TWI778091B - 用於確定電磁波之到達的方向之系統和方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於到達方向確定之系統,該系統包括一波形偵測器及處理電路。該波形偵測器包括一第一介電結構對及一第二介電結構對。該處理電路經組態以確定入射於該波形偵測器上之一電磁波之一到達的方向。該到達的方向基於該第一介電結構對中回應於該電磁波的相對功率位準且基於該第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準而確定。

Description

用於確定電磁波之到達的方向之系統和方法
本發明大體上係關於用於確定電磁波之到達的方向之裝置、系統及方法。
許多技術將電磁波用於通信、偵測及測距、攻擊性或防禦性用途等。此等技術中之一些依賴於一電磁波之到達的方向之確定或可藉由電磁波之到達的方向之確定來改良。舉例而言,一些通信系統使用諸如拋物線反射器之定向天線以提供所傳輸電磁波之定向控制或自特定方向選擇性地接收電磁波。此等天線被稱作「定向的」,此係因為該等天線經組態以集中沿著天線之指向方向(例如對應於到達的方向之狹窄範圍)的電磁波。一些定向方向可重新定位以改變定向天線之指向方向。此類可重新定位定向天線可用以估計電磁波之到達的方向,此係由於電磁波之到達的方向在接收電磁波時對應於可重新定位定向天線的指向方向。作為一實例,對於使用拋物線發射器之定向天線,拋物線發射器通常單獨經設定大小以具有介於目標電磁波之波長的四分之一(1/4)與目標電磁波之一個(1)波長之間的半徑。另外,接收器或傳輸器定位於拋物線發射器之焦點處以接收或傳輸信號。另外,若定向天線為可重新定位的,則致動器、萬向節或其他定向支撐裝備可耦合至拋物線發射器。因此,可重新定位定向天線系統可為相對大、重型且昂貴的。
並非實體上重新定位定向天線,一些系統使用可為靜止或可移動的輻射元件之陣列,且使用波束成形技術來電子地控制陣列之指向方向。在此類系統中,每一輻射元件為小型天線(例如,導體);因此,每一輻射元件重新輻射其接收自電磁波的一些能量。來自陣列之輻射元件之再輻射為可限制訊雜比(signal to noise ratio;SNR)的雜訊之來源或陣列或非線性信號失真的偵測限制。另外,此陣列可經設定大小,使得鄰接輻射元件之間的間距大於目標電磁波之波長的四分之一(1/4)。因此,具有許多輻射元件之陣列可為相對大型且笨重的。又,用於電子指向此等陣列之波束成形技術計算上可為複雜的且要求每一輻射元件具有諸如移相器及/或放大器之支援硬體以提供定向控制。
因此,雖然確定電磁波之到達的方向對於許多技術為重要的,但用於確定到達的方向的可用系統傾向於為大型、笨重、複雜及/或昂貴的。
在特定實例中,一種用於到達方向確定之系統包括一波形偵測器及處理電路。該波形偵測器包括一第一介電結構對及一第二介電結構對。該處理電路經組態以確定入射於該波形偵測器上之一電磁波之一到達的方向。該到達的方向基於該第一介電結構對中回應於該電磁波的相對功率位準且基於該第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準而確定。
在另一特定實例中,一種波形偵測器包括第一介電結構對,該第一介電結構對包括一第一介電結構,該第一介電結構設置於第二介電結構之一臨限距離內。該波形偵測器亦包括第二介電結構對,該第二介電結構對包括第三介電結構,其設置於第四介電結構之臨限距離內。該臨限距離係使得該第一介電結構對中回應於該電磁波的相對功率位準係關於電磁波之到達的方向,且使得該第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準係關於電磁波之到 達的方向。
在另一特定實例中,一種到達方向確定方法包括在來自感測器系統之一處理器處接收指示一波形偵測器之一第一介電結構對中回應於一電磁波之相對功率位準的一或多個第一信號。該方法亦包括在來自該感測器系統之該處理器處接收指示該波形偵測器之一第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準的一或多個第二信號。該方法亦包括藉由處理器基於該第一介電結構對中之該等相對功率位準及該第二介電結構對中之該等相對功率位準確定該電磁波之一到達的方向。
所描述之特徵、功能及優點可在各種實例中獨立地達成,或可在另外其他實例中予以組合,該等另外其他實例之其他細節可參看以下描述內容及圖式而明瞭。
100:系統
102:波形偵測器
104:電磁波
106:介電基板
108:第一介電結構對
110:第二介電結構對
112:第一介電結構
114:第二介電結構
116:第三介電結構
118:第四介電結構
120:偵測電路
122:第一功率位準
124:第二功率位準
126:第三功率位準
128:第四功率位準
130:感測器系統
132:第一感測器
134:第二感測器
136:第三感測器
138:第四感測器
142:第一信號
144:第二信號
146:第三信號
148:第四信號
150:計算裝置
152:處理電路
154:記憶體
156:映射資料
158:到達的方向資料
160:回應系統
162:第二波形偵測器
164:第二電磁波
166:偵測電路
170:接受錐
172:接受錐
202:向量
204:極性方向上之分量(θ)
206:方位方向(φ)上之分量
210:第一線
212:第二線
230:區域
250:能量吸收層
400:偵測器裝置
402:波形偵測器
404:波形偵測器
412:介電結構
414:介電結構
416:介電結構
418:介電結構
422:介電結構
424:介電結構
426:介電結構
428:介電結構
430:感測器
432:感測器
500:偵測器裝置
502:波形偵測器
504:波形偵測器
506:波形偵測器
512:介電結構
514:介電結構
516:介電結構
518:介電結構
522:介電結構
524:介電結構
526:介電結構
528:介電結構
532:介電結構
534:介電結構
536:介電結構
538:介電結構
540:線
542:線
546:線
548:線
550:線
552:線
602:線
604:線
606:線
608:線
610:第一曲線
614:線
616:線
620:第二曲線
624:線
626:線
630:第一映射資料
640:第二映射資料
710:第一曲線
714:線
716:線
720:第二曲線
724:線
726:線
800:系統之操作方法
802-816:步驟
D1:尺寸/長度
D2:尺寸/寬度
D3:尺寸/厚度
D4:尺寸
D5:尺寸
D6:尺寸
D7:尺寸
圖1為說明用於確定電磁波之到達的方向之系統的特定實例之方塊圖;圖2A、圖2B及圖2C為說明圖1之系統之波形偵測器之特定實施之各種視圖的圖式;圖3為說明圖1之系統之波形偵測器之特定實施的俯視圖之圖式;圖4A及圖4B為說明根據特定實施之波形偵測器裝置之各種視圖的圖式;圖5A及圖5B為說明根據特定實施之波形偵測器裝置之各種視圖的圖式;圖6A及圖6B為說明圖1之系統之波形偵測器回應於第一電磁波之功率位準的圖式;圖6C為說明將圖6A及圖6B之功率位準映射至第一電磁波之到達的方向之映射資料的圖式; 圖7A及圖7B為說明圖1之系統之波形偵測器回應於第二電磁波之功率位準的圖式;圖7C為說明將圖7A及圖7B之功率位準映射至第二電磁波之到達的方向之映射資料的圖式;且圖8為說明圖1之系統之操作方法的特定實例之流程圖。
如本文中所使用,各種術語僅用於描述特定實施之目的,且不意欲限制實施。舉例而言,除非內容以其他方式明確地指示,否則單數形式「一」及「該」意欲同樣包括複數形式。可進一步理解,術語「包含(comprise/comprises/comprising)」可與「包括(include/includes/including)」互換地使用。另外,應理解,術語「其中(wherein)」可與「在…的情況下(where)」互換地使用。如本文中所使用,「例示性」可指示實例、實施及/或態樣,且不應被視作限制或視為指示偏好或較佳實施。如本文中所使用,用以修飾諸如結構、組件、操作等之要素之序數術語(例如,「第一」、「第二」、「第三」等)本身不指示要素關於另一要素之任何優先權或次序,而是僅將元素與具有相同名稱之另一元素區別開(除非使用序數術語)。如本文中所使用,術語「集合」指一或多個特定元素,且術語「複數個」指多個(例如,兩個或兩個以上)特定元素。
本文中所揭示之特定實例包括一波形偵測器,該波形偵測器包括多個耦合介電結構對。在此上下文中,「耦合」指在無直接接觸情況下傳送能量。耦合在此意義上在本文中亦被稱作「電磁耦合」,其中此術語可避免與實體意義上之「耦接」(例如,直接或間接實體接觸)混淆。若波形偵測器之一對介電結構中之第一介電結構回應於電磁波產生一電磁場,則該對介電結構 據稱為「耦合」(例如,電磁耦合),該第一介電結構與該對之第二介電結構互動以將能量自第一介電結構傳送至第二介電結構。兩個介電結構是否耦合取決於介電結構之相對位置、幾何形狀及材料性質。耦合介電結構對中的相對功率位準取決於許多因素,該等因素包括導出能量所自之電磁波的到達的方向。
雖然電磁波之到達的方向影響耦合對之每一介電結構中的相對功率位準,但單一所耦合介電結構對的相對功率位準僅提供足夠資訊以確定電磁波的到達的方向為沿著單元球體之第一圓弧或大圓。
第二耦合介電結構對可添加至波形偵測器以使得能夠確定沿著單元球體之第二圓弧或大圓之到達的方向。第一圓弧或大圓與第二圓弧或大圓的交叉點對應於電磁波之到達的方向。因此,使用兩個介電結構對使得能夠確定兩個球體維度上之到達的方向(其可變換為三維笛卡爾座標系統中的單元向量)。因此,在特定實施中,波形偵測器包括兩個介電結構對。在此等實施中,第一介電結構對包括第一介電結構及設置於第一介電結構之耦合距離內的第二介電結構。第二介電結構對包括第三介電結構及設置於第三介電結構之耦合距離內的第四介電結構。在此等實施中,第一介電結構對中之相對功率位準指示第一組可能之到達的方向(例如,一組方位角及一組極角),且第二介電結構對中之相對功率位準指示第二組可能之到達的方向(例如,一組方位角及一組極角)。第一組可能之到達的方向與第二組可能之到達的方向相交的特定方位角及極性角對應於電磁波的到達的方向。
在一些實施中,波形偵測器為數個介電結構對嵌入於介電基板中之「全介電波形偵測器」。在此等實施中,全介電波形偵測器並不包括任何導電組件,且因此電磁波之重新輻射不發生。電磁波之重新輻射可為雜訊、非線性信號失真或干擾的主要來源。藉由使用介電結構,波形偵測器相較於習知天線具有改良之訊雜特性。又,波形偵測器可顯著地小於目標電磁波形之波 長。舉例而言,經設定大小以偵測具有約1公尺之波長之電磁波的波形偵測器可使用包括鈦酸鍶(SrTiO3)晶體棒的數個圓筒形介電結構對,其中每一棒具有約1.00吋(0.0254公尺)之直徑且約4.00吋(0.102公尺)的長度。在此實例中,耦合棒對可定位為距彼此小於約4.00吋(0.102公尺),諸如中心間隔開約3.5吋(0.089公尺)。
圖1為說明用於確定電磁波之到達的方向之系統100的特定實例之方塊圖。系統100包括波形偵測器102及與波形偵測器102相關聯之偵測電路120。在圖1中所說明之特定實施中,系統100亦包括以通信方式耦合至偵測電路120的計算裝置150。在此實施中,計算裝置150包括處理電路152(例如,處理器)及記憶體154。在其他實施中,處理電路152包括或對應於特殊用途電路,諸如,特殊應用積體電路或場可程式閘陣列。處理電路152經組態以確定入射於波形偵測器102上的電磁波104之到達的方向,如下文進一步解釋。
波形偵測器102包括至少部分嵌入於介電基板106中的第一介電結構對108及第二介電結構對110。圖1中,第一介電結構對108包括第一介電結構112及第二介電結構114。如下文更詳細地描述,第一介電結構112及第二介電結構114經組態以經由電磁耦合彼此交換自波形(例如,電磁波104)導出的能量。舉例而言,第一介電結構112及第二介電結構114距彼此設置於臨限距離內,其中臨限距離對應於電磁波104的耦合距離。第二介電結構114亦可與第一介電結構112大體上相位匹配。在此情形下,兩個介電結構在電磁波在每一介電結構中以相同速度行進或在介電結構中之一者的有效折射率等於另一介電結構之有效折射率情況下「經相位匹配」。
第二介電結構對110包括第三介電結構116及第四介電結構118。第三介電結構116及第四介電結構118經組態以經由電磁耦合彼此交換自電磁波104導出的能量。舉例而言,第三介電結構116及第四介電結構118距彼此設置 於臨限距離(例如,電磁波104之耦合距離)內。第四介電結構118亦可與第三介電結構116大體上相位匹配。
第一介電結構對108及第二介電結構對110經組態以限制或消除在第一介電結構對108、第二介電結構對110之間的電磁耦合。在特定實施中,在第一介電結構對108、第二介電結構對110之間的電磁耦合基於在第一介電結構對108、第二介電結構對110之間的距離受到限制。在此等實施中,第一介電結構對108距第二介電結構對110足夠遠,使得經由電磁耦合在第一介電結構對108、第二介電結構對110之間交換很少可偵測能量或不交換可偵測能量。舉例而言,第一介電結構112及第二介電結構114相較於距第三介電結構116及第四介電結構118中之每一者的臨限距離更遠地設置。因此,第一介電結構對108並非電磁耦合至第二介電結構對110。在其他實施中,在第一介電結構對108、第二介電結構對110之間的電磁耦合基於介電結構之耦合性質受到限制,如參看圖3進一步描述。
第一介電結構112沿著第一軸線與第二介電結構114對準,且第三介電結構116沿著並不與第一軸線平行之一第二軸線與第四介電結構118對準。第一至第四介電結構112至118中之每一者具有在數個介電結構對之間的電磁耦合發生沿著之方向上延伸的主軸。為了說明,在一些實施中,第一至第四介電結構112至118中之每一者具有圓筒形(或棒)形狀,該形狀具有主軸,該主軸自圓筒形形狀之一個環形面的中心延伸至圓筒形形狀之其他環形面的中心。在此等實施中,第一介電結構112之主軸大體上(例如,在製造容許度內)與第二介電結構114之主軸平行,且第三介電結構116之主軸大體上(例如,在製造容許度內)與第四介電結構118之主軸平行。第一介電結構112及第二介電結構114對準沿著之第一軸線對應於通過第一介電結構112之主軸及第二介電結構114之主軸繪製的線。同樣,第三介電結構116及第四介電結構118對準 沿著之第二軸線對應於通過第三介電結構116之主軸及第四介電結構118之主軸繪製的線。不平行於第二軸線配置第一軸線使得能夠確定電磁波104在球面座標系統之兩個維度上之到達的方向,如參看圖6及圖7進一步描述。
為了增強電磁耦合,第一介電結構112依據大小、形狀及材料性質大體上(例如,在製造容許度內)相同於第二介電結構114。為了說明,第一介電結構112具有第一大小及第一形狀,且第二介電結構114具有第二大小及第二形狀,其中第一大小大體上等於第二大小,且第一形狀幾何學上類似於第二形狀。同樣,為了增強電磁耦合,第三介電結構116依據大小、形狀及材料性質大體上(例如,在製造容許度內)相同於第四介電結構118。為了說明,第三介電結構116具有第三大小及第三形狀,且第四介電結構118具有第四大小及第四形狀,其中第三大小大體上等於第四大小,且第三形狀幾何學上類似於第四形狀。第一介電結構112及第二介電結構114為易於製造可大體上相同於第三介電結構116及第四介電結構118;然而,此類似性對於波形偵測器102恰當且有效地起作用而言不需要,此係由於第一介電結構112及第二介電結構114並不經由電磁耦合與第三介電結構116及第四介電結構118交換能量。
電磁擷取、導引及耦合受介電基板106與第一至第四介電結構112至118之性質差異影響。為了增強電磁耦合,第一至第四介電結構112至118中之每一者相較於介電基板106之相對介電常數具有較大相對介電常數。另外,為了增強電磁耦合,第一至第四介電結構112至118中之每一者相較於介電基板106之折射率具有較大折射率。舉例而言,在特定實施中,第一至第四介電結構112至118包括具有高相對介電常數及高折射率的材料,諸如鈦酸鍶(SrTiO3)晶體,且介電基板106包括具有較低相對介電常數及較低折射率之材料,諸如聚合物、玻璃或矽。
歸因於第一介電結構112及第二介電結構114之配置及性質,當 電磁波104與第一介電結構對108相互作用時,電磁波104之能量藉由第一介電結構112及第二介電結構114集中且耦合於第一介電結構112及第二介電結構114之間。同樣,當電磁波104與第二介電結構對110相互作用時,電磁波104之能量藉由第三介電結構116及第四介電結構118集中且耦合於第三介電結構116及第四介電結構118之間。在第一介電結構對108、第二介電結構對110中之每一者之間的電磁耦合為電磁波104之到達的方向之函數(例如,取決於電磁波104之到達的方向)。舉例而言,若電磁波104為平面波且電磁波104之到達的方向係直接來自第一介電結構對108上方,則電磁波104同時(且在相同相位情況下)撞擊第一介電結構112及第二介電結構114,且電磁耦合經平衡。然而,若電磁波104為平面波且電磁波104之到達的方向係處於一角度,使得電磁波104在第一介電結構112或第二介電結構114中之一者之前(且在不同相位情況下)撞擊另一介電結構,則第一介電結構對108內之電磁耦合將有利於第一介電結構112或第二介電結構114而不平衡。第一介電結構對108中之相對功率位準(例如,功率位準之比率)指示電磁耦合在第一介電結構對108內不平衡的程度。因此,第一介電結構對108之第一介電結構112和第二介電結構114中之每一者內之功率位準可經量測(直接地或間接地)以確定電磁波104的可能之到達的方向。
基於第一介電結構對108中相對功率位準確定的每一可能之到達的方向對應於在特定二維(2D)平面內之到達的方向。第二介電結構對110中相對功率位準(例如,功率位準之比率)可經量測以確定電磁波104在第二2D平面中之可能之到達的方向。藉由量測兩個不平行2D平面中的到達的方向,三維(3D)到達的方向可基於兩個2D到達的方向達成協議的交叉點而確定。
在說明於圖1中之實施中,偵測電路120包括感測器系統130。在其他實施中,諸如說明於圖4A及圖4B中的實施中,感測器系統130之感測器為 波形偵測器102之部分,且與第一至第四介電結構112至118直接實體或電接觸。感測器系統130包括複數個感測器132至138,其經組態以量測或估計第一至第四介電結構112至118回應於電磁波104的功率位準122至128。圖1中,感測器系統130包括第一感測器132、第二感測器134、第三感測器136及第四感測器138。第一感測器132經組態以產生指示第一介電結構112中回應於電磁波104之第一功率位準122的第一信號142。第二感測器134經組態以產生指示第一介電結構對108之一第二介電結構114中回應於電磁波104之第二功率位準124的第二信號144。第三感測器136經組態以產生指示第二介電結構對110之一第三介電結構116中回應於電磁波104之一第三功率位準126的一第三信號146。第四感測器138經組態以產生指示第二介電結構對110之第四介電結構118中回應於該電磁波104之一第四功率位準128的第四信號148。
儘管圖1說明每介電結構一個感測器,但在一些實施中,單一感測器可用於一對介電結構。由於到達的方向確定是基於第一介電結構對108及第二介電結構對110中的相對功率位準,因此用於每一介電結構對的單一感測器可感測該對中之相對功率位準而非分離地感測每一介電結構中的每一功率位準。因此,第一介電結構對108之相對功率位準可經計算(例如,作為基於第一信號142及第二信號144之比率),或可量測第一介電結構對108的相對功率位準。
感測器132至138可包括接觸感測器或非接觸感測器。接觸感測器連接(例如,直接實體連接或經由導電部件電連接)至對應介電結構。舉例而言,導電部件可將介電結構中之功率轉換為電信號,該電信號藉由感測器量測以確定介電結構的功率位準。非接觸感測器使用非接觸量測技術來量測對應介電結構中之改變,其中改變指示介電結構中之功率位準或與該功率位準相關。可經偵測以用於指示功率位準之改變的實例包括溫度改變、尺寸改變(例 如,長度改變)、振動、光學性質(例如,折射率、色彩等)的改變。在另一實例中,介電結構中之功率位準可引起另一組件(例如,耦合至介電結構之指示器)的改變。在此實例中,感測器可量測其他組件中之改變,其中改變指示介電結構中之功率位準或與該功率位準相關。
在說明於圖1中之實施中,感測器132至138提供指示功率位準122至128之信號142至148至計算裝置150。在此實施中,計算裝置150之處理電路152基於信號142至148確定電磁波104之到達的方向。舉例而言,處理電路152基於第一信號142及第二信號144確定第一介電結構對108中的相對功率位準。處理電路152亦基於第三信號146及第四信號148來確定第二介電結構對110中之相對功率位準。作為替代方案,感測器系統130可提供第一介電結構對108、第二介電結構對110中之每一者一個信號的處理電路152,其中針對特定介電結構對之信號指示特定對中的相對功率位準。為了說明,感測器系統130可提供指示第一介電結構對108中之相對功率位準的一個信號(例如,而非提供第一信號142及第二信號144),且可提供指示第二介電結構對110中之相對功率位準的另一信號(例如而非提供第三信號146及第四信號148)。
在一些實施中,處理電路152使用經驗導出之方程式基於相對功率位準計算到達的方向。舉例而言,對於具有如參看圖2A描述之尺寸之特定波形偵測器102,可使用以下等式計算到達的方向:
Figure 107122815-A0305-02-0014-1
其中P2n-1P2n為耦合之一對介電結構之間的功率比率,其中n=1係針對第一耦合之介電結構對且n=2係針對第二耦合之介電結構對,且其中φ為方位角且θ為極角。
經驗導出之方程式可藉由使用來自已知到達的方向之多個電磁波校準系統100來確定。作為替代方案,如在說明於圖1中之實例中一般,處理 電路152可耦接至儲存映射資料156之記憶體154。在此實例中,映射資料156包括第一映射資料,其將第一介電結構對108中之相對功率位準的值(或與第一介電結構對108中之相對功率位準相關或指示該等相對功率位準之量測的值)映射至第一到達角度。映射資料156亦包括第二映射資料,其將第二介電結構對110中之相對功率位準的值(例如,與第二介電結構對110中之相對功率位準相關或指示該等相對功率位準之量測的值)映射至第二到達角度。在此實例中,處理電路152基於第一映射資料及第二映射資料確定到達的方向資料158,如參看圖6及圖7所描述。
在確定電磁波104之到達的方向之後,處理電路152或計算裝置150產生指示到達的方向(DOA)之到達的方向資料158,且將該DOA資料158發送至回應系統160。回應系統160經組態以基於電磁波104之到達的方向起始回應動作。回應動作之實例包括(但不限於)產生通知(例如,顯示表示電磁波104之到達的方向之圖標)或產生操控命令使得裝置(例如,天線或武器系統)指向到達的方向。在一些實施中,基於DOA資料158產生之操控命令可使得波形偵測器102被重新定位。舉例而言,波形偵測器102可經樞轉使得電磁波104在不同角度衝擊波形偵測器以使得進行第二組量測以確認到達的方向。
波形偵測器102可用以自方位角範圍及極性範圍量測電磁波之到達的方向,方位角範圍及極性範圍界定波形偵測器102的接受錐170。由於接受錐170受到限制,因此系統100可包括一個或多個額外波形偵測器,諸如第二波形偵測器162及用以支援一或多個額外波形偵測器之偵測電路166。在說明於圖1中之實例中,第二波形偵測器162具有不同於波形偵測器102之接受錐172。因此,波形偵測器102可用以確定電磁波在第一極性範圍及第一方位角範圍(例如,對應於接受錐170)內之到達的方向,且第二波形偵測器162可用以確定電磁波(例如第二電磁波164)在第二極性範圍及第二方位角範圍(例如,對應 於接受錐172)內的到達的方向。在此實例中,第一極性範圍不同於第二極性範圍,且第一方位角範圍不同於第二方位角範圍。儘管圖1說明兩個波形偵測器102、162,但在其他實施中,諸如說明於圖4A、圖4B、圖5A及圖5B中之實施中,系統100包括兩個以上波形偵測器。在此等實施中,兩個或兩個以上鄰接波形偵測器之接受錐可部分重疊以在特定角度範圍(例如,180度、360度或某其他目標角度範圍)上提供連續視野(例如,一個聚合接受錐)。
圖2A、圖2B及圖2C為說明圖1之系統之波形偵測器102之特定實施之各種視圖的圖式。圖2A說明波形偵測器102及電磁波104之特定實施的透視圖。圖2B展示圖2A之波形偵測器102之特定實施的俯視圖。圖2C展示圖2A之波形偵測器102之特定實施的橫截面視圖,其中該橫截面視圖係沿著展示於圖2A中之線210的橫截面。
圖2A中,電磁波104說明為具有藉由向量202指示之到達的方向之平面波。向量202可以球面座標表達為具有方位方向(φ)上之分量206及極性方向上之分量(θ)204。
在圖2A、圖2B及圖2C中,波形偵測器102包括配置為耦合介電結構對(例如,第一介電結構對108)的第一介電結構112及第二介電結構114。波形偵測器102亦包括配置為耦合介電結構對(例如,第二介電結構對110)的第三介電結構116及第四介電結構118。第一至第四介電結構112至118中之每一者嵌入於介電基板106內,使得第一至第四介電結構112至118中之每一者之一部分在介電基板106外部延伸。
在圖2A、圖2B及圖2C中說明之實施中,波形偵測器102亦包括能量吸收層250。能量吸收層250經組態以吸收在一目標波長內的電磁輻射。在此實施中,電磁波104與第一至第四介電結構112至118之相互作用會引起某繞射,該繞射可引起與確定電磁波104之到達的方向之干擾。能量吸收層250吸收 電磁波104之經繞射部分以減小繞射干擾。在此實施中,第一至第四介電結構112至118中之每一者延伸穿過能量吸收層250中之開口。
開口可基於用以形成波形偵測器102之特定材料及基於用以限制繞射之電磁波104之目標波長而憑經驗設定大小(例如,基於測試或模擬)。
波形偵測器102之若干尺寸(D1至D7)在圖2A至圖2B中標記出。尺寸D1、D2及D3對應於波形偵測器102之長度(D1)、寬度(D2)及厚度(D3)。每一尺寸D1、D2及D3小於電磁波104之一個波長。為了說明,對於目標電磁波之波長為約1.0公尺的特定實施,尺寸D1可小於或等於約0.41公尺,尺寸D2可能低於或等於約0.23公尺,且尺寸D3可低於或等於大約0.10公尺。
第三介電結構116與第四介電結構118之間的距離標記為尺寸D4,且第一介電結構112與第二介電結構114之間的距離標記為尺寸D5。尺寸D4及D5可相同或其可不同。舉例而言,若第一至第四介電結構112至118中之每一者大體上與其他介電結構相同,則尺寸D4及D5可相同。作為替代性實例,若第一介電結構112及第二介電結構114並不大體上與第三介電結構116及第四介電結構118相同,則尺寸D4可不同於尺寸D5。尺寸D4足夠小以使得能夠可偵測第三介電結構116與第四介電結構118之間的電磁耦合,且尺寸D5足夠小以使得能夠可偵測第一介電結構112與第二介電結構114之間的電磁耦合(如藉由圖2C中之區域230所說明)。
如圖2B中所標記,尺寸D6對應於兩個不成對介電結構(例如,在此實施中第二介電結構114及第三介電結構116)之間的最近距離。尺寸D6足夠大(例如,大於耦合距離),使得極小或不可偵測電磁耦合發生於第二介電結構114與第三介電結構116之間。電磁耦合發生於兩個介電結構之間的程度取決於介電結構之間的距離、介電結構之材料性質、介電結構之幾何形狀及其他因素。因此,介電結構之間距(對應於尺寸D4、D5及D6)及介電結構之長度 (對應於尺寸D3加尺寸D7,在圖2C中標記出)可針對材料、大小約束及目標電磁波長的特定組合憑經驗(例如,藉由測試或模擬)來確定。
圖2A及圖2B中,第一線210展示為延伸穿過第一介電結構112之中心且延伸穿過第二介電結構114的中心。第一線210說明第一介電結構112及第二介電結構114沿著對應於第一線210之第一軸線的對準。另外,第二線212延伸穿過第三介電結構116之中心且延伸穿過第四介電結構118的中心。第二線212說明第三介電結構116與第四介電結構118沿著對應於第二線212之第二軸線的對準。如圖2A及圖2B中所展示,第一線210並不平行於第二線212。在一些實施中,第一線210與第二線212以直角相交。如參看圖6A至圖6C及圖7A至圖7C進一步解釋,沿著並不平行之軸線對準數個介電結構對促進偵測電磁波104在兩個球面尺寸上的到達的方向。
圖3為說明圖1之系統之波形偵測器102之另一特定實施的俯視圖之圖式。說明於圖3中之實施與說明於圖2A、圖2B及圖2C中的實施相同,除了第一至第四介電結構112至118不同地配置外。舉例而言,在圖2A、圖2B及圖2C中,第一至第四介電結構112至118粗略地配置成「L」形狀,使得線210與212的交叉點遠離第一至第四介電結構112至118。對比而言,在圖3中,第一至第四介電結構112至118粗略地配置成「X」形狀,使得線210與線212的交叉點係在第一至第四介電結構112與118之間。圖3中所說明之配置可用以相對於說明於圖2A、圖2B及圖2C中之波形偵測器102減小波形偵測器102的實施的大小。舉例而言,在圖3中,尺寸D1及D2可小於圖2A中的尺寸D1及D2。
由於圖3中所說明將第一至第四介電結構112至118配置為X形狀,對應於兩個不成對介電結構(例如,第一介電結構112及第四介電結構118)之間的距離之尺寸D6小於尺寸D4或尺寸D5。因此,不成對的介電結構經形成以便限制其之間的電磁耦合。舉例而言,第一介電結構112之材料、材料 性質及/或幾何形狀可充分不同於第四介電結構118的材料、材料性質及/或幾何形狀,使得很小或無可偵測電磁耦合發生於第一介電結構112與第四介電結構118之間。相反,第一介電結構112之材料、材料性質及/或幾何形狀可大體上相同於第二介電結構114之材料、材料性質及/或幾何形狀,使得可偵測電磁耦合發生於第一介電結構112與第二介電結構114之間。同樣,第三介電結構116之材料、材料性質及/或幾何形狀可大體上相同於第四介電結構118的材料、材料性質及/或幾何形狀,使得可偵測電磁耦合發生於第三介電結構116與第四介電結構118之間。
圖4A、圖4B、圖5A及圖5B說明圖1之系統100之波形偵測器之多角度實施的各種視圖。在圖4A、圖4B、圖5A及圖5B中之每一者中,波形偵測器102與其他波形偵測器接合或組裝以形成可偵測裝置,該可偵測裝置相較於單一波形偵測器可偵測之範圍在更廣泛之到達的方向之範圍上偵測電磁波。
圖4A說明偵測器裝置400之透視圖,且圖4B說明偵測器裝置400之側視圖。在圖4A及圖4B中,多個波形偵測器102、402、404配置於三維(three-dimensional;3D)物件之外部(或凸面)面上。
在說明於圖4A及圖4B中之實施中,3D物件為立方體;然而,在其他實施中,波形偵測器102、402、404可配置於其他3D物件諸如四面體、角錐體、八面體、十二面體、二十面體、球體、圓柱體等之面或表面上。
圖4A及圖4B中波形偵測器102、402、404中之每一者包括至少兩對介電結構。舉例而言,波形偵測器402包括配置為耦合對之介電結構412及414以及配置為另一耦合對的介電結構416及418。另外,波形偵測器404包括配置為耦合對之介電結構422及424以及配置為另一耦合對的介電結構426及428。在特定實施中,波形偵測器402及波形偵測器404各自為波形偵測器102的複製品(例如,額外例項)。因此,波形偵測器402、404具有與波形偵測器102相 同之性質及結構,且由於在3D物件之不同面上的位置而具有不同於波形偵測器102之接受錐(及彼此不同的接受錐)。
儘管圖4A及圖4B說明配置於3D物件之面上的三個波形偵測器102、402、404,但在其他實施中,偵測器裝置400包括超過三個之波形偵測器或少於三個波形偵測器。舉例而言,偵測器裝置400在3D物件之相對或鄰接面上可包括兩個波形偵測器。在另一實例中,偵測器裝置400可在3D物件之每一面上包括波形偵測器。若3D物件並不包括面(例如,若3D物件為球體),則兩個或兩個以上波形偵測器配置於3D物件之表面的具有不同法向方向的部分上。另外,在一些實施中,一個以上波形偵測器可位於單一面或表面上。舉例而言,單一面或表面可包括經組態以偵測在第一波長範圍內之電磁波的第一波形偵測器及經組態以偵測在第二波長範圍內的電磁波之第二波形偵測器,其中第一波長範圍不同於第二波長範圍(例如,僅部分重疊或不重疊)。
在圖4B中所說明之實施中,感測器432在偵測器裝置400之本體內耦合至介電結構412至418,且感測器430在偵測器裝置400之本體內耦合至介電結構422至428。另外,儘管圖4B中未展示,但感測器132至138在偵測器裝置400之本體內耦合至第一至第四介電結構112至118。舉例而言,偵測器裝置400之本體可包括圖1之介電基板106或由該介電基板106形成。在此實例中,感測器132至138、430及432嵌入於介電基板內且與各別介電結構接觸。
在圖5A及圖5B中,多個波形偵測器102、502、504、506配置於三維(3D)物件之內部(或凹面)面上以形成偵測器裝置500。
在說明於圖5A以及圖5B中之實施中,3D物件包括四個面;然而,在其他實施中,3D物件包括四個以上面或四個以下面。另外,儘管3D物件之面在圖5A及圖5B中說明為大體上平面的,但在其他實施中,3D物件包括彎曲表面(並非平坦表面或除平坦表面外),且波形偵測器102、502、504、 506中之兩個或兩個以上配置於彎曲表面上。
圖5A及圖5B中波形偵測器102、502、504、506中之每一者包括至少兩個介電結構對。舉例而言,波形偵測器502包括配置為耦合對之介電結構512及514以及配置為另一耦合對的介電結構516及518。另外,波形偵測器504包括配置為耦合對之介電結構522及524以及配置為另一耦合對的介電結構526及528。另外,波形偵測器506包括配置為耦合對之介電結構532及534以及配置為另一耦合對的介電結構536及538。在特定實施中,波形偵測器502、504、506各自為波形偵測器102之複製品(例如,額外例項)。因此,波形偵測器502、504、506具有與波形偵測器102相同之性質及結構,且由於在3D物件之不同面上的位置而具有不同於波形偵測器102之接受錐(及彼此不同的接受錐)。
說明於圖5A以及圖5B中之特定實施中的波形偵測器102及波形偵測器502之不同定向說明於圖5B中。圖5B中之第一至第四介電結構114至118、介電結構512至516中之每一者具有如藉由線540至542所說明之主軸,其自第一面(在介電基板106之第一側上)延伸至第二面(在介電基板106之第二側上)。舉例而言,線540對應於穿過第二介電結構114之主軸的線,線542對應於穿過第三介電結構116之主軸的線,且線546對應於穿過第四介電結構118之主軸的線。儘管圖5B中未展示,但延伸穿過第一介電結構112之主軸的線將與線540對準(例如在展示於5B中之視圖中位於線540下面)。另外,線548對應於穿過介電結構512之主軸的線,線550對應於穿過介電結構514之主軸的線,且線552對應於穿過介電結構516之主軸的線。儘管圖5B中未展示,但延伸穿過介電結構518之主軸的線將與線552對準(例如,在圖5B中之視圖中位於線552下面)。線540至546彼此平行。另外,線548至552彼此平行。然而,線540至546不與線548至552平行。
圖6A至圖6C及圖7A至圖7C說明入射於波形偵測器102上之電磁波且基於波形偵測器102之數對介電結構中之功率位準確定電磁波中之每一者之到達的方向之兩個實例。圖6A展示經配置以形成第一介電結構對108之第一介電結構112及第二介電結構114,且展示經配置以形成第二介電結構對110的第三介電結構116及第四介電結構118。關於第一介電結構對108、第二介電結構對110相對於彼此之配置的細節已自圖6A省略。因此,圖6A之波形偵測器102可根據說明於圖2A及圖2B中之L形狀、說明於圖3中之X形狀或根據另一型樣配置。圖7A說明與說明於圖6A中之波形偵測器相同的波形偵測器102。
在圖6A及圖7A兩者中,第一至第四介電結構112至118中之每一者之功率位準藉由各別第一至第四介電結構112至118內之垂直線說明,其中更多線表示更多功率。舉例而言,在圖6A中,第一至第四介電結構112至118之功率位準相等;因此,第一至第四介電結構112至118中之每一者具有相同數目個垂直線。然而,在圖7A中,第一至第四介電結構112至118之功率位準並不相等;因此,第三介電結構116相較於第一介電結構112、第二介電結構114、第四介電結構118具有較少垂直線,且第一介電結構112及第二介電結構114相較於第四介電結構118具有較少垂直線。
圖6A、圖6B、圖7A及圖7B說明第一至第四介電結構112至118中之每一者之中心線來幫助表示第一介電結構對108和第二介電結構對110中之每一者之相對功率位準。線602為第一介電結構112之中心線,線604為第二介電結構114之中心線,線606為第三介電結構116之中心線,且線608為第四介電結構118的中心線。
圖6A及圖6B為說明圖1之系統100之波形偵測器102回應於第一電磁波之功率位準的圖式。圖6C為說明映射資料之圖式,該映射資料將指示圖6A及圖6B之功率位準的資訊映射至第一電磁波之到達的方向。在圖6A及圖6B 中,第一電磁波之到達的方向平行於波形偵測器102之表面的法線(例如,第一電磁波之到達的方向為φ=0度且θ=0度)。換言之,第一電磁波來直接自波形偵測器102上方。
圖7A及圖7B為說明圖1之系統100之波形偵測器102回應於第二電磁波之功率位準的圖式。圖7C為說明映射資料之圖式,該映射資料將指示圖7A及圖7B之功率位準的資訊映射至第二電磁波之到達的方向。在圖7A及圖7B中,第二電磁波之到達的方向不平行於波形偵測器之表面的法線。在說明於圖7A至圖7C中之特定實例中,第二電磁波之到達的方向為φ=20度且θ=20度,如下文進一步解釋。
圖6B及圖7B包括表示第一介電結構對108和第二介電結構對110中之每一者之功率位準(例如,功率位準比率)的曲線。舉例而言,在圖6B中,第一曲線610包括:線614,其說明第一介電結構112回應於第一電磁波的第一功率位準;及線616,其說明第二介電結構114回應於第一電磁波的第二功率位準。線614之曲線下面積及線616之曲線的面積大約相等,從而指示第一介電結構112中之第一功率位準大約等於第二介電結構114的第二功率位準。第一介電結構對108回應於第一電磁波的表達為比率之相對功率位準為大約1.0。
另外,在圖6B中,第二曲線620包括:線624,其說明第三介電結構116回應於第一電磁波的第三功率位準;及線624,其說明第四介電結構118回應於第一電磁波的第四功率位準。線624之曲線下面積及線626之曲線下面積大約相等,從而指示第三介電結構116中之第三功率位準大於等於第四介電結構118的第四功率位準。第二介電結構對110回應於第一電磁波的表達為比率之相對功率位準為大約1.0。
圖6C之映射資料156包括第一映射資料630及第二映射資料640。映射資料156將指示在第一介電結構對108、第二介電結構對110中相對功 率位準的資料映射至對應於到達的方向之角度集合(例如,φ,θ)。第一電磁波之到達的方向藉由第一映射資料630及第二映射資料640相交所處之角度集合指示。舉例而言,在圖6C中,第一映射資料630指示第一介電結構對108的功率位準比率1.0對應於角度對(0,0)、(10,10)、(20,20)、(30,30)或(40,40),且第二映射資料640指示第二介電結構對110之功率位準比率1.0對應於角度對(20,-20)、(10,-10)、(0,0)、(-10,10)及(-20,20)。因此,第一映射資料630及第二映射資料640於角度對(0,0)相交(或達成協議),從而指示第一電磁波之到達的方向係來自對應於φ=0度且θ=0度之方向。
作為另一個實例,在圖7B中,第一曲線710包括:線714,其說明第一介電結構112回應於第二電磁波的第一功率位準;及線716,其說明第二介電結構114回應於第二電磁波的第二功率位準。線714之曲線下面積及線716之曲線下面積大體相等,從而指示第一介電結構112中之第一功率位準大約等於第二介電結構114的第二功率位準。第一介電結構對108回應於第二電磁波的表達為比率之相對功率位準為大約1.0。
另外,在圖7B中,第二曲線720包括:線724,其說明第三介電結構116回應於第二電磁波的第三功率位準;及線726,其說明第四介電結構118中回應於第二電磁波的第四功率位準。線724之曲線下面積小於線726之曲線下面積,從而指示第三介電結構116中的第三功率位準小於第四介電結構118的第四功率位準。第二介電結構對110回應於第二電磁波的表達為比率之相對功率位準為大約0.6。
在圖7C中,第一映射資料630指示第一介電結構對108的功率位準比率1.0對應於角度對(0,0)、(10,10)、(20,20)、(30,30)或(40,40),且第二映射資料640指示第二介電結構對110之功率位準比率0.6對應於角度對(30,0)、(30,10)、(20,20)、(10,30)或(0,40)。因此,第一 映射資料630及第二映射資料640於角度對(20,20)相交(或達成協議),從而指示第二電磁波之到達的方向係來自對應於φ=20度且θ=20度之方向。
請注意,指示在第一介電結構對108、第二介電結構對110中功率位準的資料可包括直接或間接地量測之功率位準,或可包括與功率位準諸如光學特性之改變(例如,改變折射率)、尺寸改變(例如,伸長率)等相關的量測值。
圖8為說明圖1之系統100之操作方法800的特定實例之流程圖。舉例而言,該方法800可藉由圖1之處理電路152執行。該方法800包括在802處(例如,在來自感測器系統之處理器處)接收指示波形偵測器之第一介電結構對中回應於電磁波之相對功率位準的一或多個第一信號。舉例而言,一或多個第一信號可對應於第一信號142及第二信號144,其一起指示第一介電結構對108中之相對功率位準。作為替代方案,在一些實施中,偵測電路120可發送指示第一介電結構對108中之相對功率位準的單一信號至計算裝置150。
方法800亦包括在804處(例如,在來自感測器系統之處理器處)接收指示波形偵測器之第二介電結構對中回應於電磁波之相對功率位準的一或多個第二信號。舉例而言,一或多個第二信號可對應於第三信號146及第四信號148,其一起指示第二介電結構對110中的相對功率位準。作為替代方案,在一些實施中,偵測電路120可發送指示第二介電結構對110中之相對功率位準之單一信號至計算裝置150。
方法800亦包括在806處基於第一介電結構對中之相對功率位準及第二介電結構對中之相對功率位準確定該電磁波之一到達的方向。在特定實施中,確定電磁波之到達的方向包括在808處基於第一介電結構對中之相對功率位準確定第一組潛在到達方向。舉例而言,如參看圖6C及圖7C所描述,在810處,第一組潛在到達方向可藉由自第一映射資料擷取第一組潛在到達方向 而確定,其中第一映射資料將第一介電結構對中相對功率位準的值映射至第一組潛在到達方向。
在此實施中,確定電磁波之到達的方向亦包括在812處基於第二介電結構對中之相對功率位準而確定第二組潛在到達方向。舉例而言,如參看圖6C及圖7C所描述,在814處,第二組潛在到達方向可藉由自第二映射資料擷取第二組潛在到達方向而確定,其中第二映射資料將第二介電結構對中相對功率位準的值映射至第二組潛在到達方向。在此實施中,該方法800進一步包括在816處基於第一組潛在到達方向與第二組潛在到達方向之交叉點而選擇到達的方向。
另外,本發明包含根據以下項之實例:
項1。一種用於到達方向確定之系統,該系統包含:一波形偵測器,其包含:一第一介電結構對;一第二介電結構對;及處理電路,其經組態以確定入射於該波形偵測器上之一電磁波之一到達的方向,該到達的方向基於該第一介電結構對中回應於該電磁波的相對功率位準且基於該第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準而確定。
項2。如項1之系統,該系統進一步包含耦接至該處理電路之偵測電路,該偵測電路經組態以產生指示該第一介電結構對中回應於該電磁波之該等相對功率位準的一或多個第一信號且產生指示該第二介電結構對中回應於該電磁波之該等相對功率位準的一或多個第二信號,其中該處理電路基於該一或多個第一信號及該一或多個第二信號確定該電磁波的該到達的方向。
項3。如項2之系統,其中該偵測電路包括:一第一感測器,其經組態以產生指示該第一介電結構對之一第一介電結構中回應於該電磁波之一第一功率位準的一第一信號;一第二感測器,其經組態以產生指示該第一介電結構對之一第二介電結構中回應於該電磁波之一第二功率位準的一第二信號; 一第三感測器,其經組態以產生指示該第二介電結構對之一第三介電結構中回應於該電磁波的一第三功率位準的一第三信號;及一第四感測器,其經組態以產生指示該第二介電結構對之一第四介電結構中回應於該電磁波之一第四功率位準的一第四信號,其中該第一介電結構對中之該等相對功率位準對應於基於該第一信號及該第二信號的一比率,且其中該第二介電結構對中之該等相對功率位準對應於基於該第三信號及該第四信號的一比率。
項4。如項2之系統,其進一步包含對於該處理電路可存取之一記憶體,該記憶體儲存將該一或多個第一信號之值映射至第一到達角度的第一映射資料且儲存將該一或多個第二信號之值映射至第二到達角度的第二映射資料,其中該處理電路基於該第一映射資料及該第二映射資料確定該到達的方向。
項5。如項1之系統,其中該波形偵測器進一步包含一介電基板,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對至少部分嵌入於該介電基板內。
項6。如項5之系統,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對之每一介電結構具有大於該介電基板之一相對介電常數的一相對介電常數。
項7。如項5之系統,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對之每一介電結構具有大於該介電基板之一折射率的一折射率。
項8。如項5之系統,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對之每一介電結構包括在該介電基板外部延伸之一部分。
項9。如項1之系統,其中該第一介電結構對或該第二介電結構對中之至少一者的介電結構包括鈦酸鍶(SrTiO3)。
項10。如項1之系統,其中該第一介電結構對包括:一第一介電結構;及一第二介電結構,其與該第一介電結構大體上相位匹配。
項11。如項10之系統,其中第二介電結構對包括:一第三介電結構;及一第四介電結構,其與該第三介電結構大體上相位匹配。
項12。如1項之系統,其中該第一介電結構對包括:一第一介電結構,其具有一第一大小及一第一形狀;及一第二介電結構,其具有一第二大小及一第二形狀,該第一大小大體上等於該第二大小,且該第一形狀幾何學上類似於該第二形狀。
項13。如項12之系統,其中該第二介電結構對包括:一第三介電結構,其具有一第三大小及一第三形狀;及一第四介電結構,其具有一第四大小及一第四形狀,該第三大小大體上等於該第四大小,且該第三形狀幾何學上類似於該第四形狀。
項14。如項1之系統,其中該第一介電結構對包括:一第一介電結構;及一第二介電結構,其設置於距該第一介電結構的一臨限距離內,該臨限距離對應於針對該電磁波之一耦合距離。
項15。如項14之系統,其中第二介電結構對包括:一第三介電結構;及一第四介電結構,其設置於距該第三介電結構的該臨限距離內。
項16。如項1之系統,其中該第一介電結構對包括一第一介電結構及一第二介電結構,第一介電結構沿著一第一軸線與該第二介電結構對準,且其中該第二介電結構對包括一第三介電結構及一第四介電結構,該第三介電結構與該第四介電結構對準,該第四介電結構沿著並不與該第一軸線平行之一第二軸線對準。
項17。如項1之系統,其進一步包含一第二波形偵測器,其包含:一第三介電結構對;及一第四介電結構對,其中該處理電路經組態以確定入射於該第二波形偵測器上之一第二電磁波的一第二到達方向,其中該電磁波之該到達的方向係在一第一極性範圍內且在一第一方位角範圍內,且該第二電 磁波之該第二到達方向係在一第二極性範圍內且在一第二方位角範圍內,其中該第一極性範圍不同於該第二極性範圍且該第一方位角範圍不同於該第二方位角範圍。
項18。如項17之系統,其中:該第一介電結構對包括具有一第一主軸之一第一介電結構及具有一第二主軸的一第二介電結構;該第二介電結構對包括具有一第三主軸之一第三介電結構及具有一第四主軸的一第四介電結構,該第一主軸與該第二主軸、該第三主軸及該第四主軸大體上平行;該第三介電結構對包括具有一第五主軸之一第五介電結構及具有一第六主軸的一第六介電結構;且該第四介電結構對包括具有一第七主軸之一第七介電結構及具有一第八主軸的一第八介電結構,該第五主軸與該第六主軸、該第七主軸及該第八主軸大體上平行,且該第五主軸不與該第一主軸平行。
項19。一種波形偵測器,其包含:一第一介電結構對,其包含設置於距一第二介電結構之臨限距離內的一第一介電結構;及一第二介電結構對,其包含設置於距第四介電結構之臨限距離內的第三介電結構,該臨限距離係使得對電磁波做出回應之第一介電結構對中回應於電磁波的相對功率位準與電磁波之到達的方向相關,且第二介電結構對中回應於電磁波的相對功率位準係關於電磁波的到達的方向。
項20。如項19之波形偵測器,其進一步包含一介電基板,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對至少部分嵌入於該介電基板內。
項21。如項20之波形偵測器,其中第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構中之每一者具有大於介電基板之相對介電常數的相對介電常數。
項22。如項20之波形偵測器,其中第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構中之每一者具有大於介電基板之折射率的折 射率。
項23。如項20之波形偵測器,其中第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構中之每一者包括在介電基板外部延伸之一部分。
項24。如項19之波形偵測器,其中第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構中之每一者包括鈦酸鍶(SrTiO3)。
項25。如項19之波形偵測器,其中第一介電結構與第二介電結構大體上相位匹配,且第三介電結構與第四介電結構大體上相位匹配。
項26。如項19之波形偵測器,其中該臨限距離對應於電磁波之耦合距離。
項27。如項19之波形偵測器,其中該第一介電結構沿著第一軸線與第二介電結構對準,且第三介電結構與第四介電結構對準,該第四介電結構沿著並不與第一軸線平行之第二軸線對準。
項28。如項19之波形偵測器,其中第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構之主軸大體上平行。
項29。如項28之波形偵測器,其進一步包含:第三介電結構對,其包含第五介電結構及第六介電結構;及第四介電結構對,其包含第七介電結構及第八介電結構,其中第五介電結構、第六介電結構、第七介電結構及第八介電結構之主軸大體上平行,且與第一介電結構、第二介電結構、第三介電結構及第四介電結構的主軸不平行。
項30。一種到達方向確定之方法,該方法包含:在來自感測器系統之一處理器處接收指示一波形偵測器之一第一介電結構對中回應於一電磁波之相對功率位準的一或多個第一信號;在來自該感測器系統之該處理器處接收指示該波形偵測器之一第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準的 一或多個第二信號;及藉由處理器基於該第一介電結構對中之該等相對功率位準及該第二介電結構對中之該等相對功率位準確定該電磁波之一到達的方向。
項31。如項30之方法,其中確定該電磁波之該到達的方向包含:基於該第一介電結構對中該等相對功率位準確定一第一組潛在到達方向;基於該第二介電結構對中之該等相對功率位準確定一第二組之潛在到達方向;及基於該第一組潛在到達方向與該第二組潛在到達方向之一交叉點選擇該到達的方向。
項32。如項31之方法,其中確定該第一組潛在到達方向包含自第一映射資料擷取該第一組潛在到達方向,其中該第一映射資料將該第一介電結構對中之該等相對功率位準中之一值映射至該第一組潛在到達方向,且其中確定該第二組潛在到達方向包含自第二映射資料擷取該第二組潛在到達方向,其中該第二映射資料將該第二介電結構對中之該等相對功率位準之一值映射至該第二組潛在到達方向。
上述具體實例為說明性的且不限制本發明。應理解,根據本發明之原理,眾多修改及變化係可能的。
對本文中所描述之實例的說明意欲提供對各種實例之結構的一般理解。該等說明並不意欲充當對利用本文中所描述之結構或方法的設備及系統之所有元件及特徵的完整描述。熟習此項技術者在審閱本發明時將顯而易知許多其他實例。可利用其他實例並且自本發明導出其他實例,使得可在不脫離本發明之範疇的情況下作出結構及邏輯替代及改變。舉例而言,方法步驟可以不同於圖中所示的次序執行,或可省略一或多個方法步驟。因此,應將本發明及圖式視為說明性而非限制性的。
此外,儘管本文中已說明及描述了特定實例,但應瞭解,經設計以達成相同或類似結果的任何後續配置可取代所示的特定實例。本發明意欲 涵蓋各種實例之任何及所有後續調適或變化。熟習此項技術者在審閱本發明時將顯而易知以上實例與本文中未特定描述之其他實例的組合。
應理解,【發明摘要】將不用於解釋或限制申請專利範圍之範圍或含義。另外,在前述【實施方式】中,出於提高本發明之效率的目的,可於單個實例中將各種特徵分組在一起或描述。本發明不應被解譯為反映所要求實例需要比每一技術方案中明確敍述之特徵多的特徵之意圖。確切而言,如以下申請專利範圍中所反映,所主張的標的物可指少於所揭示實例中之任一者的全部特徵。
100:系統
102:波形偵測器
104:電磁波
106:介電基板
108:第一介電結構對
110:第二介電結構對
112:第一介電結構
114:第二介電結構
116:第三介電結構
118:第四介電結構
120:偵測電路
122:第一功率位準
124:第二功率位準
126:第三功率位準
128:第四功率位準
130:感測器系統
132:第一感測器
134:第二感測器
136:第三感測器
138:第四感測器
142:第一信號
144:第二信號
146:第三信號
148:第四信號
150:計算裝置
152:處理電路
154:記憶體
156:映射資料
158:到達的方向資料
160:回應系統
162:第二波形偵測器
164:第二電磁波
166:偵測電路
170:接受錐
172:接受錐

Claims (14)

  1. 一種用於到達方向確定之系統,該系統包含:一波形偵測器,其包含:一第一介電結構對,其包含一第一介電結構及一第二介電結構;及一第二介電結構對,其包含一第三介電結構及一第四介電結構,其中該第一介電結構、該第二介電結構、該第三介電結構及該第四介電結構之主軸大體上平行;一第二波形偵測器,其包含:一第三介電結構對,其包含一第五介電結構及一第六介電結構;及一第四介電結構對,其包含一第七介電結構及一第八介電結構,其中該第五介電結構、該第六介電結構、該第七介電結構及該第八介電結構之主軸大體上平行,並且不平行於該第一介電結構、該第二介電結構、該第三介電結構及該第四介電結構之該等主軸;以及處理電路,其經組態以:確定入射於該波形偵測器上之一電磁波之一到達的方向,該到達的方向基於該第一介電結構對中回應於該電磁波的相對功率位準且基於該第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準而確定;及確定入射於該第二波形偵測器上之一第二電磁波之一到達的第二方向,該到達的第二方向基於該第三介電結構對中回應於該第二電磁波的相對功率位準且基於該第四介電結構對中回應於該第二電磁波之相對功率位準而確定。
  2. 如請求項1所述之系統,其進一步包含耦接至該處理電路之偵測電路,該偵測電路經組態以產生指示該第一介電結構對中回應於該電磁波之該等相對功率位準的一或多個第一信號且產生指示該第二介電結構對中回應於該 電磁波之該等相對功率位準的一或多個第二信號,其中該處理電路基於該一或多個第一信號及該一或多個第二信號確定該電磁波的該到達的方向。
  3. 如請求項2所述之系統,其中該偵測電路包括:一第一感測器,其經組態以產生指示該第一介電結構中回應於該電磁波之一第一功率位準的一第一信號;一第二感測器,其經組態以產生指示該第二介電結構中回應於該電磁波之一第二功率位準的一第二信號;一第三感測器,其經組態以產生指示該第三介電結構中回應於該電磁波之一第三功率位準的一第三信號;及一第四感測器,其經組態以產生指示該第四介電結構中回應於該電磁波之一第四功率位準的一第四信號,其中該第一介電結構對中之該等相對功率位準對應於基於該第一信號及該第二信號的一比率,且其中該第二介電結構對中之該等相對功率位準對應於基於該第三信號及該第四信號的一比率。
  4. 如請求項2所述之系統,其進一步包含對於該處理電路可存取之一記憶體,該記憶體儲存將該一或多個第一信號之值映射至第一到達角度之第一映射資料且儲存將該一或多個第二信號之值映射至第二到達角度的第二映射資料,其中該處理電路基於該第一映射資料及該第二映射資料確定該到達的方向。
  5. 如請求項1所述之系統,其中該波形偵測器進一步包含一介電基板,其中該第一介電結構對及該第二介電結構對至少部分嵌入於該介電基板內。
  6. 如請求項5所述之系統,其中該第一介電結構對及該第二介電結 構對之每一介電結構進行以下情形中之至少一者:具有大於該介電基板之一相對介電常數的一相對介電常數;具有大於該介電基板之一折射率的一折射率;且包括在該介電基板外部延伸之一部分。
  7. 如請求項1所述之系統,其中該第一介電結構對或該第二介電結構對中之至少一者的介電結構包括鈦酸鍶(SrTiO3)。
  8. 如請求項1所述之系統,其中該第二介電結構與該第一介電結構大體上相位匹配,且其中該第四介電結構與該第三介電結構大體上相位匹配。
  9. 如請求項1所述之系統,其中:該第一介電結構具有一第一大小及一第一形狀,其中該第二介電結構具有一第二大小及一第二形狀,其中該第一大小大體上等於該第二大小,且其中該第一形狀幾何學上類似於該第二形狀;及該第三介電結構具有一第三大小及一第三形狀,其中該第四介電結構具有一第四大小及一第四形狀,其中該第三大小大體上等於該第四大小,且其中該第三形狀幾何學上類似於該第四形狀。
  10. 如請求項1所述之系統,其中:該第二介電結構設置於距該第一介電結構的一臨限距離內,其中該臨限距離對應於針對該電磁波之一耦合距離;及該第四介電結構設置於距該第三介電結構的該臨限距離內。
  11. 如請求項1所述之系統,其中該處理電路經組態以確定入射於該第二波形偵測器上之一第二電磁波的一第二到達方向,其中該電磁波之該到達的方向係在一第一極性範圍內且在一第一方位角範圍內,且該第二電磁波之該第二到達方向係在一第二極性範圍內且在一第二方位角範圍內,且其中該第一極性範圍不同於該第二極性範圍且該第一方位角範圍不同於該第二方位角範 圍。
  12. 一種到達方向確定之方法,該方法包含:在來自一感測器系統之一處理器處接收指示一波形偵測器之一第一介電結構對中回應於一電磁波之相對功率位準的一或多個第一信號,其中該第一介電結構對包含一第一介電結構及一第二介電結構;在來自該感測器系統之該處理器處接收指示該波形偵測器之一第二介電結構對中回應於該電磁波之相對功率位準的一或多個第二信號,其中該第二介電結構對包含一第三介電結構及一第四介電結構,其中該第一介電結構、該第二介電結構、該第三介電結構及該第四介電結構之主軸大體上平行;藉由該處理器基於該第一介電結構對中之該等相對功率位準及該第二介電結構對中之該等相對功率位準來確定該電磁波之一到達的方向;在來自該感測器系統之該處理器處接收指示一第二波形偵測器之一第三介電結構對中回應於一第二電磁波之相對功率位準的一或多個第三信號,其中該第三介電結構對包含一第五介電結構及一第六介電結構;在來自該感測器系統之該處理器處接收指示該第二波形偵測器之一第四介電結構對中回應於該第二電磁波之相對功率位準的一或多個第四信號,其中該第四介電結構對包含一第七介電結構及一第八介電結構,且其中該第五介電結構、該第六介電結構、該第七介電結構及該第八介電結構之主軸大體上平行,並且不平行於該第一介電結構、該第二介電結構、該第三介電結構及該第四介電結構之該等主軸;以及藉由該處理器基於該第三介電結構對中之該等相對功率位準及該第四介電結構對中之該等相對功率位準來確定該二電磁波之一到達的該二方向。
  13. 如請求項12所述之方法,其中確定該電磁波之該到達的方向包含: 基於該第一介電結構對中之該等相對功率位準確定一第一組潛在到達方向;基於該第二介電結構對中之該等相對功率位準確定一第二組潛在到達方向;及基於該第一組潛在到達方向與該第二組潛在到達方向之一交叉點選擇該到達的方向。
  14. 如請求項13所述之方法,其中確定該第一組潛在到達方向包含自第一映射資料擷取該第一組潛在到達方向,其中該第一映射資料將該第一介電結構對中之該等相對功率位準中之一值映射至該第一組潛在到達方向,且其中確定該第二組潛在到達方向包含自第二映射資料擷取該第二組潛在到達方向,其中該第二映射資料將該第二介電結構對中之該等相對功率位準之一值映射至該第二組潛在到達向。
TW107122815A 2017-11-02 2018-07-02 用於確定電磁波之到達的方向之系統和方法 TWI778091B (zh)

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