TWI819453B - 容器中沖淨流速的遠程優化 - Google Patents

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Abstract

優化一基板容器中之沖淨流參數包含：使一沖淨工作流體流入該基板容器之一內部中，自該基板容器之該內部排放該沖淨工作流體，及在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數，在該預定時段期間偵測該基板容器之該內部中之至少一個環境狀況，基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數，及根據該等經優化沖淨流參數調整該流入及該排放。該基板容器可包含例如一前開口晶圓傳送盒或一倍縮光罩盒。

Description

容器中沖淨流速的遠程優化
本發明係關於控制一晶圓或倍縮光罩承載基板容器(諸如前開口晶圓傳送盒(FOUP))內之一環境。
可處理呈晶圓之形式之基板以形成半導體器件。基板可包含玻璃、矽或適合於半導體器件之(若干)任何其他材料。一基板可具有一面板形狀，且面板可係圓形、矩形或適合於在一容器中處理且承載之任何其他形狀。晶圓基板(下文中，「基板」)經歷一系列程序步驟，該系列程序步驟包含一特定基板之材料層沈積、摻雜、蝕刻或(若干)化學或物理反應材料。一基板容器用於在一製造設施內儲存基板且運送處理中基板。基板容器包含(例如) FOUP，該等FOUP通常包含具有用於固持基板之一內部空間之一外殼及用於與各種輸送器及其他器件介接，使得(例如) FOUP可在處理設施內四處移動之一板。外殼及板(例如)藉由焊接、接合、連接器等固定至彼此。
在處理期間，必須引入氣體且(例如)在沖淨程序期間自FOUP移除該等氣體，因此需要FOUP具有氣體可在其處進入或離開FOUP之一或多個位置。例如，可透過一設備前端模組(EFEM)將基板自FOUP傳送至處理設備，該EFEM通常包含用於接納FOUP之一裝載埠、一傳送單元、一框架或「微型化無塵室(mini-environment)」及用於在EFEM內產生氣流之一風扇過濾單元。
當FOUP對接於一裝載埠上時，裝載埠之一門與FOUP之一門介接且使FOUP之門與FOUP之一外殼脫離。當FOUP之門自外殼脫離(敞開)時，EFEM允許容置於EFEM內之傳送單元接取儲存於FOUP內之基板。由一風扇過濾單元引入之一氣流自EFEM之一頂部流動通過EFEM至EFEM之一底部。
本發明係關於優化(例如)在半導體製造中使用之晶圓或倍縮光罩承載基板容器(諸如FOUP或盒(例如，倍縮光罩盒))之沖淨流參數。更具體言之，本發明係關於在沖淨時遠程量測一FOUP內之環境狀況(諸如相對濕度等)；及在各種案例(包含開門或關門沖淨程序)中遠程優化沖淨流參數(諸如沖淨流速)。
在至少一項例示性實施例中，一種系統包含安置於一FOUP之一內部中之一第一處理器件，該內部亦具有插入其中之一基板。該系統亦包含通信地耦合至該FOUP之該內部內之該第一處理器件之一感測器。該感測器可經組態以偵測該FOUP之該內部中之至少一個環境狀況。根據至少一項例示性實施例，該第一處理器件、該感測器或其等之組合可定位於該FOUP之一內壁上或該FOUP之一門上，與該內壁或門成一體或附接至該內壁或門。根據至少一項其他例示性實施例，該第一處理器件、該感測器或兩者可定位於一基板或一晶圓上，或定位於一沖淨模組內或鄰近一沖淨模組定位，該沖淨模組安置於該FOUP之該內部中。
在至少一項例示性實施例中，一種優化一FOUP中之沖淨流參數之方法包含：使一沖淨工作流體流入該FOUP之一內部中，自該FOUP之該內部排放該沖淨工作流體，在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數，在該預定時段期間偵測該FOUP之該內部中之至少一個環境狀況，基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數，及根據該等經優化沖淨流參數調整該流入及該排放。
在以下詳細描述中，參考形成描述之一部分之隨附圖式。在圖式中，類似元件符號通常識別類似組件，除非背景內容另外指示。此外，除非另外提及，否則各連續圖式之描述可參考來自一或多個先前圖式之特徵以提供更清晰背景內容及當前例示性實施例之一更實質性解釋。此外，詳細描述、圖式及發明申請專利範圍中所描述之例示性實施例不旨在為限制性。可利用其他實施例，且可作出其他改變而不脫離本文中呈現之標的物之精神或範疇。將容易理解，如本文中大體上描述且在圖式中繪示之本發明之態樣可以廣泛多種不同組態配置、取代、組合、分離及設計，其等全部在本文中明確考慮。
本發明係關於優化(例如)在半導體製造中使用之晶圓或倍縮光罩承載基板容器(諸如FOUP或倍縮光罩盒)之沖淨流參數。更具體言之，本發明係關於在一沖淨程序期間遠程量測環境狀況(諸如相對濕度等)；及在各種案例中(諸如在FOUP中之開門或關門沖淨程序期間)遠程優化一基板容器中之沖淨流參數(諸如沖淨流速)。
如本文中定義，術語「即時(real-time或real time)」可係指必須確保在一指定或預定時間(截止日期)內(通常大約在例如幾分之一秒)之回應時間。一即時程序通常係在最大持續時間之經定義時間步長內發生且足夠快速以影響該即時程序在其中發生之環境之程序。
將瞭解，可處理呈晶圓之形式之基板以形成半導體器件。一基板容器可用於在處理期間固持此等基板。在至少一項非限制性實施例中，容器可係一倍縮光罩容器。基板容器可透過基板容器之一前開口或蓋接取。
在一項實施例中，當沖淨一FOUP (例如，開門沖淨、關門沖淨等)時，通常可(例如)藉由一或多個感測器量測或偵測環境狀況(諸如相對濕度(%RH))且可使用(例如) %RH資料記錄器儲存經偵測%RH資料。感測器、資料記錄器或其等之一組合可放置於FOUP內部之基板上且經定位以擷取各種位置中(例如，FOUP之一內部之前側、後側、右側及左側之容納晶圓之各種槽處)之%RH量測。在沖淨程序完成之後，感測器或資料記錄器可自基板移除，且經儲存%RH資料可下載至一控制器且由控制器分析以判定%RH資料與在其下獲得%RH資料之環境狀況之間之關係。替代地，感測器或資料記錄器可附接至一FOUP之結構元件(例如，晶圓支撐件)。
在至少一項例示性實施例中，在沖淨一基板載具(諸如一FOUP)時，可(例如)藉由FOUP內之一或多個感測器量測或偵測環境狀況(例如，%RH)，且可經由FOUP內部之一內部控制器或處理器將經偵測%RH資料即時傳達至一外部控制器或處理器。(若干)感測器可耦合至FOUP內之控制器，該控制器將經偵測%RH資料即時傳達至外部控制器。在至少一項例示性實施例中，(若干)感測器可放置於FOUP內部之晶圓上以便擷取各種位置中(例如，FOUP之內部之前側、後側、右側及左側之容納晶圓之各種槽處)之%RH。在至少一項其他例示性實施例中，(若干)感測器可定位於FOUP之一內壁或FOUP之一門上(在一內側處)，例如，與內壁或門成一體或附接至內壁或門。
在至少一項例示性實施例中，內部控制器可代替外部控制器執行且因此，外部控制器可係選用的。在至少一項例示性實施例中，內部控制器可定位於FOUP中、EFEM中或適合於與感測器通信之任何其他位置處。在至少一項例示性實施例中，外部控制器可經組態以在一沖淨程序期間監測即時環境狀況(諸如一FOUP內部之%RH)。外部控制器及/或一使用者可(例如，對FOUP幾何形狀、沖淨設計(例如，入口/出口沖淨埠之數目及/或組態)、EFEM組態、沖淨流參數(例如，氣體流速)等)進行調整，使得可即時微調並優化沖淨程序、沖淨效率及沖淨效能。另外，外部控制器可將針對不同適用操作案例(例如，開門沖淨、關門沖淨等)之各者之對應調整結果(例如，經優化氣體流速等)儲存為可用於在對應操作案例發生時在沖淨程序期間優化一指定環境回應(例如，一所要壓力等)之一組個體化沖淨「配方」。
圖1係根據至少一項實施例之一基板容器100之一正視透視圖。
如圖1中展示，基板容器100包含一門104及一外殼102。門104耦合至外殼102且形成一經圍封內部空間。門104可藉由機械地閂鎖或吸入配合於外殼102之一對應開口內而耦合至外殼102；或替代地，門104可(例如，經由一鉸接)在外殼102之對應開口之頂部、底部或任一側之一者上耦合至外殼102。在至少一項例示性實施例中，FOUP之門可在外殼之一底部開口上耦合至FOUP之外殼。
圖2係根據至少一項例示性實施例之一基板容器110之一分解視圖。圖2繪示其中門111被移除(例如，敞開)之基板容器110。如圖2中展示，外殼113界定基板容器110之其中可儲存基板之一內部空間117。
外殼113可包含一開口119，該開口119可藉由耦合至外殼113之門111圍封。可藉由移動(例如，敞開、移除)門111而接取基板容器110。例如，可藉由將門111配合至外殼113之開口119中而將門111耦合至外殼113。在至少一項例示性實施例中，門111及外殼113之一或多者可包含一鎖定機構(未展示)以防止門111之意外敞開或移除。在至少另一例示性實施例中，外殼113之開口可在外殼之底部處。
如圖2中展示，外殼113可進一步包含一第一側壁114、一第二側壁116、一後壁118以及一頂壁120及一底壁122。
在至少一項例示性實施例中，第一側壁114可與第二側壁116相對且平行，其等藉由頂壁120及底壁122分離。第一側壁114可被稱為左側而右側116可被稱為右側，但「左」或「右」之名稱係觀察視角之一問題且不旨在以任何方式進行限制。
頂壁120及底壁122各在第一側壁114與第二側壁116之間延伸。在至少一項例示性實施例中，頂壁120可與底壁122相對且平行，其等藉由第一側壁114及第二側壁116分離。底壁122包含沿著前開口119延伸之一邊緣124A。邊緣124A亦在外殼113之第一側壁114與第二側壁116之間延伸。第一側壁114包含沿著前開口119延伸之一邊緣124B。第一側壁114之邊緣124B亦在外殼113之頂壁120與底壁122之間延伸。在至少一項例示性實施例中，邊緣124A及124B彼此垂直且界定前開口119。
基板容器110可包含在外殼113之頂壁120上之一設備連接器(亦稱為一「自動化凸緣」) 126。在至少一項例示性實施例中，設備連接器126容許用於移動基板容器110之一自動化附接(未展示)。自動化附接可包含(但不限於)可連接至基板容器110之一自動化臂(亦稱為一「架空傳送系統」)。例如，自動化臂可用於將基板容器110在不同處理設備件之間移動。在至少一項例示性實施例中，基板容器110可包含一或多個把手(未展示)以容許一使用者(例如，一技術人員等)手動地移動基板容器110。
基板容器110可進一步包含用於在內部空間117中固持基板之複數個擱板115。
在至少一項例示性實施例中，內部空間117包含壁114、116、118、120及/或122之內壁/表面。在第二側壁116之內表面上之擱板115之部分在圖2中被遮擋，其可具有類似於第一側壁114上之擱板115上之部分之一組態。壁114及116之內表面上之擱板115可經組態以在內部空間117內協作地固持一基板(未展示)。例如，擱板115可形成及/或界定槽且經定大小以固持一特定大小之基板(例如，150 mm晶圓、200 mm晶圓等)。
根據至少一項例示性實施例，當基板容器110之門111敞開時，沖淨氣體可經供應至內部空間117以減少外部環境(例如，氣體、粒子、濕度等)通過前開口119進入基板容器110中。例如，經供應沖淨氣體可通過前開口119自內部空間117流出，因此減少任何氣體或物質通過前開口119向內流動至內部空間117中。在至少一項例示性實施例中，一裝載埠之一門經組態以與門111介接且使門111自外殼113脫離(以敞開門111)。在至少一項例示性實施例中，一控制器經組態以敞開/關閉門111。可在門敞開之前，在門敞開期間，在門正在關閉之同時及在門關閉時控制一沖淨程序。沖淨氣體可係一大致上惰性氣體，諸如氮氣。沖淨氣體亦可係清潔乾燥空氣(CDA)或超清潔乾燥空氣(xCDA)。沖淨氣體可進一步係用於調節基板之任何氣體或任何其他適合氣體。將瞭解，一沖淨塔、擴散器或歧管(未展示)可促進氣態工作流體或沖淨氣體流動至基板容器110中，使得沖淨氣體可經引導朝向且接著遠離容置於基板容器110中之晶圓。沖淨氣體可掃掠容器及其內容物，吸取殘餘水分、氧氣及大氣微污染物(AMC)且促進顆粒朝向(若干)出口沖淨埠或門開口之移動。
基板容器110之底壁122包含用於將沖淨氣體供應至內部空間117中之(若干)入口沖淨埠(112A、112B、112C)。例如，基板容器110可通過一第一入口沖淨埠112A被供應有一第一沖淨氣體流，通過一第二入口沖淨埠112B被供應有一第二沖淨氣體流，通過一第三入口沖淨埠112C被供應有一第三沖淨氣體流或其等之一組合。在至少一項例示性實施例中，入口沖淨埠(112A、112B、112C)之一或多者可經組態為一入口沖淨埠或一出口沖淨埠。基板容器110可包含一第四入口/出口沖淨埠(未展示)。本文中描述且敘述之實施例不限於四個或更少沖淨埠。亦即，本文中描述且敘述之數量僅係為了描述目的提供且不旨在為限制性。在至少一項例示性實施例中，(若干)入口/出口沖淨埠可安置於基板容器110之側壁上。
外殼113具有一外表面150。(若干)入口/出口沖淨埠(112A、112B、112C等)之各者自內部空間117延伸通過底壁122至外殼113之外表面150。基板容器110可包含四個入口/出口沖淨埠或不同數目個入口/出口沖淨埠。在至少一項例示性實施例中，基板容器110可包含一或多個入口沖淨埠。在至少一項例示性實施例中，基板容器110可包含一或多個前入口沖淨埠(分別對應於且流體連接於圖5之210及/或240)及一或多個後入口沖淨埠(分別對應於且流體連接於圖5之220及/或230)。在至少一項例示性實施例中，前沖淨埠之一或多者可係用於自基板容器110排放內部空間117中之氣體之(若干)出口沖淨埠。
(若干)入口沖淨埠(112A、112B、112C)可容許一流體(諸如一沖淨氣體(例如，氮氣))流動至基板容器110中。可提供一止回閥(未展示，例如，一機械止回閥)以促進一流體(包含自基板容器110沖淨之氣體)自基板容器110之內部空間117通過(若干)出口沖淨埠(112A、112B、112C或第四沖淨埠)流出。
圖3係根據至少一項例示性實施例之一基板容器121之一分解視圖。基板容器121包含一敞開前部123、一門125及一外殼127。晶圓129可透過敞開前部123水平插入及移除。形成於外殼127之內側中之槽(不可見)容納晶圓129。門125可包含用於與外殼127接合以形成與周圍氛圍隔離之一內部環境之一密封件。
圖4係根據一實施例之與一EFEM 148相互作用之一基板容器138之一示意圖130。基板容器138鄰近EFEM 148對接於一裝載埠142上。基板容器138可係任何前開口基板載具，諸如(例如)一FOUP、一前開口裝運箱(FOSB)或一多應用載具(MAC)。熟習此項技術者通常將理解，本文中揭示之許多概念可適用於其他基板容器或載具，且更特定言之，其他前開口或底部開口基板容器或載具。基板容器138可包含一設備連接件(hookup) 134。當基板容器110附接至EFEM 148時，基板容器110之前開口132沿著EFEM 148之一內部定位。
在使用中，基板容器138可對接於裝載埠142上，且裝載埠142之一門與基板容器138之一門(例如，圖3之125)介接且使基板容器138之門自基板容器138之一外殼脫離。當基板容器138之門自外殼脫離(敞開)時，EFEM 148允許容置於EFEM 148內之一機器人臂接取儲存於基板容器138內之半導體晶圓140。如由圖4中之箭頭指示，氣體(例如，氮氣、超清潔乾燥空氣等)可自EFEM 148之一頂部150流動通過EFEM 148至EFEM 148之一底部144以減少EFEM 148內之污染物。
當基板容器138之前開口132與EFEM 148之裝載埠開口146介接，從而產生一FOUP-EFEM介面時，通過EFEM 148且跨裝載埠開口146流動之氣體之一些可流動至容器138之內部136中，從而藉由暫時引起內部環境中(諸如基板容器138之微型化無塵室內之相對濕度及/或氧氣濃度)之一增加而潛在地干擾基板容器138之沖淨能力，此可係非所要的。另外，並非全部EFEM具有相同構造。EFEM之大小及尺寸以及EFEM之內部結構可取決於製造商而變動。不同製造商之EFEM之間之大小及構造之可變性可在基板容器138與不同EFEM一起利用時產生基板容器138之沖淨效能之差異。將瞭解，在基板容器138之沖淨程序期間，沖淨氣體可分佈遍及容器138之內部(包含前開口132)以抵抗自EFEM 148通過前開口132至內部空間136中之氣體之亂流。一控制器(在圖6及圖7中詳細描述)可經組態以調整基板容器138之沖淨流參數(例如，氣體流速)以達成對來自不同EFEM之衝擊之經優化環境回應(例如，%RH、壓力等)。
圖5繪示根據一實施例之用於對接一基板容器(未展示)之一裝載埠200。裝載埠200包含入口/出口210、220、230、240，其等之一或多者可經組態為一入口或一出口。具有一側壁250之一EFEM可附接至基板容器，且一額外EFEM 260可附接至該EFEM。基板容器(例如，圖2之110)可包含在位置上對應於(例如)出口210及出口220、230及240之(若干)入口沖淨埠及(若干)出口沖淨埠(例如，圖2之112A、112B、112C等)。在至少一項例示性實施例中，在一開門沖淨程序期間，例如，一出口210可不具有預期效應且因此可不被使用，此係因為沖淨氣體可通過開口(門在關閉時定位之處)流出容器。在至少一項例示性實施例中，沖淨氣體可始終流動通過220及230，但僅有時通過240。
在操作中，一沖淨氣體之一第一流可通過外殼之底壁中之一第一入口沖淨埠自入口220、230、240之任一者被供應至基板容器。另一沖淨氣體之一第二流可通過外殼之底壁中之一第二入口沖淨埠自入口220、230、240之一未使用者被供應至基板容器。沖淨氣體之一第三流可通過外殼之底壁中之一第三入口沖淨埠自入口220、230、240之又一者被供應至基板容器。如上文闡述，本文中描述且敘述之實施例不限於三個或更少入口埠；實情係，埠之數量僅係為了描述目的提供且不旨在以任何方式進行限制。
沖淨氣體可通過外殼之底壁中之一出口沖淨埠自一出口210自基板容器之內部空間排放。此組態可被稱為一3入/1出組態。一般技術者認知，亦可包含其他可所要組態，諸如(例如) 2入/2出。
在至少一項其他例示性實施例中，沖淨氣體之一第一流可通過外殼之底壁中之一第一入口沖淨埠自入口220、230、240之一者被供應至基板容器。沖淨氣體之一第二流可通過外殼之底壁中之一第二入口沖淨埠自入口220、230、240之一未使用者被供應至基板容器。沖淨氣體可通過外殼之底壁中之一第一及一第二出口沖淨埠自一第一及一第二出口210自基板容器之內部空間排放。此組態可被稱為一2入/2出組態。
圖6係根據至少一項例示性實施例之用於沖淨一基板容器310之一系統300之一示意圖。
系統300包含具有一內部空間之一基板容器310、可插入內部空間中之一或多個基板330、安置於內部空間中之一第一控制器或處理器320及在內部空間中耦合至第一處理器件之一或多個感測器340。(若干)感測器340可經組態以偵測內部空間中之至少一個環境狀況。
在至少一項例示性實施例中，容器310可係一晶圓或倍縮光罩載具，例如，一FOUP或一盒(諸如一極紫外光(EUV)倍縮光罩盒)。第一控制器320或感測器340或其組合可安置於容器310之一內壁或一門上。替代地或另外，第一控制器320、一或多個感測器340或其等之一組合可安置於一基板330上，該基板330安置於容器310中。在又一例示性實施例中，第一控制器320、一或多個感測器340或其等之一組合可定位於(例如)容器310之內部空間之前側、後側、右側及左側處或容納基板330之各種槽(例如，參見圖2)上。在又一例示性實施例中，第一控制器320及/或(若干)感測器340可整合至內壁或門或可附接至內壁或門。
系統300亦可包含一第二控制器或處理器350。在至少一項例示性實施例中，第二控制器350可安置於容器310外部。第一控制器320經組態以將至少一個環境狀況(例如，%RH)傳達至第二控制器350。在至少另一例示性實施例中，第二控制器350可定位於基板上，容器310中或上，裝載埠中，EFEM中或其等之組合。在至少另一例示性實施例中，第二控制器350可係一獨立控制器或作為一工廠資訊系統之部分。在至少一項例示性實施例中，第一控制器320可與一器件360 (例如，一膝上型電腦或任何其他適合器件)直接通信。在此實施例中，第二控制器350容置於器件360中。
圖6在容器310與第二控制器350之間展示第一控制器320及四個感測器340之一放大視圖。第一控制器320及(若干)感測器340安置於容器310中。根據至少一項實施例，四個感測器340安置於一晶圓堆疊(例如，各25個晶圓安置於一槽中)中之一第一晶圓之前、後、左及右邊緣上或周圍。第一控制器320安置於第一晶圓之中間。感測器之數量不限於本文中展示且描述之數量，而僅係為了描述目的提供。在至少一項例示性實施例中，(若干)感測器340可安置於一可移除三維晶格結構(其安置於容器310內部)上。在至少一項例示性實施例中，針對(容器310)之開門沖淨，(若干)感測器340可定位於容器310之前開口附近以量測在容器310與外部環境之匯合處之狀況(例如，環境狀況及/或回應)。在至少另一例示性實施例中，感測器340可遍及容器310之側壁均等地分佈或定位於任何其他適合或所要位置中。
在至少一項例示性實施例中，晶圓堆疊之各晶圓可具有晶圓上之一類似感測器組(例如，五個感測器320，一個在具有第一控制器320之一中心板上，且四個在邊緣上)，各感測器在對應於第一控制器320之一給定晶圓上。然而，本文中描述且敘述之實施例在數量上不如此受限制，而僅為了描述目的提供數量。
在至少一項例示性實施例中，第一控制器320可包含一電源(例如，電池或任何其他適合電源)、一通信模組(例如，藍牙或任何其他適合有線或無線通信模組)及一記憶體。記憶體可經組態以儲存自(若干)感測器340獲得之經偵測環境狀況(例如，%RH資料)。通信模組可將經偵測即時%RH資料即時傳達至第二控制器350之一通信模組。
在至少一項例示性實施例中，第二控制器350可包含一電源(例如，電池或任何其他適合電源)、一通信模組(例如，藍牙或任何其他適合有線或無線通信模組)及一記憶體。記憶體可經組態以儲存自第一控制器320獲得之經偵測即時環境狀況(例如，%RH資料)。第二控制器350亦可包含用於顯示經獲得%RH資料之一顯示器件(例如，一LCD或任何其他適合監視器)。在至少一項例示性實施例中，可顯示在25個晶圓之各者之前、後、左及右邊緣處之%RH資料。
第一控制器320及第二控制器350可使容器310內部之即時環境狀況(例如，%RH資料)能夠藉由第二控制器350遠程分析。第一控制器320可安置於經密封容器310內部且將即時%RH資料無線地傳達至安置於容器310外部之第二控制器350。有利地，可在一沖淨測試期間量測整個容器310內之即時%RH資料且可對容器310之幾何形狀、沖淨設計或EFEM組態之一或多者進行調整。對沖淨設計之調整可包含更改入口/出口沖淨埠之組態、沖淨氣體流速等。可實施此等調整以即時微調且優化沖淨程序。
當感測器340 (例如)硬安裝至定位於晶圓槽(例如，25個槽)之各者中之各矽晶圓或基板時，容器之內部中之環境狀況(例如，%RH資料、氧氣濃度、溫度、氣載分子污染物之一經量測存在及/或一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在)可在容器310內之多個位置處(例如，每晶圓槽及在槽(例如，25個槽)之間)量測且遠程監測。感測器亦可安置於容器310之(若干)內壁或門(例如，一內側)上，使得可在一所要位置處量測環境狀況(例如，%RH資料)。
第二控制器350可與容器310外部之量測周圍環境狀況(例如，%RH)之(若干)感測器通信。第一控制器320及/或第二控制器350可與一器件360 (例如，一膝上型電腦或任何其他適合器件)直接有線或無線地通信。第二控制器可(例如)藉由USB直接連接至器件360。
在圖6之例示性實施例中，容器310對接於一裝載埠370上且附接至一EFEM 380。
在操作中，第二控制器350可控制一沖淨工作流體(例如，氣體等)經由(若干)入口沖淨埠流入容器310之內部空間中，且經由(若干)出口沖淨埠自內部空間排放沖淨工作流體，且在一預定時段內變動沖淨工作流體之沖淨流參數(例如，氣體流速等)。第二控制器可進一步經組態以基於預定時段期間之經變動沖淨流參數及容器310內部之至少一個經偵測環境狀況(例如，%RH、壓力、溫度等)判定經優化沖淨流參數(例如，氣體流速等)。
圖7展示根據至少一項例示性實施例之用於優化一容器中之沖淨流參數之一操作流程400。
操作流程400可包含由一或多個方塊410、420、430、440、450及460描繪之一或多個操作、動作或功能。雖然繪示為離散方塊，但各種方塊可取決於所要實施方案而被劃分為額外方塊，組合成更少方塊或剔除。作為一非限制性實例，根據本文中描述之一或多項例示性實施例，對應於其在圖7中之描繪且由系統300中展示之裝置或組件之一或多者執行之方法400之描述與優化一容器中之沖淨流參數有關。處理流程400可在方塊410開始。
方塊410可係指控制器350使一沖淨工作流體經由容器(其可係一晶圓或倍縮光罩容器(例如，一FOUP))之(若干)入口沖淨埠流入一容器之一內部中。沖淨工作流體可包含氮氣、清潔乾燥空氣(CDA)、超清潔乾燥空氣(xCDA)、用於調節一容器環境之氣體或任何其他適合流體之一或多者。方塊410後可接著方塊420。
方塊420可係指控制器350經由容器之(若干)出口沖淨埠自容器之內部排放沖淨工作流體。方塊420後可接著方塊430。
方塊430可係指控制器350在一預定時段內變動沖淨工作流體之沖淨流參數。在至少一項例示性實施例中，沖淨流參數包含沖淨工作流體(例如，在各入口/出口沖淨埠或擴散器處)之流速。在至少一項例示性實施例中，可藉由變動容器外殼及/或容器之門之幾何形狀，變動入口及/或出口沖淨埠組態及/或幾何形狀及/或變動擴散器幾何形狀等而變動沖淨流參數。
在至少一項例示性實施例中，變動沖淨流參數包含將沖淨流參數自一第一預定組態改變成一第二預定組態(例如，自一較低流速改變成一較高流速或反之亦然)。可將沖淨流參數(例如，氣體流速)自第一預定組態離散地改變成第二預定組態(例如，每預定時段(諸如每兩分鐘)改變沖淨流參數)或連續地改變成第二預定組態(例如，在一預定時段期間或內將沖淨流參數自一第一值逐漸改變成一第二值)。方塊430後可接著方塊440。
方塊440可係指一或多個感測器340在預定時段期間偵測容器之內部中之至少一個環境狀況。至少一個環境狀況可包含相對濕度(%RH)、壓力(例如，絕對壓力)、氧氣濃度、溫度、氣載分子污染物之一經量測存在、一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在等。至少一個環境狀況可由控制器320自一或多個感測器340傳達至控制器350。方塊440後可接著方塊450。
方塊450可係指控制器350基於預定時段期間之經變動沖淨流參數及至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數。
在至少一項例示性實施例中，例如，藉由達成(例如，容器內部之)一所要(預定或最佳)環境回應而獲得或判定經優化沖淨流參數(例如，氣體流速)。所要環境回應可包含將容器內部中之相對濕度(%RH)、氧氣濃度、溫度、氣載分子污染物之一經量測存在及/或一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在之一或多者調整至一各自預定臨限位準。所要環境回應亦可包含在容器之內部中產生一所要壓力(例如，絕對壓力)。環境回應可由容器內部之(若干)感測器偵測或量測且經偵測資料可經傳達至容器外部之(若干)控制器。
在預定時段(用於沖淨測試之時間)期間，可發生各種操作案例，包含容器之一門在預定時段期間敞開；容器之門在預定時段期間關閉；在預定時段期間改變容器之內部中之基板(例如，晶圓)之一數目；在預定時段期間改變容器之內部中之基板之槽(例如，位置)；在容器之門關閉之預定時段內敞開門；在容器之門敞開之預定時段內關閉門；在預定時段期間改變一EFEM之一組態(例如，來自EFEM幾何形狀之流動效應及EFEM之流動參數)；在預定時段期間改變容器相對於一自動化裝置或資料庫之一位置(例如，左側或右側或中心) (例如，EFEM可附接至或包含三個裝載埠：一左側裝載埠、一中心裝載埠及一右側裝載埠；容器可定位於裝載埠之任一者上，且容器之位置可在裝載埠間改變，此可影響自EFEM至容器中之流動型樣)；在預定時段期間自容器之內部移除基板；在預定時段期間將基板放置至容器之內部中；在預定時段期間改變容器之內部中之基板之狀況(例如，水分、污染等)；在預定時段期間改變容器之沖淨入口埠及沖淨出口埠組態(例如，自3入/1出至2入/2出或反之亦然，改變成n+1 (n入/1出，其中n係四或更大)組態/自n+1 (n入/1出，其中n係四或更大)組態改變)。控制器(例如，圖6之350或任何其他適合控制器)分析(若干)環境回應且判定各適用操作案例之經優化沖淨流參數(例如，氣體流速)。在一實施例中，控制器分析(若干)環境回應且判定各適用操作案例之經優化沖淨流參數可經由實驗設計(DOE)、一經訓練神經網路、模型化等達成。
沖淨效率、沖淨效能及/或沖淨流參數可經受歸因於各種操作案例之變動。用於達成所要環境回應之在各操作案例下之對應經優化沖淨流參數可保存為可用於在對應操作案例發生時在沖淨程序期間優化所要環境回應之對應個體化沖淨「配方」。在至少一項例示性實施例中，若已針對一容器執行優化，則控制器可即時行動(例如，使用對應於此容器之一配方沖淨容器)。方塊450後可接著方塊460。
方塊460可係指控制器350根據經優化沖淨流參數調整流入及排放。例如，控制器350可為裝載埠提供最佳沖淨「配方」或控制。
經優化沖淨效率、沖淨效能或沖淨流參數之一或多者可最小化沖淨氣體(例如，氮氣)以充分保護基板容器之內容物。在至少一項例示性實施例中，可在沖淨程序操作已開始時(即，在用於判定「配方」之沖淨測試之後)執行方塊460處之調整。控制器350可選取給定案例之正確(最佳或對應)沖淨「配方」且相應地調整沖淨流速以達成所要環境回應。因而，可針對各案例優化沖淨效率及沖淨效能，此可增加良率且最小化氣體(例如，氮氣)消耗。
圖8係根據至少一項例示性實施例之優化一容器中之一感測器回應(例如，經感測資料或參數)之一方法500之一流程圖。
處理流程500可包含由一或多個方塊510、520、530、540及550描繪之一或多個操作、動作或功能。雖然繪示為離散方塊，但各種方塊可取決於所要實施方案而被劃分為額外方塊，組合成更少方塊或剔除。作為一非限制性實例，根據本文中描述之一或多項例示性實施例，對應於其在圖8中之描繪且由系統300中展示之裝置或組件之一或多者執行之方法500之描述與優化一容器中之一感測器回應有關。處理流程500可在方塊510開始。
方塊510可係指一或多個感測器340偵測容器之內部中之至少一個環境狀況。至少一個環境狀況可包含相對濕度(%RH)、壓力(例如，絕對壓力)、氧氣濃度、溫度、氣載分子污染物之一經量測存在、一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在等之一或多者。方塊510後可接著方塊520。
方塊520可係指一控制器(例如，320或350經由320)自一或多個感測器340獲得經偵測/經感測之至少一個環境狀況。方塊520後可接著方塊530。
方塊530可係指控制器判定經偵測/經感測之至少一個環境狀況是否匹配/係一所要(預定或最佳)環境狀況。若是，則方塊530後可接著方塊550。若否，則方塊530後可接著方塊540。
方塊550可係指自動化(包含控制器)繼續其預定操作。
方塊540可係指控制器基於經偵測/經感測之至少一個環境狀況調整或變動(參見方塊430)沖淨流參數(例如，氣體流速)。方塊540後可接著方塊510。
圖9係根據至少一項例示性實施例之在一容器中操作一經優化沖淨程序之一方法600之一流程圖。
處理流程600可包含由一或多個方塊610、620、630、640、650及660描繪之一或多個操作、動作或功能。雖然繪示為離散方塊，但各種方塊可取決於所要實施方案而被劃分為額外方塊，組合成更少方塊或剔除。作為一非限制性實例，根據本文中描述之一或多項例示性實施例，對應於其在圖9中之描繪且由系統300中展示之裝置或組件之一或多者執行之方法600之描述與在一容器中操作一經優化沖淨程序有關。處理流程600可在方塊610開始。
方塊610可係指自動化系統將容器自一第一位置運送至一第二位置。方塊610後可接著方塊620。
方塊620 (參見方塊510及520)可係指一控制器(例如，320或350經由320)在運送期間自一或多個感測器340獲得經偵測/經感測之至少一個環境狀況。方塊620後可接著方塊630。
方塊630可係指自動化系統將容器放置於第二位置(例如，一所使用埠)處。方塊630後可接著方塊640。
方塊640可係指一控制器(例如，320或350經由320)分析經偵測或經感測之至少一個環境狀況之一或多者(例如，以判定是否存在對應於經偵測或經感測之至少一個環境狀況之一經優化配方，參見方塊450)。方塊640後可接著方塊650。
方塊650可係指控制器判定對應於經偵測/經感測之至少一個環境狀況之經優化配方(若存在一個)(參見方塊450)。方塊650後可接著方塊660。
方塊660可係指若存在來自方塊650之一個經優化配方，則控制器使用經優化配方控制容器之一沖淨程序，或組態容器以獲得經偵測/經感測之至少一個環境狀況之一經優化配方(參見方塊410至450)。
態樣：態樣1至26之任何者可與態樣27至30之任何者組合，且態樣1至30之任一者可與態樣31至37之任一者組合。
態樣1。一種優化一前開口晶圓傳送盒(FOUP)中之沖淨流參數之方法，其包括： 使一沖淨工作流體流入該FOUP之一內部中； 自該FOUP之該內部排放該沖淨工作流體； 在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數； 在該預定時段期間偵測該FOUP之該內部中之至少一個環境狀況； 基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數；及 根據該等經優化沖淨流參數調整該流入及該排放。
態樣2。如態樣1之方法，其進一步包括： 將該至少一個環境狀況傳達至一自動化裝置。
態樣3。如態樣1或態樣2之方法，其中該沖淨工作流體包含氮氣、清潔乾燥空氣、超清潔乾燥空氣及用於調節一容器環境之氣體之一或多者。
態樣4。如態樣1至3中任一項之方法，其中該至少一個環境狀況包含相對濕度、壓力、氧氣濃度、溫度及氣載分子污染物或一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在之一或多者。
態樣5。如態樣1至4中任一項之方法，其中該變動包含將該等沖淨流參數自一第一預定組態改變成一第二預定組態。
態樣6。如態樣1至5中任一項之方法，其中判定該等經優化沖淨流參數以將該FOUP之該內部中之相對濕度、氧氣濃度、溫度及氣載分子污染物或一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在之一或多者調整至一各自預定臨限位準。
態樣7。如態樣1至6中任一項之方法，其中判定該等經優化沖淨流參數以在該FOUP之該內部中產生一所要壓力。
態樣8。如態樣1至7中任一項之方法，其中在該預定時段期間，至該FOUP之該內部之一門係敞開的。
態樣9。如態樣1至7中任一項之方法，其中在該預定時段期間，至該FOUP之該內部之一門係關閉的。
態樣10。如態樣1至9中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變該FOUP之該內部中之基板之一數目。
態樣11。如態樣1至10中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變該FOUP之該內部中之基板之槽。
態樣12。如態樣1至11中任一項之方法，其進一步包括： 在至該FOUP之該內部之一門關閉之該預定時段內敞開該門。
態樣13。如態樣1至11中任一項之方法，其進一步包括： 在至該FOUP之該內部之一門敞開之該預定時段內關閉該門。
態樣14。如態樣1至13中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變一設備前端模組之一組態。
態樣15。如態樣1至14中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變該FOUP相對於一自動化裝置之一位置。
態樣16。如態樣1至15中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間自該FOUP之該內部移除基板。
態樣17。如態樣1至16中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間將基板放置至該FOUP之該內部中。
態樣18。如態樣1至17中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變該FOUP之該內部中之基板之狀況。
態樣19。如態樣1至18中任一項之方法，其進一步包括： 在該預定時段期間改變該FOUP之沖淨入口埠及沖淨出口埠組態。
態樣20。如態樣1至19中任一項之方法，其中該等沖淨流參數包含一流速。
態樣21。如態樣1至20中任一項之方法，其中一感測器經組態以偵測該至少一個環境狀況。
態樣22。如態樣21之方法，其中該感測器與該FOUP之一內壁成一體。
態樣23。如態樣21之方法，其中該感測器與該FOUP之一門成一體。
態樣24。如態樣21之方法，其中該感測器附接至該FOUP之一壁。
態樣25。如態樣21之方法，其中該感測器附接至該FOUP之一門或安置於一沖淨模組內或鄰近一沖淨模組安置。
態樣26。如態樣21之方法，其中該感測器定位於安置於該FOUP中之一晶圓上。
態樣27。一種系統，其包括： 一前開口晶圓傳送盒(FOUP)或一盒，其具有一內部空間； 一基板，其待插入該內部空間中； 一第一處理器件，其安置於該內部空間中；及 一感測器，其耦合至該第一處理器件且安置於該內部空間中，該感測器經組態以偵測該內部空間中之至少一個環境狀況。
態樣28。如態樣27之系統，其中該感測器定位於該FOUP或盒之一內壁或該FOUP或盒之一門上，該感測器與該內壁或該門成一體或附接至該內壁或該門。
態樣29。如態樣27之系統，其中該感測器定位於安置於該FOUP或盒中之一晶圓上。
態樣30。如態樣27至29中任一項之系統，其進一步包括： 一第二處理器件，其安置於該內部空間之外部； 其中該第二處理器件經組態以控制： 使一沖淨工作流體流入該內部空間中， 自該內部空間排放該沖淨工作流體，及 在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數； 該第一處理器件經組態以將該至少一個環境狀況傳達至該第二處理器件；且 該第二處理器件經組態以基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數。
態樣31。一種優化一容器中之沖淨流參數之方法，其包括： 使一沖淨工作流體流入該容器之一內部中； 自該容器之該內部排放該沖淨工作流體； 在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數； 在該預定時段期間偵測該容器之該內部中之至少一個環境狀況； 基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數；及 根據該等經優化沖淨流參數調整該流入及該排放。
態樣32。一種產生一沖淨配方之方法，其包括： 使一沖淨工作流體流入一容器之一內部中； 自該容器之該內部排放該沖淨工作流體； 在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數； 在一預定時段期間偵測該容器之該內部中之至少一個環境狀況； 基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數；及 基於該等經優化沖淨流參數產生該沖淨配方。
態樣33。一種優化一容器中之一感測器回應之方法，其包括： (a)偵測該容器之一內部中之至少一個環境狀況； 當該至少一個環境狀況不匹配一經優化環境狀況時，變動一沖淨工作流體之沖淨流參數且繼續進行至(a)。
態樣34。一種判定一沖淨配方之方法，其包括： 使一沖淨工作流體流入一容器之一內部中； 自該容器之該內部排放該沖淨工作流體； 在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數； 在一預定時段期間偵測該容器之該內部中之至少一個環境狀況； 基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數；及基於該等經優化沖淨流參數判定該沖淨配方。
態樣35。一種方法，其包括藉由即時偵測一前開口晶圓傳送盒之一內部中之至少一個環境狀況而變動該前開口晶圓傳送盒之該內部中之一沖淨工作流體之沖淨流參數。
態樣36。一種方法，其包括藉由偵測一前開口晶圓傳送盒之一內部中之至少一個環境狀況而即時變動該前開口晶圓傳送盒之該內部中之一沖淨工作流體之沖淨流參數。
態樣37。一種方法，其包括藉由即時偵測一前開口晶圓傳送盒之一內部中之至少一個環境狀況而即時變動該前開口晶圓傳送盒之該內部中之一沖淨工作流體之沖淨流參數。
本申請案中揭示之實例應在全部方面被視為闡釋性且非限制性。本發明之範疇係由隨附發明申請專利範圍而非由前述描述指示；且落在發明申請專利範圍之等效物之意義及範圍內之全部改變旨在包含在其中。
在本說明書中使用之術語旨在描述特定實施例且不旨在為限制性。術語「一(a/an)」及「該」亦包含複數形式，除非另外清楚指示。當在本說明書中使用時，術語「包括(comprises及/或comprising)」指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在或添加。
關於前文描述，應理解，可尤其在所採用構造材料及零件之形狀、大小及配置方面進行細節之改變而不脫離本發明之範疇。本說明書及所述實施例僅係例示性的，其中本發明之真實範疇及精神係由下文之發明申請專利範圍指示。
100:基板容器 102:外殼 104:門 110:基板容器 111:門 112A:第一入口沖淨埠/出口沖淨埠 112B:第二入口沖淨埠/出口沖淨埠 112C:第三入口沖淨埠/出口沖淨埠 113:外殼 114:第一側壁 115:擱板 116:第二側壁 117:內部空間 118:後壁 119:開口/前開口 120:頂壁 121:基板容器 122:底壁 123:敞開前部 124A:邊緣 124B:邊緣 125:門 126:設備連接器/自動化凸緣 127:外殼 129:晶圓 130:示意圖 132:前開口 134:設備連接件 136:內部 138:基板容器 140:半導體晶圓 142:裝載埠 144:底部 146:裝載埠開口 148:設備前端模組(EFEM) 150:外表面/頂部 200:裝載埠 210:入口/出口 220:入口/出口 230:入口/出口 240:入口/出口 250:側壁 260:額外設備前端模組(EFEM) 300:系統 310:基板容器 320:第一控制器/處理器 330:基板 340:感測器 350:第二控制器/處理器 360:器件 370:裝載埠 380:設備前端模組(EFEM) 400:操作流程/處理流程 410:方塊 420:方塊 430:方塊 440:方塊 450:方塊 460:方塊 500:方法/處理流程 510:方塊 520:方塊 530:方塊 540:方塊 550:方塊 600:方法/處理流程 610:方塊 620:方塊 630:方塊 640:方塊 650:方塊 660:方塊
在下文之詳細描述中，僅將實施例描述為圖解，此係因為熟習此項技術者將自以下詳細描述變得明白各種改變及修改。不同圖中相同元件符號之使用指示類似或相同物品。
圖1係根據至少一項例示性實施例之一基板容器之一正視透視圖。
圖2係根據至少一項例示性實施例之一基板容器之一分解視圖。
圖3係根據至少一項其他例示性實施例之一基板容器之一分解視圖。
圖4係根據至少一項例示性實施例之與一EFEM相互作用之一基板容器之一示意圖。
圖5繪示根據至少一項例示性實施例之用於對接一基板容器之一裝載埠。
圖6係根據至少一項例示性實施例之用於一基板容器之一沖淨程序之一系統之一示意圖。
圖7係根據至少一項例示性實施例之優化一容器中之沖淨流參數之一方法之一流程圖。
圖8係根據至少一項例示性實施例之優化一容器中之一感測器回應之一方法之一流程圖。
圖9係根據至少一項例示性實施例之在一容器中操作一經優化沖淨程序之一方法之一流程圖。
110:基板容器
111:門
112A:第一入口沖淨埠/出口沖淨埠
112B:第二入口沖淨埠/出口沖淨埠
112C:第三入口沖淨埠/出口沖淨埠
113:外殼
114:第一側壁
115:擱板
116:第二側壁
117:內部空間
118:後壁
119:開口/前開口
120:頂壁
122:底壁
124A:邊緣
124B:邊緣
126:設備連接器/自動化凸緣
150:外表面/頂部

Claims (20)

  1. 一種優化一基板容器中之沖淨流參數之方法，其包括：使一沖淨工作流體流入該基板容器之一內部中；自該基板容器之該內部排放該沖淨工作流體；在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數；在該預定時段期間偵測該基板容器之該內部中之至少一個環境狀況；基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數；及根據該等經優化沖淨流參數調整該流入及該排放。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：將該至少一個環境狀況傳達至一自動化裝置或資料庫。
  3. 如請求項1之方法，其中該沖淨工作流體包含氮氣、清潔乾燥空氣、超清潔乾燥空氣及用於調節一容器環境之氣體之一或多者；其中該至少一個環境狀況包含相對濕度、壓力、氧氣濃度、溫度及氣載分子污染物或一或多個揮發性有機化合物之一經量測存在之一或多者。
  4. 如請求項1之方法，其中判定該等經優化沖淨流參數以將該基板容器之該內部中之相對濕度、氧氣濃度、溫度及氣載分子污染物或一或多個揮 發性有機化合物之一經量測存在之一或多者調整至一各自預定臨限位準。
  5. 如請求項1之方法，其中判定該等經優化沖淨流參數以在該基板容器之該內部中產生一所要壓力。
  6. 如請求項1之方法，其中在該預定時段期間，至FOUP之內部之一門係敞開的。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間改變該基板容器之該內部中之基板之一數目或該基板容器之該內部中之基板之槽。
  8. 如請求項1之方法，其中該基板容器係一前開口晶圓傳送盒或一倍縮光罩盒。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包括：在至該基板容器之該內部之一門關閉之該預定時段內敞開該門。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包括：在至該基板容器之該內部之一門敞開之該預定時段內關閉該門。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間改變一設備前端模組之一組態。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間改變該基板容器相對於一自動化裝置之一位置。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間自該基板容器之該內部移除至少一個基板。
  14. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間改變該基板容器之該內部中之基板之狀況。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包括：在該預定時段期間改變該基板容器之沖淨入口埠及沖淨出口埠組態。
  16. 如請求項1之方法，其中一感測器經組態以偵測該至少一個環境狀況，該感測器附接至該基板容器之一內壁或該FOUP之一門，或安置於一沖淨模組內或鄰近一沖淨模組安置。
  17. 一種優化一基板容器中之沖淨流參數之系統，其包括：該基板容器，其具有一內部空間；一第一控制器，其附接至該基板容器；在該內部空間內之一感測器，其通信地耦合至之該第一控制器，該感測器經組態以偵測該內部空間中之至少一個環境狀況；及 其中該第一控制器能夠基於至少一個環境狀況調整沖淨程序的沖淨流參數。
  18. 如請求項17之系統，其進一步包括：一第二控制器，其在該內部空間之外部；其中該第二控制器經組態以控制：使一沖淨工作流體流入該內部空間中，自該內部空間排放該沖淨工作流體，及在一預定時段內變動該沖淨工作流體之沖淨流參數；該第一控制器經組態以將該至少一個環境狀況傳達至該第二控制器；且該第二控制器經組態以基於該預定時段期間之該等經變動沖淨流參數及該至少一個經偵測環境狀況判定經優化沖淨流參數。
  19. 如請求項17之系統，其中該第一控制器設置於該內部空間中。
  20. 一種優化一基板容器中之沖淨流參數之方法，其包括藉由即時偵測一前開口晶圓傳送盒之一內部中之至少一個環境狀況而變動該前開口晶圓傳送盒之該內部中之一沖淨工作流體之沖淨流參數，其中該沖淨工作流體的該沖淨流參數從第一預定組態改變到第二預定組態，並且在該第一預定組態和該第二預定組態中的每一者中，沖淨氣體被引入到前開口晶圓傳送盒的內部。
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