TWI749576B - 下電極裝置及相關等離子體系統 - Google Patents

Abstract

一種應用於等離子體系統的下電極裝置。該等離子體系統具有一下部電極、環繞該下部電極設置的一環形電極以及耦接至該下部電極的一射頻源。該下電極裝置包括一電場供應電路，該電場供應電路的一端耦接至該環形電極，該電場供應電路的另一端選擇性地耦接至該射頻源或一接地端，當電離形成該等離子體且持續維持該等離子體後，該電場供應電路用於選擇性地將該環形電極耦接至該接地端或該射頻源，來調節該工作件邊緣上方的電場分佈，進而調節工作件(如晶圓)邊緣等離子體鞘層的彎曲情況，最終有效解決工作件邊緣製程結果傾斜的問題。

Description

下電極裝置及相關等離子體系統

本發明是有關於一種裝置，詳細來說，是有關於一種下電極裝置及相關等離子體系統。

當工作件(如晶圓)在進行等離子體製程加工時，工作件(如晶圓)的製程結果主要取決於晶圓特定區域上方的等離子體成分。由於在有限尺寸上造成電學的不均勻性，通常工作件(如晶圓)邊緣上方的電場分佈不同於工作件(如晶圓)中心上方的電場分佈，因此導致工作件邊緣等離子鞘層發生彎曲，進而使得工作件(如晶圓)邊緣的製程結果發生傾斜。該傾斜的製程結果會導致工作件(如晶圓)的性能不如設計時所設想，嚴重會導致工作件(如晶圓)邊緣區域變的無法使用，增加了器件的製造成本。

本發明公開一種下電極裝置及相關等離子體系統來解決背景技術中的問題，如工作件(如晶圓)邊緣的製程結果發生傾斜的問題。

依據本發明的一實施例，揭露一種應用於等離子體系統的下電極裝置，包括一下部電極、環繞該下部電極設置的一環形電極以及耦接至該下部電極的一射頻源。該下電極裝置還包括一電場供應電路，該電場供應電路的一端耦接至該環形電極，該電場供應電路的另一端選擇性地耦接至該射頻源或一接地端，當電離形成該等離子體並持續維持該等離子體後，該電場供應電路用於選擇性地將該環形電極耦接至該接地端或該射頻源，來調節置於該下部電極上的工作件邊緣的電場分佈。

依據本發明的一實施例，揭露一種等離子體系統。該等離子體系統用於施加等離子體於工作件。該等離子體系統包括:腔室，以及置於該腔室內的下電極裝置，其中該工作件置於該下部電極上。該環形電極環繞該下部電極設置。該射頻源耦接至該下部電極，並用於提供射頻功率至該工作件，使該工作件上方具有電場吸引該等離子體；該下電極裝置包括電場供應電路，該電場供應電路的一端耦接至該環形電極，該電場供應電路的另一端選擇性地耦接至該射頻源或該接地端，當電離形成該等離子體並持續維持該等離子體後，該電場供應電路用於選擇性地將該環形電極耦接至該接地端或該射頻源，來調節該工作件邊緣的電場分佈。

通過本發明所揭露的下電極裝置以及相關等離子體系統可以調節工作件邊緣的偏置電壓，藉此有效地調節工作件(如晶圓)邊緣的電場分佈，從而可以調節工作件(如晶圓)邊緣等離子體鞘層的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行等離子體製程的離子入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣製程結果傾斜的問題。

以下揭露提供用於實施本揭露之不同構件之許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且非意欲限制。舉例而言，在以下描述中之一第一構件形成於一第二構件上方或上可包含其中該第一構件及該第二構件經形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中額外構件可形成在該第一構件與該第二構件之間，使得該第一構件及該第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本揭露可在各個實例中重複參考數字及/或字母。此重複出於簡化及清楚之目的且本身不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。

此外，為便於描述，諸如「下面」、「下方」、「下」、「上方」、「上」及類似者之空間相對術語可在本文中用於描述一個元件或構件與另一(些)元件或構件之關係，如圖中圖解說明。空間相對術語意欲涵蓋除在圖中描繪之定向以外之使用或操作中之裝置之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或按其他定向)且因此可同樣解釋本文中使用之空間相對描述詞。

儘管陳述本揭露之寬泛範疇之數值範圍及參數係近似值，然儘可能精確地報告特定實例中陳述之數值。然而，任何數值固有地含有必然由於見於各自測試量測中之標準偏差所致之某些誤差。再者，如本文中使用，術語「大約」通常意謂在一給定值或範圍之10%、5%、1%或0.5%內。替代地，術語「大約」意謂在由此項技術之一般技術者考量時處於平均值之一可接受標準誤差內。除在操作/工作實例中以外，或除非以其他方式明確指定，否則諸如針對本文中揭露之材料之數量、時間之持續時間、溫度、操作條件、數量之比率及其類似者之全部數值範圍、數量、值及百分比應被理解為在全部例項中由術語「大約」修飾。相應地，除非相反地指示，否則本揭露及隨附發明申請專利範圍中陳述之數值參數係可根據需要變化之近似值。至少，應至少鑑於所報告有效數位之數目且藉由應用普通捨入技術解釋各數值參數。範圍可在本文中表達為從一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文中揭露之全部範圍包含端點，除非另有指定。

在以等離子體對工作件(如晶圓)進行加工時，例如，以等離子體對工作件(如晶圓)進行蝕刻時，工作件(如晶圓)的製程結果主要取決於工作件(如晶圓)特定區域上方的等離子體成分。由於在有限尺寸上造成電學的不連續性，工作件(如晶圓)邊緣上方的電場分佈不同於工作件(如晶圓)中心上方的電場分佈。同時，由於從放置工作件(如晶圓)的下部電極表面到工作件(如晶圓)邊緣接地或者下部電極周圍懸浮的邊緣環的高度變化，工作件(如晶圓)邊緣將產生電壓梯度，導致等離子體鞘層在工作件(如晶圓)的邊緣發生彎曲，進而使得工作件(如晶圓)邊緣的蝕刻輪廓朝向邊緣傾斜。

本發明所揭露的下電極裝置以及相關等離子體系統可以調節置於下部電極上的工作件(如晶圓)其邊緣的偏置電壓，藉此有效地調節工作件(如晶圓)邊緣上方的電場分佈，從而調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子的入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣製程結果傾斜的問題。

圖1是依據本發明一實施例之等離子體系統1的示意圖。在本實施例中，等離子體系統1用以對工作件(如晶圓)進行加工，舉例來說，等離子體系統1可以是一種蝕刻裝置，用以對工作件(如晶圓)進行蝕刻。等離子體系統1包括腔室10、置於腔室10中的下部電極11、射頻源12、偏置電路13、下電極裝置以及電極裝置20。工作件(如晶圓)置於下部電極11之上以進行加工。射頻源12用於通過偏置電路13提供射頻功率至下部電極11，該射頻功率在下部電極產生偏置電壓。該偏置電壓在工作件(如晶圓)的上方形成電場，使得腔室10內的反應氣體電離成等離子體後，受到所述電場的引導來對工作件(如晶圓)轟擊來完成加工。偏置電路13用於匹配射頻源12後方的阻抗，使得所述射頻功率有最大的耦合效率。

電極裝置20環繞下部電極11之上的工作件(如晶圓)設置，如圖1所示，電極裝置20的上表面高於下部電極11的上表面。如此一來，當機械手臂自腔室10上的傳片口將工作件(如晶圓)傳入時，可以較為輕易的定位下部電極11的位置並置於下部電極11之上，避免機械手臂將工作件(如晶圓)放置於下部電極11之上時，無法定位下部電極11的位置而產生偏移。在本實施例中，電極裝置20是一環形電極，對應工作件(如晶圓)的形狀。關於電極裝置20的詳細結構將於後續段落說明。

下電極裝置包括電場供應電路14'，電場供應電路14'的一端耦接至電極裝置20，電場供應電路14'的另一端選擇性地耦接至射頻源12或參考電壓源15，詳細來說，電場供應電路14'是通過偏置電路13耦接於射頻源12。電場供應電路14'通過接線組LN連接至電極裝置20。接線組LN可包含一條接線或者分別連接至電極裝置20不同位置的多條接線，在圖1中描繪一條接線作為範例說明。在本實施例中，參考電壓源15是一接地端。當反應氣體電離形成等離子體並持續維持等離子體後，下電極裝置的電場供應電路14'用於選擇性地將電極裝置20耦接至接地端或射頻源12來調節電極裝置20上方的電場分佈。並且通過調節電極裝置20上方的電場分佈來調節工作件(如晶圓)邊緣上方的電場分佈，以調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子入射軌跡，最終有效解決在工作件邊緣的製程結果有傾斜狀況的問題。有關電場供應電路14'內部詳細結構及功能將於後續段落中說明。需注意的是，在本發明中，「耦接」一詞代表兩物體間接地於物理性上接觸，而「連接」一詞代表兩物體間直接地於物理性上接觸。

通過本發明所揭露的下電極裝置，詳細來說，是下電極裝置中的電場供應電路14'，在工作件(如晶圓)邊緣的製程結果也會相對垂直，避免朝工作件(如晶圓)邊緣的方向傾斜。因此，可以大幅降低工作件(如晶圓)加工失敗的可能。

本技術領域具有通常知識者應能理解等離子體系統1還包括其他必要裝置與組件以實現對工作件(如晶圓)進行加工。舉例來說，等離子體系統1包括上部射頻電源、對應所述上部射頻電源的匹配電路以及線圈，還另外包括用以導入反應氣體的管線等，然而為求圖示簡潔，圖1僅描繪與本發明的發明精神相關的裝置與組件。

圖2A至2C是依據本發明一實施例之電極裝置20的側視圖。參考圖2A，電極裝置20包括電極21A、約束環22A及基座23A，其中電極21A與約束環22A設置於基座23A之上，且電極21A的上表面於鳥瞰方向觀察時直接裸露。由於電極21A暴露於等離子體環境中，所以表面鍍有抗腐蝕材料，如二氧化銥等鍍層，但不會影響電極21A與等離子體之間的電性導通。約束環22A的內徑大於電極21A的外徑並環繞電極21A設置，約束環22A用於固定電極21A，避免電極21A偏移。在本實施例中，約束環22A可包括絕緣材料。電極21A的寬度W大約在3至20毫米的範圍，厚度T大約在1~5毫米的範圍，內半徑R大約在151毫米~171毫米的範圍。然而，上述電極21A的尺寸描述僅為本發明的範例說明，並非本發明的一限制。在圖2A的實施例中，約束環22A的厚度等同於電極21A的厚度，換言之，約束環22A的上表面齊平於電極21A的上表面。本技術領域具有通常知識者應能理解，約束環22A與電極21A的高度差會影響電場的梯度分佈。因此，隨著設計需求的不同，約束環22A與電極21A之間可具有不同的高度差。

參考圖2B，電極裝置20包括電極21B、約束環22B及基座23B，其中電極21B、約束環22B及基座23B與圖2A的對應組件大致相似，差異僅在於約束環22B的厚度小於電極21B的厚度，換言之，約束環22B的上表面低於電極21B的上表面。參考圖2C，電極裝置20包括電極21C、約束環22C及基座23C，其中電極21C、約束環22C及基座23C與圖2A的對應組件大致相似，差異僅在於約束環22C的厚度大於電極21C的厚度，換言之，約束環22C的上表面高於電極21C的上表面。在本發明的某些實施例中，電極裝置20可以不包括約束環，僅利用電極來協助機械手臂定位下部電極11的位置，以便將工作件(如晶圓)準確的放置於下部電極11之上。

圖3是依據本發明一實施例之電場供應電路14'的示意圖。電場供應電路14'包括控制電路31及開關電路32。控制電路31通過接線組LN連接至電極裝置20，詳細來說，控制電路31通過接線組LN連接至電極裝置20中的電極(如電極21A、21B及21C)。控制電路31用於在電極裝置20的電極上產生偏置電壓，該偏置電壓用於調節電極裝置20上方的電場分佈，以調節工作件(如晶圓)邊緣等離子體鞘層的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子的入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣的製程結果有傾斜狀況的問題。開關電路32的一端耦接至參考電壓源15如接地端，而另一端通過偏置電路13耦接至射頻源12。開關電路32用於選擇性地將控制電路31連接至參考電壓源15如接地端或通過偏置電路13耦接至射頻源12。

圖4A和4B是依據本發明一實施例之控制電路31的示意圖。詳細來說，控制電路31通過提供可變阻抗來調節電極裝置20上方的電場分佈，以調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況。參考圖4A與4B，控制電路31包括串聯連接的可變電感L和可變電容C。在圖4A的實施例中，可變電感L的一端通過接線組LN連接至電極裝置20的電極，另一端連接至可變電容C的一端，可變電容C的另一端連接至開關電路32。在本實施例中，可變電感L的電感值大約在0.01~0.1uH的範圍，而可變電容C的電容值大約在0~500pF的範圍。然而在本實施例中，可變電感L的電感值以及可變電容C的電容值僅為一範例說明，並非本發明的一限制。

本領域具有通常知識者應能輕易理解，串聯連接的電感和電容組成調諧電路，然而，調諧電路的連接並不限制於圖4A中的連接方式。參考圖4B，在圖4B的實施例中，大致類似於圖4A的實施例，差異僅在於可變電感L和可變電容C的連接方式。詳細來說，圖4B中的可變電容C的一端通過接線組LN連接至電極裝置20中的電極(如電極21A、21B及21C)，另一端連接至可變電感L的一端，可變電感L的另一端連接至開關電路32。

圖5是依據本發明一實施例之開關電路32的示意圖。開關電路32包括雙控開關SW，雙控開關SW耦接於參考電壓源15如接地端、控制電路31和射頻源12之間。詳細來說，雙控開關SW是通過偏置電路13耦接至射頻源12。雙控開關SW可以選擇性地切換，使得控制電路31連接至參考電壓源15如接地端或者通過偏置電路13耦接至射頻源12。

圖6是依據本發明一實施例之電場供應電路14'的操作示意圖。以圖4A所示的控制電路31為例，在本實施例中，雙控開關SW切換至接地端，使得控制電路31中的可變電感L和可變電容C可以直接連接至接地端。如此一來，等離子體系統1的上部射頻源(圖未示)與接地端形成一通路，因此，上部射頻源(圖未示)所產生的射頻功率通過電極裝置20及接線組LN傳遞至接地端。所述射頻功率在電極裝置20中的電極上產生偏置電壓，且該偏置電壓在電極裝置20的上方形成電場。腔室10中的等離子體受到電極裝置20上方的電場所導引，以調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子的入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣的製程結果有傾斜狀況的問題。本領域具有通常知識者能應輕易理解，藉由調整控制電路31中的可變電感L的電感值或可變電容C的電容值可以改變電極裝置20中電極(如電極21A、21B及21C)之上的偏置電壓的大小，舉例來說電極上的偏置電壓隨可變電容C的電容值增大而增大。

圖7是依據本發明另一實施例之電場供應電路14'的操作示意圖。以圖4A所示的控制電路31為例，在本實施例中，雙控開關SW切換至偏置電路13，使得控制電路31中的可變電感L和可變電容C通過偏置電路13耦接至射頻源12。如此一來，射頻源12所產生的射頻功率通過偏置電路13、電場供應電路14'以及接線組LN傳遞至電極裝置20中的電極。由於射頻功率同時傳遞下部電極11及電極裝置20中的電極並在下部電極11及電極裝置20中的電極(如電極21A、21B及21C)上產生偏置電壓，該偏置電壓在下部電極11及電極裝置20的上方形成電場。腔室10中的等離子體受到下部電極11及電極裝置20上方的電場所導引，以調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子的入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣的製程結果有傾斜狀況的問題。

由於電極裝置20中的電極具有阻抗，該阻抗會造成電極裝置20中的電極各處的偏置電壓不同。為了儘量降低電極阻抗的影響，接線組LN可包括多條接線，該多條接線分別連接至電極裝置20中的電極的不同位置。參考圖8，圖8是依據本發明一實施例之電極裝置20以及接線位置的鳥瞰圖。在圖8的實施例中，接線組LN包括接線L1與L2，並且接線L1與L2所連接到的電極位置相對於電極裝置20的中心呈現對稱分佈。如此一來，電場供應電路14'所提供至電極裝置20中的電極(如電極21A、21B及21C)的偏置電壓將避免受到電極的阻抗影響。電極裝置20中的電極(如電極21A、21B及21C)各處上的偏置電壓因此將大致一致，避免電極裝置20即環形電極上不同位置產生不同的偏置電壓。本技術領域具有通常知識者應能輕易理解接線組LN可以包括多於兩條的接線，只要接線組LN中的多條接線連接至電極裝置20的位置相對於電極裝置20的中心呈現對稱分佈皆能使電極裝置20中的電極各處上的偏置電壓可以大致一致。詳細說明在此省略以省篇幅。

由於接線組LN中的接線具有阻抗，連接於電場供應電路14'以及電極裝置20之間的接線越長阻抗則越大，而不同的接線阻抗同樣會造成電極裝置20中的電極各處的偏置電壓不同。為了儘量降低接線阻抗的影響，等離子體系統可包括多組電場供應電路。圖9是依據本發明另一實施例之等離子體系統8的示意圖。類似等離子體系統1，等離子體系統8用以對工作件(如晶圓)進行加工，舉例來說，等離子體系統8可以是一種蝕刻裝置，用以對工作件(如晶圓)進行蝕刻。等離子體系統8包括腔室80、置於腔室80中的下部電極81、射頻源82、偏置電路83、下電極裝置以及電極裝置90。工作件(如晶圓)置於下部電極81之上以進行加工。射頻源82用於通過偏置電路83提供射頻功率至下部電極81，所述射頻功率在下部電極產生偏置電壓。所述偏置電壓在工作件(如晶圓)的上方形成電場，使得腔室80內的反應氣體電離形成等離子體後，受到所述電場的引導來對工作件(如晶圓)轟擊來完成加工。偏置電路83用於匹配射頻源82後方的阻抗，使得該射頻功率有最大的耦合效率。

等離子體系統8與等離子體系統1的差異在於，等離子體系統8包括兩組下電極裝置。兩組下電極裝置分別包括電場供應電路84'與電場供應電路85'，其中電場供應電路84'的一端耦接至電極裝置90，電場供應電路84'的另一端選擇性地耦接至射頻源82或參考電壓源86，詳細來說，電場供應電路84'是通過偏置電路83耦接於射頻源82。另一方面，電場供應電路85'的一端耦接至電極裝置90，電場供應電路85'的另一端選擇性地耦接至射頻源82或參考電壓源87，同樣地，電場供應電路85'是通過偏置電路83耦接於射頻源82。在本實施例中，參考電壓源86與87為接地端。電場供應電路84'通過接線組LN1連接至電極裝置90，電場供應電路85'通過接線組LN2連接至電極裝置90。接線組LN1與接線組LN2分別包括一條或多條接線。接線組LN1與接線組LN2連接至電極裝置90的位置相對於電極裝置90的中心呈現對稱分佈，如此一來，將連接於電場供應電路84'以及電極裝置90之間的接線組LN1的長度設計等同於連接於電場供應電路85'以及電極裝置90之間的接線組LN2的長度，將可避免由於接線長度的不同所造成電極裝置90各處的偏置電壓的差異。電場供應電路84'與85'的結構與功能與電場供應電路14'大致相同，詳細說明在此省略以省篇幅。

本技術領域具有通常知識者在閱讀完上述實施例應能輕易理解等離子體系統可以包括多於兩組的電場供應電路，只要每一組電場供應電路連接至電極裝置的位置相對於電極裝置的中心呈現對稱分佈並且每組接線的長度相同，皆能降低接線組阻抗的影響來使得電極裝置中的電極各處上的偏置電壓可以大致一致。

簡單歸納本發明，本發明所揭露的電場供應電路及相關等離子體系統可以調節工作件(如晶圓)邊緣的偏置電壓以調節工作件(如晶圓)邊緣上方的電場分佈，從而調節等離子體鞘層在工作件(如晶圓)邊緣的彎曲情況，進而控制鞘層內用於進行製程的離子的入射軌跡，最終有效解決工作件邊緣的製程結果有傾斜狀況的問題。

前述內容概括數項實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更佳地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本揭露作為用於設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應瞭解，此等等效構造不背離本揭露之精神及範疇，且其等可在不背離本揭露之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、置換及更改。

1,8:等離子體系統 10,80:腔室 11,81:下部電極 12,82:射頻源 13,83:偏置電路 14',84',85':電場供應電路 15,86:參考電壓源 20,90:電極裝置 21A,21B,21C:電極 22A,22B,22C:約束環 23A,23B,23C:座 31:控制電路 32:開關電路 C:可變電容 L:可變電感 L1,L2:接線 LN:接線組 R:內半徑 SW:雙控開關 T:厚度 W:寬度

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳理解本揭露之態樣。應注意，根據產業中之標準實踐，各種構件未按比例繪製。事實上，為了論述的清楚起見可任意增大或減小各種構件之尺寸。 圖1是依據本發明一實施例之等離子體系統的示意圖。 圖2A至2C是依據本發明一實施例之電極裝置的側視圖。 圖3是依據本發明一實施例之電場供應電路的示意圖。 圖4A至4B是依據本發明一實施例之控制電路的示意圖。 圖5是依據本發明一實施例之開關電路的示意圖。 圖6是依據本發明一實施例之電場供應電路的操作示意圖。 圖7是依據本發明另一實施例之電場供應電路的操作示意圖。 圖8是依據本發明一實施例之電極裝置與接線方式的示意圖。 圖9是依據本發明另一實施例之等離子體系統的示意圖。

1:等離子體系統

10:腔室

11:下部電極

12:射頻源

13:偏置電路

14':電場供應電路

15:參考電壓源

20:電極裝置

Claims (10)

1. 一種應用於等離子體系統的下電極裝置，包括：一下部電極；一環形電極，其環繞該下部電極設置；一約束環和一基座，其中該環形電極和該約束環設置在該基座之上，該環形電極的上表面於鳥瞰方向觀察時直接裸露，該約束環的內徑大於該環形電極的外徑並環繞該環形電極設置以固定該環形電極；一射頻源，其耦接至該下部電極；以及一電場供應電路，該電場供應電路的一端耦接至該環形電極，該電場供應電路的另一端選擇性地耦接至該射頻源或一接地端；其中電離形成等離子體並持續維持該等離子體後，該電場供應電路用於選擇性地將該環形電極耦接至該接地端或該射頻源，以調節置於該下部電極上的一工作件邊緣的電場分佈。
2. 如請求項1所述的下電極裝置，其中該電場供應電路包括：一控制電路和一開關電路；其中，該控制電路的一端耦接至該環形電極，該控制電路的另一端耦接至該開關電路的一端，且該控制電路用於提供一可變阻抗以調節該工作件邊緣的電場分佈；其中，該開關電路的另一端選擇性地耦接至該射頻源或該接地端，該開關電路用於選擇性地將該控制電路耦接至該接地端或該射頻源。
3. 如請求項2所述的下電極裝置，其中該控制電路包含串聯連接的一可變電感及一可變電容。
4. 如請求項3所述的下電極裝置，其中該可變電感的一端耦接至該環形電極，而該可變電感的另一端耦接至該可變電容的一端，該可變電容的另一端耦接至該開關電路。
5. 如請求項3所述的下電極裝置，其中該可變電容的一端耦接至該環形電極，而該可變電容的另一端耦接至該可變電感的一端，該可變電感的另一端耦接至該開關電路。
6. 如請求項2所述的下電極裝置，其中該控制電路通過多根導線連接該環形電極，該多根導線相對於該環形電極的中心呈現對稱分佈。
7. 如請求項2所述的下電極裝置，其中該開關電路包含一雙控開關，該雙控開關的一端耦接至該控制電路，且該雙控開關的另一端選擇性地耦接至該射頻源或該接地端。
8. 如請求項2所述的下電極裝置，其中該電場供應電路包括至少兩個控制電路；該至少兩個控制電路中的每一控制電路通過至少一根導線連接至該環形電極，連接於該至少兩個控制電路與該環形電極之間的導線 相對於所述環形電極的中心呈現對稱分佈。
9. 如請求項1所述的下電極裝置，其中該環形電極的表面鍍有抗腐蝕的一鍍層。
10. 一種等離子體系統，用於施加等離子體於一工作件以進行加工，包括：一腔室；以及如請求項1-9任一項所述的下電極裝置，其中該下電極裝置置於該腔室中。

Images