TWI736626B - 用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件、用於流體可滲透加熱器組件之平板式導電絲配置及電操作式氣溶膠產生系統 - Google Patents

用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件、用於流體可滲透加熱器組件之平板式導電絲配置及電操作式氣溶膠產生系統 Download PDF

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Abstract

一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件的平板式導電絲配置及一種用於氣溶膠產生系統之加熱器組件。該平板式導電絲配置包括一中心部(3)及兩個側部(2、4),其中該兩個側部(2、4)係被設置在該中心部(3)之相對側上。該中心部(3)界定該導電絲配置之一加熱區及該等側部(2、4)界定該導電絲配置之電接觸區。該中心部(3)及該兩個側部(2、4)之每一者包括複數個開口,各自的複數個開口界定該中心部(3)之開放區域及該兩個側部(2、4)之每一者的開放區域。該中心部(3)之開放區域佔該中心部(3)之總面積的百分比係大於該等側部(2、4)中之一的開放區域佔該側部(2、4)之總面積的百分比。

Description

用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件、用於流體可滲透加熱器組件之平板式導電絲配置及電操作式氣溶膠產生系統
本發明係有關於用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件及用於這樣的流體可滲透加熱器組件之平板式導電絲配置。
期望能有流體可滲透加熱器及用於這樣的流體可滲透加熱器之可以改善對應加熱器的效能之導電絲配置。特別地,期望能有一種加熱器組件及一種具有最佳接觸及加熱效能之導電絲配置。
依據本發明之一態樣,提供一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件(較佳地,用於依據本發明及在此所界定之加熱器組件)的平板式導電絲配置。該平板式導電絲配置包括一中心部及兩個側部,其中該兩個側部係被設置在該中心部之相對側上。該中心 部界定該導電絲配置之一加熱區及該等側部界定該導電絲配置之電接觸區。該中心部及該兩個側部之每一者包括複數個開口,各自的複數個開口界定該中心部之開放區域及該兩個側部之每一者的開放區域。該中心部之開放區域該中心部之總面積的百分比係大於該等側部中之一的開放區域佔該側部之總面積的百分比。
該中心部之開放區域該中心部之總面積的百分比可能大於該等側部之每一者的開放區域佔該側部之總面積的百分比。該中心部之開放區域該中心部之總面積的百分比可能大於該兩個側部之開放區域佔該側部之總面積的百分比。
該中心部之開放區域該中心部之總面積的百分比對該等側部中之一的開放區域佔該側部之總面積的百分比之比率可介於1.1與30之間。該中心部之開放區域該中心部之總面積的百分比對該等側部中之一的開放區域佔該側部之總面積的百分比之比率可介於2與28之間,例如,介於2與15之間或介於15與28之間。
依據本發明之另一態樣,提供一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件(較佳的是用於依據本發明及在此所界定之加熱器組件)的平板式導電絲配置。該平板式導電絲配置包括一中心部及兩個側部,其中該兩個側部係被設置在該中心部之相對側上。該中心部界定該導電絲配置之一加熱區及該等側部界定該導電絲配置之電接觸區。該中心部及該兩個側部之每一者包括複數個開口,各自的複數個開口界定該中心部之開 放區域及該兩個側部之每一者的開放區域。在該中心部中之開放區域對該兩個側部中之一的開放區域之比率係在1.1與30之間。較佳地,該中心部之開放區域對該兩個側部中之一的開放區域之比率係在2與28之間,例如,在2與15之間或在15與28之間。
在該中心部中之開放區域可能是在該中心部之總面積的約40%與約90%之間。較佳地,在該中心部中之開放區域係在約50%與約80%之間,更佳地,在約50%與約70%之間。
在該兩個側部之每一者中的開放區域係大於零及可能大於該兩個側部之每一個總面積的約3%且小於該兩個側部之每一個總面積的約40%。較佳地,在該等側部之每一者中的開放區域係大於約5%且小於約35%,更佳地,小於約20%,例如,在該兩個側部之每一者中的開放區域係在約5%與約15%之間。
該導電絲配置之中心部被界定成延伸有或佔該導電絲配置之大小的約20%,但是可以延伸高達至該導電絲配置之大小的約60%。一側部被界定成延伸有或佔該導電絲配置之大小的約20%,但是可以延伸高達至該導電絲配置之大小的約40%。因此,可以將具有例如約65%至約85%的大開放區域之對應於該導電絲配置的加熱區之中心部縮小成該導電絲配置之大小的約20%。該導電絲配置之剩餘大小可能是具有小的開放區域之側部,例如,每一側部係在約5%與約10%之間,以及在那裡沒有加熱或只有少量加熱。該導電絲配置之剩餘大小 亦可能是側部及下面所將更詳述之設置在側部與中心部間的過渡部。
依據本發明之另一態樣,提供一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件。該流體可滲透加熱器組件包括一平板式導電絲配置以及用以電接觸該平板式導電絲配置之一第一接觸點及一第二接觸點。在該第一接觸點與該第二接觸點間界定一縱軸線。在該加熱器組件中,一中心表面Sc係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的40%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的60%之距離處。一第一側表面S1係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第一接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的20%之距離的點處相交之兩條線間延伸的該加熱器組件之區域。一第二側表面S2係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第二接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的80%之距離的點處相交之兩條線間的該加熱器組件之區域。
該中心表面Sc包括界定一開放區域ScOA之複數個開口,該第一側表面S1包括界定一開放區域S1OA之複數個開口,以及該第二側表面S2包括界定一開放區域S2OA之複數個開口。
該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比係大於該第一側表面之開放區域佔該第一側表面之總面積的百分比,以及該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比係大於該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比。
該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比對該第一側表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比之比率ScOA/S1OA可能是在1.1與30之間,以及該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比對該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比之比率ScOA/S2OA可能是在1.1與30之間。
依據本發明之另一態樣,提供一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件。該流體可滲透加熱器組件包括一平板式導電絲配置以及用以電接觸該平板式導電絲配置之一第一接觸點及一第二接觸點。在該第一接觸點與該第二接觸點間界定一縱軸線。在該加熱器組件中,一中心表面Sc係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的40%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的60%之距離處。一第一側表面S1係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第一接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸 點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的20%之距離的點處相交之兩條線間延伸的該加熱器組件之區域。一第二側表面S2係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第二接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的80%之距離的點處相交之兩條線間的該加熱器組件之區域。
該中心表面Sc包括界定一開放區域ScOA之複數個開口,該第一側表面S1包括界定一開放區域S1OA之複數個開口,以及該第二側表面S2包括界定一開放區域S2OA之複數個開口。該中心表面之開放區域對該第一側表面之開放區域的比率ScOA/S1OA係在1.1與30之間,以及該中心表面之開放區域對該第二側表面之開放區域的比率ScOA/S2OA係在1.1與30之間。較佳地,該中心表面對該第一側表面或該第二側表面之開放區域的比率ScOA/S1OA或ScOA/S2OA係在2與28之間,例如,在2與15之間或在15與28之間。
該中心表面之開放區域ScOA可能是在該中心表面之總面積的約40%與約90%之間。較佳地,在該中心表面中之開放區域係在約50%與約80%之間,更佳地,在約50%與約70%之間。
一種加熱器組件沿著相對於該導電絲配置之該縱軸線的長度可以具有固定的寬度。一種加熱器組件沿著該縱軸線之長度可以具有可變的寬度。在這些情況下,為了計算該等開放區域,將該加熱器組件視為在與該縱軸線平行且通過離該縱軸線最遠之該導電絲配置的 點之兩條線間的矩形區域。據此,將該加熱器組件之沒有導電絲配置的較窄部分算作開放區域。
作為本申請書通篇使用之普遍原則,只要當“約”字與特定值聯繫使用時,皆應理解為“約”字后所跟之值不必精確為出於技術考慮之特定值。然而,結合特定值使用之“約”字應總是理解為包括、並且明確揭示“約”字后所跟之值。
在該兩個側表面之每一者中的開放區域S1OA、S2OA係大於零及可以大於該兩個側表面之總面積的每一者之約3%且小於其約40%。較佳地,在該等側表面之每一者中的開放區域係大於約5%且小於約35%,更佳地,小於約20%,例如,在該兩個側表面之每一者中的開放區域係在約5%與約15%之間。
大部分的加熱可能發生在該兩個接觸點間之該加熱器組件的中心表面中。較少的加熱可能發生在該等側表面中。
加熱區及側或接觸區之尺寸的變化性允許改變(特別是擴大)加熱器組件(特別是加熱器組件之導電絲配置)之尺寸,然而沒有改變(特別是擴大加熱區)太多。這可能是必需的或期望的,以免對氣溶膠產生裝置之電力系統施加過多的需求。
提供中心表面之開放區域,以及液體可能需要該中心表面之開放區域,以進入該加熱器組件之中心表面及被該已加熱導電絲配置加熱並汽化。
該中心表面之開放區域係由複數個開口所形成。該複數個開口較佳地具有最佳的尺寸及分佈,以便流體可滲入該等開口及允許流體之直接且有效加熱。
已發現到,在側表面中之複數個開口形式的開放區域可能有益於加熱器組件之效能。每一側表面之開放區域係小於該中心表面之開放區域。然而,該等側表面之開放區域亦可能具有該側表面之總面積的例如約3%之最小值及小於其約40%之數值。
有鑑於電阻加熱及接觸在加熱器組件中之導電絲配置,已發現到在上述界定範圍內提供在該中心表面之開放區域與該側表面之開放區域間之開放區域比率,可最佳化加熱器組件之效能。
相較於例如具有低密度之網格,例如,像優先用於導電絲配置之中心部的網格,在側表面中之小的或較小的開放區域(該等側表面係用以做為加熱器中之導電絲配置的接觸部)可能正面地影響這些側表面之電接觸。
此外,在側表面中之複數個開口可以限制液體從加熱器組件洩漏出來。通常,從液體貯存器,例如,加熱器組件之儲存系統或料匣供應液體。液體滲入在該中心表面中之複數個開口及可以在那裡被加熱及汽化。
液體傾向於例如經由毛細管力在加熱器基材與在加熱器之徑向外側的導電絲配置之側部間通過。當像在習知技藝的導電絲配置中使用箔做為接觸部時,此效果可能會很大的。
藉由在該等側表面中提供複數個開口,液體將進入該等開口及因而,保持在該等側表面中。
在依據本發明之加熱器組件中,可以防止或減少洩漏。
中心表面之開放區域對側表面之開放區域(特別地,在該兩個側表面中之有限開放區域)的特定比率具有可限制從該中心表面散熱至該等側表面的額外好處。據此,可以將熱保持在該加熱器組件之發生汽化的中心處。可以限制加熱器或個別氣溶膠產生裝置之總功率消耗。此外,在加熱器組件之側表面中的可能存在之包覆成型材料受熱的影響較小。
該加熱器組件可以進一步包括一第一過渡表面,該第一過渡表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的約20%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的約40%之距離處。該加熱器組件還可以進一步包括一第二過渡表面,該第二過渡表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的約60%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的約80%之距離處。該第一過渡表 面包括界定一開放區域T1OA之複數個開口,以及該第二過渡表面包括界定一開放區域T2OA之複數個開口。
該第一過渡表面之開放區域佔該第一過渡表面之總面積的百分比對該第一側表面之開放區域佔該第一側表面之總面積的百分比之比率T1OA/S1OA可介於1與30之間,以及該第二過渡表面之開放區域佔該第二過渡表面之總面積的百分比對該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比之比率T2OA/S2OA可介於1與30之間。
該第一過渡表面之開放區域對該第一側表面之開放區域的比率T1OA/S1OA可能是在1與30之間,以及該第二過渡表面之開放區域對該第二側表面之開放區域的比率T2OA/S2OA可能是在1與30之間。較佳地,該第一過渡表面對該第一表面或該第二過渡表面對該第二表面之開放區域的比率T1OA/S1OA或T2OA/S2OA係在2與28之間,例如,在2與15之間或在15與28之間。
過渡表面可以被設置在該兩個側表面中之一與該中心表面之間。每一過渡表面可以包括一開放區域,例如,一在一側表面之開放區域至該中心表面之開放區域之間的梯度。藉由一過渡表面之提供,例如,藉由像以網絲之網格密度的梯度來實現之開放區域的梯度之提供,可以達成網格上之功率分佈或在該加熱器組件中之電阻及個別電阻加熱的平順過渡。
一過渡表面可以包括一小開放區域,該過渡表面之開放區域在數值上比較接近一側表面之開放區域,而不是該中心表面之開放區域。因此,在一網格配置中,一過渡表面可以包括接近該側表面之網格密度的高網格密度。在這樣的過渡表面中,產生較少的加熱,以及加熱係集中在該中心表面中。
為了擴大加熱區,該等過渡表面可以包括一大開放區域,其相似或相同於該中心表面之開放區域。
該第一及第二過渡表面之每一者可以延伸有在該加熱器組件之兩個接觸點間的導電絲配置之大小的約20%。
在依據本發明之加熱器組件中,一中心電阻Rc係該中心表面沿著該縱軸線之電阻,一第一電阻R1係該第一側表面沿著該縱軸線之電阻,以及一第二電阻R2係該第二側表面沿著該縱軸線之電阻。該中心電阻對該第一電阻之比率Rc/R1可能是在2與400之間,以及該中心電阻對該第二電阻之比率Rc/R2可能是在2與400之間。
較佳地,該中心電阻對該第一電阻之比率Rc/R1係在2與300之間,更佳地,在40與200之間。
較佳地,該中心電阻對該第二電阻之比率Rc/R2係在2與300之間,更佳地,在40與200之間。該加熱器組件包括一對應於該第一接觸點與該第二接觸點間之電阻的總電阻Rt。
較佳地,該中心電阻對該總電阻之比率Rc/Rt係相當於至少0.3或0.4,較佳地,0.5或0.6或0.7。
較佳地,該第一電阻對該總電阻之比率R1/Rt係在0.005與0.125之間,較佳地,0.01以上,更佳地,在0.01與0.1之間,甚至更佳地,在0.05與0.1之間。
較佳地,該第二電阻對該總電阻之比率R2/Rt係在0.005與0.125之間,較佳地,0.01以上,更佳地,在0.01與0.1之間,甚至更佳地,在0.05與0.1之間。
該中心電阻Rc係對應於該第一及第二接觸點間之該加熱器組件的總電阻之至少50%。較佳地,該第一及第二電阻之每一者係對應於該總電阻之約13%的最大值及該總電阻Rt之約0.5%的最小值。
該中心電阻可能對應於高達該總電阻Rt之約99%。較佳地,該中心電阻係對應於該總電阻Rt之約80%至約98%,更佳地,約90%至約95%。在該導電絲配置之選定部分中的這樣的高電阻允許在此加熱區中之導電絲的目標加熱及待汽化之氣溶膠形成流體的有效汽化。
包含相對低的第一及第二電阻R1、R2之該第一與第二接觸點間的區域界定該加熱器組件之電接觸區。該等接觸區係被設計成不會或不會實質地將流經該導電絲配置之接觸區的電流轉換成熱。包含相對高的中心電阻之該第一與第二接觸點間的中心區域界定該加熱器組件之加熱區。
已發現在上述範圍內(特別地,同時對應於該總電阻之約13%的最大值及該總電阻之約0.5%的最小值之接近該第一及第二接觸點的低電阻)之中心電阻與第一及第二電阻間的電阻比率係有利於加熱器組件之效能。
接近該等接觸點之低電阻較佳地係小於該加熱區之電阻。接近該等接觸點之電阻亦可以具有一個定義的最小值。
相較於例如包括具有低網格密度之網格(例如,像優先用於導電絲配置之加熱區的網格)的導電絲配置之加熱器組件,接近該等接觸點之低電阻可以正面地影響該加熱器組件之電接觸。此外,該低電阻提供加熱電流至期望加熱之更集中加熱區的良好傳輸。另一方面,中心電阻對第一及第二電阻(特別地,在接觸區中之最小電阻)之特定比率具有可限制從該加熱區至該等接觸區之散熱的益處。據此,可以將熱保持在加熱器組件之發生汽化的中心部或中心表面中。可以限制加熱器或個別氣溶膠產生裝置之總功率消耗。此外,在接觸區中之可能存在的包覆成型材料(通常,聚合物材料)受熱的影響較小。
依據本發明之加熱器組件可能具有在約0.5歐姆與約4歐姆之間,更佳地,在約0.8歐姆與約3歐姆之間,甚至更佳地,約2.5歐姆之總電阻Rt。
較佳地,該中心表面之中心電阻Rc係高於約0.5歐姆,更佳地,高於約1歐姆,甚至更佳地,約2歐姆。
較佳地,該第一側表面之第一電阻R1係低於約100毫歐姆,更佳地,低於約50毫歐姆,例如,該第一電阻係在約5毫歐姆與約25毫歐姆之間。較佳地,該第一電阻係高於約3毫歐姆,更佳地,高於約5毫歐姆。
較佳地,該第二側表面之第二電阻R2係低於約100毫歐姆,更佳地,低於約50毫歐姆,例如,該電阻係在約5毫歐姆與約25毫歐姆之間。較佳地,該第二電阻係高於約3毫歐姆,更佳地,高於約5毫歐姆。
在平板式導電絲配置之一些實施例中,該導電絲配置之中心部可以相同於一加熱器組件之中心表面。該導電絲配置之側部可以相同於該加熱器組件之側表面。然而,取決於在該導電絲配置上之接觸點的位置而定,接觸點間之距離係小於導電絲配置之總縱向延長部分或長度。
該等接觸點間之距離可以等於該導電絲配置之總長度。通常,兩個接觸點間之距離係比該導電絲配置之總長度還短。較佳地,縱向延伸越過該等接觸點之該導電絲配置的剩餘部分之規格係等於或小於該等側表面之規格,如在此所述,規格特別是關於電阻及開放區域。
該導電絲配置之側部的每一開放區域係小於該中心部之開放區域。然而,該等側部之開放區域亦具有該側部之總面積的約3%之最小值及小於其約40%之數值。
有關於依據本發明之加熱器組件,已描述關於複數個開口形式之開放區域、加熱區中之開放區域對接觸區中之開放區域的比率之該導電絲配置的優點。
藉由在該等側部中提供複數個開口,亦有助於接觸部之包覆成型。例如,當使用薄接觸箔或鬆散的網格時,通常使用包覆成型來穩定接觸部。側部或側部之至少部分可以例如以耐熱聚合物來包覆成型。包覆成型可以防止個別導電絲之位移或導電絲邊緣的鬆開。利用側部之包覆成型,可以提高該等側部之穩定性。當組裝加熱器組件時,這可以有助於導電絲配置之安裝。它亦可以有助於保持導電絲配置之形式及形狀。因而,可以改善使用導電絲配置之加熱器組件的再現性及可靠性。
包覆成型材料可以是適用於依據本發明之流體可滲透加熱器的任何材料。包覆成型材料可以是例如能耐高熱(超過攝氏約300度)之材料,例如,聚醯亞胺或像聚醚醚酮(PEEK)之熱塑性塑膠。
在本發明之導電絲配置中,該包覆成型材料可以滲入該等側部中之開口。該等開口可以例如構成在該導電絲配置中之微通道。因此,可以提高該導電絲配置之材料與該包覆成型材料間之連接。開放面積之低數值,特別是小尺寸的開口可以額外地支持將該包覆成型材料保持在該等側部中,而不會流失。
關於依據本發明之導電絲配置,亦可以以包覆成型側部來防止或減少洩漏。由於該包覆成型側部之不平坦的表面,表面的不平整可以用做液體保留。
術語“平板式”導電絲配置或加熱器組件在整個說明書中係用以意指處於實質二維拓撲流形(two dimensional topological manifold)之形式的導電絲配置或平板式加熱器組件。因此,該平板式導電絲配置及平板式加熱器組件實質上沿著一表面朝兩個維度比朝第三維度延伸還多。特別地,該平板式導電絲配置之尺寸在該表面內朝該兩個維度係朝該第三維度(垂直於該表面)的至少5倍大。平板式導電絲配置及平板式加熱器組件之一範例係一種在兩個實質平行假想表面間之結構,其中這兩個假想表面間之距離係實質小於該等表面內之延長部分。在一些較佳實施例中,該平板式導電絲配置及該平板式加熱器組件係平面的。在其它實施例中,該平板式導電絲配置及該平板式加熱器組件係沿著一個或一個以上維度來彎曲,其例如形成圓頂形或橋形。
一平板式導電絲配置較佳地係被使用在一平板式加熱元件中,該平板式加熱元件可以在製造期間容易被處理且提供堅固結構。
術語“導電絲”在整個說明書中係用以意指在兩個電接觸件間設置的電路徑。導電絲可以任意地分岔且叉開成數條路徑或導電絲或者可以從數條電路徑會聚成一條路徑。導電絲可以具有圓形、方形、扁形或任何其它剖面形狀。導電絲可以以直線或彎曲方式來設置。
術語“導電絲配置”在整個說明書中係用以意指一導電絲或較佳地複數條導電絲之配置。該導電絲配置可以是大量的導電絲,其例如以彼此平行方式來設 置。較佳地,該等導電絲可以構成網格。網格可以是編織的或非編織的。較佳地,該導電絲配置具有約0.5微米與約500微米間之厚度。該導電絲配置可以例如是大量的平行或交錯導電絲之形式。導電絲係可以與電接觸件一體成形,例如,由一導電箔(例如,不銹鋼箔)所形成,該導電箔被蝕刻,以界定在該中心部及該等側部中或在該中心表面及側表面中之導電絲或開口。
導電絲配置之中心部總是被設置在導電絲配置的兩個側部之間。較佳地,該中心部係被設置在該兩個側部間之中間。在一具有縱向延長部分大於橫向延長部分之導電絲配置,例如,一矩形導電絲配置中,該中心部亦具有縱向或矩形形狀。該兩個側部可以接著被設置成相鄰於該中心部之兩個相對側且彼此以該中心部來隔開。例如,在一較圓導電絲配置中,兩個側部可以彼此以一置中中心部及從該置中中心部延伸至該圓形導電絲配置之圓周的間隙來隔開。
在一導電絲配置之中心部中的開放區域之比率或開放區域之數值可以根據期望汽化結果或例如,根據一加熱器組件或一將使用該加熱器組件之氣溶膠產生裝置的參數來界定及選擇。例如,在該中心部中之開放區域的數值或在該中心部中之複數個開口的尺寸及配置可以根據待汽化之液體(黏度、汽化溫度、已汽化物質之數量等)來選擇。
在一導電絲配置之兩個側部中的開放區域之比率或開放區域之數值可以根據經由該導電絲配置之加 熱方式或根據使該導電絲配置接觸一加熱器基材或接觸該加熱器組件之方式來選擇。在該兩個側部中之開放區域的數值亦可以例如根據使用的包覆成型材料(在包覆成型期間之流速、溫度等)來選擇。
在該等側部中之複數個開口可以均勻地且規律地被設置在該兩個側部之每一者上。
在該等側部中之複數個開口可以不規律地被設置在該兩個側部之每一者上。例如,可以在該側部之邊緣區域中設置較多或較大的開口及可以在該側部之中心區域中設置較小或較少的開口。
在該兩個側部中之開口的數量及分佈可以是相同的或相對於該中心部成對稱的。然而,在該兩個側部中之開口的數量及分佈可以是不同的。取決於該導電絲配置在施加電壓方面的安排而定(該等側部係接地或連接至電壓),可能具有稍微不同的局部加熱。在該等側部中之不同數量的開口或例如不同電線密度可用以彌平加熱之差異及因而,平衡在導電絲配置上之溫度變化。因而,可以支持在該導電絲配置之整個加熱區上有一致的加熱。
在一加熱器組件之中心表面中的開放區域之比率或開放區域之數值可以根據期望汽化結果或例如,根據該加熱器組件或一將使用該加熱器組件之氣溶膠產生裝置的參數來界定及選擇。例如,在該中心表面中之開放區域的數值或在該中心部中之複數個開口的尺寸及配置可以根據待汽化之液體(黏度、汽化溫度、已汽化物質之數量等)來選擇。
在一導電絲配置之兩個側表面中的開放區域之比率或開放區域之數值可以根據經由該導電絲配置之加熱方式或根據使該導電絲配置接觸一加熱器基材或接觸該加熱器組件之方式來選擇。在該兩個側表面中之開放區域的數值亦可以例如根據使用的包覆成型材料(在包覆成型期間之流速、溫度等)來選擇。
在該等側表面中之複數個開口可以均勻地且規律地被設置在該兩個側表面之每一者上。
在該等側表面中之複數個開口可以不規律地被設置在該等側表面之每一者上。例如,可以在該等側表面之邊緣區域中設置較多或較大的開口及可以在該等側表面之中心區域中設置較小或較少的開口。
在該兩個側表面中之開口的數量及分佈可以是相同的或相對於該中心表面成對稱的。然而,在該兩個側表面中之開口的數量及分佈可以是不同的。在該等側表面中之不同數量的開口或例如不同電線密度可用以彌平加熱之差異及因而,平衡總加熱器表面之溫度變化。因而,可以支持在該導電絲配置之至少一中心表面上有一致的加熱。
在該平板式導電絲配置中,可以在該兩個側部中之一與該中心部之間設置一過渡部。每一過渡部包括界定一開放區域之複數個開口,例如,一在一側部之開放區域至該中心部之開放區域之間的梯度。在整個該過渡部之開放區域的分佈可能在該側部與該中心部間係有所同的。藉由一過渡表面之提供,例如,藉由像以網 絲之網格密度的梯度來實現之開放區域的梯度之提供,可以達成網格上之功率分佈或電阻及個別加熱的平順過渡。
該等過渡部可能在尺寸、開放區域及物理特性方面對應於一加熱器組件之過渡表面。
如果從一導電絲配置之側部延伸至側部的方向係被定義為該導電絲配置之縱向及每一過渡部係被設置在該兩個側部與該中心部之間,則一過渡部之延長部分係沿著該縱向之該導電絲配置的總縱向延長部分之約20%。
該平板式導電絲配置及該加熱器組件亦可以包括相對於該加熱器組件或導電絲配置之縱軸線或縱向在該中心部或中心表面、該等側部或側表面及該等過渡部或過渡表面中之一或全部中的開放區域之變化,例如,開口之數目或尺寸。
該導電絲配置可以例如包括一從該兩個側部中之一延伸越過該中心部至該兩個側部中之另一側部的中心縱向區。該加熱器組件可以例如包括一從該兩個側表面中之一延伸越過該過渡表面、該中心表面、該第二過渡表面至該兩個側部中之另一側部的中心縱向區。其中,該中心部在該中心縱向區內之開放區域佔該中心部之總面積的百分比可以小於該中心部在該中心縱向區外之開放區域佔該中心部之總面積的百分比。其中,在該中心縱向區內之開放區域可以小於在該中心縱向區外之開放區域。例如,在沿著該導電絲配置之邊緣區域中可 以比在該中心縱向區中設置更多或更大的開口。例如,網格密度在該中心縱向區中可以比在沿著該導電絲配置之側縱向區中還高。據此,功率分佈可能被集中至該中心部或中心表面之中心區域。這樣的特定功率分佈可以例如藉由一平板式導電絲配置來實現,其中在該導電絲配置之縱向上,在該中心縱向區內比在該中心縱向區外設置更多的導電絲。
該平板式導電絲配置可以例如是一穿孔板(perforated sheet)。該穿孔板之中心部可以包括藉由複數個開口而彼此分開或遠離之複數個加熱器導電絲。該穿孔板之側部的每一者包括複數個開口。
該等開口可以由化學蝕刻或雷射處理來製造。
該平板式導電絲配置可以例如是一網格配置,其中該中心部之網格及該第一及第二側部之每一者的網格包括一網格密度。在該中心部中之網格密度係比在該第一及第二側部之每一者中的網格密度還低。網格之導電絲間的空隙界定該中心部之開放區域及該兩個側部之每一者的開放區域。
網格配置可以藉由編織來製造,應用不同的編織方式,製造網格之不同部分。據此,可以製造在該側部及該中心部中或在一中心表面及兩個側表面中具有不同密度網格之單一網格條或一連續網格帶。可以將一連續生產網格帶切割成適當尺寸的網格條。
該導電絲配置可以在低成本下以可靠且可重複方式來製造。該導電絲配置可以在一製造步驟中製造,而不需要個別導電絲配置部分之組裝。
在一網格配置中,網格密度梯度可以位於該第一側部與該中心部之間及在該中心部與該第二側部之間。這些網格梯度代表在中心部與側部間之過渡部。
網格可以是編織網格。該中心部及中心表面之網格可以包括具有相同於該中心部或中心表面之網格的經線孔徑(warp aperture)之尺寸的緯線孔徑(weft aperture)。據此,可以製造在該中心部及中心表面中具有正方形開口之網格。
該兩個側部及側表面之網格可以包括大於零之緯線孔徑且沒有包括經線孔徑。據此,可以製造在該等側部及側表面之網格中的極小且規則排列的開口。
較佳地,在該導電絲配置之編織方向上,相同數目的(經線)導電絲係沿著該導電絲配置之整個長度來彼此相鄰設置。在這些實施例中,連續的經線導電絲較佳地至少從第一側表面延伸至第二側表面,以及更佳地,沿著該整個配置從一側部延伸越過該中心部至該第二側部。藉由此方法,可以製造網格配置,其中在該兩個側部中之經線孔徑等於該中心部之經線孔徑或在該兩個側表面中之經線孔徑等於該中心表面之經線孔徑。
較佳地,該導電絲配置係一網格配置。
關於該導電絲配置之導電絲,可以使用適合於製造導電絲配置且可被加熱之任何導電材料。
該導電絲配置之首選材料係金屬,其包括金屬合金及碳纖維。碳纖維可以被添加至金屬或其它載體材料,以改變該等導電絲之電阻。
導電絲直徑可以在約8微米與約50微米之間的範圍內,較佳地,在約10微米與約30微米之間,更佳地,在約12微米與約20微米之間,例如,約16微米。
由網格製成的側部可以被壓縮。據此,可以改善網格之個別導電絲間的電接觸,以及因而,改善該導電絲配置之側部的個別導電絲間之電接觸。
在該中心部或中心表面中之開口的尺寸可以例如具有約25微米與約75微米間之長度及寬度或直徑,例如,在約60微米與約80微米間之長度及寬度或直徑。
在該等側部或側表面中之開口的尺寸可以例如具有約0.5微米與約75微米間之長度及寬度。較佳地,當長度相對地減少成約0.5微米時,在側部及側表面中之開口的尺寸具有例如高達約75微米之寬度。較佳地,在側部及側表面中之開口的尺寸具有在約5微米與約50微米間之直徑或對應的開放區域。
該平板式導電絲配置之中心部可以具有例如在約5mm2與約35mm2間之範圍內的尺寸,例如,在約10mm2與約30mm2間之範圍內,例如,約25mm2。較佳地,中心部具有例如約5x5mm2之矩形形狀,較佳地,大致方形形狀。可以在具有大約相同長度及寬度之部分中保持低的散熱。
該加熱器組件之中心表面可以具有例如在約5mm2與約35mm2間之範圍內的尺寸,例如,在約10mm2與約30mm2間之範圍內,例如,約25mm2。較佳地,中心表面具有例如約5x5mm2之矩形形狀,較佳地,大致方形形狀。可以在具有大約相同長度及寬度之表面中保持低的散熱。
在整個申請案中,每當提及一數值時,應理解該數值係經明確揭示的。然而,亦應理解一數值由於技術考量而不必是確切的特定值。
一導電絲配置之一側部可以具有例如在約3mm2與約15mm2間之範圍內的尺寸,例如,在約5mm2與約10mm2間之範圍內,例如,約5mm2或約10mm2
一加熱器組件之一側表面可以具有例如在約3mm2與約15mm2間之範圍內的尺寸,例如,在約5mm2與約10mm2間之範圍內,例如,約5mm2或約10mm2
較佳地,側部及側表面具有條狀之形式,例如,約5x(1-2)mm2之矩形條。
接觸部或側部及側表面之尺寸可以適合於提供與用以連接該加熱器組件至電源之連接器(例如,具有彈簧針(pogo pins)之接觸件)的良好接觸。
在該中心部中之複數個開口的數目可以例如是在每mm2約5與約100個開口間之範圍內,較佳地,在每mm2約15與約70個開口之間,例如,每mm2約40個開口。
在該中心表面中之複數個開口的數目可以例如是在每mm2約5與約100個開口間之範圍內,較佳地,在每mm2約15與約70個開口之間,例如,每mm2約40個開口。
在一側部中之複數個開口的數目可以例如是在每mm2約20與約400個開口間之範圍內,較佳地,在每mm2約50與約350個開口之間,例如,每mm2約300至約350個開口。
在一側表面中之複數個開口的數目可以例如是在每mm2約20與約400個開口間之範圍內,較佳地,在每mm2約50與約350個開口之間,例如,每mm2約300至約350個開口。
可以對導電絲配置實施預處理。預處理可以是化學或物理預處理,例如,改變導電絲表面之表面特性。例如,較佳地,只在中心部或中心表面中,可以處理導電絲表面,以提高導電絲之可濕性。已發現增加的可濕性特別有利於通常被使用在電子蒸發裝置中之液體,所謂的電子煙液(e-liquids)。電子煙液通常包括像甘油或丙二醇之氣溶膠生成物。該液體可以額外地包括香料或尼古丁。
藉由依據本發明之加熱導電絲配置所汽化的氣溶膠形成液體包括至少一氣溶膠生成物及一液體添加劑。
氣溶膠形成液體可以包括水。
液體添加劑可以是液體香料或液體刺激物質中的任何一種或組合。液體香料可以包含,例如,煙草香料、煙草提取物、水果香料或咖啡香料。液體添加劑可以是,例如,甜液體,例如香草、焦糖和可可、草藥液體、辣液體,或含有,例如,咖啡因、磺酸、尼古丁或其它用於食品工業的已知的刺激劑等的刺激液體。
該平板式導電絲配置可以具有在約0.5歐姆與約4歐姆之間,更佳地,在約0.8歐姆與約3歐姆之間,甚至更佳地,約2.5歐姆之總電阻。
較佳地,該中心部之電阻係高於約0.5歐姆,更佳地,高於約1歐姆,甚至更佳地,約2歐姆。
較佳地,該第一及第二側部之每一者的電阻係低於約100毫歐姆,更佳地,低於約50毫歐姆,例如,該電阻係在約5毫歐姆與約25毫歐姆之間。較佳地,該第一及第二側部之每一者的電阻係高於約3毫歐姆,更佳地,高於約5毫歐姆。
由於在整個導電絲配置上的開放結構,導電絲配置之電阻係不同於例如習知技藝之網絲,在習知網絲中在整個導電絲配置上具有相同網格密度之均勻網格係被安裝至加熱器組件中或導電絲配置係由以兩個側金屬板做為接觸件之網格所構成。考量到該導電絲配置之接觸及加熱以及一包括該導電絲配置之加熱器組件的組裝及使用,由於在該等側部中之界定開放區域,可以最佳化在該導電絲配置上之電阻。
依據本發明之導電絲配置的特徵可以在於它的電阻。在接觸區中之電阻係比使用金屬板做為接觸件時還高,但是在加熱區中之電阻可能是相同的或更高,此取決於例如用於中心加熱部中之網格密度而定。
有利地,用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件包括一基材,該基材具有一開口穿過該基材。依據本發明及在此所述之平板式導電絲配置延伸越過在該基材中之開口。該加熱器組件進一步包括將該平板式導電絲配置安裝至該基材之緊固件。
該緊固件本身可以是導電的及可以充當電接觸件,以便提供加熱電流通過該導電絲配置。
該緊固件可以是化學或機械式緊固件。該導電絲配置可以例如藉由接合或膠合來安裝至該基材。
較佳地,該緊固件係一機械式緊固件,例如,夾子、螺絲或形狀鎖定緊固件(form-forming fastener)。夾子及使用夾子將導電絲配置固定至加熱器基材之平板式加熱器組件已被詳細描述於國際專利公開第WO2015/117701號中。於此同時參考此國際專利公開第WO2015/117701號及將它與在此所使用及描述的加熱器組件及夾子相關的內容併入。
該緊固件可以是前述緊固件中之一或組合。
較佳地,該加熱器組件係平板式加熱器組件,較佳地,電阻加熱式流體可滲透平板加熱器組件。
依據本發明,亦提供一種電操作式氣溶膠產生系統。該系統包括一氣溶膠產生裝置及一包含一液體 氣溶膠形成基質之料匣。該系統進一步包括依據本發明及在此所述之流體可滲透加熱器組件或一包括用以加熱液體氣溶膠形成基質之依據本發明及在此所述的平板式導電絲配置之流體可滲透加熱器組件。
該料匣包括一具有一開口之外殼,該加熱器組件延伸越過該料匣之外殼的開口。該氣溶膠產生裝置包括一界定一用以容納該料匣之空腔的主體、一電源及用以連接該電源至該加熱器組件來加熱該導電絲配置之電接觸件。
較佳地,該料匣包括一包含有至少一氣溶膠生成物及一液體添加劑之液體。
已描述該氣溶膠產生系統之關於依據本發明的導電絲配置及依據本發明的加熱器組件之特徵及優點。
1‧‧‧網格配置
2‧‧‧側部
3‧‧‧中心部
4‧‧‧側部
6‧‧‧金屬片
11‧‧‧第一側表面
12‧‧‧第一過渡表面
13‧‧‧中心表面
14‧‧‧第二過渡表面
15‧‧‧第二側表面
20‧‧‧側部
21‧‧‧較小空隙
22‧‧‧壓縮側部
24‧‧‧接觸區域
28‧‧‧第一接觸點
30‧‧‧矩形空隙
32‧‧‧小過渡部
33‧‧‧中心區
35‧‧‧經向導電絲
36‧‧‧緯向導電絲
37‧‧‧橫向側區
38‧‧‧縱向中心部
48‧‧‧第二接觸點
50‧‧‧基板
51‧‧‧開口
52‧‧‧鑽孔
61‧‧‧鍍錫
85‧‧‧線
100‧‧‧縱軸線
101‧‧‧長度
511‧‧‧開放部
本發明進一步以針對下列圖式所說明之實施例進行描述,其中:圖1係一網格配置之示意圖;圖1a係圖1之網格配置的另一示意圖;圖2係一具有網格配置之加熱器組件的分解圖;圖3顯示圖2之已組裝網格加熱器組件;圖4顯示一具有網格配置之加熱器基材;圖5係圖4之放大圖;圖6顯示一網格配置之過渡及接觸部的放大圖; 圖7顯示一網格加熱器之一鍍錫接觸部;圖8係一網格配置之另一實施例的示意圖;圖9係在一導電絲配置(例如,圖1之導電絲配置)上之兩個接觸點間的一加熱器組件之網格密度的示意圖;圖9a係例如圖1之導電絲配置的網格密度之示意圖;圖10係在一加熱器組件上的電阻分佈之示意圖。
在圖1中,顯示一用於電阻加熱式平板流體可滲透加熱器之網格配置1。該網格配置具有矩形形狀,該矩形形狀具有一長度101(Lf)及包括一第一側部2、一中心部3及一第二側部4。該第一及第二側部2、4係設置在該中心部3之相對側上。該中心部係被設計做為該網格配置之主加熱區。在圖1中,該網格配置之3個部分具有矩形形狀且該兩個側部2、4具有相同的大小。
界定該第一及第二側部2、4之網格具有比界定該中心部3之網格還高的密度。較佳地,該等側部之網格的密度係相同的。該等側部之網格具有一由該等網格之導電絲間的空隙總和所構成之開放區域,該開放區域較佳地係小於該第一及第二側部之每一者的總面積之20%。因此,在該第一及第二側部2、4中,每一開放區域較佳地係約1mm2的最大值,該第一及第二側部之每一者的總大小係約5mm2
可以例如藉由一彈簧針(pogo pin)在如接觸點28、48所示之位置處接觸每一側或接觸部。在該等接觸點28、48上施加電壓。在該等側部2、4間流動之電流促使在該中心部3之網絲依據它的高中心電阻產生電阻加熱。
在圖1a中,顯示圖1之相同網格配置1。當設置在一加熱器組件中且以接觸點28及48接觸時,該導電絲配置之區域界定加熱器表面,每一表面延伸有該第一接觸點28與該第二接觸點48間之距離的20%。
在該第一與第二接觸點28、48間界定一縱軸線100,該縱軸線對應於該導電絲配置1之中心縱軸線。沿著該縱軸線100測量該加熱器表面之電阻(進一步參見下文)。
一第一側表面11從該第一接觸點28沿著該縱軸線朝該第二接觸點之方向延伸有該第一與第二接觸點28、48間之距離的20%。
一第一過渡表面12沿著該縱軸線在該第一與第二接觸點28、48間之距離的20%與40%之間延伸。
一中心表面13沿著該縱軸線在該第一與第二接觸點28、48間之距離的40%與60%之間延伸。
一第二過渡表面14沿著該縱軸線在該第一與第二接觸點28、48間之距離的60%與80%之間延伸。
一第二側表面15從該第一接觸點朝該第二接觸點之方向算起沿著該縱軸線在該第一與第二接觸點28、48間之距離的80%與100%之間延伸。
該中心表面13在它的整個表面上包括一低網格密度。
該第一及第二側表面11、15在它的整個表面上包括一高網格密度。
該第一及第二過渡表面12、14包括具有高網格密度之部分及低網格密度之部分。
圖2及圖3示意性地顯示一種具有一網格配置之平板式流體可滲透加熱器組件的組裝之範例。在圖2之加熱器的分解圖中,顯示一電絕緣基材50、一為網格配置1之形式的加熱器元件及導電絲配置以及兩個金屬片6。該等金屬片可能例如是錫片,用以改變連接器(例如,接觸針)與該網格配置1之側部20的電接觸。
該基材50具有圓盤形狀且包括一置中開口51。該基材包括斜對角設置且彼此相對之兩個鑽孔52在該基材中。該等鑽孔52可以用以將該加熱器組件定位及安裝在一氣溶膠產生裝置中。
該網格配置1包括一中心部3且在第2及3圖所示之實施例中,包括兩個聚醚醚酮(PEEK)包覆成型側部20。該網格配置係設置在正方形置中開口51上且在該基材50上。該網格配置之整個中心部3係位於該開口51上。該兩個側部20,特別是該等側部之以PEEK包覆成型且鍍錫(以該等金屬片6覆蓋)的那些部分係位於該基材50上。
該中心部3之網格的寬度係小於該開口51之寬度,以便在該中心部3之兩個橫向側邊上形成該開 口51之開放部511。該等開放部沒有被網格所覆蓋。該等側部之鍍錫密集網格形成比網格本身平坦的接觸區域24。該接觸區域24係設置成與該加熱器組件之基材50的上表面平行。來自例如電池之電連接器可利用該等接觸區域24接觸該加熱器組件。
圖3顯示在已組裝狀態中之圖2的加熱器組件。該網格配置1可以藉由機械手段或例如藉由黏著劑安裝至該基材50。
圖4顯示一安裝有一網格配置1之加熱器基材50。該網格配置係一矩形網格條,在該加熱器組件之接觸區域24中具有高密度網格及在其間所界定之該加熱器組件的加熱區中具有低密度網格。
在圖5中可以看得更清楚,圖5係圖4之細部的放大圖。該網格配置之中心部的低密度網格具有在微米範圍內(例如,70微米)的矩形空隙30。具有16微米之導電絲的線徑,該中心部之開放區域佔該中心部之總面積的約75%。
該網格配置之側部2的高密度網格具有約0.1微米x5微米的較小空隙21。具有16微米之導電絲直徑,該等側部之開放區域佔該等側部之每一者的總面積之約3%。
該網格配置係藉由不同編織方式一體成型的。
在整個導電絲配置上朝一編織方向之導電絲的數量係相同的。該編織方向對應於該導電絲配置之經 向,該經向對應於在該網格配置中之主電流流動方向。然而,在該等側部2中增加在緯向(垂直於經向)上導電絲之編織密度。在該等側部2、4中可以將在緯向上之導電絲間的距離減少至零。
在側部2與中心部3間沒有過渡部係存在於第4及5圖中之網格中。取決於生產模式而定,過渡部之網格密度可以包括密度梯度。較佳地,這樣的密度梯度從該中心部之網格的低密度平順地變化至該側部之網格的較高密度,反之亦然。
在圖6中,顯示在該中心部3與一壓縮側部22間之一小過渡部32。
已壓縮在該等側部22中之較高密度網格,以便改善網格之個別導電絲間的電接觸。經向導電絲35之導電絲間的距離係約25微米至75微米,在圖6中,約70微米。緯向導電絲36之導電絲間的距離為零。藉由以編織製造該導電絲配置,產生該等側部之開放區域。
為了改善該側部22之電接觸,如圖7所示,該壓縮側部22之最外部分係鍍錫的61。
圖8顯示一具有一第一側部2、一中間中心部3及一相對第二側部4之網格配置1。在該兩個側部2、4中之網格密度比在該中心部3中之網格密度還高。該網格配置1包括一沿著該網格配置1之縱向中心軸線設置的縱向中心部38。在此縱向中心部38中之網格密度比在該網格配置之橫向側區37中的外部網格密度還高。該縱向中心部38具有該網格配置1之總寬度的約50%至60%之寬度。
在該中心部之中心區33中的較高網格密度造成在此區域中之高功率密度及使主加熱區集中至該中心部3之此中心區33。由於在該網格配置之不同區中的不同網格密度,最高功率密度係在該中心部3之中間或中心區33中。在該中心部3之橫向側區37中的較低密度區域具有同樣高的電阻。以線85表示在該中心部3之寬度上的功率密度曲線。
該等側部2、4構成具有同樣低電阻之高密度網格接觸墊。電接觸件較佳地係在該等側部2、4之中心,其中,在該等側部中之電阻係最低的。
在該等圖式中所示之範例通常具有相同大小及相同網格密度或密度分佈之對稱側部。這樣的實施例簡化了加熱器組件之製造及對稱配置。然而,可以輕易地提供非對稱網格配置部分及網格梯度,以達成在網絲中之期望功率分佈規範。
在圖9中,顯示一種例如包括圖1a之網格配置的加熱器組件之開放區域分佈。垂直軸(O[%])表示在該導電絲配置之不同表面中的開放區域。水平軸(L[%])表示從該第一接觸點至該第二接觸點之縱軸線100上的位置。
在第一表面11中,開放區域S1OA係低的,其在圖9中被表示為5%。在中心表面13中,開放區域ScOA係高的,其在圖9中被表示為60%。在第二表面15中,開放區域S2OA又是低的,其在圖9中像在該第一表面11中被表示為5%。
在第一過渡表面12中,開放區域在該過渡表面12之整個長度上係有所不同的。起先,該過渡表面之開放區域T1OA係相同於該第一表面之開放區域S1OA。接著,該第一過渡表面之開放區域T1OA係與該中心表面之開放區域ScOA一樣高。
在該中心表面13與該第二表面15間所設置之第二過渡表面14係與該第一過渡表面12相對於該中心表面13成對稱。在該第二過渡表面14中,開放區域T2OA在該過渡表面14之整個長度上係有變化不同的。起先,該第二過渡表面之開放區域T2OA係與該中心表面之開放區域ScOA相同。接著,該第二過渡表面之開放區域係與該第二側表面之開放區域S2OA一樣高。
該導電絲配置係被界定成具有兩個表面11、15、兩個過渡表面12、14及一中心表面13,每一者沿著該導電絲配置之縱軸線100延伸有20%。
在圖9中,顯示一種導電絲配置,例如,圖1之網格配置的開放區域分佈。垂直軸表示在該導電絲配置之不同部分中的開放區域。該水平軸(Lf[%])表示在該縱軸線上沿著該導電絲配置之長度Lf的位置。
在第一側部2中,開放區域P1OA係低的,其在圖9中被表示為5%。在中心部3中,開放區域PcOA係高的,其在圖9中被表示為60%。在第二側部4中,開放區域P2OA又是低的,其在圖9中像在該第一側部2中被表示為5%。
該導電絲配置係被界定成具有兩個側部2、4及一中心部3。該等側部之每一者延伸有該導電絲配置之大小的約25%,以及該中心部延伸達到該導電絲配置之大小的約50%。
在圖10中,顯示在位置0%之第一接觸點與在位置100%之第二接觸點間沿著一加熱器組件之縱軸線100的電阻分佈之範例的示意圖。垂直軸表示該加熱器組件的電阻(R),其可高達至該加熱器組件之總電阻Rt。水平軸(L[%])表示從該第一接觸點至該第二接觸點之縱軸線上的位置。
在圖10之範例中,該加熱器組件包括一第一電阻R1,其存在於沿著該縱軸線之從位置0%之該第一接觸點開始朝該第二接觸點之方向的20%中。一第一過渡電阻R1tp係存在於沿著該縱軸線之20%與40%之間。一中心電阻Rc係存在於沿著該縱軸線且在該第一接觸點後之40%與60%之間。一第二過渡電阻R2tp係存在於沿著該縱軸線且在該第一接觸點後之60%與80%之間。一第二電阻係存在於80%至100%中,亦即,沿著該第一與第二接觸點間之縱軸線的該加熱器組件之最後20%中。
該加熱器組件係以該第一及第二接觸點來接觸,接著,允許電流流經該加熱器組件之導電絲配置。
該第一電阻R1可以高達至該總電阻Rt之13%的最大值及低至該總電阻Rt之0.5%。
該第一及第二過渡電阻R1tp、R2tp之每一者沒有高於中心電阻,以便防止在加熱器組件之過渡表面中的過度加熱。通常,該第一及第二過渡電阻R1tp、R2tp分別具有在該第一電阻R1與該中心電阻Rc之間或在該中心電阻Rc與該第二電阻R2之間的數值。該中心電阻Rc係該加熱器組件之總電阻Rt的約50%。較佳地,該中心電阻Rc係該總電阻Rt之50%以上。該第二電阻可以高達至該總電阻Rt之13%的最大值及低至該總電阻Rt之0.5%。
該第一及第二電阻R1、R2、該第一及第二過渡電阻R1tp、R2tp及該中心電阻Rc相加高達至該加熱器組件之總電阻Rt。
從該電阻分佈可顯而易知,導電絲配置之側部可以例如是較小的或較大的,具有較多且較小或較少且較大的開口,係較小的且具有較高網格密度或係較大的且具有較低網格密度,全部是為了達成在加熱器組件之表面中的相同或特定電阻規範。這樣的變化允許該導電絲配置及該加熱器組件之應用具有更大彈性。例如,使該導電絲配置及該加熱器組件適合於各種待霧化的液體,例如,多少有點黏稠的液體。
該導電絲配置可以輕易地適合於不同尺寸的加熱器或多少有點功率可用以加熱一包括該導電絲配置之加熱器的氣溶膠產生裝置。
1‧‧‧網格配置
11‧‧‧第一側表面
12‧‧‧第一過渡表面
13‧‧‧中心表面
14‧‧‧第二過渡表面
15‧‧‧第二側表面
28‧‧‧第一接觸點
48‧‧‧第二接觸點
100‧‧‧縱軸線

Claims (17)

  1. 一種用於氣溶膠產生系統之一流體可滲透加熱器組件的平板式導電絲配置,該平板式導電絲配置包括:一中心部及兩個側部,該兩個側部係被設置在該中心部之相對側上,其中,該中心部界定該平板式導電絲配置之一加熱區及該等側部界定該平板式導電絲配置之電接觸區;該中心部及該兩個側部之每一者包括複數個開口,該中心部之複數個開口界定該中心部之開放區域及每一側部之複數個開口界定該等側部之一開放區域;其中,該中心部之開放區域佔該中心部之總面積的百分比係大於該等側部中之一的開放區域佔該側部之總面積的百分比。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之平板式導電絲配置,其中該中心部之開放區域佔該中心部之總面積的百分比對該兩個側部中之一的開放區域佔該側部之總面積的百分比之比率係在1.1與30之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之平板式導電絲配置,其中該中心部之開放區域係在該中心部之總面積的40%與90%之間;以及其中,在該兩個側部之每一者中的開放區域係大於該兩個側部的每一者之總面積的3%且小於其40%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之平板式導電絲配置,其中,一過渡部係被設置在該兩個側部中之每一者與該 中心部之間,每一過渡部包括界定一開放區域之複數個開口,以及其中,在該過渡部各處之開放區域的分佈在該側部與該中心部間係有所不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之平板式導電絲配置,更包括一從該兩個側部中之一延伸越過該中心部至該兩個側部中之另一側部的中心縱向區,其中,該中心部在該中心縱向區內之開放區域佔該中心部之總面積的百分比係小於該中心部在該中心縱向區外之開放區域佔該中心部之總面積的百分比。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之平板式導電絲配置,其中該平板式導電絲配置係一網格配置,其中該中心部之網格及該第一及第二側部之網格的每一者包括一網格密度,其中,在該中心部中之網格密度係低於在該第一及第二側部之每一者中的網格密度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之平板式導電絲配置,其中,一網格密度梯度係位於該第一側部與該中心部之間及在該中心部與該第二側部之間。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之平板式導電絲配置,其中,該網格係被編織的,以及在該平板式導電絲配置之編織方向上,一固定數目的導電絲係沿著該平板式導電絲配置之整個長度以彼此相鄰來設置。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之平板式導電絲配置,其包括一從該兩個側部中之一者延伸越過該中心部至該兩個側部中之另一側部的中心縱向區,其中,該網格 係被編織的,以及在該平板式導電絲配置之編織方向上,在該中心縱向區內比在該中心縱向區外設置有更多的導電絲。
  10. 一種用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件,該流體可滲透加熱器組件包括如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之平板式導電絲配置;以及一第一接觸點及一第二接觸點,其用以電接觸該平板式導電絲配置,其中,一縱軸線被界定在該第一接觸點與該第二接觸點之間,其中,一中心表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的40%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的60%之距離處,其中,一第一側表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第一接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的20%之距離的點處相交之兩條線間延伸的該加熱器組件之區域,其中,一第二側表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在該第二接觸點與一設置在該縱軸線上且位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的80%之距離的點處相交之兩條線間的該加熱器組件之區域, 其中,該中心表面包括界定一開放區域之複數個開口,該第一側表面包括界定一開放區域之複數個開口,以及該第二側表面包括界定一開放區域之複數個開口,以及其中,該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比係大於該第一側表面之開放區域佔該第一側表面之總面積的百分比及其中,該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比係大於該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之加熱器組件,其中,該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比對該第一側表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比之比率係在1.1與30之間,以及其中,該中心表面之開放區域佔該中心表面之總面積的百分比對該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比之比率係在1.1與30之間。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之加熱器組件,其中,該中心表面之開放區域係在該中心表面之總面積的40%與90%之間;以及其中,在該兩個側表面之每一者中的開放區域係大於該兩個側表面之總面積中的每一者之3%且小於其40%。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之加熱器組件,其進一步包括: 一第一過渡表面,該第一過渡表面係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的20%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的40%之距離處;一第二過渡表面,其係在與該縱軸線垂直且與該縱軸線在設置在該縱軸線上之兩點處相交的兩條線間延伸之該加熱器組件的區域,該兩點中之一係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的60%之距離處,該兩點中之另一點係位於離該第一接觸點相等於該第一與該第二接觸點間之距離的80%之距離處,其中,該第一過渡表面包括界定一開放區域之複數個開口,以及該第二過渡表面包括界定一開放區域之複數個開口,其中,該第一過渡表面之開放區域佔該第一過渡表面之總面積的百分比對該第一側表面之開放區域佔該第一側表面之總面積的百分比之比率係在1與30之間,其中,該第二過渡表面之開放區域佔該第二過渡表面之總面積的百分比對該第二側表面之開放區域佔該第二側表面之總面積的百分比之比率係在1與30之間。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之加熱器組件,其中,一中心電阻(Rc)係沿著該縱軸線之該中心表面的電阻,其中,一第一電阻(R1)係沿著該縱軸線之該第一側表面的電阻,其中,一第二電阻(R2)係沿著該縱軸線之該第二側表面的電阻,以及其中,該中心電阻對該第一電阻之比率(Rc/R1)係在2與400之間,以及其中該中心電阻對該第二電阻之比率(Rc/R2)係在2與400之間。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之加熱器組件,其中,一對應於該第一接觸點與該第二接觸點間之電阻的總電阻(Rt)係在0.5歐姆與4歐姆之間,其中,該中心電阻(Rc)係高於0.5歐姆,其中,該第一電阻(R1)及該第二電阻(R2)之每一者係低於100毫歐姆。
  16. 如申請專利範圍第10至15項中任一項所述之加熱器組件,其包括一基材,該基材具有一穿過該基材之開口,其中,該平板式導電絲配置在該基材中延伸越過該開口;以及一緊固件,其安裝該平板式導電絲配置至該基材。
  17. 一種電操作式氣溶膠產生系統,其包括:一氣溶膠產生裝置及一包含一液體氣溶膠形成基質之料匣;如申請專利範圍第10至16項中任一項所述之流體可滲透加熱器組件或一流體可滲透加熱器組件,其包括如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之平板式導電絲配置, 其中,該料匣包括一具有一開口之外殼,該加熱器組件延伸越過該料匣之外殼的開口,以及其中,該氣溶膠產生裝置包括一界定一用以容納該料匣之空腔的主體、一電源及用以連接該電源至該加熱器組件之電接觸件。
TW106117198A 2016-05-31 2017-05-24 用於氣溶膠產生系統之流體可滲透加熱器組件、用於流體可滲透加熱器組件之平板式導電絲配置及電操作式氣溶膠產生系統 TWI736626B (zh)

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