TWI834091B - 發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備 - Google Patents
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Abstract
一種發光顯示器設備可包括，顯示部分包括設置在基板上的多個像素區域，電路層包括多條像素驅動線設置在該些像素區域中，發光裝置層包括設置在該些像素區域中的電路層上的發光層，封裝層設置在發光裝置層上，及路由部分圍繞基板的前周邊部分及外表面，路由部分包括多條路由線經過設置在基板的前周邊部分的封裝層以連接於該些像素驅動線。
Description
本發明係關於一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕發光顯示器設備。
與液晶顯示器（liquid crystal display，LCD）設備不同，為自發光發光顯示器設備的發光顯示器設備不需要各別的光源，且因此，其可被製造為輕量且輕薄的設備。並且，發光顯示器設備被以低電壓驅動且因此降低其功耗。此外，發光顯示器設備有良好的色彩實現、響應時間、視角及對比度，因此作為備受關注的下一代發光顯示器設備。
發光顯示器設備基於發光裝置層的發光而顯示影像，其中發光裝置層包括發光裝置設置在兩個電極之間。在這樣的情況下，發光裝置所發出的光透過電極及基板被釋放到外部。
發光顯示器設備包括實現為顯示影像的顯示面板。顯示面板可包括顯示區域及圍繞顯示區域的邊框區域，其中顯示區域包括用於顯示影像的多個像素。
相關先前技術的發光顯示器設備需要用於覆蓋在顯示面板的邊界（或周邊部分）的邊框區域的邊框或機構。此外，由於邊框的存在，故相關先前技術的發光顯示器設備具有很大的邊框寬度（例如，邊框的寬度很大）。並且，當發光顯示器設備的邊框寬度被降低到小於一特定極限值時，發光裝置可能因外部、外來材料的滲透而被破壞，例如水分或濕氣，且因此，發光裝置的可靠度（reliability）下降。
近來，多螢幕發光顯示器設備已被商品化，其中大螢幕係透過佈置發光顯示器設備為格子形（lattice type）而實現。
本公開的發明人已經意識到，在相關技術的多螢幕發光顯示器設備中，由於邊框區域或多個發光顯示器設備的每一者的邊框的存在，在相鄰的發光顯示器設備之間形成了例如是接縫的邊界部分。發明人已經意識到，當單一影像（或多個影像的接縫）被顯示在由多螢幕發光顯示器設備組裝成的整個螢幕上時，邊界部分可導致影像不連續（或非連續地）的感覺。此外，因為這樣，觀看影像（或影片）的觀看者的沉浸感及觀看者的使用者體驗可大大降低。
據此，本公開的發明人提供了顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其實質上消除了由於相關技術的限制及缺點導致的一或多個問題。發明人所提供的一或多個實施例還解決了上述相關技術中未列出的其他技術問題。
本公開的一面向旨在提供一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其避免了發光裝置因外部、外來材料（例如，水、濕氣）而使可靠度下降。
本公開的另一面向旨在提供一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其包括零邊框且避免發光裝置因外部、外來材料（例如，水、濕氣）而使可靠度下降。術語「零邊框」或「空氣邊框」是用於指示顯示器設備，其具有實質上是小的邊框或完全無邊框。舉例而言，在一些實施例中，零邊框的顯示器設備包括具有選擇的寬度的邊光一顯示器。然而，邊框的寬度或邊框寬度低於一寬度閾值，故當兩個或多個顯示器被組裝在一起時，觀看者無法辨認邊框寬度以影響觀看者的沉浸感或觀看者的使用者體驗。寬度閾值可取決於各種因素而改變，所述各種因素包括但不限於，多螢幕顯示器到一或多個觀看者之間的距離、觀看者的感受等。在其他實施例中，具有零邊框的顯示器設備包括完全無邊框的顯示器或具有「0（零）」邊框寬度的顯示器。
本公開的另一面向旨在提供一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其在整個螢幕上顯示一個影像時，顯示影像不會有不連續的感覺。
本公開的另外的優點及特徵將部分地在隨後的描述中闡述並且部分地對於本領域具有通常知識者在檢閱以下內容後將變得顯而易見，或者可以從本公開的實踐中而了解到。本公開的技術優點可以透過書面描述及其專利範圍以及附圖中特別指出的結構來實現及獲得。
為了實現這些及其他優點，如本文所體現及廣泛描述的，提供了一種發光顯示器設備，包括一基板、一顯示部分包括設置在該基板上的多個像素區域、一電路層包括多條像素驅動線設置在該些像素區域中、一發光顯示器裝置層包括設置在該些像素區域中的該電路層上的一發光層、一封裝層設置在該發光裝置層上，及一路由部分圍繞該基板的一前周邊部分及外表面，該路由部分包括多條路由線經過設置在該基板的該前周邊部分的該封裝層以連接於該些像素驅動線。
根據本公開一些實施例的一種多螢幕顯示器設備包括多個顯示器裝置，沿著一第一方向及跨過該第一方向的一第二方向的至少一個方向設置，該些顯示器裝置各包含一發光顯示器設備，該發光顯示器設備包括一基板、一顯示部分包括設置在該基板上的多個像素區域、一電路層包括多條像素驅動線設置在該些像素區域中、一發光顯示器裝置層包括設置在該些像素區域中的該電路層上的一發光層、一封裝層設置在該發光裝置層上，及一路由部分圍繞該基板的一前周邊部分及外表面，該路由部分包括多條路由線經過設置在該基板的該前周邊部分的該封裝層以連接於該些像素驅動線。
根據本公開的一實施例可提供一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其避免發光裝置因水、濕氣的滲透而使可靠度下降。
根據本公開的一實施例可提供一種發光顯示器設備及包括其的多螢幕顯示器設備，其包括零邊框及避免發光裝置因水、濕氣的滲透而使可靠度下降。
根據本公開的一些實施例，可提供一種無邊框的發光顯示器設備及包括發光顯示器設備的多螢幕顯示器設備。
根據本公開的一些實施例，可提供一種用於顯示影像而不會有不連續感的多螢幕顯示器設備。
應當理解的是，本公開的前述一般描述及以下詳細描述都是說明性的並且旨在提供對所要求保護的本公開的進一步解釋。
現在將詳細參考本公開的實施例，其示例可以在附圖中示出。在以下描述中，當與本文相關的眾所周知的功能或配置的詳細描述被確定為會不必要地模糊本發明構思的要點時，將省略其詳細描述。所描述的處理步驟及/或操作的進展（progression）是一例子；然而，除了必須以特定順序發生的步驟及/或操作，步驟及/或操作的順序不限於這裡闡述的並且可以如本領域已知的方式改變。相同的附圖標記始終表示相同的元件。以下說明中使用的各個元件的名稱僅為方便撰寫說明書而選擇，因此可能與實際產品中使用的不同。
透過以下結合附圖描述的實施例，將闡明本公開的優點及特徵以及其實現方法。然而，本公開可以以不同的形式體現並且不應被解釋為限於在此闡述的實施例。相反的，提供這些實施例是為了使本公開為透徹的及完整的，並將本公開的範圍充分傳達給本領域具有通常知識者。
在用於描述本公開的實施例的附圖中所揭露的形狀、尺寸、比例、角度及數量僅僅是示例，因此，本公開不限於所示出的細節。相同的附圖標記始終指代相同的元件。在以下描述中，當相關已知功能或配置的詳細描述被確定為不必要地模糊本公開的要點時，將省略詳細描述。在使用本說明書中描述的「包含」、「具有」及「包括」的情況下，除非使用「僅」，否則可以添加另一部分。除非另有說明，否則單數形式的術語可包括複數形式。
在解釋元件時，雖然沒有明確的說明，但將該元件理解為包含誤差範圍。
在描述位置關係時，例如，當兩個部分之間的位置關係被描述為「上」、「上方」、「底下」、「隔壁」時，一個或多個其他部分可以設置兩個部分之間，除非使用了更具限制性的術語，例如「僅」或「直接（直接地）」。
在描述時間關係時，例如，當時間順序被描述為例如「之後」、「隨後」、「接著」和「之前」時，可以包括不連續的情況，除非使用了更具限制性的術語，例如「恰好（just）」、「立刻（立刻地）」或「直接（直接地）」。
應當理解的是，儘管在此可以使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一種元件與另一種元件區分開來。舉例而言，在不脫離本公開的範圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可被稱為第一元件。
在描述本公開的元件時，可以使用例如第一、第二、A、B、（a）、（b）等的術語。這些術語僅用於將對應的元件與其他元件區分開來，並且對應的元件在其本質、順序或優先等級方面不受這些術語的限制。應當理解的是，當一個元件或層被稱為在另一個元件或層「上」或「連接到」另一個元件或層時，它可以直接在另一個元件或層上或直接連接到另一個元件或層，或者可以存在中間的元件或層。此外，應當理解的是，當一個元件佈置在另一元件之上或之下時，這可以表示元件佈置為彼此直接接觸的情況，但可以表示元件佈置為彼此不直接接觸。
術語「至少一個」應理解為包括一個或多個相關所列元件的任何和所有組合。舉例而言，「第一元件、第二元件和第三元件中的至少一個」的含義表示從第一元件、第二元件和第三元件中的兩個或更多個提出的所有元件以及第一元件、第二元件或第三元件的組合。
如本文所用，術語「環繞」包括至少部分環繞以及完全環繞一個或多個相關聯的元件。相似地，本文使用的術語「覆蓋」包括至少部分覆蓋以及完全覆蓋一個或多個相關聯的元件。舉例而言，如果封裝層圍繞壩體圖案，則這可以被解釋為封裝層至少部分地圍繞壩體圖案。然而，在一些實施例中，封裝層可以完全圍繞壩體圖案。此處所使用的術語「環繞」的含義可以根據附圖及實施例進一步說明。在本公開中，使用術語「環繞」、「至少部分環繞」、「完全環繞」等。根據上文闡述的「環繞」的定義，當在實施例中僅使用術語「環繞」時，它可以意味著至少部分地圍繞或完全圍繞一或多個相關聯的元件。這同樣適用於術語「覆蓋」。
如本領域具有通常知識者能夠充分理解的，本公開的各種實施例的特徵可以部分地或整體地彼此耦合或組合，並且可以以各種方式彼此互相運作及技術地驅動。本發明的實施例可以相互獨立地進行，也可以相互依存地一起進行。
在下文中，將參考附圖詳細說明本公開的實施例。在給每個附圖的元件加上附圖標記時，雖然在其他附圖中示出了相同的元件，但是相同的附圖標記可以指代相同的元件。此外，為了便於描述，附圖中所示的每個元件的比例與實際比例不同，因此不限於附圖中所示的比例。
圖1係根據本公開一實施例所繪示的發光顯示器設備的平面圖，及圖2係根據本公開一實施例示意性繪示的發光顯示器設備的側視圖。
參考圖1及2，根據本公開的發光顯示器設備（或發光顯示面板）10可包括一基板100，包括一顯示區域AA及在基板100的顯示區域AA中的多個像素P。
基板100可被稱為第一基板、基礎（base）基板或像素陣列基板。舉例而言，基板100可包括玻璃材料或塑膠材料。基板100可為玻璃基板或可為薄玻璃基板或為可彎曲或可撓性塑膠基板。
基板100可包括一第一表面100a（相鄰於邊界）、第二表面100b以及一外表面OS。基板100的第一表面100a可被限界為發光顯示器設備的前表面、頂表面或面向前表面（或朝前方的方向）的上表面。基板100的第二表面100b可被限界為發光顯示器設備的背表面、後表面、底表面或面向背表面的下表面（或朝後方的方向）。基板100的外表面OS可被限界為發光顯示器設備的側表面、側面的表面或沿第一表面100a與第二表面100b之間的外部周邊延伸的側牆，其中側牆面向側表面（或側邊方向）且暴露於環境空氣中。
基板100的顯示區域AA可為顯示影像的區域且可被稱為主動部分、主動區域、顯示部分或顯示區域。顯示區域AA的尺寸可與基板100（或發光顯示器設備或發光顯示面板）相同或實質上相同。舉例而言，顯示區域AA的尺寸可與基板100的第一表面100a的總尺寸相同。因此，顯示區域AA可實現（或設置）在基板100的整個前表面上，且因此，基板100可不包括不透明非顯示區域，其中不透明非顯示區域係沿第一表面100a的周邊部分（或邊緣部分）設置以圍繞所有的顯示區域AA、相鄰於基板100的外表面且位於顯示區域AA內的周邊部分。據此，發光顯示器設備的整個前表面可實現顯示區域AA。
顯示區域AA的尾端AAa（或最外側部分或側表面）可重疊或可實質上對齊於基板100的外表面OS。舉例而言，顯示區域AA的尾端AAa可實質上與第一基板100的外表面OS共平面。舉例而言，相對於基板100的厚度方向Z，顯示區域AA的尾端AAa及從基板100的外表面OS垂直地延伸的垂直延伸線VL可彼此重疊或可對齊於實質上同個平面上。亦即，顯示區域AA的尾端AAa可不以各別的機構圍繞，而可僅緊靠環境空氣。舉例而言，顯示區域AA的所有側表面可設置為直接接觸空氣的結構，而無需被各別的機構包圍。因此，對應於顯示區域AA的尾端AAa的基板100的外表面OS可僅被空氣包圍（或緊鄰於環境空氣），且因此，根據本公開的發光顯示器設備可具有空氣邊框結構或無邊框結構，其中顯示區域AA的尾端AAa（或顯示區域AA的側表面）被空氣包圍而非不透明的非顯示區域。
該些像素P可以第一間隔D1佈置在（或設置）基板100的顯示區域AA上。舉例而言，該些像素P可佈置在（或設置）基板100的顯示區域AA以沿第一方向X及第二方向Y具有第一間隔D1。舉例而言，第一方向X可橫貫（traverse）（或跨過）第二方向Y。第一方向X可為基板100或發光顯示器設備的寬度方向、水平方向或第一長度方向（例如，寬邊的長度方向）。第二方向Y可為基板100或發光顯示器設備的長度方向、垂直方向或第二長度方向（例如，長邊的長度方向）。
每一該些像素P可實現在限界在基板100的顯示區域AA上的多個像素區域上。每一該些像素P可具有平行於第一方向X的第一長度L1及平行於第二方向Y的第二長度L2。第一長度L1可與第二長度L2或第一間隔D1相同。第一長度L1及第二長度L2可與第一間隔D1相同。因此，該些像素（或像素區域）P可皆具有同樣的尺寸。舉例而言，第一長度L1可被稱為第一寬度、寬邊長度或寬邊寬度。第二長度L2可被稱為第二寬度、長邊長度或長邊寬度。
沿各第一方向X及第二方向Y彼此相鄰的兩個像素P可具有在製造過程的誤差範圍內相同的第一間隔D1。第一間隔D1可為兩個相鄰像素P之間的間距（或像素間距）。舉例而言，像素P的第一長度L1或第二長度L2可被稱為像素間距。舉例而言，第一間隔（或像素間距）D1可為兩個相鄰像素P的中心位置之間的最短距離（或最短長度）。
每一該些像素P可包括一電路層及一發光裝置層，電路層包括實現在基板100上的像素區域中的像素電路，發光裝置層設置在電路層上且連接於像素電路。像素電路響應於供自像素驅動線的資料訊號及掃描訊號，輸出對應於資料訊號的資料電流，其中像素驅動線係設置在像素區域中。發光裝置層可包括一發光層，其透過供自像素電路的資料電流發光。像素驅動線、像素電路及發光裝置層將於下描述。
該些像素P可被劃分成（或非類成）最外側像素Po及內部像素（或內側像素）Pi。
最外側像素Po可為該些像素P中，設置為最靠近基板100的外表面OS的像素。舉例而言，最外側像素Po可被稱為第一像素P1。
每個最外側像素Po的中心位置與基板100的外表面OS之間的第二間隔D2可為第一間隔D1的一半或小於第一間隔D1的一半。舉例而言，第二間隔D2可為最外側像素區域PAo的中心部分（見圖4）與基板100的外表面OS之間的距離（或長度）。舉例而言，第二間隔D2最外側像素區域PAo的中心部分與基板100的外表面OS之間的最短距離（或最短長度）。
當第二間隔D2大於第一間隔D1的一半時，基板100可以具有比顯示區域AA大第一間隔D1與第二間隔D2的一半之間的面積差的尺寸，且因此，最外側像素Po的尾端與基板100的外表面OS之間的區域可被配置為非顯示區域，包圍了所有的顯示區域AA。舉例而言，當第二間隔D2大於第一間隔D1的一半時，基板100可必要地基於包圍了所有的顯示區域AA的非顯示區域而包括邊框區域。另一方面，當第二間隔D2為第一間隔D1的一半或小於的一半時，每個最外側像素Po的尾端可對齊於基板100的外表面OS（或設置在基板100的外表面OS上），或顯示區域AA的尾端AAa可對齊於基板100的外表面OS（或設置在基板100的外表面OS上），且因此，顯示區域AA可實現（或設置）在基板100的整個前表面。
內部像素Pi可為該些像素P中除了最外側像素Po之外的像素，或可為該些像素P中被最外側像素Po包圍的像素。舉例而言，內部像素Pi可被稱為第二像素P2。內部像素Pi（或第二像素P2）可被實現為具有不同於最外側像素Po（或第一像素P1）的配置或結構。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可更包括一非連續部分115。非連續部分115亦可被稱為一非連續牆115。
非連續部分115可沿基板100的周邊部分設置。非連續部分115可在基板100的周邊部分實現為閉環形式。舉例而言，圖9繪示非連續部分115為在基板100的周邊部分連續地圍繞基板100。非連續部分115可包括在最外側像素Po中，或可設置在最外側像素Po的周邊部分。舉例而言，非連續部分115可設置在最外側像素Po與基板100的外表面OS的中心部分之間，且因此，可實現為具有不同於內側像素Pi的配置或結構。非連續部分115可包括在或設置在最外側像素Po中，且因此，根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可具有零邊框結構（或空氣邊框結構），使基板100的整個前表面可實現為顯示部分AA。
非連續部分115可至少一次分離形成在基板100的周邊部分的發光層，且因此，可阻擋基板100的側方向的水分或濕氣的滲透，進而避免光層被破壞或發光層的可靠度被水分或濕氣的滲透而降低。根據本公開一實施例的非連續部分115可包括平行佈置的多個非連續部份。在一些實施例中，非連續部分115亦可被稱為非連續牆。非連續牆避免了外部、外來材料（例如，水、濕氣）滲透進發光層。在一或多個實施例中，有多個連續牆以確保發光層可被保護而不受外部、外來材料影響。在一些例子中，具有與非連續牆不同高度的壩體或壩體部分117可佈置在該些非連續牆內。壩體亦可作為阻擋牆，用於避免外部、外來材料的浸入。壩體可具有各種高度，且可為各種數量，以保護發光層。壩體的高度可高於非連續牆的高度。非連續部分115及壩體部分117將於以下說明。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可更包括一壩體部分117及一封裝層設置在該發光裝置層及壩體部分117上。
壩體部分117可沿基板100的周邊部分設置。壩體部分117可在基板100的周邊部分實現為閉環形式。壩體部分117可包括在最外側像素Po中，或可設置在最外側像素Po的周邊部分。舉例而言，壩體部分117可設置在最外側像素Po與非連續部分115的外表面的中心部分之間。壩體部分117可被非連續部分115圍繞。最外側像素Po可包括壩體部分117，且因此，可被實現為具有與內側像素Pi不同的配置或結構。非連續部分115及壩體部分117可被包括在或設置在最外側像素Po中，且因此，根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可具有零邊框結構（或空氣邊框結構），使基板100的整個前表面可實現為顯示部分AA。
封裝層可被實現為圍繞發光裝置層，及封裝層可位於非連續部分115上。根據本公開一實施例的封裝層可包括設置在發光裝置層及壩體部分117上的一第一無機封裝層（或第一封裝層）、設置在第一無機封裝層上的一第二無機封裝層（或第三封裝層）以及在第二封裝層與第一封裝層之間設置在被壩體部分117圍繞的發光裝置層上的一有機封裝層（或第二封裝層）。封裝層將於下描述。
壩體部分117可限界或限制有機封裝層的覆蓋發光裝置層的前表面（或頂表面）的沉積區（或形成區）。壩體部分117可阻擋或避免有機封裝層的溢流（overflow）。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可更包括一路由部分400。
路由部分400可實現為纏繞（wound）或圍繞基板100的周邊部分的周邊部分的一側（或亦稱為第一周邊部分）及基板100的一個表面。基板的周邊部分可包括相鄰於基板的最外側表面的區域。舉例而言，具有長方形形狀的顯示器設備會有四個周邊部分，因在顯示器設備的基板中會有四個最外側表面（或至少四個最外側表面）。路由部分400位於圖1中所示的其中一個周邊部分。在一些實施例中，一側周邊部分是指周邊部分的一側。舉例而言，周邊部分的一側可包括外表面OS。
路由部分400可被包括在設置在基板100的一側周邊部分的最外側像素Po中，或可設置在設置在基板100的一側周邊部分的最外側像素Po的周邊部分。設置在基板100的一側周邊部分的最外側像素Po可包括路由部分400，且因此，可被實現為具有與內側像素Pi不同的配置或結構。路由部分400可被稱為側路由部分或印刷線部分。
路由部分400可通過設置在基板100的周邊部分中的封裝層及電路層，且可電性連接於多條像素驅動線。根據本公開一實施例的路由部分400可依序通過封裝層、非連續部分115及電路層且可電性連接於該些像素驅動線。根據本公開一實施例的路由部分400可依序通過封裝層、壩體部分117及電路層且可電性連接於該些像素驅動線。根據本公開一實施例的路由部分400可依序通過封裝層、非連續部分115及電路層且可電性連接於該些像素驅動線，且此外，可依序通過封裝層、壩體部分117及電路層且可電性連接於該些像素驅動線。路由部分400將於下描述。
非連續部分115、壩體部分117及路由部分400可被包括在或設置在最外側像素Po中，且因此，根據本公開一實施例的發光顯示器設備10可具有零邊框結構（或空氣邊框結構），使基板100的整個前表面可實現為顯示部分AA。
圖3A係繪示圖1中根據本公開一實施例所繪示的一個像素的圖式，而圖3B係繪示圖1中根據本公開另一實施例所繪示的一個像素的圖式。
參考圖1及3A，根據本公開一實施例的一個像素（或單元像素）P可包括第一到第四子像素SP1到SP4。
第一子像素SP1可設置在像素區域PA的第一子像素區域中，第二子像素SP2可設置在像素區域PA的第二子像素區域中，第三子像素SP3可設置在像素區域PA的的第三子像素區域中，而第四子像素SP4可設置在像素區域PA的第四子像素區域中。
作為本公開的一實施例，第一子像素SP1可實現為發出第一顏色的光，第二子像素SP2可實現為發出第二顏色的光，第三子像素SP3可實現為發出第三顏色的光，而第四子像素SP4可實現為發出第四顏色的光。第一到第四顏色各可不同。舉例而言，第一顏色可為紅色，第二顏色可為藍色，第三顏色可為白色，而第四顏色可為綠色。
作為本公開的另一實施例，第一到第四顏色的其中一些可相同。舉例而言，第一顏色可為紅色，第二顏色可為第一綠色，第三顏色可為第二綠色，而第四顏色可為藍色。
第一到第四子像素SP1到SP4可分別包括多個發光區域EA1到EA4及多個電路區域CA1到CA4。
發光區域EA1到EA4可設置在像素P的中心部分CP，或可設置為靠近像素P的中心部分。第一到第四子像素SP1到SP4可分別被稱為開放區域、開放部分、發光部分、光產生區域或光產生部分。
根據本公開一實施例的第一到第四子像素SP1到SP4各自的發光區域EA1到EA4可實現為具有相同的尺寸（或相同的面積）。舉例而言，第一到第四子像素SP1到SP4各自的發光區域EA1到EA4可具有均一的四邊形結構或均一的條紋結構。舉例而言，在具有均一的四邊形結構的第一到第四子像素SP1到SP4中（或均一的條紋結構），發光區域EA1到EA4的每一者可設置為靠近像素P的中心部分以使各自的尺寸小於像素P的四個等分區域中的每一個的大小，或可設置為集中在像素P的中心部分。
參考圖1及3B，根據另一實施例的第一到第四子像素SP1到SP4可各具有不同尺寸的非均一的四邊形結構或非均一的條紋結構。舉例而言，第一到第四子像素SP1到SP4各自的發光區域EA1到EA4的每一者可各具有非均一的四邊形結構或非均一的條紋結構。舉例而言，第一到第四子像素SP1到SP4的發光區域EA1到EA4可實現為在像素P的中心部分的周圍（或靠近像素P的中心部分）具有不同尺寸。
第一到第四子像素SP1到SP4各自的發光區域EA1到EA4具有非均一的四邊形結構（或非均一的條紋結構）的每一者的尺寸可基於解析度、發光效率或影像品質而設定。當發光區域EA1到EA4具有非均一的四邊形結構（或非均一的條紋結構）時，在第一到第四子像素SP1到SP4的發光區域EA1到EA4中，第四子像素SP4的發光區域EA4的尺寸可為最小，而第三子像素SP3的發光區域EA3的尺寸可為最大。舉例而言，第一到第四子像素SP1到SP4各自的發光區域EA1到EA4具有非均一的四邊形結構（或非均一的條紋結構）的每一者可設置為集中在像素P的中心部分的周圍（或靠近像素P的中心部分）。
第一到第四子像素SP1到SP4各自的電路區域CA1到CA4可設置在發光區域EA1到EA4中對應的發光區域的周圍（或靠近對應的發光區域）。電路區域CA1到CA4各可包括電路及像素驅動線，用於讓第一到第四子像素SP1到SP4中對應的子像素發光。舉例而言，電路區域CA1到CA4可被稱為非發光區域、非開放區域、非發光部分、非開放部分或周邊部分。
可替代地，為了增加對應於發光區域EA1到EA4的尺寸的子像素SP1至SP4的開口率（aperture ratio）或隨著像素P的解析度較高而降低像素間距D1，第一到第四子像素SP1到SP4的發光區域EA1到EA4可延伸至電路區域CA1到CA4以重疊一些或所有的電路區域CA1到CA4。舉例而言，第一到第四子像素SP1到SP4的發光區域EA1到EA4的每一者可實現在基板100上以重疊電路區域CA1到CA4的對應的電路區域。在這個情況下，發光區域EA1到EA4的每一者的尺寸可等於或大於對應的電路區域CA1到CA4的尺寸
可替代地，根據本公開另一實施例的每一該些像素P可包括第一到第三子像素SP1到SP3。
第一到第三子像素SP1到SP3的發光區域EA1到EA3可分別有長方形形狀，其包括平行於第一方向X的短邊及平行於第二方向Y的長邊，且例如，可設置為1×3的形式或1×3的條狀形式。舉例而言，第一子像素可為紅色子像素，第二子像素可為藍色子像素而第三子像素可為綠色子像素，但本公開的實施例不限於此。
圖4係繪示在圖1中的區塊B1的放大圖，而圖5係圖1及4中所示的一個像素的等效電路圖。
參考圖1、4及5，根據本公開一實施例的基板100可包括像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL及GCL、多個像素P、共同電極CE、多個共同電極連接部分CECP、接觸圖案部分110及非連續部分115。
像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL及GCL可包括多條資料線DL、多條閘極線GL、多條像素驅動電力線PL、多條像素共同電壓線CVL、多條參考電壓線RL及多條閘極控制線GCL。
每一該些資料線DL可沿第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，在該些資料線DL，奇數號資料線DLo可在第二方向Y設置在佈置於基板100上的多個像素區域PA每個的第一周邊部分，而偶數號資料線DLe可在第二方向Y設置在佈置於基板100上的該些像素區域PA每個的第二周邊部分，但本公開的實施例不限於此。
每一該些閘極線GL可沿第一方向X延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第二方向Y以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，在該些閘極線GL中，奇數號閘極線GLo可在第一方向X設置在佈置於基板100上的多個像素區域PA每個的第三周邊部分，而偶數號閘極線GLe可在第一方向X設置在佈置於基板100上的該些像素區域PA每個的第四周邊部分，但本公開的實施例不限於此。
每一該些像素驅動電力線PL可沿第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，在該些像素驅動電力線PL中，奇數號像素驅動電力線PL可相對於第一方向X設置在奇數號像素區域PA的第一周邊部分，而偶數號像素驅動電力線PL可相對於第一方向X設置在偶數號像素區域PA的第二周邊部分，但本公開的實施例不限於此。
該些像素驅動電力線PL的兩條相鄰像素驅動電力線PL可連接於設置在第二方向Y的每個像素區域PA中的多條電力共享線PSL。舉例而言，該些像素驅動電力線PL可透過該些像素電力共享線PSL電性連接於另一者，且因此，可具有梯形結構或網狀結構。該些像素驅動電力線PL可具有梯形結構或網狀結構，且因此，可避免或最小化由每一該些像素驅動電力線PL的線電阻造成的像素驅動電力的壓降（或IR降）。據此，根據本公開的發光顯示器設備10可避免或降低或最小化由供至每個像素P的像素驅動電力的偏壓導致的影像品質的劣化。
每一該些像素電力共享線PSL可從相鄰的像素驅動電力線PL分枝且平行於第一方向X，且可設置在每個像素區域PA的中間區中，但本公開的實施例不限於此。
該些像素共同電壓線CVL可沿第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，每一該些像素共同電壓線CVL可相對於第一方向X設置在偶數號像素區域PA的第一周邊部分。
該些參考電壓線RL沿第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。每一該些參考電壓線RL可設置在佈置在第二方向Y的每個像素區域PA的中心區中。舉例而言，每一該些參考電力線RL可設置在每個像素區域PA中的奇數號資料線DLo與偶數號資料線DLe之間。
每一該些參考電壓線RL可由每個像素區域PA中沿第一方向X相鄰的兩個子像素（（SP1，SP2）（SP3，SP4））共享。據此，在一些實施例中，每一該些參考電壓線RL可包括參考分枝線RDL。參考分枝線RDL可朝向每個像素區域PA中沿第一方向X相鄰的兩個子像素（（SP1，SP2）（SP3，SP4））分枝（或突出），且可電性連接於相鄰的兩個子像素（（SP1，SP2）（SP3，SP4））。
該些閘極控制線GCL沿第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中在第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，該些閘極控制線GCL可分別設置在該些像素區域PA之間的部分，或相對於第一方向X在相鄰的兩個子像素（（SP1，SP2）（SP3，SP4））之間的邊界部分。
每一該些像素P可包括至少三個子像。舉例而言，每一該些像素P可包括第一到第四子像素SP1到SP4。
第一到第四子像素SP1到SP4可分別包括像素電路PC及發光裝置層。
根據本公開一實施例的像素電路PC可設置在像素區域PA的電路區域CA中且可連接於相鄰於其的閘極線GLo及GLe、相鄰於其的資料線DLo及DLe及像素驅動電力線PL。舉例而言，設置在第一子像素SP1中的像素電路PC可連接於奇數號資料線DLo及奇數號閘極線GLo，設置在第二子像素SP2中的像素電路PC可連接於偶數號資料線DLe及奇數號閘極線GLo，設置在第三子像素SP3中的像素電路PC可連接於奇數號資料線DLo及偶數號閘極線GLe，而設置在第四子像素SP4中的像素電路PC可連接於偶數號資料線DLe及偶數號閘極線GLe。
第一到第四子像素SP1到SP4每一者的像素電路PC可響應於供自對應的閘極線GLo及GLe的掃描訊號而取樣供自對應的資料線DLo及DLe的資料訊號，且可基於取樣的資料訊號控制從像素驅動電力線PL流向發光裝置層的電流。舉例而言，像素電路PC可透過使用至少兩個薄膜電晶體及至少一個電容器取樣資料訊號，且可基於取樣的資料訊號控制流入發光裝置層的電流。
根據本公開一實施例的像素電路PC可包括一第一開關薄膜電晶體Tsw1、一第二開關薄膜電晶體Tsw2、一驅動薄膜電晶體Tdr及一儲存電容器Cst。在下文中，薄膜電晶體可被稱為TFT。
第一開關TFT Tsw1可包括閘極電極連接於相鄰的閘極線GLo及GLe、第一源極/汲極電極連接於相鄰的資料線DLo及DLe，以及第二源極/汲極電極連接於第一節點（或驅動TFT Tdr的閘極電極）n1。第一開關TFT Tsw1可被透過對應的閘極線GLo及GLe供應的掃描訊號導通，且可將透過對應的資料線DLo及DLe供應的資料訊號傳輸至第一節點n1（例如，驅動TFT Tdr的閘極電極n1）。根據本公開一實施例，設置在第一子像素SP1及第二子像素SP2各自的像素電路PC中的第一開關TFT Tsw1的閘極電極可連接於奇數號閘極線GLo，而設置在，而設置在第三子像素SP3及第四子像素SP4各自的像素電路PC中的第一開關TFT Tsw的閘極電極可連接於偶數號閘極線GLe。設置在第一子像素SP1及第三子像素SP3各自的像素電路PC中的第一開關TFT Tsw1的第一源極/汲極電極可連接於奇數號資料線DLo，而設置在第二子像素SP2及第四子像素SP4各自的像素電路PC中的第一開關TFT Tsw1的第一源極/汲極電極可連接於偶數號資料線DLe。
第二開關TFT Tsw2可包括閘極電極連接於相鄰的閘極線GLo及GLe、第一源極/汲極電極連接於相鄰的參考電壓線RLe，以及第二源極/汲極電極連接於第二節點（或驅動TFT Tdr的源極電極）n2。第二開關TFT Tsw2可被透過對應的閘極線GLo及GLe供應的掃描訊號導通，且可將透過對應的參考分枝線RDL及參考電壓線RL供應的參考電壓傳輸至驅動TFT Tdr的源極電極n2。根據本公開一實施例，設置在第一子像素SP1及第二子像素SP2各自的像素電路PC中的第二開關TFT Tsw2的閘極電極可連接於奇數號閘極線GLo，而設置在第三子像素SP3及第四子像素SP4各自的像素電路PC中的第二開關TFT Tsw2的閘極電極可連接於偶數號閘極線GLe。設置在第一到第四子像素SP1到SP4各自的像素電路PC中的第二開關TFT Tsw2的第一源極/汲極電極可透過對應的參考分枝線RDL共同連接於相鄰的參考電壓線RL。
儲存電容器Cst可設於驅動TFT Tdr的閘極電極n1與源極電極n2之間的重疊區中。儲存電容器Cst可包括一第一電容器電極連接於驅動TFT Tdr的閘極電極、一第二電容器電極連接於驅動TFT Tdr的源極電極，以及一介電層形成在第一電容器電極與第二電容器電極之間的重疊區。儲存電容器Cst可被充予驅動TFT Tdr的閘極電極n1與源極電極n2之間的電壓差，且接著，可基於充電的電壓倒通或關斷驅動TFT Tdr。
驅動TFT Tdr可包括一閘極電極（或閘極節點）n1、源極電極（或源極節點）以及汲極電極（或汲極節點），閘極電極（或閘極節點）n1連接於第一開關TFT Tsw1的第二源極/汲極電極以及儲存電容器Cst的第一電容器電極，源極電極（或源極節點）共同連接於第二開關TFT Tsw2的第二源極/汲極電極、儲存電容器Cst的第二電容器電極以及發光裝置層的像素電極PE，汲極電極（或汲極節點）連接於相鄰的像素驅動電力線PL。驅動TFT Tdr可基於儲存電容器Cst的電壓而被導通，且可控制從像素驅動電力線PL流到發光裝置層的電流量。
根據另一實施例的第一到第四子像素SP1到SP4每一者的像素電路PC可透過半導體製造過程被實現為像素驅動晶片，設置在對應的像素區域PA的電路區域CA中，且連接於相鄰於其的閘極線GLo及GLe、相鄰於其的資料線DLo及DLe以及像素驅動電力線PL。舉例而言，像素驅動晶片可以是最小單元的微晶片或一個晶片組，也可以是半導體封裝裝置，其包括兩個或多個電晶體及一或多個電容器且具有精細的尺寸。這樣的像素驅動晶片可響應於供自對應的閘極線GLo及GLe的掃描訊號而取樣供自對應的資料線DLo及DLe的資料訊號，且可基於取樣的資料訊號控制從像素驅動電力線PL流向發光裝置層的電流。
發光裝置層可設置在像素區域PA的發光區域EA中，及電性連接於像素電路PC。根據本公開一實施例的發光裝置層可包括像素電極PE電性連接於像素電路PC、共同電極CE電性連接於像素共同電壓線CVL以及像素電極PE與共同電極CE之間的發光層EL。
根據另一實施例的發光層EL可包括至少一有機發光層。發光層EL可更包括一電洞功能層及一電子功能層，電洞功能層提供電洞至有機發光層，電子功能層提供電子至有機發光層。發光層EL可透過基於供自像素電路的資料電流PC發光，發出具有對應於資料電流的亮度的光。
共同電極CE可設置在基板100的顯示區域AA中且可電性連接於每一該些像素P。舉例而言，共同電極CE可設置在基板100的顯示區域AA中，除了設置在基板100中的接觸圖案部分110。
每一該些共同電極連接部分CECP可設置在該些像素P之間分別重疊該些像素共同電壓線CVL且可電性連接共同電極CE到每一該些像素共同電壓線CVL。相對於第二方向Y，根據本公開一實施例的每一該些共同電極連接部分CECP可在該些像素P之間的部分或該些像素P之間的邊界部分電性連接於該些像素共同電壓線CVL中對應的像素共同電壓線CVL，及可電性連接於共同電極CE的一部份，且因此，可電性連接共同電極CE至該些像素共同電壓線CVL中對應的像素共同電壓線CVL。
每一該些共同電極連接部分CECP可設置在該些像素P中的至少兩個像素之間以電性連接共同電極CE至每一該些像素共同電壓線CVL，且因此，可避免或最小化由共同電極CE的表面電阻造成的像素共同電壓的壓降（或IR降）。據此，根據本公開的發光顯示器設備可避免或降低或最小化由供至佈置在顯示區域AA中的每個像素P的像素共同電壓的偏壓導致的影像品質的劣化。
根據本公開一實施例，每一該些共同電極連接部分CECP可沿具有至少兩層結構的像素電極PE形成，以電性連接於每一該些像素共同電壓線CVL。每一該些共同電極連接部分CECP可透過側接觸結構連接於共同電極CE，其中側接觸結構具有「（」形狀的截面結構或「〈」形狀的截面結構。舉例而言，當每一該些共同電極連接部分CECP係由第一及第二金屬層形成，每一該些共同電極連接部分CECP可包括對應於透過第一金屬層與第二金屬層之間的蝕刻速度差形成在第一金屬層的側表面上的底切結構或錐形結構的側接觸結構。舉例而言，當每一該些共同電極連接部分CECP是由第一到第三金屬層形成時，每一該些共同電極連接部分CECP可包括對應於透過第一到第三金屬層之間的蝕刻速度差形成在第一金屬層及第二金屬層的側表面上的底切結構或錐形結構的側接觸結構。
接觸圖案部分110可平行於第一方向X設置在基板100的第一表面中的第一周邊部分（或一側周邊部分）。接觸圖案部分110可被包括在（或設置在）最外側像素區域PAo內部，其中最外側像素區域PAo係設置在第一基板100的周邊部分，且因此，基於接觸圖案部分110的非顯示區域（或邊框區域）可不形成或設在基板100上。舉例而言，接觸圖案部分110可設置在最外側像素區域PAo的第三周邊部分，其中最外側像素區域PAo是設置在第一基板100的周邊部分。
接觸圖案部分110可包括多個接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其係設置在電路層111中（見圖10）且連接於像素驅動線DL、GL、PL、CVL、RL及GCL。接觸圖案部分110可包括該些接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其係設置為沿第一方向X平行於第一基板100的周邊部分上的電路層111。根據本公開一實施例的接觸圖案部分110可包括五種接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。接觸圖案部分110可包括多個資料接觸圖案DCP、多個像素驅動電力接觸圖案PCP、多個像素共同電壓接觸圖案CCP、多個參考電壓接觸圖案RCP、多個閘極接觸圖案GCP，但不限於此。
資料接觸圖案DCP可用於接收一資料訊號且可為第一接觸圖案。根據本公開一實施例的每個資料接觸圖案DCP可與資料線DL設置在同一層上且可從每條設置在基板100的周邊部分的一側的資料線DL的尾端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個資料接觸圖案DCP可設置在資料線DL的下層以具有相對寬的寬度，以重疊每條設置在基板100的周邊部分的一側的資料線DL的尾端，及可透過內部接觸孔電性連接於每條資料線DL的尾端。
像素驅動電力接觸圖案PCP可用於接收一像素驅動電力且可為第二接觸圖案。根據本公開一實施例的每個像素驅動電力接觸圖案PCP可與像素驅動電力線PL設置在同一層上且可從每條設置在基板100的周邊部分的一側的像素驅動電力線PL的尾端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個像素驅動電力接觸圖案PCP可設置在像素驅動電力線PL的下層以具有相對寬的寬度，以重疊每條設置在基板100的周邊部分的一側的像素驅動電力線PL的尾端，及可透過內部接觸孔電性連接於每條像素驅動電力線PL的尾端。
像素共同電壓接觸圖案CCP可用於接收一像素共同電壓且可為第三接觸圖案。根據本公開一實施例的像素共同電壓接觸圖案CCP可與像素共同電壓線CVL設置在同一層上且可從每條設置在基板100的周邊部分的一側的像素共同電壓線CVL的尾端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個像素共同電壓接觸圖案CCP可設置在像素共同電壓線CVL的下層以具有相對寬的寬度，以重疊每條設置在基板100的周邊部分的一側的像素共同電壓線CVL的尾端，及可透過內部接觸孔電性連接於每條像素共同電壓線CVL的尾端。
參考電壓接觸圖案RCP可用於接收一參考電壓且可為第四接觸圖案。根據本公開一實施例的每個參考電壓接觸圖案RCP可與參考電壓線RL設置在同一層上且可從每條設置在基板100的周邊部分的一側的參考電壓線RL的尾端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個參考電壓接觸圖案RCP可設置在參考電壓線RL的下層以具有相對寬的寬度，以重疊每條設置在基板100的周邊部分的一側的參考電壓線RL的尾端，及可透過內部接觸孔電性連接於每條參考電壓線RL的尾端。
閘極接觸圖案GCP可用於接收一閘極控制訊號且可為第五接觸圖案。根據本公開一實施例的每個閘極接觸圖案GCP可與閘極控制線GCL設置在同一層上且可從每條設置在基板100的周邊部分的一側的閘極控制線GCL的尾端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個閘極接觸圖案GCP可設置在閘極控制線GCL的下層以具有相對寬的寬度，以重疊每條設置在基板100的周邊部分的一側的閘極控制線GCL的尾端，及可透過內部接觸孔電性連接於每條閘極控制線GCL的尾端。
根據本公開一實施例的接觸圖案部分110可包括多個接觸圖案組CPG。該些接觸圖案組CPG中至少兩個或多個接觸圖案組CPG可包括至少一個資料接觸圖案及至少一個閘極接觸圖案。
根據本公開一實施例，接觸圖案部分110可包括一第一接觸圖案組CPG1及一第二接觸圖案組CPG2。
第一接觸圖案組CPG1可設置在最外側像素Po中沿第一方向X設置的奇數號最外側像素Po中。舉例而言，第一接觸圖案組CPG1可包括一個像素驅動電力接觸圖案PCP、兩個資料接觸圖案DCP、一個參考電壓接觸圖案RCP及一個閘極接觸圖案GCP。舉例而言，包括在第一接觸圖案組CPG1中的接觸圖案PCP、DCP、RCP及GCP可沿第一方向X（連續地）以像素驅動電力接觸圖案PCP、資料接觸圖案DCP、參考電壓接觸圖案RCP、資料接觸圖案DCP及閘極接觸圖案GCP的順序設置（或佈置），但本公開的實施例不限於此。
第二接觸圖案組CPG2可設置在最外側像素Po中沿第一方向X設置的偶數號最外側像素Po中。舉例而言，第二接觸圖案組CPG2可包括一個像素驅動電力接觸圖案PCP、兩個資料接觸圖案DCP、一個參考電壓接觸圖案RCP以及一個像素共同電壓接觸圖案CCP。舉例而言，包括在第二接觸圖案組CPG2中的接觸圖案PCP、DCP、RCP以及CCP可沿第一方向X（連續地）以像素驅動電力接觸圖案PCP、資料接觸圖案DCP、參考電壓接觸圖案RCP、資料接觸圖案DCP及像素共同電壓接觸圖案CCP的順序設置（或佈置），但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的基板100可更包括多條像素共同電力二級線CSPL及多個像素共同電力二級線連接部分SLCP。
每一該些像素共同電力二級線CSPL可沿第二方向Y延伸且可設置為相鄰於該些像素共同電壓線CVL中對應的像素共同電壓線CVL。每一該些像素共同電力二級線CSPL可電性連接於相鄰的像素共同電壓線CVL而不電性連接於像素共同電壓接觸圖案CCP，且可透過相鄰的像素共同電壓線CVL被供予像素共同電壓。據此，在一些實施例中，根據本公開一實施例的基板100可更包括多個線連接圖案LCP電性連接彼此相鄰的像素共同電壓線CVL及像素共同電力二級線CSPL。
每一該些線連接圖案LCP可設置在基板100上，使彼此相鄰的線連接圖案LCP及像素共同電壓線CVL以及像素共同電力二級線CSPL彼此重疊，且透過使用跳線結構（line jumping structure）電性連接彼此相鄰的像素共同電壓線CVL及像素共同電力二級線CSPL。舉例而言，每一該些線連接圖案LCP的一側可透過第一線接觸孔電性連接於像素共同電力二級線CSPL的一部份，其中第一線接觸孔係形成在像素共同電力二級線CSPL上的絕緣層中，而每一該些線連接圖案LCP的另一側可透過第二線接觸孔電性連接於像素共同電壓線CVL的一部分，其中第二線接觸孔係形成在像素共同電壓線CVL上的絕緣層中。
每一該些像素共同電力二級線連接部分SLCP可設置在分別重疊該些像素共同電力二級線CSPL的該些像素P之間，且可電性連接共同電極CE至每一該些像素共同電力二級線CSPL。相對於第二方向Y，根據本公開一實施例的每一該些像素共同電力二級線連接部分SLCP可電性連接於在該些像素P之間的部分或該些像素P之間的邊界部分的每一該些像素共同電力二級線CSPL，且可電性連接於共同電極CE的一部份，且因此，可電性連接共同電極CE至每一該些像素共同電力二級線CSPL。因此，共同電極CE可透過像素共同電力二級線連接部分SLCP額外地連接於每一該些像素共同電力二級線CSPL。據此，根據本公開的發光顯示器設備可避免或降低或最小化由供至佈置在顯示區域AA中的每個像素P的像素共同電力的偏壓導致的影像品質的劣化。此外，在根據本公開的發光顯示器設備中，雖然連接於每一該些像素共同電力二級線CSPL的像素共同電壓接觸圖案CCP不另外設置（或形成），像素共同電壓可透過像素共同電壓線CVL及該些線連接圖案LCP的每一者被供至每一該些像素共同電力二級線CSPL。舉例而言，每一該些像素共同電力二級線連接部分SLCP可透過側接觸結構電性連接該些像素共同電力二級線CSPL中對應的像素共同電力二級線CSPL至共同電極CE，其中就像每一該些共同電極連接部分CECP，側接觸結構具有具有「（」形狀的截面結構或「〈」形狀的截面結構。
非連續部分115可設置在基板100的圍繞第一區的第二區中。舉例而言，基板100的第二區可為基板100的周邊部分或每個最外側像素Po的周邊部分。基板100的第一區可為除了第二區外的部分。非連續部分115可在基板100的周邊部分實現為閉環形式。根據本公開一實施例，非連續部分115可設置在接觸圖案部分110上。舉例而言，非連續部分115可設置為沿第一方向X跨過接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。
非連續部分115可實現至少一次斷開（或分離）沿基板100的周邊部分設置的最外側像素Po內的發光層EL。非連續部分115可至少一次斷開（或分離）設置在基板100的周邊部分的發光層EL，且可阻擋基板100側向的水分或濕氣的傳入，以避免因水分或濕氣的傳入使發光層被破壞或發光層的可靠度降低。根據本公開一實施例的非連續部分115可包括平行佈置的多個斷開圖案部分。舉例而言，非連續部分115可包括至少三個平行佈置的斷開圖案部。
根據本公開一實施例的基板100可更包括一壩體部分117。
壩體部分117可沿基板100的周邊部分設置。壩體部分117可實現在基板100的周邊部分中以具有閉環形狀（或閉環線形狀）。壩體部分117可包括在最外側像素Po中，或設置在最外側像素Po的周邊部分。舉例而言，壩體部分117可設置在最外側像素Po的中心部分與基板100的外表面OS之間。壩體部分117可被非連續部分115圍繞。舉例而言，壩體部分117可實現為圍繞該些分離圖案部分中設置在最靠近內部像素Pi的分離圖案部分。根據本公開一實施例，壩體部分117可設置在接觸圖案部分110上。舉例而言，壩體部分117可設置為沿第一方向X橫過（或跨過）接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。
圖6係繪示圖4中所示實現在顯示區域中的閘極驅動電路的圖式。
根據本公開一實施例的基板100可更包括一閘極驅動電路150，設置在基板100的顯示區域AA中。
閘極驅動電路150可實現在（或嵌入）基板100的顯示區域AA中，基於透過接觸圖案部分110及閘極控制線GCL供應的閘極控制訊號產生掃描訊號，及依序地提供掃描訊號至該些閘極線GL。
根據本公開一實施例的閘極控制線GCL可包括一起始訊號線、多條移位時脈線、至少一條閘極驅動電壓線及至少一條閘極共同電壓線。閘極控制線GCL可在第二方向Y延伸且可在基板100的顯示區域AA中第一方向X以預訂（或選擇）間隔設置為彼此分隔。舉例而言，閘極控制線GCL可沿第一方向X設置在至少一或多個像素P之間。
根據本公開一實施例的閘極驅動電路150可實現在一移位暫存器中，該移位暫存器包括多個級（stage）電路部分1501到150m，其中m為等於2或大於2的整數。
每一該些級電路部分1501到150m可設置為在基板100的第一表面100a的每條水平線沿第一方向X彼此間隔，且可在第二方向Y獨立連接於彼此。每一該些級電路部分1501到150m可響應於閘極控制訊號以預訂（或選定）的順序產生一掃描訊號，且可提供掃描訊號至對應的閘極線GL，其中閘極控制訊號係透過接觸圖案部分110及閘極控制線GCL供應。
根據一實施例的每一該些級電路部分1501到150m可包括多個分枝電路1511到151n及一分枝網路153。
該些分枝電路1511到151n可選擇性地透過分枝網路153連接於閘極控制線GCL的對應的閘極控制線，及可透過分枝網路153電性連接於彼此。每一該些分枝電路1511到151n可基於閘極控制訊號及分枝網路153的電壓產生掃描訊號，且可提供掃描訊號至對應的閘極線GL，其中閘極控制訊號係透過閘極控制線GCL供應。
每一該些分枝電路1511到151n可包括配置其中一個級電路部分1501到150m的多個TFT的至少一個TFT。該些分枝電路1511到151n中的任一分枝電路可包括一上拉TFT連接於閘極線GL。該些分枝電路1511到151中的其他分枝電可包括一下拉TFT連接於閘極線GL。
根據本公開一實施例的每一該些分枝電路1511到151n可在基板100的每條水平線設置在兩個相鄰像素P之間的電路區域中，或在至少兩個相鄰像素P之間的電路區域中，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，每一該些分枝電路1511到151n可根據配置每個級電路部分1501到150m的TFT的數量及設置在一條水平線上的像素P數量，設置在一或多個相鄰像素P之間的電路區域（或邊界部分）中。
分枝網路153可設置在基板100的每條水平線上且可電性連接該些分枝電路1511到151n於彼此。根據本公開一實施例的分枝網路153可包括多個控制節點及多條網路線。
該些控制節點可設置在基板100的每條水平線上且可選擇性地連接於一條水平線上的該些分枝電路1511到151n。舉例而言，該些控制節點可設置在佈置於基板100的水平線上的像素區域中的上邊緣區（或下邊緣區）中。
該些網路線可選擇性地連接於設置在基板100中的閘極控制線GCL，及可選擇性地連接於該些分枝電路1511到151n。舉例而言，該些網路線可傳輸供自閘極控制線GCL的閘極控制訊號到對應的分枝電路1511到151n，及可傳輸該些分枝電路1511到151n之間的訊號。
根據本公開一實施例的每一該些級電路部分1501到150m可包括一第一控制節點、一第二控制節點、一節點控制電路、一反向器（inverter）電路及一輸出緩衝電路。節點控制電路可用於控制第一及第二控制節點的每個的電壓。反向器電路可用於基於第一控制節點的電壓控制第二控制節點的電壓。輸出緩衝電路可用於基於第一控制節點的電壓輸出對應於掃描時脈的一掃描訊號及對應於進位（carry）時脈的一進位訊號，及基於第二控制節點的電壓輸出對應於閘極關斷電壓準位的進位訊號及掃描訊號。舉例而言，節點控制電路、反向器電路及輸出緩衝電路可分別包括該些分枝電路1511到151n中的兩個或多個。舉例而言，該些分枝電路1511到151n可分別被劃分（或分類）成節點控制電路、反向器電路及輸出緩衝電路。
如上所述，根據本公開，因為閘極驅動電路150是設置在基板100的顯示區域AA中，基板100的外表面OS與最外側像素區域PAo的中心部分之間的第二間隔D2可等於相鄰像素區域PA之間的第一間隔（或像素間距）D1的一半或小於相鄰像素區域PA之間的第一間隔（或像素間距）D1的一半。舉例而言，當閘極驅動電路150不設置在基板100的顯示區域AA中而是設置在基板100的周邊部分時，第二間隔D2可不等於或小於第一間隔D1的一半。據此，在根據本公開一實施例的發光顯示器設備中，閘極驅動電路150可設置在基板100的顯示區域AA中，且因此，第二間隔D2可實現為等於第一間隔D1的一半或小於第一間隔D1的一半。
圖7係根據本公開一實施例所繪示的發光顯示器設備的後透視圖。
參考圖1、4及7，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可更包括一第一墊部分210設置在基板100的後表面100b中。
第一墊部分210可設置在基板100的後表面100b中重疊在設置在基板100的前表面100a的接觸圖案部分110的第一周邊部分（或第一後周邊部分）。
第一墊部分210可包括多個第一墊（或路由墊），沿第一方向X以特定間隔設置以分別重疊接觸圖案部分110的接觸圖案。
根據本公開一實施例的第一墊部分210可包括多個第一像素驅動電力墊重疊每一該些像素驅動電力接觸圖案PCP、多個第一資料墊重疊每一該些資料接觸圖案DCP、多個第一參考電壓接觸墊重疊每一該些參考電壓接觸圖案RCP、多個第一閘極墊重疊每一該些閘極接觸圖案GCP及多個第一像素共同電壓墊重疊每一該些像素共同電壓接觸圖案CCP。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備可更包括設置在基板100的後表面100b中的一第二墊部分230及一連接線部分250。
第二墊部分（或輸入墊部分）230可設置在基板100的後表面100b中。舉例而言，第二墊部分230可設置在基板100的後表面100b中相鄰於第一周邊部分的中間部分。根據本公開一實施例的第二墊部分230可包括多個第二墊（或輸入墊），以特定間隔彼此分隔。舉例而言，第二墊部分230可包括第二像素驅動電力墊、第二資料墊、第二參考電壓墊、第二閘極墊及第二像素共同電壓墊。
連接線部分250可包括多條連接線設置在第一墊部分210與第二墊部分230之間。
根據本公開一實施例的連接線部分250可包括多條像素驅動電力連接線各自（或分別或以一對一的關係）連接該些第一像素驅動電力墊至該些第二像素驅動電力墊、多條資料連接線各自（或分別或以一對一的關係）連接該些第一資料墊至該些第二資料墊、多條參考電壓連接線各自（或分別或以一對一的關係）連接該些第一參考電壓墊至該些第二參考電壓墊、多條閘極連接線各自（或分別或以一對一的關係）連接該些第一閘極墊至該些第二閘極墊，及多條像素共同電壓連接線各自（或分別或以一對一的關係）連接該些第一像素共同電壓墊至該些第二像素共同電壓墊。
每一該些像素共同電壓連接線可包括一第一共同連接線251以及一第二共同連接線253。第一共同連接線251可設置在第一墊部分210與第二墊部分230之間且共同連接於該些第一像素共同電壓墊。第二共同連接線253可共同連接於該些第二像素共同電壓墊及電性連接於第一共同連接線251。第二共同連接線253可設置在與第一共同連接線251不同層上且可透過一通孔電性連接於第一共同連接線251。第二共同連接線253的尺寸可在從第二墊部分230到基板100的周邊部分的方向上逐步增加以降低（或最小化）像素共同電壓的壓降。
路由部分400可設置為圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS及第一墊部分210。根據本公開一實施例的路由部分400可包括多條路由線410，從基板100的周邊部分延伸，且至少部分地覆蓋基板100的最外表面。該些路由線410的至少一條可位於基板100的外表面上且接觸基板100的外表面。每一該些路由線410可沿第一方向X以特定間隔設置以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110及第一墊部分210。根據本公開一實施例，每一該些路由線410可使用導電膠以印刷製程形成。根據另一實施例，每一該些路由線410可由轉移製程形成，其中轉移製程將導電膠圖案轉移至由撓性材料製成的轉移墊，及將轉移至轉移墊的導電膠圖案轉移至路由部分400。舉例而言，導電膠可為銀（Ag）的膠，但本公開的實施例不限於此。
每一該些路由線410可透過設置在基板100的周邊部分中的封裝層電性連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。並且，每一該些路由線410可電性連接於設置在第一墊部分210中的墊。
根據本公開一實施例的該些路由線410可被劃分（分類）成多條像素電力路由線411、多條資料路由線413、多條參考電壓路由線415、多條閘極路由線417及多條像素共同電壓路由線419。
該些像素電力路由線411可被形成以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS以及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110的該些像素驅動電力接觸圖案PCP及第一墊部分210的該些第一像素驅動電力墊。
該些資料路由線413可被形成以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS以及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110的該些資料接觸圖案DCP及第一墊部分210的該些第一資料墊。
該些參考電壓路由線415可被形成以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS以及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110的該些參考電壓接觸圖案RCP及第一墊部分210的該些第一參考電壓墊。
該些閘極路由線417可被形成以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS以及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110的該些閘極接觸圖案GCP及第一墊部分210的該些第一閘極墊。
該些像素共同電壓路由線419可被形成以圍繞基板100的接觸圖案部分110、外表面OS以及第一墊部分210，及以一對一關係電性連接於接觸圖案部分110的該些像素共同電壓接觸圖案CCP及第一墊部分210的該些第一像素共同電壓墊。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備可更包括一驅動電路單元500（或驅動電路500）。
驅動電路單元500可基於供自顯示驅動系統的數位影像資料及時序同步訊號驅動（或發光）設置在基板100上的像素P，以允許顯示區域AA顯示對應於影像資料的影像。驅動電路單元500可連接於設置在基板100的後表面100b上的第二墊部分230且可輸出資料訊號、閘極控制訊號及驅動電力至第二墊部分230，其中資料訊號、閘極控制訊號及驅動電力係用於驅動（或發光）設置在基板100上的像素P。
根據本公開一實施例的驅動電路單元500可包括一撓性電路膜510、一驅動積體電路（integrated circuit，IC）530、一印刷電路板（printed circuit board，PCB）550、一時序控制器570及一電力電路單元590。
撓性電路膜510可連接於設置在基板100的後表面100b上的第二墊部分230
驅動IC 530可安裝在撓性電路膜510上。驅動IC 530可接收供自時序控制器570的子像素資料及資料控制訊號，及基於資料控制訊號將子像素資料轉換成類比資料訊號，以提供類比資料訊號到對應的資料線DL。資料訊號可透過撓性電路膜510被供至設置在第二墊部分230的對應的第三資料墊。
驅動IC 530可透過設置在基板100上的該些參考電壓線RL感測設置在子像素SP中的驅動TFT的特徵值，產生對應於每個子像素的感測值的感測原始資料，及提供每個子像素的感測原始資料至時序控制器570。舉例而言，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可透過感測模式感測設置在子像素SP中的驅動TFT的特徵值，其中感測模式揭露於韓國專利公開號10-2016-0093179、10-2017-0054654或10-2018-0002099，但本公開的實施例不限於此。
PCB 550可連接於撓性電路膜510 的另一側周邊部分。PCB 550可傳輸驅動電路單元500的元件之間的訊號及電力。
時序控制器570可安裝在PCB 550上且可透過設置在PCB 550上的使用者連接器（user connector）接收供自顯示驅動系統的數位影像資料及時序同步訊號。可替代地，時序控制器570可不安裝在PCB 550上而可實現在顯示驅動系統中，或可安裝在連接於PCB 550與顯示驅動系統之間的各別的控制板上。
時序控制器570可基於時序同步訊號對齊數位影像資料以產生匹配設置在顯示區域AA中的像素佈置結構的像素資料及可提供產生的像素資料至驅動IC 530。
時序控制器570可基於時序同步訊號產生資料控制訊號及閘極控制訊號的每一者，基於資料控制訊號控制驅動IC 530的驅動時序，及基於閘極控制訊號控制閘極驅動電路150的驅動時序。
根據本公開一實施例的資料控制訊號可包括一源極起始脈衝、一源極移位時脈及一源極輸出訊號。根據本公開一實施例的閘極控制訊號可包括一起始訊號（或閘極起始脈衝）、多個移位時脈、一向前驅動訊號及一反向驅動訊號。閘極控制訊號可透過撓性電路膜510被供至設置在第二墊部分230的對應的第三閘極墊。
電力電路單元590可安裝在PCB 550上且可產生各種源極電壓，用於透過使用供自外部輸入電力在像素P上顯示影像以提供產生的源極電壓到對應的電路。舉例而言，電力電路單元590可產生及輸出一邏輯源極電壓、該些參考伽瑪電壓及至少一閘極驅動電力及至少一閘極共同電力，邏輯源極電壓用於驅動時序控制器570及驅動IC 530的每一者，該些參考伽瑪電壓被供至驅動IC 530，至少一閘極驅動電力及至少一閘極共同電力用於驅動閘極驅動電路150。並且，電力電路單元590可產生及輸出像素驅動電力及像素共同電壓，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，驅動IC 530可基於該些參考伽瑪電壓產生及輸出像素驅動電力及像素共同電壓。
圖8係根據本公開另一實施例所繪示的發光顯示器設備的後透視圖，且繪示佈線基板額外設置在圖1及7所示的發光顯示器設備中的實施例。
參考圖8，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可包括一第一基板100、一第二基板200、一耦接件300及一路由部分400。
第一基板100可被稱為顯示基板、像素陣列基板、上基板、前基板或基礎基板。第一基板100可為玻璃基板或可為薄玻璃基板或為可彎曲或可撓的塑膠基板。在第一基板100上的該些像素可限界顯示區域AA，延伸至第一基板100的邊緣。
第一基板100實質上相同於圖1到7所示的發光顯示器設備的基板100，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且可以省略它們的重複描述。
第二基板200可被稱為佈線基板、線基板、連接基板、下基板、後基板或連接玻璃。第二基板200可為玻璃基板或可為薄玻璃基板或為可彎曲或可撓的塑膠基板。舉例而言，第二基板200可包括與第一基板100相同的材料。第二基板200的尺寸可與第一基板100相同或實質上相同，但本公開的實施例不限於此，第二基板200的尺寸可小於第一基板100的尺寸。舉例而言，第二基板200可被配置為與第一基板100相同的尺寸，以維持或確保第一基板100的剛性。
第二基板200可包括一第一墊部分210、一第二墊部分230及一連接線部分250。除了第一墊部分210，第二墊部分230及連接線部分250係設置在第二基板200的後表面200b，第一墊部分210、第二墊部分230及連接線部分250的每一者可實質上相同於圖7中所示的第一墊部分210、第二墊部分230及連接線部分250的每一者，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且可以省略它們的重複描述。
第二基板200可透過使用耦接件300而耦接（或連接）於第一基板100的第二表面100b。耦接件300可插入第一基板100與第二基板200之間。因此，第一基板100及第二基板200可透過耦接件300反向接合於彼此。
路由部分400可被稱為側路由部分、側佈線部分、印刷佈線部分或印刷線部分。路由部分400可被配置為設置成以圍繞第一基板100的外表面OS及第二基板200的外表面OS。根據本公開一實施例的路由部分400可包括多條路由線，設置在第一基板100的外表面OS中的第一外表面（或一個表面）OS1a及第二基板200的外表面OS中的第一外表面（或一個表面）OS1b的每一者。每一該些路由線可被配置為形成為圍繞第一基板100的第一外表面OS1a及第二基板200的第一外表面OS1b的每一者。除了該些路由線是設置為圍繞接觸圖案部分110及第一基板100的第一外表面OS1a以及第二基板200的第一外表面OS1b及第一墊部分210，路由部分400可實質上相同於圖7中所示的路由部分400，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且可以省略它們的重複描述。
根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括一驅動電路單元500。
驅動電路單元500可包括一撓性電路膜510、一驅動積體電路（IC）530、一印刷電路板（PCB）550、一時序控制器570及一電力電路單元590。除了撓性電路膜510係連接於設置在第二基板200的後表面的第二墊部分230，具有這種配置的驅動電路單元500可實質上相同於圖7中所示的驅動電路單元500，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且可以省略它們的重複描述。
圖9係根據本公開一實施例所繪示的路由部分及像素驅動線的連接結構的圖式，圖10係繪示沿圖9中所示的線I-Iʹ的剖面圖，圖11係繪示在圖10中的區塊B2的放大圖，而圖12係繪示在圖10中的區塊B3的放大圖。區塊B3包括基板的周邊部分，其亦相鄰於基板的外表面（或最外側表面）。圖10繪示了周邊部分係相鄰於第一基板100的第一外表面OS1a。在圖9到12的說明中，與對應或相同於圖1到8中的元件的元件係以相同的附圖標記指代，並且省略或將簡要提供它們的重複說明。
參考圖4及9到11，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可包括第一基板100。
第一基板100可包括一顯示區域AA包括第一區塊及圍繞第一區塊的第二區塊。第一基板100的第二區塊可為第一基板100的周邊部分（或邊緣部分）或最外側像素的周邊部分（或邊緣部分）。第一基板100的第一區塊可為除了第一基板100的第二區塊外的部分。
根據本公開一實施例的第一基板100可包括一電路層111、一平面化層112、一發光裝置層113、一岸體114、一非連續部分115、一壩體部分117及一封裝層119。
電路層111可設置在第一基板100的第一表面100a上。電路層111可被稱為像素陣列層或TFT陣列層。
根據本公開一實施例的電路層111可包括一緩衝層111a及一電路陣列層111b。
緩衝層111a可避免在製造TFT的高溫製程中，物質（例如包括在第一基板100中的氫氣）擴散進入電路陣列層111b。並且，緩衝層111a可避免水分或濕氣滲透進入發光裝置層113。根據本公開一實施例的緩衝層111a可包括一第一緩衝層BL1及一第二緩衝層BL2，第一緩衝層BL1包括氮化矽（SiNx）且設置在第一基板100上，第二緩衝層BL2包括氧化矽（SiOx）且設置在第一緩衝層BL1上。緩衝層111a可被至少一絕緣層覆蓋。
電路陣列層111b可包括像素電路PC，像素電路PC包括驅動TFT Tdr設置在緩衝層111a上的多個像素區域PA的每一者中。
設置在每個像素區域PA中的驅動TFT Tdr可包括一主動層ACT、一閘極絕緣層GI、一閘極電極GE、一層間絕緣層111c、一第一源極/汲極電極SD1、一第二源極/汲極電極SD2及一鈍化層111d。
主動層ACT可設置在每個像素區域PA中的緩衝層111a上。主動層ACT可包括一通道區域及第一源極/汲極區域以及第二源極/汲極區域，通道區域重疊閘極電極GE，以及通道設置於其間的第一源極/汲極區域及第二源極/汲極區域彼此平行。主動層ACT在導電製程中可具有導電性，且因此，可作為跳線結構的橋接線，其直接連接顯示區域AA中的線或電性連接設置在不同層上的線。
閘極絕緣層GI可設置在主動層ACT的通道區域中。閘極絕緣層GI可將閘極電極GE從主動層ACT絕緣。
閘極電極GE可設置在閘極絕緣層GI上且連接於閘極線。閘極電極GE可重疊主動層ACT的通道區域，其間設有閘極絕緣層GI。
層間絕緣層111c可設置在第一基板100上以覆蓋閘極電極GE及主動層ACT。層間絕緣層111c可電性絕緣（或隔絕）閘極電極GE及源極/汲極電極SD1及SD2。舉例而言，層間絕緣層111c可被稱為絕緣層或第一絕緣層，但本公開的實施例不限於此。
第一源極/汲極電極SD1可設置在層間絕緣層111c上重疊主動層ACT的第一源極/汲極區域，及可透過設置在層間絕緣層111c中的第一源極/汲極接觸孔電性連接於主動層ACT的第一源極/汲極區域。舉例而言，第一源極/汲極電極SD1可為驅動TFT Tdr的源極電極，而主動層ACT的第一源極/汲極區域可為源極區域。
第二源極/汲極電極SD2可設置在層間絕緣層111c上重疊主動層ACT的第二源極/汲極區域，及可透過設置在層間絕緣層111c中的第二源極/汲極接觸孔電性連接於主動層ACT的第二源極/汲極區域。舉例而言，第二源極/汲極電極SD2可為驅動TFT Tdr的汲極電極，而主動層ACT的第二源極/汲極區域可為汲極區域。
根據本公開一實施例的源極/汲極電極SD1及SD2的電極材料可作為訊號線，在第一基板100上沿第一方向X延伸地很長。源極/汲極電極SD1及SD2可與閘極線GL一起實現。
鈍化層111d可設置在第一基板100上以覆蓋包括驅動TFT Tdr的像素電路PC。舉例而言，當層間絕緣層111c不設置在第一基板100的周邊部分，設置在第一基板100的周邊部分的鈍化層111d可直接接觸緩衝層111a。鈍化層111d可被稱為保護層或第二絕緣層，但本公開的實施例不限於此。
配置像素電路PC的第一及第二開關TFT Tsw1及Tsw2的每一者可與驅動TFT Tdr一起形成，且因此，它們的重複說明被省略或可能是簡短的。
根據本公開一實施例的電路層111可更包括一下金屬層BML，設置在第一基板100與緩衝層111a之間。
下金屬層BML可更包括一遮光圖案（或遮光層）LSP，設置在配置像素電路PC的TFT Tdr、Tsw1及Tsw2每一者的主動層ACT底下（或下方）。
遮光圖案LSP可在第一基板100與主動層ACT之間設置為島狀形狀。遮光圖案LSP可阻擋透過第一基板100入射到主動層ACT上的光，進而避免或最小化每個TFT由外部光造成的閾值電壓變化。可選擇地，遮光圖案LSP可電性連接於對應TFT的第一源極/汲極電極SD1，且因此可作為對應的TFT的下閘極電極，且在這個情況下，由光造成的每個TFT的特徵變化及由偏壓造成的每個TFT的閾值電壓變化可被最小化或避免。
下金屬層BML可作為實現像素驅動線PL、DL、RL、GCL及CVL的金屬層，其中像素驅動線PL、DL、RL、GCL及CVL在第一基板100上沿第一方向X彼此間隔，且沿第二方向Y延伸地很長。並且，下金屬層BML可作為實現接觸圖案部分110的多個接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的金屬層。
根據本公開一實施例，下金屬層BML可沉積在第一基板100的整個前表面100a上，且接著，可透過使用圖案化製程分別圖案化為遮光圖案LSP、像素驅動電力線PL、該些資料線DL、像素共同電壓線CVL及接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。
平面化層112可設置在第一基板100上且可提供電路層111上的平坦表面。平面化層112可覆蓋包括設置在每一該些像素區域PA中的驅動TFT Tdr的電路層111。根據本公開一實施例的平面化層112可包括丙烯酸樹脂（acrylic resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、酚醛樹脂（phenolic resin）、聚酰胺樹脂（polyamides resin）或聚酰亞胺樹脂（polyimides resin），但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的平面化層112可形成為覆蓋除了第一基板100的周邊部分外的電路層111。因此，設置在第一基板100的周邊部分的電路層111的鈍化層111d可被暴露而不被平面化層112覆蓋。
發光裝置層113可位於第一基板100的邊緣及每一該些像素上，及可設置在平面化層112上。根據本公開一實施例的發光裝置層113可包括像素電極PE、發光層EL及共同電極CE。
像素電極PE可被稱為陽極電極、反射電極、下電極或第一電極。
像素電極PE可設置在平面化層112上重疊每一該些像素區域PA的發光區域EA。像素電極PE可在每個像素區域PA中被圖案化及設置為島狀形狀，及可電性連接於對應的像素電路PC的驅動TFT Tdr的第一源極/汲極電極SD1。像素電極PE的一側可從驅動TFT Tdr的第一源極/汲極電極SD1延伸且可透過設在平面化層112中的電極接觸孔ECH電性連接於驅動TFT Tdr的第一源極/汲極電極SD1。
像素電極PE可包括低工作函數（work function）及有良好反射效率的金屬材料。
根據本公開一實施例的像素電極PE可具有雙層結構，包括一第一像素電極層（或第一金屬層）PEL1及一第二像素電極層（或第二金屬層）PEL2。第一及第二像素電極層PEL1及PEL2可依序沉積在平面化層112上並接著被同時圖案化。
第一像素電極層PEL1可設置在平面化層112上。第二像素電極層PEL2可設置（或堆疊）在第一像素電極層PEL1上。舉例而言，第一像素電極層PEL1可作為對應於平面化層112的黏合層，及可作為發光層EL的二級電極，且此外，可包括氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（IZO），但本公開的實施例不限於此。舉例而言，第二像素電極層PEL2可作為反射器，且可執行降低像素電極PE電阻的功能，且此外，可包括鋁（Al）、銀（Ag）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉬鈦合金（MoTi）的其中一或多種材料，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，根據本公開一實施例的像素電極PE可實現為ITO/MoTi或IZO/MoTi的雙層結構。
根據本公開另一實施例的像素電極PE可具有三層結構，包括一第一像素電極層PEL1、在第一像素電極層PEL1上的一第二像素電極層PEL2以及一第三像素電極層（或第三金屬層）。第三像素電極層可作為發光層EL的電極且可包括ITO或IZO。舉例而言，根據本公開另一實施例的像素電極PE可形成為IZO/MoTi/ITO或ITO/MoTi/ITO的三層結構。
根據本公開另一實施例的像素電極PE可具有四層結構，包括一第一像素電極層PEL1、在第一像素電極層PEL1上的一、在第二像素電極層PEL2上的第三像素電極層（或第三金屬層）、在第三像素電極層上的第四像素電極層（或第四金屬層）。
在四層結構的像素電極PE中，第一像素電極層可作為對應於平面化層112的黏合層，及可作為發光層EL的二級電極，且此外，可包括ITO、Mo及Mo-Ti的其中一種或多種材料。第二像素電極層可執行降低像素電極PE的電阻的功能且可包括銅（Cu）。第三像素電極層可作為反射器，且可包括Al、Ag、Mo、Ti及MoTi的其中一種或多種材料。第四像素電極層可作為發光層EL的電極，且可包括ITO或IZO。舉例而言，根據本公開另一實施例的像素電極PE可形成為ITO/Cu/MoTi/ITO的四層結構。
根據本公開另一實施例的像素電極PE可具有五層結構，包括由ITO製成的一第一像素電極層、由MoTi製成的一第二像素電極層、由ITO製成的一第三像素電極層、由Ag製成的一第四像素電極層及由ITO製成的一第五像素電極層。
發光層EL可設置在第一基板100的第一區塊上及設置在第一基板100的第二區塊的至少一部分。發光層EL可形成在像素電極PE上且可直接接觸像素電極PE。像素電極PE可設置在發光層EL底下（或下方）。舉例而言，像素電極PE可設置在平面化層112與發光層EL之間。
根據本公開另一實施例的發光層EL可為共同層，共同地形成在每一該些子像素SP中，以不被子像素SP單元區分開。發光層EL可對在像素電極PE與共同電極CE之間流動的電流反應以發出白光（或藍光）。根據本公開一實施例的發光裝置ED可包括一有機發光層，或可包括有機發光層及量子點發光層的堆疊或組合結構。
根據本公開一實施例的有機發光層EL可包括兩個或多個有機發光層，用於發出白光。舉例而言，有機發光層EL可包括第一有機發光層及第二有機發光層，用於基於第一光與第二光的組合發出白光。舉例而言，第一有機發光層可包括藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層、黃色發光層及黃－綠色發光層的至少一者。第二有機發光層可包括藍色發光層、綠色發光層、紅色發光層、黃色發光層及黃－綠色發光層的至少一者，用於發出與第一光結合以產生白光的第二光。
根據本公開一實施例的有機發光層可更包括一或多個功能層，用於加強發光效率及/或壽命。舉例而言，功能層可設置在電洞功能層與電子功能層之間。
共同電極CE可被稱為陰極電極、透明電極、上電極或第二電極。共同電極CE可形成在發光層EL上，且可直接接觸發光層EL，或可電性及直接接觸發光層EL。共同電極CE可包括透明導電材料，其傳輸由發光層EL發出的光。
根據本公開一實施例的共同電極CE可形成為單層結構或多層結構，包括石墨烯（graphene）及透明導電材料的至少一者，其中透明導電材料有相對高的工作函數。舉例而言，共同電極CE可包括金屬氧化物，例如ITO或IZO，可包括氧化物與金屬的組合，例如ZnO:Al或SnO2:Sb。
此外，發光裝置層113可更包括一覆蓋層設置在同電極CE上。覆蓋層可透過調整從發光層EL發出的光的折射率（refractive index）改善光的發光效率。
岸體114可設置在平面化層112上以在第一基板100上限界像素區域PA。岸體114可設置在平面化層112上以覆蓋像素電極PE的周邊部分。岸體114可限界每一該些子像素SP的發光區域EA（或開放部分）且可電性隔絕設置在相鄰子像素SP中的像素電極PE。岸體114可形成為覆蓋設置在每一該些像素區域PA中的電極接觸孔ECH。岸體114可被發光層EL覆蓋。舉例而言，發光層EL可設置在岸體114上及在每一該些子像素SP的像素電極PE上。
根據本公開一實施例的岸體114可為包括透明材料的透明岸體，包括黑色色素的或黑色岸體（或不透明的岸體）。
參考圖4、9、10及12，根據本公開一實施例的非連續部分115可設置在第一基板100的第二區塊中。非連續部分115可設置在第一基板100的周邊部分或每個最外側像素Po的周邊部分，以具有一維（one dimensionally）地圍繞顯示部分AA的閉環形式（或閉環線形式）。非連續部分115可實現在緩衝層111a上或在第一基板100的周邊部分的層間絕緣層111c。舉例而言，層間絕緣層111c可設置在除了第一基板100的周邊部分外的部分，且在這個情況下，非連續部分115可實現在緩衝層111a上。
根據本公開一實施例的非連續部分115可實現為至少一次斷開（或分離）設置在基板100的第二區塊中的發光裝置層113。因此，非連續部分115可被稱為分離部分、分離線部分、切割部分、切割線部分、截斷部分、截斷線部分、斷開部分或斷開線部分，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的非連續部分115可包括具有閉環線形式的非連續結構115a到115d的至少一者。舉例而言，當非連續部分115包括多個非連續結構115a到115d時，非連續部分115可包括外部非連續部分及內部非連續部分，外部非連續部分設置在壩體部分117的外部周邊，內部非連續部分設置在壩體部分117的內部周邊。根據本公開一實施例，非連續部分115可包括第一到第四非連續結構115a到115d，且在這個情況下，外部非連續部分可包括第一到第三非連續結構115a、115b及115c，而內部非連續部分可包括第四非連續結構115d。舉例而言，第一到第三非連續結構115a、115b及115c可被稱為多個外部非連續結構，而第四非連續結構115d可被稱為至少一內部非連續結構，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者可包括一第一線結構TS1及一第二線結構TS2。
根據本公開一實施例的第一線結構TS1可實現為層間絕緣層111c及鈍化層111d的堆疊結構。第一線結構TS1可透過執行在設置在第一基板100的第二區塊中的層間絕緣層111c及鈍化層111d上的圖案化及蝕刻製程形成。舉例而言，在一些實施例中，第一線結構TS1亦可被稱為例如是第一結構、第一隔絕結構、第一錐形結構或下結構的術語，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第一線結構TS1的側表面可實現為傾斜結構或前錐形結構。第一線結構TS1的底表面可直接接觸緩衝層111a的頂表面（或表面），及第一線結構TS1的頂表面可設置在第一線結構TS1的底表面，且寬度可窄於第一線結構TS1的底表面的寬度。第一線結構TS1的側表面可形成為在第一線結構TS1的頂表面與底表面之間傾斜。在第一線結構TS1中，底表面與側表面中包括的角度可為銳角，而頂表面與側表面中包括的角度可為鈍角。舉例而言，沿寬度方向的第一線結構TS1的截面表面可具有梯形形狀的橫截面結構，其中頂表面比底表面窄。
根據本公開另一實施例，當層間絕緣層111c不設置在第一基板100的周邊部分時，第一線結構TS1可僅與鈍化層111d實現。第一線結構TS1可由在設置在第一基板100的第二區塊中的鈍化層111d的圖案化製程形成。
第二線結構TS2可設置在第一線結構TS1上。舉例而言，在一些實施例中，第二線結構TS2亦可被稱為例如是第二結構、第二隔絕結構、第二錐形結構或上結構的術語，但本公開的實施例不限於此。
第二線結構TS2的寬度可寬於第一線結構TS1的頂表面的寬度。第二線結構TS2的寬度可寬於或等於第一線結構TS1的底表面的寬度。舉例而言，第二線結構TS2的側表面可實現為傾斜結構或前錐形結構。舉例而言，第二線結構TS2沿寬度方向的橫截面表面可具有與第一線結構TS1相同的梯形形狀的橫截面結構。相對於寬度方向，第二線結構TS2的一側周邊部分及另一側周邊部分的每一者可朝向第一線結構TS1的側表面的外部突出。
第二線結構TS2可包括有機材料。根據本公開一實施例的第二線結構TS2可包括與岸體114相同的材料，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，在於岸體材料上執行圖案化製程中，第二線結構TS2可不被圖案化（或移除），且可以第一線結構TS1中剩餘的岸體材料實現。第二線結構TS2可實現為與岸體114具有相同高度（或厚度）。
第一線結構TS1的側表面可相對於第二線結構TS2具有底切結構。舉例而言，非連續部分115可包括第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的邊界部分，或設置在第一線結構TS1的上側表面上的底切區塊。第二線結構TS2可基於第一線結構TS1的底切結構突出到第一線結構TS1的側表面的外部，且因此，可覆蓋第一線結構TS1的側表面。據此，第二線結構TS2相對於第一線結構TS1可具有屋簷（eave）結構。
包括根據本公開一實施例的第一到第四非連續結構115a到115d的非連續部分115可斷開（或分離）發光層EL，或可斷開（或分離）發光層EL及共同電極CE。舉例而言，在基於第一到第四非連續結構115a到115d每一者的底切結構（或屋簷結構）執行沉積製程而無各別的分離製程時，形成（或沉積）在非連續部分115上的發光層EL可被自動地斷開（或分離）。因此，設置在第一基板100上的發光層EL可在第一基板100的第二區塊中被斷開（或分離）四次，且可包括四個非連續區塊（或分離區塊）。舉例而言，發光層EL的沉積材料可具有線性，且因此，基於第一到第四非連續結構115a到115d每一者的底切結構（或屋簷結構）可不沉積在被第二線結構TS2覆蓋的第一線結構TS1的側表面上。因此，形成（或沉積）在第一到第四非連續結構115a到115d上的發光層EL可在第一線結構TS1與第二線結構TS2之間被斷開（或分離）。據此，在執行沉積時，發光層EL可被非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d自動地斷開（或分離），這將有防止濕氣及作為壩體的二級的次要好處及結果。因此，用於避免水分或濕氣的側向傳輸的斷開（或分離）設置在第一基板100的周邊部分的發光層EL的各別的圖案化製程可省略。亦即，非連續部分115執行將共同電極CE的部分從其他部分斷開的功能，且基於其結構及位置亦用於執行阻擋濕氣及其他灰塵進到主陣列，作為二級壩體以協助由壩體部分117執行的功能。由於非連續結構用於輔助此功能，這允許了顯示面板被建構而不需除了壩體部分117外的專用分隔器壩體。
可選地，在基於沉積執行沉積製程時，設置在發光層EL上的共同電極可被非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d自動地斷開（或分離），或可沉積在被第二線結構TS2覆蓋的第一線結構TS1的側表面上，且可連續地形成而不會有非連續區塊。
壩體部分117可在第一基板100的第二區塊設置在電路層111上以具有閉環形狀或閉環線形狀。舉例而言，根據本公開一實施例的壩體部分117可設置在電路層111的鈍化層111d上。舉例而言，壩體部分117可被非連續部分115圍繞。舉例而言，壩體部分117可設置在第三非連續結構115c與第四非連續結構115d之間。壩體部分117可被第三非連續結構115c圍繞，且可圍繞第四非連續結構115d。壩體部分117可避免封裝層119的擴散或溢流。
根據本公開一實施例的壩體部分117可包括與平面化層112相同的材料及與平面化層112一起形成。壩體部分117可具有與平面化層112相同的高度（或厚度），或可具有高於平面化層112的高度。舉例而言，壩體部分117的高度（或厚度）可為平面化層112的高度（或厚度）的兩倍。
根據另一實施例，壩體部分117可包括一第一壩體（或下壩體）117a及一第二壩體（或上壩體）117b，第一壩體（或下壩體）117a係由與平面化層112相同的材料及與平面化層112一起形成，第二壩體（或上壩體）117b堆疊在第一壩體117a上，且包括與岸體114相同的材料。第一壩體117a可具有與平面化層112相同的高度（或厚度），或可具有高於平面化層112的高度。舉例而言，第一壩體117a的高度（或厚度）可為平面化層112的高度（或厚度）的兩倍。
封裝層119可設置在發光裝置層113上，且封裝層119與該些路由線410的至少一者可在第一基板100的周邊部分彼此重疊。舉例而言，封裝層119可被實現為圍繞發光裝置層113所有的前表面及側表面。
根據本公開一實施例的封裝層119可包括第一到第三封裝層119a、119b及119c。
第一封裝層119a可被實現為避免氧氣或水分滲透進發光裝置層113。第一封裝層119a可設置在共同電極CE上以圍繞發光裝置層113。舉例而言，第一封裝層119a可基於共同電極CE的表面形狀實現為保角形狀（conformal shape），且因此，可圍繞共同電極CE。第一封裝層119a的尾端可直接接觸鈍化層111d且可圍繞共同電極CE的尾端。因此，發光裝置層113的所有前表面及側表面可被第一封裝層119a圍繞。舉例而言，第一封裝層119a可在非連續部分115的內部部分、壩體部分117及非連續部分115的外側部分的每一者直接接觸鈍化層111d的頂表面，且可覆蓋共同電極CE與鈍化層111d之間的邊界部分（或介面），進而避免或最小化水分的滲透。根據本公開一實施例的第一封裝層119a可包括無機材料。舉例而言，第一封裝層119a可被稱為第一無機封裝層。
第二封裝層119b可實現在第一封裝層119a上，以具有較第一封裝層119a更厚的厚度。第二封裝層119b可具有足以覆蓋粒子（或不期望的材料或不期望的結構）的厚度，或其可在第一封裝層119a上。由於相對後的厚度，第二封裝層119b可擴散至第一基板100的周邊部分，但第二封裝層119b的擴散可被壩體部分117阻擋（即，不延伸超過壩體部分117）。
根據本公開一實施例，第二封裝層119b可設置在第一封裝層119a上且被壩體部分117圍繞。第二封裝層119b的一端可直接接觸壩體部分117上的第一封裝層119a。據此，第二封裝層119b可在被壩體部分117圍繞的內部區（或內部區塊）中僅設置在第一封裝層119a上。第二封裝層119b可被稱為粒子覆蓋層。根據本公開一實施例的第二封裝層119b可包括有機材料，例如SiOCz丙烯酸（acryl）或環氧基樹脂（epoxy-based resin）。
第三封裝層119c可被實現以初階地避免氧氣或水氣滲透進發光裝置層113。第三封裝層119c可設置在第二封裝層119b及壩體部分117上的第一封裝層119a上。第三封裝層119c可被實現為圍繞所有的第二封裝層119b及不被第二封裝層119b覆蓋的第一封裝層119a。舉例而言，第三封裝層119c可直接接觸鈍化層111d的頂表面且可覆蓋第一封裝層119a與鈍化層111d之間的邊界部分（或介面），進而額外地避免或最小化側向的水分滲透。根據本公開一實施例的第三封裝層119c可包括無機材料。舉例而言，第一封裝層119a可被稱為第二無機封裝層。舉例而言，第三封裝層119c可在發光裝置層113上設置在第一封裝層119a與第三封裝層119c之間被壩體部分117圍繞。
根據本公開一實施例的基板100可更包括一第一邊緣區域MA1、一第二邊緣區域MA2及一壩體區域DA。
第一邊緣區域MA1可設置在最外側像素Po的發光區域EA與壩體部分117之間。第一邊緣區域MA1可基於發光裝置層113由側向的水分或濕氣的滲透的邊緣可靠度，被配置為在最外側像素Po的發光區域EA（或岸體114）的一端與壩體部分117之間具有第一寬度。據此，壩體部分117可被實現為相對於第一方向X，在發光區域EA的一端被以第一邊緣區域MA1的第一寬度間隔開。
第二邊緣區域MA2可設置在第一基板100的外表面OS與壩體部分117之間。第二邊緣區域MA2可基於發光裝置層113由側向的水分或濕氣的滲透的邊緣可靠度，被配置為在第一基板100的外表面OS與壩體部分117之間具有第二寬度。據此，壩體部分117可被實現為相對於第一方向X，以第二邊緣區域MA2的第二寬度從第一基板100的外表面OS間隔開。
壩體區域DA可設置在第一邊緣區域MA1與第二邊緣區域MA2之間。壩體區域DA可被配置為具有第三寬度，第三寬度對應於壩體部分117的最底部的底表面（或底表面）的寬度。
相對於第一方向X，第一邊緣區域MA1、第二邊緣區域MA2及壩體區域DA的每一者的寬度可被實現，使最外側像素的中心部分與第一基板100的外表面OS之間的第二間隔D2為兩個相鄰像素區域PA之間的第一間隔（或像素間距）D1的一半或更少。
根據本公開的發光顯示器設備（或發光顯示面板）可更包括一波長轉換層121設置在第一基板100上。
波長轉換層121可對從每一該些像素區域PA的發光區域EA入射的光的波長進行轉換。舉例而言，波長轉換層121可將從發光區域EA入射的白色光（或藍色光）轉換成對應於對應子像素的顏色的光，或僅傳輸對應於對應子像素的顏色的光。舉例而言，波長轉換層121可包括至少一或多個波長轉換件及濾色層。
根據本公開一實施例的波長轉換層121可包括多個波長轉換件121a及一外塗層121b。
該些波長轉換件121a可設置在置於每一該些子像素區域的發光區域EA中的封裝層119上。舉例而言，每一該些波長轉換件121a可被配置為具有與每一該些子像素區域的發光區域EA相同的尺寸，或具有寬於每一該些子像素區域的發光區域EA的尺寸。
外塗層（或保護層）121b可被實現為覆蓋波長轉換件121a及在波長轉換件121a上提供平坦表面。舉例而言，外塗層121b可設置為覆蓋波長轉換件121a及未設置波長轉換件121a的封裝層119。根據本公開一實施例的外塗層121b可包括有機材料。舉例而言，外塗層121b可包括丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰亞胺樹脂，但本公開的實施例不限於此。可選地，外塗層121b可更包括一吸氣（getter）材料，用於吸收水分及/或氧氣。
可選地，根據本公開一實施例的波長轉換層121可更包括一量子點件設置於波長轉換件121a與封裝層119之間。量子點件可用於透過重新發出從發光裝置層113入射的白色光或藍色光，而重新發出設定在子像素中的顏色的光。
可替代地，波長轉換層121可被改為波長轉換片（conversion sheet），其具有片狀的形式，且可設置在封裝層119上。舉例而言，波長轉換片（或量子點片）可包括波長轉換件121a設置在一對薄膜之間。舉例而言，波長轉換片的波長轉換件121a可包括一量子點件，用於透過重新發出從發光裝置層113入射的白色光或藍色光，而重新發出設定在子像素中的顏色的光。
根據本公開一實施例的第一基板100或發光顯示器設備可更包括一功能膜123。
功能膜123可設置在波長轉換層121上。舉例而言，功能膜123可透過透明黏著件122耦接於波長轉換層121。
根據本公開一實施例的功能膜123可包括一抗反射層（或抗反射膜），用於避免外部光的反射，以增強戶外的可見度及相對於由發光顯示器設備10顯示的影像的對比度。舉例而言，抗反射層可包括一圓極化層（或圓極化膜），其避免由設置在第一基板100上的TFT及/或像素驅動線反射的外部光從外部進入。
根據本公開一實施例的功能膜123可更包括一隔絕層（或隔絕膜），用於初步地避免水分或濕氣或氧氣的滲透或，且隔絕層可包括有低水分穿透率的材料（例如，聚合物材料）。
根據本公開一實施例的功能膜123可更包括一光徑控制層（或光徑控制膜），用於控制從每個像素P輸出到外部的光的路徑。光徑控制層可包括一堆疊結構，其中高折射層與低折射層交替地堆疊，且可改變從每個像素P入射的光的路徑，以降低或最小化基於視角的顏色位移。
發光顯示器設備或根據本公開一實施例的第一基板100可更包括一側密封件125。
側密封件（或邊界密封件）125可形成在第一基板100與功能膜123之間，且可覆蓋電路層111、平面化層112及波長轉換層121每一者的所有側（或側邊）表面。亦即，在功能膜123與第一基板100之間，側密封件125可覆蓋被暴露在發光顯示器設備10外的電路層111、平面化層112及波長轉換層121每一者的所有側表面。舉例而言，第一基板100的最外側外表面、側密封件125的外表面及功能膜123的外表面的每一者可設置在（或對齊）同一條垂直延伸線VL上。
根據本公開一實施例的側密封件125可包括矽基或紫外線（ultraviolet，UV）－可固化密封膠（或樹脂），但考慮到節拍（takt）過程時間（或節拍時間），側密封件125可包括UV－可固化密封膠。並且，側密封件125可有顏色（例如，藍色、紅色、淡藍綠色或黑色），但本公開的實施例不限於此，且可包括有顏色的樹脂或遮光樹脂，用於避免側邊的漏光。可選地，側密封件125可更包括一吸氣材料用於吸收水分及/或氧氣。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備可更包括一第二基板200。
第二基板200可包括一金屬圖案層及絕緣金屬圖案層的一絕緣層。
金屬圖案層（或導電圖案層）可包括多個金屬層。根據本公開一實施例的金屬圖案層可包括一第一金屬層201、一第二金屬層203及一第三金屬層。絕緣層可包括多個絕緣層。舉例而言，絕緣層可包括一第一絕緣層202、一第二絕緣層204及一第三絕緣層206。絕緣層可被稱為後絕緣層或圖案絕緣層。
第一金屬層201、第二金屬層203及第三金屬層可作為第一墊部分210的墊211、第二墊部分230的墊211及連接線部分250的連接線，其是設置在第二基板200的後表面200b上。舉例而言，第一金屬層201可作為該些連接線的一些連接線，第三金屬層可作為墊211及該些連接線的其他連接線。第二金屬層203可作為跳線（或橋接線），用於電性連接設置在不同層上的連接線。
第一絕緣層202可實現在第二基板200的後表面200b上以覆蓋第一金屬層201。第二絕緣層204可實現在第二基板200的後表面200b上以覆蓋第二金屬層203。第三絕緣層206可實現在第二基板200的後表面200b上以覆蓋第三金屬層。
第二基板200可透過耦接件300耦接於第一基板100的後表面。
耦接件300可設置在第一基板100與第二基板200之間。因此，第一基板100及第二基板200可透過耦接件300被相反地彼此接合。根據本公開一實施例的耦接件300可為透明黏著件或包括OCA或OCR的雙面膠。根據另一實施例，耦接件300可包括玻璃纖維。
根據本公開一實施例的耦接件300可設置在第一基板100與第二基板200之間的整個空間中。舉例而言，第一基板100的整個第二表面100b可耦接於所有的耦接件300一個表面，而第二基板200的所有的前表面200a可耦接於耦接件300的所有的另一表面。
根據另一實施例的耦接件300可設置在第一基板100與第二基板200之間的圖案結構中。舉例而言，耦接件300可具有線圖案結構或網狀圖案結構。網狀圖案結構可更包括把氣泡排到外部的一彎曲部，其中氣泡於接合第一基板100到第二基板200的過程中發生在第一基板100與第二基板200之間。
可選地，耦接件300可更包括一熱轉移元件。在這個情況下，耦接件300可透過熱轉移元件將發生在第一基板100中的熱轉移到第二基板200，以避免或最小化第一基板100的溫升。第二基板200可作為一降溫件，其避免或最小化的溫升。舉例而言，熱轉移元件可包括多個熱轉移粒子或包括金屬材料的熱轉移層。當熱轉移元件包括包括金屬材料的熱轉移層時，熱轉移層可電性接地或浮接，且因此，可作為雜訊阻擋層，其避免在設置於第二基板200的後表面200b上的驅動電路中發生頻率雜訊或靜電流入設置在第一基板100上的像素、像素驅動線及閘極驅動電路150。
根據本公開一實施例的發光顯示器設備可更包括一路由部分400。
路由部分400可電性及分別連接接觸圖案部分110的設置在第一基板100的周邊部分的一側的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP至設置在第二基板200的周邊部分一側的第一墊部分210的墊211。路由部分400可被實現為圍繞第一基板100的外表面OS1a及接觸圖案部分110以及第二基板200的外表面OS1b及接觸圖案部分110，且因此，可電性及直接連接接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP至第一墊部分210的墊211。路由部分400可設置在第一及第二基板100及200每一者的周邊部分的一側，且可透過壩體部分117或所有的非連續部分115及壩體部分117電性及直接連接於接觸圖案部分110，且因此，可取代設置在最外側第一基板100的周邊部分的墊部分。據此，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可不需要設置在最外側第一基板100的周邊部分的墊部分，且可具有不設有邊框區域的空氣邊框結構。
根據本公開一實施例的路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH通過設置在接觸圖案部分110上的壩體部分117及非連續部分115的至少一者。非連續部分115可位於接觸圖案部分110上，其中該些路由線410中的至少一路由線可延伸通過封裝層即非連續部分115以耦接於接觸圖案部分110。
根據本公開第一實施例，路由部分400可通過設置在接觸圖案部分110上的第三封裝層119c、第一封裝層119a及壩體部分117，且可電性連接於接觸圖案部分110。舉例而言，根據本公開第一實施例的路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH通過設置在接觸圖案部分110上的壩體部分117。舉例而言，根據本公開第一實施例的路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH依序地通過設置在接觸圖案部分110上的第三封裝層119c、第一封裝層119a、隔離發光裝置層113、壩體部分117及電路層111。
根據本公開第二實施例，路由部分400可通過設置在接觸圖案部分110上的第三封裝層119c、第一封裝層119a及非連續部分115，且可電性連接於接觸圖案部分110。舉例而言，根據本公開第二實施例的路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH通過設置在接觸圖案部分110上的非連續部分115。舉例而言，根據本公開第二實施例的路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH依序地通過設置在接觸圖案部分110上的第三封裝層119c、第一封裝層119a、隔離發光裝置層113、非連續部分115及電路層111。
根據本公開第三實施例，路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH通過設置在接觸圖案部分110上的非連續部分115及壩體部分117的每一者。
路由接觸孔CH可透過設置在接觸第一基板100的圖案部分110上的圖案化層的至少一次性孔圖案化製程實現，以暴露接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者的至少一部分。根據本公開一實施例的路由接觸孔CH可包括第一到第五路由接觸孔CH1到CH5的至少一者。
至少一第一路由接觸孔CH1可被實現為通過非連續部分115的第一非連續結構115a。至少一第二路由接觸孔CH2可被實現為通過非連續部分115的第二非連續結構115b。至少一第三路由接觸孔CH3可被實現為通過非連續部分115的第三非連續結構115c。至少一第四路由接觸孔CH4可被實現為通過非連續部分115的第四非連續結構115d。至少一第五路由接觸孔CH5可被實現為通過壩體部分117。
第一到第四路由接觸孔CH1到CH4的至少一者可被實現為通過接觸圖案部分110上包括封裝層119及非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的層。根據本公開一實施例的每個第一到第四路由接觸孔CH1到CH4的至少一者可被實現為依序通過設置在接觸圖案部分110上的外塗層121b、封裝層119的第二無機封裝層119c及第一無機封裝層119a、發光裝置層113的隔離共同電極CEa及隔離發光層Ela、非連續結構115a到115d及緩衝層111a，以暴露接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者的至少一部分。舉例而言，至少一第二路由接觸孔CH2可被實現為依序通過設置在接觸圖案部分110上的外塗層121b、封裝層119的第二無機封裝層119c及第一無機封裝層119a、發光裝置層113的隔離共同電極CEa及隔離發光層Ela、非連續結構115a到115d及緩衝層111a，以暴露資料接觸圖案DCP的至少一部分。
至少一第五路由接觸孔CH5可被實現為通過接觸圖案部分110上包括壩體部分117及封裝層119的層。根據本公開一實施例的每個至少一第五路由接觸孔CH5可被實現為依序通過設置在接觸圖案部分110上的外塗層121b、封裝層119的第二無機封裝層119c及第一無機封裝層119a、發光裝置層113的隔離共同電極CEa及隔離發光層Ela、壩體部分117以及緩衝層111a，以暴露接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者的至少一部分。
根據本公開一實施例的路由部分400可包括多條路由線410。該些路由線410可在第一方向X上以特定間隔佈置，且可被實現為圍繞第一基板100的外表面OS1a及接觸圖案部分110，以及第二基板200的外表面OS1b及接觸圖案部分110。舉例而言，每一該些路由線410可使用導電膠由印刷製程形成。舉例而言，導電膠可包括銀（Ag）膠，但本公開的實施例不限於此。
每一該些路由線410可包括設置在第一基板100的接觸圖案部分110上的一第一部分（或前部分）410a、設置在第二基板20的第一墊部分210上的一第二部分（或後部分）410b以及設置在第一部分410a與第二部分410b之間第一基板100的外表面OS1a及第二基板200的外表面OS1b上的一第三部分（或側部分或中心部分）410c。
每一該些路由線410的第一部分410a、第二部分410b及第三部分410c可使用導電膠以印刷製程被同時實現。
每一該些路由線410的第一部分410a可透過路由接觸孔CH直接連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。
根據本公開一實施例的第一部分410a可透過路由接觸孔CH直接連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。舉例而言，第一部分410a可包括至少五個連接部分（或接觸部分）填入第一到第五路由接觸孔CH1到CH5的至少一者，以直接連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的一者。
每一該些路由線410的第二部分410b可設置在置於第二基板200的後表面200b上的第一墊部分210上，且可直接連接於第一墊部分210的墊211。每一該些路由線410的第三部分410c可設置在第一部分410a與第二部分410b之間，且可包覆或圍繞第一基板100的外表面OS1a及第二基板200的外表面OS1b。
接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP可透過每一該些路由線410的第一部分410a、第三部分410c及第二部分410電性連接於第一墊部分210的墊211。
根據一實施例，該些路由線410可被分類為（或劃分）多條像素驅動電力路由線411、多條資料路由線413、多條參考電壓路由線415、多條閘極路由線417及多條像素共同電壓路由線419。
每條像素驅動電力路由線411可透過路由接觸孔CH電性及直接連接於接觸圖案部分110的像素驅動電力接觸圖案PCP，其中路由接觸孔CH依序地通過封裝層119、非連續部分115及電路層111，且可電性及分別連接於第一墊部分210的第一電力接觸墊。因此，從驅動電路單元輸出的像素驅動電力可透過第二像素驅動電力墊、像素驅動電力連接線、第一像素驅動電力墊、像素驅動電力路由線411及像素驅動電力接觸圖案PCL被供至每條像素驅動電力線PL。
每條資料路由線413可透過路由接觸孔CH電性及直接連接於接觸圖案部分110的資料接觸圖案PCP，其中路由接觸孔CH依序地通過封裝層119、非連續部分115及電路層111，且可電性及分別連接於第一墊部分210的第一資料墊。因此，從驅動電路單元輸出的資料訊號可透過第二資料墊、資料連接線、第一資料墊、資料路由線413及資料接觸圖案DCP被供至每條資料線DL。
每條參考電壓路由線415可透過路由接觸孔CH電性及直接連接於接觸圖案部分110的參考電壓接觸圖案RCP，其中路由接觸孔CH依序地通過封裝層119、非連續部分115及電路層111，且可電性及分別連接於第一墊部分210的第一參考電壓墊。因此，從驅動電路單元輸出的參考電壓可透過第二參考電壓墊、參考電壓連接線、第一參考電壓墊、參考電壓路由線415及參考電壓接觸圖案RCP被供至每條參考電壓線RL。
每條閘極路由線417可透過路由接觸孔CH電性及直接連接於接觸圖案部分110的閘極接觸圖案GCP，其中路由接觸孔CH依序地通過封裝層119、非連續部分115及電路層111，且可電性及分別連接於第一墊部分210的第一閘極墊。因此，從驅動電路單元輸出的閘極控制訊號可透過第二閘極墊、閘極連接線、第一閘極墊、閘極路由線417及閘極接觸圖案GCP被供至每條閘極控制線GCL。
每條像素共同電壓路由線419可透過路由接觸孔CH電性及直接連接於接觸圖案部分110的像素共同電壓接觸圖案CCP，其中路由接觸孔CH依序地通過封裝層119、非連續部分115及電路層111，且可電性及分別連接於第一墊部分210的第一像素共同電壓墊。因此，從驅動電路單元輸出的像素共同電壓可透過第二像素共同電壓墊、像素共同電壓連接線、第一像素共同電壓墊、像素共同電壓路由線419及像素共同電壓接觸圖案CCP被供至每條像素共同電壓線CVL。
在圖10到12中，路由部分400的路由線410被示出為透過所有的第一到第四路由接觸孔CH1到CH4的至少一者及至少一第五路由接觸孔CH5電性且直接連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其中第一到第四路由接觸孔CH1到CH4分別形成在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d中，第五路由接觸孔CH5形成在壩體部分117中，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，路由部分400的路由線410可透過第一到第五路由接觸孔CH1到CH5的至少一者電性及直接連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。
以上參考圖10到12說明的設置在第一基板100的後表面上的第二基板200可被省略。在這個情況下，如圖7所示，設置在第二基板200上的第一墊部分210、第二墊部分230及連接線部分250的每一者可設置在基板100的後表面100b上，且除了路由部分400的路由線410係形成為圍繞基板100的前表面的周邊部分的一側及基板100的後表面的周邊部分的一側且接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP係電性且分別連接於第一墊部分210的墊211外，路由部分400的路由線410可實質上相同於圖7的路由部分400的路由線410，且因此，省略了其重複的說明。
根據本公開的發光顯示器設備（或路由部分）可更包括一邊界塗層450。
邊界塗層450可被實現為覆蓋該些路由線410。根據本公開一實施例的邊界塗層450可被實現為覆蓋所有的第一周邊部分及第一基板100的第一外表面OS1a以及第一周邊部分及第二基板200的第一外表面OS1b以及該些路由線410。邊界塗層450可避免包括金屬材料每一該些路由線410腐蝕或該些路由線410之間的電氣短路。並且，邊界塗層450可避免或最小化由該些路由線410及第一墊部分110的墊造成的外部光的反射。根據本公開一實施例的邊界塗層450可包括一擋光材料，包括黑色墨水。
設置在第一基板100的第一表面100a上的邊界塗層450的頂表面可被側密封件125覆蓋。
邊界塗層450的外表面可為第一基板100的最外側外表面，且因此，第一基板100的最外側外表面、側密封件125的外表面及功能膜123的外表面的每一者可設置在同一條垂直延伸線VL上。
如上所述，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可包括路由部分400直接連接於設置在第一基板（或基板）100的周邊部分的接觸圖案，且因此，可不需要設置在最外側第一基板100的周邊部分的墊部分且可具有未設有邊框區域的空氣邊框結構。
此外，根據本公開一實施例的發光顯示器設備可至少一次透過非連續部分115斷連（或隔離）設置在第一基板（或基板）100的周邊部分的發光層EL，且因此，可避免或最小化由水分或濕氣從側邊傳輸造成的發光層EL中的劣化及/或其可靠度的降低。
圖13係用於說明像素線與根據本公開另一實施例的路由部分之間的連接結構的圖，圖14係繪示在圖13中的區塊B4的放大圖，圖15係繪示沿圖14中所示的線II-IIʹ的剖面圖，圖16A係繪示在圖15中的區塊B5的放大圖，圖16B係繪示在圖15中根據另一實施例的區塊B5的放大圖，圖16C係繪示在圖15中根據另一實施例的區塊B5的放大圖，及圖17係繪示沿圖14中所示的線III-IIIʹ的剖面圖。區塊B5包括基板的周邊部分，其亦相鄰於基板的外表面（或最外側表面）。圖15繪示了周邊部分相鄰於第一基板100的第一外表面OS1a。圖9到12繪示了輔助線部分加入圖9到12中的發光顯示器設備的實施例。在圖13到16的說明中，僅輔助線部分及其相關元件將於下說明，其他元件係以同樣符號稱之，且省略了其重複的說明。
參考圖13到16，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括一輔助圖案部分116設置於連接於多條像素驅動線PL、DL、RL、GCL及CVL的接觸圖案部分110與路由部分400之間。
輔助圖案部分116可被稱為中間金屬部分或訊號傳輸部分。在一些實施例中，輔助圖案部分116可稱為輔助導電結構。輔助導電結構可包含第一輔助導電結構位於接觸圖案部分110上，第一輔助導電結構重疊非連續部分115或壩體部分的位置，其中該些路由線410的至少一者可延伸通過封裝層以耦接於第一輔助導電結構。輔助導電結構可更包含第二輔助導電結構位於接觸圖案部分110上，第二輔助導電結構位於第一輔助導電結構上且重疊非連續部分115或壩體部分的位置，其中該些路由線410的至少一者可延伸通過封裝層以耦接於第一及第二輔助導電結構。
根據本公開一實施例的輔助圖案部分116可包括第一到第五中間圖案116a到116e電性連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。舉例而言，第一到第五中間圖案116a到116e的每一個可被稱為輔助圖案、導電輔助圖案或導電中間圖案，但本公開的實施例不限於此。
第一到第四中間圖案116a到116d的每一者可設置在非連續部分115。舉例而言，第一中間圖案116a可設置在連續部分115的第一非連續結構115a中。第二中間圖案116b可設置在非連續部分115的第二非連續結構115b中。第三中間圖案116c可設置在非連續部分115的第三非連續結構115c中。第四中間圖案116d可設置在非連續部分115的第四非連續結構115d中。
第五中間圖案116e可設置在壩體區域DA中。舉例而言，第五中間圖案116e可設置在壩體部分117底下。舉例而言，第五中間圖案116e可設置在壩體部分117與電路層111之間。
第一到第五中間圖案116a到116e的每一者可作為設置在接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間的中間中心層或訊號傳輸層。第一到第五中間圖案116a到116e的每一者可避免接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間由接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間的距離造成的電性或實體接觸瑕疵。並且，第一到第五中間圖案116a到116e的每一者可設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間，進而加強第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力。
第一到第四中間圖案116a到116d可分別設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d中重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。舉例而言，第一到第四中間圖案116a到116d可分別設置在重疊資料接觸圖案DCP的第一到第四非連續結構115a到115d中，且可電性連接於資料接觸圖案DCP與資料路由線413之間。舉例而言，第一到第四中間圖案116a到116d的每一者可共同連接於資料接觸圖案DCP，且可連接於資料路由線413的第一部分410a。
第五中間圖案116e可設置在重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者的壩體部分117中，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。舉例而言，第五中間圖案116e可設置在重疊資料接觸圖案DCP的壩體部分117中，且可電性連接於資料接觸圖案DCP與資料路由線413之間。
在圖13到16中，輔助圖案部分116係描述為包括第一到第五中間圖案116a到116e，但本公開的實施例不限於此。舉例而言，輔助圖案部分116可包括第一到第五中間圖案116a到116e的至少一者。舉例而言，輔助圖案部分116可僅包括一個中間圖案116e，設置在壩體部分117中重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者，且電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。舉例而言，輔助圖案部分116可包括設置在非連續部分115中的第一到第四中間圖案116a到116d中的至少一或多者重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的每一者，且電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。
根據本公開一實施例的第一到第五中間圖案116a到116e的每一者可包括一第一金屬層MLa及一第二金屬層MLb。
第一金屬層MLa可設置在重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP的電路層111中。舉例而言，第一金屬層MLa可設置在接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與非連續部分115及壩體部分117的每一者之間。舉例而言，第一金屬層MLa可設置在接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與層間絕緣層111c之間。
根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可實現在緩衝層111a上，以電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。舉例而言，第一金屬層MLa可設置在緩衝層111a上重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，且可透過第一通孔（或下通孔）VH1電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其中第一通孔（或下通孔）VH1通過緩衝層111a。舉例而言，第一金屬層MLa可被設置在緩衝層111a上的至少一絕緣層覆蓋。舉例而言，第一金屬層MLa可被層間絕緣層111c覆蓋。
根據本公開一實施例的第一到第四中間圖案116a到116的第一金屬層MLa可透過第一通孔VH1電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其中第一通孔VH1通過設置在非連續部分115下的緩衝層111a。
根據本公開一實施例的第五中間圖案116e的第一金屬層MLa可透過第一通孔VH1電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其中第一通孔VH1通過設置在壩體部分117下的緩衝層111a。
根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可實現為點的形狀重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，或可實現為線狀在第一方向X重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。舉例而言，第五中間圖案116e的第一金屬層MLa可設置在壩體部分117中，且因此，可具有相對地大於第一到第四中間圖案116a到116d的第一金屬層MLa的尺寸，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可與設置在像素區域PA中的每個薄膜電晶體（TFT）的閘極電極一起實現，或可與每個TFT的源極/汲極電極一起實現。舉例而言，第一金屬層MLa可被實現為具有與每個TFT Tdr的閘極電極相同的材料及結構，或可被實現為具有與每個TFT Tdr的源極/汲極電極相同的材料及結構。
第二金屬層MLb可被實現為電性連接於第一金屬層MLa與路由線410之間。舉例而言，第二金屬層MLb可設置在鈍化層111d上重疊第一金屬層MLa，且可透過第二通孔（或上通孔）VH2電性連接於第一金屬層MLa，其中第二通孔（或上通孔）VH2依序地通過鈍化層111d及層間絕緣層111c。
根據本公開一實施例的第一到第四中間圖案116a到116d的第二金屬層MLb可設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1上重疊第一金屬層MLa，且可電性連接於第一金屬層MLa與路由線410之間。舉例而言，第一到第四中間圖案116a到116d的第二金屬層MLb可設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間，且可透過第二通孔（或上通孔）VH2電性連接於第一金屬層MLa，其中第二通孔（或上通孔）VH2依序地通過鈍化層111d與層間絕緣層111c。舉例而言，第一到第四中間圖案116a到116d的第二金屬層MLb可設置於第一線結構TS1與第二線結構TS2之間，進而增強第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力。
根據本公開一實施例的第五中間圖案116e的第二金屬層MLb可設置在壩體部分117的第一壩體117a與第一金屬層MLa之間，且可電性連接於第一金屬層MLa與路由線410之間。舉例而言，第五中間圖案116e的第二金屬層MLb可設置在壩體部分117的第一壩體117a與鈍化層111d之間，且可透過第二通孔（或上通孔）VH2電性連接於第一金屬層MLa，其中第二通孔（或上通孔）VH2依序地通過第一壩體117a下的鈍化層111d及層間絕緣層111c。舉例而言，第五中間圖案116e的第二金屬層MLb可設置在第一壩體117a與鈍化層111d之間，進而增強第一壩體117a與鈍化層111d之間的黏合力。
根據本公開一實施例的第二金屬層MLb可實現為與第一金屬層MLa相同的點狀或線狀。舉例而言，第五中間圖案116e的第二金屬層MLb可設置在壩體部分117中，且因此，可具有相對地大於第一到第四中間圖案116a到116d的第二金屬層MLb的尺寸，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第二金屬層MLb可與設置在像素區域PA中的像素電極PE一起實現。舉例而言，第二金屬層MLb可被實現為具有與像素電極PE相同的材料及結構。
參考圖13、14及17，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括一輔助線部分118，設置在置於除了第一基板100的周邊部分的一側以外的周邊部分的非連續部分115及壩體部分117的每一者中。
輔助線部分118可被稱為導電線部分。根據本公開一實施例的輔助線部分118可包括設置在壩體部分117中的第一到第五輔助線118a到118e。舉例而言，第一到第五輔助線118a到118e的每一條可被稱為導電線、電氣浮接線、導電輔助線或電氣浮接輔助線，但本公開的實施例不限於此。相鄰於該些路由線410的該些輔助線可包含第一導電結構重疊非連續部分115，其中第一導電結構可電性耦接於該些路由線410。該些輔助線可更包含第二導電結構位於第一導電結構上，第二導電結構重疊非連續部分115，其中第二導電結構可電性耦接於該些路由線410。
第一到第五輔助線118a到118e的每一條可被實現為與設置在像素區域PA中的像素電極PE有相同材料及結構。舉例而言，第一到第五輔助線118a到118e的每一條可與輔助圖案部分116的第二金屬層MLb一起形成。
第一到第五輔助線118a到118e的每一條可設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者中，以具有線狀。舉例而言，第一輔助線118a可設置在非連續部分115的第一非連續結構115a中。第二輔助線118b可設置在非連續部分115的第二非連續結構115b中。第三輔助線118c可設置在非連續部分115的第三非連續結構115c中。第四輔助線118d可設置在非連續部分115的第四非連續結構115d中。
根據本公開一實施例的第一到第四輔助線118a到118d的每一者可設置在鈍化層111d上重疊非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者。舉例而言，第一到第四輔助線118a到118d的每一者可設置在非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間，進而增強第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力。
非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1可包括一第三通孔VH3重疊第一到第四輔助線118a到118d的每一者。舉例而言，第三通孔VH3可依序通過實現第一線結構TS1的鈍化層111d及層間絕緣層111c。舉例而言，第三通孔VH3可與輔助圖案部分116的第一通孔VH1一起形成。據此，第一到第四輔助線118a到118d的每一者可設置在第一線結構TS1的鈍化層111d上，且可被插入第三通孔VH3。
第五輔助線118e可設置在壩體區域DA中以具有線狀。舉例而言，第五輔助線118e可設置在壩體部分117底下。舉例而言，第五輔助線118e可設置在壩體部分117與電路層111之間。
根據本公開一實施例的第五輔助線118e可設置在鈍化層111d上重疊壩體部分117。舉例而言，第五輔助線118e可設置在鈍化層111d與壩體部分117的第一壩體117a之間，進而增強鈍化層111d與第一壩體117a之間的黏合力。
壩體區域DA或壩體部分117可包括一第四通孔VH4重疊第五輔助線118e。舉例而言，第四通孔VH4可依序通過設置在壩體部分117的第一壩體117a底下的鈍化層111d及層間絕緣層111c。舉例而言，第四通孔VH4可與輔助圖案部分116的第二通孔VH2一起形成。據此，第五輔助線118e可設置在壩體部分117底下的鈍化層111d上且可被插入第四通孔VH4。
如上所述，相似於根據本公開一實施例的發光顯示器設備，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可具有未設有邊框區域的空氣邊框結構，且可避免或最小化發光層EL的劣化及/或由水分或濕氣傳輸導致其可靠度下降。並且，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括輔助圖案部分116設置在接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間，進而避免接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間的電氣或實體接觸瑕疵。並且，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括輔助圖案部分116設置於非連續部分115的第一到第四非連續結構115a到115d的每一者的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間，且設置在壩體部分117與電路層111之間，且因此，可加強第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力及壩體部分117與電路層111之間的黏合力。
參考圖16B及16C，這些圖式為圖16A中所示的實施例的變化。在圖16A中，路由線延伸進接觸孔CH（例如，CH1、CH2、CH3、CH4及CH5）。然而，在一些實施例中，路由線可僅延伸進其中一個接觸孔CH。舉例而言，圖16B為示出路由線延伸進第一接觸孔CH1的實施例。另一方面，圖16C為示出路由線延伸進第五接觸孔CH5的實施例。基於電路設計及特定電路佈置的特定需求，可考慮路由線延伸通過接觸孔的各種實施例。舉例而言，在一些電路佈置中，路由線可延伸通過2接觸孔（例如，CH2及CH4）。在其他電路佈置中，路由線可延伸通過3接觸孔（例如，CH1、CH3及CH4）。例如，佈置路由線為延伸通過所有的接觸孔CH1到CH5可具有確保顯示器裝置的運作的技術功效。舉例而言，在訊號線因各種原因（例如，製造錯誤、客戶使用錯誤等）而斷連的情況中，顯示器裝置仍可維持穩定的運作而不會有訊號的電氣斷連的情形。另外的功效還包括降低顯示器內的接觸點的電阻率（resistivity）。
如圖16C中所示的通過壩體部分117接觸還有其它功效。亦即，壩體部分117相對地大於及高於相鄰於壩體部分117的非連續部分115。據此，相較於透過非連續部分115建立電氣連接，將路由線延伸到透過壩體部分117電性連接接觸圖案部分是相對簡單的。在權衡技術功效的基礎上，可考慮路由線的各種連接。如圖16B中所示，透過將路由線延伸通過距離主動區域最遠的接觸孔，例如第一接觸孔CH1，從電阻的角度來看可具有技術功效，以及降低用於路由線的材料量的功效。參考圖14，圖14示出區塊「B4」內部分訊號線被電氣斷連。取決於用於連接特定線路（例如，高電位電壓EVDD線、參考電壓線、資料線、低電位電壓線EVSS等）所需的特定電路佈置，一些訊號線可被斷連，而其他訊號線的電性連接可依照需求透過接觸孔建立。
本領域具有通常知識者將很容易理解基於連接、佈置及延伸通過孔的路由線數量的預期的技術功效。
圖18為用於說明根據本公開另一實施例的像素驅動線、路由部分及輔助線部分之間的連接結構的圖，圖19係繪示沿圖18中所示的線IV-IVʹ的剖面圖，圖20係繪示沿圖18中所示的線V-Vʹ的剖面圖，圖21係繪示沿圖18中所示的線VI-VIʹ的剖面圖而圖22係繪示沿圖18中所示的線VII-VIIʹ的剖面圖。圖18到22繪示圖13到17中所示的輔助線部分被配置為訊號供應線的實施例。在圖18到22的說明中，以下僅說明輔助線部分及其相關元件，其他元件係以與圖13到17中相同的符號標記，且將省略其重複的說明。
參考圖18，根據本公開另一實施例的一輔助線部分118可包括第一到第五輔助線118a到118e設置在非連續部分115及壩體部分117中。
第一輔助線118a可被形成為在第一基板100上具有閉環線形式。舉例而言，設置在第一基板100的周邊部分的一側的輔助圖案部分116的第一中間圖案及設置在除了第一基板100的周邊部分的一側以外的周邊部分的輔助線部分118的第一輔助線118a可電性連接於彼此以具有閉環線形式。舉例而言，第一輔助線118a可被稱為第一閉環輔助線或第一導電閉環線，但本公開的實施例不限於此。
設置在第一基板100的周邊部分的一側的第一輔助線118a可設置為在第一方向X上跨過接觸圖案部分110。舉例而言，設置在第一基板100的周邊部分的一側的第一輔助線118a可設置在接觸圖案部分110與路由部分400之間第一非連續結構115a中。
第一輔助線118a可電性連接於第一基板100的周邊部分的一側的多條像素共同電壓線CVL。並且，第一輔助線118a可僅電性（或共同）連接於路由線411、413、415、417及419中的多條像素共同電壓路由線419，其中路由線411、413、415、417及419係設置在路由部分400中。舉例而言，第一輔助線118a可透過至少一第一路由接觸孔CH1電性連接於每一該些像素共同電壓路由線419的第一部分410a。
此外，第一輔助線118a可電性連接於在第一基板100的周邊部分的另一側（平行於第一基板100的周邊部分的該側）的每一該些像素共同電壓線CVL。舉例而言，第一輔助線118a可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的第五通孔VH5電性（或共同地）連接於另一側的每條像素共同電壓線CVL。
第一輔助線118a可設置在最外側第一基板100的周邊部分且維持與像素共同電壓線CVL相同的電位，且因此，可初階地切斷從外部流入顯示部分AA的靜電。舉例而言，第一輔助線118a可將從外部流入的靜電放電至像素共同電壓路由線419及/或像素共同電壓線CVL，進而避免由靜電造成的缺陷。
除了第一基板100的一側周邊部分外，第二及第三輔助線118b及118c的每一者可設置在另一側周邊部分。第二及第三輔助線118b及118c的每一者可電性連接於在第一基板100的一側周邊部分的一側（或一側角落部分）及另一側（或另一側角落部分）的該些像素驅動電力線PL中第一及最後一條像素驅動電力線PL。並且，第二及第三輔助線118b及118c的每一者可透過路由接觸孔CH2及CH3電性連接於多條像素驅動電力路由線411中第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a。
此外，第二及第三輔助線118b及118c的每一者可電性連接於在第一基板100的周邊部分的一側的每一該些像素驅動電力線PL。舉例而言，第二及第三輔助線118b及118c的每一者可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的第五通孔VH5電性（或共同地）連接於另一側的每一條像素驅動電力線PL。
第二及第三輔助線118b及118c的每一者可維持與像素驅動電力線PL相同的電位。第二及第三輔助線118b及118c的每一者可電性連接於像素驅動電力線PL，且因此，由每條像素驅動電力線PL的線電阻造成的像素驅動電力的壓降（或IR降）可被降低。
第四輔助線118d可形成為在第一基板100上具有閉環線形式。舉例而言，設置在第一基板100的周邊部分的一側的輔助圖案部分116的第四中間圖案及設置在除了第一基板100的周邊部分的一側外的周邊部分的輔助線部分118的第四輔助線118d可電性連接於彼此以具有閉環線形式。舉例而言，第四輔助線118d可被稱為第二閉環輔助線或第二導電閉環線，但本公開的實施例不限於此。
設置在第一基板100的周邊部分的一側的第四輔助線118d可設置為在第一方向X上跨過接觸圖案部分110。舉例而言，設置在第一基板100的周邊部分的一側的第四輔助線118d可設置在接觸圖案部分110與路由部分400之間的第四非連續結構115d中。
第四輔助線118d可電性連接於第一基板100的周邊部分的一側的多條像素共同電壓線CVL。並且，第四輔助線118d可僅電性連接於設置在路由部分400中的該些路由線411、413、415、417及419中的像素共同電壓路由線419。舉例而言，第四輔助線118d可透過至少一第四路由接觸孔CH4電性（或共同地）連接於每條像素共同電壓路由線419的第一部分410a。
此外，第四輔助線118d可電性連接於在第一基板100的周邊部分的另一側（平行於第一基板100的周邊部分的該側）的每一該些像素共同電壓線CVL。舉例而言，第四輔助線118d可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的第五通孔VH5電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。
第四輔助線118d可設置在壩體部分117的內部且維持與像素共同電壓線CVL相同的電位，且因此，可二次地截斷從外部流入顯示部分AA的靜電，進而避免靜電導致的瑕疵。舉例而言，第四輔助線118d可將從外部流入的靜電放電至像素共同電壓路由線419及/或像素共同電壓線CVL，進而避免靜電導致的瑕疵。
第五輔助線118e可設置在第一基板100除了一側周邊部分以外的另一側周邊部分。第五輔助線118e可電性連接於在第一基板100的一側周邊部分的一側（或一側角落部分）及另一側（或另一側角落部分）的該些像素驅動電力線PL中第一及最後一條像素驅動電力線PL。並且，第五輔助線118e可透過至少一第五路由接觸孔CH5電性連接於該些像素驅動電力路由線411中第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a。
此外，第五輔助線118e可電性連接於在第一基板100的周邊部分的一側的每一該些像素驅動電力線PL。舉例而言，第五輔助線118e可透過第六通孔VH6電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側，其中第六通孔VH6係在第一基板100的周邊部分的另一側。
第五輔助線118e可維持與像素驅動電力線PL相同的電位。第五輔助線118e可電性連接於像素驅動電力線PL，且因此，可降低由每條像素驅動電力線PL造成的線電阻像素驅動電力的壓降（或IR降）。
參考圖18及19，在本公開另一實施例中，第一輔助線118a可透過至少一第一路由接觸孔CH1電性連接於每條像素共同電壓路由線419的路由部分400的第一部分410a，其中至少一第一路由接觸孔CH1係位於設置在接觸圖案部分110中的像素共同電壓接觸圖案CCP上。並且，第一輔助線118a可透過第一通孔VH1電性連接於像素共同電壓接觸圖案CCP，其中第一通孔VH1係形成在設置在像素共同電壓接觸圖案CCP上的緩衝層111a中。此外，第一輔助線118a可透過設置在緩衝層111a的第一通孔VH1中的金屬層MLa電性連接於像素共同電壓接觸圖案CCP。
在本公開的另一實施例中，第四輔助線118d可透過至少一第四路由接觸孔CH4電性連接於每條像素共同電壓路由線419的路由部分400的第一部分410a，其中至少一第四路由接觸孔CH4位於設置在接觸圖案部分110中的像素共同電壓接觸圖案CCP上。並且，第四輔助線118d可透過第一通孔VH1電性連接於像素共同電壓接觸圖案CCP，其中第一通孔VH1係形成在設置在像素共同電壓接觸圖案CCP上的緩衝層111a中。此外，第四輔助線118d可透過設置在緩衝層111a的第一通孔VH1中的金屬層MLa電性連接於像素共同電壓接觸圖案CCP。
每條像素共同電壓路由線419的設置在路由部分400中的第一部分410a可透過至少一第一路由接觸孔CH1電性（或共同地）連接於第一輔助線118a，及透過至少一第四路由接觸孔CH4連接於第四輔助線118d，且可透過第一輔助線118a及第四輔助線118d電性（或共同地）連接於像素共同電壓接觸圖案CCP。並且，每條像素共同電壓路由線419的設置在路由部分400中的第一部分410a可透過所有的至少一第二路由接觸孔CH2、至少一第三路由接觸孔CH3及至少一第四路由接觸孔CH4電性（或共同地）連接於第二、第三及第五中間圖案116b、116c及116e，且可透過第二、第三及第五中間圖案116b、116c及116e電性（或共同地）連接於像素共同電壓接觸圖案CCP。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，一致的（uniform）像素共同電壓可被供至設置在第一基板100的顯示部分AA中的像素共同電壓線CVL，且因此，可加加強像素共同電壓的一致性。並且，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，因為在第一基板100上具有閉環線形式的第一及第四輔助線118a及118d電性連接於像素共同電壓線CVL可避免或最小化由從外部流入的靜電所造成的瑕疵。
參考圖18及20，在本公開另一實施例中，第一輔助線118a可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側，其中至少一第五通孔VH5係在第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第五通孔VH5可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於像素共同電壓線CVL的另一側與第一輔助線118a之間。至少一第五通孔VH5可與至少一第一通孔VH1一起形成。此外，第一輔助線118a可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。
第四輔助線118d可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側，其中至少一第五通孔VH5係在第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第五通孔VH5可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於像素共同電壓線CVL的另一側與第四輔助線118d之間。此外，第四輔助線118d可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。
本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括多個第一輔助接觸圖案SCCP。舉例而言，第一輔助接觸圖案SCCP可被稱為像素共同電壓輔助接觸圖案，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第一輔助接觸圖案SCCP可設置在與像素共同電壓線CVL同一層上，且可從設置在基板100的周邊部分另一側的每一條像素共同電壓線CVL的一端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個第一輔助接觸圖案SCCP可設置在像素共同電壓線CVL底下以重疊每條像素共同電壓線CVL的一端，其中像素共同電壓線CVL係設置在基板100的周邊部分的另一側及以具有相對寬的寬度，且可透過內部接觸孔電性連接於每條像素共同電壓線CVL的尾端。
第一輔助線118a可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地（in common））連接於第一輔助接觸圖案SCCP，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。此外，第一輔助線118a可透過透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第一輔助接觸圖案SCCP。
第四輔助線118d可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於第一輔助接觸圖案SCCP，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。此外，第四輔助線118d可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第一輔助接觸圖案SCCP。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，像素共同電壓可透過具有閉環線形式的第一及第四輔助線118a及118d被同時供至像素共同電壓線CVL的一側及另一側，且因此，像素共同電壓的一致性可被加強。並且，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，因為在第一基板100上具有閉環線形式的第一及第四輔助線118a及118d電性連接於像素共同電壓線CVL的一側及另一側，可避免或最小化由從外部流入的靜電所造成的瑕疵。
參考圖18及21，在本公開另一實施例中，第二輔助線118b可透過設置在接觸圖案部分110中的第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP上的至少一第二路由接觸孔CH2，電性連接於路由部分400中的第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a。並且，第二輔助線118b可透過形成在設置在第一及最後一條像素驅動電力接觸圖案PCP上的緩衝層111a中的電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP。此外，第二輔助線118b可透過設置在緩衝層111a的第一通孔VH1中的金屬層MLa電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP。
第三輔助線118c可透過在設置在接觸圖案部分110中的第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP上的至少一第三路由接觸孔CH3，電性連接於路由部分400的第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a。並且，第三輔助線118c可電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP透過形成在設置在第一及最後一條像素驅動電力接觸圖案PCP上的緩衝層111a中的第一通孔VH1。此外，第三輔助線118c可透過設置在緩衝層111a的第一通孔VH1中的金屬層MLa電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP。
第五輔助線118e可透過至少一第五路由接觸孔CH5電性連接於路由部分400的第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a，其中至少一第五路由接觸孔CH5位於設置在接觸圖案部分110中的第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP上。並且，第五輔助線118e可透過形成在設置在第一及最後一條像素驅動電力接觸圖案PCP上的緩衝層111a中的第一通孔VH1，電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP。此外，第五輔助線118e可透過設置在緩衝層111a的第一通孔VH1中的金屬層MLa電性連接於第一及最後一個像素驅動電力接觸圖案PCP。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，第一及最後一條像素驅動電壓線PL設置在第一基板100的顯示部分AA中可電性連接於第二、第三及第五輔助線118b、118c及118e的每一條，且因此，由每條像素驅動電力線PL的線電阻造成的像素驅動電力的壓降（或IR降）可被降低。
參考圖18及22，在本公開另一實施例中，第二輔助線118b可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第五通孔VH5可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於每條像素驅動電力線PL的一側與第二輔助線118b之間。此外，第二輔助線118b可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側。
第三輔助線118c可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第五通孔VH5可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於每條像素驅動電力線PL的一側與第四輔助線118d之間。此外，第三輔助線118c可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側。
第五輔助線118e可透過至少一第六通孔VH6電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側，其中至少一第六通孔VH6係位於第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第六通孔VH6可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於每條像素驅動電力線PL的一側與第四輔助線118d之間。至少一第六通孔VH6可與至少一第五通孔VH5一起形成。此外，第五輔助線118e可透過設置在緩衝層111a的第六通孔VH6中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於每條像素驅動電力線PL的一側。
本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括多個第二輔助接觸圖案SPCP。舉例而言，第二輔助接觸圖案SPCP可被稱為像素驅動電力輔助接觸圖案。
根據本公開一實施例的第二輔助接觸圖案SPCP可設置在與像素驅動電力線PL同一層上，且可從設置在基板100的周邊部分另一側的每一條像素驅動電力線PL的一端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個第二輔助接觸圖案SPCP可設置在像素驅動電力線PL底下，以重疊每條像素驅動電力線PL的一端，其中像素驅動電力線PL係設置在基板100的周邊部分的另一側及以具有相對寬的寬度，且可透過內部接觸孔電性連接於每條像素驅動電力線PL的尾端。
第二輔助線118b可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。此外，第二輔助線118b可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP。
第三輔助線118c可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。此外，第三輔助線118c可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP。
第五輔助線118e可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的至少一第六通孔VH6電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP。此外，第五輔助線118e可透過設置在緩衝層111a的第六通孔VH6中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第二輔助接觸圖案SPCP。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，像素驅動電力可被同時供至每條像素驅動電力線PL的一側及另一側，且因此，可降低由每條像素驅動電力線PL的線電阻造成的像素驅動電力的壓降（或IR降），而可加強像素驅動電力的均勻度可。
此外，在圖18到22中，第三輔助線118c可被實現為不電性連接於像素驅動電力線PL，及形成為如第一及第四輔助線118a及118d的及電性連接於像素共同電壓線CVL。
圖23為繪示用於說明根據本公開另一實施例的像素驅動線、路由部分及輔助線部分之間的連接結構的圖式，且繪示了透過修改圖18到22中所示的第五輔助線而實現的實施例。在圖23的說明中，僅第五輔助線及其相關元件會於下說明，其他元件以與圖18到22相同的符號標記，且將省略其重複的說明。
參考圖23，在本公開另一實施例中，第五輔助線118e可作為參考電壓供應線，用於二次地供應參考電壓至多條參考電壓線RL。
根據本公開一實施例的第五輔助線118e可形成為電性連接於設置在接觸圖案部分110中的多個參考接觸圖案RCP中的第一及最後一個參考電壓接觸圖案RCP。
第五輔助線118e可透過至少一第五路由接觸孔CH5電性連接於多條參考電壓路由線415中的第一及最後一條參考電壓路由線415的第一部分。並且，第五輔助線118e可透過形成在設置在第一及最後一個參考電壓接觸圖案RCP上的緩衝層111a中的第一通孔，電性連接於第一及最後一個參考電壓接觸圖案RCP。此外，第五輔助線118e可透過設置在緩衝層111a的第一通孔中的金屬層電性連接於第一及最後一個參考電壓接觸圖案RCP。
此外，第五輔助線118e可電性（或共同地）連接於參考電壓線RL在第一基板100的周邊部分的另一側。舉例而言，第五輔助線118e可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的第六通孔VH6電性（或共同地）連接於每條參考電壓線RL的另一側。
第五輔助線118e可維持與每條參考電壓線RL相同的電位。第五輔助線118e可電性連接於參考電壓線RL，且因此，可降低由每條參考電壓線RL的線電阻造成的參考電壓的壓降（IR降）。
根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括多個第三輔助接觸圖案SRCP。舉例而言，第三輔助接觸圖案SRCP可被稱為參考電壓輔助接觸圖案，但本公開的實施例不限於此。
根據本公開一實施例的第三輔助接觸圖案SRCP可設置在與參考電壓線RL同一層上，且可從設置基板100的周邊部分另一側在每條參考電壓線RL的一端延伸（或放大）到基板100的外表面OS，以具有相對寬的寬度。根據本公開另一實施例，每個第三輔助接觸圖案SRCP可設置在參考電壓線RL底下，以重疊每條參考電壓線RL的一端，其中參考電壓線RL係設置在基板100的周邊部分的另一側及以具有相對寬的寬度，且可透過內部接觸孔電性連接於每條參考電壓線RL的尾端。
第五輔助線118e可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的至少一第六通孔VH6電性（或共同地）連接於第三輔助接觸圖案SRCP。此外，第五輔助線118e可透過設置在緩衝層111a的第六通孔VH6中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第三輔助接觸圖案SRCP。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，參考電壓可被同時供應至每條參考電壓線RL的一側及另一側，且因此，可降低由每條參考電壓線RL的線電阻造成的參考電壓的壓降（IR降），且參考電壓的均勻度可被加強。
圖24為繪示用於說明根據本公開另一實施例的像素驅動線、路由部分及輔助線部分之間的連接結構的圖式，圖25係繪示在圖24中的區塊B6的放大圖，而圖26係繪示沿圖25中所示的線VIII-VIIIʹ的剖面圖。圖24到26繪示了圖13到17中所示的輔助線部分被配置為像素共同電壓供應線的實施例。在圖24到26的說明中，僅輔助線部分及其相關元件會於下說明，其他元件以與圖13到17中相同的符號標記，且將省略其重複的說明。
參考圖24到26，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括至少一輔助連接線SCL設置在第一基板100上。
至少一輔助連接線SCL可設置為平行於第二方向Y，且可設置為跨過輔助線部分118。舉例而言，至少一輔助連接線SCL可設置為平行於第二方向Y，且可設置為跨過輔助線部分118的第一到第五輔助線118a到118e。
至少一輔助連接線SCL可設置在像素共同電壓線CVL與同一層上。
至少一輔助連接線SCL可電性（或共同地）連接於輔助線部分118的第一到第五輔助線118a到118e的每一者。
至少一輔助連接線SCL可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於第一到第四輔助線118a到118d的每一者。至少一第五通孔VH5可形成在緩衝層111a中，其中緩衝層111a係設置在至少一輔助連接線SCL與第一到第四輔助線118a到118d的每一者之間的重疊區中。至少一第五通孔VH5可與至少一第一通孔VH1一起形成。此外，至少一輔助連接線SCL可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第一到第四輔助線118a到118d的每一者。
至少一輔助連接線SCL可透過至少一第六通孔VH6電性（或共同地）連接於第五輔助線118e。至少一第六通孔VH6可與至少一第五通孔VH5一起形成。此外，至少一輔助連接線SCL可透過設置在緩衝層111a的第六通孔VH6中的金屬層MLa電性（或共同地）連接於第五輔助線118e。
在本公開的另一實施例中，第四輔助線118d可形成為在第一基板100上具有閉環線形式。舉例而言，設置在第一基板100的周邊部分的一側的輔助圖案部分116的第四中間圖案及設置在除了第一基板100的周邊部分的一側外的周邊部分的輔助線部分118的第四輔助線118d可電性連接於彼此以具有閉環線形式。第四輔助線118d可實質上相同於上述參考圖18及19說明的第四輔助線118d，且因此，將省略其重複說明。舉例而言，在本實施例中，第四輔助線118d可被稱為閉環輔助線或導電閉環線，但本公開的實施例不限於此。
輔助線部分118的第一到第五輔助線118a到118e的每一者可維持與像素共同電壓線CVL相同的電位，且因此，可截斷從外部流入顯示部分AA的靜電，進而避免靜電導致的瑕疵。
在本公開的另一實施例中，輔助線部分118的第一到第五輔助線118a到118e的每一者可電性（或共同地）連接於在第一基板100的周邊部分的另一側的像素共同電壓線CVL的另一側。
第一到第四輔助線118a到118d的每一者可透過至少一第五通孔VH5電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側，其中至少一第五通孔VH5係位在第一基板100的周邊部分的另一側。至少一第五通孔VH5可形成在設置在像素共同電壓線CVL的另一側與第一到第四輔助線118a到118d的每一者之間的重疊區中的緩衝層111a中。此外，第一到第四輔助線118a到118d的每一者可透過設置在緩衝層111a的第五通孔VH5中的金屬層電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。
第五輔助線118e可透過在第一基板100的周邊部分的另一側的至少一第六通孔VH6電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。至少一第六通孔VH6可形成在設置在一重疊區中的緩衝層111a中，其中該重疊區係位於像素共同電壓線CVL的另一側與第五輔助線118e之間。此外，第五輔助線118e可設置在緩衝層111a的第六通孔VH6中的金屬層電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側。
因此，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，像素共同電壓可透過輔助線部分118被同時供至像素共同電壓線CVL的一側及另一側，且因此，像素共同電壓的一致性可進一步被加強。並且，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可包括在第一基板100上具有閉環線形式的第五輔助線118e及電性連接於第五輔助線118e的第一及第四輔助線118a及118d，且因此，由從外部流入的靜電造成的瑕疵可被較佳地避免或更最小化。
圖27係說明根據本公開另一實施例的發光顯示器設備的圖式，圖28係繪示沿圖27中所示的線IX-IXʹ的剖面圖，而圖29係繪示在圖28中的區塊B7的放大圖。區塊B7包括基板的周邊部分，其亦相鄰於基板的外表面（或最外側表面）。圖28繪示了周邊部分相鄰於第一基板100的第一外表面OS1a。圖27到29繪示了透過修改圖9到12中所示的發光顯示器設備中的壩體部分而實現的實施例。在圖27到29的說明中，僅壩體部分及其相關元件會於下說明，其他元件以與圖9到12相同的符號標記，且將省略其重複的說明。
參考圖27到29，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，壩體部分117可包括平行設置的一第一壩體部分117-1及一第二壩體部分117-2。
第一壩體部分117-1可設置在電路層111上以在第一基板100的第二區中具有閉環線形式。根據本公開一實施例的第一壩體部分117-1可設置在電路層111的緩衝層111a上。第一壩體部分117-1可初階地避免封裝層119的擴散或封裝層119的溢流。並且，第一壩體部分117-1可斷連（或隔離）發光裝置層113。
第二壩體部分117-2可設置在電路層111上以具有圍繞第一基板100的第二區塊中的第一壩體部分117-1的閉環線形式。根據本公開一實施例的第二壩體部分117-2可設置在電路層111的緩衝層111a上。第二壩體部分117-2可二次地避免封裝層119的擴散或封裝層119的溢流。並且，第二壩體部分117-2可額外地斷連（或隔離）發光裝置層113。
根據本公開一實施例的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者可包括一壩體線結構DTS、一第一壩體117a及一第二壩體117b。
壩體線結構DTS可設置在電路層111中。根據本公開一實施例的壩體線結構DTS可實現為設置在第一基板100的壩體區域DA中的層間絕緣層111c及鈍化層111d的堆疊結構。壩體線結構DTS可透過執行在層間絕緣層111c及鈍化層111d上的圖案化製程形成。
根據本公開一實施例的壩體線結構DTS的側表面可實現為傾斜結構或正（forward）梯形結構。壩體線結構DTS的底表面可直接接觸緩衝層111a的頂表面（或表面），而壩體線結構DTS的頂表面可設置在壩體線結構DTS上的底表面且寬度可窄於壩體線結構DTS的底表面。壩體線結構DTS的側表面可形成為在頂表面與壩體線結構DTS的底表面之間傾斜。在壩體線結構DTS中，底表面與側表面之間包括的角度可為銳角，而頂表面與側表面之間包括的角度可為鈍角。舉例而言，沿寬度方向的壩體線結構DTS的截面表面可具有梯形形狀的橫截面結構，其中頂表面比底表面窄。
根據本公開另一實施例，當層間絕緣層111c不設置在第一基板100的周邊部分時，壩體線結構DTS可僅以鈍化層111d實現。壩體線結構DTS可透過執行在設置在第一基板100的第二區塊中的鈍化層111d上的圖案化製程形成。
第一壩體（或下壩體）117a可設置在壩體線結構DTS上。第一壩體117a的寬度可寬於壩體線結構DTS的頂表面的寬度。第一壩體117a的寬度可寬於或等於壩體線結構DTS的底表面的寬度。舉例而言，第一壩體117a的側表面可可實現為傾斜結構或梯形結構。舉例而言，沿寬度方向的第一壩體117a的截面可具有與壩體線結構DTS相同的梯形形狀。相對於寬度方向，第一壩體117a的一側周邊部分及另一側周邊部分的每一者可突出到壩體線結構DTS的側表面外。
根據本公開一實施例，壩體線結構DTS的側表面相對於第一壩體117a可具有底切結構。舉例而言，第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者可包括壩體線結構DTS與第一壩體117a之間的邊界部分或設置在壩體線結構DTS的上側表面上的底切區塊。第一壩體117a可基於壩體線結構DTS的底切結構突出到壩體線結構DTS的側表面外，且因此，可覆蓋壩體線結構DTS的側表面。據此，第一壩體117a可相對於壩體線結構DTS具有屋簷結構。
根據本公開一實施例的第一壩體117a可具有與平面化層112相同的高度（或厚度），或可具有高於平面化層112的高度。舉例而言，第一壩體117a的高度（或厚度）可為平面化層112的高度（或厚度）的兩倍。
第二壩體（或上壩體）117b可設置在第一壩體117a上。根據本公開一實施例的第二壩體117b可包括與岸體114相同的材料，且可堆疊在第一壩體117a上。舉例而言，第二壩體117b的側表面可實現為傾斜結構或正梯形結構。舉例而言，第二壩體117b沿寬度方向的截面的截面結構可具有與第一壩體117a相同的梯形形狀。
根據本公開一實施例的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者可斷連（或隔離）發光裝置層113的發光層EL，或可斷開（或分離）發光層EL及共同電極CE。舉例而言，形成（或沉積）在壩體部分117上的發光層EL可在執行沉積製程的過程中被第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者的底切結構（或屋簷結構）自動地斷連（或隔離），而不需各別的切割製程。因此，設置在第一基板100上的發光層EL可在第一基板100的壩體區域DA中斷連（或隔離）兩次，且可包括兩個非連續區塊（或隔離區塊）。舉例而言，發光層EL的沉積材料可具有線性，且因此，可基於第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者的底切結構（或屋簷結構）不沉積在被第一壩體117a覆蓋的壩體線結構DTS的側表面上。因此，形成（或沉積）在第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2上的發光層EL可在壩體線結構DTS與第一壩體117a之間被斷連（或隔離）。據此，在執行沉積製程的過程中，發光層EL可被壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2自動地斷連（或隔離），且因此，用於斷連（或隔離）設置在第一基板100的周邊部分以避免側向的水分或濕氣傳輸的發光層EL的各別的圖案化製程可被省略。
可選地，設置在發光層EL上的共同電極CE可在沉積製程的過程中，基於沉積被壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2自動地斷連（或隔離），或可沉積在壩體線結構DTS的側表面上，其中壩體線結構DTS的側表面被第一壩體117a覆蓋且可被連續地形成而無非連續區塊。
在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，非連續部分115可被實現為至少一次斷連（或隔離）設置在第一基板100的第二區塊中的發光裝置層113。
根據本公開一實施例的非連續部分115可包括一第一非連續部分115a及一第二非連續部分115b，第一非連續部分115a具有閉環線形式且圍繞壩體部分117，第二非連續部分115b被壩體部分117圍繞且具有閉環線形式。
第一非連續部分115a可包括第一線結構TS1及第二線結構TS2。第一非連續部分115a可實質上相同於以上參考圖9到12說明的第一非連續部分115a，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且省略它們的重複描述。
第二非連續部分115b可包括第一線結構TS1及第二線結構TS2。第二非連續部分115b可實質上相同於以上參考圖9到12說明的第四非連續部分115d，且因此，相同的附圖標記指代相同的元件並且省略它們的重複描述。
在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，路由部分400可透過路由接觸孔CH電性連接於接觸圖案部分110，其中路由接觸孔CH通過設置在接觸圖案部分110上的壩體部分117及非連續部分115的至少一者。除了路由部分400透過多個路由接觸孔（例如，第一到第四路由接觸孔）CH1到CH4電性連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP外，路由部分400可實質上相同於以上參考圖9到12說明的路由部分，且因此，省略了其重複的說明，其中該些路由接觸孔（例如，第一到第四路由接觸孔）CH1到CH4通過壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2及非連續部分115的第一及第二非連續部分115a及115b的每一者。
此外，路由部分400可僅透過第一及第二路由接觸孔CH1及CH2電性連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，其中第一及第二路由接觸孔CH1及CH2通過壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的每一者，且在這個情況下，通過非連續部分115的第一及第二非連續部分115a及115b的每一者的第三及第四路由接觸孔CH3及CH4可被省略。
如上所述，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，可更確定地避免由壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2造成的封裝層119的溢流，而發光裝置層113可被壩體部分117的第一壩體部分117-1及第二壩體部分117-2的底切結構斷連（或隔離），使非連續部分115的數量可降低或最小化。
圖30為用於說明根據本公開另一實施例的發光顯示器設備的圖式，圖31為沿圖30中所示的線X-Xʹ的截面圖，而圖32係繪示在圖31中的區塊B8的放大圖。區塊B8包括基板的周邊部分，其亦相鄰於基板的外表面（或最外側表面）。圖31繪示了周邊部分相鄰於第一基板100的第一外表面OS1a。圖30到32繪示了輔助線部分被加入圖27到29中所示的發光顯示器設備的實施例。在圖30到32的說明中，僅壩體部分及其相關元件會於下說明，其他元件以與圖27到29相同的符號標記，且將省略其重複的說明。
參考圖30到32，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括一輔助圖案部分116設置於連接於多條像素驅動線PL、DL、RL、GCL及CVL的接觸圖案部分110與路由部分400之間。輔助圖案部分116的結構可實質上相同於圖13到16中所示輔助圖案部分116，且因此，將省略其重複描述或將僅簡單描述。
根據本實施例的輔助圖案部分116可包括第一到第四中間圖案116a到116d電性連接於接觸圖案部分110的接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由部分400的路由線410之間。
第一及第二中間圖案116a及116b的每一者可設置在壩體部分117中。
第一中間圖案116a可設置在壩體部分117的第一壩體部分117-1中。舉例而言，第一中間圖案116a可設置在第一壩體117a與第一壩體部分117-1的壩體線結構DTS之間，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間。
第二中間圖案116b可設置在壩體部分117的第二壩體部分117-2中。舉例而言，第二中間圖案116b可設置在第一壩體117a與第二壩體部分117-2的壩體線結構DTS之間，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間。
第三及第四中間圖案116c及116d的每一者可設置在非連續部分115中。
第三中間圖案116c可設置在非連續部分115的第一非連續結構115a中。舉例而言，第三中間圖案116c可設置在第一非連續結構115a的第一線結構TS1上，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間。
第四中間圖案116d可設置在非連續部分115的第二非連續結構115b中。舉例而言，第四中間圖案116d可設置在第二非連續結構115b的第一線結構TS1上，且可電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間。
第一到第四中間圖案116a到116d的每一者可避免接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間由接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間的距離造成的電性或實體接觸瑕疵。
根據本實施例的第一到第四中間圖案116a到116d的每一者可包括第一金屬層MLa及第二金屬層MLb。
根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可實現在緩衝層111a上以電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。舉例而言，第一金屬層MLa可設置在緩衝層111a上重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，且可透過通過緩衝層111a的第一通孔VH1電性連接於接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。舉例而言，根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可實現為點狀重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP，或可實現為線狀在第一方向X上重疊接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP。根據本公開一實施例的第一金屬層MLa可被實現為具有與設置在像素區域PA中的每個TFT Tdr的閘極電極相同的材料及結構，或可被實現為具有與每個TFT Tdr的源極/汲極電極相同的材料及結構。
第二金屬層MLb可被實現為電性連接於第一金屬層MLa與路由線410之間。舉例而言，第二金屬層MLb可設置在鈍化層111d上重疊第一金屬層MLa，且可透過第二通孔VH2電性連接於第一金屬層MLa，其中第二通孔VH2依序地通過鈍化層111d及層間絕緣層111c。根據本公開一實施例的第二金屬層MLb可實現為與第一金屬層MLa相同的點狀或線狀。根據本公開一實施例的第二金屬層MLb可被實現為具有與設置在像素區域PA中的像素電極PE相同的材料及結構。
第一及第二中間圖案116a及116b的每一者的第二金屬層MLb可加強壩體部分117的壩體線結構DTS與第一壩體之間的黏合力。第三及第四中間圖案116c及116d的每一者的第二金屬層MLb可加強非連續部分115的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力。
根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括一輔助線部分118可設置在除了周邊部分外，設置於第一基板100的另一部分的壩體部分117及非連續部分115的每一者中。輔助線部分118的結構可實質上相同於圖1313、14及17中所示的輔助線部分118，且因此，將省略其重複說明或將僅簡單描述。
根據本公開的輔助線部分118可包括第一到第四輔助線118a到118d設置在非連續部分115及壩體部分117中。
第一到第四輔助線118a到118d的每一者可電性浮接。根據本公開一實施例的第一到第四輔助線118a到118d的每一者可被實現為具有與設置在像素區域PA中的像素電極PE相同的材料及結構。舉例而言，第一到第四輔助線118a到118d的每一者可與輔助圖案部分116的第二金屬層MLb一起形成。
第一及第二輔助線118a及118b的每一者可設置在壩體部分117中。
第一輔助線118a可設置在壩體部分117的第一壩體部分117-1中。舉例而言，第一輔助線118a可設置在第一壩體117a與第一壩體部分117-1的壩體線結構DTS之間。
第二輔助線118b可設置在壩體部分117的第二壩體部分117-2中。舉例而言，第二輔助線118b可設置在第一壩體117a與第二壩體部分117-2的壩體線結構DTS之間。
第一及第二輔助線118a及118b可加強壩體部分117的第一壩體117a與壩體線結構DTS之間的黏合力。
第三及第四輔助線118c及118d的每一者可設置在非連續部分115中。
第三輔助線118c可設置在非連續部分115的第一非連續結構115a中。舉例而言，第三輔助線118c可設置在第一非連續結構115a的第一線結構TS1上。
第四輔助線118d可設置在非連續部分115的第二非連續結構115b中。舉例而言，第四輔助線118d可設置在第二非連續結構115b的第一線結構TS1上。
第三及第四輔助線118c及118d可加強非連續部分115的第一線結構TS1與第二線結構TS2之間的黏合力。
如上所述，根據本公開另一實施例的發光顯示器設備可更包括輔助圖案部分116設置在接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間，進而避免接觸圖案PCP、DCP、RCP、GCP及CCP與路由線410之間的電氣或實體接觸瑕疵。
此外，在根據本公開另一實施例的發光顯示器設備中，輔助線部分118可作為訊號供應線，如圖18到26中的發光顯示器設備所示。
根據本公開一實施例，如圖18到22所示，第一及第二輔助線118a及118b的每一者可電性連接於在第一基板100的周邊部分的一側的一側（或一側角落部分）及另一側（或另一側角落部分）的該些像素驅動電力線PL中第一及最後一條像素驅動電力線PL，且可透過至少一路由接觸孔CH2及CH3電性連接於多條像素驅動電力路由線411中第一及最後一條像素驅動電力路由線411的每一者的第一部分410a。此外，第一及第二輔助線118a及118b的每一者可電性（或共同地）連接於在第一基板100的周邊部分的另一側的每條像素驅動電力線PL的一側。據此，因為像素驅動電力線PL連接於第一及第二輔助線118a及118b，可降低由每條像素驅動電力線PL的線電阻造成的像素驅動電壓的壓降（IR降），且因此，可加強像素驅動電力的均勻度。
根據本公開一實施例，如圖18到22所示，第三及第四輔助線118c及118d的每一者可形成為在第一基板100上具有閉環線形式。第三及第四輔助線118c及118d的每一者可電性連接於第一基板100的周邊部分的一側的多條像素共同電壓線CVL，且可透過至少一路由接觸孔CH3及CH4僅電性連接於每一該些像素共同電壓路由線419的第一部分410a。此外，第三及第四輔助線118c及118d的每一者可電性（或共同地）連接於像素共同電壓線CVL的另一側在第一基板100的周邊部分的另一側。據此，第三及第四輔助線118c及118d的每一者可維持與像素共同電壓線CVL相同的電位，且因此，可截斷從外部流入顯示部分AA的靜電，進而避免靜電導致的瑕疵。
根據本公開一實施例，如圖23所示，第一及第二輔助線118a及118b或第四輔助線118d的其中一者可形成為電性連接於設置在接觸圖案部分110中的該些參考電壓接觸圖案RCP中第一及最後一個參考電壓接觸圖案RCP。此外，第一及第二輔助線118a及118b或第四輔助線118d的其中一者可電性（或共同地）連接於在第一基板100的周邊部分的另一側的每一該些參考電壓線RL的另一側。據此，因為參考電壓線RL連接於第一及第二輔助線118a及118b或第四輔助線118d的其中一者，可降低由每條參考電壓線RL的線電阻造成的參考電壓的壓降（IR降），且因此，可加強參考電壓的均勻度。
根據本公開一實施例，如圖24到26所示，第一到第四輔助線118a到118d可透過輔助連接線SCL電性（或共同地）連接於彼此。並且，第四輔助線118d可形成為在第一基板100上具有閉環線形式，且可形成為僅電性連接於設置在接觸圖案部分110中的像素共同電壓接觸圖案CCP。據此，第一到第四輔助線118a到118d的每一者可維持與像素共同電壓線CVL相同的電位，且因此，可截斷從外部流入顯示部分AA的靜電，進而避免靜電導致的瑕疵。
圖33係繪示根據本公開一實施例的多螢幕顯示器設備，圖34係繪示沿圖33中所示的線XI-XIʹ的剖面圖。圖33及34繪示了透過拼鋪（tiling）圖1到30中所示的根據本公開一實施例的發光顯示器設備而實現的多螢幕顯示器設備。
參考圖33及34，根據本公開一實施例的多螢幕顯示器設備（或拼鋪顯示器設備）可包括多個顯示器裝置DM1到DM4。
該些顯示器裝置DM1到DM4可各顯示個別的影像或可分區地顯示一個影像。每一該些顯示器裝置DM1到DM4可包括圖1到30中所示的根據本公開一實施例的發光顯示器設備，且因此，將省略其重複說明或將僅簡單描述。圖34中所示的每一該些顯示器裝置DM1到DM4繪示了圖13到17中所示的發光顯示器設備，但本公開的實施例不限於此。
該些顯示器裝置DM1到DM4可拼鋪在各別的拼鋪框（frame）以在其側表面彼此接觸。舉例而言，該些顯示器裝置DM1到DM4可拼鋪為具有N×M的形式，進而實現具有大螢幕的多螢幕顯示器設備。舉例而言，N為等於1或大於1的正整數，而M為等於2或大於2的正整數，但本公開的實施例不限於此，例如，N為等於2或大於2的正整數，而M為等於1或大於1的正整數。
每一該些顯示器裝置DM1到DM4可不包括圍繞顯示影像的所有顯示區域AA的邊框區域（或非顯示區域），且可具有顯示區域AA被空氣圍繞的空氣邊框結構。舉例而言，在每一該些顯示器裝置DM1到DM4中，所有的第一基板100的第一表面可被實現為顯示區域AA。
根據本實施例，在每一該些顯示器裝置DM1到DM4中，第一基板100的最外側像素Po的中心部分CP與最外側外表面（或從基板100的外表面垂直地延伸的垂直延伸線VL）之間的第二間隔D2可被實現為相鄰像素之間的第一間隔D1（或像素間距）的一半或更少。據此，在基於側偶接方式沿第一方向X及第二方向Y在其側表面彼此連接（或接觸）的兩個相鄰顯示器裝置中，相鄰最外側像素區域PAo之間的間隔「D2+D2」可等於或小於兩個相鄰像素之間的第一間隔D1。
參考圖34，在沿第二方向Y在其側表面彼此連接（或接觸）的第一及第三顯示器裝置DM1及DM3中，第一顯示器裝置DM1的最外側像素Po的中心部分CP與第三顯示器裝置DM3的最外側像素Po的中心部分CP之間的間隔「D2+D2」可等於或小於設置在第一及第三顯示器裝置DM1及DM3的每一者中的兩個相鄰像素之間的第一間隔D1（或像素間距）。
因此，在沿第一方向X及第二方向Y在其側表面彼此連接（或接觸）的兩個相鄰顯示器裝置的最外側像素Po的中心部分CP之間的間隔「D2+D2」可等於或小於設置在顯示器裝置DM1到DM4的每一者中的兩個相鄰像素之間的第一間隔D1，且因此，兩個相鄰顯示器裝置之間可不具有縫隙或或邊界部分，使顯示器裝置DM1到DM4之間的邊界部分不具有暗區。因此，在以N×M形式由該些顯示器裝置DM1、DM2、DM3及DM4拼鋪成的多螢幕顯示器裝置上顯示的影像可被連續地顯示，而不會該些顯示器裝置DM1、DM2、DM3及DM4之間的邊界有斷連（或不連續）的感覺。
在圖33及34中，其係繪示為該些顯示器裝置DM1到DM4拼鋪為2×2的形式，但本公開的實施例不限於此，且該些顯示器裝置DM1到DM4可拼鋪為x×1的形式、1×y的形式或x×y的形式。舉例而言，x及y可為彼此相等或相異的二或更大的自然數。
如上所述，在每一該些顯示器裝置DM1到DM4的顯示區域AA為一個螢幕且顯示一個影像的狀況中，根據本公開的多螢幕顯示器設備可顯示不斷連且在該些顯示器裝置DM1到DM4之間的邊界部分為連續的影像，且因此，可加強觀看者觀看由多螢幕顯示器設備顯示的影像的沉浸感。
本公開還可以提供如下文及本文別處所述的多個附加特徵及實施例。
在一些實施例中，一種發光顯示器設備可包含：一基板，具有前周邊部分及一外表面；一顯示部分包括設置在該基板上的多個像素區域；一電路層包括多條像素驅動線設置在該些像素區域中；一發光顯示器裝置層包括設置在該些像素區域中的該電路層上的一發光層；一封裝層設置在該發光裝置層上；以及一路由部分圍繞該基板的一前周邊部分及外表面，該路由部分包括多條路由線經過設置在該基板的該前周邊部分的該封裝層以連接於該些像素驅動線。
該發光顯示器設備可更包含一接觸圖案部分，包括多個接觸圖案設置在該電路層上且連接於該些像素驅動線，其中該些路由線通過設置在該基板的一周邊部分的該封裝層且電性耦接於該些接觸圖案。
該發光顯示器設備可具有每一該些接觸圖案設置在與該些像素驅動線同一層上且從每一該些像素驅動線延伸。
該發光顯示器設備可更包含多個輔助圖案電性耦接於該些接觸圖案與該些路由線之間。
該發光顯示器設備可具有每一該些輔助圖案包含：一第一金屬層電性耦接於該些接觸圖案的對應的接觸圖案；以及一第二金屬層設置在該第一金屬層上，且電性耦接於該些路由線的對應的路由線。
該發光顯示器設備可具有該電路層，該電路層包含一緩衝層設置在該些像素驅動線及該些接觸圖案上；以及至少一絕緣層設置在該緩衝層上；及每一該些輔助圖案包含：一第一金屬層設置在該緩衝層上重疊該些接觸圖案，且透過形成在該緩衝層上的一第一通孔電性耦接於該些接觸圖案；及一第二金屬層設置在該至少一絕緣層上重疊該第一金屬層，且透過形成在該至少一絕緣層上的一第二通孔電性耦接於該第一金屬層，及該些路由線透過一路由接觸孔電性耦接於每一該些輔助圖案的該第二金屬層，其中該路由接觸孔通過該封裝層。
該發光顯示器設備可更包含一壩體部分沿該基板的該周邊部分設置在該電路層上，其中該封裝層包含：一第一封裝層設置在該發光裝置層及該壩體部分上；一第二封裝層設置在該第一封裝層上且被該壩體部分圍繞；以及一第三封裝層設置在該壩體部分上的該第一封裝層及該第二封裝層，其中該些路由線透過一路由接觸孔電性耦接於該些接觸圖案，其中該路由接觸孔通過該第三封裝層、該第一封裝層及該壩體部分。
該發光顯示器設備可更包含多個輔助圖案設置在該壩體部分中，且電性耦接於該些接觸圖案與該些路由線之間。
該發光顯示器設備可具有該壩體部分，該壩體部分包含：一第一壩體部分沿該基板的該周邊部分設置在該電路層上；以及一第二壩體部分設置在該電路層上以圍繞第一壩體部分，其中該些路由線透過至少一第一路由接觸孔通過電性耦接於該些接觸圖案，其中該至少一第一路由接觸孔通過該第三封裝層、該第一封裝層及該第一壩體部分，及透過至少一第二路由接觸孔電性耦接於該些接觸圖案，其中該至少一第二路由接觸孔通過該第三封裝層、該第一封裝層及該第二壩體部分。
該發光顯示器設備可更包含多個輔助圖案設置在該第一壩體部分及該第二壩體部分的每一者中，且電性耦接於該些接觸圖案與該些路由線之間。
該發光顯示器設備可具有該第一壩體部分及該第二壩體部分，第一壩體部分及該第二壩體部分的每一者包含：一壩體線結構設置在該電路層上；一第一壩體設置在該壩體條結構上；一第二壩體設置在該第一壩體上；以及一底切區設置在該壩體線結構與該第一壩體之間的一邊界部分。
該發光顯示器設備可更包含一壩體部分沿該基板的該周邊部分設置在該電路層上；以及一非連續部分沿該基板的該周邊部分設置在該電路層上，以隔離該發光層，其中該封裝層包含：一第一封裝層設置在該發光裝置層、該壩體部分及該非連續部分上；一第二封裝層設置在該第一封裝層上且被該壩體部分圍繞；以及一第三封裝層設置在該壩體部分上的該第一封裝層及該第二封裝層，其中該些路由線透過一路由接觸孔電性耦接於該些接觸圖案，其中該路由接觸孔通過該第三封裝層及該第一封裝層，且額外地通過該壩體部分及該非連續部分的至少一者。
該發光顯示器設備可具有該非連續部分，該非連續部分包含至少一非連續結構沿該基板的該周邊部分設置在該電路層上，及該至少一非連續結構包含：一第一線結構設置在該電路層上；一第二線結構設置在該第一線結構上；以及一底切區在該第一線結構與該第二線結構之間的一邊界部分。
該發光顯示器設備可更包含多個輔助圖案設置在一或多個的該壩體部分及該非連續部分，且電性耦接於該些接觸圖案與該些路由線之間。
該發光顯示器設備可具有每一該些輔助圖案包含：一第一金屬層電性耦接於該些接觸圖案的對應的接觸圖案；以及一第二金屬層設置在該第一金屬層上，且電性耦接於該些路由線的對應的路由線。
該發光顯示器設備可更包含一輔助線部分，設置在設有該些接觸圖案的該基板除了一側周邊部分之外的另一側周邊部分，其中該輔助線部分包括輔助線，設置在一或多個的該壩體部分及該非連續部分。
該發光顯示器設備可具有該些像素驅動線，該些像素驅動線包含一資料線、像素驅動電力線及一像素共同電壓線；及該輔助線電性耦接於該像素驅動電力線或該像素共同電壓線。
該發光顯示器設備可更包含一輔助線部分設置在該基板的該周邊部分，其中該輔助線部分包括：多條輔助線設置在設有該些接觸圖案的該基板除了一側周邊部分之外的另一側周邊部分；及至少一閉環線沿該基板的該周邊部分設置為閉環線形式。
該發光顯示器設備可具有該些像素驅動線，該些像素驅動線包含一資料線、像素驅動電力線及一像素共同電壓線，且其中至少一閉環線電性耦接於該像素共同電壓線。
該發光顯示器設備可具有該些輔助線電性耦接於該像素驅動電力線。
該發光顯示器設備可更包含一輔助連接線共同耦接於該些輔助線及該至少一閉環線。
該發光顯示器設備可具有該顯示部分的尺寸與該基板的尺寸相同。
在一些實施例中，一種顯示器設備可包含：一基板，包括一周邊部分相鄰該基板的一外表面，該基板的至少一外表面包括一最外側表面；多個像素在該基板限界一顯示區域；多條訊號線，耦接於該些像素；一發光裝置層，包括在每一該些像素中；一封裝層，位在該發光裝置層上；以及多條路由線，延伸至該周邊部分且至少部分地覆蓋該基板的該最外表面。
該顯示器設備可具有該周邊部分位於該顯示區域內。
該顯示器設備可具有該封裝層及該些路由線的至少一者在該周邊部分彼此重疊。
該顯示器設備可具有該些路由線的至少一者位於且接觸該基板的該些外表面。
該顯示器設備可具有該些路由線的至少一者延伸穿過設置在該基板的該周邊部分的該封裝層。
該顯示器設備可更包含一非連續牆，位於該基板的該周邊部分中以斷開該發光裝置層，其中該封裝層係位於該非連續牆上，及其中該些路由線的至少一者延伸進該封裝層及該非連續牆。
該顯示器設備可更包含一非連續牆及一壩部分，該非連續牆位於該基板的該周邊部分中以斷開該發光裝置層，該壩部分相鄰於位於該基板的該周邊部分中的該非連續牆，其中該壩部分的高度不同於該非量續牆的高度，及其中該些路由線的至少一者延伸進該封裝層及該壩部分。
該顯示器設備可具有該封裝層，該封裝層包括：一第一封裝層，設置於該發光裝置層及該壩部分上；以及一第二封裝層，設置於該第一封裝層上，且不延伸超過該壩部分，其中該些路由線重疊該第二封裝層。
該顯示器設備可更包含多條輔助線，相鄰於該些路由線，該些輔助線包括：一第一導電結構，重疊於該非連續牆，其中該第一導電結構電性耦接於該些路由線。
該顯示器設備可具有該些輔助線更包括：一第二導電結構，位於該第一導電結構上，該第二導電結構重疊該非連續牆，其中該第二導電結構電性耦接於該些路由線。
在一些實施例中，一種顯示器設備可包含：一第一基板，具有一第一表面相鄰於該第一基板的一邊緣；一第二基板，面向該第一基板，該第二基板具有一第二表面相鄰於該第二基板的一邊緣，該第二表面與該第一表面彼此相鄰；多個像素，位於該第一基板上；多條訊號線，耦接於該些像素；一發光裝置層，位於每一該些像素及該第一基板的該邊緣上；以及多條路由線，從該第一基板延伸，延伸超過該第一基板的該第一表面及該第二基板的該第二表面的該些路由線的至少一者在該第一基板與該第二基板之間形成一電性連接。
該顯示器設備可具有該些像素在該第一基板上限界一顯示區域，其中該顯示區域延伸至該第一基板的該邊緣。
該顯示器設備可更包含一封裝層，位於該發光裝置層上，其中該些路由線相鄰於該第一基板的該邊緣且位於該封裝層上。
該顯示器設備可更包含一接觸圖案部分，位於該第一基板上相鄰於該些像素的一最外側像素，該接觸圖案部分電性耦接於該些訊號線，其中該些路由線中的至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該接觸圖案部分。
該顯示器設備可更包含一非連續牆，相鄰於該第一基板的該邊緣以斷開該發光裝置層，該非連續牆位於該接觸圖案部分上，其中該些路由線中的該至少一路由線延伸通過該封裝層及該非連續牆以耦接於該接觸圖案部分。
該顯示器設備可更包含一壩體相鄰於該非連續牆，該壩體的高度高於該非連續牆的高度，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層及該壩體以耦接於該接觸圖案部分。
該顯示器設備可更包含一第一輔助導電結構位於該接觸圖案部分上，該第一輔助導電結構重疊該非連續牆或該壩體的位置，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該第一輔助導電結構。
該顯示器設備可更包含一第二輔助導電結構位於該接觸圖案部分上，該第二輔助導電結構位於該第一輔助導電結構上且重疊該非連續牆或該壩體的位置，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該第一輔助導電結構及該第二輔助導電結構。
此外，本文所提供的概念可為多螢幕顯示器設備的一部份，該多螢幕顯示器設備包含：多個顯示器裝置多個顯示器裝置，沿著一第一方向及橫向於該第一方向的一第二方向的至少一個方向設置，其中每一該些顯示器裝置各包括如本文所述的該發光顯示器設備或該顯示器設備。
該多螢幕顯示器設備可具有該顯示部分，該顯示部分包含多個像素在該第一方向及該第二方向上以一像素間距排列，其中該像素間距為在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的多個像素的中心點之間之距離，及其中在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的一第一顯示器裝置及一第二顯示器裝置中，該第一顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分與該第二顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分之間的距離小於或等於該像素間距。
該多螢幕顯示器設備可具有在每一該些顯示器裝置中，該些像素係在該第一方向及該第二方向上以一像素間距排列，其中該像素間距為在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的多個像素的中心點之間之距離及其中在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的一第一顯示器裝置及一第二顯示器裝置中，該第一顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分與該第二顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分之間的距離小於或等於該像素間距。
根據本公開的發光顯示器設備可被應用至包括發光顯示面板的所有的電子裝置。舉例而言，根據本公開的發光顯示器設備可被應用至移動設備、視訊電話、智慧型手錶、手錶式電話、可穿戴設備、可折疊設備、可捲曲設備、可彎曲設備、柔性設備、彎曲設備、電子管理器、電子書、可攜式多媒體播放器（portable multimedia player，PMP）、個人數位助理（personal digital assistant，PDA）、MP3播放器、移動式醫療設備、桌上型個人電腦（PC）、筆記型電腦、工作站、導航設備、汽車導航設備、汽車發光顯示設備、汽車設備、劇院設備、劇院發光顯示設備、電視、壁紙（wall paper）顯示設備、標牌（signage）設備、遊戲機、筆記型電腦、監視器、攝影機、攝錄影機、家用電器等。
本公開的上述特徵、結構及功效包括在本公開的至少一個實施例中，但不限於僅一個實施例。此外，本領域具有通常知識者可透過其他實施例的組合或修改來實現本公開的至少一個實施例中描述的特徵、結構及功效。因此，與組合及修改相關的內容應理解為在本公開的範圍內。
對本領域具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本公開的精神或範圍的情況下，可以對本公開進行各種修改和變化。因此，本公開旨在涵蓋本公開的修改和變化，只要它們落入所附專利範圍及其同等範圍內。
可以組合上述各種實施例以提供進一步的實施例。在本說明書中提及和/或在申請資料表中列出的所有美國專利、美國專利申請出版物、美國專利申請、外國專利、外國專利申請及非專利出版物均透過引用整體併入本文。如果需要採用各種專利、申請即出版物的概念來提供另外的實施例，則可以修改實施例的方面。
根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些及其他修改。一般而言，在以下的專利範圍中，所使用的術語不應被解釋為將專利範圍限於說明書及專利範圍中公開的特定實施例，而應被解釋為包括所有可能的實施例以及這些專利範圍所賦予的等效的全部範圍。因此，專利範圍不受實施例的限制。
10:發光顯示器設備
100:基板
100a:第一表面
100b:第二表面,後表面
109:側密封件
110:接觸圖案部分
111:電路層
111a:緩衝層
111b:電路陣列層
111c:層間絕緣層
111d:鈍化層
112:平面化層
113:發光裝置層
114:岸體
115:非連續部分,非連續牆
115a:第一非連續結構
115b:第二非連續結構
115c:第三非連續結構
115d:第四非連續結構
116:輔助圖案部分
116a:第一中間圖案
116b:第二中間圖案
116c:第三中間圖案
116d:第四中間圖案
116e:第五中間圖案
117:壩體部分
117a:第一壩體
117b:第二壩體
117-1:第一壩體部分
117-2:第二壩體部分
118:輔助線部分
118a:第一輔助線
118b:第二輔助線
118c:第三輔助線
118d:第四輔助線
118e:第五輔助線
119:封裝層
119a:第一封裝層
119b:第二封裝層
119c:第三封裝層
121:波長轉換層
121a:波長轉換件
121b:外塗層
122:透明黏著件
123:功能膜
125:側密封件
150:閘極驅動電路
1501到150m:級電路部分
1511到151n:分枝電路
153:分枝網路
200:第二基板
200a:前表面
200b:後表面
201:第一金屬層
202:第一絕緣層
203:第二金屬層
204:第二絕緣層
206:第三絕緣層
210:第一墊部分
211:墊
230:第二墊部分
250:連接線部分
251:第一共同連接線
253:第二共同連接線
300:耦接件
400:路由部分
410:路由線
410a:第一部分
410b:第二部分
410c:第三部分
411:像素電力路由線
413:資料路由線
415:參考電壓路由線
417:閘極路由線
419:像素共同電壓路由線
450:邊界塗層
500:驅動電路單元
510:撓性電路膜
530:驅動積體電路
550:印刷電路板
570:時序控制器
590:電力電路單元
OS:外表面
OS1a,OS1b:第一外表面
AA:顯示區域
AAa:尾端
P:像素
Po:最外側像素
Pi:內部像素
P1:第一像素
P2:第二像素
PAo:最外側像素區域
Pc:中心部分
X:第一方向
Y:第二方向
Z:厚度方向
D1:第一間隔
D2:第二間隔
L1:第一長度
L2:第二長度
SP1:第一子像素
SP2:第二子像素
SP3:第三子像素
SP4:第四子像素
EA1到EA4:發光區域
CA1到CA4:電路區域
DL:資料線
DLo:奇數號資料線
DLe:偶數號資料線
GL:閘極線
GLo:奇數號閘極線
GLe:偶數號閘極線
PL:像素驅動電力線
CVL:像素共同電壓線
RL:參考電力線
RDL:參考分枝線
GCL:閘極控制線
CE:共同電極
CEa:隔離共同電極
CECP:共同電極連接部分
PSL:電力共享線
PC:像素電路
Tsw1:第一開關薄膜電晶體
Tsw2:第二開關薄膜電晶體
Tdr:驅動薄膜電晶體
Cst:儲存電容器
n1:第一節點
n2:第二節點
PE:像素電極
EL:發光層
Ela:隔離發光層
DCP:資料接觸圖案
PCP:像素驅動電力接觸圖案
CCP:像素共同電壓接觸圖案
RCP:參考電壓接觸圖案
GCP:閘極接觸圖案
CPG:接觸圖案組
CPG1:第一接觸圖案組
CPG2:第二接觸圖案組
CSPL:像素共同電力二級線
SLCP:像素共同電力二級線連接部分
LCP:線連接圖案
BL1:第一緩衝層
BL2:第二緩衝層
BML:下金屬層
B1,B2,B3,B4,B5,B6,B7,B8:區塊
ACT:主動層
GI:閘極絕緣層
GE:閘極電極
SD1:第一源極/汲極電極
SD2:第二源極/汲極電極
LSP:遮光圖案
ECH:電極接觸孔
PEL1:第一像素電極層
PEL2:第二像素電極層
ED:發光裝置
TS1:第一線結構
TS2:第二線結構
MA1:第一邊緣區域
MA2:第二邊緣區域
DA:壩體區域
VL:垂直延伸線
CH:路由接觸孔
CH1:第一路由接觸孔
CH2:第二路由接觸孔
CH3:第三路由接觸孔
CH4:第四路由接觸孔
CH5:第五路由接觸孔
MLa:第一金屬層
MLb:第二金屬層
VH1:第一通孔
VH2:第二通孔
VH3:第三通孔
VH4:第四通孔
VH5:第五通孔
VH6:第六通孔
SCCP:第一輔助接觸圖案
SPCP:第二輔助接觸圖案
SRCP:第三輔助接觸圖案
SCL:輔助連接線
DTS:壩體線結構
DM1到DM4:顯示器裝置
D1:第一間隔
D2:第二間隔
被包括以提供對本公開的進一步理解並且被併入及構成本申請的一部分的附圖示出了本公開的實施例並且與描述內容一起用於解釋本公開的原理。
圖1係根據本公開一實施例所繪示的發光顯示器設備的平面圖。
圖2係根據本公開一實施例示意性繪示的發光顯示器設備的側視圖。
圖3A係繪示圖1中根據本公開一實施例所繪示的一個像素的圖式。
圖3B係繪示圖1中根據本公開另一實施例所繪示的一個像素的圖式。
圖4係繪示在圖1中的區塊B1的放大圖。
圖5係圖1及4中所示的一個像素的等效電路圖。
圖6係繪示圖4中所示實現在顯示區域中的閘極驅動電路的圖式。
圖7係根據本公開一實施例所繪示的發光顯示器設備的後透視圖。
圖8係根據本公開另一實施例所繪示的發光顯示器設備的後透視圖。
圖9係根據本公開一實施例所繪示的路由部分及像素驅動線的連接結構的圖式。
圖10係繪示沿圖9中所示的線I-Iʹ的剖面圖。
圖11係繪示在圖10中的區塊B2的放大圖。
圖12係繪示在圖10中的區塊B3的放大圖。
圖13係根據本公開另一實施例所繪示的路由部分及像素驅動線的連接結構的圖式。
圖14係繪示在圖13中的區塊B4的放大圖。
圖15係繪示沿圖14中所示的線II-IIʹ的剖面圖。
圖16A係繪示在圖15中的區塊B5的放大圖。
圖16B係繪示在圖15中根據另一實施例的區塊B5的放大圖。
圖16C係繪示在圖15中根據另一實施例的區塊B5的放大圖。
圖17係繪示沿圖14中所示的線III-IIIʹ的剖面圖。
圖18係根據本公開另一實施例所繪示的像素驅動線、路由部分及輔助線部分的連接結構的圖式。
圖19係繪示沿圖18中所示的線IV-IVʹ的剖面圖。
圖20係繪示沿圖18中所示的線V-Vʹ的剖面圖。
圖21係繪示沿圖18中所示的線VI-VIʹ的剖面圖。
圖22係繪示沿圖18中所示的線VII-VIIʹ的剖面圖。
圖23係根據本公開另一實施例所繪示的像素驅動線、路由部分及輔助線部分的連接結構的圖式。
圖24係根據本公開另一實施例所繪示的像素驅動線、路由部分及輔助線部分的連接結構的圖式。
圖25係繪示在圖24中的區塊B6的放大圖。
圖26係繪示沿圖25中所示的線VIII-VIIIʹ的剖面圖。
圖27係根據本公開另一實施例所繪示的發光顯示器設備的圖式。
圖28係繪示沿圖27中所示的線IX-IXʹ的剖面圖。
圖29係繪示在圖28中的區塊B7的放大圖。
圖30係根據本公開另一實施例所繪示的發光顯示器設備的圖式。
圖31係繪示沿圖30中所示的線X-Xʹ的剖面圖。
圖32係繪示在圖31中的區塊B8的放大圖。
圖33係根據本公開一實施例所繪示的多螢幕發光顯示器設備的圖式。
圖34係繪示沿圖33中所示的線XI-XIʹ的剖面圖。
10:發光顯示器設備
100:基板
115:非連續部分，非連續牆
117:壩體部分
400:路由部分
AA:顯示區域
B1:區塊
P:像素
Po:最外側像素
Pi:內部像素
X:第一方向
Y:第二方向
Z:厚度方向
D1:第一間隔
D2:第二間隔
L1:第一長度
L2:第二長度
Claims (20)
- 一種顯示器設備，包含：一基板，包括相鄰於該基板的多個外表面的一周邊部分，該些外表面的至少一者包括該基板的一最外表面；多個像素，位在該基板上，該些像素限界一顯示區域；多條訊號線，耦接於該些像素；一發光裝置層，包括在每一該些像素中；一封裝層，位在該發光裝置層上；以及多條路由線，延伸至該周邊部分且至少部分地覆蓋該基板的該最外表面，其中該些路由線相鄰於該基板的該周邊部分且位於該封裝層上。
- 如請求項1所述的顯示器設備，其中該周邊部分位於該顯示區域內。
- 如請求項1所述的顯示器設備，其中該封裝層及該些路由線的至少一者在該周邊部分彼此重疊。
- 如請求項1所述的顯示器設備，其中該些路由線的至少一者位於且接觸該基板的該些外表面的至少一者上。
- 如請求項1所述的顯示器設備，其中該些路由線的至少一者延伸穿過設置在該基板的該周邊部分的該封裝層。
- 如請求項1所述的顯示器設備，更包含一非連續牆，位於該基板的該周邊部分中以斷開該發光裝置層， 其中該封裝層係位於該非連續牆上，及其中該些路由線的至少一者延伸進該封裝層及該非連續牆。
- 如請求項1所述的顯示器設備，更包含一非連續牆及一壩部分，該非連續牆位於該基板的該周邊部分中以斷開該發光裝置層，該壩部分相鄰於位於該基板的該周邊部分中的該非連續牆，其中該壩部分的高度不同於該非量續牆的高度，及其中該些路由線的至少一者延伸進該封裝層及該壩部分。
- 如請求項7所述的顯示器設備，其中該封裝層包括：一第一封裝層，設置於該發光裝置層及該壩部分上；以及一第二封裝層，設置於該第一封裝層上，且不延伸超過該壩部分，其中該些路由線重疊該第二封裝層。
- 如請求項6所述的顯示器設備，更包含多條輔助線，相鄰於該些路由線，該些輔助線包括：一第一導電結構，重疊於該非連續牆，其中該第一導電結構電性耦接於該些路由線。
- 如請求項9所述的顯示器設備，其中該些輔助線更包括：一第二導電結構，位於該第一導電結構上，該第二導電結構重疊該非連續牆，其中該第二導電結構電性耦接於該些路由線。
- 一種顯示器設備，包含： 一第一基板，具有一第一表面相鄰於該第一基板的一邊緣；一第二基板，面向該第一基板，該第二基板具有一第二表面相鄰於該第二基板的一邊緣，該第二表面與該第一表面彼此相鄰；多個像素，位於該第一基板上；多條訊號線，耦接於該些像素；一發光裝置層，位於每一該些像素及該第一基板的該邊緣上；以及多條路由線，從該第一基板延伸，延伸超過該第一基板的該第一表面及該第二基板的該第二表面的該些路由線的至少一者在該第一基板與該第二基板之間形成一電性連接。
- 如請求項11所述的顯示器設備，其中在該第一基板上的該些像素限界一顯示區域，其中該顯示區域延伸至該第一基板的該邊緣。
- 如請求項12所述的顯示器設備，更包含一封裝層，位於該發光裝置層上，其中該些路由線相鄰於該第一基板的該邊緣且位於該封裝層上。
- 如請求項13所述的顯示器設備，更包含一接觸圖案部分，位於該第一基板上相鄰於該些像素的一最外側像素，該接觸圖案部分電性耦接於該些訊號線，其中該些路由線中的至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該接觸圖案部分。
- 如請求項14所述的顯示器設備，更包含一非連續牆，相鄰於該第一基板的該邊緣以斷開該發光裝置層，該非連續牆位於該接觸圖案部分上，其中該些路由線中的該至少一路由線延伸通過該封裝層及該非連續牆以耦接於該接觸圖案部分。
- 如請求項15所述的顯示器設備，更包含一壩體相鄰於該非連續牆，該壩體的高度高於該非連續牆的高度，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層及該壩體以耦接於該接觸圖案部分。
- 如請求項16所述的顯示器設備，更包含一第一輔助導電結構位於該接觸圖案部分上，該第一輔助導電結構重疊該非連續牆或該壩體的位置，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該第一輔助導電結構。
- 如請求項18所述的顯示器設備，更包含一第二輔助導電結構位於該接觸圖案部分上，該第二輔助導電結構位於該第一輔助導電結構上且重疊該非連續牆或該壩體的位置，其中該些路由線的該至少一路由線延伸通過該封裝層以耦接於該第一輔助導電結構及該第二輔助導電結構。
- 一種多螢幕顯示器設備，包含：多個顯示器裝置，沿著一第一方向及橫向於該第一方向的一第二方向的至少一個方向設置，其中該些顯示器裝置各包括如請求項1所述的該顯示器設備。
- 如請求項19所述的多螢幕顯示器設備，其中，在每一該些顯示器裝置中，該些像素在該第一方向及該第二方向上以一像素間距排列，其中該像素間距為在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的多個像素的中心點之間之距離，及其中在各該第一方向及該第二方向上彼此相鄰的一第一顯示器裝置及一第二顯示器裝置中，該第一顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分與該第二顯示器裝置的一最外側像素的一中心部分之間的距離小於或等於該像素間距。
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|---|---|---|---|
| KR1020200177154A KR20220086917A (ko) | 2020-12-17 | 2020-12-17 | 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
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| TW202226182A TW202226182A (zh) | 2022-07-01 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3343274A2 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-04 | LG Display Co., Ltd. | Display device, multi-screen display device using the same and method for manufacturing the same |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3343274A2 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-04 | LG Display Co., Ltd. | Display device, multi-screen display device using the same and method for manufacturing the same |
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