TWI750811B - 用於記憶體的資料保護寫入方法、用於記憶體的資料保護讀取方法以及記憶體資料保護系統 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種記憶體資料保護系統、用於記憶體的資料保護寫入方法以及用於記憶體的資料保護讀取方法。該系統包括：一快閃記憶體、一控制器以及一修正錯誤單元。該快閃記憶體包括：一主要快閃記憶體區塊與一鏡像快閃記憶體區塊。該主要快閃記憶體區塊包括一主要次區塊，一初始資訊是寫入於該主要次區塊。該鏡像快閃記憶體區塊包括一鏡像次區塊，該初始資訊是寫入於該鏡像次區塊。該控制器經配置以管理儲存在一主機裝置內而被分配至該快閃記憶體內的資料。該修正錯誤單元供檢查該主機裝置從該快閃記憶體所讀取以及寫入該快閃記憶體的資訊是否正確。該用於記憶體的資料保護寫入方法包括：於步驟A中，將一初始資訊分別寫入至該主要快閃記憶體區塊之主要次區塊與該鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊。於步驟B中，讀取該主要次區塊而獲得一第一資訊，檢查該第一資訊是否正確，若該第一資訊正確，則執行以下步驟U；若該第一資訊不正確，執行以下步驟W1與W2。該用於記憶體的資料保護讀取方法包括：確認一欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態；若為複寫狀態，則執行步驟Y1、Y2與Y3；若該欲讀取區塊的屬性為非複寫狀態，則執行步驟Z1與Z2。

Description

用於記憶體的資料保護寫入方法、用於記憶體的資料保護讀取方法以及記 憶體資料保護系統

本發明關於一種用於記憶體的資料保護寫入方法、用於記憶體的資料保護讀取方法以及記憶體裝置，尤指一種用於2D、3D快閃記憶體的資料寫入或讀取時的資料保護方法以及記憶體裝置。

新型態的3D反及閘快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)於近年大幅發展，各大硬體廠商開始使用此種3D反及閘快閃記憶體以及發展針對此種3D反及閘快閃記憶體的軟體技術。反及閘快閃記憶體讀取速度比NOR型快閃記憶體(NOR Flash memory)較為慢，但寫入速度及刪除速度則較NOR型快閃記憶體為快。反及閘快閃記憶體無法讀取至特定的字節，而是以塊(Page)的方式讀取或寫入資訊。再，3D反及閘快閃記憶體的存儲單元是立體的，且存儲單元的層數也大幅增加。因此，由於其3D架構上的關係，有一定的機率會在寫入資料(Page programming)時，當其中某一組區塊結構毀損時，會連帶影響到其三維範圍的正常區塊，造成整個區塊資料的大規模毀損甚至破壞，因而造成大量的資料遺失。再，這種大量的資料遺失，是無法以糾錯碼的方法，來達成資料保護的，因此，一旦某一 組區塊結構毀損將會導致大量資料遺失之嚴重後果。

習知技術中雖有發展出Read Verify或RAID的方式，來達到區塊資料的保護。例如，使用對於潛在受損塊的塊讀取的檢查(Page Read Verify for the potential affected pages)、使用硬體的Group RAID功能(例如：RAID5或RAID6)。然而，使用對於潛在受損塊的塊讀取的檢查會影響寫入速度、針對WL-SL(Word Line-Source Line)short的情況不切實際；而使用硬體Group RAID功能需要額外的硬體電路及需要大量額外的記憶體，硬體成本過高。換言之，這兩種方法都有其花費過長時間及增加硬體成本的缺點。針對未來記憶體製程微小化及3D的垂直層數的往上不斷增加的趨勢，對於快閃記憶體區塊的資料保護，將會越來越重要。再，對於2D記憶體而言，也有因為某一組區塊結構毀損導致此區塊的資訊無法回復的問題，此一技術問題也有待解決。

因此，為了克服前述技術問題，遂有本發明的產生。

本發明的目的在於提供一種用於記憶體的資料保護寫入方法、用於記憶體的資料保護讀取方法以及記憶體裝置，藉以解決由於3D反及閘快閃記憶體3D架構在寫入資料時結構毀損會連帶影響到其三維範圍的正常區塊而造成整個區塊資料的毀損的技術問題以及2D記憶體因為某區塊結構毀損導致此區塊的資訊無法回復的技術問題。本發明將快閃記憶體區塊的屬性分成複寫區及資料儲存區。複寫區裡的區塊分成主要快閃記憶體區塊及鏡像快閃記憶體區塊。在資料寫入程序中，先將資料寫入到複寫區的主要快閃記憶體區塊及鏡像快閃記憶體區塊後，經過資料檢查，將複寫 區的資料搬移至資料儲存區。經由本發明資料保護的機制，而能達到保護快閃記憶體區塊內所儲存的資料，當主要區塊的特定資料毀損時，還可以從鏡像區塊讀取備份的同樣特定資料，使得整個寫入、讀取過程免於受到因為局部資料寫入過程中的因素，而造成整個區塊資料的全部遺失或毀損。

為達成前述目的，本發明提供一種用於記憶體的資料保護寫入方法，其包括以下步驟。於步驟A中，將一初始資訊寫入至一主要快閃記憶體區塊之主要次區塊；且將該初始資訊寫入一鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊。於步驟B中，讀取該主要次區塊而獲得一第一資訊，檢查該第一資訊是否正確，若該第一資訊正確，則執行以下步驟U；若該第一資訊不正確，執行以下步驟W1與W2。U步驟如下：於步驟U中，將該主要次區塊的屬性變更為資料儲存狀態。W1、W2步驟如下。於步驟W1中，讀取該鏡像次區塊而獲得一第二資訊。於步驟W2中，檢查該第二資訊是否正確，若該第二資訊正確，則將該鏡像次區塊的屬性變更為資料儲存狀態。

實施時，在步驟B中，若該第一資訊不正確，則將該主要次區塊進行錯誤處理；其中該步驟W2中，若該第二資訊不正確，則將該鏡像次區塊進行錯誤處理。

實施時，於該步驟A之前更包括：於步驟X1中，將該初始資訊存入一緩衝記憶體。於該步驟A更包括：將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入至該主要次區塊；且將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入該鏡像次區塊。

實施時，於該步驟B中，是以一修正錯誤單元檢查該第一資訊是否正確；其中於該步驟W1中，是以該修正錯誤單元檢查該第二資訊是否正確。

實施時，前述方法之該記憶體為3D反及閘快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)

本發明另提供一種用於記憶體的資料保護讀取方法，其包括：確認一欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態；若為複寫狀態，則執行步驟Y1、Y2與Y3；若該欲讀取區塊的屬性為非複寫狀態，則執行步驟Z1與Z2。Y1、Y2、Y3步驟如下：於步驟Y1中，讀取一主要快閃記憶體區塊之主要次區塊而獲得一第三資訊。於步驟Y2中，檢查該第三資訊是否正確，若該第三資訊正確，則完成對該主要次區塊的資料讀取，若該第三資訊不正確，則讀取一鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊而獲得一第四資訊。於步驟Y3中，檢查該第四資訊是否正確，若該第四資訊正確，則完成對該鏡像次區塊的資料讀取。Z1、Z2步驟如下：於步驟Z1中，讀取一資料儲存快閃記憶體區塊之儲存次區塊而獲得一第五資訊。於步驟Z2中，檢查該第五資訊是否正確，若該第五資訊正確，則完成對該儲存次區塊的資料讀取。

實施時，於該步驟Y2中，是以該修正錯誤單元檢查該第三資訊是否正確；其中於該步驟Y3中，是以該修正錯誤單元檢查該第四資訊是否正確；其中於該步驟Z2中，是以該修正錯誤單元檢查該第五資訊是否正確。

實施時，前述方法之該快閃記憶體為3D反及閘快閃記憶體。

本發明另提供一種記憶體資料保護系統，其包括：快閃記憶體、控制器以及修正錯誤單元。快閃記憶體包括：主要快閃記憶體區塊與鏡像快閃記憶體區塊。該主要快閃記憶體區塊包括主要次區塊，初始資訊是寫入於該主要次區塊。該鏡像快閃記憶體區塊包括鏡像次區塊，該初始 資訊是寫入於該鏡像次區塊。該控制器經配置以管理儲存在一主機裝置內而被分配至該快閃記憶體內的資料且接收來自該主機裝置之一指令之一屬性；該指令之屬性供決定該快閃記憶體內的各區塊之屬性。該修正錯誤單元供檢查該主機裝置從該快閃記憶體所讀取以及寫入該快閃記憶體的資訊是否正確。

實施時，前述系統包括資料儲存快閃記憶體區塊，資料儲存快閃記憶體區塊包括儲存次區塊，儲存資訊是寫入於該儲存次區塊；其中該快閃記憶體為3D反及閘快閃記憶體。

為進一步瞭解本發明，以下舉較佳之實施例，配合圖式、圖號，將本發明之具體構成內容及其所達成的功效詳細說明如下。

1:快閃記憶體

2:控制器

3:修正錯誤單元

11:主要快閃記憶體區塊

12:鏡像快閃記憶體區塊

A、B、U、W1、W2、X1、Y1、Y2、Y3、Z1、Z2:步驟

第1圖為本發明之記憶體資料保護系統之實施例之示意圖。

第2圖為本發明之用於記憶體的資料保護寫入方法之實施例的流程圖。

第3圖為本發明之用於記憶體的資料保護寫入方法之另一實施例的流程圖。

第4圖為本發明之用於記憶體的資料保護讀取方法之實施例的流程圖。

請參考本發明第1圖，本發明提供一種記憶體資料保護系統，該系統包括：快閃記憶體1、控制器2以及修正錯誤單元3。該快閃記憶 體1包括：主要快閃記憶體區塊11與鏡像快閃記憶體區塊12，該主要快閃記憶體區塊11包括一主要次區塊，初始資訊是寫入於該主要次區塊。該鏡像快閃記憶體區塊12包括鏡像次區塊，該初始資訊是寫入於該鏡像次區塊。該控制器2其經配置以管理儲存在主機裝置(未圖示出)內而被分配至該快閃記憶體內的資料且接收來自該主機裝置之指令之屬性，該指令之屬性供決定該快閃記憶體內的各區塊之屬性。該修正錯誤單元3供檢查該主機裝置從該快閃記憶體所讀取以及寫入該快閃記憶體的資訊是否正確。在另一實施例中，本發明之記憶體資料保護系統更包括資料儲存快閃記憶體區塊(未圖示)，該資料儲存快閃記憶體區塊包括儲存次區塊，儲存資訊是寫入於該儲存次區塊。

請參考本發明第2圖，本發明另提供一種用於記憶體的資料保護寫入方法，其包括以下步驟A、B：

步驟A：將初始資訊寫入至主要快閃記憶體區塊之主要次區塊；且將該初始資訊寫入鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊。

步驟B：讀取該主要次區塊而獲得第一資訊，檢查該第一資訊是否正確，若該第一資訊正確，則執行以下步驟U；若該第一資訊不正確，執行以下步驟W1與W2。

U步驟如下：將該主要次區塊的屬性變更為資料儲存狀態。

W1、W2步驟如下：

步驟W1：讀取該鏡像次區塊而獲得第二資訊。

步驟W2：檢查該第二資訊是否正確，若該第二資訊正確，則將該鏡像次區塊的屬性變更為資料儲存狀態。

請參考本發明第4圖，本發明另提供一種用於記憶體的資料保護讀取方法，其包括：

確認欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態；若為複寫狀態，則執行步驟Y1、Y2與Y3；若該欲讀取區塊的屬性為非複寫狀態，則執行步驟Z1與Z2。

Y1、Y2、Y3步驟如下：

Y1：讀取主要快閃記憶體區塊之主要次區塊而獲得第三資訊；

Y2：檢查該第三資訊是否正確，若該第三資訊正確，則完成對該主要次區塊的資料讀取，若該第三資訊不正確，則讀取鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊而獲得第四資訊；以及

Y3：檢查該第四資訊是否正確，若該第四資訊正確，則完成對該鏡像次區塊的資料讀取。

Z1、Z2步驟如下，包括：

Z1：讀取一資料儲存快閃記憶體區塊之儲存次區塊而獲得一第五資訊；

Z2：檢查該第五資訊是否正確，若該第五資訊正確，則完成對該儲存次區塊的資料讀取。

以下詳述本發明之方法與系統。本發明於快閃記憶體區塊1的屬性包括：複寫區及資料儲存區，複寫區裡的區塊包括：主要快閃記憶體區塊及鏡像快閃記憶體區塊。請參考第2圖，於步驟A中，將初始資訊寫入至主要快閃記憶體區塊之主要次區塊；且將該初始資訊寫入鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊。初始資訊為欲寫入快閃記憶體的資訊，該初始資訊可以為一區塊(block)到一頁(page)的長度皆可。而主要次區塊為該主要快閃記憶體區塊11中的一任一特定區塊；鏡像次區塊則為該鏡像快閃 記憶體區塊12中的一任一特定區塊。換言之，在記憶體資料寫入程序中，先將初始資訊寫入到該主要快閃記憶體區塊11及該鏡像快閃記憶體區塊12之主要次區塊以及鏡像次區塊，內容相同的初始資訊被分別寫入在不同的區塊。當然，在另一實施例中，本發明之初始資訊也可以被分割為複數個次單元，分別寫入到該主要快閃記憶體區塊11及該鏡像快閃記憶體區塊12之複數個主要次區塊以及複數個鏡像次區塊，藉以增加本發明之方法與系統之整體安全性。

再，於步驟B中，讀取於前述步驟中將該初始資訊寫入的特定主要次區塊而獲得第一資訊，將該第一資訊以該修正錯誤單元3檢查而確認其內容是否正確，若該第一資訊與該初始資訊相符，則執行以下步驟U。若該第一資訊經修正錯誤單元3的結果為不正確，執行以下步驟W1與W2。意即，本發明將複寫區的資料屬性更改為儲存屬性時，會先確認區塊中的資訊是否正確。本發明之修正錯誤單元3為修正錯誤記憶體、修正錯誤電路等硬體裝置或單元，皆在本發明之範圍內。該修正錯誤單元3於檢查完成後會顯示修正錯誤代碼，讓使用者能夠根據此修正錯誤代碼找出資料不正確的原因。

再，若該第一資訊正確，則該控制器2接收來自該主機裝置之指令之屬性，而將該主要次區塊的屬性變更為資料儲存狀態(即，儲存資訊)，而儲存在該資料儲存快閃記憶體區塊之儲存次區塊。對於此段主要次區塊的寫入完成。變更為資料儲存狀態的區塊將不會再被覆寫或抹除，而被等候在讀取步驟時依照主機的指示後續而被讀取。

再，若該第一資訊不正確，代表該主要次區塊所存的資訊可 能有損毀、存錯等情況，則執行以下步驟W1與W2。於該步驟W1中，讀取該鏡像次區塊而獲得一第二資訊。接著，於該步驟W2中，以該修正錯誤單元3檢查該第二資訊是否正確，根據顯示修正錯誤代碼評估該第二資訊正確與否。若該第二資訊正確，則將該鏡像次區塊的屬性變更為資料儲存狀態，變更為資料儲存狀態的區塊將不會再被覆寫或抹除，同樣的，在後續讀取步驟時依照主機的指示後續而被讀取。

再，於本發明前述步驟中，其中在步驟B中，若該第一資訊以該修正錯誤單元3檢查的結果為不正確，則將該主要次區塊進行錯誤處理，此將該主要次區塊進行錯誤處理可以在步驟B以及步驟B之後的任一步驟中如步驟U、W1、W2中進行；在另一實施例中，此將該主要次區塊進行錯誤處理可以在步驟B、U、W1、W2中任兩步驟間進行，均在本發明的範圍。於該步驟W2中，若該第二資訊不正確，則將該鏡像次區塊進行錯誤處理。通常，記憶體錯誤是來自於硬體內部之電力或磁力干擾，導致至記憶體內的位元出現錯誤。本發明之該修正錯誤單元3使用位元儲存至少一組糾錯冗餘代碼(ECC Redundant Parity)，在寫入資料到記憶體時一併儲存此糾錯冗餘代碼。當資訊於前述本發明的寫入方法中被讀取時，該修正錯誤單元3於檢查過程中將藉由特定的演算法即時檢查已儲存的修正錯誤代碼，若讀到的代碼與儲存的代碼不一致，該修正錯誤單元3將藉由同位位元解碼來找出錯誤發生的位元在何處，之後即時修正發生錯誤的位元。錯誤處理中的錯誤可分為外在雜訊干擾的軟性錯誤(soft error)或記憶體硬體故障所導致的硬性錯誤(hard error)等。軟性錯誤是經由該修正錯誤單元3內建的錯誤更正碼所對應的處理模組自動更正錯誤，而硬性錯誤則需由該控制器2根據 不同的條件下達不同的指令加以分別處理。

請參考第3圖，於該步驟A之前更包括步驟X1。於該步驟X1中，將該初始資訊先存入一緩衝記憶體(未圖示)，藉由將該初始資訊先存入該緩衝記憶體，藉此讓前述本發明用於記憶體的資料保護寫入方法有較佳的寫入速度。再，於該步驟A中，更包括：將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入至該主要次區塊；且將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入該鏡像次區塊。

再，請參考第4圖，本發明用於記憶體的資料保護讀取方法，包括以下步驟。首先，確認欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態。若該欲讀取區塊的屬性為複寫狀態，則執行以下步驟Y1、Y2與Y3；若該欲讀取區塊的屬性為非複寫狀態，則執行步驟Z1與Z2。Y1、Y2、Y3步驟詳述如下。於Y1步驟中，讀取主要快閃記憶體區塊之主要次區塊而獲得第三資訊。再，於步驟Y2中，以該修正錯誤單元3檢查該第三資訊是否正確，例如，將該第三資訊與該初始資訊相比為正確，則完成對該主要次區塊的資料讀取。若該第三資訊不正確，則讀取鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊而獲得第四資訊。接著，於步驟Y3中，同樣的，以該修正錯誤單元3檢查該第四資訊是否正確，若該第四資訊正確，則完成對該鏡像次區塊的資料讀取；若該第四資訊不正確，則將該主要次區塊、鏡像次區塊進行錯誤處理。同樣的，於本發明的讀取方法中，對該主要次區塊的錯誤處理可以在步驟Y1以及步驟Y1之後的任一步驟中如步驟Y2、Y3中進行；在另一實施例中，此將該主要次區塊進行錯誤處理可以在步驟Y1、Y2、Y3中任兩步驟間進行，均在本發明的範圍。再，Z1、Z2步驟詳述如下。於步驟Z1中，讀取一資料儲存快閃記憶體區塊之儲存次區塊而獲得第五資訊。接著，於步驟Z2中，以該修 正錯誤單元3檢查該第五資訊是否正確，若該第五資訊正確，則完成對該儲存次區塊的資料讀取；若該第五資訊不正確，則將該儲存次區塊進行前述錯誤處理。

再，本發明的用於記憶體的資料保護讀取方法確認欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態的原因在於，所欲讀取的區塊，例如為單階儲存單元(Single-Level Cell)或三階儲存單元(Triple-Level Cell)，若部份單元已使用、部份未使用的狀態時，直接跳過此區塊將會造成一部分的區塊並未完全被使用而造成資訊位元的浪費，因此，需要先確認欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態，再進行前述後續的步驟，讓本發明之方法與系統的區塊使用最佳化。

本發明的方法與系統所適用之記憶體為3D反及閘快閃記憶體，藉以解決前述所提解決由於3D反及閘快閃記憶體3D架構在寫入資料時結構毀損會連帶影響到其三維範圍的正常區塊而造成整個區塊資料的毀損的技術問題。當然，本發明之方法與系統也不限於3D反及閘快閃記憶體，一般的2D記憶體如快閃記憶卡及其相關設備與裝置也適用於本發明的方法與系統。例如：SD卡、微SD卡、CF卡(CompactFlash)、CFast卡、CF Express卡等；固態硬碟機(SSD)：各種介面(PATA、SATA、PCIe)及各種外型尺寸(Form-Factor)(2.5；MO297、MO300、M.2 2230/2242/2280/22110、U.2等；嵌入式快閃記憶存儲裝置：eMMC、eSD、UFS等，均在本發明的方法與系統之適用範圍內。

因此，本發明具有以下之優點：

1.本發明藉由將複寫區裡的區塊分成主要區塊及鏡像區塊，在資料 寫入程序中，先將資料寫入到複寫區的主要快閃記憶體區塊及鏡像快閃記憶體區塊後，經過修正錯誤單元資料檢查，確認複寫區的資料正確無誤後，再將複寫區的資料搬移至資料儲存區，藉以確保寫入記憶體的資訊內容是正確的，即使在後續記憶體讀取程序之檢查過程發現資訊的內容有誤，也能即時讀取鏡像區塊的資料。

2.經由本發明資料保護的機制，而能達到保護快閃記憶體區塊內所儲存的資料，當主要區塊的特定資料毀損時，還可以從鏡像區塊讀取備份的同樣特定資料，使得整個寫入、讀取過程免於受到因為局部資料寫入過程中的因素，因著3D反及閘快閃記憶體的3D架構而造成整個區塊資料的全部遺失。

3.本發明的資料保護的方法，不需要運用到習知技術需消耗許多硬體資源的Read Verify或RAID等方式，來達到區塊資料的保護，僅需要在軟體方面運用本發明的方法，即可達成完整、安全、節省系統資源的寫入/讀取記憶體資料保護。

4.本發明在記憶體讀取的過程中，本發明的用於記憶體的資料保護讀取方法先確認欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態，藉以解決直接跳過此區塊將會造成一部分的區塊並未完全被使用而造成資訊位元的浪費的問題，讓整個區塊空間的運用達到最佳化。

以上所述乃是本發明之具體實施例及所運用之技術手段，根據本文的揭露或教導可衍生推導出許多的變更與修正，仍可視為本發明之構想所作之等效改變，其所產生之作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之實質精神，均應視為在本發明之技術範疇之內，合先陳明。

綜上所述，依上文所揭示之內容，本發明確可達到發明之預期目的，提供一種用於記憶體的資料保護寫入方法、用於記憶體的資料保護讀取方法以及記憶體資料保護系統，藉以確保寫入與讀取記憶體的資訊內容都是正確的，即使在後續記憶體讀取程序之檢查過程發現資訊的內容有誤，也能即時讀取鏡像快閃記憶體區塊的資料，極具產業上利用之價植，爰依法提出發明專利申請。

1:快閃記憶體

2:控制器

3:修正錯誤單元

11:主要快閃記憶體區塊

12:鏡像快閃記憶體區塊

Claims (10)

1. 一種用於記憶體的資料保護寫入方法，其包括以下步驟：A：將一初始資訊寫入至一主要快閃記憶體區塊之主要次區塊；且將該初始資訊寫入一鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊；B：讀取該主要次區塊而獲得一第一資訊，檢查該第一資訊是否正確，若該第一資訊正確，則執行以下步驟U；若該第一資訊不正確，執行以下步驟W1與W2；其中U步驟如下：U：將該主要次區塊的屬性變更為資料儲存狀態；其中W1、W2步驟如下：W1：讀取該鏡像次區塊而獲得一第二資訊；W2：檢查該第二資訊是否正確，若該第二資訊正確，則將該鏡像次區塊的屬性變更為資料儲存狀態。
2. 如請求項1之用於記憶體的資料保護寫入方法，其中在步驟B中，若該第一資訊不正確，則將該主要次區塊進行錯誤處理；其中該步驟W2中，若該第二資訊不正確，則將該鏡像次區塊進行錯誤處理。
3. 如請求項1之用於記憶體的資料保護寫入方法，其中於該步驟A之前更包括：X1：將該初始資訊存入一緩衝記憶體；其中於該步驟A更包括：將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入至該主要次區塊；且將該初始資訊由該緩衝記憶體寫入該鏡像次區塊。
4. 如請求項1之用於記憶體的資料保護寫入方法，其中於該步驟B中，是以一修正錯誤單元檢查該第一資訊是否正確；其中於該步驟 W1中，是以該修正錯誤單元檢查該第二資訊是否正確。
5. 如請求項1至4中任一項之用於記憶體的資料保護寫入方法，其中該記憶體為3D反及閘快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)。
6. 一種用於記憶體的資料保護讀取方法，其包括：確認一欲讀取區塊的屬性是否為複寫狀態；若為複寫狀態，則執行步驟Y1、Y2與Y3；若該欲讀取區塊的屬性為非複寫狀態，則執行步驟Z1與Z2；其中Y1、Y2、Y3步驟如下：Y1：讀取一主要快閃記憶體區塊之主要次區塊而獲得一第三資訊；Y2：檢查該第三資訊是否正確，若該第三資訊正確，則完成對該主要次區塊的資料讀取，若該第三資訊不正確，則讀取一鏡像快閃記憶體區塊之鏡像次區塊而獲得一第四資訊；以及Y3：檢查該第四資訊是否正確，若該第四資訊正確，則完成對該鏡像次區塊的資料讀取；其中Z1、Z2步驟如下：Z1：讀取一資料儲存快閃記憶體區塊之儲存次區塊而獲得一第五資訊；Z2：檢查該第五資訊是否正確，若該第五資訊正確，則完成對該儲存次區塊的資料讀取。
7. 如請求項6之用於記憶體的資料保護讀取方法，其中於該步驟Y2中，是以一修正錯誤單元檢查該第三資訊是否正確；其中於該步驟Y3中，是以該修正錯誤單元檢查該第四資訊是否正確；其中於該步驟Z2中，是以該修正錯誤單元檢查該第五資訊是否正確。
8. 如請求項6或7之用於記憶體的資料保護讀取方法，其中該快閃記憶體為3D反及閘快閃記憶體。
9. 一種記憶體資料保護系統，其包括：一快閃記憶體；其包括：一主要快閃記憶體區塊，其包括一主要次區塊，一初始資訊是寫入於該主要次區塊；以及一鏡像快閃記憶體區塊，其包括一鏡像次區塊，該初始資訊是寫入於該鏡像次區塊；一控制器，其經配置以管理儲存在一主機裝置內而被分配至該快閃記憶體內的資料且接收來自該主機裝置之一指令之一屬性；該指令之屬性供決定該快閃記憶體內的各區塊之屬性；以及一修正錯誤單元，其供檢查該主機裝置從該快閃記憶體所讀取以及寫入該快閃記憶體的資訊是否正確。
10. 如請求項9之記憶體資料保護系統，其更包括一資料儲存快閃記憶體區塊，其包括一儲存次區塊，一儲存資訊是寫入於該儲存次區塊；其中該快閃記憶體為3D反及閘快閃記憶體。

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