TWI836155B - 帶有ｏ形環密封的直接液體冷卻 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了利用一晶片的外周周圍的死空間來密封一直接液體冷卻模組的系統及方法。一直接液體冷卻模組的功能之一是向位於一晶片上的組件提供冷卻液。用於接納一密封部件的一凹槽部件可以被施加至該晶片的頂表面。該凹槽部件可以被直接沈積至該頂表面或經由一黏著劑及/或環氧樹脂耦接至該頂表面。該凹槽部件可以是相對的側壁或一U形結構的形式，其均形成用於接納該密封部件的一部分殼體。該凹槽部件可以完全位於該死空間內，或者至少部分地位於該死空間內並且部分地位於晶片組件所在的一中央區域內。該密封部件可以是一O形環或一墊圈。

Description

帶有O形環密封的直接液體冷卻

互補金屬氧化物半導體(「CMOS」)電路存在於幾種類型的電子組件中，包括微處理器、電池及數位攝影機影像感測器。CMOS技術的主要特徵是低靜態功耗及高抗噪能力。

除了工業標準晶片封裝之外，專用矽還可能在伺服器中產生大量熱量。在圖形處理單元(「GPU」)、自訂特殊應用積體電路(「ASIC」)及高頻寬記憶體(「HBM」)中可能會遇到此種情況。此外，諸如成像及人工智慧(「AI」)的服務可能需要高密度的大的計算資源，其許多伺服器彼此緊鄰。全球的資料中心被要求同時提高能源效率、聯合操作並降低成本。為了適應此等高效能及高密度伺服器，資料中心操作者不僅必須應對增加的功率密度，還必須應對其帶來的散熱挑戰。

因為液體在儲存及傳遞熱量方面比空氣好很多倍，所以液體冷卻解決方案可以為計算效率、密度及效能提供直接且可衡量的益處。使用直接液體冷卻模組可以提高計算效能及密度，並降低能耗。

電子組件封裝經受大範圍的溫度差。由於各種封裝組件的熱膨脹係數(「CTE」)的差異，電子組件封裝可能會隨著電子組件封裝的溫度的變化而彎曲。

為了控制彎曲，可以將包括歧管及加強件的直接液體冷卻模組併入至電子組件封裝中。直接液體冷卻模組設計有密封部件，使得流體不會自彼處洩漏。密封部件(諸如O形環或墊圈)可以用於將液體輸送歧管氣密密封至散熱組件的頂部。密封部件可以位於凹槽本體的大致沿散熱組件的頂表面的外周定位的窗口中。接納在散熱組件上的凹槽本體的窗口中的密封部件的存在提供了歧管裝置與組件基板之間的氣密密封，從而使得能夠藉由不同的方法對散熱組件進行直接液體冷卻。

O形環及/或墊圈密封技術能夠直接液體冷卻一或多個散熱組件(諸如微處理器、記憶體晶片等)，這使得液體能夠與此等組件直接接觸。這有利於藉由晶片上的例如帶有O形環凹槽及密封的氣密附接結構進行冷卻。

第一態樣是一種包括基板及密封支撐結構的總成。基板具有頂表面、底表面以及連接頂表面及底表面的側表面，基板的頂表面具有不含電路的外周區域及電路所在的中央區域。密封支撐結構形成適於接納密封部件的至少一部分的部分殼體。密封支撐結構的至少一部分位於基板的頂表面的外周區域內。

在一個實例中，密封支撐結構的第一部分位於外周區域內，並且密封支撐結構的第二部分位於中央區域內。

在另一個實例中，密封支撐結構的部分殼體包括相對的第一側壁及第二側壁。相對的第一側壁及第二側壁均被直接沈積至基板的頂表面。

在又一個實例中，密封支撐結構的部分殼體是U形的，並且其中，密封支撐結構的基部部分直接耦接至基板的頂表面。

在本態樣的另一個實例中，黏著劑層將密封支撐結構黏結至基板的頂表面。

在另一個實例中，密封支撐結構耦接至基板的側表面及頂表面中之一者。

在又一個實例中，總成包括黏著劑層。黏著劑層將密封支撐結構的至少一部分耦接至基板的一個側表面及頂表面中的至少一者。

在另一個實例中，密封支撐結構具有矩形外周，並且密封部件至少部分地被接納在密封支撐結構內。在一個實例中，密封部件是O形環。

另一態樣是一種密封支撐結構，該密封支撐結構包括基部部分以及相對的第一側壁及第二側壁，基部部分以及相對的第一側壁及第二側壁一起形成適於接納密封部件的至少一部分的部分殼體。基部部分具有適於黏結至基板的頂表面的底表面，基板具有頂表面、底表面以及連接頂表面及底表面的側表面，基板的頂表面具有不含電路的外周區域及電路所在的中央區域。密封支撐結構的至少一部分位於基板的頂表面的外周區域內。

在一個實例中，密封支撐結構的第一部分位於外周區域內，並且密封支撐結構的第二部分位於中央區域內。

在另一個實例中，相對的第一側壁及第二側壁均被直接沈積至基部部分。

在又一個實例中，部分殼體是U形的。

在又一個實例中，密封支撐結構還包括黏著劑層，該黏著劑層將基部部分黏結至基板的頂表面。

在另一個實例中，基部部分耦接至基板的側表面及頂表面中的一者。

在又一個實例中，密封支撐結構還包括黏著劑層，該黏著劑層將基部部分的至少一部分耦接至基板的一個側表面及頂表面中的至少一者。

在又一個實例中，密封部件是O形環，該O形環適於至少部分地被接納在由基部部分以及相對的第一側壁及第二側壁形成的部分殼體內。

另一態樣是一種包括基板、密封支撐結構及頂板的總成。基板具有頂表面、底表面以及連接頂表面及底表面的側表面，基板的頂表面具有不含電路的外周區域及電路所在的中央區域。密封支撐結構形成適於接納密封部件的至少一部分的部分殼體。頂板具有頂表面及底表面，並且當頂板的底表面接觸密封支撐部件的頂表面時，密封部件在頂板與基板之間提供氣密密封。

在一個實例中，總成還包括用於將頂板耦接至基板的緊固件，其中，緊固件向密封部件施加壓縮負載。

圖1A是具有各種加工組件的實例總成100的俯視圖。在此實例中，總成100包括安裝在基板115上的複數個晶片101至105。複數個晶片101至105中的每一者可以例如是積體電路(「IC」)晶片、系統單晶片(「SoC」)或其一部分，該部分可以包括各種被動及主動微電子裝置，諸如電阻器、電容器、電感器、二極體、金屬氧化物半導體場效應(「MOSFET」)電晶體、CMOS電晶體、雙極接面電晶體(「BJT」)、橫向擴散金屬氧化物矽(「LDMOS」)電晶體、高功率MOS電晶體、其他類型的電晶體、記憶體裝置、邏輯裝置或其他類型的電路或裝置。基板115可以例如是矽基板、塑料基板、具有例如聚醯亞胺及銅層的可撓性基板，層壓基板、陶瓷基板、中介層或任何其他合適的支撐結構。

在本實例中，存在五個晶片101至105，此等晶片一起形成總成的中央區域110。在其他實例中，總成100可以包括更多或更少的晶片，並且晶片可以配置在其他位置及/或具有不同的間隔、組態等。

外周區域120定位在中央區域110的外部。外周區域120可以是基板115的頂表面108。外周區域120可以稱為基板115上的「死空間」，因為在此區域中沒有加工組件。外周120可以用於裝載其他直接液體冷卻模組系統組件，諸如密封特徵。直接液體冷卻模組可以將冷卻劑帶到晶片的組件。模組可以是氣密的，使得冷卻劑只能經由模組中的出口自系統中排出。密封支撐結構140被施加至基板115的頂表面。如圖1A所示，密封支撐結構140具有矩形形狀。在其他實例中，密封支撐結構140可以採取除矩形以外的形狀的形式，諸如正方形、橢圓形或圓形。在本實例中，密封支撐結構140是連續的，因為它在其外周(包括在其任何角部)都沒有任何空間或間隙。在其他實例中，密封支撐結構140可以在其外周周圍具有一或多個空間或間隙。在一個實例中，凹槽本體140由銅製成。在其他實例中，密封支撐結構140可以是黃銅、青銅或者是銅、黃銅及/或青銅的合金。在一個實例中，密封支撐結構可以部分地位於中央區域110內並且部分地位於外周區域120內。在另一個實例中，密封支撐結構140可以僅位於外周區域120或基板115的死空間內。

圖1B示出了密封支撐結構140的實例。密封支撐結構140包括組態成接納O形環或墊圈150的部分殼體或窗口138。

圖1B是圖1A的截面A-A的放大正視截面圖。在此實例中，O形環形式的密封部件150擱置在密封支撐結構140的窗口138內。在其他實例中，密封部件150可以是墊圈。如圖1B所示，密封支撐結構140可以包括基部部分142以及第一壁部分144及第二壁部分146，其界定了部分殼體或窗口138。

密封支撐結構140可以以各種方式施加至基板115的頂表面108。在本實例中，薄金屬層152沈積在基板115上。焊料層154將密封支撐結構140附接至金屬層152。此技術在密封支撐結構140與基板115之間形成液密密封。

密封支撐結構140可以沈積為整體結構或層。在圖2A所示的一個實例中，密封支撐結構140由第一層143及第二層145形成。基部部分142對應於層143，並且形成凹槽本體的第一壁部分144及第二壁部分146對應於層145。

O形環150的直徑使得在未壓縮狀態下，O形環150的一部分定位在凹槽本體的頂表面148上方。這允許單獨的組件將O形環150完全壓縮至密封支撐結構140的區域中，並在密封支撐結構140與單獨的組件之間提供密封。

圖2A至圖2C示出了在晶片100及/或基板115的頂表面108上的凹槽本體140的附加實例。在圖2A中，密封支撐結構140包括將密封支撐結構140直接耦接至基板115的頂表面108的環氧樹脂。根據一些實例，可以在基板115與基部層143之間施加環氧樹脂層162。環氧樹脂162可以將密封支撐結構140及基板115機械地耦接在一起。可以使用工業中使用的任何類型的環氧樹脂或黏著劑，包括但不限於天然黏著劑、合成黏著劑、乾燥黏著劑、熱塑性黏著劑、反應性黏著劑、壓敏黏著劑或任何其他常用的黏著劑。

在圖2B中，密封支撐結構僅包括銅層142以及第一壁部分144及第二壁部分146。銅層142直接沈積至基板115的頂表面108。在此實例中，密封支撐結構的銅層142直接黏結至晶片100及/或基板115。

在圖2C中，密封支撐結構僅包括第一壁部分144及第二壁部分146，該第一壁部分及第二壁部分直接沈積至晶片100及/或基板115的頂表面108。

圖3A至圖3C示出了黏結至晶片100及/或基板115的側表面106及頂表面108兩者的凹槽本體140的實例。在圖3A中，密封支撐結構140為突出部的形式，使得一部分定位成鄰近於側表面106，並且其另一部分定位成鄰近於晶片100及/或基板的頂表面108。在此實例中，密封支撐結構140仍定向在晶片100及/或基板的頂表面108上方。O形環形式的密封部件150擱置在密封支撐結構140內。在其他實例中，密封部件150可以是墊圈。在本實例中，密封支撐結構140除了層143及145還具有附加層141。在本實例中，密封支撐結構140的基部部分包括層141及143兩者。第一壁部分144及第二壁部分146界定層145。

在本實例中，環氧樹脂層160被施加至基板115的側表面106的一部分並且定位成平行於基板115的底表面107。薄金屬層152沈積在環氧樹脂160上方的側表面106及基板115的頂表面108兩者上。焊料層154將密封支撐結構140固定至金屬層152。密封支撐結構140的一部分、焊料層154及薄金屬層152均定位成鄰近並接觸環氧樹脂層160。此技術在密封支撐結構140與基板115之間形成液密密封。

在圖3B中，環氧樹脂層160亦被施加至基板115的側表面106的一部分並且定位成平行於基板115的底表面107。第二環氧樹脂層162沈積在基板115的側表面106及頂表面108兩者上。環氧樹脂層160、162形成用於密封支撐結構140的基部，該基部延伸超過基板的邊緣。

在圖3C中，環氧樹脂層160亦被施加至基板115的側表面106的一部分並且定位成平行於基板115的底表面107。在此實例中，密封支撐結構140包括在基板115的側表面106及頂表面108處直接沈積至環氧樹脂160上的基部銅層142。

圖4A至圖4C是就地固化墊圈選項的各種實例。在一個實例中，墊圈150'開始為直接施加至矽的液體，然後被紫外光固化以創建圖4A至圖4C所示的形狀。

在圖4A中，墊圈150'直接耦接至晶片100及/或基板115的頂表面108。在本實例中，墊圈150'具有平坦的底表面156及彎曲的頂表面158。墊圈被示出為處於未壓縮狀態，其中，沒有壓縮元件接觸頂表面158。在未壓縮狀態中，墊圈150'具有高度H1。

在圖4B中，中間黏著劑層162'將墊圈150'的底表面156耦接至晶片100及/或基板115的頂表面108。在圖4C中，密封支撐結構140'直接沈積在晶片100及/或基板115的頂表面108上。密封支撐結構140'包括基部部分142'以及第一側壁部分144'及第二側壁部分146'。由基部部分142'以及第一側壁部分144'及第二側壁部分146'形成的此部分殼體或窗口138'具有壓蓋設計，以判定墊圈150'將如何在密封支撐結構140'中壓縮。

圖5A至圖5C分別對應於圖4A至圖4C，並且示出了墊圈150'在被施加壓縮負載下如何反應。在圖5A至圖5B中，壓縮元件170壓縮墊圈150'，使得墊圈150'被壓縮至小於H1的高度H2。儘管壓縮元件170在附圖中示出為V形，但應當理解，壓縮元件可以替代地是U形、平坦的或多種其他形狀中的任一種。用於固化墊圈的固化技術可以判定墊圈的物理性質。例如，液體的類型、紫外光的波長及頻率以及所使用的固化時間可以判定墊圈150'的性質以及墊圈150'的高度在被壓縮時變化多少，包括施加在墊圈150'上的力的量。在圖5C中，平面壓縮元件170'壓縮墊圈150'直到壓縮元件170'的底表面172接觸第一壁部分144'及第二壁部分146'中的每一者的頂表面174。

圖6A至圖6C示出了與藉由由密封支撐結構密封的直接冷卻系統冷卻的電路有關的密封支撐結構的各種實例組態。

圖6A提供了實例密封結構140，該密封結構結合圖1A如上文描述地加以組態。特別地，在此實例中，密封支撐結構140圍繞加工組件的外周延伸。

圖6B及圖6C示出了密封支撐結構被組態成形成單獨的冷卻區的實例。在圖6B中，密封支撐結構240分別圍繞每個晶片101至105。

在圖6C中，密封支撐結構340亦形成單獨的冷卻區，儘管比圖6B中的少。在此實例中，密封支撐結構340圍繞中央晶片103，並且圍繞成對的外周晶片101、102、104、105，而不是如圖6B中單獨圍繞每個晶片。

可以基於冷卻需要、用於建構支撐結構的空間以及其他考慮來選擇用於密封支撐結構的組態。儘管示出了一些實例組態，但應當理解，任何數量的組態皆是可能的，並且該等組態可以適於電子組件的各種組態。

圖7A至圖7C是具有一或多個窗口的各種密封支撐結構的實例，該等窗口可以應用於直接液體冷卻模組的各別子總成200、200'及200''。例如，此等附圖的每一者皆是與圖1A的俯視圖相對的截面正視圖。因此，儘管看起來例如在圖7A中存在多個凹槽本體，但僅存在一個與圖1A的密封支撐結構140一樣形成閉合外周的密封支撐結構240。圖7A至圖7C的各別子總成中的每一者包括晶片101至105、矽中介層210、基板215及印刷電路板225。環氧樹脂260用作用於凹槽本體240的填充物及支撐物。

在圖7A中，存在單個密封支撐結構240。O形環或墊圈150位於密封支撐結構240的窗口238中。密封支撐結構240包裹在環氧樹脂260的頂部部分周圍，使得密封支撐結構240的一部分接觸基板115及晶片102、105兩者。

在圖7B中，在密封支撐結構240中存在外部窗口238a及內部窗口238b。窗口238a、238b之間的孔隙244允許將環氧樹脂260設置在由窗口238a、238b、晶片102、105、矽中介層210及基板215形成的殼體中。O形環或墊圈150a被接納在窗口238a內，並且O形環或墊圈150b被接納在窗口238b內。

在圖7C中，在密封支撐結構240中僅存在一個窗口238，但仍存在鄰近於窗口238並穿過密封支撐結構240的孔隙244，以允許環氧樹脂被接納在由密封支撐結構240、晶片102、105、矽中介層210及基板215形成的殼體中。在此實例中，O形環150或墊圈被接納在密封支撐結構240的窗口238內。

圖8A及圖8B是添加至圖7A的子總成200的各別密封結構300'、300''的實例。圖8A是噴射衝擊結構300'的附加件，並且圖8B是用於將冷卻劑輸送至模組或封裝的歧管結構300''的附加件。噴射衝擊結構300'及歧管結構300''皆在入口330及出口340中包括頂板320。當頂板320的底表面322與子總成200的密封支撐結構240的頂表面248接觸時，O形環或墊圈150壓縮，從而在噴射衝擊結構300'與子總成200之間創建氣密密封。

如圖所示，存在各別的箭頭方向，以表示液體或氣體流經入口330及出口340的方向。每個箭頭遵循大體上平行於縱向軸線L1的路徑。在圖8A中，液體或氣體經由入口330進入模組中，然後在沿垂直於軸線L1的縱向方向L2行進之前經由噴射部332進入至晶片101至105的表面上，並且再次在經由出口340自模組中排出之前沿軸線L1進入返回管328中。

在圖8B中，液體或氣體經由入口330進入模組中，然後在沿垂直於軸線L1的縱向方向L2行進之前經由流動通道370進入至晶片101至105的表面上，並再次在經由出口340自模組中排出之前沿軸線L1進入返回管328中。歧管中的流動通道是直接液體冷卻模組的一部分，以用於將液體或氣體引導至晶片(諸如晶片101至105)，歧管位於該晶片的頂部上。歧管被設計成將流引導經過一或多個電路組件(諸如微處理器、記憶體晶片等)，以改進組件與工作流體之間的熱傳遞。在一個實例中，歧管是具有流動通道的位於晶片的頂部上的組件，該等流動通道創建用於冷卻劑的橫流路徑，從而改進晶片與工作流體或氣體之間的熱傳遞。在一個實例中，歧管由聚胺基甲酸酯製成。在其他實例中，歧管可以由其他聚合物製成。

圖9A及圖9B是利用不同的機械附接件裝載在直接液體冷卻模組中使用的O形環的實例。圖9A示出了在圖8A的直接液體冷卻模組中的彈簧負載螺釘400及墊板500的使用。墊板500耦接至印刷電路板225。螺釘400插入穿過頂板320中的孔隙以及印刷電路板225及墊板500兩者。彈簧420被壓縮在螺釘400的頭部410與頂板320的頂表面336之間。這為密封支撐結構240的窗口238內的O形環150提供了頂板夾持負載。在圖9B中，附加的螺釘400'用於提供O形環夾持負載。螺釘400'插入穿過頂板320中的另一孔隙並保持在密封支撐結構240內，以在O形環或墊圈150上施加壓縮負載。在一個實例中，密封支撐結構240可以是加強件，密封支撐結構240被施加至該加強件，使得螺釘400'插入穿過頂板320中的孔隙並保持在加強件內，以在O形環或墊圈250上施加壓縮負載。

螺釘400及400'均具有各別的頂部部分442、442'及螺紋軸部分444、444'。在圖9A中存在兩個螺釘400，並且在圖9B中存在兩個螺釘400及兩個螺釘400'。在其他實例中，可以存在用於將壓縮負載施加至在各別的直接液體冷卻模組中使用的一或多個O形環或墊圈250的多於或少於兩個螺釘400或兩個螺釘400'。

圖10A提供了可以在沒有O形環或墊圈的情況下使用的蓋密封結構的實例。如此實例中所示，蓋525被組態成自基板115的外周延伸並且在晶片102、105與蓋525之間形成密封，從而防止冷卻劑580的洩漏。例如，該密封可以藉由晶片與蓋525之間的黏著劑573形成。蓋525可以藉由黏著劑572進一步固定至基板115。

黏著劑572、573可以是聚合物基的、金屬基的或其一些組合。類似地，蓋525可以由任何材料製成，諸如金屬、聚合物或材料的組合。根據一些實例，諸如在黏著劑是金屬基的情況下，金屬化層574可以沈積在與黏著劑573接觸的晶片102、105上或在基板115的與黏著劑572接觸的表面上。螺釘400可以供應壓縮負載以輔助由黏著劑572、573提供的黏附。根據其他實例，可以藉由夾緊或其他機械力來提供壓縮負載。

如圖10A所示，環氧樹脂262可以沈積在晶片102、105與蓋525之間，使得蓋525的自基板115延伸的一部分包裹在環氧樹脂262周圍。就此而言，環氧樹脂262可以為蓋525提供支撐。在其他實例中，蓋的不同形狀及組態可以不需要環氧樹脂。

圖10B提供了蓋密封結構的另一實例。在此實例中，蓋625經由黏著劑672黏結至冷卻劑輸送結構的鰭片690。儘管在此實例中未示出，但可以在蓋625與總成的其他組件之間施加附加的黏著劑以形成防水密封。

除非另有說明，否則前述替代實例不是互相排斥的，而是可以以各種組合實施以實現獨特的優點。由於可以在不背離申請專利範圍所限定的主題的情況下利用以上討論的特徵的此等及其他變形以及組合，所以前述描述應當以說明的方式而不是限制由申請專利範圍所限定的主題的方式進行。另外，本文所描述的實例的提供以及用語表達為「諸如」、「包括」等的從句不應被解釋為將申請專利範圍的主題限制於特定實例；相反，此等實例僅旨在說明許多可能的實施方式之一。此外，不同附圖中的相同附圖標記可以標識相同或相似的元件。

100:總成 101:外周晶片 102:外周晶片 103:中央晶片 104:外周晶片 105:外周晶片 106:側表面 107:底表面 108:頂表面 110:中央區域 115:基板 120:外周區域 138:部分殼體或窗口 138':部分殼體或窗口 140:密封支撐結構 141:附加層 142:基部部分/基部銅層 142':基部部分 143:第一層 144:第一壁部分 144':第一側壁部分 145:第二層 146:第二壁部分 146':第二側壁部分 148:頂表面 150:O形環或墊圈 150':墊圈 150a:O形環或墊圈 150b:O形環或墊圈 152:薄金屬層 154:焊料層 156:底表面 158:頂表面 160:環氧樹脂層 162:第二環氧樹脂層 162':中間黏著劑層 170:壓縮元件 170':平面壓縮元件 200:子總成 200':子總成 200'':子總成 210:矽中介層 215:基板 225:印刷電路板 238:窗口 238a:外部窗口 238b:內部窗口 240:密封支撐結構 244:孔隙 248:頂表面 260:環氧樹脂 262:環氧樹脂 300':密封結構/噴射衝擊結構 320:頂板 322:底表面 328:返回管 330:入口 332:噴射部 336:頂表面 340:密封支撐結構 370:流動通道 400:彈簧負載螺釘 400':附加的螺釘 410:頭部 420:彈簧 442:頂部部分 442':頂部部分 444:螺紋軸部分 444':螺紋軸部分 500:墊板 525:蓋 572:黏著劑 573:黏著劑 574:金屬化層 580:冷卻劑 625:蓋 672:黏著劑 690:鰭片 A-A:截面 H1:高度 H2:高度 L1:縱向軸線 L2:縱向方向

圖1A是在其頂表面上具有密封支撐結構的總成的俯視圖。

圖1B是圖1A的截面A-A的放大正視截面圖，並且示出了包括焊料及用於將凹槽本體耦接至晶片及/或基板的頂表面的金屬化加工件的密封支撐結構。

圖2A是包括環氧樹脂的密封支撐結構的一個實例的正視截面圖。

圖2B是包括直接沈積至基板的頂表面上的銅的密封支撐結構的一個實例的正視截面圖。

圖2C是直接沈積至基板的頂表面上的密封支撐結構的一個實例的正視截面圖。

圖3A是包括環氧樹脂、焊料及用於將密封支撐結構耦接至基板的側表面及頂表面的金屬化加工件的凹槽本體突出部的一個實例的正視截面圖。

圖3B是包括用於將密封支撐結構耦接至基板的側表面及頂表面的環氧樹脂的凹槽本體突出部的一個實例的正視截面圖。

圖3C是包括用於將密封支撐結構的至少一部分耦接至基板的側面並且將密封支撐結構的另一部分直接耦接至基板的頂表面的環氧樹脂的凹槽本體突出部的一個實例的正視截面圖。

圖4A是將墊圈直接耦接至基板的頂表面的一個實例的正視截面圖。

圖4B是利用中間黏著劑層將墊圈耦接至基板的頂表面的一個實例的正視截面圖。

圖4C是將密封支撐結構直接沈積至基板的頂表面並且將墊圈插入至密封支撐結構中的凹槽的一個實例的正視截面圖。

圖5A是利用第一類型的壓縮元件壓縮圖4A的墊圈的正視圖。

圖5B是利用圖5A的壓縮元件壓縮圖4B的墊圈的正視截面圖。

圖5C是利用另一種類型的壓縮元件壓縮圖4C的墊圈的正視截面圖。

圖6A至圖6C示出了根據本發明的態樣的實例密封結構組態。

圖7A是包括O形環凹槽的一個實例的微晶片封裝的正視截面圖。

圖7B是微晶片封裝的實例的正視截面圖，該微晶片封裝在凹槽本體中具有第一窗口及第二窗口，在該等窗口之間具有用於接納環氧樹脂的空間。

圖7C是帶有凹槽本體的微晶片封裝的實例的正視截面圖，該凹槽本體具有用於接納環氧樹脂的開口。

圖8A是包括子總成的一個實例的微晶片封裝的正視截面圖，該子總成包括耦接至用於將冷卻劑輸送至該封裝的噴射衝擊結構的凹槽本體。

圖8B是包括凹槽本體的一個實例的微晶片封裝的正視截面圖，該凹槽本體耦接至用於將冷卻劑輸送至該封裝的歧管結構。

圖9A是包括將直接液體冷卻模組固定至該封裝的機械附接件的微晶片封裝的正視截面圖。

圖9B是包括將直接液體冷卻模組固定至該封裝的另一實例機械附接件的微晶片封裝的正視截面圖。

圖10A是包括將直接液體冷卻模組固定至該封裝的另一實例機械附接件的微晶片封裝的正視截面圖。

圖10B是包括將直接液體冷卻模組固定至該封裝的另一實例機械附接件的微晶片封裝的正視截面圖。

102:外周晶片

103:中央晶片

105:外周晶片

150:O形環或墊圈

200:子總成

215:基板

238:窗口

260:環氧樹脂

Claims (21)

1. 一種總成，其包含：一基板，該基板具有一頂表面、一底表面以及連接該頂表面及該底表面的側表面，該基板的該頂表面具有不含電路的一外周區域(perimeter area)及電路所在的一中央區域；以及一密封支撐結構，該密封支撐結構形成適於接納一密封部件的至少一部分的一部分殼體，該密封支撐結構圍繞在一頂端處開口並向下延伸至該電路之一部分，使得與該密封支撐結構密封接合(sealingly engaged)之一冷卻劑輸送裝置可將冷卻劑引導至該電路上，其中，該密封支撐結構的至少一部分位於該基板的該頂表面的該外周區域內。
2. 如請求項1之總成，其中，該密封支撐結構的一第一部分位於該外周區域內，並且該密封支撐結構的一第二部分位於該中央區域內。
3. 如請求項1之總成，其中，該密封支撐結構的該部分殼體包括相對的第一側壁及第二側壁。
4. 如請求項3之總成，其中，相對的該第一側壁及該第二側壁均被直接沈積至該基板的該頂表面。
5. 如請求項1之總成，其中，該密封支撐結構的該部分殼體是U形的， 並且其中，該密封支撐結構的一基部部分直接耦接至該基板的該頂表面。
6. 如請求項1之總成，其進一步包含：一黏著劑層，該黏著劑層將該密封支撐結構黏結至該基板的該頂表面。
7. 如請求項1之總成，其中，該密封支撐結構耦接至該基板的該等側表面及該頂表面中的一者。
8. 如請求項7之總成，其進一步包含：一黏著劑層，其中，該黏著劑層將該密封支撐結構的至少一部分耦接至該基板的該等側表面及該頂表面中的至少一者。
9. 如請求項1之總成，其中，該密封支撐結構具有一矩形外周，該總成進一步包含：該密封部件，該密封部件至少部分地被接納在該密封支撐結構內。
10. 如請求項9之總成，其中，該密封部件是一O形環。
11. 一種密封支撐結構，其包含：一基部部分以及相對的第一側壁及第二側壁，該基部部分以及相對的該第一側壁及該第二側壁一起形成適於接納一密封部件的至少一部分的 一部分殼體，其中，該基部部分具有適於黏結(bond)至一基板的一頂表面的一底表面，該基板具有該頂表面、一底表面以及連接該頂表面及該底表面的側表面，該基板的該頂表面具有不含電路的一外周區域及電路所在的一中央區域，以及其中，該密封支撐結構的至少一部分位於該基板的該頂表面的該外周區域內且圍繞在一頂端處開口並向下延伸至該電路之一部分，以使經由該頂端所接收之冷卻劑能夠直接接觸該電路。
12. 如請求項11之密封支撐結構，其中，該密封支撐結構的一第一部分位於該外周區域內，並且該密封支撐結構的一第二部分位於該中央區域內。
13. 如請求項11之密封支撐結構，其中，相對的該第一側壁及該第二側壁均被直接沈積至該基部部分。
14. 如請求項11之密封支撐結構，其中，該部分殼體是U形的。
15. 如請求項11之密封支撐結構，其進一步包含：一黏著劑層，該黏著劑層將該基部部分黏結至該基板的該頂表面。
16. 如請求項11之密封支撐結構，其中，該基部部分耦接至該基板的該等側表面及該頂表面中的一者。
17. 如請求項16之密封支撐結構，其進一步包含：一黏著劑層，其中，該黏著劑層將該基部部分的至少一部分耦接至該基板的該等側表面及該頂表面中的至少一者。
18. 如請求項11之密封支撐結構，其中，該密封部件是一O形環，該O形環適於至少部分地被接納在由該基部部分以及相對的第一側壁及第二側壁形成的該部分殼體內。
19. 一種總成，其包含：一基板；一或多個晶片，該一或多個晶片配置在該基板上；一密封支撐結構，該密封支撐結構成形為黏附至該一或多個晶片的至少一部分；以及一黏著劑，該黏著劑在該密封支撐結構與該一或多個晶片的該至少一部分之間，其中，該黏著劑及該密封支撐結構為輸送至該一或多個晶片的冷卻劑提供一氣密密封。
20. 如請求項19之總成，其中，該基板具有一頂表面、一底表面以及連接該頂表面及該底表面的側表面，該基板的該頂表面具有不含該一或多個晶片的一外周區域，並且其中，該密封支撐結構進一步包含黏附至該基板 的該外周區域的一延伸部。
21. 如請求項19之總成，其進一步包含一冷卻劑輸送結構，該冷卻劑輸送結構包括複數個冷卻鰭片，其中，該密封支撐結構進一步被黏附至該複數個冷卻鰭片中的每一者的一頂表面。