TWI839822B - 以粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法 - Google Patents

以粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法 Download PDF

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Abstract

一種用於粒子束誘導處理微影光罩（100）的缺陷（D、D'）之方法，其包括下列步驟： a1）步驟（S1），提供該微影光罩（100）之至少一部分的影像（300）； b1）步驟（S2），確定該影像（300）中缺陷（D、D'）的幾何形狀當成修補形狀（302、302'）； c1）步驟（S3），根據一第一光柵（306）將該修補形狀（302、302'）細分為n個像素（304）； d1）步驟（S5），根據一第二光柵（306'）將該修補形狀細分為m個像素（304'），該第二光柵（306'）源自於該第一光柵（306）的子像素位移； e1）步驟（S4），根據該第一光柵（306）在該修補形狀（302、302'）的n個像素（304）之每一者處提供一活化粒子束（202）和一製程氣體；及 f1）步驟（S6），根據該第二光柵（306'）在該修補形狀（302、302'）的m個像素（304'）之每一者處提供該活化粒子束（202）和該製程氣體。

Description

以粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法
本發明係關於一種用於粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法。
微影係用來生產微型結構部件元件，例如積體電路。該微影處理使用具有照明系統以及投影系統的微影裝置來執行。藉由照明系統所照明的光罩(倍縮光罩)影像，在此案例中由投影系統投射至基材(例如矽晶圓)上，該基材塗上感光層(光阻劑)並配置在投影系統的成像平面內，以將光罩結構轉移至基材的感光塗層。
為了獲得更小的結構尺寸，從而提高微結構部件的整合密度，越來越多使用波長非常短的光，例如稱為深紫外光(DUV)或極紫外光(EUV)。例如，DUV的波長為193nm，EUV的波長為13.5nm。
在這情況下，微影光罩的結構尺寸從數奈米到幾百奈米不等。這種光罩的生產非常複雜，因此成本很高。尤其是，這是因為光罩必須無缺陷，否則不可能確定借助於光罩在矽晶圓上產生的結構表現出期望功能。尤其是，光罩上結構的品質對於通過光罩在晶圓上生產之積體電路品質是決定性的。
出於這個原因，檢查微影光罩是否存在缺陷，並有針對性地修復發現的缺陷。典型的缺陷包括缺少設想結構，例如因為蝕刻製程沒有成功進行，或者存在非設想結構，例如因為蝕刻製程進行得太快或在錯誤地點產生影響。這些影響可通過有針對性地蝕刻多餘材料或在適當位置有針對性地沉積額外材 料來補救；舉例來說，這可通過電子束誘導處理(FEBIP，「聚焦電子束誘導處理」)以非常有針對性的方式實現。
德國專利案DE 10 2017 208 114 A1描述一種用於粒子束誘發蝕刻微影光罩之方法。在這情況下，粒子束(特別是電子束)和蝕刻氣體提供於微影光罩的待蝕刻位置處。粒子束啟動微影光罩材料與蝕刻氣體之間的局部化學反應，結果材料從微影光罩局部剝蝕。在蝕刻方法期間，電子束根據格柵引導在光罩上的許多離散入射點，該電子束在對應格柵點處保持約100ns的持續時間，以在將該電子束引導到格柵中的下一入射點之前引發局部蝕刻反應。特別是缺陷的邊緣區域在相對粗糙的格柵之情況下，只能以此方式不準確處理。然而，格柵的細化導致在資料的演算法處理期間產生大量資料，因為資料量隨格柵點(電子束入射點)的數量增加(也就是說隨著兩入射點之間距離的減小)呈二次方增長。
此外，通過粒子束(例如電子束)處理缺陷時的邊緣解析度取決於微影光罩材料與製程氣體(例如蝕刻氣體)之間化學反應的反應剖面(reaction profile)。反應剖面指定光罩上發生化學反應的區域(例如，光罩上粒子束入射點周圍的圓之直徑)。反應剖面尤其取決於粒子束(一次射束)的射束分佈和形成二次粒子之半徑。然而，在處理光罩的缺陷時通過一次射束細化(例如通過增加一次能量)來提高解析度，會由於二次射束半徑以及因此反應剖面半徑可能隨一次射束能量增加而增加的事實而受到限制。
在這背景下，本發明之一目的在於提供一種用於粒子束誘發處理微影光罩缺陷之改良方法。
根據一第一態樣，提出一種用於粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法。該方法包括下列步驟：a1)提供該光罩之至少一部分的影像； b1)確定該影像中缺陷的幾何形狀為一修補形狀；c1)根據第一光柵將該修補形狀細分為n個像素；d1)根據第二光柵將該修補形狀細分為m個像素，該第二光柵源自於該第一光柵的子像素位移；e1)根據該第一光柵在該修補形狀的n個像素之每一者處提供一活化粒子束和一製程氣體；及f1)根據該第二光柵在該修補形狀的m個像素之每一者處提供該活化粒子束和該製程氣體。
通過根據相對於彼此位移子像素位移的兩光柵，在該缺陷區域中使用粒子束曝光該光罩，尤其是可更精細掃描該缺陷的邊緣區域。
舉例來說，可更精細掃描該缺陷的邊緣區域，而無需細化該光柵本身。舉例來說，根據該第一光柵的該修補形狀之n個像素的像素尺寸係與根據該第二光柵的該修補形狀之m個像素的像素尺寸相同。換句話說，在此實例中，應用修補形狀的第二光柵不會改變光柵的精細度。因此，像素的數量，以及因此的資料量，沒有改變或基本上沒有通過修補形狀的第二光柵應用而改變。
然而，在另一實例中，第二光柵可亦比第一光柵更精細，以因此能夠借助粒子束更佳處理缺陷的真實形狀，特別是其外部輪廓。
尤其是，將修補形狀細分為n個像素，使得n個像素配置在多個欄(X方向)和多個行(Y方向，垂直於X方向)。
舉例來說，像素尺寸是像素邊長及/或兩相鄰像素的中心間距。舉例來說，像素尺寸是X方向及/或Y方向上的像素邊長，及/或X方向及/或Y方向上兩相鄰像素的中心間距。
尤其是，第一光柵和第二光柵兩者是具有分別在X方向和Y方向上配置的格柵線之格柵。通過在修補形狀上疊加對應格柵(對應於第一和第二光柵)，修補形狀分別細分為n個像素或m個像素。
缺陷的處理尤其包含缺陷的蝕刻，係在從光罩局部剝蝕材料的範圍內，或在缺陷區域中之光罩上的沉積材料的範圍內。舉例來說，所提出的方法允許更佳蝕刻掉缺陷區域中的多餘結構，或者可更佳增強缺陷區域中缺失的結構。尤其是，所提出的方法允許更佳和更準確蝕刻掉缺陷的邊緣區域，或者可更佳和更準確增強缺陷邊緣區域中之缺失結構。
光罩之至少一部分的影像通過例如掃描電子顯微鏡(SEM)記錄。舉例來說，光罩之至少一部分的影像具有數奈米量級的空間解析度。影像可亦使用掃描探針顯微鏡(SPM)記錄，諸如，例如原子力顯微鏡(AFM)或掃描隧道顯微鏡(STM)。
該方法可特別包括通過掃描電子顯微鏡及/或掃描探針顯微鏡捕獲光罩之至少一部分的影像之步驟。
舉例而言，微影光罩是用於EUV微影裝置的光罩。在這情況下，EUV代表「極紫外線」，表示工作光的波長介於在0.1nm與30nm之間，尤其是13.5nm。在EUV微影裝置之中，射束塑形與照明系統用於將EUV輻射引導到光罩(也稱為「倍縮光罩」)上，光罩特別是反射光學元件(反射光罩)的形式。該光罩具有藉由EUV微影裝置的投影系統，以縮小的方式成像到晶圓等等之上的結構。
舉例而言，微影光罩可亦為EUV微影裝置的光罩。在這情況下，DUV代表「深紫外光」，表示工作光的波長介於在30nm與250nm之間，尤其是192nm或248nm。在DUV微影裝置之中，射束塑形與照明系統用於將DUV輻射引導到光罩上，光罩特別是透射光學元件(透射光罩)的形式。該光罩具有藉由DUV微影裝置的投影系統，以縮小的方式成像到晶圓等等之上的結構。
舉例來說，微影光罩包含基材和通過塗層形成在該基材上的結構。舉例來說，光罩為透射式光罩，在這情況下，待成像的圖案以吸收(即不透明或部分不透明)塗層之形式實現在透明基材上。替代上，光罩可亦為反射 式光罩，例如，特別是用於EUV微影。該光罩可亦為用於奈米壓印微影(NIL)的光罩。
舉例來說，該基材包含二氧化矽(SiO2)，例如熔融石英。舉例來說，該結構化塗層包含鉻、鉻化合物、鉭化合物及/或由矽、氮、氧及/或鉬製成的化合物。該基材及/或塗層可亦包含其他材料。
在用於EUV微影裝置的光罩之情況下，該基材可包含交替順序的鉬和矽層。
使用本案所提出的方法，可識別、定位和修復光罩的缺陷，特別是光罩結構化塗層的缺陷。具體而言，缺陷是錯誤地塗敷到該基材上之光罩的一(例如吸收或反射)塗層的情況。該方法可用於在光罩上缺少塗層的位置增加塗層。再者，可使用該方法從光罩上錯誤塗敷的位置去除塗層。
為此，在光罩之至少一部分的記錄影像中確定缺陷的幾何形狀。舉例來說，確定缺陷的二維幾何形狀。所確定缺陷的幾何形狀在以下稱為所謂的修補形狀。
對應於第一光柵的n個像素界定在修補形狀中，用於修補形狀的粒子束誘導處理。在該方法的步驟e1)中，粒子束指向修補形狀的n個像素中每一者。尤其是，電子束的強度最大值指向n個像素中每一者之中心。換句話說，修補形狀的n個像素表示用於粒子束誘導處理的修補形狀之第一光柵，特別是二維光柵。舉例來說，修補形狀的n個像素對應於在缺陷的粒子束誘導處理期間，粒子束的入射區域。舉例來說，以此方式選擇像素尺寸，使得由於電子束的高斯強度分佈，指向像素中心的電子束強度分佈在像素邊緣處下降到預定強度。預定強度可對應於下降到電子束強度最大值的一半，或者下降到電子束強度最大值的任何其他比例。舉例來說，像素尺寸及/或電子束半峰全寬(full width at half maximum)處於亞奈米範圍或數奈米的量級。
在步驟d1)，對應於第二光柵的m個像素界定在修補形狀中，以用於進一步修補形狀的粒子束誘導處理。尤其是，第二光柵根據子像素位移從 第一光柵計算。步驟d1)可在步驟e1)之前或之後執行。然後，根據該方法步驟f1)中的第二光柵，將粒子束引導到修補形狀的m個像素之每一者，其方式類似於根據第一光柵的n個像素之情況。原則上，標記步驟a1)、b1)等並未指定其任何特定順序；相反，這些步驟也可以不同的順序執行。這同樣適用於根據第二態樣之方法。
舉例來說，第二光柵具有與第一光柵相同的精細度。在這情況下，根據第一光柵的n個像素數量與根據第二光柵的m個像素數量沒有區別，或者基本沒有區別。舉例來說，在這情況下，個數m與個數n的差異小於20%、10%、5%、3%及/或1%。然而，在另外實例中，第二光柵也可比第一光柵更精細。
舉例來說，該製程氣體為前驅物(precursor)氣體及/或蝕刻氣體。舉例來說，該製程氣體可為複數個氣態成分的混合物，即製程氣體混合物。舉例來說，該製程氣體可為複數個氣態成分的混合物，其中每種成分僅具有特定的分子類型。
尤其是，主族元素、金屬或過渡元素的烷基化合物可被認為是適用於沉積或生長隆起結構的前驅物氣體，此的多個實例包括環戊二烯基(三甲基)鉑(CpPtMe3 Me=CH4)、甲基環戊二烯基(三甲基)鉑(MeCpPtMe3)、四甲基錫(SnMe4)、三甲基鎵(GaMe3)、二茂鐵(Cp2Fe)、雙芳基鉻(Ar2Cryl)化合物和主族元素、金屬或過渡元素，諸如，例如六羰基鉻(Cr(CO)6)、六羰基鉬(Mo(CO)6)、六羰基鎢(W(CO)6)、八羰基二鈷(Co2(CO)8)、十二羰基三釕(Ru3(CO)12)、五羰基鐵(Fe(CO)5)及/或主族元素、金屬或過渡元素的醇鹽化合物，諸如，例如四乙氧基矽烷(Si(OC2H5)4)、四異丙氧基鈦(Ti(OC3H7)4)及/或主族元素、金屬或過渡元素的滷化物化合物，諸如，例如六氟化鎢(WF6)、六氯化鎢(WCl6)、四氯化鈦(TiCl4)、三氟化硼(BCl3)、四氯化矽(SiCl4)及/或與主族元素、金屬或過渡金屬的配合物元素，諸如，例如雙六氟乙酰丙酮酸銅(Cu(C5F6HO2)2)、三氟乙酰丙酮二甲基金(Me2Au(C5F3H4O2))及/或有機 化合物，諸如一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、脂肪族化合物及/或芳香烴等等。
舉例來說，蝕刻氣體可包含：二氟化氙(XeF2)、二氯化氙(XeCl2)、四氯化氙(XeCl4)、蒸汽(H2O)、重水(D2O)、氧氣(O2)、臭氧(O3)、氨(NH3)、亞硝酰氯(NOCl)及/或以下鹵化物之一：XNO、XONO2、X2O、XO2、X2O2、X2O4、X2O6，其中X是鹵化物。在申請人的美國專利申請案第13/0103281號中指定用於蝕刻一或多個沉積測試結構之其他蝕刻氣體。
製程氣體可包含附加氣體，例如氧化氣體，諸如過氧化氫(H2O2)、氧化二氮(N2O)、氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、硝酸(HNO3)和其他含氧氣體及/或鹵化物，例如氯(Cl2)、氯化氫(HCl)、氟化氫(HF)、碘(I2)、碘化氫(HI)、溴(Br2)、溴化氫(HBr)、三氯化磷(PCl3)、五氯化磷(PCl5)、三氟化磷(PF3)和其他含鹵素氣體，及/或還原性氣體，例如氫氣(H2)、氨氣(NH3)、甲烷(CH4)和其他含氫氣體。這些附加氣體可用於例如蝕刻製程、作為緩沖氣體、作為鈍化介質等。
舉例來說，該活化粒子束借助於裝置來提供，該裝置可包含：一粒子束來源，用於產生該粒子束；一粒子束引導器件(例如，掃描單元)，其配置成將該粒子束引導到該光罩的該修補形狀之對應像素；一粒子束塑形器件(例如，電子或射束光學裝置)，其配置成將粒子束塑形，特別是聚焦粒子束；至少一儲存容器，其配置成儲存該製程氣體或該製程氣體的至少一種氣態成分；至少一氣體供應裝置，其配置成以預定氣體量流速，將製程氣體或該製程氣體的至少一氣態成分提供給修補形狀的對應像素。
該活化粒子束例如包含電子束、離子束及/或雷射束。
舉例來說，電子束借助改進的掃描電子顯微鏡提供。舉例來說，使用提供與該活化電子束相同改進的掃描電子顯微鏡以記錄光罩之至少一部分的影像。
尤其是，該活化粒子束活化光罩材料與製程氣體之間的局部化學反應，導致材料從氣相局部沉積在光罩上或導致光罩材料轉變為氣相。
根據步驟e1)中的第一光柵，將該活化粒子束連續設置在修補形狀的n個像素中每一者處，例如借助於粒子束引導器件。在根據第一態樣方法的步驟e1)中，該活化粒子束在每個像素處保持預定的停留時間，以在對應像素位置處引發製程氣體與光罩材料之間的化學反應。舉例來說，停留時間為100ns。再者，根據步驟f1)中的第二光柵，將該活化粒子束連續設置在修補形狀的m個像素中每一者處，例如借助於粒子束引導器件，以起始該化學反應。在根據第一態樣方法的步驟f1)中，該活化粒子束在每個像素上保持例如100ns的預定停留時間。
然而，停留時間也可調適其他值。舉例來說，根據步驟e1)或f1)中的第一或第二光柵，該活化粒子束在每個像素處的停留時間小於或等於500ns、小於或等於400ns、小於或等於300ns、小於或等於200ns、小於或等於100ns及/或小於或等於50ns。
根據一具體實施例，子像素位移是第一光柵子像素尺寸的位移，更具體為橫向位移。
因此，修補形狀的第二光柵可輕易從第一光柵確定，例如通過計算。
尤其是，子像素尺寸是像素尺寸的一部分。舉例來說，子像素尺寸為像素邊長(例如在X方向及/或Y方向上)的一部分，及/或兩相鄰像素的中心間距(例如在X方向及/或Y方向上)的一部分。
舉例來說，橫向位移是沿第一方向(X方向)或沿垂直於第一方向的第二方向(Y方向)之位移(特別是橫向位移)。
尤其是，第一光柵的格柵線相對於修補形狀偏移，尤其是橫向偏移子像素尺寸，以形成第二光柵的格柵線。在這情況下，第一光柵的像素此時 可例如位於修補形狀之外，而並不會納入產生第二光柵的考慮。此外，第一光柵的「空閒格柵空間」此時也可利用第二光柵的像素填充。
根據一進一步具體實施例，該方法包括下列步驟：根據至少一進一步光柵將該修補形狀細分為多個li像素，其中第i個進一步光柵細分為li個像素，而該至少一進一步光柵從第一、第二或該至少一進一步光柵中任何其他一個的子像素位移中形成；及根據該至少一進一步光柵，在該修補形狀的li個像素之每一者處提供該活化粒子束和該製程氣體。
通過與第一和第二光柵不同的一或多個進一步光柵，可藉助於粒子束更佳處理缺陷的邊緣區域。尤其是，在缺陷修復過程中可提高邊緣位置的精度。
根據一進一步具體實施例，步驟e1)在步驟f1)之前重複g次重複循環及/或步驟f1)重複h次重複循環。
尤其是，g和h是大於或等於二的整數。在這情況下，重複循環的次數g可等於重複循環的次數h(g=h)，或者可彼此不同(g≠h)。
因此，根據第一光柵的修補形狀之所有像素n在步驟e1)中用電子束重複曝光(g次重複循環)，例如在根據第二光柵過渡到光罩的缺陷處理之前。舉例來說，步驟e1)以10或100次重複循環(即g=10或g=100)進行。然而，重複循環次數g也可調適任何其他值。
再者，根據第二光柵的修補形狀之所有像素m也例如在步驟f1)中用電子束重複曝光(h次重複循環)。舉例來說，重複循環次數h也為10或100。然而，重複循環次數h也可調適任何其他值。
根據一進一步具體實施例，步驟e1)和f1)重複j次重複循環。
尤其是，j是大於或等於二的整數。舉例來說，重複循環次數j可為100、1000、10000、100000或百萬量級。
舉例來說，可通過使用粒子束重複處理光罩的缺陷來完全修復缺陷。
舉例來說，由於根據第一光柵的修補形狀之n個像素中每一者經過粒子束曝光(g x j)次。舉例來說，根據第二光柵的修補形狀之m個像素中每一者經過粒子束曝光(h x j)次。
根據一進一步具體實施例，在每種情況下該活化粒子束依次相繼設置在修補形狀的n個像素、m個像素及/或li個像素處，以該順序通過由該活化粒子束活化的化學反應在修補形狀上均勻消耗製程氣體。
尤其是，可避免修補形狀逐行掃描，在其範圍內每個像素都照射。舉例來說，最初只有每第r個像素沿著一行(例如，沿著X方向)照射，其中r為大於或等於1的整數。舉例來說，每個像素(r=1)、每第二個像素(r=2)或每第三個像素(r=3)沿著一行照射。舉例來說，只有每第s個像素沿著一欄(例如，沿著Y方向)照射，其中s為大於或等於1的整數。舉例來說，沿一欄的偏移量大於沿一行的偏移量(即，s大於r)。舉例來說，每第五個像素(s=5)或每第十個像素(s=10)沿著一欄照射。在進一步反覆中，然後該修補形狀的其他像素通過粒子束以類似方式曝光，直到第一光柵的修補形狀之所有像素n或第二光柵的修補形狀之所有像素m或進一步光柵的修補形狀之所有像素li曝光一次為止。
在多個具體實施例中，在修補形狀的n個像素、m個像素及/或li個像素處，分別依次提供該活化粒子束的順序也可為隨機分佈。
根據一第二態樣，提出一種用於粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法。該方法包括下列步驟：a2)提供該光罩之至少一部分的影像；b2)確定該影像中缺陷的幾何形狀當成修補形狀；及 c2)至少沿該修補形狀的一延伸段提供製程氣體，並沿該延伸段(strench)引導一活化粒子束，同時引發在製程氣體與該延伸段上光罩材料之間的化學反應。
由於粒子束沿該修補形狀的延伸段經過引導，同時引發在製程氣體和光罩材料之間的化學反應，也就避免了該修補形狀的個別像素之離散掃描，也就是說根據光柵的掃描。相反，粒子束在向量表示(vectorial representation)中沿該修補形狀的延伸段引導。因此，可更佳、更準確修復缺陷，尤其是其邊緣區域。尤其是，可處理缺陷的解析度取決於光柵的解析度(精細度)，及/或取決於用於粒子束誘導處理裝置能夠控制的粒子束之解析度(即控制精度)。
根據第二態樣的方法步驟a2)和b2)特別對應於根據第一態樣的方法步驟a1)和b1)。再者，第二態樣的方法步驟c2)中製程氣體的提供，例如也可類似於根據第一態樣的方法步驟e1)和f1)中製程氣體的提供之方式實施。
此外，關於粒子束誘導處理裝置的第二態樣之方法步驟c2)中粒子束之提供，關於粒子束的產生及其對製程氣體的基本影響，例如，也以類似於根據第一態樣的方法步驟e1)和f1)中粒子束之提供的方式實施。
根據一進一步具體實施例，該活化粒子束以大於零的速度沿全部延伸段引導及/或該活化粒子束沿全部延伸段引導而沒有滯留。
由於在根據第二態樣的方法中省略單個像素滯留(停留)停留時間，使得可通過選擇速度來設定期望的粒子束劑量(例如，電子束劑量)，其中該活化粒子束被引導到缺陷的表面上。此外，所提供的製程氣體(例如蝕刻氣體)之成分隨時間變化也可能受到掃描速度的影響。尤其是，此也可防止不利的氣體組成，因此，例如，由於不利的氣體組成而大大降低製程速率(例如，蝕刻速率)。因此，可更佳去除缺陷，例如完全去除其外部輪廓。
舉例來說，粒子束以大於零的速度及/或沒有滯留從延伸段的起點引導到延伸段的終點。
根據另一具體實施例，該延伸段的長度大於或等於5nm、大於或等於10nm、大於或等於20nm、大於或等於50nm、大於或等於100nm、大於或等於200nm及/或大於或等於500nm。
根據一進一步具體實施例，延伸段從修補形狀的一邊緣線性延伸到修補形狀的相對邊緣。
舉例來說，粒子束以「蛇形圖案」在修補形狀上引導。在這情況下，粒子束例如沿第一延伸段從修補形狀中第一邊緣處的第一起始點線性引導到修補形狀中與第一邊緣相對的第二邊緣處之第一終點。例如，第一延伸段連接最短路徑上的第一起點和第一終點。隨後，粒子束偏移到第二邊緣處新的第二起點，例如在垂直於第二邊緣處的第一延伸方向上。然後，粒子束被引導，例如沿第二延伸段，從修補形狀的第二邊緣處之第二起點到第一邊緣處之第二終點。第二延伸段連接第二起點和第二終點，例如在最短路徑上，並平行於第一延伸段配置。以對應方式，整個修補形狀可在複數個個別的延伸段上被粒子束掃過。
舉例來說，適用於每一個別延伸段的是該活化粒子束以大於零的速度沿整個個別延伸段引導及/或該活化粒子束沿整個個別延伸段引導而沒有滯留。
第一終點和第二起點之間的距離可用此方式選擇(例如，增加)，使得存在有利的粒子束劑量及/或製程氣體的氣體組成沒有不利的變化。如果由於大間距而形成垂直於第一和第二延伸段的處理間隙，則粒子束可在進一步的反覆中返回到這些處理間隙。然而，這情況可能導致不利的粒子束劑量，特別是在缺陷的邊緣區域中，並且更具體在垂直於或近似垂直於第一和第二邊緣配置的缺陷之邊緣區域中。
根據一進一步具體實施例，該延伸段沿修補形狀的外緣及/或沿著平行於修補形狀外緣的平行曲線延伸。
因此，可避免不利的粒子束劑量，尤其是在缺陷的邊緣區域中。
舉例來說，在修補形狀上以(準)「螺旋圖案」引導粒子束。在這情況下，粒子束例如從修補形狀的外緣處第一起點，沿著沿修補形狀外緣引導的第一延伸段被引導到在外緣處之第一終點。在這情況下，第一終點與第一起點重合或者係與後者相鄰配置。隨後，例如，粒子束從外緣徑向向內偏移(例如，在修補形狀的中心方向上)到第二起點。然後粒子束例如從第二起點沿第二延伸段引導，第二延伸段沿平行於第一延伸段的平行曲線延伸到該平行曲線上的第二終點。以對應方式，整個修補形狀可在沿與該外緣平行的平行曲線延伸之複數個個別的延伸段上被粒子束掃過。
舉例來說，適用於該等個別延伸段之每一者的是該活化粒子束以大於零的速度沿整個個別延伸段引導及/或該活化粒子束沿整個個別延伸段引導而沒有滯留。
根據一進一步具體實施例，修補形狀細分為至少第一和第二子修補形狀。
此外，該延伸段從第一子修補形狀的邊緣線性延伸到第一子修補形狀的相對邊緣；及/或該延伸段沿第二子修補形狀的外緣及/或沿平行於第二子修補形狀外緣的平行曲線延伸。
舉例來說，第一子修補形狀是修補形狀的內部區域，且第二子修補形狀圍繞內部第一子修補形狀。
在多個具體實施例中，修補形狀細分為兩或多個不同細分中的子修補形狀。這可避免在子修補形狀之間邊界處的缺陷處理不均勻。
根據另一具體實施例，該活化粒子束以大於或等於0.01m/s、大於或等於0.02m/s、大於或等於0.03m/s、大於或等於0.05m/s，大於等於0.1m/s，大於等於1m/s，大於等於5m/s，大於等於10m/s，大於或等於50m/s及/或大於或等於100m/s的速度沿該延伸段引導。
因此該活化粒子束可沿延伸段足夠快地引導，使得盡可能均勻的粒子束劑量存在於整個修補形狀上，並且特別是也存在於修補形狀的邊緣區域中。
根據一進一步具體實施例，該活化粒子束以小於或等於500ns、小於或等於400ns、小於或等於300ns、小於或等於200ns、小於或等於100ns及/或小於或等於50ns的時間引導通過整個修補形狀。
在其他具體實施例中，也可在整個修補形狀上更緩慢引導該活化粒子束。
根據一進一步具體實施例，該活化粒子束的射束電流大於或等於0.0001μA、大於或等於0.001μA、大於或等於0.01μA、大於或等於0.1μA及/或大於或等於1μA。
由於在根據第二態樣的方法中較高之射束電流，其中修補形狀通過向量掃描(而不是像在根據第一態樣的方法中由粒子束離散逐像素掃描)，即使在高掃描速度的情況下，也可應用所需的粒子束劑量(例如，電子束劑量)。然而，在其他具體實施例中，該活化粒子束的射束電流也可具有較小值。舉例來說，該活化粒子束的射束電流也可大於或等於1pA及/或大於或等於10pA。
根據一進一步態樣，提出一種電腦程式產品，該電腦程式產品包含多個指令，當由計算裝置執行以控制用於微影光罩缺陷的粒子束誘導處理之裝置時，提示該裝置執行上述第一態樣所述方法及/或上述第二態樣所述方法。
在當前情況下，「一」不必然理解為僅限於一元件。相反，也可設置複數個元件，諸如，例如兩、三或多個。同樣，本文使用的任何其他數量也不應理解為對所規定元件數量的限制。而是，除非相反指出，否則可能有向上和向下的數值偏差。
本發明的其他可能實施方式還可包括未在上面或以下相對示範實施例描述的任何特徵或具體實施例之組合。在這情況下，熟習該項技藝者還可附加個別態樣，以改善或補充本發明相對基本形式。
本發明的進一步優勢具體實施例與態樣為附屬請求項及以下所述本發明示範具體實施例的標的。將藉由參考附圖的較佳具體實施例詳細說明本發明。
100:光罩
102:基材
104:塗層
200:裝置
202:粒子束
204:真空殼體
206:真空幫浦
208:樣品台
210:電子柱
212:電子源
214:電子或射束光學裝置
216:掃描單元
218:偵測器
220:氣體供應單元
222:閥門
224:氣體管線
226:計算裝置
228:控制器件
230:確定器件
300:影像
302,302':修補形狀
304,304',304":像素
306,306',306":光柵
308:入射區域
310:邊緣區域
402:修補形狀
404:延伸段
406:邊緣
408:邊緣
410:起點
412:終點
414:起點
416:延伸段
418:終點
420:延伸段
422:延伸段
424:延伸段
426:邊緣
428:起點
430:終點
432:起點
434:延伸段
436:終點
438:延伸段
440:子修補形狀
442:子修補形狀
444:延伸段
446:邊緣
448:邊緣
450:延伸段
452:邊緣
454:延伸段
456:延伸段
a:長度
b:長度
B:結構尺寸
c:直徑
D,D':缺陷
E,E',E":缺陷
l:長度
M,M',M":中心
R:方向
S1-S8:方法步驟
S1'-S8':方法步驟
X:方向
Y:方向
圖1示意性顯示在根據一具體實施例的結構化塗層中具有缺陷之微影光罩的細節；圖2顯示根據一個體實施例之用於對來自圖1中光罩缺陷進行粒子束誘導處理之裝置；圖3顯示圖1中光罩缺陷的另一實例之局部細節，該缺陷的幾何形狀(修補形狀)根據第一光柵細分為複數個像素；圖4以放大視圖顯示圖3中的五個像素；圖5顯示類似於圖3的視圖，該缺陷的幾何形狀(修補形狀)根據第二光柵細分為複數個像素；圖6顯示類似於圖3的視圖，該缺陷的幾何形狀(修補形狀)根據第三光柵細分為複數個像素；圖7顯示類似於圖3的視圖，其中描繪根據第一、第二和第三光柵的像素中心相互重疊；圖8顯示根據第一態樣之用於對圖1至圖7中光罩缺陷進行粒子束誘導處理的方法之流程圖；圖9顯示圖1中光罩缺陷的進一步實例，其中缺陷的幾何形狀(修補形狀)未細分為多個像素，但是粒子束沿從修補形狀的一邊緣到另一邊緣之複數個延伸段連續且向量式在修補形狀上行進；圖10顯示圖1中光罩缺陷的另一實例，其中缺陷的幾何形狀(修補形狀)未細分為像素，但是粒子束沿與修補形狀的外輪廓平行延伸之複數個延伸段連續且向量式在修補形狀上行進； 圖11顯示來自圖10的缺陷，其中修補形狀細分為兩子修補形狀，其中圖9的方法應用於兩子修補形狀的內側，圖10的方法應用於兩子修補形狀的外側；及圖12顯示根據一第二態樣之用於對圖1和圖9至圖11中光罩缺陷進行粒子束誘導處理的方法之流程圖。
除非有相反的說明，否則在圖中相同或功能相同的元件具有相同的參考標號。另請注意，圖式中的圖例不必然按比例示出。
圖1示意性顯示微影光罩100的細節。在顯示的實例中，光罩100是透射式微影遮罩100。光罩100包含一基材102。基材102是光學透明，尤其是在光罩100曝光的波長下。舉例來說，基材100的材料包含熔融石英。
結構化塗層104(圖案元件104)已塗抹到基材102。尤其是，塗層104是由吸收材料製成的塗層。舉例來說，塗層104的材料包含鉻層。舉例來說，塗層104的厚度在50nm至100nm的範圍內。塗層104在光罩100的基材102上形成之結構的結構尺寸B在光罩100的不同位置處可不同。舉例來說，區域的寬度B繪製為圖1中的結構尺寸。舉例來說，結構尺寸B處於20至200nm的範圍內。結構尺寸B也可大於200nm，例如微米量級。
在其他實例中，對於所提及的那些，其他材料和其他層厚度(例如更薄的層厚度，例如「薄EUV光罩吸收器」)也可用於基材和塗層。再者，光罩100可亦為反射式光罩，而非透射式光罩。
有時，在光罩的生產處理期間會形成缺陷D，例如因為蝕刻製程沒有完全按照預期進行。在圖1中，此缺陷D用陰影線表示。這是多餘的材料，因為即使設想相鄰兩塗層區域104為在光罩100的模板中分開，塗層104也沒有從該區域去除。也可說缺陷D形成插枝(web)。在這情況下，缺陷D的尺寸對應於結構尺寸B。其他小於結構尺寸B的缺陷，例如5至20nm量級的缺陷，也是已知的。 為了確保使用光罩在微影裝置中生產的結構在晶圓上具有所需形狀，從而以此方式生產的半導體部件實現所需的功能，則必須修復缺陷，諸如圖1中的缺陷D或其他缺陷。在此實例中，有必要以有針對性方式去除插枝，例如藉由粒子束誘導蝕刻。
圖2顯示用於微影光罩缺陷(例如圖1中光罩100的缺陷D)的粒子束誘導處理之裝置200。圖2示意性顯示透過裝置200的數個組件之截面，其可用於光罩100的缺陷D之粒子束誘導修復，在這情況下為蝕刻。此外，裝置200可亦用於在實施修復處理之前、期間和之後對光罩進行成像，特別是光罩100和缺陷D的結構化塗層104。
圖2所顯示的裝置200代表改進的掃描電子顯微鏡200。在這情況下，電子束202形式的粒子束202用於修復缺陷D。使用電子束202當成活化粒子束的優勢在於，電子束202基本上不能損壞，或者只能輕微損壞光罩100，特別是其基材102。
在多個具體實施例中，可使用用於啟動光罩100的局部粒子束誘導修復處理之雷射束，來代替電子束202或除了電子束202之外(圖2中未示出)。此外，可使用離子束、原子束及/或分子束來活化局部化學反應(圖2中未示出)來替代使用電子束及/或雷射束。
裝置200主要配置在真空殼體204中，其藉由真空幫浦206保持在特定氣體壓力。
舉例來說，裝置200為一用於微影光罩的修復工具，例如用於DUV或EUV微影裝置的光罩。待處理的光罩100配置在樣品台208上。舉例來說，樣品台208配置成以數奈米的精度，在三個空間方向和例如額外三個旋轉軸上設定光罩100的位置。
裝置200包含一電子柱210。電子柱210包含一用於提供活化電子束202的電子源212。再者，電子柱210包含電子或射束光學裝置214。電子源212產生電子束202，並且電子或射束光學裝置214聚焦電子束202並且將電子束引導 至在柱210的輸出處之光罩100。電子柱210更包含一偏轉單元216(掃描單元216)，其配置成在光罩100的表面上引導(掃描)電子束202。代替配置在電子柱210內的偏轉單元216(掃描單元216)也可使用配置在柱210外部的偏轉單元(掃描單元)(未示出)來實現。
裝置200更包含一用於通過入射電子束202偵測在光罩200處產生的二次電子及/或背散射電子之偵測器218。舉例來說，如圖所示，偵測器218在電子柱210內以環形方式圍繞電子束202配置。作為偵測器218的替代及/或附加，裝置200可亦包含用於偵測二次電子及/或背散射電子的其他/進一步偵測器(圖2中未示出)。
此外，裝置200可包含一或多個掃描探針顯微鏡，例如原子力顯微鏡，其可用於分析光罩100的缺陷D(圖2中未示出)。
裝置200更包含一氣體供應單元220，用於將製程氣體供應到光罩100的表面。舉例來說，氣體供應單元220包含一閥門222和一氣體管線224。結合由氣體供應單元220經由閥門222和氣體管線224從外部供應的製程氣體，通過電子柱210射向光罩100表面某一位置的電子束202可進行電子束誘導處理(EBIP)。尤其是，該製程包含材料的沉積及/或蝕刻。
裝置200更包含一計算裝置226，例如電腦，其具有一控制器件228和一確定器件230。在圖2的實例中，計算裝置226配置在真空殼體204的外部。
計算裝置226，特別是控制器件228，用於控制裝置200。尤其是，計算裝置226，特別是控制器件228，藉由驅動電子柱210來控制電子束202的準備。尤其是，計算裝置226，特別是控制器件228，藉由驅動掃描單元216來控制電子束202在光罩100表面上之引導。再者，計算裝置226藉由驅動氣體供應單元220來控制製程氣體的供應。
此外，計算裝置226從偵測器218及/或裝置200的其他偵測器接收測量資料並從該測量資料產生影像，這些影像可顯示在監視器(未示出)上。再者，由測量資料產生的影像可儲存在計算裝置226的記憶體單元(未示出)中。
為了檢查光罩100，特別是光罩100的結構化塗層104，裝置200特別配置成根據來自裝置200的偵測器218及/或其他偵測器的測量資料，以捕獲光罩100(圖1)的影像300或光罩100的細節之影像300。舉例來說，影像300的空間解析度為數奈米量級。
計算裝置226，特別是確定器件230，配置成辨識記錄影像300中的缺陷D(圖1)，以定位所述缺陷並確定缺陷D的幾何形狀302(修補形狀302)。所確定缺陷D的幾何形狀302，即修補形狀302，係例如為二維幾何形狀。
圖3至圖7闡明根據第一態樣的方法，用於粒子束誘導處理圖1中光罩100的結構化塗層104缺陷D'之進一步實例。舉例來說，該方法使用圖2中所示裝置來執行。
如前面結合圖1和圖2所述，光罩100(圖1)的至少一部分之影像300記錄在根據第一態樣的方法步驟S1中。
如前面結合圖1和圖2所述，在根據第一態樣的方法步驟S2中，缺陷D'的幾何形狀在影像300中確定為修補形狀320'。圖3顯示缺陷D'的部分細節。
根據第一態樣的方法步驟S3中之第一光柵306，修補形狀302'(圖3)細分為n個像素304。尤其是，計算裝置226(圖2)，更具體為確定器件230，配置成根據第一光柵306，將修補形狀302'(圖3)劃分為n個像素304。
在圖3中，修補形狀302'的三個像素304已經以示範方式提供給參考標號。尤其是，像素304配置成多個欄(X方向)和多個行(Y方向，垂直於X方向)。每個像素304具有中心M，圖3中的三個像素以示範方式提供參考標號。圖3僅顯示修補形狀302'的非常小細節。舉例來說，整個修補形狀302’包含1百萬個像素304(n=1000000)。舉例來說，像素304的邊長a為數奈米，例如1.5nm。舉例來說，像素304具有1.5nm x 1.5nm的面積。在修復方法的過程中，電子束202(圖2)通過掃描單元216多次指向每個像素304的中心M。尤其是，在該方法的過程中，電子束202的例如高斯強度分佈強度最大值係多次指向每個像素304的每個中心M。
圖4顯示圖3中所示修補形狀302'的五個像素304之放大圖。每個像素304具有邊長為a的正方形。因此，兩相鄰像素中心之間的距離M也等於a。直徑為c的圓圈代表電子束202(圖2)在光罩100的表面上之入射區域308。在這情況下，直徑c對應於邊長a。例如，電子束202具有徑向對稱的高斯強度分佈。尤其是，電子束202指向入射區域308或像素304的中心M，使得其強度分佈最大值在技術上可能的範圍內入射在中心M上。舉例來說，入射區域308可對應於電子束202的強度分佈之半峰全寬。然而，入射區域308也可對應到低於電子束202的最大強度分佈的任何其他強度。
在根據第一態樣的方法步驟S4中，修補形狀302'(圖3)通過電子束202掃描並提供製程氣體，使得幾何形狀為修補形狀302'的缺陷D'在計算裝置226(圖2)，更具體在控制器件228，的控制下進行處理和矯正。在這情況下，活化電子束202連續指向修補形狀302'的n個像素304中每一者。電子束202在修補形狀302'的n個像素304中每一者處停留預定的停留時間。在這情況下，通過電子束202在修補形狀302'的n個像素304中每一者處活化製程氣體的化學反應。舉例來說，該製程氣體包含蝕刻氣體。舉例來說，化學反應導致與待蝕刻缺陷D'的材料產生揮發性反應產物，其在室溫下至少部分是氣態，並可使用幫浦系統(未示出)抽走。
在電子束202已引導到修補形狀302的n個像素304中每一者一次之後(步驟e1)，此程序重複g次重複循環。
根據第一態樣的方法步驟S5中之第二光柵306'(圖5)，修補形狀302'細分為m個像素304'。尤其是，計算裝置226，更具體為確定器件230，配置成根據第一光柵計算第二光柵。
步驟S5可在步驟S4之前或之後執行。
圖5顯示與圖3相同的修補形狀302'之細節。然而，對照於圖3，修補形狀302'根據圖5中第二光柵306'細分為m個像素304'。尤其是，第二光柵306'根據子像素位移從第一光柵306(圖3)計算。尤其是，為了形成第二光柵306' (圖5)，第一光柵306(圖3)在圖3和圖4中向右位移長度b，其對應於所示實例中的像素長度a。在顯示的實例中，第二光柵306'具有與第一光柵306相同的精細度。尤其是，根據第二光柵306'的像素304'(圖5)具有與根據第一光柵306(圖3)的像素304相同之尺寸(像素邊長a)。
然後，根據依照第一態樣中該方法步驟S6的第二光柵306'，將粒子束202引導到修補形狀302'的m個像素304'之每一者-其方式類似於根據第一光柵306的n個像素304之情況。
在根據第一態樣的方法步驟S7中，針對不同於第一和第二光柵306、306'的一或多個其他光柵306”執行步驟S5。舉例來說，圖6顯示第三光柵306”，其通過向上位移圖5和圖6中的半個像素長度a，從第二光柵306'冒形成。也就是說，修補形狀302'根據第三光柵306”細分為l個像素304”。在所示的實例中，像素304”具有與像素304(圖3)和像素304'(圖5)相同的尺寸，即邊長a。在其他實例中，第二及/或第三光柵306'、306”也可比第一光柵306更精細。在這情況下，像素304'及/或304"將具有比像素304更小的邊長。
在根據第一態樣的方法步驟S8中，針對一或多個其他光柵306”執行步驟S6。舉例來說，根據第三光柵306”(圖6)，在修補形狀302'的l個像素304”中的每一者處提供活化粒子束202和製程氣體。
在圖7中，像素304、304'和304”的中心M、M'和M”以重疊方式描繪。在步驟S4、S6和S8的過程中，電子束202重複指向每個中心(入射點)M、M'、M"。如圖7所示，可通過第二次和第三光柵(中心M'和M")掃描缺陷D'的邊緣區域310，將比僅應用第一光柵(中心M)掃描缺陷D'的邊緣區域310更佳。
在多個具體實施例中，步驟S4、S6和S8重複j次重複循環，使得n、m和l個像素304、304'、304"中每一者的重複循環總數為例如(j x g)或(j x h)。
為了(完全)去除缺陷D'區域中的塗層104(圖1)，例如，在每個像素304、304'、304"處需要總數為j(或j x g或j x h)的100、1000、10 000、100 000或一百萬次重複循環。
圖9至圖12闡明根據第二態樣的方法，用於粒子束誘導處理圖1中光罩100的結構化塗層104中缺陷D"之進一步實例。舉例來說，該方法使用圖2中所示裝置來執行。圖9顯示根據第二態樣的方法之一第一具體實施例。
如前面結合圖1和圖2所述，光罩100(圖1)的至少一部分之影像300記錄在根據第二態樣的方法步驟S1中。
如前面結合圖1和圖2所述，在根據第二態樣的方法步驟S2'中，缺陷E的幾何形狀在影像300中確定為修補形狀402。在根據第二態樣的方法步驟S2'中，將幾何形狀具體確定為基於向量表示的向量形式。圖9顯示缺陷E'的進一步實例。
在根據第二態樣的方法步驟S3'中，至少沿修補形狀402的延伸段404(圖9)提供製程氣體。此外，活化粒子束202(圖2)沿延伸段404引導，同時在延伸段404上引發在製程氣體與光罩100(圖1)的材料間之化學反應。
根據第二態樣中該方法的第一具體實施例(圖9)之延伸段404，從修補形狀402的邊緣406線性延伸到修補形狀402的相對邊緣408。尤其是，粒子束202沿第一延伸段404從第一邊緣406處的第一起點410線性引導到第二邊緣408處的第一終點412而沒有滯留。尤其是，第一延伸段404是第一起點410和第一終點412之間的最短路徑。第一延伸段404的長度具有參考標號l。製程氣體和光罩材料之間的化學反應在整個延伸段404上開始，以在粒子束202沿延伸段404的連續不間斷引導期間修復缺陷D'。
隨後，粒子束202沿垂直於第二邊緣412處的第一延伸段404之方向R，偏移到第二邊緣408處新的第二起點414。然後，粒子束202沿第二延伸段416，從第二起點414引導到第一邊緣406處的第二終點418。舉例來說，第二延伸段416平行於第一延伸段404延伸。
在一對應方式中，整個修補形狀可由粒子束202掃過複數個個別延伸段404、416、420、422(圖9中僅示出其中四個並設有參考標號)。活化粒 子束202以大於零的速度引導且沒有滯留(停留)，特別是對於沿全部個別延伸段404、416、420、422的每個個別延伸段404、416、420、422。
圖10顯示根據第二態樣的方法之一第二具體實施例。
根據第二具體實施例的第一延伸段424沿修補形狀402'的外緣426延伸及/或鄰近於其延伸。尤其是，第一延伸段424從鄰近外緣426的第一起點428，沿整個外緣426延伸到鄰近外緣426的第一終點430。尤其是，第一終點配置相鄰於第一起點428。因此，粒子束202沿第一延伸段424從第一起點428引導到第一終點430而沒有滯留。在沿第一延伸段424引導粒子束202期間，在整個第一延伸段424上引發製程氣體與光罩材料之間的化學反應。
隨後，粒子束202從修補形狀402'中的外緣426徑向向內偏移到第二起點432。然後粒子束202從第二起點432沿第二延伸段434引導，該第二延伸段沿平行於第一延伸段424的平行曲線延伸到該平行曲線上的第二終點436。
在一對應方式中，整個修補形狀402'可由粒子束202掃過複數個個別延伸段424、434、438(圖10中僅示出三個具有參考標號)，其沿與外緣426平行的平行曲線延伸。尤其適用於個別延伸段424、434、438中每一者在於活化粒子束202以大於零的速度沿全部的個別延伸段424、434、438引導並且沒有滯留(停留)。
由於此束引導圖案，使得可獲得電子束202的合適粒子束劑量，特別是也在缺陷E”的邊緣區域中或外緣426處。
圖11顯示根據第二態樣的方法之一第三具體實施例。
根據第三具體實施例，修補形狀402'細分為至少第一和第二子修補形狀440、442。在顯示的實例中，第一子修補形狀440為修補形狀402'的內部區域。此外，第二子修補形狀442完全包圍內部第一子修補形狀440。
在第一子修補形狀440內，對應的個別延伸段444從邊緣446線性延伸到第一子修補形狀440的相對邊緣448(類似於圖9所示的情況)。此外，第二子修補形狀442內的第一個別延伸段450鄰近第二子修補形狀442的外緣452延 伸。此外，另一個個別延伸段454、456沿平行於第二子修補形狀442的外緣452之平行曲線，在第二子修補形狀442內延伸。
在多個具體實施例中，在根據第二態樣方法中沿對應延伸段(圖9中的404、416、420、422；圖10中的424、434、438；圖11中的444、450、454、456)中引導電子束202(圖2)的速度可以高到以致於在根據第一態樣方法中，整個修補形狀402、402'的曝光時間大約為單個像素304(圖3)上之停留時間。舉例來說，沿對應延伸段(圖9至圖11)引導電子束202(圖2)的速度大於或等於1到100m/s。舉例來說，整個修補形狀402、402'在小於或等於50至200ns的時間內完全掃過一次。舉例來說，為此使用的粒子束202具有大於或等於0.0001至0.01μA的射束電流。然而，在其他實例中，粒子束202的射束電流也可調適其他值(例如，數個pA的較小值)。由於整個修補形狀402、402'的此準同時曝光，有可能在整個修補形狀402、402'上獲得特別均勻的粒子束劑量，因此可獲得光罩100(圖1)的缺陷E'、E”(圖9至圖11)之甚至更佳和更準確的修復。
儘管已經參考示範具體實施例描述本發明，但是可以各種方式對其進行修改。
302':修補形狀
310:邊緣區域
D':缺陷
M,M',M":中心

Claims (6)

  1. 一種用於粒子束誘導處理微影光罩(100)的缺陷(D、D')之方法，其包括下列步驟：a1)步驟(S1)，提供至少一部分該微影光罩(100)的影像(300)；b1)步驟(S2)，確定該影像(300)中該缺陷(D、D')的幾何形狀為一修補形狀(302、302')；c1)步驟(S3)，根據一第一光柵(306)將該修補形狀(302、302')細分為n個像素(304)；d1)步驟(S5)，根據一第二光柵(306')將該修補形狀細分為m個像素(304')，該第二光柵(306')源自於該第一光柵(306)的子像素位移；e1)步驟(S4)，根據該第一光柵(306)在該修補形狀(302、302')的n個像素(304)之每一者處提供一活化粒子束(202)和一製程氣體；及f1)步驟(S6)，根據該第二光柵(306')在該修補形狀(302、302')的m個像素(304')之每一者處提供該活化粒子束(202)和該製程氣體。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該子像素位移為該第一光柵(306)的子像素尺寸(b)之位移，更具體為橫向位移。
  3. 如請求項1或2所述之方法，其包括下列步驟：在步驟(S7)，根據至少一進一步光柵(306")將該修補形狀(302')細分為多個li像素(304")，其中第i個進一步光柵(306")細分為li個像素(304")，並且該至少一進一步光柵(306")係從該第一光柵(306)、該 第二光柵(306')或該至少一進一步光柵(306")中任何其他一者的子像素位移中形成；及在步驟(S8)，根據該至少一進一步光柵(306")，在該修補形狀(302')的該li個像素(304")之每一者處提供該活化粒子束(202)和該製程氣體。
  4. 如請求項1或2所述之方法，其中步驟e1)在步驟f1)之前重複g次重複循環及/或步驟f1)重複h次重複循環。
  5. 如請求項1或2所述之方法，其中步驟e1)和f1)重複j次重複循環。
  6. 如請求項1或2所述之方法，其中該活化粒子束(202)依次相繼入射在該修補形狀(302')的n個像素(304)、m個像素(304')及/或li個像素(304")處，在該過程中藉著由該活化粒子束(202)所活化的化學反應在該修補形狀(302')上均勻消耗製程氣體。
TW111132545A 2021-09-10 2022-08-29 以粒子束誘發處理微影光罩缺陷之方法 TWI839822B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20200096862A1 (en) 2018-09-20 2020-03-26 Kla Corporation Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20200096862A1 (en) 2018-09-20 2020-03-26 Kla Corporation Dispositioning defects detected on extreme ultraviolet photomasks

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