TWI809386B - 取像裝置 - Google Patents

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Abstract

一種取像裝置，其包括取像模組以及顯示面板。顯示面板設置在取像模組上且包括多個畫素。多個畫素中的每一個包括第一發光區以及第二發光區。第一發光區發出第一光束。第一光束經由第一發光區以外的區域傳遞至取像模組。在多個畫素中的每一個中，第一發光區的總面積小於第二發光區的總面積。

Description

取像裝置
本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種取像裝置。
目前市面上的有機發光二極體顯示面板主要可分為主動式有機發光二極體顯示面板以及被動式有機發光二極體顯示面板等兩大主流。受限於被動式有機發光二極體顯示面板的驅動原理，當面板尺寸增加，為使更多的畫素維持相同的亮度，被動式有機發光二極體顯示面板的驅動電流會大幅增加，從而使得畫素壽命縮短，因此被動式有機發光二極體顯示面板的尺寸多以中、小型尺寸為主，以便能在顧及產品壽命的同時維持顯示品質。然而，被動式有機發光二極體顯示面板的應用及其解析度也因此受限。
本發明提供一種取像裝置，其具有較傳統被動式有機發光二極體顯示面板高的解析度。
本發明的一實施例提供一種取像裝置，其包括取像模組以及顯示面板。顯示面板設置在取像模組上且包括多個畫素。多個畫素中的每一個包括第一發光區以及第二發光區。第一發光區發出第一光束。第一光束經由第一發光區以外的區域傳遞至取像模組。在多個畫素中的每一個中，第一發光區的總面積小於第二發光區的總面積。
在本發明的一實施例中，取像模組包括感測器以及光學系統。光學系統設置在感測器與顯示面板之間。
在本發明的一實施例中，光學系統包括光學鏡頭或微型透鏡矩陣。
在本發明的一實施例中，第一發光區包括第一上電極、第一發光層以及第一下電極。第一發光層位於第一上電極與第一下電極之間。第一上電極讓第一光束通過，且第一下電極遮蔽第一光束。
在本發明的一實施例中，第一下電極包括不透明的導電電極，或者第一下電極包括透明的導電電極以及遮光層的堆疊層。
在本發明的一實施例中，第二發光區在第一發光區發出第一光束時不發出光束。
在本發明的一實施例中，第二發光區在第一發光區發出第一光束時發出第二光束。
在本發明的一實施例中，第二光束與第一光束具有不同波長，且取像模組包括濾波片。濾波片讓第一光束通過且過濾第二光束。
在本發明的一實施例中，第二發光區包括第二上電極、第二發光層以及第二下電極。第二發光層位於第二上電極與第二下電極之間。第二上電極以及第二下電極皆讓第二光束通過，且第二上電極以及第二下電極中的至少一個遮蔽第一光束。
在本發明的一實施例中，第二光束與第一光束具有相同波長，且第二發光區包括第二上電極、第二發光層以及第二下電極。第二發光層位於第二上電極與第二下電極之間。第二上電極讓第一光束以及第二光束通過，且第二下電極遮蔽第一光束以及第二光束。
基於上述，在本發明的實施例中，由於單一畫素被分成多個發光區，因此取像裝置可具有較傳統被動式有機發光二極體顯示面板高的解析度。此外，藉由使每一個畫素中的第一發光區(如取像發光區)的總面積小於第二發光區(如顯示發光區)的總面積，有助於維持取像模組的取像品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。
在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
在下述實施例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號，且將省略其贅述。此外，不同實施例中的特徵在沒有衝突的情況下可相互組合，且依本說明書或申請專利範圍所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本專利涵蓋的範圍內。
本說明書或申請專利範圍中提及的「第一」、「第二」等用語僅用以命名不同元件或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量上的上限或下限，也並非用以限定元件的製造順序或設置順序。此外，一元件/膜層設置在另一元件/膜層上(或上方)可涵蓋所述元件/膜層直接設置在所述另一元件/膜層上(或上方)，且兩個元件/膜層直接接觸的情況；以及所述元件/膜層間接設置在所述另一元件/膜層上(或上方)，且兩個元件/膜層之間存在一或多個元件/膜層的情況。
圖1是依照本發明的一實施例的一種取像裝置的局部剖面示意圖。圖2是圖1中顯示面板的一種局部俯視示意圖。圖3及圖4分別是圖1的取像裝置在取像模式以及顯示模式下的光路示意圖。圖5是圖1中顯示面板的一種局部剖面示意圖。圖6至圖8分別是依照本發明的其他實施例的取像裝置的局部剖面示意圖。圖9A至圖9H分別是顯示面板的畫素的多種俯視示意圖。圖10是圖1中顯示面板的另一種局部俯視示意圖。
在本發明的任一實施例中，取像裝置可於環境介質中使用。環境介質可包括空氣、水或是其他種類的介質。取像裝置可兼具顯示功能以及影像擷取功能。詳細而言，取像裝置可在顯示模式以及取像模式之間做切換。當取像裝置切換至顯示模式時，取像裝置可提供顯示功能。當取像裝置切換至取像模式時，取像裝置可提供影像擷取功能。在一些實施例中，當取像裝置切換至取像模式時，取像裝置還可進一步提供顯示功能。
在取像裝置進行影像擷取時，取像裝置適於擷取待測物的生物特徵的影像。舉例來說，待測物可以是手指、手掌、手腕、臉部或眼球，且生物特徵可為指紋、掌紋、靜脈、瞳孔、虹膜、臉部特徵、心跳或血糖等，但不以此為限。為方便說明，在下述實施例中，待測物以及生物特徵分別以手指F以及指紋舉例說明。
請參照圖1及圖2，取像裝置1包括取像模組10以及顯示面板12。取像模組10用以擷取待測物(如手指F)的生物特徵(如指紋)影像。在一些實施例中，取像模組10可包括感測器100以及光學系統102。
感測器100可包括互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)元件、電荷耦合裝置(Charge Coupled Device，CCD)或其他適當種類的影像感測元件。
光學系統102設置在感測器100與顯示面板12之間，且光學系統102可用以將被待測物(如手指F)反射的光束(未繪示，即帶有生物特徵資訊的光束)傳遞至感測器100。在一些實施例中，儘管未示出，光學系統102可包括光學鏡頭、微型透鏡矩陣或其他的光準直元件。光準直元件可用以將被待測物(如手指F)反射的光束準直化，進而改善串擾問題，使取像裝置1具有良好的辨識能力。光準直元件可包括多條光纖(fiber)、多個針孔(pinhole)、光柵(grating)、由遮光層與透光層組合而成的光通道層或其他合適的光準直元件。
顯示面板12設置在取像模組10上且包括多個畫素P。圖2示意性繪示出20個畫素P，這些畫素P沿第一方向D1以及第二方向D2排列成陣列，其中第一方向D1以及第二方向D2彼此垂直，且第一方向D1以及第二方向D2皆垂直於顯示面板12的法線方向D3。然而應理解，顯示面板12中多個畫素P的數量或排列方式可依需求改變，而不以圖2所顯示的為限。
多個畫素P中的每一個可包括第一發光區E1以及第二發光區E2。第一發光區E1以及第二發光區E2鄰近設置，且第一發光區E1以及第二發光區E2在顯示面板12的法線方向D3上不重疊。圖2示意性繪示出每一個畫素P包括一個第一發光區E1以及一個第二發光區E2，其中第一發光區E1以及第二發光區E2的俯視形狀分別為圓形及L形，且第一發光區E1位於第二發光區E2的右上角。然而應理解，每一個畫素P中的第一發光區E1以及第二發光區E2各自的數量、俯視形狀、尺寸或第一發光區E1以及第二發光區E2的相對設置關係可依需求改變，而不以圖2所顯示的為限。
第一發光區E1例如為取像發光區，而第二發光區E2例如為顯示發光區。換句話說，第一發光區E1至少在取像裝置1切換至取像模式時發出光束(未繪示，為便於說明，以下將第一發光區E1發出的光束稱作第一光束)，以提供照亮待測物(如手指F)的光束。另一方面，第二發光區E2至少在取像裝置1切換至顯示模式時發出光束(未繪示，為便於說明，以下將第二發光區E2發出的光束稱作第二光束)，以提供影像畫面。根據驗證，在多個畫素P中的每一個中，若第一發光區(取像發光區)的總面積小於第二發光區(顯示發光區)的總面積，取像模組10可輕易辨識生物特徵；若第一發光區(取像發光區)的總面積等於第二發光區(顯示發光區)的總面積，取像模組10勉強可辨識生物特徵；若第一發光區(取像發光區)的總面積大於第二發光區(顯示發光區)的總面積，取像模組10難以辨識生物特徵。因此，可藉由使每一個畫素P中的第一發光區E1(如取像發光區)的總面積小於第二發光區E2(如顯示發光區)的總面積，以維持取像模組10的取像品質。
根據不同的設計，第一發光區E1以及第二發光區E2可同時發出光束，或者，第一發光區E1以及第二發光區E2可不同時發出光束。此外，第一光束以及第二光束可具有相同的波長，或者，第一光束以及第二光束可具有不同的波長。
圖3及圖4繪示出第一發光區E1以及第二發光區E2不同時發出光束的一個實施例。在圖3及圖4中，顯示面板12以被動式有機發光二極體顯示面板舉例說明，但顯示面板12的種類不以此為限。出於簡潔目的，僅在圖3及圖4中示意性繪示出顯示面板12中的一個畫素P。
顯示面板12例如可包括基板120。基板120可用以承載元件且可充當保護蓋。舉例來說，基板120可為玻璃基板，但不以此為限。
第一發光區E1可包括第一上電極TE1、第一發光層LE1以及第一下電極BE1。第一發光層LE1位於第一上電極TE1與第一下電極BE1之間，且第一上電極TE1、第一發光層LE1以及第一下電極BE1例如依序形成在基板120的內表面S120上。第一上電極TE1可讓第一光束B1通過，且第一下電極BE1可遮蔽第一光束B1。舉例來說，第一上電極TE1可包括透明的導電電極或第一光束B1可穿透的導電電極，第一下電極BE1可包括不透明的導電電極BE11，或者，如圖5所示，第一下電極BE1可包括透明的導電電極BE12以及遮光層BE13的堆疊層，其中透明的導電電極BE12位於第一發光層LE1與遮光層BE13之間。遮光層BE13可為吸光層或反光層。藉由第一下電極BE1遮蔽第一光束B1的設計，可改善因來自第一發光層LE1的光直射取像模組10對於取像品質的負面影響(如影像過曝造成辨識困難)。
第二發光區E2可包括第二上電極TE2、第二發光層LE2以及第二下電極BE2。第二發光層LE2位於第二上電極TE2與第二下電極BE2之間，且第二上電極TE2、第二發光層LE2以及第二下電極BE2例如依序形成在基板120的內表面S120上。第二上電極TE2以及第二下電極BE2皆可讓第一光束B1通過。舉例來說，第二上電極TE2以及第二下電極BE2可包括透明的導電電極或第一光束B1可穿透的導電電極。藉由第二上電極TE2以及第二下電極BE2皆可讓第一光束B1通過的設計，被手指F反射的第一光束B1除了能夠從第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G傳遞至取像模組10之外，還能夠穿過第二發光區E2並傳遞至取像模組10。
當取像裝置1切換至取像模式時，如圖3所示，第一發光區E1發出第一光束B1，且第二發光區E2不發出光束。具體地，可對第一上電極TE1以及第一下電極BE1施加電壓，使得第一發光層LE1發出第一光束B1。第一光束B1傳遞至手指F後被手指F反射。被手指F反射的第一光束B1可經由第一發光區E1以外的區域(如第二發光區E2以及位於第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G)傳遞至取像模組10。
當取像裝置1切換至顯示模式時，如圖4所示，第二發光區E2發出第二光束B2，且第一發光區E1不發出光束。具體地，可對第二上電極TE2以及第二下電極BE2施加電壓，使得第二發光層LE2發出第二光束B2。在第二發光區E2中，至少第二上電極TE2可讓第二光束B2通過，讓使用者(未繪示)能夠從顯示面板12的外表面S120’看見影像畫面。在一些實施例中，如圖4所示，第二上電極TE2以及第二下電極BE2可皆讓第二光束B2通過，但不以此為限。
在圖3及圖4的實施例中，第一光束B1以及第二光束B2可具有相同波長或不同波長。舉例來說，第一光束B1以及第二光束B2可同為可見光。或者，第一光束B1可為不可見光，而第二光束B2可為可見光。不可見光可包括紅外光，但不以此為限。
在第一光束B1以及第二光束B2具有相同波長的架構下，儘管未示出，第二下電極BE2也可改為遮蔽第一光束B1以及第二光束B2的電極，如此，被手指F反射的第一光束B1經由第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G(或第一發光區E1以及第二發光區E2以外的區域)傳遞至取像模組10。另一方面，在第一光束B1以及第二光束B2具有不同波長的架構下，儘管未示出，第二上電極TE2以及第二下電極BE2中的至少一個可改為讓第二光束B2通過且遮蔽第一光束B1的電極，如此，被手指F反射的第一光束B1也經由第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G(或第一發光區E1以及第二發光區E2以外的區域)傳遞至取像模組10。
藉由將單一畫素P分成多個發光區(如第一發光區E1以及第二發光區E2)，同一組電極可對應多個發光區，藉此達到提高解析度的效果，使得取像裝置1可具有較傳統被動式有機發光二極體顯示面板高的解析度。此外，藉由使每一個畫素P中的第一發光區E1(如取像發光區)的總面積小於第二發光區E2(如顯示發光區)的總面積，有助於維持取像模組10的取像品質。
請參照圖6，取像裝置1A與圖3及圖4的取像裝置1的主要差異如下所述。在取像裝置1A中，第二發光區E2在第一發光區E1發出第一光束B1時發出第二光束B2。舉例來說，當取像裝置1A切換至取像模式時，第一發光區E1發出第一光束B1，以照亮待測物(如手指F)，與此同時，第二發光區E2發出第二光束B2，以提供影像畫面，即取像裝置1A可同時提供影像擷取功能以及顯示功能。
在圖6的架構下，第二光束B2與第一光束B1例如具有不同波長。舉例來說，第一光束B1可為不可見光，而第二光束B2可為可見光。取像模組10A可包括濾波片FT。濾波片FT可設置在光學系統102中，但不以此為限。在其他實施例中，濾波片FT可設置在光學系統102與顯示面板12之間或光學系統102與感測器100之間。濾波片FT可讓第一光束B1通過且過濾第二光束B2。如此，可降低第二光束B2干擾感測結果。
請參照圖7，取像裝置1B與圖6的取像裝置1A的主要差異如下所述。在取像裝置1B中，第二上電極TE2讓第二光束B2通過且遮蔽第一光束B1。舉例來說，第二上電極TE2可採用讓可見光通過且將紅外光遮蔽的材質形成。在其他實施例中，儘管未示出，第二下電極BE2可改成讓第二光束B2通過且遮蔽第一光束B1的電極，或者第二上電極TE2以及第二下電極BE2可同為讓第二光束B2通過且遮蔽第一光束B1的電極。換句話說，可藉由第二上電極TE2以及第二下電極BE2中的至少一個遮蔽第一光束B1。在此設計下，被手指F反射的第一光束B1例如經由第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G(或第一發光區E1以及第二發光區E2以外的區域)傳遞至取像模組10A。
請參照圖8，取像裝置1C與圖6的取像裝置1A的主要差異如下所述。在取像裝置1C中，第二光束B2與第一光束B1例如具有相同波長。舉例來說，第二光束B2與第一光束B1可同為可見光。在第二光束B2與第一光束B1具有相同波長的架構下，取像模組10可省略濾波片FT。此外，第二下電極BE2例如為遮蔽第一光束B1以及第二光束B2的電極。藉由第二下電極BE2遮蔽第二光束B2的設計，可改善因來自第二發光層LE2的光直射取像模組10對於取像品質的負面影響(如影像過曝造成辨識困難)。在此設計下，被手指F反射的第一光束B1以及第二光束B2例如經由第一發光區E1以及第二發光區E2之間的間隙G(或第一發光區E1以及第二發光區E2以外的區域)傳遞至取像模組10。
請參照圖9A至圖9H，根據不同的設計或需求，每一個畫素P中的第一發光區E1以及第二發光區E2各自的數量可為一個或多個。此外，第一發光區E1以及第二發光區E2各自的俯視形狀可為方形、圓形、三角形、其他多邊形或上述的組合。另外，第一發光區E1以及第二發光區E2各自的面積或尺寸可依需求而調整。
請參照圖10，根據不同的設計或需求，在第二方向D2上相鄰的兩橫排的多個畫素P可具有左右相反的配置，且同一橫排上的多個畫素P可具有相同的配置(指第一發光區E1以及第二發光區E2的相對設置關係)。舉例來說，在圖10中，在第一方向D1上排列的五個畫素P稱作一橫排，其中從上至下的四個橫排例如分別稱作第一橫排、第二橫排、第三橫排以及第四橫排。相鄰的兩橫排(如第一橫排與第二橫排、第二橫排與第三橫排或第三橫排與第四橫排)的多個畫素P具有左右相反的配置，且位於同一橫排上的五個畫素P具有相同的配置。在其他實施例中，儘管未示出，在第二方向D2上相鄰的兩橫排的多個畫素可具有上下相反的配置，且同一橫排的多個畫素可具有相同的配置。第一方向D1以及第二方向D2的其中一個方向可為平行於顯示面板12的短邊的方向，且第一方向D1以及第二方向D2的其中另一個方向可為平行於顯示面板12的長邊的方向，但不以此為限。
綜上所述，在本發明的實施例中，由於單一畫素被分成多個發光區，因此取像裝置可具有較傳統被動式有機發光二極體顯示面板高的解析度。此外，藉由使每一個畫素中的第一發光區(如取像發光區)的總面積小於第二發光區(如顯示發光區)的總面積，有助於維持取像模組的取像品質。在一些實施例中，可藉由調整多個發光區的尺寸、形狀(俯視形狀)或數量等，來提升取像裝置的解析度或光學穿透率。在一些實施例中，顯示面板12的尺寸不設限，只要顯示面板12的尺寸大於取像模組10的尺寸即可。在一些實施例中，取像裝置的應用不設限，例如可應用於行動支付、居家安全或藝術展覽品收藏等。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、1A、1B、1C:取像裝置 10、10A:取像模組 12:顯示面板 100:感測器 102:光學系統 120:基板 B1:第一光束 B2:第二光束 BE1:第一下電極 BE11:不透明的導電電極 BE12:透明的導電電極 BE13:遮光層 BE2:第二下電極 D1:第一方向 D2:第二方向 D3:法線方向 E1:第一發光區 E2:第二發光區 F:手指 FT:濾波片 G:間隙 LE1:第一發光層 LE2:第二發光層 P:畫素 S120:內表面 S120’:外表面 TE1:第一上電極 TE2:第二上電極
圖1是依照本發明的一實施例的一種取像裝置的局部剖面示意圖。 圖2是圖1中顯示面板的一種局部俯視示意圖。 圖3及圖4分別是圖1的取像裝置在取像模式以及顯示模式下的光路示意圖。 圖5是圖1中顯示面板的一種局部剖面示意圖。 圖6至圖8分別是依照本發明的其他實施例的取像裝置的局部剖面示意圖。 圖9A至圖9H分別是顯示面板的畫素的多種俯視示意圖。 圖10是圖1中顯示面板的另一種局部俯視示意圖。
12:顯示面板
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:法線方向
E1:第一發光區
E2:第二發光區
P:畫素

Claims (10)

  1. 一種取像裝置，包括： 取像模組；以及 顯示面板，設置在所述取像模組上且包括多個畫素，其中所述多個畫素中的每一個包括第一發光區以及第二發光區，所述第一發光區發出第一光束，所述第一光束經由所述第一發光區以外的區域傳遞至所述取像模組，且在所述多個畫素中的每一個中，所述第一發光區的總面積小於所述第二發光區的總面積。
  2. 如請求項1所述的取像裝置，其中所述取像模組包括： 感測器；以及 光學系統，設置在所述感測器與所述顯示面板之間。
  3. 如請求項2所述的取像裝置，其中所述光學系統包括光學鏡頭或微型透鏡矩陣。
  4. 如請求項1所述的取像裝置，其中所述第一發光區包括第一上電極、第一發光層以及第一下電極，所述第一發光層位於所述第一上電極與所述第一下電極之間，所述第一上電極讓所述第一光束通過，且所述第一下電極遮蔽所述第一光束。
  5. 如請求項4所述的取像裝置，其中所述第一下電極包括不透明的導電電極，或者所述第一下電極包括透明的導電電極以及遮光層的堆疊層。
  6. 如請求項1所述的取像裝置，其中所述第二發光區在所述第一發光區發出所述第一光束時不發出光束。
  7. 如請求項1所述的取像裝置，其中所述第二發光區在所述第一發光區發出所述第一光束時發出第二光束。
  8. 如請求項7所述的取像裝置，其中所述第二光束與所述第一光束具有不同波長，且所述取像模組包括濾波片，所述濾波片讓所述第一光束通過且過濾所述第二光束。
  9. 如請求項8所述的取像裝置，其中所述第二發光區包括第二上電極、第二發光層以及第二下電極，所述第二發光層位於所述第二上電極與所述第二下電極之間，所述第二上電極以及所述第二下電極皆讓所述第二光束通過，且所述第二上電極以及所述第二下電極中的至少一個遮蔽所述第一光束。
  10. 如請求項7所述的取像裝置，其中所述第二光束與所述第一光束具有相同波長，且所述第二發光區包括第二上電極、第二發光層以及第二下電極，所述第二發光層位於所述第二上電極與所述第二下電極之間，所述第二上電極讓所述第一光束以及所述第二光束通過，且所述第二下電極遮蔽所述第一光束以及所述第二光束。
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