TWI810858B - 天線結構及天線陣列 - Google Patents
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Abstract
一種天線結構，具有多個介電層與多個金屬層之堆疊，且此天線結構包含輻射體和接地結構。輻射體具有寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件。寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件分別位於此些金屬層之第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。寄生輻射元件與主輻射元件藉由此些介電層中的第一介電層實體分隔，且主輻射元件與該接地面元件藉由此些介電層中的第二介電層實體分隔。接地結構側向環繞於主輻射元件與接地面元件之間，以阻隔電磁輻射，但不介於寄生輻射元件與主輻射元件之間。
Description
本揭露是有關於天線領域，且特別是指一種天線結構和天線陣列。
5G新無線電（New Radio；NR）為近年發展的無線電存取技術，其支援高吞吐量、低延遲和高通訊容量。相較於先前的4G無線電通訊系統，5G新無線電設備使用毫米波（mmWave）載波訊號將基頻訊號升頻為射頻（radio frequency；RF）訊號以用於無線電傳輸。另一方面，因應市場導向，多數通訊產品，例如智慧型手機、5G微型基地台（femtocells）等，近來已朝向小型化和低成本規格的方向進展。因此，如何設計具低生產成本且用於毫米波通訊系統（例如5G和/或後5G）具有高效能的天線，已成為相關技藝技術人員的目標之一。
本揭露之一方面是指一種天線結構，其具有多個介電層與多個金屬層之堆疊，且此天線結構包含輻射體和接地結構。輻射體具有寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件。寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件分別位於此些金屬層之第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。寄生輻射元件與主輻射元件藉由此些介電層中的第一介電層實體分隔，且主輻射元件與該接地面元件藉由此些介電層中的第二介電層實體分隔。接地結構側向環繞於主輻射元件與接地面元件之間，以阻隔電磁輻射，但不介於寄生輻射元件與主輻射元件之間。
依據本揭露之一或多個實施例，接地結構包含多個接地通孔，每一此些接地通孔從第二金屬層垂直延伸至第三金屬層。
依據本發明一或多個實施例，此些接地通孔為埋孔、盲孔或上述組合。
依據本發明一或多個實施例，接地結構在天線結構的俯視方向上具有框形。
依據本發明一或多個實施例，寄生輻射元件和主輻射元件為在天線結構的法線方向上平行排列之貼片。
依據本發明一或多個實施例，此些金屬層與此些介電層為交替堆疊。
依據本發明一或多個實施例，天線結構更包含第一槽孔、第二槽孔、第一饋電線和第二饋電線。第一槽孔和第二槽孔由第三金屬層所定義。第一饋電線與第一槽孔側向重疊，且配置為經由第一槽孔電磁耦合能量至主輻射元件。第二饋電線與第二槽孔側向重疊，且配置為經由第二槽孔電磁耦合能量至主輻射元件。
依據本發明一或多個實施例，第一槽孔和第二槽孔的長度方向互為垂直。
依據本發明一或多個實施例，第一饋電線和第二饋電線位於此些金屬層中的相同金屬層。
依據本發明一或多個實施例，天線結構更包含第一探針和第二探針，其位於主輻射元件垂直下方，且配置為電磁耦合能量至主輻射元件，使輻射體實現雙極化（dual-polarized）輻射。
依據本發明一或多個實施例，主輻射元件在天線結構的法線方向上垂直覆蓋第一探針和第二探針。
依據本發明一或多個實施例，天線結構更包含第一通孔和第二通孔，其直接接觸主輻射元件，且用以饋入能量至主輻射元件，使輻射體實現雙極化輻射。
依據本發明一或多個實施例，主輻射元件覆蓋第一通孔和第二通孔。
依據本發明一或多個實施例，第一通孔和第二通孔為盲孔。
依據本發明一或多個實施例，天線結構更包含第一跡線和一第二跡線，其側向延伸通過接地結構，且分別連接第一通孔和第二通孔。
依據本發明一或多個實施例，第一通孔和第二通孔為埋孔。
依據本發明一或多個實施例，第一跡線和第二跡線位於此些金屬層中的相同金屬層。
本發明之另一方面是指一種天線陣列，其包含配置為陣列的多個天線單元。每一此些天線單元具有多個介電層與多個金屬層之堆疊，且每一此些天線單元包含輻射體和天線結構。輻射體具有寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件。寄生輻射元件、主輻射元件和接地面元件分別位於此些金屬層的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。寄生輻射元件與該主輻射元件藉由此些介電層的第一介電層實體分隔，且主輻射元件與接地面元件藉由此些介電層的第二介電層實體分隔。接地結構側向環繞於主輻射元件與接地面元件之間，以阻隔電磁輻射，但不介於寄生輻射元件與主輻射元件之間。
依據本發明一或多個實施例，此些天線單元的此些介電層和此些金屬層為一對一（one-to-one）對映。
依據本發明一或多個實施例，此些天線單元實體分離。
以下仔細討論本發明的實施例。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的概念，其可實施於各式各樣的特定內容中。所討論、揭示之實施例僅供說明，並非用以限定本發明之範圍。
在本文中所使用的用語僅是為了描述特定實施例，非用以限制申請專利範圍。除非另有限制，否則單數形式的「一」或「該」用語也可用來表示複數形式。
空間相對性用語的使用是為了說明元件在使用或操作時的不同方位，而不只限於圖式所繪示的方向。元件也可以其他方式定向（旋轉90度或在其他方向），而在此使用的空間相對性描述也可以相同方式解讀。
以下說明和申請專利範圍可使用術語「連接」及其衍生詞。在特定實施例中，「連接」可指二或多個元件相互直接實體或電性接觸，或是不彼此直接接觸。「連接」還可指二或多個元件相互操作或動作。
為了簡化和明確說明，本文可能會在各種實施例中重複使用元件符號和/或字母，但這並不表示所討論的各種實施例及/或配置之間有因果關係。
此外，在圖式描述中，相似元件具有與先前圖式的名稱和標號相似的名稱和標號。後續圖式利用不同文脈或不同功能的元件時，此元件具有不同的高位數字，以代表不同圖號（例如，圖1A的lxx和圖2A的2xx）。分配予各元件的特定標號僅用以幫助說明，而不意欲暗示任何結構或功能上的限制。
圖1A為依據本揭露一些實施方式之天線結構100的上視圖。天線結構100包含兩個天線饋電體102、104，其亦可稱為雙極化天線饋電體。天線饋電體102、104的極化方向可互為垂直。在一些實施方式中，天線饋電體102、104分別為水平極化天線饋電體和垂直極化天線饋電體。在其他一些實施方式中，天線饋電體102、104分別為垂直極化天線饋電體和水平極化天線饋電體。應注意的是，本文之天線結構不限於圖1A之雙極化天線。舉例而言，在一些示例中，天線結構100可變更為單極化天線（例如僅有天線饋電體102或天線饋電體104）。
天線饋電體102、104為槽孔天線。天線饋電體102包含饋電線112A、槽孔114A和由主輻射元件122及寄生輻射元件124所形成的輻射體120。在一些實施方式中，如圖1A所示，主輻射元件122和寄生輻射元件124為矩形貼片。在其它實施方式中，可採用其他形狀和/或類型的主輻射元件122和寄生輻射元件124。天線饋電體104包含饋電線112B、槽孔114B和輻射體120。換言之，天線饋電體102、104共用同一輻射體120。饋電線112A、112B側向（laterally）交錯，且饋電線112A、112B的長度方向互為垂直。槽孔114A和114B為接地面元件在天線結構100之不同位置的開口。饋電線112A、槽孔114A和主輻射元件122重疊，使得饋電線112A可配置為經由槽孔114A電磁耦合能量至主輻射元件122。相似地，饋電線112B、槽孔114B和主輻射元件122重疊，使得饋電線112B可配置為經由槽孔114B電磁耦合能量至主輻射元件122。
天線結構100可以是含多個介電層和多個金屬層的多層天線結構。在天線結構100中，饋電線112A/112B、槽孔114A/114B、主輻射元件122和寄生輻射元件124在不同金屬層中。饋電線112A的一端連接至通孔116A，以電性耦接在同一天線結構100中的其他電子元件，例如主動電子元件（例如開關）、被動電子元件（例如電感）、上述組合和/或接合至天線結構100的電子元件，例如射頻積體晶片（radio frequency integrated chip；RFIC）或印刷電路板（printed circuit board；PCB）。類似地，饋電線112B的一端連接至通孔116B，以電性耦接在同一天線結構100中的其他電子元件或接合至天線結構100的電子元件。其他電子元件可被利用為經由通孔116A/116B電性耦接至饋電線112A/112B。每一通孔116A、116B可以是盲孔、埋孔、堆疊通孔（stacked via）、交錯通孔（staggered via）、上述組合或適用於天線結構100的任何種類通孔，且可藉由雷射鑽孔（laser drilling）、電鍍（electroplating）、無電鍍（electroless plating）或其他合適的技術形成。
天線結構100亦包含用於隔離輻射體120的接地結構130。接地結構130連接至接地面元件，且側向環繞主輻射元件122。特別地，在一些實施方式中，接地結構130為包含多個接地通孔132的通孔牆結構。每一接地通孔132可以是盲孔、埋孔、堆疊通孔、交錯通孔、上述組合或適用於天線結構100的任何種類通孔，且可藉由雷射鑽孔、電鍍、無電鍍或其他合適的技術形成。接地結構130在天線結構100的俯視方向上可具有框形，例如矩形框形或任何其他框形。
應注意的是，天線結構100僅為繪示例，且本揭露不侷限於此。舉例而言，饋電線112A、112B和/或槽孔114A、114B的位置、佈局圖案、長度和寬度、饋電線112A、112B的長度、槽孔114A、114B和/或接地結構130可依各種應用變更。進一步地，在一些實施方式中，接地面元件可變更為饋電線112A、112B不穿透槽孔而饋入能量至輻射體120以進行電磁波輻射。在其他一些實施方式中，接地面元件和饋電線112A接地面元件112B可變更為其他用於饋入能量至輻射體以輻射出電磁波的饋入源。
圖1B為圖1A所示之天線結構100的部分剖視示意圖。天線結構100為具有金屬層ML與介電層DL之堆疊的單晶板（monolithic plate）結構。金屬層ML可由銅、鋁、鎳和/或其他金屬、上述金屬之混合物或合金、電導性金屬化合物和/或其他合適材料形成。介電層DL可由FR4基板、玻璃、陶瓷、環氧樹脂、矽和/或其他合適材料形成。基於介電層DL的材料種類，天線結構100可藉由各種製程形成，例如低溫共燒陶瓷（low-temperature cofired ceramic；LTCC）、機體被動元件（integrated passive device；IPD）、多層膜、多層印刷電路板或其他多層製程。
在一些實施方式中，如圖1B所示，金屬層ML與介電層DL在天線結構100的法線方向上交替堆疊。其他具金屬層ML和介電層DL的堆疊結構可根據圖1B所示之結構製作。舉例而言，二或多個介電層DL可夾設於兩個相鄰的金屬層ML之間。
在圖1B中，金屬層ML由上而下亦分別標示為ML_1-ML_N，其中N為金屬層的個數，且介電層DL由上而下亦分別標示為DL_1-DL_(N-1)。金屬層ML_1-ML_N可由（例如銅）或不同材料形成。介電層DL_i 夾設於金屬層ML_i、ML_(i+1)之間，其中i為1至(N-1)之正整數。每一金屬層ML可包含一或多個輻射元件、一或多個導電跡線、一或多個主動電子元件（例如開關）、一或多個被動電子元件（例如電感）和/或其他元件，以形成天線饋電體。基於天線結構設計需求，金屬層ML和介電層DL可包含不同圖案。
如圖1B所示，饋電線112A、112B位於金屬層ML_4，槽孔114A和114B位於金屬層ML_3，且主輻射元件122和寄生輻射元件124分別位於金屬層ML_2、ML_1。主輻射元件122與寄生輻射元件124藉由介電層DL_1實體分隔。金屬層ML_3亦稱為天線結構100的接地面元件，且槽孔114A、114B由此接地面元件所定義。在一些實施方式中，槽孔114A、114B的長度方向互為垂直。饋電線112A的一端連接至由金屬層ML_3延伸至最下方金屬層ML_N的通孔116A，以電性耦合其他電子元件，例如射頻積體晶片、印刷電路板和/或類似者。相似地，饋電線112B的一端連接至由金屬層ML_4延伸至最下方金屬層ML_N的通孔116B，以電性耦合其他電子元件，例如射頻積體晶片、印刷電路板和/或類似者。在其他實施方式中，饋電線112A、112B可位於不同金屬層。
接地結構130由最上方介電層DL_1所覆蓋。換言之，如圖1B所示，接地結構130和寄生輻射元件124分別位在最上方介電層DL_1的相對兩側。主輻射元件122和寄生輻射元件124可以是於天線結構100的法線方向上互相平行排列之貼片，以消除天線結構100中的表面波。如圖1A-1B所示，接地結構130包含分別位於金屬層ML_2-ML_5且縱向重疊的貼片框。因接地結構130的最上方貼片框與主輻射元件122兩者均位於金屬層ML_2，故接地結構130的頂部表面與主輻射元件122的頂部表面共平面。接地結構130的接地通孔132可以是由金屬層ML_2延伸至金屬層ML_5的盲孔。特別地，金屬層ML_2-ML_5與介電層DL_2-DL_4之結構為基板整合波導（substrate integrated waveguide；SIW）背腔式（cavity backed）天線結構，其中接地結構130形成部分背腔式（partial-cavity backed）孔徑（aperture）。主輻射元件122與下方疊層元件之間的腔體（例如槽孔114A、114B、饋電線112A、112B和在金屬層ML_3-ML_5中的其他元件）抑制介電層DL與金屬層ML之間的表面波傳導。天線結構100具有取代全背腔式（half-cavity backed）孔徑的半背腔式（half-cavity backed）孔徑。特別地，半背腔式孔徑之天線結構100不具有需要利用去除技術（例如背鑽孔）以去除位於介電層DL_1或穿過最上方介電層DL_1的通孔結構，因此在天線結構中的電子路由設計不受影響。在其他實施方式中，每一接地通孔132由金屬層ML_2延伸至金屬層ML_N，以抑制介電層DL與金屬層ML之間的表面波傳導。
天線結構100可藉由直接接合金屬層ML_1與介電層DL_1之堆疊結構至金屬層ML_2-ML_N與介電層DL_2-DL_(N-1)之堆疊結構而形成。藉由利用接合技術，天線結構100可達成上述半背腔式孔徑而不需進行背鑽孔（back drilling）製程以除去每一通孔之位於第一金屬層ML_1與第二金屬層ML_2之間的部分。
天線結構100可變更為具各種極化態。舉例而言，在一些實施方式中，天線結構100可變更為單極化天線結構，例如僅包含天線饋電體102或者僅包含天線饋電體104的天線結構100。
圖2A為依據本揭露一些實施方式之天線結構200的上視圖，且圖2B為圖2A所示之天線結構200的部分剖視示意圖。天線結構200為具有金屬層ML與介電層DL之堆疊的單晶板結構。在天線結構200中，金屬層ML由上而下亦分別標示為ML_1-ML_N，其中N為金屬層的個數，且介電層DL由上而下亦分別標示為DL_1-DL_(N-1)。天線結構200包含兩個天線饋電體202、204，其亦可稱為雙極化天線饋電體，且天線饋電體202、204的極化方向可互為垂直。
天線饋電體202包含彎曲的饋電探針212A和由主輻射元件222及寄生輻射元件224所形成的輻射體220。相似地，天線饋電體204包含彎曲的饋電探針212B和輻射體220。饋電探針212A、212B位於主輻射元件222的垂直下方並側向交錯，且可位於相同的金屬層ML或分別位於兩個金屬層ML。饋電探針212A、212B分別連接至通孔216A、216B，以電性耦合在同一天線結構200中的其他電子元件，例如主動電子元件（例如開關）、被動電子元件（例如電感）、上述組合，或是接合至天線結構200的電子元件，例如射頻積體晶片或印刷電路板。天線結構可僅包含單個僅具有單一彎曲饋電探針的天線饋電體。
天線結構200亦包含用於隔離輻射體220的接地結構230。接地結構230可以是包含多個接地通孔232的通孔牆結構。接地結構230在天線結構200的俯視方向上具有框形，但本揭露不限於此。
天線結構200可包含與天線結構100相似的元件和/或結構配置，但天線結構200不具有槽孔。特別地，在天線結構200中，輻射體220藉由使用電磁耦合技術以探針212A、212B饋電，且通孔216A、216B由輻射體220所覆蓋。天線結構200的其他元件可分別相似於天線結構100的其他元件，且在此不再詳加描述。
圖3A為依據本揭露一些實施方式之天線結構300的上視圖，且圖3B為圖3A所示之天線結構300的部分剖視示意圖。天線結構300為具有金屬層ML與介電層DL之堆疊的單晶板結構。在天線結構300中，金屬層ML由上而下亦分別標示為ML_1-ML_N，其中N為金屬層的個數，且介電層DL由上而下亦分別標示為DL_1-DL_(N-1)。天線結構200包含兩個天線饋電體302、304，其亦可稱為雙極化天線饋電體，且天線饋電體302、304的極化方向可互為垂直。
天線饋電體302、304包含由主輻射元件322及寄生輻射元件324所形成的輻射體320。此外，天線饋電體302、304直接接觸主輻射元件322，且分別經由通孔316A、316B耦合至不同的饋電源。通孔316A、316B可電性耦合至在同一天線結構300中的其他電子元件，例如主動電子元件（例如開關）、被動電子元件（例如電感）、上述組合或接合至天線結構300的電子元件，例如射頻積體晶片或印刷電路板。
天線結構300亦包含用於隔離輻射體320的接地結構330。接地結構330可以是包含多個接地通孔332的通孔牆結構。相似於天線結構200中的接地結構230，接地結構330在天線結構300的俯視方向上具有框形，但本揭露不限於此。
天線結構300可包含與天線結構200相似的元件和/或結構配置，但天線結構300是利用直接饋電技術。特別地，在天線結構300中，輻射體320由通孔316A、316B直接饋電。天線結構300的其他元件可分別相似於天線結構200的其他元件，且在此不再詳加描述。
圖4A為依據本揭露一些實施方式之天線結構400的上視圖，且圖4B為圖4A所示之天線結構400的部分剖視示意圖。天線結構400為具有金屬層ML與介電層DL之堆疊的單晶板結構。在天線結構400中，金屬層ML由上而下亦分別標示為ML_1-ML_N，其中N為金屬層的個數，且介電層DL由上而下亦分別標示為DL_1-DL_(N-1)。天線結構400包含兩個天線饋電體402、404，其亦可稱為雙極化天線饋電體，且天線饋電體402、404的極化方向可互為垂直。
天線饋電體402、404包含由主輻射元件422及寄生輻射元件424所形成的輻射體420。此外，天線饋電體402、404分別經由通孔416A、416B耦合至不同的饋電源。通孔416A、416B分別直接接觸跡線418A、418B，以電性耦合相同天線結構400中的其他電子元件，例如主動電子元件（例如開關）、被動電子元件（例如電感）、上述組合或接合至天線結構400的電子元件，例如射頻積體晶片或印刷電路板。跡線418A、418B可位於相同的金屬層ML（例如圖4B所示之金屬層ML_7），或是分別位於兩個金屬層ML。
天線結構400亦包含用於隔離輻射體420的接地結構430。接地結構430可以是包含多個接地通孔432的通孔牆結構。接地結構230在天線結構200的俯視方向上具有框形，但本揭露不限於此。相似於天線結構300的接地結構330，接地結構430在天線結構400的俯視方向上具有框形，但本揭露不限於此。
天線結構400可包含與天線結構300相似的元件和/或結構配置，但天線結構400另包含側向延伸穿過且接地結構430的跡線418A、418B。天線結構400的其他元件可分別相似於天線結構300的其他元件，且在此不再詳加描述。
圖5為依據本揭露一些實施方式之天線陣列500的示意圖。天線陣列500可以是相位天線陣列（phased antenna array）或是個體天線模組的組合，且可與射頻積體晶片、印刷電路板和/或其他電子元件封裝為射頻模組，且可作為多輸入多輸出（multiple-input multiple-output；MIMO）天線以用於各種應用，例如5G新無線電（New Radio；NR）、WiFi等。
在一些示例中，如圖5所示，天線陣列500具有四個天線單元500A-500D，其排列為兩行及兩列的陣列。每一天線單元500A-500D可具有與圖1A-1B所示之天線結構100、圖2A-2B所示之天線結構200、圖3A-3B所示之天線結構300或圖4A-4B所示之天線結構400相似的結構。天線陣列500可以是多個金屬層和多個介電層的堆疊結構。特別地，在一些實施方式中，金屬層與介電層在天線陣列500的法線方向上交替堆疊。在此堆疊結構中，天線單元500A-500D可同時形成，且堆疊的金屬層和介電層延伸橫跨天線單元500A-500D。也就是說，天線單元500A-500D的介電層和金屬層為一對一（one-to-one）對映。換言之，天線單元500A的第一金屬層可對映天線單元500B的第一金屬層，天線單元500A的第一介電層可對映天線單元500B的第一介電層，天線單元500A的第二金屬層可對映天線單元500B的第二金屬層，依此類推。其他形狀、配置和/或數量的天線單元可設計為用於各種應用。舉例而言，天線陣列500可變更為具有多於兩列天線單元和/或多於兩行天線單元，且/或每一天線單元500A-500D可以是矩形、三角形或任何其他合適形狀。在其他一些示例中，天線單元500A-500D可以是個體天線模組。特別地，天線單元500A-500D可為實體分離，且每一天線單元500A-500D的結構相似於圖1A-1B所示的天線結構100、圖2A-2B所示的天線結構200、圖3A-3B所示的天線結構300或圖4A-4B所示的天線結構400。
圖6為依據本揭露實施方式之天線陣列的量測隔離度（示為曲線610）與比較例之具有傳統基板整合波導全背腔式天線結構之天線饋電體陣列（示為曲線620）的隔離度比較圖，其中縱軸代表兩相鄰天線饋電體之間的隔離度。如圖6所示，在26.5GHz至29.5GHz的頻率範圍（同3GPP n257頻帶），依據本揭露實施方式之天線陣列500與比較例的隔離度差距小於1dB。更特別地，在大約28GHz至29GHz的頻率範圍，依據本揭露實施方式之天線陣列500與比較例的隔離度幾乎相同。
圖7為依據本揭露一些實施方式之通訊模組700的方塊示意圖。通訊模組700包含處理電路710、升頻/降頻轉換器720和射頻天線730。處理電路710可配置為依據協定堆疊（protocol stack），例如無線電資源控制（Radio Resource Control；RRC）、媒體存取控制（Media Access Control；MAC）、無線電鏈路控制（Radio Link Control；RLC）、服務資料適配協定（Service Data Adaptation Protocol；SDAP）、封包資料彙聚協定（Packet Data Convergence Protocol；PDCP）、實體層（physical layer；PHY）編碼與解碼和/或類似者，對資料位元編碼以產生基頻編碼訊號，且對來自升頻/降頻轉換器720的基頻訊號解碼為資料位元。處理電路710可以是處理器、微處理器、特殊應用積體電路（application-specific integrated circuit；ASIC）、數位訊號處理器（digital signal processor；DSP）、場可程式化閘陣列（field programmable gate array；FPGA）和/或類似者。升頻/降頻轉換器720可配置為調變處理電路710所輸出的基頻訊號為用於經由射頻天線730傳遞的射頻訊號。此外，升頻/降頻轉換器720亦可配置為解調經由射頻天線730接收的射頻訊號為基頻訊號。射頻天線730配置為經由空氣傳遞和接收射頻訊號。射頻天線730可包含具有依據本揭露實施方式之天線結構（例如圖1A-1B所示之天線結構100、圖2A-2B所示之天線結構200、圖3A-3B所示之天線結構300或圖4A-4B所示之天線結構400）的單一天線、具有至少一個依據本揭露實施方式之天線結構（例如圖1A-1B所示之天線結構100、圖2A-2B所示之天線結構200、圖3A-3B所示之天線結構300或圖4A-4B所示之天線結構400）的多天線、或是具有依據本揭露實施方式之天線結構（例如圖5所示之天線陣列500）的天線單元陣列。其他天線結構或天線陣列亦可或替代地配置在通訊模組700之射頻天線730中。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100,200,300,400:天線結構
102,104,202,204,302,304,402,404:天線饋電體
112A,112B:饋電線
114A,114B:槽孔
116A,116B,216A,216B,316A,316B,416A,416B:通孔
120,220,320,420:輻射體
122,222,322,422:主輻射元件
124,224,324,424:寄生輻射元件
130,230,330,430:接地結構
132,232,332,432:接地通孔
212A,212B:饋電探針
418A,418B:跡線
500:天線陣列
500A-500D:天線單元
610,620:曲線
700:通訊模組
710:處理電路
720:升頻/降頻轉換器
730:射頻天線
DL,DL_1~DL_N:介電層
ML,ML_1~ML_N:金屬層
為了更完整了解實施例及其優點，現參照結合所附圖式所做之下列描述，其中：
[圖1A]為依據本揭露一些實施方式之天線結構的上視圖；
[圖1B]為[圖1A]所示之天線結構的部分剖視示意圖；
[圖2A]為依據本揭露其他一些實施方式之天線結構的上視圖；
[圖2B]為[圖2A]所示之天線結構的部分剖視示意圖；
[圖3A]為依據本揭露其他一些實施方式之天線結構的上視圖；
[圖3B]為[圖3A]所示之天線結構的部分剖視示意圖；
[圖4A]為依據本揭露其他一些實施方式之天線結構的上視圖；
[圖4B]為[圖4A]所示之天線結構的部分剖視示意圖；
[圖5]為依據本揭露一些實施方式之天線陣列的示意圖；
[圖6]為依據本揭露實施方式之天線陣列的量測隔離度與比較例之具有傳統基板整合波導全背腔式天線結構之天線饋電體陣列的隔離度比較圖；以及
[圖7]為依據本揭露一些實施方式之通訊模組的方塊示意圖。
國內寄存資訊（請依寄存機構、日期、號碼順序註記）
無
國外寄存資訊（請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記）
無
100:天線結構
102,104:天線饋電體
112A,112B:饋電線
114A,114B:槽孔
116A,116B:通孔
120:輻射體
122:主輻射元件
124:寄生輻射元件
130:接地結構
132:接地通孔
Claims (20)
- 一種天線結構，具有複數個介電層與複數個金屬層之堆疊，且該天線結構包含：一輻射體，具有一寄生輻射元件、一主輻射元件和一接地面元件，該寄生輻射元件、該主輻射元件和該接地面元件分別位於該些金屬層之一第一金屬層、一第二金屬層和一第三金屬層，該寄生輻射元件與該主輻射元件藉由該些介電層之至少一第一介電層實體分隔，且該主輻射元件與該接地面元件藉由該些介電層之至少一第二介電層實體分隔；以及一接地結構，側向(laterally)環繞該主輻射元件與該接地面元件，且介於該主輻射元件與該接地面元件之間，以阻隔電磁輻射，但不介於該寄生輻射元件與該主輻射元件之間。
- 如請求項1所述之天線結構，其中該接地結構包含複數個接地通孔，每一該些接地通孔從該第二金屬層垂直延伸至該第三金屬層。
- 如請求項2所述之天線結構，其中該些接地通孔係埋孔、盲孔或上述組合。
- 如請求項1所述之天線結構，其中該接地結構在該天線結構的俯視方向上具有一框形。
- 如請求項1所述之天線結構，其中該寄生輻射元件和該主輻射元件係於該天線結構之一法線方向上平行排列之貼片。
- 如請求項1所述之天線結構，其中該些金屬層與該些介電層係交替堆疊。
- 如請求項1所述之天線結構，更包含：一第一槽孔和一第二槽孔，由該第三金屬層所定義；一第一饋電線，與該第一槽孔側向重疊，且配置為經由該第一槽孔電磁耦合能量至該主輻射元件；以及一第二饋電線，與該第二槽孔側向重疊，且配置為經由該第二槽孔電磁耦合能量至該主輻射元件。
- 如請求項7所述之天線結構，其中該第一槽孔和該第二槽孔的長度方向互為垂直。
- 如請求項7所述之天線結構，其中該第一饋電線和該第二饋電線位於該些金屬層中的相同金屬層。
- 如請求項1所述之天線結構，更包含：一第一探針和一第二探針，位於該主輻射元件垂直下方，且配置為電磁耦合能量至該主輻射元件，使該輻射體實現 雙極化(dual-polarized)輻射。
- 如請求項10所述之天線結構，其中該主輻射元件在該天線結構之一法線方向上垂直覆蓋該第一探針和該第二探針。
- 如請求項1所述之天線結構，更包含：一第一通孔和一第二通孔，直接接觸該主輻射元件，且用以饋入能量至該主輻射元件，使該輻射體實現雙極化輻射。
- 如請求項12所述之天線結構，其中該主輻射元件覆蓋該第一通孔和該第二通孔。
- 如請求項12所述之天線結構，其中該第一通孔和該第二通孔係盲孔。
- 如請求項12所述之天線結構，更包含：一第一跡線和一第二跡線，側向延伸通過該接地結構，且分別連接該第一通孔和該第二通孔。
- 如請求項15所述之天線結構，其中該第一通孔和該第二通孔係埋孔。
- 如請求項15所述之天線結構，其中該第一跡線和該第二跡線位於該些金屬層中的相同金屬層。
- 一種天線陣列，包含：複數個天線單元，配置為一陣列，每一該些天線單元具有複數個介電層與複數個金屬層之堆疊，且每一該些天線單元包含：一輻射體，具有一寄生輻射元件、一主輻射元件和一接地面元件，該寄生輻射元件、該主輻射元件和該接地面元件分別位於該些金屬層之一第一金屬層、一第二金屬層和一第三金屬層，該寄生輻射元件與該主輻射元件藉由該些介電層之至少一第一介電層實體分隔，且該主輻射元件與該接地面元件藉由該些介電層之至少一第二介電層實體分隔；以及一接地結構，側向環繞該主輻射元件與該接地面元件，且介於該主輻射元件與該接地面元件之間，以阻隔電磁輻射，但不介於該寄生輻射元件與該主輻射元件之間。
- 如請求項18所述之天線陣列，其中該些天線單元之該些介電層和該些金屬層為一對一(one-to-one)對映。
- 如請求項19所述之天線陣列，其中該些天線單元實體分離。
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