更易於產生流光。
因此，需要能夠提供一種用於雷射電極之配置，其中可在製造期間更快速地調節電極。亦需要能夠在已將腔室部署至現場之後增強電極放電表面上的先天鈍化。在此情境中產生了對本發明之需要。
下文呈現一或多個實施例之簡要概述以便提供對本發明之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲劃定任何或所有實施例之範圍。其唯一目的為以簡化形式呈現一或多個實施例之一些概念，作為稍後所呈現之更詳細描述的序言。
根據一個態樣，本公開之主題藉由反轉放電之極性來改良陰極之鈍化。因此，上部電極在反極性放電期間用作陽極。
根據實施例之一態樣，揭示一種用於包括第一電極及第二電極之雷射放電腔室的脈衝式電源供應器，該脈衝式電源供應器具有第一狀態及第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第一極性之至少一個脈衝且將其供應至第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至第一電極，該第二極性與該第一極性相反。該電源供應器可經調適以回應於控制信號而在第一狀態與第二狀態之間轉變。
根據實施例之另一態樣，揭示一種雷射，其包含：放電腔室；第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有第一放電表面且該第二電極具有第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著間隙彼此面對；及脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至第一電極，其中該脈衝式電源供應器具有第一狀態及第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第二極性之 第二複數個脈衝且將其供應至第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
該雷射可進一步包含：度量衡單元，其經配置以量測及產生第一複數個脈衝之EVI特性；及控制單元，其經配置以接收輸出且經調適以基於該第一複數個脈衝之EVI的EVI特性而產生控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收控制信號且經調適以回應於控制信號而自第一狀態轉變至第二狀態。EVI之特性可為EVI的量值。EVI之特性可為EVI的頻率。
根據實施例之另一態樣，揭示一種雷射，其包含：放電腔室；上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該上部電極具有上部電極放電表面且該下部電極具有下部電極放電表面，該上部電極放電表面及該下部電極放電表面經配置以隔著間隙彼此面對；及脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至上部電極，該脈衝式電源供應器具有第一狀態及第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝且將其供應至上部電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝且將其供應至上部電極。
該雷射可進一步包含：度量衡單元，其經配置以量測及產生指示雷射之EVI的輸出；及控制單元，其經配置以接收輸出且經調適以基於複數個負向脈衝之EVI特性電壓而產生控制信號，其中脈衝式電源供應器經配置以接收控制信號且經調適以回應於該控制信號而自第一狀態轉變至第二狀態。
根據實施例之另一態樣，揭示一種操作用於包括第一電極及第二電極之雷射放電腔室之脈衝式電源供應器的方法，其包含：使脈衝 式電源供應器在第一狀態中操作，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第一極性之至少一個脈衝且將其供應至第一電極；及使脈衝式電源供應器轉變至第二狀態，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至第一電極，該第二極性與第一極性相反。使脈衝式電源供應器轉變至第二狀態可包含接收控制信號。
根據實施例之另一態樣，揭示一種操作雷射之方法，該雷射包含：放電腔室；第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有第一放電表面且該第二電極具有第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著間隙彼此面對；及脈衝式電源供應器，其經配置以將電能之脈衝提供至第一電極，該方法包含：使脈衝式電源供應器以第一模式操作，在該第一模式中該脈衝式電源供應器向第一電極供應具有第一極性之第一脈衝序列；及使脈衝式電源供應器轉變至以第二模式操作，在該第二模式中脈衝式電源供應器將具有第二極性之第二脈衝序列供應至第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
該方法可進一步包含量測及產生指示雷射之EVI特性的輸出；及基於該輸出及第一脈衝序列之EVI特性而產生控制信號，其中使脈衝式電源供應器轉變包含該脈衝式電源供應器接收控制信號且回應於該控制信號而自第一模式轉變至第二模式。
根據實施例之另一態樣，揭示一種操作雷射之方法，該雷射包括：放電腔室；上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，陰極具有上部電極放電表面且陽極具有下部電極放電表面，陰極放電表面及陽極放電表面經配置以隔 著間隙彼此面對；及脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至陰極，該方法包含：使脈衝式電源供應器以第一模式操作，在該第一模式中脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝且將其供應至陰極；及使脈衝式電源供應器轉變至第二模式，在該第二模式中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝且將其供應至陰極。
該方法可進一步包含量測及產生指示雷射之EVI特性的輸出；及基於複數個負向脈衝之EVI特性而產生控制信號，其中脈衝式電源供應器經配置以接收控制信號且經調適以回應於該控制信號而自第一模式轉變至第二模式。
根據實施例之另一態樣，揭示一種調節第一電極及第二電極之方法，其包含：使脈衝式電源供應器將具有第一極性之第一脈衝序列供應至第一電極；及使脈衝式電源供應器將第二脈衝序列供應至第一電極，第二脈衝序列中的脈衝具有第二極性，該第二極性與該第一極性相反。在調節期間所施加之具有第一極性之脈衝的數目可與在調節期間所施加之具有第二極性之脈衝的數目成預定比率。
根據實施例之另一態樣，揭示一種調節供用於腔室中之待調節電極的方法，該方法包含：提供測試裝具，其包括上部電極及經連接以將負向脈衝供應至上部電極之脈衝式電源供應器；將待調節電極置放於測試裝具中且將待調節電極作為下部電極連接至脈衝式電源供應器；將脈衝施加至上部電極以使待調節電極鈍化，從而產生經調節電極；自測試裝具移除經調節電極；及將經調節電極作為上部電極或下部電極安裝於腔室中。
根據實施例之另一態樣，揭示一種用於包括第一電極及第 二電極之雷射放電腔室的脈衝式電源供應器系統，該脈衝式電源供應器系統包含：脈衝式電源供應器，其經調適以具有第一狀態及第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有第二極性之第二複數個脈衝且將其供應至第一電極，該第二極性與該第一極性相反；度量衡單元，其經配置以量測及產生指示第一複數個脈衝中之至少一些的EVI之至少一個特性的輸出；及控制單元，其經配置以接收輸出且經調適以至少部分地基於該輸出而產生控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收控制信號且經調適以回應於該控制信號而自第一狀態轉變至第二狀態。
EVI之至少一個特性可為EVI之量值。至少一個EVI特性可為EVI之發生頻率。
下文參看隨附圖式詳細描述本公開之主題的其他實施例、特徵及優點以及各種實施例的結構及操作。
100:光微影系統
105:照明系統
110:脈衝光束
115:掃描器
120:晶圓
125:晶圓台
127:定位器
130:微影控制器
135:控制系統
140:固態或氣體放電種子雷射系統
145:功率環放大器(「PRA」)級/放大級
150:中繼光學件
160:雷射系統輸出子系統
165:主控振盪器(「MO」)腔室
170:線窄化模組(「LNM」)
175:主控振盪器輸出耦合器(「MO OC」)
180:線中心分析模組(「LAM」)
185:MO波前工程箱(「WEB」)
200:PRA雷射腔室
210:PRA WEB
220:光束反向器
230:頻寬分析模組(「BAM」)
240:光學脈衝伸展器(「OPuS」)
250:輸出組合式自動快門度量衡模組(「CASMM」)
300:放電腔室/雷射腔室
305:腔室壁
310:上部電極/陰極
315:上部絕緣體
320:下部電極/陽極
325:下部絕緣體
340:電壓供應器
400:脈衝式電源電路/脈衝式電源供應器
410:高壓電源供應器模組
420:諧振充電器模組
430:換向器模組
440:壓縮頭模組
450:雷射腔室模組
500:SSPPM
510:電容器
520:換向器固態開關
530:電容器
540:充電電感
550:可飽和電抗器
570:變壓器
580:可飽和電抗器
800:腔室
810:上部電極
820:下部電極
830:鈍化裝具
840:電源供應器
842:第一脈衝式電源供應器
845:開關
847:第二脈衝式電源供應器
850:控制器
880:電極
885:調節裝具
890:脈衝式電源供應器
Cp:峰值電容器
Cp-1:電容器
S10:步驟
S20:步驟
S30:步驟
S40:步驟
T:觸發信號
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式繪示本發明，且連同實施方式一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1為根據所揭示主題之態樣的光微影系統之總體廣泛概念的示意圖，未按比例繪製。
圖2為根據所揭示主題之態樣的照明系統之總體廣泛概念的示意圖，未按比例繪製。
圖3為根據所揭示主題之態樣的準分子雷射之放電腔室的 圖解橫截面，未按比例繪製。
圖4為根據所揭示主題之態樣的用於準分子雷射之放電腔室的脈衝式電源供應器之功能方塊圖。
圖5為根據所揭示主題之態樣的用於準分子雷射之放電腔室的脈衝式電源供應器之電路圖。
圖6為展示用於準分子雷射之放電腔室的脈衝電壓隨時間變化的曲線圖。
圖7為展示根據所揭示主題之態樣的用於準分子雷射之放電腔室的脈衝電壓隨時間變化的曲線圖。
圖8A為根據所揭示主題之態樣的用於電極調節的配置之部分示意性功能方塊圖。
圖8B為根據所揭示主題之態樣的用於電極調節的配置之部分示意性功能方塊圖。
圖8C為根據所揭示主題之態樣的用於電極調節的配置之部分示意性功能方塊圖。
圖9為根據所揭示主題之態樣的用於調節電極的另一配置之部分示意性功能方塊圖。
圖10為根據所揭示主題之態樣的調節用於準分子雷射之放電腔室的電極的方法之流程圖。
下文參看隨附圖式詳細描述本發明之其他特徵及優勢，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文僅為了說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
現參看圖式描述各種實施例，其中類似參考編號始終用於指類似元件。在以下描述中，為了解釋之目的，闡述眾多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，在一些或所有情況下顯而易見，可在不採用下文所描述之特定設計細節之情況下來實踐下文所描述之任何實施例。在其他情況下，以方塊圖之形式展示熟知結構及裝置以便促進對一或多個實施例之描述。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲劃定任何或所有實施例之範圍。
圖1展示包括照明系統105之光微影系統100。如下文更充分地描述，照明系統105包括光源，該光源產生脈衝光束110且將其引導至光微影曝光設備或掃描器115，該光微影曝光設備或掃描器將微電子特徵圖案化於晶圓120上。晶圓120置放於晶圓台125上，該晶圓台經建構以固持晶圓120且連接至經組態以根據某些參數準確地定位晶圓120之定位器127。
光微影系統100使用具有在深紫外線(DUV)範圍內之波長(例如，具有248奈米(nm)或193nm之波長)的光束110。可圖案化於晶圓120上的微電子特徵之最小大小取決於光束110之波長，其中較短波長准許較小的最小特徵大小。掃描器115包括具有例如一或多個聚光透鏡、光罩及物鏡配置的光學配置。光罩可沿著一或多個方向移動，諸如沿著光束110之光軸或在垂直於光軸之平面中移動。物鏡配置包括投影透鏡且使得能夠發生自光罩至晶圓120上之光阻的影像轉印。照明系統105調整光束110照射於光罩上之角度的範圍。照明系統105亦使光束110在光罩上之強 度分佈均勻化(使其均一)。
掃描器115可包括微影控制器130以及其他特徵，該控制器控制如何將層印刷於晶圓120上。微影控制器130包括記憶體，該記憶體儲存諸如製程配方的資訊，該等製程配方基於例如所使用的光罩以及影響曝光的其他因素來判定晶圓120上的曝光長度。在微影期間，光束110之複數個脈衝照明晶圓120之同一區域以構成照明劑量。
光微影系統100亦較佳包括控制系統135。一般而言，控制系統135包括數位電子電路系統、電腦硬體、韌體及軟體中之一或多者。控制系統135亦包括記憶體，該記憶體可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體。適合於有形地體現電腦程式指令及資料之儲存裝置包括所有形式之非揮發性記憶體，其包括(作為實例)半導體記憶體裝置，諸如EPROM、EEPROM及快閃記憶體裝置；磁碟，諸如內部硬碟及抽取式磁碟；磁光碟；及CD-ROM磁碟。
控制系統135亦可包括一或多個輸入裝置(諸如，鍵盤、觸控式螢幕、麥克風、滑鼠、手持型輸入裝置等)及一或多個輸出裝置(諸如，揚聲器或監視器)。控制系統135亦可包括一或多個可程式化處理器，及有形地體現於機器可讀儲存裝置中以供一或多個可程式化處理器執行之一或多個電腦程式產品。一或多個可程式化處理器可各自執行指令程式以藉由對輸入資料進行操作且產生適當輸出來執行所要功能。通常，處理器自記憶體接收指令及資料。前述各者中之任一者可藉由經專門設計之特殊應用積體電路(ASIC)補充或併入於其中。控制系統135可為集中式的或部分地或完全地分佈在整個光微影系統100中。
圖2展示作為照明系統105之實例的產生脈衝雷射光束作為 光束110的脈衝雷射源。圖2展示作為非限制性實例之一雙腔室雷射系統，但應理解，本文中所解釋之原理同樣適用於一單腔室雷射系統。該氣體放電雷射系統可包括例如一固態或氣體放電種子雷射系統140；一放大級，例如一功率環放大器(「PRA」)級145；中繼光學件150及雷射系統輸出子系統160。種子系統140可包括例如一主控振盪器(「MO」)腔室165，該腔室包括如下文所描述之一對電極。
種子雷射系統140亦可包括一主控振盪器輸出耦合器(「MO OC」)175，其可包含一部分反射鏡，其與一線窄化模組(「LNM」)170中之一反射光柵(未展示)一起形成一振盪器空腔，在該空腔中，種子雷射140振盪以形成種子雷射輸出脈衝，亦即，形成一主控振盪器(「MO」)。系統亦可包括一線中心分析模組(「LAM」)180。一MO波前工程箱(「WEB」)185可用以朝向放大級145重引導MO種子雷射系統140之輸出，且可包括例如利用例如一多稜鏡擴束器(未展示)及一光學延遲路徑(未展示)的光束擴展。
放大級145可包括例如一PRA雷射腔室200，該腔室亦可為一振盪器，其例如由種子光束注入及輸出耦合光學件(未展示)形成，該等光學件可併入至一PRA WEB 210中且可由一光束反向器220重引導返回通過腔室200中之增益介質。PRA WEB 210可併有一個部分反射輸入/輸出耦合器(未展示)及用於標稱操作波長(例如，對於一ArF系統處於約193nm)之一最大反射鏡，以及一或多個稜鏡。雷射腔室200亦可包括如下文所描述之一對電極。
放大級145之輸出處的一頻寬分析模組(「BAM」)230可自該放大級接收脈衝之輸出雷射光束，且為了度量衡目的而摘除該光束之 一部分，例如以量測輸出頻寬及脈衝能量。脈衝之雷射輸出光束接著通過一光學脈衝伸展器(「OPuS」)240及一輸出組合式自動快門度量衡模組(「CASMM」)250，該模組亦可為脈衝能量計的位置。OPuS 240之一個目的可為例如將一單個輸出雷射脈衝轉換成一脈衝串。自原始單輸出脈衝產生之二次脈衝可相對於彼此延遲。藉由將原始雷射脈衝能量分佈至二次脈衝串中，可擴展雷射之有效脈衝長度且同時減小峰值脈衝強度。因此，OPuS 240可經由BAM 230自PRA WEB 210接收雷射光束，且將OPuS 240之輸出引導至CASMM 250。
PRA雷射腔室200及MO 165經組態為腔室，其中電極之間的放電可引起雷射氣體中之雷射氣體放電，以產生反向的高能分子群體，包括例如Ar、Kr、F2及/或Xe，從而產生相對較寬的頻帶輻射，該輻射可經線窄化至在LNM 170中所選擇的相對非常窄的頻寬及中心波長，如此項技術中所已知的。
諸如可充當PRA雷射腔室200或MO 165之放電腔室300之組態展示於圖3中。腔室300包括用作陰極之上部電極310，及用作陽極之下部電極320。下部電極320及上部電極310中之一者或兩者可完全容納於由腔室壁305界定之腔室300的壓力包絡中，或電極中之一者或兩者可能不如此容納。Cp為與雷射系統電極310、320並聯電連接之峰值電容器(其可為並行地安裝於雷射腔室300之頂部上且作為其一部分的一組電容器)。
圖3中亦展示上部絕緣體315及下部絕緣體325。下部電極320通常電連接至腔室300之壁305。為了安全原因，需要將腔室壁305且因此將下部電極320維持在接地電位。在圖3中所展示之實施例中，上部電極310藉由電壓供應器340以相對於下部電極320為負的電壓驅動。因 此，在此組態中，上部電極用作陰極且下部電極用作陽極。
如所提及，圖3中亦展示電壓供應器340，其在陰極310及陽極320上建立脈衝電壓梯度。雖然針對電壓供應器340之輸出的極性展示記法(-)，但應理解，此為相對極性而非絕對極性，亦即，相對於下部電極320之極性。上部電極(陰極310)經充電至大的(例如，20kV)負電壓。
圖4為脈衝式電源供應器400之實例的功能方塊圖，該電源供應器包括高壓電源供應器模組410、諧振充電器模組420、換向器模組430及壓縮頭模組440。脈衝式電源電路400可用以產生電功率之短而強的脈衝(例如，在60ns至150ns範圍內且每脈衝2J至3J的典型能量)。電脈衝可作為放電脈衝經供應至雷射腔室中之峰值電容器CP及電極，以便自雷射產生光脈衝。
壓縮頭模組440之輸出可供應至例如雷射腔室模組450，該雷射腔室模組可為例如雙腔室系統中之一個腔室(MO或PA)。一般而言，各放電腔室皆具備其自身的各別脈衝式電源電路400。然而，各腔室之脈衝式電源電路400可共用各種元件，諸如共用高壓電源供應模組410及諧振充電器模組420。脈衝式電源電路400可組態為固態脈衝式電源模組(SSPPM)。
在操作中，高壓電源供應器模組410將例如三相正常廠用電源之外部電源轉換成高DC電壓。諧振充電器模組420將換向器模組430中之電容器組充電至調節電壓以產生脈衝。換向器模組430縮短脈衝且增加其電壓。壓縮頭模組440進一步以峰值電流之對應增加來在時間上壓縮來自換向器模組430的電脈衝，以產生具有所要上升時間及電壓的脈衝。 接著在雷射腔室模組450中之峰值電容器及電極(未展示)上施加此等脈衝。此類雷射系統的配置及操作之額外細節可見於例如2006年7月18日發佈之題為「Control System for a Two Chamber Gas Discharge Laser」的美國專利第7,079,564號中。關於此電路系統之操作的其他細節可見於2006年2月21日發佈之題為「Method and Apparatus for Cooling Magnetic Circuit Elements」的美國專利第7,002,443號中。
本文所引用之所有專利申請案、專利及印刷出版物均以全文引用之方式併入本文中，但任何定義、主題免責聲明或否定聲明除外，且在所併入材料與本文中之明確揭示內容不一致的情況除外，在此情況下以本公開中的語言為準。
圖5為連接至高壓電源供應器模組410的SSPPM 500之某些組件的簡化電路圖，該SSPPM包括諧振充電器模組420、換向器模組430及壓縮模組440，諸如可用於根據實施例之態樣的圖3之脈衝式電源電路中。虛線A與B之間的元件包含實施換向器模組430的電路系統。高壓電源供應器模組410將電力供應至以已知方式操作的諧振充電器模組420。來自諧振充電器模組420之脈衝被供應至換向器模組430以對電容器510充電。電容器510通常被稱作C0且電容器510上之電壓通常被稱作VC0。當觸發信號T被供應至換向器固態開關520時，該換向器固態開關520閉合，從而經由充電電感540將電容器510放電至電容器530。電容器530通常被稱作C1且在電容器530上之電壓通常被稱作VC1。電壓保持在電容器530上直至用作磁性開關之可飽和電抗器550飽和且經由變壓器570將電容器530放電至壓縮頭模組440中之電容器Cp-1中。壓縮頭模組440亦通常含有用作磁性開關的一或多個可飽和電抗器580，其操作方式與剛描述之方式類似。
最終，雷射腔室模組450中之峰值電容器Cp係由SSPPM 500脈衝充電。電流開始形成，自峰值電容器Cp流出至模型化為電容之電極之間的放電區中。峰值電容器Cp上之電壓過零，且通過放電區之電流開始減弱，但持續流出峰值電容器Cp之電流迫使峰值電容器Cp上之電壓VCP反轉極性。電壓VCP之曲線圖展示於圖6中。可看出，t=0處之電壓為負峰值，隨後為正過沖，且接著為一系列衰減振盪。VCP的時間導數dVCP/dt在負峰值之前最初為負的，使得此為負向脈衝。換言之，在放電發生時脈衝為負的。
可自2007年1月23日發佈之題為「Very High Energy,High Stability Gas Discharge Laser Surface Treatment System」的美國專利第7,167,499號搜集關於SSPPM之其他資訊。
如所描述，習知地，SSPPM 500經調適以將負向(初始負dVCP/dt)脈衝施加至上部電極(習知陰極)310。在脈衝期間，下部電極320相對於上部電極310處於較高相對電位，展現出比上部電極310更大的先天鈍化趨勢。
舉例而言，在製造期間，進行被稱作鈍化的調節電極之步驟。藉由使電子及F-離子撞擊且使表面與氟反應性降低來進行陰極之鈍化。鈍化製程必須進行足夠長的時間以使習知陰極鈍化，即使習知陽極此時已經鈍化亦如此。
一旦在現場部署了腔室，其電極放電表面之鈍化層便會降級。由於dVCP/dt負峰鈍化引起之先天再鈍化在某種程度上抵消了此降級，其中施加至陰極之負脈衝的性質准許足夠數目個電子及F離子具有足夠動量來撞擊上部電極表面且使該表面鈍化。然而，在使用中，陰極放電 表面更易再次受離子轟擊的損壞，此係因為其鈍化不如習知陽極鈍化穩固。
根據實施例之態樣，在製造鈍化期間，各腔室以「正常」極性(dVCP/dt負峰值)操作第一時間間隔(圖6)且以反極性(dVCP/dt正峰值)(圖7)操作第二時間間隔。使用此方法，各新腔室的兩個電極可在部署之前用較少的脈衝(例如，數億個脈衝而非數十億個脈衝)完全成熟。
根據實施例之另一態樣，在製造期間進行調節操作，其中在將每個新電極安裝於其腔室中之前，將該新電極置放於調節裝具中且作為陽極預激發(亦即，相對於相對電極具有正極性)。
根據實施例之另一態樣，在腔室已投入使用之後，其亦可不時地以反極性激發。根據一個態樣，監測腔室之EVI，且在EVI超出預定臨限值時命令反極性操作的間隔。替代地，可使得反極性操作之間隔發生在設定的操作里程碑(例如，脈衝之數目、低電壓操作下脈衝之數目等)處，該等里程碑經先驗地判定以對應於EVI可預測為變得不穩定的脈衝計數及條件。反極性之間隔可在具有正常極性之叢發之間。根據實施例之態樣，用於電極之SSPPM系統經調適以在脈衝之間且甚至在逐脈衝基礎上切換極性，從而准許電極之基本上連續的再鈍化。
根據實施例之另一態樣，SSPPM系統經設計以使得雷射能夠在經適當程式化之控制器的控制下切換極性。控制器經組態以動態地監測雷射EVI行為且一旦EVI顯著性超出預定位準，便反轉SSPPM激發極性。此可經由更改SSPPM 500變壓器570二次路由而實現。其亦可包括藉由改變換向器模組430之極性來更改SSPPM 500。其亦可包括更改供應壓縮頭部模組440的磁性開關。一般熟習此項技術者將顯而易見，存在可修 改SSPPM 500以可控地產生反極性脈衝的多種方式。作為替代例，SSPPM 500可包括用於產生習知負向脈衝之第一電路系統及用於產生正向(初始正dVCP/dt)脈衝之第二電路系統，以及用於將電力供應至第一電路系統及第二電路系統中之一者或另一者或自第一電路系統及第二電路系統中之一者或另一者供應輸出的開關元件。
圖8A為作為電極製造製程之部分的用於調節電極的配置之部分示意性功能方塊圖。在所展示之配置中，將具有上部電極810及下部電極820的腔室800置放於鈍化裝具830中。電源供應器840將脈衝供應至電極810、820。控制器850控制施加至腔室800中之電極之脈衝的極性。因此，作為製備電極的鈍化步驟之部分，電源供應器840將在某一間隔內產生習知負向脈衝，且接著在控制器850發指令如此進行時，產生一系列正向脈衝。在負向脈衝期間，上部電極810用作習知陰極，且下部電極820用作習知陽極。在正向脈衝期間，上部電極810用作習知陽極，且下部電極820用作習知陰極。根據實施例之態樣，在調節期間施加之負向脈衝的數目與在調節期間施加之正向脈衝的數目成預定比率，例如1：1。若需要，亦可在逐脈衝基礎上交替地產生負向脈衝及正向脈衝。使用負向脈衝及正向脈衝兩者會縮短總體初始鈍化時間，此係因為上部電極810在用作習知陽極時被更高效地鈍化。
圖8B展示替代配置，其中來自控制器850之控制信號控制開關845之操作，該開關將電極810連接至產生具有第一極性之脈衝的第一脈衝式電源供應器842或產生具有與第一極性相反之第二極性之脈衝的第二脈衝式電源供應器847。
圖8C展示一種配置，其中待用作上部電極或底部電極之電 極880在安裝於腔室中之前藉由置放於調節裝具885中且作為陽極電連接至脈衝式電源供應器890來調節。因此，在此實施方案中，若使用，則每個電極皆會作為陽極經受鈍化，而不管其最終用作上部電極抑或下部電極。
圖9為用於在腔室已投入使用之後調節電極的配置之部分示意性功能方塊圖。在所展示之配置中，電源供應器840將負向或正向脈衝供應至腔室800中之電極810、820。控制器850控制施加至腔室800中之電極之脈衝的極性。諸如上文結合圖2所描述之BAM 230的度量衡單元量測脈衝能量且將其轉送至控制器850。控制器850比較光束輸出能量以判定是否存在顯著EVI(例如，就量值、發生頻率或其兩者而言高於預定臨限值)，從而指示上部電極再鈍化可為有益的。控制器850接著發指令給電源供應器840以產生一系列正向脈衝。施加正向脈衝高效地使上部電極810再鈍化。控制器850在設定時間之後或回應於設定條件(例如，僅在可接受參數內發生之EVI)可接著發指令給供應器840以再次開始產生習知負向脈衝。在反極性操作之週期期間產生的輻射可用於光微影。
圖10為展示操作諸如圖5中所展示之配置的方法之實例的流程圖。在步驟S10中，在某一操作週期內使用習知(負向)脈衝來激發雷射。在激發雷射時，亦即，在進行步驟S10時，在步驟S20中監測能量電壓不穩定性(EVI)。在步驟S30中，判定EVI之某一特性(例如，量值、發生頻率)是否超過預定的可接受性臨限值。應理解，此預定臨限值可取決於某些因素而變化，諸如腔室的年齡、操作要求等。若判定雷射仍在可接受的EVI參數內操作，則步驟S10、S20及S30繼續進行。若判定雷射不在可接受的EVI參數內操作，則在步驟S40中用反極性(正向)脈衝來操作雷 射。步驟S40之執行繼續進行，例如持續先驗地已知足以恢復習知陰極之鈍化的一段時間。接著，程序返回至步驟S10以重新繼續正常操作。
以上描述包括多個實施例之實例。當然，不可能為了描述前述實施例之目的而描述組件或方法之每個可想到的組合，但一般熟習此項技術者可認識到，各種實施例之許多其他組合及排列係可能的。因此，所描述之實施例意欲包涵屬於隨附申請專利範圍之精神及範圍內的所有此類更改、修改及變化。此外，就術語「包括」用於實施方式或申請專利範圍中而言，此術語意欲以類似於術語「包含」在「包含」作為過渡詞用於技術方案中時所解譯之方式而為包括性的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確陳述對單數之限制，否則亦涵蓋複數。另外，除非另有陳述，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分均可與任何其他態樣及/或實施例之全部或一部分一起利用。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室的脈衝式電源供應器，該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之至少一個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
2.如條項1之脈衝式電源供應器，其中該電源供應器經調適以回應於一控制信號而在該第一狀態與該第二狀態之間轉變。
3.一種雷射，其包含： 一放電腔室；一第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；一第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有一第一放電表面且該第二電極具有一第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該第一電極，其中該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之第二複數個脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
4.如條項3之雷射，其進一步包含一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示該第一複數個脈衝中之至少一些的一能量電壓不穩定性(EVI)之一特性的一輸出，及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以基於該第一複數個脈衝中之至少一些的該EVI之該特性而產生一控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
5.如條項4之雷射，其中該EVI之該特性為該EVI之一量值。
6.如條項4之雷射，其中該EVI之該特性為該EVI之一發生頻率。
7.如條項3之雷射，其進一步包含一脈衝計數器，其用於依據脈衝之數目判定指示該雷射之一操作年 齡的一脈衝計數，及一控制單元，其經配置以接收該脈衝計數且經調適以基於該脈衝計數達到一預定值而產生一控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
8.一種雷射，其包含：一放電腔室；一上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；一下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該上部電極具有一上部電極放電表面且該下部電極具有一下部電極放電表面，該上部電極放電表面及該下部電極放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該上部電極，其中該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝且將其供應至該上部電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝且將其供應至該上部電極。
9.如條項8之雷射，其進一步包含一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示該雷射之一輸出能量的一輸出，及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以自該輸出判定一或多個EVI特性，且基於該複數個負向脈衝之該一或多個EVI特性而產生一控制信號， 其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
10.一種操作用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室之一脈衝式電源供應器的方法，其包含：使該脈衝式電源供應器在一第一狀態中操作，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之至少一個脈衝且將其供應至該第一電極；及使該脈衝式電源供應器轉變至一第二狀態，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
11.如條項10之方法，其中使該脈衝式電源供應器轉變至該第二狀態包含接收一控制信號。
12.一種操作一雷射之方法，該雷射包含：一放電腔室；一第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及一第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有一第一放電表面且該第二電極具有一第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以將電能之脈衝提供至該第一電極，該方法包含：使該脈衝式電源供應器以一第一模式操作，在該第一模式中該脈衝式電源供應器向該第一電極供應具有一第一極性之一第一脈衝序列；及使該脈衝式電源供應器轉變為以一第二模式操作，在該第二模式中該脈衝式電源供應器將具有一第二極性之一第二脈衝序列供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反。
13.如條項12之方法，其進一步包含量測及產生指示該雷射之一輸出能量的一輸出，自該輸出判定該第一脈衝序列的至少一個EVI特性，及基於該EVI特性產生一控制信號，其中使該脈衝式電源供應器轉變包含該脈衝式電源供應器接收該控制信號且回應於該控制信號而自該第一模式轉變至該第二模式。
14.如條項13之方法，其中該至少一個EVI特性為EVI之一量值。
15.如條項13之方法，其中該至少一個EVI特性為EVI之一發生頻率。
16.一種操作一雷射之方法，該雷射包括：一放電腔室；一上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及一下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該上部電極具有一上部電極放電表面且該下部電極具有一下部電極放電表面，該上部電極放電表面及該下部電極放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該上部電極，該方法包含：使該脈衝式電源供應器以一第一模式操作，在該第一模式中該脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝且將其供應至該上部電極；及使該脈衝式電源供應器轉變至一第二模式，在該第二模式中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝且將其供應至該上部電極。
17.如條項16之方法，其進一步包含量測及產生指示該雷射之EVI之至少一個特性的一輸出，及基於該複數個負向脈衝中之至少一些的至少一個EVI特性而產生一控制信號， 其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一模式轉變至該第二模式。
18.一種調節一第一電極及一第二電極之方法，其包含：使一脈衝式電源供應器將具有一第一極性之一第一脈衝序列供應至該第一電極；及使該脈衝式電源供應器將一第二脈衝序列供應至該第一電極，該第二脈衝序列中的該等脈衝具有一第二極性，該第二極性與該第一極性相反。
19.如條項18之方法，其中在調節期間所施加之具有該第一極性之脈衝的一數目與在調節期間所施加之具有該第二極性之脈衝的一數目成一預定比率。
20.一種調節供用於一腔室中之一待調節電極的方法，該方法包含：提供一測試裝具，其包括一上部電極及經連接以將負向脈衝供應至該上部電極之一脈衝式電源供應器；將該待調節電極置放於該測試裝具中，且將該待調節電極作為一下部電極連接至該脈衝式電源供應器；將脈衝施加至該上部電極以使該待調節電極鈍化，從而產生一經調節電極；自該測試裝具移除該經調節電極；及將該經調節電極作為一上部電極或一下部電極安裝於該腔室中。
21.一種用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室的脈衝式電源供應器系統，該脈衝式電源供應器系統包含：一脈衝式電源供應器，其經調適以具有一第一狀態及一第二狀態， 在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之第二複數個脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反；一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示第一複數個脈衝中之至少一些的一EVI之至少一個特性的一輸出，及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以至少部分地基於該輸出而產生一控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
22.如條項21之脈衝式電源供應器，其中該EVI之該至少一個特性為該EVI之一量值。
23.如條項21之脈衝式電源供應器，其中至少一個EVI特性為該EVI之一發生頻率。
上述實施方案及其他實施方案在以下申請專利範圍之範圍內。
800:腔室
810:上部電極
820:下部電極
830:鈍化裝具
840:電源供應器
850:控制器
Cp:峰值電容器

Claims (23)

  1. 一種用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室的脈衝式電源供應器，該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之至少一個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反，其中該脈衝式電源供應器進一步包括：一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示該至少一個脈衝的一能量電壓不穩定性(EVI)之至少一個特性的一輸出，及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以至少部分地基於該輸出而產生一控制信號。
  2. 如請求項1之脈衝式電源供應器，其中該脈衝式電源供應器經調適以回應於該控制信號而在該第一狀態與該第二狀態之間轉變。
  3. 一種用於產生一雷射之光源，其包含：一放電腔室；一第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；一第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有一第一放電表面且該第二電極具有一第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對； 一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該第一電極，其中該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之第二複數個脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反；一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示該第一複數個脈衝中之至少一些的一能量電壓不穩定性(EVI)之一特性的一輸出；及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以基於該第一複數個脈衝中之至少一些的該EVI之該特性而產生一控制信號。
  4. 如請求項3之光源，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  5. 如請求項4之光源，其中該EVI之該特性為該EVI之一量值。
  6. 如請求項4之光源，其中該EVI之該特性為該EVI之一發生頻率。
  7. 如請求項3之光源，其進一步包含一脈衝計數器，其用於依據脈衝之數目判定指示該雷射之一操作年齡(operating age)的一脈衝計數，及 一控制單元，其經配置以接收該脈衝計數且經調適以基於該脈衝計數達到一預定值而產生一控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  8. 一種用於產生一雷射之光源，其包含：一放電腔室；一上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；一下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該上部電極具有一上部電極放電表面且該下部電極具有一下部電極放電表面，該上部電極放電表面及該下部電極放電表面經配置以隔著一間隙彼此面對；一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該上部電極，其中該脈衝式電源供應器具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝(negative-going pulses)且將其供應至該上部電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝(positive-going pulses)且將其供應至該上部電極；一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示該雷射之一輸出能量的一輸出；及一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以自該輸出判定一或多個EVI特性，且基於該複數個負向脈衝之該一或多個EVI特性而產生一控制信號。
  9. 如請求項8之光源，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  10. 一種操作用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室之一脈衝式電源供應器的方法，其包含：使該脈衝式電源供應器在一第一狀態中操作，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之至少一個脈衝且將其供應至該第一電極；使該脈衝式電源供應器轉變至一第二狀態，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之至少一個反極性脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反；量測及產生指示該至少一個脈衝的一能量電壓不穩定性(EVI)之至少一特性的一輸出；及接收該輸出且至少部分地基於該輸出而產生一控制信號。
  11. 如請求項10之方法，其中使該脈衝式電源供應器轉變至該第二狀態包含接收該控制信號。
  12. 一種操作一雷射之方法，該雷射包含：一放電腔室；一第一電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及一第二電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該第一電極具有一第一放電表面且該第二電極具有一第二放電表面，該第一放電表面及該第二放電表面經配置以隔著一間隙彼此面 對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以將電能之脈衝提供至該第一電極，該方法包含：使該脈衝式電源供應器以一第一模式操作，在該第一模式中該脈衝式電源供應器向該第一電極提供具有一第一極性之一第一脈衝序列；使該脈衝式電源供應器轉變為以一第二模式操作，在該第二模式中該脈衝式電源供應器將具有一第二極性之一第二脈衝序列供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反；量測及產生指示該雷射之一輸出能量的一輸出；自該輸出判定該第一脈衝序列的至少一個EVI特性；及基於該EVI特性產生一控制信號。
  13. 如請求項12之方法，其中使該脈衝式電源供應器轉變包含該脈衝式電源供應器接收該控制信號且回應於該控制信號而自該第一模式轉變至該第二模式。
  14. 如請求項13之方法，其中該至少一個EVI特性為該EVI之一量值。
  15. 如請求項13之方法，其中該至少一個EVI特性為該EVI之一發生頻率。
  16. 一種操作一雷射之方法，該雷射包括：一放電腔室；一上部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內；及一下部電極，其至少部分地定位於該放電腔室內，該上部電極具有一上部電極放電表面且該下部電極具有一下部電極放電表面，該上部電極放電表面及該下部電極放電表面經配置以 隔著一間隙彼此面對；及一脈衝式電源供應器，其經配置以產生電能之脈衝且將其供應至該上部電極，該方法包含：使該脈衝式電源供應器以一第一模式操作，在該第一模式中該脈衝式電源供應器產生複數個負向脈衝且將其供應至該上部電極；使該脈衝式電源供應器轉變至一第二模式，在該第二模式中該脈衝式電源供應器產生複數個正向脈衝且將其供應至該上部電極；量測及產生指示該雷射之EVI之至少一個特性的一輸出；及基於該複數個負向脈衝中之至少一些的至少一個EVI特性而產生一控制信號。
  17. 如請求項16之方法，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一模式轉變至該第二模式。
  18. 一種調節一第一電極及一第二電極之方法，其包含：使一脈衝式電源供應器將具有一第一極性之一第一脈衝序列供應至該第一電極；使該脈衝式電源供應器將一第二脈衝序列供應至該第一電極，該第二脈衝序列中的該等脈衝具有一第二極性，該第二極性與該第一極性相反；量測及產生指示該第一脈衝序列的一EVI之至少一特性的一輸出；及接收該輸出且至少部分地基於該輸出而產生一控制信號。
  19. 如請求項18之方法，其中在調節期間所施加之具有該第一極性之脈衝的一數目與在調節期間所施加之具有該第二極性之脈衝的一數目成一預定比率。
  20. 一種調節供用於一腔室中之一待調節電極的方法，該方法包含：提供一測試裝具(test rig)，其包括一上部電極及經連接以將負向脈衝供應至該上部電極之一脈衝式電源供應器；將該待調節電極置放於該測試裝具中，且將該待調節電極作為一下部電極連接至該脈衝式電源供應器；將脈衝施加至該上部電極以使該待調節電極鈍化，從而產生一經調節電極；自該測試裝具移除該經調節電極；及將該經調節電極作為一上部電極或一下部電極安裝於該腔室中。
  21. 一種用於包括一第一電極及一第二電極之一雷射放電腔室的脈衝式電源供應器系統，該脈衝式電源供應器系統包含：一脈衝式電源供應器，其經調適以具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第一極性之第一複數個脈衝且將其供應至該第一電極，在該第二狀態中該脈衝式電源供應器產生具有一第二極性之第二複數個脈衝且將其供應至該第一電極，該第二極性與該第一極性相反；一度量衡單元，其經配置以量測及產生指示第一複數個脈衝中之至少一些的一EVI之至少一個特性的一輸出，及 一控制單元，其經配置以接收該輸出且經調適以至少部分地基於該輸出而產生一控制信號，其中該脈衝式電源供應器經配置以接收該控制信號且經調適以回應於該控制信號而自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  22. 如請求項21之脈衝式電源供應器系統，其中該EVI之該至少一個特性為該EVI之一量值。
  23. 如請求項21之脈衝式電源供應器系統，其中至少一個EVI特性為該EVI之一發生頻率。
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