TWI767398B - 用於監測半導體處理系統之系統及方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 230000004044 response Effects 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G06Q10/00—Administration; Management
- G06Q10/06—Resources, workflows, human or project management; Enterprise or organisation planning; Enterprise or organisation modelling
- G06Q10/063—Operations research, analysis or management
- G06Q10/0631—Resource planning, allocation, distributing or scheduling for enterprises or organisations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0244—Heating of fluids
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06Q—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES; SYSTEMS OR METHODS SPECIALLY ADAPTED FOR ADMINISTRATIVE, COMMERCIAL, FINANCIAL, MANAGERIAL OR SUPERVISORY PURPOSES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G06Q50/00—Information and communication technology [ICT] specially adapted for implementation of business processes of specific business sectors, e.g. utilities or tourism
- G06Q50/04—Manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- General Business, Economics & Management (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
一種用於監測一半導體處理系統之方法，該半導體處理系統包括一氣體輸送系統、一熱系統及一流體流動管線，該方法包括以下步驟：由該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得複數操作資料；及依據該等複數操作資料之一或多個操作資料決定該流體流動管線之一性能特性。該方法包括以下步驟：識別在一參考虛擬模型中與該一或多個操作資料相關之一或多個位置；及依據該參考虛擬模型、該一或多個識別位置及該決定之性能特性產生該流體流動管線之一動態模型，其中該動態模型係該流體流動管線之一數位表示。
Description
本申請案主張2019年11月4日申請之美國暫時申請案第62/930,272號的優先權及利益。上述申請案之揭示在此加入作為參考。
本揭示大致有關於具有一氣體輸送系統及一排氣系統之半導體處理系統且更特別地有關於用於該氣體輸送系統及該排氣系統之控制及監測系統。
在這部份中之說明只提供關於本揭示之背景資訊且不構成習知技術。
一半導體處理系統大致包括一處理腔室及用於將處理氣體輸送至該處理腔室及用於將排氣輸送至該處理腔室外之一氣體輸送系統。加熱器通常設置成靠近，且在某些情形中，環繞該氣體輸送系統之氣體管線。當該等處理氣體在該等氣體管線中由一氣體源輸送至該處理腔室時，該等處理氣體可被加熱至一預定溫度以促進該處理腔室中之處理氣體的反應程序。當該排氣輸送離開該處理腔室時，該等排氣可被加熱以促進一氣體減量系統中之一減量程序。
但是，該等加熱器產生需要加熱該等氣體管線中之該等處理氣體及/或排氣至一所需溫度的熱費時。當在該等氣體管線中出現冷點時，該等氣體管線中會發生堵塞。操作者通常不知道在該等氣體管線中流動之氣體的狀況。因此，操作者經常不可能在堵塞發生前以減少冷點出現之一方式控制該等加熱器。
本揭示解決有關監測該等氣體管線及用於加熱該等氣體之加熱器回應緩慢的問題以及其他問題。
這部份提供該揭示之一般概要而非其完整範圍或其全部特徵之一全面性揭示。
本揭示提供一種用於監測一半導體處理系統之方法，該半導體處理系統包括一氣體輸送系統、一熱系統及一流體流動管線。該方法包括以下步驟：由該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得複數操作資料；及依據該等複數操作資料之一或多個操作資料決定該流體流動管線之一性能特性。該方法包括以下步驟：識別在一參考虛擬模型中與該一或多個操作資料相關之一或多個位置；及依據該參考虛擬模型、該一或多個識別位置及該決定之性能特性產生該流體流動管線之一動態模型，其中該動態模型係該流體流動管線之一數位表示。
在某些形態中，該方法更包括以下步驟：由儲存在一資料庫中之複數參考虛擬模型識別該流體流動管線之該參考虛擬模型。
在某些形態中，該數位表示係一二維影像及一三維影像中之一影像。
在某些形態中，該等複數操作資料包括：一加熱器之溫度資料、該流體流動管線之溫度資料、該加熱器之電特性資料、一泵之泵資料或其組合。
在某些形態中，該電特性資料包括：該加熱器之一電壓、該加熱器之一電流或其組合。
在某些形態中，該性能特性包括取決於該加熱器之該溫度資料、該溫度資料或其組合之一流體流動溫度值。
在某些形態中，該性能特性係依據該操作資料之一統計分析決
定。
在某些形態中，該統計分析係相對一預定設定點之一偏差、該操作資料隨時間變化之一統計表示或其組合。
在某些形態中，該統計分析係該熱系統之一加熱器區域的一統計表示，其中該加熱器區域包括該熱系統之複數加熱器的一或多個加熱器。
在某些形態中，該參考虛擬模型係該氣體輸送系統、該熱系統、該流體流動管線或其組合之一數位表示。
在某些形態中，該參考虛擬模型提供設置在流體流動管線之該熱系統之一或多個加熱器、設置在該流體流動管線之一或多個感測器或其組合的一位置。
在某些形態中，該動態模型係該流體流動管線之一熱輪廓表示。
在某些形態中，該方法更包括以下步驟：使用一顯示裝置顯示該動態模型及一或多個過濾使用者介面元件，該一或多個過濾使用者介面元件使該顯示裝置依據一使用者輸入選擇地顯示一組性能特性。
在某些形態中，該方法更包括以下步驟：依據該半導體處理系統之一或多個前驅物產生用於該熱系統之一或多個加熱器的一操作建議。
本揭示亦提供一種用於監測一半導體處理系統之系統，該半導體處理系統包括一氣體輸送系統、一熱系統及一流體流動管線。該系統包括：一處理器；及一非暫時電腦可讀取媒體，其包括可由該處理器執行之指令。該等指令包括：由該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得複數操作資料；及依據該等複數操作資料之一或多個操作資料決定該流體流動管線之一性能特性。該等指令包括：識別在一參考虛擬模型中與該一或多個操作資料相關之一或多個位置；及依據該參考虛擬模型、該一或多個識別位置及該決定之性能特性產生該流體流動管線之一動態模型，其中該動態模型係該流體流動管線之一數位表
示。
在某些形態中，該等指令更包括由儲存在一資料庫中之複數參考虛擬模型識別該流體流動管線之該參考虛擬模型。
在某些形態中，該數位表示係一二維影像及一三維影像中之一影像。
在某些形態中，該等複數操作資料包括：一加熱器之溫度資料、該流體流動管線之溫度資料、該加熱器之電特性資料、一泵之泵資料或其組合。
在某些形態中，該電特性資料包括：該加熱器之一電壓、該加熱器之一電流或其組合。
在某些形態中，該性能特性包括取決於該加熱器之該溫度資料、該溫度資料或其組合之一流體流動溫度值。
在某些形態中，該性能特性係依據該操作資料之一統計分析決定。
在某些形態中，該統計分析係相對一預定設定點之一偏差、該操作資料隨時間變化之一統計表示或其組合。
在某些形態中，該統計分析係該熱系統之一加熱器區域的一統計表示，其中該加熱器區域包括該熱系統之複數加熱器的一或多個加熱器。
在某些形態中，該參考虛擬模型係該氣體輸送系統、該熱系統、該流體流動管線或其組合之一數位表示。
在某些形態中，該參考虛擬模型提供設置在流體流動管線之該熱系統之一或多個加熱器、設置在該流體流動管線之一或多個感測器或其組合的一位置。
在某些形態中，該動態模型係該流體流動管線之一熱輪廓表示。
在某些形態中，該等指令更包括：使用一顯示裝置顯示該動態模
型及一或多個過濾使用者介面元件，該一或多個過濾使用者介面元件使該顯示裝置依據一使用者輸入選擇地顯示一組性能特性。
在某些形態中，該指令更包括：依據該半導體處理系統之一或多個前驅物產生用於該熱系統之一或多個加熱器的一操作建議。
其他應用領域可由在此提供之說明了解。應了解的是該說明及特定例子只是為了要說明而非意圖限制本揭示之範圍。
5:系統
10:半導體處理系統
12:處理腔室
13:半導體控制系統
14:氣體輸送系統
16:熱系統
18:氣體源
20:氣體供應管線
22:氣體減量系統
24:排氣管線
25:加熱器
26:熱感測器
27:流體管線感測器
28:泵感測器
29:泵
30:監測系統
50:資訊處理模組
60:分析模組
70:動態回應模組
80:動態模型產生器模組
90:參考虛擬模型資料庫
100:映射模組
110:使用者介面模組
120:熱控制系統
130:使用者介面裝置
300:介面
302,402:動態模型
304:重疊狀態區域
306:警示條元件
310,312,314,316,318,320,322,324:選單過濾元件
400,500:使用者介面
404,406:狀態區域
408:趨勢圖
502:選單
600:程序
604,608,612,616:步驟
為了可良好地了解本揭示，以下說明為了舉例提供之其各種形態且參照附圖，其中：圖1係依據本揭示之教示的一半導體處理系統、一熱控制系統及用於監測該半導體處理系統之操作的一監測系統的功能方塊圖；圖2係依據本揭示之教示的圖1之監測系統的功能方塊圖；圖3係依據本揭示之教示的一使用者介面裝置之一使用者介面的示意圖；圖4係依據本揭示之教示的一使用者介面裝置之一使用者介面的示意圖；圖5係依據本揭示之教示的一使用者介面裝置之一使用者介面的示意圖；及圖6係顯示依據本揭示之教示的一控制程序例的流程圖。
在此所述之圖只是用於說明且無論如何不是意圖限制本揭示之範圍。
以下說明在本質上只是示範而不是意圖限制本揭示、應用或用途。應了解的是在全部圖中，對應符號表示相似或對應部件及形貌體。
請參閱圖1，顯示包括一半導體處理系統10、用於監測該半導體處理系統10之一監測系統30、一熱控制系統120及一使用者介面裝置130的一系統5。在一形態中，該監測系統30、該半導體處理系統10、該熱控制系統120及該使用者介面裝置130之組件使用一有線通訊協定及/或一無線通訊協定(例如，一Bluetooth®型協定、一胞狀網路協定、一無線保真(Wi-Fi)型協定、一近場通訊(NFC)協定及一超寬頻(UWB)協定等)通訊地耦合。
在一形態中，該半導體處理系統10大致包括：一處理腔室12、一半導體控制系統13、一氣體輸送系統14及一熱系統16。在一形態中，該氣體輸送系統14包括：一氣體源18；一氣體供應管線20，用以由該氣體源18輸送處理氣體至該處理腔室12；一氣體減量系統22；及一排氣管線24，用於由該處理腔室12輸送例如未使用處理氣體及副產物之排氣至該氣體減量系統22。在一形態中，半導體晶圓處理中使用之處理氣體會有毒、發火或具腐蝕性(例如，氨、矽烷、氬、胂及/或膦及其他氣體)。在某些形態中，未使用處理氣體及有害副產物被輸送至該氣體減量系統22，且該等未使用處理氣體及副產物在釋放至環境前在該氣體減量系統22中被清潔及中和。以下，處理氣體及排氣統稱為「氣體」。
在一形態中，該熱系統16包括複數加熱器25，該等加熱器25係沿著該氣體供應管線20及該排氣管線24設置在不同位置以加熱在該氣體供應管線20及該排氣管線24中流動之氣體。在一形態中，該等複數加熱器25係包覆在該氣體供應管線20及該排氣管線24上以加熱在其中之氣體的可撓加熱器。在另一例子中，該等複數加熱器25係設置成直接加熱流過該氣體供應管線20及該排氣管線24之氣體的插裝加熱器。當該氣體輸送至該處理腔室12及該氣體減量系統22時加熱該氣體有助於在處理腔室12中之晶圓處理及在該氣體減量系統22中之排氣處理。此外，加熱該氣體防止污染物沿著該氣體供應管線20及該排氣管線24之壁沈積且因此堵塞在該氣體供應管線20及該排氣管線24中。在一形態中，
該等複數加熱器25係由一熱控制系統120個別地控制。
在一形態中，該熱系統16包括用於測量熱系統資料之複數熱感測器26，該等熱系統資料包括但不限於：該加熱器25之一溫度及該加熱器25之電特性資料(例如，該等加熱器25之一電壓、一電流、一電力及/或一電阻)等。該等複數熱感測器26可包括：一熱電偶、一電阻溫度感測器、一紅外線相機、一電流感測器及/或一電壓感測器等。
在一形態中，該等複數加熱器25可取代或附加於產生該等性能特性之一或多個熱感測器26來產生該性能特性。舉例而言，該加熱器25係設置成包括一或多個電阻加熱元件之一雙線加熱器，該一或多個電阻加熱元件係作為用於依據該電阻加熱元件之一電阻測量該電阻加熱元件之一平均溫度的一感測器來操作。更詳而言之，該雙線加熱器係揭露在與本申請案共同地被擁有且其內容在此全部加入作為參考的美國專利第7,196,295號中。在一雙線熱系統中，該熱系統16係與多種控制合併之加熱器設計的一適應性熱系統，該等加熱器設計結合一訂製回饋控制系統中之電力、電阻、電壓及電流，且該訂製回饋控制系統限制一或多個這些參數(例如，電力、電阻、電壓及電流)同時控制另一參數。在一形態中，該控制器係組配成監測輸送至該電阻加熱元件之電流、電壓及電力中之至少一者以決定該電阻加熱元件之電阻及因此溫度。
在一形態中，該氣體輸送系統14包括複數流體管線感測器27，該等流體管線感測器27係設置成靠近(即，鄰近及/或接近)該氣體供應管線20及該排氣管線24用於測量流體管線資料。舉例而言，該等複數流體管線感測器27係安裝在該氣體供應管線20及該排氣管線24上以監測可造成堵塞之冷點、散熱器、及導致系統劣化及停滯期之熱點。在一形態中，該流體管線資料可包括但不限於：溫度、該等氣體之流速及壓力、及使用之處理氣體。因此，該等流體管線感測器27包括但不限於：溫度感測器、壓力感測器、流速計及氣體感測器
等。
在一形態中，該氣體輸送系統14包括一泵感測器28，該泵感測器28係設置成靠近該氣體源18之一泵29而用於測量泵資料，例如該泵之一溫度及/或壓力。因此，該泵感測器28可包括組配成可測量該泵29之溫度的一溫度感測器或其他類似感測器。在一形態中，該泵之操作溫度可用於控制由設置成靠近該泵之加熱器25產生的溫度。詳而言之，當該泵變熱時，臨近該泵之一加熱器可提供很少熱或不提供熱。在一形態中，該泵29係組配成移除由該處理腔室12至該氣體減量系統22之排氣。在某些形態中，該泵溫度資料可提供至該半導體控制系統13以控制該半導體處理系統10之操作。
在一形態中，該熱控制系統120係組配成依據預定控制程序及/或由該監測系統30接收之一熱系統命令及/或由該使用者介面裝置130(例如，一人機介面(HMI))接收之一使用者輸入來控制供應至該熱系統16之電力。舉例而言，該熱控制系統120可使用一比例積分微分(PID)控制程序、一模型預測控制程序、一串級控制程序或一微分控制程序作為該預定控制程序，以便依據熱感測器資料調整供應至熱系統16之電力且因此調整該等加熱器25中之至少一加熱器的溫度。如在此所述，該使用者亦可透過該使用者介面裝置130輸入命令至該熱系統以便控制該等加熱器25。
在一形態中，若該等加熱器25係具有足夠高電阻溫度係數(TCR)，則該熱控制系統120係組配成可決定依據該等加熱器25之一電阻加熱元件的電阻。舉例而言，若該等加熱器25係一雙線加熱器，則該熱控制系統20係設置成一雙線溫度控制系統。通常，在一雙線系統中，該等電阻加熱元件係由具有隨著不同溫度改變之一不同電阻的一材料界定，因此該電阻加熱元件之一平均溫度係依據該電阻加熱元件之電阻的變化來決定。在一形態中，該電阻加熱元件之電阻係藉由先測量通過該等加熱元件之電壓及電流且接著使用歐姆定律計算來
決定該電阻。在一形態中，一電阻-溫度相關性(例如，演算法及查找表等)可用來依據該電阻決定該溫度。該等雙線熱控制系統係組配成實行一或多個控制程序以決定欲施加至該等加熱器之所需電力。雙線熱控制系統及相關控制程序例係揭露在2017年6月15申請且名稱為「用於熱系統之電力轉換器(POWER CONVERTER FOR A THERMAL SYSTEM)」的美國共同申請案第15/624,060號及2018年8月10申請且名稱為「用於控制供應至加熱器之電力的系統及方法(SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING POWER TO A HEATER)」的美國共同申請案第16/100,585號中，該等申請案與本申請案共同地被擁有且其內容在此全部加入作為參考。
在一形態中，該半導體控制系統13係組配成控制且包括用於控制該半導體處理系統10之資訊。舉例而言，該半導體控制系統13儲存前驅物及該等前驅物在原子層沈積(ALD)程序中導入該處理腔室12之一時間。在另一例子中，該半導體控制系統13包括表示該等加熱器25如何依據一設定點調整之資訊，例如達成一目標設定點所需之電力或一冷卻速度的百分比。
在一形態中，該熱控制系統120係組配成提供熱系統資料至該監測系統30。例如，該系統120提供供應至該等加熱器25之電力/能量的量。若為一雙線控制系統，則該熱控制系統120係組配成提供溫度、電阻、電壓、電流及/或電力至該監測系統30。
請參閱圖2，該監測系統30包括：一資訊處理模組50、一分析模組60、一動態回應模組70及一動態模型產生器模組80。應可輕易了解的是該控制系統40中之任一組件可設置在相同位置或分散在不同位置(例如，透過一或多個邊緣運算裝置)且因此通訊地耦合。雖然該動態回應模組70顯示為該監測系統30之一部份，但應了解的是在其他形式中可使用該動態回應模組70作為該熱控制系統120之一部份來代替該監測系統30。
在一形態中，該資訊處理模組50係組配成處理由該使用者介面裝置130接收之操作資料及/或使用者輸入以提供該操作資料及/或使用者輸入至適當模組。操作資料包括：該泵資料、該流體管線資料、該半導體控制系統資料及/或該熱系統資料。舉例而言，該資訊處理模組50提供使用者輸入至該動態模型產生器模組80且提供該操作資料至該分析模組60、該動態回應模組70或該動態模型產生器模組80中之至少一模組。
在一形態中，該分析模組60係組配成藉由對一或多個操作資料實行一統計分析來決定該流體流動管線(即，該氣體供應管線20及/或該排氣管線24)、該熱系統16及/或該氣體源18之性能特性。統計分析可包括但不限於：相對一預定設定點之一偏差(一百分比或一值)；該操作資料隨時間變化之一統計表示(例如，一平均、中間、標準偏差、方差、最小、最大及其他統計表示)；該熱系統之一加熱器區域的一統計表示等。
舉例而言，依據該等加熱器25之溫度，該分析模組60決定該流體流動管線之一熱輪廓表示作為該性能特性。在一形態中，該熱輪廓表示提供數字溫度值及/或該流體流動管線之一熱地圖等。在另一例子中，使用施加至該加熱器25之電力，該分析模組60係組配成聯結該加熱器25之溫度與施加至該等加熱器25之能量的量。更詳而言之，該分析模組60係組配成依據測量溫度及一所需溫度設定點，用該等加熱器25之(多個)溫度特性，例如一段時間內該加熱器之一平均溫度及/或該加熱器之一溫度偏差來追蹤施加至該等加熱器25之能量。在另一例子中，該分析模組60依據如流體管線資料所示之將該等氣體管線之一特定區域加熱至一所需溫度需要的時間，決定在該流體流動管線內之一材料累積作為該性能特性。
在另一例子中，該等加熱器25分組成複數區域且使用與各區域相關之熱系統資料來決定在該特定區域的性能特性。詳而言之，該分析模組60依
據與各區域相關之資料對各區域進行分析。例如，若第一組溫度資料與該流體管線系統之一第一區域相關，則該分析模組60依據該第一組溫度資料之一統計表示決定一區域溫度作為性能特性。在又一例子中，該分析模組60係組配成依據該第一區域之加熱器的電特性(例如，電力、電流、電壓、能量等)的統計表示來決定一區域電力。雖然特定例子係針對溫度及能量資料來提供，但該分析模組60係組配成可使用其他種類之操作資料，例如泵資料來進行類似統計分析。在再一例子中，該分析模組60可依據來自該泵感測器28之溫度資料決定與該泵29及與該氣體減量系統22中之排氣減量相關的資料。
在一形態中，該動態回應模組70接收該半導體控制系統資料且動態地提供用於該加熱器25之一操作建議至該熱控制系統120。舉例而言，該動態回應模組70接收有關前驅物種類及何時該等前驅物欲導入該處理腔室12的半導體控制系統資料。使用預定控制模型及/或演算法及來自該分析模組60之資料，該動態回應模組70決定用於一或多個加熱器之操作建議(例如，用於該等加熱器25之一建議設定點)且提供該建議至該熱控制系統120。前驅物例包括但不限於：導入該處理腔室之一新晶圓；一新氣體及/或另一氣體；及/或用於一清潔循環之一時間。在一形態中，該預定控制模型及/或演算法係依據顯示當一既定前驅物施加至該系統10時該半導體處理系統10之回應的歷史資料及/或實驗來決定。因此，利用來自該動態回應模組70之操作建議，該熱控制系統120可在例如該新晶圓或程序開始前調整用於該等加熱器25之設定點以改善該等加熱器25之回應。
在一形態中，該動態模型產生器模組80係組配成可產生該流體流動管線之一動態模型，該動態模型係表示對應流體流動管線及由該分析模組60決定之性能特性的一二維或一三維影像。在一形態中，該動態模型產生器模組80包括：一參考虛擬模型資料庫90、一映射模組100及一使用者介面模組110。
在一形態中，該參考虛擬模型資料庫90包括複數參考虛擬模型，其中各參考虛擬模型係在該半導體處理系統10中之各組件及其位置的一數位表示。舉例而言，一第一參考虛擬模型對應表示該氣體供應管線20之大小及位置的一數位表示，且一第二參考虛擬模型對應表示該排氣管線24之大小及位置的一數位表示。此外，其他參考虛擬模型可對應該等加熱器25、該等熱感測器26、該處理腔室12及/或該半導體處理系統10之任何其他組件的大小及/或位置。
在一形態中，該映射模組100識別該經識別參考虛擬模型中與一或多個操作資料相關的一或多個位置。舉例而言，該映射模組100依據唯一地識別該等熱感測器26及/或對應加熱器25之該熱系統資料的識別資訊來識別該等熱感測器26及/或該等對應加熱器25的位置。在一形態中，該映射模組100依據該參考虛擬模型、該一或多個識別位置及/或該決定之性能特性來產生該動態模型。在一形態中，該動態模型係表示該流體流動管線及由該分析模組60決定之性能特性(例如，該熱輪廓表示)的一二維影像。
在一形態中，該使用者介面模組110提供該動態模型至該使用者介面裝置130作為該使用者介面命令，用於顯示及供一使用者觀看。在某些形態中，該使用者介面模組110亦可提供該操作資料、該統計分析及/或該動態回應至該使用者介面裝置130用於顯示及供一使用者觀看。
在一應用例中，該動態回應模組70提供該操作資料、該性能特性(例如，該統計分析)及該等調整建議至該映射模組100。藉此，該映射模組100依據該參考虛擬模型、與該操作資料相關之一或多個識別位置及該決定之性能特性來產生該動態模型。此外，該映射模組100依據由該動態回應模組70產生之調整建議來產生該動態回應報告及用於控制該熱系統14之使用者介面元件。接著，該使用者介面模組110將該使用者介面命令傳送至該使用者介面裝置130以顯示該動態模型、該動態回應報告及該等使用者介面元件。該等使用者介面元
件可讓一使用者透過該熱系統命令調整該熱系統14之參數，例如調整提供至熱系統16之電力及其中一加熱器25之溫度。在某些形態中，該等使用者介面元件可讓一使用者過濾該動態回應報告以便只觀看所需的該半導體處理系統10之操作資料。
請參閱圖3，顯示由該使用者介面模組110產生且由該使用者介面裝置130顯示之一介面300例。該介面300包括動態模型302，該動態模型302係該半導體處理系統10之一流體流動管線的一二維虛擬影像。在某些形態中，該動態模型302包括重疊狀態區域304，該重疊狀態區域304選擇地輸出顯示各流體流動管線正在一預期操作狀態(例如，正常操作狀態)或一非預期操作狀態(例如，不正常操作狀態)操作的一預定顏色或其他區別圖形。例如，重疊狀態區域304可顯示正常操作為綠色、不正常操作為紅色及當該操作狀態在一預定臨界值內時為黃色。在某些形態中，該介面300包括一警示條元件306，該警示條元件306顯示與該非預期/未達最佳之操作狀態相關的一種警示及/或時間。
在某些形態中，該介面300包括選單過濾元件310、312、314、316、318、320、322、324，當被該使用者選擇時，該等選單過濾元件使該使用者介面裝置130顯示有關該選擇之過濾元件的相關資訊。舉例而言，選擇過濾元件310可使該使用者介面裝置130顯示圖4所示之使用者介面400，該使用者介面400包括動態模型402及狀態區域404、406，該等狀態區域404、406選擇地輸出顯示在一預定位置之各流體流動管線正在一預期操作狀態或一非預期操作狀態操作的一預定顏色或其他區別圖形。此外，該使用者介面400可包括一趨勢圖408，該趨勢圖408顯示操作資料隨時間變化之一趨勢。
在另一例子中，選擇過濾元件324可使該使用者介面裝置130顯示圖5所示之使用者介面500，該使用者介面500包括一選單502，該選單502顯示用於各流體流動管線之各加熱器區域的加熱器區域資訊(例如，一溫度、一瓦特數、
一電壓、一壓力及一電阻等)。雖然顯示特定介面，但該等使用者介面可以各種方式構成以提供虛擬影像、該流體流動管線之一狀態及其他資訊。
請參閱圖6，顯示用於監測該半導體處理系統10且由該監測系統30實行之一程序600。在步驟604，該監測系統30由該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得複數操作資料。在步驟608，該監測系統30依據該操作資料決定該流體流動管線之一性能特性。在步驟612，該監測系統30識別一參考虛擬模型中與該操作資料相關的一或多個位置，且該參考虛擬模型與該等流體流動管線相關。在步驟616，該監測系統30依據該參考虛擬模型、該一或多個識別位置及該決定之性能特性產生該等流體流動管線之一動態模型。
在此所述之監測系統30可讓人在不同處理氣體流經該等流體流動管線時看到該半導體處理系統10之變化及它們對上述變數之影響。供應至該等管線之能量可視覺化到其各控制區域且該半導體處理系統10可達成效率最佳化。此外，導致堵塞的該氣體供應管線20或該排氣管線24上之冷點可被識別及定位以便進行系統維護。藉由映射堵塞預測位置，維護團隊可判明該等管線需要移除及更換之位置。舉例而言，熱資料可由該等流體管線感測器27收集。該動態模型產生器模組80編輯及格式化該熱資料成為一虛擬影像，該虛擬影像可依據溫度用不同顏色顯示該熱資料。因此，一操作者可依據該等顏色決定該溫度是否在該流體流動管線上均一及/或冷點之位置。
此外，在此所述之監測系統30依據測量之資料及其統計分析實行一虛擬映射以產生對該操作者提供關注資料之一目視表示的一虛擬影像。因此，該操作者可在堵塞發生前識別冷點及一可能堵塞之位置。此外，該監測系統30可用於增進該氣體源18之操作或驗證該氣體源18之操作。藉由使用在此所述之監測系統30，收集及分析之資料的可視化可用於減少熱損失及改善效率。
除非在此明白地表示，表示機械/熱性質、成分百分比、尺寸及/或
公差或其他特性之全部數值應理解為在說明本揭示之範圍時被該用語「大約」或「大致」修飾。基於包括工業實務；材料、製造及組裝公差；及測試能力之各種原因，這修飾是必要的。
在此使用之用語「A、B與C中之至少一者」應解讀為使用一非專屬邏輯「或」表示一邏輯(A或B或C)，且不應解讀為表示「至少一A、至少一B及至少一C」。
本揭示之說明在本質上只是示範且因此不偏離本揭示之本質的變化例應在本揭示之範圍內。該等變化例不應被視為偏離本揭示之精神與範圍。
在圖中，由箭號所示之一箭號的方向大致顯示欲說明之資訊(例如資料或指令)之流動。例如，當元件A及元件B交換各種資訊，但由元件A傳送至元件B之資訊與該說明相關時，該箭號可由元件A指向元件B。這單向箭號並非暗示沒有其他資訊由元件B傳送至元件A。此外，對由元件A發送至元件B之資訊而言，元件B可發送對該資訊之要求或該資訊之接收確認至元件A。
在這申請案中，該用語「控制器」可表示以下者、成為以下者之一部份或包括以下者：一特殊應用積體電路(ASIC)；一數位、類比或混合類比/數位離散電路；一數位、類比或混合類比/數位積體電路；一組合邏輯電路；一現場可規劃閘陣列(FPGA)；執行編碼之一處理器電路(共用、專用或分組)；儲存由該處理器執行之編碼的一記憶體電路(共用、專用或分組)；提供所述功能之其他適當硬體組件，例如但不限於：例如在一系統單晶片中之移動驅動器及系統、收發器、路由器及輸入/輸出介面硬體等；或某些或全部上述者之組合。
該用語「記憶體」係該用語「電腦可讀取媒體」之一子設備。在此使用之用語「電腦可讀取媒體」不包含透過一媒介(例如在一載波上)傳播之暫時電或電磁信號；該用語「電腦可讀取媒體」可因此被視為有形的而非暫時的。一非暫時、有形之電腦可讀取媒體的非限制例係：非依電性記憶體電路(例如一
快閃記憶體電路、一可抹除程式化唯讀記憶體或一遮罩唯讀電路)；依電性記憶體電路(例如一靜態隨機存取記憶體電路或一動態隨機存取記憶體電路)；磁性儲存媒體(例如一類比或數位磁帶或一硬式磁碟機)；及光學儲存媒體(例如一CD、一DVD或藍光光碟)。
在這申請案中所述之設備及方法可由一專用電腦部份地或全部地實施，該專用電腦係藉由組配一般電腦以執行在電腦程式中實行之一或多個特定功能來產生。上述功能塊、流程圖組件及其他組件作為軟體規格，該等軟體規格可藉由一熟練技術員或程式設計師之例行工作轉換成該等電腦程式。
600:程序
604,608,612,616:步驟
Claims (28)
- 一種用於監測半導體處理系統之方法，該半導體處理系統包括一氣體輸送系統、一熱系統及一流體流動管線，該方法包含以下步驟：從該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得數個操作資料；依據該等數個操作資料中之一或多個操作資料決定該流體流動管線之一性能特性；識別在一參考虛擬模型中與該一或多個操作資料相關聯之一或多個位置；及依據該參考虛擬模型、所識別之該一或多個位置及決定之該性能特性產生該流體流動管線之一動態狀態模型，其中該動態狀態模型係該流體流動管線之一數位表示型態，以及其中該數位表示型態係該流體流動管線之一二維影像及該流體流動管線之一三維影像中的一種。
- 如請求項1之方法，更包含以下步驟：從儲存在一資料庫中之數個參考虛擬模型識別出該流體流動管線之該參考虛擬模型。
- 如請求項1之方法，其中該等數個操作資料包括：一加熱器之溫度資料、該流體流動管線之溫度資料、該加熱器之電氣特性資料、一泵之泵資料或其組合。
- 如請求項3之方法，其中該電氣特性資料包括：該加熱器之一電壓、該加熱器之一電流或其組合。
- 如請求項3之方法，其中該性能特性包括取決於該加熱器之該溫度資料之一流體流動溫度值、該溫度資料或其組合。
- 如請求項1之方法，其中該性能特性係依據該操作資料之一統計分析決定。
- 如請求項6之方法，其中該統計分析係相對一預定設定點之一偏差、該操作資料隨時間變化之一統計表示型態或其組合。
- 如請求項6之方法，其中該統計分析係該熱系統之一加熱器區域的一統計表示型態，其中該加熱器區域包括該熱系統之數個加熱器中的一或多個加熱器。
- 如請求項1之方法，其中該參考虛擬模型係該氣體輸送系統、該熱系統、該流體流動管線或其組合之一數位表示型態。
- 如請求項1之方法，其中該參考虛擬模型提供設置在該流體流動管線之該熱系統之一或多個加熱器、設置在該流體流動管線之一或多個感測器或其組合的一位置。
- 如請求項10之方法，其中該一或多個加熱器及該一或多個感測器之該位置係依據該一或多個加熱器之識別資訊來提供。
- 如請求項1之方法，其中該動態狀態模型係該流體流動管線之一熱輪廓表示型態。
- 如請求項1之方法，更包含以下步驟：使用一顯示裝置顯示該動態狀態模型及一或多個過濾使用者介面元件，該一或多個過濾使用者介面元件使該顯示裝置依據一使用者輸入選擇地顯示一組性能特性。
- 如請求項1之方法，更包含以下步驟：依據該半導體處理系統之一或多個前驅物產生用於該熱系統之一或多個加熱器的一操作建議。
- 一種用於監測半導體處理系統之系統，該半導體處理系統包括一氣體輸送系統、一熱系統及一流體流動管線，該系統包含：一處理器；及一非暫時性電腦可讀媒體，其包括可由該處理器執行之指令，其中該等指 令包括：從該氣體輸送系統、該熱系統或其組合取得數個操作資料；依據該等數個操作資料中之一或多個操作資料決定該流體流動管線之一性能特性；識別在一參考虛擬模型中與該一或多個操作資料相關聯之一或多個位置；及依據該參考虛擬模型、所識別之該一或多個位置及決定之該性能特性產生該流體流動管線之一動態狀態模型，其中該動態狀態模型係該流體流動管線之一數位表示型態，以及其中該數位表示型態係該流體流動管線之一二維影像及該流體流動管線之一三維影像中的一種。
- 如請求項15之系統，其中該等指令更包括從儲存在一資料庫中之數個參考虛擬模型識別出該流體流動管線之該參考虛擬模型。
- 如請求項15之系統，其中該等數個操作資料包括：一加熱器之溫度資料、該流體流動管線之溫度資料、該加熱器之電氣特性資料、一泵之泵資料或其組合。
- 如請求項17之系統，其中該電氣特性資料包括：該加熱器之一電壓、該加熱器之一電流或其組合。
- 如請求項17之系統，其中該性能特性包括取決於該加熱器之該溫度資料之一流體流動溫度值、該溫度資料或其組合。
- 如請求項15之系統，其中該性能特性係依據該操作資料之一統計分析決定。
- 如請求項20之系統，其中該統計分析係相對一預定設定點之一偏差、該操作資料隨時間變化之一統計表示型態或其組合。
- 如請求項20之系統，其中該統計分析係該熱系統之一加熱器區域的一統計表示型態，其中該加熱器區域包括該熱系統之數個加熱器中的一或多個加熱器。
- 如請求項15之系統，其中該參考虛擬模型係該氣體輸送系統、該熱系統、該流體流動管線或其組合之一數位表示型態。
- 如請求項15之系統，其中該參考虛擬模型提供設置在該流體流動管線之該熱系統之一或多個加熱器、設置在該流體流動管線之一或多個感測器或其組合的一位置。
- 如請求項24之系統，其中該一或多個加熱器及該一或多個感測器之該位置係依據該一或多個加熱器之識別資訊來提供。
- 如請求項15之系統，其中該動態狀態模型係該流體流動管線之一熱輪廓表示型態。
- 如請求項15之系統，其中該等指令更包括：使用一顯示裝置顯示該動態狀態模型及一或多個過濾使用者介面元件，該一或多個過濾使用者介面元件使該顯示裝置依據一使用者輸入選擇地顯示一組性能特性。
- 如請求項15之系統，其中該等指令更包括：依據該半導體處理系統之一或多個前驅物產生用於該熱系統之一或多個加熱器的一操作建議。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962930272P | 2019-11-04 | 2019-11-04 | |
| US62/930,272 | 2019-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202125133A TW202125133A (zh) | 2021-07-01 |
| TWI767398B true TWI767398B (zh) | 2022-06-11 |
Family
ID=73598216
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111117798A TW202242575A (zh) | 2019-11-04 | 2020-11-04 | 用於監測半導體處理系統之系統及方法 |
| TW109138466A TWI767398B (zh) | 2019-11-04 | 2020-11-04 | 用於監測半導體處理系統之系統及方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111117798A TW202242575A (zh) | 2019-11-04 | 2020-11-04 | 用於監測半導體處理系統之系統及方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210134630A1 (zh) |
| EP (1) | EP4055541A1 (zh) |
| JP (1) | JP2022554369A (zh) |
| KR (1) | KR20220097954A (zh) |
| CN (1) | CN114787839A (zh) |
| IL (1) | IL292738A (zh) |
| MX (1) | MX2022005351A (zh) |
| TW (2) | TW202242575A (zh) |
| WO (1) | WO2021092037A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20230161935A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method of generating a digital twin of the environment of industrial processes |
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2020
- 2020-11-04 WO PCT/US2020/058918 patent/WO2021092037A1/en unknown
- 2020-11-04 CN CN202080085000.XA patent/CN114787839A/zh active Pending
- 2020-11-04 KR KR1020227018985A patent/KR20220097954A/ko unknown
- 2020-11-04 US US17/089,447 patent/US20210134630A1/en active Pending
- 2020-11-04 TW TW111117798A patent/TW202242575A/zh unknown
- 2020-11-04 TW TW109138466A patent/TWI767398B/zh active
- 2020-11-04 MX MX2022005351A patent/MX2022005351A/es unknown
- 2020-11-04 EP EP20812499.0A patent/EP4055541A1/en active Pending
- 2020-11-04 JP JP2022526236A patent/JP2022554369A/ja active Pending
-
2022
- 2022-05-03 IL IL292738A patent/IL292738A/en unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022554369A (ja) | 2022-12-28 |
| TW202125133A (zh) | 2021-07-01 |
| MX2022005351A (es) | 2022-08-15 |
| KR20220097954A (ko) | 2022-07-08 |
| US20210134630A1 (en) | 2021-05-06 |
| WO2021092037A1 (en) | 2021-05-14 |
| TW202242575A (zh) | 2022-11-01 |
| IL292738A (en) | 2022-07-01 |
| EP4055541A1 (en) | 2022-09-14 |
| CN114787839A (zh) | 2022-07-22 |
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