TWI828399B - 影像感測器結構 - Google Patents

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Abstract

一種影像感測器結構，包括基底、第一畫素結構、第二畫素結構、介電層與導電層堆疊。第一畫素結構包括第一感光元件。第一感光元件設置在基底中。第二畫素結構包括第二感光元件。第二感光元件設置在基底中。導電層堆疊包括多個導電層。導電層堆疊具有第一開口與第二開口。第一開口位在第一感光元件的正上方且貫穿多個導電層。第一開口具有第一最小寬度。第二開口位在第二感光元件的正上方且貫穿多個導電層。第二開口具有第二最小寬度。第二開口的第二最小寬度小於第一開口的第一最小寬度。第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。

Description

影像感測器結構
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種影像感測器結構。
目前，影像感測器廣泛應用於許多電子裝置(如，智慧型手機或數位相機等)，且包括多個畫素結構。此外，在對待分析的畫素結構進行分析之前，必須先定位出待分析的畫素結構的位址(address)。然而，由於目前的畫素結構的定位方法(positioning method)常無法準確地對待分析的畫素結構進行定位，因此導致後續的分析(如，物理故障分析(physical failure analysis，PFA)無法順利進行。
本發明提供一種影像感測器結構，其可準確地對待分析的畫素結構進行定位。
本發明提出一種影像感測器結構，包括基底、第一畫素結構、第二畫素結構、介電層與導電層堆疊。第一畫素結構包括第一感光元件。第一感光元件設置在基底中。第二畫素結構包括第二感光元件。第二感光元件設置在基底中。介電層設置在基底上。導電層堆疊包括多個導電層。導電層堆疊具有第一開口與第二開口。多個導電層設置在介電層中。第一開口位在第一感光元件的正上方且貫穿多個導電層。第一開口具有第一最小寬度。第二開口位在第二感光元件的正上方且貫穿多個導電層。第二開口具有第二最小寬度。第二開口的第二最小寬度小於第一開口的第一最小寬度。第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一畫素結構的光通量與第二畫素結構的光通量之間的差異量可為第一畫素結構的光通量的15%至100%。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一畫素結構的光通量與第二畫素結構的光通量之間的差異量可為第一畫素結構的光通量的15%至50%。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一畫素結構的光通量與第二畫素結構的光通量之間的差異量可為第一畫素結構的光通量的15%至20%。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一感光元件與第二感光元件可為光二極體(photodiode)。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，影像感測器結構可為前照式影像感測器(front side illuminated image sensor，FSI image sensor)結構。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一開口的具有第一最小寬度的部分可位在多個導電層的任一個中，且第二開口的具有第二最小寬度的部分可位在多個導電層的任一個中。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，介電層可填入第一開口與第二開口。第一畫素結構更可包括第一光管結構。第一光管結構設置在第一開口內部的介電層中。第二畫素結構更可包括第二光管結構。第二光管結構設置在第二開口內部的介電層中。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第一開口的具有第一最小寬度的部分可位在多個導電層的任一個中，且第二開口的具有第二最小寬度的部分可位在低於第二光管結構的底部的導電層中。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，可包括畫素陣列。畫素陣列可包括多個第一畫素結構與第二畫素結構。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第二畫素結構可鄰近於畫素陣列的邊緣。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，第二畫素結構可鄰近於畫素陣列的角落。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，畫素陣列可包括多個第二畫素結構。多個第二畫素結構可彼此相鄰。
依照本發明的一實施例所述，在上述影像感測器結構中，多個第二畫素結構的上視圖案可排列成L形或十字形。
本發明提出另一種影像感測器結構，包括基底、第一畫素結構與第二畫素結構。第一畫素結構包括第一感光元件與光管結構。第一感光元件設置在基底中。光管結構設置在第一感光元件的正上方。第二畫素結構包括第二感光元件。第二感光元件設置在基底中。在第二感光元件的正上方不具有任何光管結構。第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。
依照本發明的另一實施例所述，在上述影像感測器結構中，光管結構的材料可包括彩色濾光材料。
依照本發明的另一實施例所述，在上述影像感測器結構中，光管結構的材料的折射率可大於介電層的材料的折射率。
依照本發明的另一實施例所述，在上述影像感測器結構中，影像感測器結構可為前照式影像感測器結構。
本發明提出另一種影像感測器結構，包括基底、第一畫素結構、第二畫素結構、介電層與遮光層。基底包括彼此相對的第一面與第二面。第一畫素結構包括第一感光元件。第一感光元件設置在基底中。第一感光元件鄰近於基底的第一面。第二畫素結構包括第二感光元件。第二感光元件設置在基底中。第二畫素結構鄰近於基底的第一面。介電層設置在基底的第二面上。遮光層設置在介電層中。遮光層具有第一開口與第二開口。第一開口位在第一感光元件的正上方且貫穿遮光層。第一開口具有第一最小寬度。第二開口位在第二感光元件的正上方且貫穿遮光層。第二開口具有第二最小寬度。第二開口的第二最小寬度小於第一開口的第一最小寬度。第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。
依照本發明的另一實施例所述，在上述影像感測器結構中，影像感測器結構可為背照式影像感測器(backside illuminated image sensor，BSI image sensor)結構。
基於上述，在本發明所提出的影像感測器結構中，第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。因此，可使用第二畫素結構作為參照點來定位出待分析的第一畫素結構的位址。如此一來，可準確地對待分析的第一畫素結構進行定位，而有利於進行後續的分析(如，物理故障分析(PFA))，且可改善分析流程，以減少製造成本與製程時間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文列舉實施例並配合附圖來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。為了方便理解，在下述說明中相同的構件將以相同的符號標示來說明。此外，附圖僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。另外，上視圖中的特徵與剖面圖中的特徵並非按相同比例繪製。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1為根據本發明的一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。圖2為圖1中的導電層堆疊的上視圖。圖3為根據本發明的一些實施例的畫素陣列的上視圖。圖4為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。
請參照圖1，影像感測器結構10包括基底100、畫素結構P1與畫素結構P2。在本實施例中，影像感測器結構10可為前照式影像感測器結構。基底100可具有彼此相對的第一面S1與第二面S2。在一些實施例中，第一面S1可為基底100的正面，且第二面S2可為基底100的背面。在一些實施例中，基底100可為半導體基底，如矽基底。此外，在圖1中雖未示出，但在基底100中及/或基底100上可具有如電晶體元件等所需的構件，於此省略其說明。
畫素結構P1包括感光元件102。感光元件102設置在基底100中。感光元件102可鄰近於基底100的第一面S1。在一些實施例中，感光元件102可為光二極體。
畫素結構P2包括感光元件104。感光元件104設置在基底100中。感光元件104可鄰近於基底100的第一面S1。在一些實施例中，感光元件104可為光二極體。
影像感測器結構10更可包括介電層106與導電層堆疊108。介電層106設置在基底100上。舉例來說，介電層106可設置在基底100的第一面S1上。在一些實施例中，介電層106可為多層結構。在一些實施例中，介電層106的材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。
在一些實施例中，導電層堆疊108可包括內連線結構、遮光層或其組合。導電層堆疊108可包括多個導電層110。多個導電層110設置在介電層106中。在一些實施例中，全部導電層110可彼此電性連接，但本發明並不以此為限。在另一些實施例中，部分導電層110可不彼此電性連接。每個導電層110可為單層結構或多層結構。在一些實施例中，導電層110可為金屬層。在一些實施例中，導電層110的材料例如是銅、鋁、鎢、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦或其組合。此外，導電層110的數量並不限於圖1中所示的數量。所屬技術領域中具有通常知識者可依據產品需求來調整導電層110的數量。
導電層堆疊108更可包括多個插塞112。多個插塞112設置在介電層106中。插塞112可電性連接於導電層110。導電層110可藉由插塞112而彼此電性連接。在一些實施例中，插塞112可為通孔插塞(via plug)或接觸窗插塞(contact plug)。每個導電層110可為單層結構或多層結構。在一些實施例中，導電層110的材料例如是鎢、銅、鋁、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦或其組合。此外，插塞112的數量並不限於圖1中所示的數量。所屬技術領域中具有通常知識者可依據產品需求來調整插塞112的數量。
請參照圖1與圖2，導電層堆疊108可具有開口OP1與開口OP2。開口OP1可位在感光元件102的正上方且可貫穿多個導電層110。開口OP1可具有最小寬度W1。開口OP2可位在感光元件104的正上方且可貫穿多個導電層110。開口OP2可具有最小寬度W2。介電層106可填入開口OP1與開口OP2。
開口OP2的最小寬度W2可小於開口OP1的最小寬度W1，藉此畫素結構P2的光通量可小於畫素結構P1的光通量。如此一來，畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。在本文中，光通量可定義為感光元件(如，感光元件102與感光元件104)所感知的光能(luminous energy)。
在一些實施例中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至100%。在一些實施例中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至50%。在一些實施例中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至20%。此外，上述差異量的範圍有助於分辨出畫素結構P1與畫素結構P2的差異。
開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的任一個中，且開口OP2的具有最小寬度W2的部分可位在多個導電層110的任一個中。在本實施例中，開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的最頂導電層(如，導電層110a)中，且開口OP2的具有最小寬度W2的部分可位在多個導電層110的最頂導電層(如，導電層110a)中，但本發明並不以此為限。只要開口OP2的最小寬度W2可小於開口OP1的最小寬度W1，即屬於本發明所涵蓋的範圍。
在一些實施例中，影像感測器結構10更可包括依序設置在介電層106與導電層堆疊108上的彩色濾光片(color filter)以及微透鏡(micro-lens)等構件(未示出)，於此省略其說明。
請參照圖3，影像感測器結構10可包括畫素陣列PA1。畫素陣列PA1可包括多個畫素結構P1與畫素結構P2。在本實施例中，畫素陣列PA1可包括多個畫素結構P2，但本發明並不以為限。只要畫素陣列PA1包括至少一個畫素結構P2，即屬於本發明所涵蓋的範圍。多個畫素結構P2可彼此相鄰。在一些實施例中，畫素結構P2可鄰近於畫素陣列PA1的邊緣，藉此可防止影響良率與影像呈現。舉例來說，畫素結構P2可鄰近於畫素陣列PA1的角落。
在一些實施例中，多個畫素結構P2的上視圖案可排列成特殊形狀，以利於辨識畫素結構P2的位置。在本實施例中，多個畫素結構P2的上視圖案可排列成L形，但本發明並不以此為限。所屬技術領域中具有通常知識者可依據產品需求來調整多個畫素結構P2的上視圖案所排列成的形狀。在另一些實施例中，如圖4所示，多個畫素結構P2的上視圖案可排列成十字形。
在一些實施例中，影像感測器結構10的畫素定位方法可包括以下步驟。首先，提供影像感測器結構10。接著，從多個畫素結構P1中選出待分析的畫素結構P1(如，畫素結構P11)。然後，利用畫素結構P2作為參照點，定位出待分析的畫素結構P1(如，畫素結構P11)的位址(address)。
基於上述實施例可知，在影像感測器結構10中，畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。因此，可使用畫素結構P2作為參照點來定位出待分析的畫素結構P1的位址。如此一來，可準確地對待分析的畫素結構P1進行定位，而有利於進行後續的分析(如，物理故障分析)，且可改善分析流程，以減少製造成本與製程時間。
圖5為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。圖6為圖5中的導電層堆疊的上視圖。
請參照圖1、圖5與圖6，圖5的影像感測器結構20與圖1的影像感測器結構10的差異如下。圖5中的導電層堆疊108的層數可大於圖1中的導電層堆疊108的層數，但本發明並不以此為限。所屬技術領域具有通常知識者可依照產品需求來調整圖5中的導電層堆疊108的層數。在影像感測器結構20中，畫素結構P1更可包括光管結構114。光管結構114設置在開口OP1內部的介電層106中。光管結構114可設置在感光元件102的正上方。在一些實施例中，光管結構114的材料可包括彩色濾光材料。在一些實施例中，光管結構114的材料的折射率可大於介電層106的材料的折射率。在影像感測器結構20中，畫素結構P2更可包括光管結構116。光管結構116設置在開口OP2內部的介電層106中。光管結構116可設置在感光元件104的正上方。在一些實施例中，光管結構116的材料可包括彩色濾光材料。在一些實施例中，光管結構116的材料的折射率可大於介電層106的材料的折射率。在一些實施例中，光管結構114的材料與光管結構116的材料可為相同材料。
在影像感測器結構20中，開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的任一個中，且開口OP2的具有最小寬度W3的部分可位在低於光管結構116的底部B的導電層110中。舉例來說，如圖5所示，開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的最頂導電層(如，導電層110a)中，且開口OP2的具有最小寬度W3的部分可位在多個導電層110的最底導電層(如，導電層110b)中，但本發明並不以此為限。只要開口OP2的最小寬度W3可小於開口OP1的最小寬度W1，即屬於本發明所涵蓋的範圍。
在影像感測器結構20中，開口OP2的最小寬度W3可小於開口OP1的最小寬度W1，藉此畫素結構P2的光通量可小於畫素結構P1的光通量。如此一來，畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。
在影像感測器結構20中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至100%。在影像感測器結構20中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至50%。在影像感測器結構20中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至20%。此外，上述差異量的範圍有助於分辨出畫素結構P1與畫素結構P2的差異。
此外，在圖5的影像感測器結構20與圖1的影像感測器結構10中，相同或相似的構件採用相同的符號表示，且省略其說明。另外，影像感測器結構20可包括如圖3或圖4所示的畫素陣列PA1，於此省略其說明。另一方面，影像感測器結構20的畫素定位方法可參考影像感測器結構10的畫素定位方法，於此不再說明。
基於上述實施例可知，在影像感測器結構20中，畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。因此，可使用畫素結構P2作為參照點來定位出待分析的畫素結構P1的位址。如此一來，可準確地對待分析的畫素結構P1進行定位，而有利於進行後續的分析(如，物理故障分析)，且可改善分析流程，以減少製造成本與製程時間。
圖7為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。圖8為圖7中的導電層堆疊的上視圖。
請參照圖5、圖7與圖8，圖7的影像感測器結構30與圖5的影像感測器結構20的差異如下。在影像感測器結構30中，在感光元件104的正上方不具有任何光管結構。此外，在影像感測器結構30中，開口OP2的最小寬度W4可等於開口OP1的最小寬度W1。在影像感測器結構30中，開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的任一個中，且開口OP2的具有最小寬度W4的部分可位在多個導電層110的任一個中。在本實施例中，開口OP1的具有最小寬度W1的部分可位在多個導電層110的最頂導電層(如，導電層110a)中，且開口OP2的具有最小寬度W4的部分可位在多個導電層110的最頂導電層(如，導電層110a)中，但本發明並不以此為限。
在影像感測器結構30中，由於光管結構114設置在感光元件102的正上方，且在感光元件104的正上方不具有任何光管結構，因此畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。舉例來說，當光管結構114的材料包括彩色濾光材料時，由於光管結構114會濾除部分入射光，因此畫素結構P1的光通量可小於畫素結構P2的光通量。此外，當光管結構114的材料的折射率大於介電層106的材料的折射率時，進入光管結構114中的入射光可在光管結構114與介電層106之間的介面產生全反射，因此光管結構114可具有聚光的效果，且畫素結構P1的光通量可大於畫素結構P2的光通量。
在影像感測器結構30中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至100%。在影像感測器結構30中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至50%。在影像感測器結構30中，畫素結構P1的光通量與畫素結構P2的光通量之間的差異量可為畫素結構P1的光通量的15%至20%。此外，上述差異量的範圍有助於分辨出畫素結構P1與畫素結構P2的差異。
此外，在圖7的影像感測器結構30與圖5的影像感測器結構20中，相同或相似的構件採用相同的符號表示，且省略其說明。另外，影像感測器結構30可包括如圖3或圖4所示的畫素陣列PA1，於此省略其說明。另一方面，影像感測器結構30的畫素定位方法可參考影像感測器結構10的畫素定位方法，於此不再說明。
基於上述實施例可知，在影像感測器結構30中，畫素結構P2的光通量不同於畫素結構P1的光通量。因此，可使用畫素結構P2作為參照點來定位出待分析的畫素結構P1的位址。如此一來，可準確地對待分析的畫素結構P1進行定位，而有利於進行後續的分析(如，物理故障分析)，且可改善分析流程，以減少製造成本與製程時間。
圖9為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。圖10為圖9中的遮光層的上視圖。圖11為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。圖12為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。
請參照圖9，影像感測器結構40包括基底200、畫素結構P3與畫素結構P4。在本實施例中，影像感測器結構40可為背照式影像感測器結構。基底200可具有彼此相對的第一面S3與第二面S4。在一些實施例中，第一面S3可為基底200的正面，且第二面S4可為基底200的背面。在一些實施例中，基底200可為半導體基底，如矽基底。此外，在圖9中雖未示出，但在基底200中及/或基底200上可具有如電晶體元件等所需的構件，於此省略其說明。
畫素結構P3包括感光元件202。感光元件202設置在基底200中。感光元件202可鄰近於基底200的第一面S3。在一些實施例中，感光元件202可為光二極體。
畫素結構P4包括感光元件204。感光元件204設置在基底200中。感光元件204可鄰近於基底200的第一面S3。在一些實施例中，感光元件204可為光二極體。
影像感測器結構40更可包括隔離結構206與隔離結構208。隔離結構206設置在基底200中。隔離結構206可從基底200的第一面S3延伸至基底200中。在一些實施例中，隔離結構206的材料例如是氧化矽等介電材料。隔離結構208設置在基底200中。隔離結構208可從基底200的第二面S4延伸至基底200中。在一些實施例中，隔離結構208的材料例如是氧化矽等介電材料。
影像感測器結構40更可包括介電層210。介電層210設置在基底200的第一面S3上。在一些實施例中，介電層210可為多層結構。在一些實施例中，介電層210的材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。此外，在圖9中雖未示出，但在介電層210中可具有如內連線結構等所需的構件，於此省略其說明。
影像感測器結構40更可包括介電層212與遮光層214。介電層212設置在基底200的第二面S4上。在一些實施例中，介電層212可為多層結構。在一些實施例中，介電層212的材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。
遮光層214設置在介電層212中。在一些實施例中，遮光層214可為金屬格柵(metal grid)，其對應並界定各個畫素結構。遮光層214可為單層結構或多層結構。在一些實施例中，遮光層214的材料例如是銅、鋁、鎢、鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦或其組合。此外，遮光層214的數量並不限於圖9中所示的數量。所屬技術領域中具有通常知識者可依據產品需求來調整遮光層214的數量。在一些實施例中，影像感測器結構40更可包括依序設置在介電層212以及遮光層214上的彩色濾光片以及微透鏡等構件(未示出)，於此省略其說明。
請參照圖9與圖10，遮光層214可具有開口OP3與開口OP4。開口OP3可位在感光元件202的正上方且可貫穿遮光層214。開口OP3可具有最小寬度W5。開口OP4可位在感光元件204的正上方且可貫穿遮光層214。開口OP4可具有最小寬度W6。介電層212可填入開口OP3與開口OP4。
開口OP4的最小寬度W6可小於開口OP3的最小寬度W5，藉此畫素結構P4的光通量可小於畫素結構P3的光通量。如此一來，畫素結構P4的光通量不同於畫素結構P3的光通量。
在一些實施例中，畫素結構P3的光通量與畫素結構P4的光通量之間的差異量可為畫素結構P3的光通量的15%至100%。在一些實施例中，畫素結構P3的光通量與畫素結構P4的光通量之間的差異量可為畫素結構P3的光通量的15%至50%。在一些實施例中，畫素結構P3的光通量與畫素結構P4的光通量之間的差異量可為畫素結構P3的光通量的15%至20%。此外，上述差異量的範圍有助於分辨出畫素結構P3與畫素結構P4的差異。
請參照圖11，影像感測器結構40可包括畫素陣列PA2。畫素陣列PA2可包括多個畫素結構P3與畫素結構P4。在本實施例中，畫素陣列PA2可包括多個畫素結構P4，但本發明並不以為限。只要畫素陣列PA2包括至少一個畫素結構P4，即屬於本發明所涵蓋的範圍。多個畫素結構P4可彼此相鄰。在一些實施例中，畫素結構P4可鄰近於畫素陣列PA2的邊緣，藉此可防止影響良率與影像呈現。舉例來說，畫素結構P4可鄰近於畫素陣列PA2的角落。
在一些實施例中，多個畫素結構P4的上視圖案可排列成特殊形狀，以利於辨識畫素結構P4的位置。在本實施例中，多個畫素結構P4的上視圖案可排列成L形，但本發明並不以此為限。所屬技術領域中具有通常知識者可依據產品需求來調整多個畫素結構P4的上視圖案所排列成的形狀。在另一些實施例中，如圖12所示，多個畫素結構P4的上視圖案可排列成十字形。
在一些實施例中，影像感測器結構40的畫素定位方法可包括以下步驟。首先，提供影像感測器結構40。接著，從多個畫素結構P3中選出待分析的畫素結構P3(如，畫素結構P31)。然後，利用畫素結構P4作為參照點，定位出待分析的畫素結構P3(如，畫素結構P31)的位址。
基於上述實施例可知，在影像感測器結構40中，畫素結構P4的光通量不同於畫素結構P3的光通量。因此，可使用畫素結構P4作為參照點來定位出待分析的畫素結構P3的位址。如此一來，可準確地對待分析的畫素結構P3進行定位，而有利於進行後續的分析(如，物理故障分析)，且可改善分析流程，以減少製造成本與製程時間。
綜上所述，在上述實施例的影像感測器結構中，影像感測器結構包括第一畫素結構與第二畫素結構，且第二畫素結構的光通量不同於第一畫素結構的光通量。因此，可使用第二畫素結構作為參照點來準確地定位出待分析的第一畫素結構的位址，藉此可改善分析流程，且可減少製造成本與製程時間。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10,20,30,40:影像感測器結構
100,200:基底
102,104,202,204:感光元件
106,210,212:介電層
108:導電層堆疊
110,110a,110b:導電層
112:插塞
114,116:光管結構
206,208:隔離結構
214:遮光層
B:底部
P1,P2,P3,P4,P11,P31:畫素結構
OP1,OP2,OP3,OP4:開口
PA1,PA2:畫素陣列
S1,S3:第一面
S2,S4:第二面
W1~W6:最小寬度
圖1為根據本發明的一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。 圖2為圖1中的導電層堆疊的上視圖。 圖3為根據本發明的一些實施例的畫素陣列的上視圖。 圖4為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。 圖5為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。 圖6為圖5中的導電層堆疊的上視圖。 圖7為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。 圖8為圖7中的導電層堆疊的上視圖。 圖9為根據本發明的另一些實施例的影像感測器結構的剖面圖。 圖10為圖9中的遮光層的上視圖。 圖11為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。 圖12為根據本發明的另一些實施例的畫素陣列的上視圖。
10:影像感測器結構
100:基底
102,104:感光元件
106:介電層
108:導電層堆疊
110,110a:導電層
112:插塞
OP1,OP2:開口
P1,P2:畫素結構
S1:第一面
S2:第二面
W1,W2:最小寬度

Claims (11)

  1. 一種影像感測器結構，包括：基底；畫素陣列，其中所述畫素陣列包括：多個第一畫素結構，其中每個所述第一畫素結構包括第一感光元件，且所述第一感光元件設置在所述基底中；以及第二畫素結構，包括第二感光元件，其中所述第二感光元件設置在所述基底中，所述第二畫素結構鄰近於所述畫素陣列的邊緣或角落，且所述第二畫素結構作為參照點以定位所述第一畫素結構的位址；介電層，設置在所述基底上；以及導電層堆疊，包括多個導電層，且具有第一開口與第二開口，其中多個所述導電層設置在所述介電層中，所述第一開口位在所述第一感光元件的正上方且貫穿多個所述導電層，所述第一開口具有第一最小寬度，所述第二開口位在所述第二感光元件的正上方且貫穿多個所述導電層，所述第二開口具有第二最小寬度，所述第二開口的所述第二最小寬度小於所述第一開口的所述第一最小寬度，且 所述第二畫素結構的光通量不同於所述第一畫素結構的光通量。
  2. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述第一畫素結構的光通量與所述第二畫素結構的光通量之間的差異量為所述第一畫素結構的光通量的15%至100%。
  3. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述第一畫素結構的光通量與所述第二畫素結構的光通量之間的差異量為所述第一畫素結構的光通量的15%至50%。
  4. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述第一畫素結構的光通量與所述第二畫素結構的光通量之間的差異量為所述第一畫素結構的光通量的15%至20%。
  5. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述第一感光元件與所述第二感光元件包括光二極體。
  6. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述影像感測器結構包括前照式影像感測器結構。
  7. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述第一開口的具有所述第一最小寬度的部分位在多個所述導電層的任一個中，且所述第二開口的具有所述第二最小寬度的部分位在多個所述導電層的任一個中。
  8. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述介電層填入所述第一開口與所述第二開口， 所述第一畫素結構更包括第一光管結構，其中所述第一光管結構設置在所述第一開口內部的所述介電層中，且所述第二畫素結構更包括第二光管結構，其中所述第二光管結構設置在所述第二開口內部的所述介電層中。
  9. 如請求項8所述的影像感測器結構，其中所述第一開口的具有所述第一最小寬度的部分位在多個所述導電層的任一個中，且所述第二開口的具有所述第二最小寬度的部分位在低於所述第二光管結構的底部的所述導電層中。
  10. 如請求項1所述的影像感測器結構，其中所述畫素陣列包括多個所述第二畫素結構，且多個所述第二畫素結構彼此相鄰。
  11. 如請求項10所述的影像感測器結構，其中多個所述第二畫素結構的上視圖案排列成L形或十字形。
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