TWI820470B - 光學感測器之結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光學感測器之結構，其係於一基板之一上方設置一感光元件，一膠體層設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件，再設置一薄膜件，該薄膜件包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該膠體層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方，利用此結構提供可依需求變更該薄膜件之光學設計，以降低光學感測器之生產成本；本發明更設置一遮蔽層於該薄膜件以及該膠體層之間，以提升光學感測器之感光效率。

Description

光學感測器之結構
本發明是關於一種光學感測器之結構，尤其係指一種黏設薄膜，並對應設計光學結構之光學感測器。
光學感測器，是一種將光學影像轉換成電子訊號的設備，廣泛應用在數位相機和其他電子光學設備中；光學感測器主要分為感光耦合元件(charge-coupled device,CCD)和互補式金屬氧化物半導體主動像素傳感器(CMOS Active pixel sensor)兩種；光學感測器如今廣泛的應用於各種電子裝置中。
而習知光學感測器受限於製程及尺寸結構關係，其無法在感測器中設置光學透鏡，導致習知光學感測器之結構型式較為單一，於產品應用上有諸多侷限，習知技術中，必須設計多種不同的感測器，以適應市場不同的應用需求，又因為單一光學感測器於封裝後，僅能對應滿足單一需求，其導致光學感測器製造成本的上升，因此，產業界需要一種可於光學感測器封裝後，對應變更設計之光學感測器。
有鑑於上述習知技術之問題，本發明提供一種光學感測器之結構，其係於基板上方設置感光元件，並以膠體層包覆該感光元件，再設置薄膜件於膠體層上方，薄膜以黏接層黏接膠體層，更於薄膜件設置光學 件，薄膜件可於光學感測器封裝後，再對應設置於基板上方之膠體層，利用此結構提供可依需求變更光學設計之光學感測器。
本發明之一目的在於提供一種光學感測器之結構，其係於基板上方設置感光元件，以膠體層包覆感光元件，更於光學感測器封裝後，設置薄膜件於膠體層上方，並於薄膜件依需求設置光學件，此光學感測器之結構可依需求變更光學設計，滿足場不同的應用需求。
為達到上述所指稱之各目的與功效，本發明提供一種光學感測器之結構，其包含：一種光學感測器之結構，其包含：一基板、一感光元件、一膠體層以及一薄膜件，該感光元件設置於該基板之一上方，該膠體層設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件，該薄膜件包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該膠體層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方；利用此結構提供可依需求變更光學設計之光學感測器。
為達到上述所指稱之各目的與功效，本發明提供一種光學感測器之結構，其包含：一種光學感測器之結構，其包含：一基板、一感光元件、一膠體層、一遮蔽層以及一薄膜件，該感光元件設置於該基板之一上方，該膠體層設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件，該遮蔽層設置於該基板之該上方，並包覆該膠體層，該遮蔽層對應該感光元件之位置穿設一穿孔，該薄膜件包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該遮蔽層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方；利用此結構提供可依需求變更光學設計之光學感測器。
1:光學感測器之結構
10:基板
20:感光元件
30:膠體層
32:切槽
322:容置空間
34:第二凸出件
40:薄膜件
42:黏接層
44:透光層
441:遮蔽區
442:透光區
46:第一凸出件
60:遮蔽層
62:穿孔
L1:光線
L2:光線
第1圖：其為本發明之第一實施例之結構示意圖；第2圖：其為本發明之第二實施例之結構示意圖；第3圖：其為本發明之第三實施例之結構示意圖；第4圖：其為本發明之第四實施例之結構示意圖；第5圖：其為本發明之第五實施例之結構示意圖；第6圖：其為本發明之第六實施例之結構示意圖；第7圖：其為本發明之第七實施例之結構示意圖；第8圖：其為本發明之第八實施例之結構示意圖；以及第9圖：其為本發明之第九實施例之結構示意圖。
為使 貴審查委員對本發明之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以實施例及配合說明，說明如後：有鑑於上述習知技術之問題，本發明提供一種光學感測器之結構，其係於一基板之一上方設置一感光元件，一膠體層設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件，再設置一薄膜件，該薄膜件包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該膠體層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方，利用此結構提供可依需求變更該薄膜件之光學設計，解決習知技術僅能對應滿足單一需求，導致光學感測器製造成本的上升之問題。
請參閱第1圖，其為本發明之第一實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第一實施例，其係一種光學感測器之結構1，其包含一基 板10、一感光元件20、一膠體層30以及一薄膜件40；於本實施例中，該薄膜件40係於該光學感測器之結構1封裝後再設置。
再次參閱第1圖，如圖所示，於本實施例中，該感光元件20，其設置於該基板10之一上方，該感光元件20用於接收一光線L1(圖未示)，該膠體層30設置於該基板10之該上方，且該膠體層30包覆該感光元件20，再設置該薄膜件40於該膠體層30之一上方，該薄膜件40包含一黏接層42以及一透光層44，該黏接層42設置於該膠體層30之該上方，該透光層44設置於該黏接層42之一上方。
於本實施例中，該薄膜件40之該透光層44可使用具有光偏極化之材料或具有感光頻譜濾波之材料；本實施例之該透光層44可包覆該膠體層30，防止其受外力磨損。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第2圖，其為本發明之第二實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第二實施例，其係基於上述第一實施例，進一步於該薄膜件40之該透光層44之一上方設置一第一凸出件46，該第一凸出件46用於改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第3圖，其為本發明之第三實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第三實施例，其係基於上述第一實施例，本實施例中，該薄膜件40之該透光層44包含一透光區442以及一遮蔽區441，該遮蔽區441用於阻擋不需要之一光線L2，而該透光區442，之位置對應該感光元 件20之位置，使該感光元件20僅接收穿過該透光區442之該光線L1，減少其他光線之干擾，提升該感光元件20之感光效率。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第4圖，其為本發明之第四實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第四實施例，其係基於上述第一實施例，更進一步於該膠體層30之一上方設置一切槽32，該切槽32之位置對應該感光元件20之位置，該切槽32與該薄膜件40之該黏接層42之間形成一容置空間322，且該容置空間322之一內側設置一第二凸出件34，該第二凸出件34設置於該膠體層30之該上方，與該膠體層30一體成形，該第二凸出件34用於改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號；於本實施例中，該容置空間322之該內側填充空氣、惰性氣體或抽真空，本實施例不在此限制。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第5圖，其為本發明之第五實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第五實施例，其係基於上述第一至四實施例，更進一步於該薄膜件40之該透光層44之該上方設置該第一凸出件46以及該膠體層30之該上方設置該切槽32，該切槽32之該容置空間322之該內側設置該第二凸出件34，該第一凸出件46之位置對應該第二凸出件34之位置，利用該第一凸出件46以及該第二凸出件34改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號；於本實施例中，該薄膜件40之該透光層44也可包含該透光區442以及該遮蔽區441，進一步提升感光效率。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件 40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第6圖，其為本發明之第六實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第六實施例，其係一種光學感測器之結構1，其包含一基板10、一感光元件20、一膠體層30、一遮蔽層60以及一薄膜件40；於本實施例中，該薄膜件40係於該光學感測器之結構1封裝後再設置。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
再次參閱第6圖，如圖所示，於本實施例中，該感光元件20，其設置於該基板10之一上方，該感光元件20用於接收一光線L1，該膠體層30設置於該基板10之該上方，且該膠體層30包覆該感光元件20，該遮蔽層60設置於該基板10之該上方，該遮蔽層60包覆該膠體層30，該遮蔽層60對應該感光元件20之位置穿設一穿孔62，再設置該薄膜件40於該遮蔽層60之一上方，該薄膜件40包含一黏接層42以及一透光層44，該黏接層42設置於該遮蔽層60之該上方，該透光層44設置於該黏接層42之一上方；於本實施例中，該遮蔽層60係不透光之元件，並利用該穿孔62供一光線L1穿過，並阻擋不必要之一光線L2之穿過，提升該感光元件20之感光效率。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第7圖，其為本發明之第七實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第七實施例，其係基於上述第六實施例，進一步於該薄膜件40之該透光層44之一上方設置一第一凸出件46，該第一凸出件46用 於改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第8圖，其為本發明之第八實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第八實施例，其係基於上述第六實施例，更進一步於該膠體層30之一上方設置一切槽32，該切槽32之位置對應該感光元件20之位置，該切槽32與該遮蔽層60之該穿孔62之間形成一容置空間322，且該容置空間322之一內側設置一第二凸出件34，該第二凸出件34設置於該膠體層30之該上方，與該膠體層30一體成形，該第二凸出件34用於改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號；於本實施例中，該容置空間322之該內側填充空氣、惰性氣體或抽真空，本實施例不在此限制。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
請參閱第9圖，其為本發明之第九實施例之結構示意圖，如圖所示，本實施例係第九實施例，其係基於上述第六至八實施例，更進一步於該薄膜件40之該透光層44之該上方設置該第一凸出件46以及該膠體層30之該上方設置該切槽32，該切槽32之該容置空間322之該內側設置該第二凸出件34，該第一凸出件46之位置對應該第二凸出件34之位置，利用該第一凸出件46以及該第二凸出件34改變該光線L1之光學特性，並由該感光元件20接收，以產生訊號。本實施例之結構可以在光學感測器封裝後，依據需求透過變更該薄膜件40，貼合一層或一層以上具有光學特性的薄膜，據以更新光學感測器的光學設計。
綜上所述，本發明提供一種光學感測器之結構，其係於光學感測器之表面再貼合一層或一層以上具有光學特性之薄膜，使原本僅能單一應用的光學感測器，可以對應不同的應用貼附不同之薄膜，進一步若光學感測器具有而外庫存時，可對應貼附經加工後之薄膜，改變該光學感測器之應用範圍，進行再利用，減少大量呆滯庫存的壓力，進一步減少感光產品之開發時間以及方便成本控管，解決習知技術僅能對應滿足單一需求，若需求變化，將導致光學感測器製造成本的上升之問題。
故本發明實為一具有新穎性、進步性及可供產業上利用者，應符合我國專利法專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈 鈞局早日賜准專利，至感為禱。
惟以上所述者，僅為本發明一實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
1:光學感測器之結構
10:基板
20:感光元件
30:膠體層
40:薄膜件
42:黏接層
44:透光層

Claims (3)

  1. 一種光學感測器之結構，其包含：一基板；一感光元件，其設置於該基板之一上方；一膠體層，其設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件；以及一薄膜件，其包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該膠體層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方；其中，該透光層之一上方延伸設置一第一凸出件，該第一凸出件係用於改變光線之光學特性，並由該感光元件接收，該膠體層之該上方設置一切槽，該切槽之位置對應該感光元件之位置，該切槽與該黏接層之間形成一容置空間，該膠體層之該上方於該容置空間之一內側延伸設置一第二凸出件，該第一凸出件之位置對應該第二凸出件之位置。
  2. 如請求項1所述之光學感測器之結構，其中該透光層包含一透光區以及一遮蔽區，該透光區之對應該感光元件。
  3. 一種光學感測器之結構，其包含：一基板；一感光元件，其設置於該基板之一上方；一膠體層，其設置於該基板之該上方，並包覆該感光元件；一遮蔽層，其設置於該基板之該上方，並包覆該膠體層，該遮蔽層對應該感光元件之位置穿設一穿孔；以及一薄膜件，其包含一黏接層以及一透光層，該黏接層設置於該遮蔽層之一上方，該透光層設置於該黏接層之一上方；其中，該透光層之一上方設置一第一凸出件，該第一凸出件係用於改 變光線之光學特性，並由該感光元件接收，該膠體層之該上方設置一切槽，該切槽之位置對應該感光元件之位置，該切槽與該穿孔之間形成一容置空間，該膠體層之該上方於該容置空間之一內側延伸設置一第二凸出件，該第一凸出件之位置對應該第二凸出件之位置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114078979A (zh) * 2020-08-20 2022-02-22 昇佳电子股份有限公司 光学传感器的结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8487914B2 (en) * 2009-06-18 2013-07-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical fingerprint navigation device with light guide film
TW201735329A (zh) * 2016-02-19 2017-10-01 海特根微光學公司 具備配有用於容納一光學組件之開口之雙重囊封的光電模組
US20180039849A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Gingy Technology Inc. Image capturing apparatus and manufacturing method thereof
US20190363216A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd Optical Sensing Assembly and Method for Manufacturing the Same, and Optical Sensing System
CN210605741U (zh) * 2019-08-06 2020-05-22 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹检测的装置和电子设备

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07244212A (ja) * 1994-01-11 1995-09-19 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフイルター用感光材料とそれを用いたカラーフイルターの製造方法
US20050067681A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
JP4469781B2 (ja) * 2005-07-20 2010-05-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US9231012B2 (en) * 2007-08-01 2016-01-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor package
KR100918691B1 (ko) * 2007-12-07 2009-09-22 제일모직주식회사 패드 보호막 형성용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용하는이미지 센서의 제조 방법
JP4764942B2 (ja) * 2008-09-25 2011-09-07 シャープ株式会社 光学素子、光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器
CN103101875A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 精材科技股份有限公司 半导体封装件及其制法
US9029759B2 (en) * 2012-04-12 2015-05-12 Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd Compact camera modules with features for reducing Z-height and facilitating lens alignment and methods for manufacturing the same
US10043924B1 (en) * 2012-12-04 2018-08-07 Maxim Integrated Products, Inc. Low cost optical sensor package
US9305951B2 (en) * 2012-12-26 2016-04-05 Shanghai Ic R&D Center Co., Ltd Pixel structure of CMOS image sensor and manufacturing method thereof
TW201505132A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
CN104051367A (zh) * 2014-07-01 2014-09-17 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构和封装方法
US10646528B2 (en) * 2014-08-22 2020-05-12 Wellkey Holdings Limited Method for preparing extract of genus Panax including wild ginseng or ginseng, or cambial meristematic cells derived from genus panax or extract thereof containing rare ginsenosides in high quantity
US10043847B2 (en) * 2014-08-26 2018-08-07 Gingy Technology Inc. Image capturing module and electrical apparatus
TWI536273B (zh) * 2014-08-26 2016-06-01 Gingy Technology Inc Photoelectric fingerprint identification device
CN108701726B (zh) * 2015-11-17 2021-08-24 新加坡恒立私人有限公司 具有孔径的光电模组及其制造
US9934419B2 (en) * 2016-02-23 2018-04-03 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Package structure, electronic device and method for manufacturing package structure
US10644046B2 (en) * 2017-04-07 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out sensor package and optical fingerprint sensor module including the same
CN108496179A (zh) * 2017-04-12 2018-09-04 深圳市汇顶科技股份有限公司 光学指纹传感器和光学指纹传感器的封装方法
TWI695992B (zh) * 2018-04-03 2020-06-11 英屬開曼群島商康而富控股股份有限公司 利用不同折射率的材料所組成的鏡片結構
CN211320102U (zh) * 2019-09-23 2020-08-21 神盾股份有限公司 集成光学传感器
CN111446310A (zh) * 2020-04-16 2020-07-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光学感测装置
CN114078979A (zh) * 2020-08-20 2022-02-22 昇佳电子股份有限公司 光学传感器的结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8487914B2 (en) * 2009-06-18 2013-07-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical fingerprint navigation device with light guide film
TW201735329A (zh) * 2016-02-19 2017-10-01 海特根微光學公司 具備配有用於容納一光學組件之開口之雙重囊封的光電模組
US20180039849A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Gingy Technology Inc. Image capturing apparatus and manufacturing method thereof
US20190363216A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Silergy Semiconductor Technology (Hangzhou) Ltd Optical Sensing Assembly and Method for Manufacturing the Same, and Optical Sensing System
CN210605741U (zh) * 2019-08-06 2020-05-22 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹检测的装置和电子设备

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