TWI706651B - 計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件 - Google Patents

計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件 Download PDF

Info

Publication number
TWI706651B
TWI706651B TW105134019A TW105134019A TWI706651B TW I706651 B TWI706651 B TW I706651B TW 105134019 A TW105134019 A TW 105134019A TW 105134019 A TW105134019 A TW 105134019A TW I706651 B TWI706651 B TW I706651B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radio
package
cable
coupled
die
Prior art date
Application number
TW105134019A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201722122A (zh
Inventor
泰勒斯弗 坎嘉因
理查 J. 迪奇勒
Original Assignee
美商英特爾公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商英特爾公司 filed Critical 美商英特爾公司
Publication of TW201722122A publication Critical patent/TW201722122A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI706651B publication Critical patent/TWI706651B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/087—Transitions to a dielectric waveguide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H01L2223/6633—Transition between different waveguide types
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06565—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices having the same size and there being no auxiliary carrier between the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572—Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H01L2225/06586—Housing with external bump or bump-like connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04—Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/045—Hierarchy auxiliary PCB, i.e. more than two levels of hierarchy for daughter PCBs are important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04—Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/046—Planar parts of folded PCBs making an angle relative to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10522—Adjacent components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/1053—Mounted components directly electrically connected to each other, i.e. not via the PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

無線互連件顯示於可撓性電纜上用在計算平台間通訊。一個實例具有一積體電路晶片，攜載該積體電路晶片的一封裝件基材，該封裝件基材具有傳導連接器用以連結該積體電路晶片到外部組件，於一端耦合至該積體電路晶片的在該封裝件基材上之一電纜，於該另一端耦合至該電纜的在該電纜上之一無線電晶片，用以調變在一載波上的資料及用以發射該經調變的資料之該無線電晶片，及耦合至一介電波導用以接收來自該無線電該經發射的該經調變的資料及用以將該資料耦合入該波導的一過渡波導，該波導用以攜載該經調變的資料到一外部組件。

Description

計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件
發明領域 本文揭示係有關於一計算系統中的裝置間之通訊，及特別，係有關於通過波導及一可撓性電纜介面間之無線電通訊。
發明背景 於許多電腦系統中，多個積體電路晶片彼此通訊來進行經規劃的操作。不同晶片可包括中央處理單元、高速記憶體、大容量儲存裝置、晶片組、視訊處理器、及輸入/輸出介面。若干電腦可具有多於一個此等種類之晶片中之各種晶片。傳統上晶片係直接地或經由插座或子卡安裝至主機板或系統板。
傳統上晶片係使用銅互連件或鏈路通訊，該等銅互連件或鏈路行進通過晶片的封裝件通孔，通過插座，通過平台主機板，及然後通過下一個晶片的插座(或其它互連件)及封裝件返回。於另一個變化例中，可撓性連接器電纜係直接連結於兩個不同封裝件間以繞過插座及平台主機板。如此提供更直接的路徑，有更少介面通過不同連結。
針對高性能計算及伺服器平台，晶片封裝件與其它周邊或並聯計算系統間之通訊速度可限制總體系統性能。傳統上用來將晶片連結到主機板或系統板的插座具有有限的資料率，原因在於一信號從一個晶片前進到下一個晶片通過封裝件、插座、系統板、及直到通過另一個插座到另一個晶片的許多介面。針對通過伺服器背板連結的伺服器，一信號可從一個晶片前進到另一個伺服器，通過封裝件、插座、系統板、及然後前進到伺服器背板，或通過主機板到背板。可以有額外信號介面來從伺服器背板連結到信號的目的地。此等資料信號線也要求插座中及系統板中的實體空間。
有多個並聯連接器的可撓性電纜或光纖被使用來在相同的或另一個殼體中的CPU間及在機架系統中的機架間歷經短距離傳導資料信號。電纜及光纖也被使用來在CPU與另一個組件間傳導信號。晶片插入系統板的插座之後，可撓性電纜直接附接到晶片封裝件。封裝件基材在一或多個緣上有電纜連接器，及各個連接器附接有一電纜。電纜將兩個不同的晶片封裝件連接在一起或連結到伺服器板。如此避免信號路由通過插座。用於較長距離，可使用光互連件。以相同方式，封裝件首先插入系統板的插座。封裝件包括在封裝件基材邊緣上的光纖連接器，及光纖直接連結到封裝件基材。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種設備，其包含：一積體電路晶片；攜載該積體電路晶片的一封裝件基材，該封裝件基材具有傳導連接器用以連結該積體電路晶片至外部組件；於一端耦合至該積體電路晶片的在該封裝件基材上之一電纜；於另一端耦合至該電纜的在該電纜上之一無線電晶片，該無線電晶片用以調變在一載波上的資料及用以發射該經調變的資料；以及耦合至一介電波導用以接收來自該無線電該經發射之該經調變的資料及用以將該經調變的資料耦合入該波導的一過渡波導，該波導用以攜載該經調變的資料一外部組件。
較佳實施例之詳細說明 廉價高頻毫米波電路能夠用來在矽資料處理裝置間通訊高頻寬資料。該通訊可以無線通過自由空間或通過介電波導。如此免除了電纜與光纖總成的體積龐大的昂貴的且精準的對齊。來自散熱座或其它物體的阻塞可能妨礙無線信號傳播。於若干系統中，無法取得視線路徑。也可能有歷經通過自由空間路徑之距離的顯著衰減。
本文描述的系統對平台阻塞，諸如散熱座、安裝的硬體、及風扇為較不敏感。系統也可組合其它已知信號傳送機制諸如介電波導來許可中距離諸如組件機架內部的信號傳輸。
如本文描述，可撓性電纜可使用來逃避可能以其它方式阻擋無線高速信號的阻塞。無線互連件附接到可撓性電纜末端來將該等信號耦合至低損耗介電波導集束。為了進一步縮小體積及減低對齊成本，無線互連件模組可安裝至或部分地整合入可撓性電纜。
本文描述的系統通常具有全部無線互連件的效果，但藉由使用毫米波射頻，信號可視需要地接受波束操縱或反射。可撓性介電電纜允許設計師調整互連件的方向性而與傳輸束因數獨立無關。波導至天線耦合極其寬容。雖然光纖及光子學要求昂貴的精密微米級對齊，但可使用可撓性電纜作為極為廉價的延伸來將平台底盤或機殼外部的信號傳來供機架間及機架內應用。
本文描述的系統可調整適用於多種不同系統，包括具有跳台板封裝件及多個Gbps資料鏈路的伺服器平台。使用天線矩陣，無線連結為可擴充性，及允許使用有或無介電波導的多個鏈路進行多Gbps資料移轉。
圖1為使用天線用於晶片對晶片通訊或封裝件對封裝件通訊的無線互連件的一個實例之概略側視剖面圖。第一102及第二104積體電路(IC)晶片封裝件各自使用焊料球陣列或任何其它期望的系統安裝到印刷電路板(PCB)110，諸如主機板、系統或邏輯板、或子卡。封裝件102、104係透過在PCB上或內的線跡(未顯示於圖中)而電氣連結到外部組件、電源、及任何其它期望的裝置。晶片也可經由PCB而連結彼此。取決於特定實施例，封裝件可使用插座(未顯示於圖中)安裝到PCB。
第一及第二晶片封裝件於本文中討論為中央處理單元封裝件，及特別地，伺服器CPU封裝件。然而，本文描述的技術及組態可應用至高速通訊鏈路可能適合的許多不同類型的晶片。於若干實施例中，晶片可包括許多不同功能，諸如單晶片系統(SoC)。此外，各個封裝件可含有許多不同晶片，諸如多晶片封裝件或系統級封裝(SiP)。於其它實施例中，晶片可以是記憶體、通訊介面中樞器、儲存裝置、共處理器或任何其它期望類型的晶片。此外，兩個晶片封裝件可以不同，使得例如一者可以是CPU及另一者可以是記憶體或晶片組。
各個封裝件102、104也經由可撓性連接器106、108連結到個別無線電112、114。可撓性連接器可以是多種不同類型連接器中之任一者。一型連接器為具有一串列扁平或圓形銅或被覆銅導體，自連接器的一端延伸到另一端的扁平可撓性連接器。導體可以使用聚酯、聚醯亞胺、或其它聚合物絕緣，其也形成電纜的本體。如同許多不同類型的電纜連接器般，扁平銅導體容易被刺穿絕緣而接近。導體可使用另一接地傳導層或使用同軸組態屏蔽來減少長而平行導體間的串擾。
無線電可由單一晶粒或帶有多晶粒的封裝件或使用其它技術形成。各個無線電係安裝到可撓性連接器在到另一個封裝件的視線以內靠近封裝件邊緣。各個封裝件可包括銅線跡、線路、或層來針對資料及控制信號，連接晶片的特定接點、襯墊、或焊料球到可撓性連接器。無線電晶粒也可直接連結到可撓性連接器以從封裝件接收電力及其它信號。另外，無線電晶粒可通過連接到PCB的封裝件而自外部來源獲得電力。
天線或天線陣列116、118也安裝到可撓性連接器及通過可撓性連接器耦合至無線電。於此一實例中，天線係附接到可撓性連接器與無線電晶粒的對側，然而，無線電晶粒也可安裝到可撓性連接器的同側上。運用可操縱陣列，天線可經操縱而在兩個封裝件間建立鏈路，與其它附近封裝件建立鏈路，及從一個封裝件切換到另一個封裝件。天線間之短距離允許兩個晶片間之低功率及低雜訊連結。無線互連件減低插座的複雜度及主機板用於計算平台的複雜度。
圖式左側上的第一封裝件102表示由散熱座120覆蓋的SoC晶片或晶片堆疊。晶片堆疊包括由散熱片132覆蓋的單一積體電路晶粒130以從該晶粒汲取熱量到散熱座120。晶粒係在安裝於可撓性連接器106的封裝件基材134上組裝。可撓性連接器夠長而能夠延伸超出散熱座下方的散熱片，及超出散熱座。封裝件基材係使用焊料球或接點或襯墊陣列而安裝到可撓性電纜，及可撓性電纜係使用另一個焊料球或接點或襯墊陣列而安裝到主機板110。可撓性電纜具有金屬線路或通孔以透過可撓性電纜連接封裝件基材上的連接點到主機板。結構可被保留使得可撓性電纜在該晶粒與封裝件基材間直接附接到晶粒。如同許多其它結構，然後封裝件基材附接到主機板。
毫米(mm)-波互連件包括附接到可撓性電纜106背側的收發器或無線電晶粒112，及整合入可撓性電纜中的天線116。為了用於例示，可撓性電氣電纜係在肘部122彎折90度以達成兩個封裝件的天線116、118間之較佳的信號傳播。如圖顯示，自水平至垂直的變化可以是急劇或徐緩彎曲。晶粒具有從晶粒通過封裝件基材到可撓性電纜的資料信號之路徑。可撓性電纜上或內的線跡或導線層136連結晶粒到無線電晶粒112。然後，此信號也可被編碼、調變、升頻轉換、及耦合至天線116。可撓性電纜也攜載發射電力及處理電力給無線電晶粒及天線。取決於特定實施例，此電力可自主機板或自晶粒供給。
可撓性電纜可以多種不同方式固定定位。於若干實施例中，機械夾具(未顯示於圖中)係附接到散熱座及用來將可撓性連接器維持於期望的方位。於具體實施例中，針對左側封裝件102的電纜106係背靠散熱座120的外部垂直壁固定。如此允許天線被安裝至電纜，及水平導向朝向其它封裝件。在安裝於系統板上之前，晶粒、基材、電纜、天線、及散熱座可被組裝成單一封裝件。如此免除了，如同針對光纖或有線連結要求者，附接電纜或其它結構到封裝件的任何需求。
接收封裝件104可以是單一晶粒，或多個晶粒140，包括多個組裝封裝件(如圖顯示)上的晶粒堆疊，諸如堆疊式封裝(PoP)總成。於此種情況下，四個晶粒彼此向上堆疊及使用貫穿矽通孔142通過中間晶粒連結。底晶粒耦合至封裝件基材144，其連結晶粒至主機板。晶粒可使用中間轉置件或中介件或基材連結。
可撓性電纜108可附接到在堆疊的頂部、底部或中央的經堆疊晶粒140中之任一者。於具體實施例中，可撓性電纜係附接到兩個晶粒間。如此允許該等晶粒中之二者直接連結到電纜。其它晶粒可通過堆疊中的其它晶粒連結。連結可藉接點柵格、球柵、焊料球或若干其它類型的陣列達成。可撓性電纜一端附接到晶粒及另一端附接到機械固定件146。如圖顯示，機械固定件可直接安裝至系統板來達成期望的方位及信號傳輸速率；或可安裝於晶粒堆疊總成的基材或包括散熱座的任何其它期望的結構上。於此一實例中，然後可撓性電纜之末端通過無線電晶粒及天線至主機板110。電纜可附接到主機板，使得電纜上從主機板到無線電晶粒的線跡148可用來供應電力、接地、控制信號、或甚至用於傳輸的額外資料。
可撓性電纜具有佈線層或線跡148來連結晶粒到無線電晶粒114。無線電晶粒的一側上附接到電纜，而另一側附接到天線。容後詳述，可有遠多於一個無線電附接到電纜。可撓性電纜係通過無線電晶粒附接到安裝固定件。更明確言之，無線電晶粒的一側上附接到電纜，而另一側附接到固定件。無線電晶粒提供硬質表面使其本身可供附接，但取決於特定實施例，可使用任何其它附接。
雖然可使用不同頻率來適合特定實施例，但毫米波及次-THz頻率許可讓天線夠小而可整合於通常使用於晶片的相同封裝件上。天線也可使用封裝件基材的製造上使用的相同材料製成而仍然具有良好的電氣性能。
於若干實施例中，伺服器可以多個CPU組成。各個CPU可安裝於具有多個並聯無線電晶粒及天線集合的封裝件，來提供伺服器內部在兩個CPU間的多個並聯通道。小型天線尺寸使得mm-波信號能夠允許針對該等CPU中之一者的封裝件之各個天線被導向針對另一個CPU的封裝件上對應天線。此種組態可使用來組合並聯無線電連結及提供每秒兆位元(Tbps)資料率。
於若干實施例中，可使用寬頻無線互連件。舉例言之，無線電於100-140 GHz的無線電頻率範圍操作，包括阻擋區段的各個天線大小可小抵1.25x1.25毫米至2.5x2.5毫米。實際天線甚至可更小。考慮可撓性電纜寬度，多個無線電晶粒可置放橫跨單一電纜表面。如此讓各自歷短距離各自攜載40-80 Gb/s的多個並聯的分開的鏈路有空間。每鏈路資料率可進一步藉使用進階調變方案而予增高。分開的鏈路可全部使用來與單一第二封裝件通訊，如於圖1中顯示，或可有不同封裝件天線置放於封裝件的不同天線旁。如此允許封裝件使用不同的鏈路與不同的晶片通訊。
除了圖1的簡單點對點連結之外，不使用外部交換器矩陣也可提供點對多點傳輸。多個晶片封裝件之天線可位在CPU封裝件中之一者的一天線或多天線的範圍以內。多個晶片封裝件可全部同時接收來自CPU封裝件的相同信號。為了控制多個晶片封裝件中之哪一者接收到傳輸，無線電及天線系統可包括波束操縱。
圖2為無線互連件的另一個組態之側視剖面圖。於此一實施例中，撓性件上的無線互連件係組合反射器使用來許可非視線(NLOS)信號傳輸。如圖顯示，第一202及第二204封裝件各自安裝於主機板210。各個封裝件包括一可撓性電纜206、208，其一端耦合至晶粒堆疊封裝件的一或多個晶粒，而另一端連結到個別無線電晶粒212、214。各個無線電晶粒212、214連結到個別天線216、218。天線經置放以提供明確的直接的無線連結到反射器220。晶粒堆疊封裝件及系統板全部皆包圍在含有其它組件222的底盤或殼體內部。於某些情況下，其它組件位在天線間。反射器安裝到底盤的內側壁，但可安裝至另一個結構，因而自一個天線封裝件反射信號到另一者。
如圖顯示，可撓性電纜及天線安裝可呈多種不同形式中之任一者。該圖左側上，可撓性電纜彎折而背靠系統板橫躺。電纜可藉夾具、固定件、黏著劑、或其它結構固定。電纜的一側背靠系統板平躺，電纜的另一側面向上而遠離該系統板。天線係安裝於面向上該側，其允許天線通過反射器連結。天線可被導向反射器，或具有波束夠寬而到達反射器及若干其它結構，包括另一個反射器(未顯示於圖中)。無線電晶粒212並非與電纜上的天線相對，原因在於電纜係背靠系統板，但無線電晶粒可安裝至系統板及電纜附接其上方。於此一實例中，無線電晶粒係在電纜的對側，但天線至電纜部件隔開，於該處有無線電晶粒的空間。無線電晶粒與天線係透過電纜連接。
於該圖右側上，固定件224附接到接近晶粒堆疊封裝件的系統板。類似的結構顯示於圖1。固定件將電纜固定定位，使得在電纜一側上的無線電晶粒受保護，而電纜的另一側係朝向適當方向。天線附接固定件將電纜固定定位及控制天線的方向。雖然圖1及圖2右側上的結構顯然類似，但無線電波的傳播顯然不同。以圖1為例，無線電信號水平傳播，而於圖2中無線電信號垂直傳播。此點可能原因在於天線不同而於不同方向導引信號故。也可能原因在於二天線產生極寬的波束，該波束同時涵蓋兩個方向，而圖中只顯示關注方向。
於若干實施例中，天線也可以可操縱陣列組態排列。波束操縱演算法可於天線陣列施加到無線電信號來界定操縱角。然後，波束主瓣可指向非垂直天線表面的方向。如此允許更簡單的天線配置，及其允許使用單一無線電及天線將資料發送給在不同位置的不同外部組件。
封裝系統可呈多種不同形式中之任一者。封裝件中之一或二者可以是含有單晶片系統(SoC)或CPU封裝件202、204的微電子模組。可撓性電纜攜載毫米波或次THz收發器晶片(無線電)212、214及整合式天線216、218。額外晶粒及其它支援組件諸如被動組件及連接器也可組裝至封裝件基材206、208上。SoC晶粒典型地經設計及實施於低電阻係數數位矽上，也可包括出現於無線模組的基頻部分的典型功能。如圖顯示，若收發器或無線電晶粒實施為分開晶粒，則其可實施於高電阻率數位矽中或實施於任何其它類型的射頻(RF)半導體基材上，包括砷化鎵、氮化鎵、及某些聚合物。
無線互連系統包括收發器晶片212、214、電纜上天線216、218及可撓性電纜206、208用以連結收發器晶片到主晶片及到天線。無線傳輸也使用在另一個封裝件上的無線接收器。接收器系統可以是發射器的鏡像。用於雙向傳輸，毫米波/次THz收發器可具有發射及接收鏈接兩者。
圖3為可使用於本文描述的無線互連件之收發器或無線電晶片系統架構及被連結組件的一實施之方塊圖。取決於特定實施例，收發器晶片可呈多種其它形式及可包括額外功能。此種無線電設計僅提供為一實例。無線電晶片350安裝至封裝件基材352，如於圖1中顯示，一次整合式電路晶粒或晶片202、203也安裝至該基材。基材352係安裝至PCB或主機板。無線電封裝件可包括本地振盪器(LO)302或連結到外部LO及選擇性地交換器，交換器允許使用外部LO饋給替代或除外內部LO。LO信號可通過放大器及乘法器，諸如主動倍增器308及0/90度正交岔路接頭310以驅動升頻轉換器及混合器314。
接收(RX)鏈接320可含有接收天線356於封裝件中耦合至低雜訊放大器(LNA)322，及寬帶基頻(BB)放大鏈接324帶有用於類比至數位轉換的降頻轉換器312。發射(TX)鏈接340可包括BB數位驅動裝置鏈接342到升頻轉換器314，及功率放大器(PA)344到發射天線358。可有多個發射及接收鏈接來同時透過多個通道發射及接收。取決於特定實施例，各種通道可以不同方式組合或聯合。
TX及RX鏈接兩者皆係通過基材耦合至天線。如圖顯示，可有針對TX及RX的單一天線，或可有分開TX及RX天線。天線可經設計具有不同的輻射樣式來適合不同的無線連結。於若干實施例中，第一晶片的天線可具有寬波束發射及接收樣式。如此允許晶片與在主機板上不同位置的多個天線通訊。另一方面，第二晶片的天線可具有窄波束發射及接收樣式。如此允許功率集中在單一方向用來只與另一個裝置通訊。
圖4為於單一微伺服器封裝件上多個無線互連件實施之一實例的頂視圖。於此一實例中，使用分開的天線來發射及接收，但也可能在TX與RX鏈接間分享天線。取決於載波頻率、期望增益、及傳輸範圍，天線尺寸可從1.25x1.25毫米或以下變化至2.5x2.5毫米或以上。透過調變方案或頻率帶寬的增加，資料率可進一步提高。
單一積體電路晶片或晶粒402包括處理及基頻系統兩者，且係安裝至封裝件404。晶片的基頻段透過封裝件上線跡430耦合至無線電晶片或晶粒，其又轉而透過封裝件耦合至天線。於此一實例中，晶粒積體電路晶片為伺服器的CPU且為矩形。在CPU的四邊之各邊上有無線電晶片。附圖圖式中顯示為上、左、及下的各邊具有個別無線電424、410、420耦合至個別TX，RX天線對426、412、422。顯示為右邊的該邊顯示有各自連接到一個別天線對的五個無線電。各邊上的無線電及天線的數目可基於各方向的通訊速率需要而決定。
伺服器封裝件上可能需要極少的高速鏈路。單一鏈路能夠橫跨數厘米(cm)距離傳遞超過40 Gb/s的資料率。用於高達50-100 cm的傳輸距離，資料率又可約為5-10 Gb/s。
圖4顯示實施於一個封裝件同側上的許多無線鏈路。如此允許提高聚合資料率。另外，資料可被發送到於大致相同方向的其它裝置。無線電晶片及天線兩者置放朝向封裝件邊緣以限制來自散熱座及散熱片的無線電路徑中的阻塞。一般而言，銅線跡基頻信號的損耗係遠低於針對RF信號通過相同銅線跡的損耗。結果，無線電晶片可維持極為接近天線。如此限制了因RF路由通過基材所致的電氣信號及電力損耗。無線電晶片可以任何期望方式安裝至封裝件上，及甚至可嵌合於或成為基材的部件。藉由使用多個無線電，封裝件上毫米波無線互連件可按比例放大規模用於極高資料率應用。此點於系統中為有用，諸如伺服器及媒體紀錄、處理、及編輯系統。如圖顯示，多個鏈路可被放置在一起以達成接近Tb/s的資料率。
雖然圖4顯示附接到封裝件基材的獨立無線電及天線，但相同原理可施加至可撓性電纜。如圖1及2中顯示，可撓性電纜附接到封裝件基材的一邊或多邊上，及於不同方向延伸歷經距封裝件短距離。圖4中顯示的數目或更大數目的無線電及天線可附接到電纜末端用以將信號耦合入波導。該等技術可經組合，使得單一封裝件安裝若干無線電，如圖4顯示，及也安裝一或多個可撓性電纜，如於圖1中顯示。
圖5為可使用如本文描述的無線連結實施的多個高速介面之計算系統500的方塊圖。計算系統可被實施為伺服器、微伺服器、工作站、或其它計算裝置。系統具有兩個處理器504、506有多個處理核心，但取決於特定實施例可使用更多個處理器。處理器透過適當互連件諸如本文描述的無線互連件耦合在一起。處理器各自使用適當連結，諸如本文描述的無線連結而耦合至個別動態隨機存取記憶體(DRAM)模組508、510。處理器也各自耦合至周邊組件互連(PCI)介面512、514。此種連結也可以是有線或無線。
PCI介面允許連結到多種高速額外組件，諸如圖形處理器516及用於顯示器、儲存裝置及I/O的其它高速I/O系統。圖形處理器驅動顯示器518。另外，圖形處理器為該等處理器中之一或二者的核心或晶粒。圖形處理器也可透過晶片組而耦合至不同介面。
處理器兩者也耦合至晶片組502，其針對許多其它介面及連結提供單一接點。至晶片組的連結也可以是有線或無線，該等處理器中之一或二者可連結到晶片組，取決於實施例。如圖顯示，處理器504可具有無線連結到一或多個處理器506、記憶體508、周邊組件512、及晶片組502。此等連結也可以是無線，如由圖4的多個無線電及天線提示。另外，此等連結中之部分可以是有線。處理器可有多個無線鏈路至其它處理器。同理，晶片組502可具有無線連結到處理器中之一或多者，以及連結到各種周邊介面，如圖顯示。
晶片組耦合至通用串列匯流排(USB)介面520，其可提供連結到多個其它裝置包括使用者介面534的埠。晶片組可連結到串列進階技術附接(SATA)介面522、524，其可針對大容量儲存裝置536或其它裝置提供埠。晶片組可以用於額外大容量儲存裝置528、額外PCI介面530及通訊介面532，諸如乙太網路、或任何其它期望的有線或無線介面的埠而連結到其它高速介面，諸如串列附接小電腦串列介面(SAS)介面526。所描述組件全部安裝到一或多個板及卡來提供所描述的連結。
圖6為具有散熱座及比先前實例更長的可撓性電纜之插在插座內的封裝件之側視圖。可撓性電纜602於一端上連結到晶粒604，諸如CPU、並串轉換器/解並串轉換器(SerDes)、或其它信號處理、介面、或儲存裝置晶粒。晶粒係附接到封裝件基材606或任何其它合宜的載具來連結該晶粒到用於資料及電力的外部組件。於此一實例中，晶粒以整合式散熱片608覆蓋來從晶粒汲取熱量。更大型散熱座610或其它冷卻器係熱耦合至散熱片來冷卻晶粒。然而，取決於特定實施例，可使用其它類型的封裝及冷卻。基材座落在插座612內來將晶粒固定定位，及插座係安裝至系統板614以將封裝件晶粒連結到其它組件。
無線互連模組620係安裝至可撓性電纜的另一端上。電纜的此一第二端可附接到伺服器機架(未顯示於圖中)以使其能做機架內及機架間的資料移轉。無線模組可製造在多層封裝件基材628上，及包括數個無線電收發器620。無線電收發器可以是覆晶(FC)組裝或嵌入封裝件基材內部。另外，各個無線電晶粒可分開地附接到電纜。各個無線電收發器連結到一小子集的天線622。如圖顯示，天線可以是封裝件上或電纜上的補綴、襯墊、或金屬片，及經由封裝件連結到個別無線電晶粒。另可使用更複雜的天線類型。多個平行聚焦波束可由平行天線陣列產生。信號波束透過對應波導耦合器624耦合入一集束介電波導626。透過該等波導，信號被傳送到類似所顯示的另一個無線互連件的接收端。接收無線互連件可在伺服器群內部的相同機架上或不同機架上。
雖然本文描述係就從晶粒到遠端互連件的信號說明。經由往復，類似信號也可經由波導接收自遠端組件，及耦合入天線內部欲由無線電晶粒接收，及經由電纜傳遞到晶粒。
此種端對端平台具有在連結到低成本塑膠波導626的可撓性電纜602上的無線互連件624。任何合宜的可撓性基材可使用於電纜及封裝件基材628。電纜可由塑膠、金屬、或其它材料製成。電纜係以光學或電氣連接器的相同方式，諸如經由封裝件基材中的線跡而連結到CPU晶粒604。於此種情況下，無線互連件包括有多個無線電晶片620的多個晶片封裝件。各個晶片驅動一天線622子集，產生高度指向性波束，其藉耦合器624而耦合入個別介電波導626內。
圖7為圖6之多無線電封裝件基材628的頂視圖。於此一實施例中，封裝件為矩形及通過電纜602自CPU 604接收電氣信號。該封裝件在附接到封裝件背側上的小型矽晶片中具有毫米波收發器620。此一封裝件上顯示16個此種晶片，各自有四個天線。特定數目及尺寸可經調整來適合不同的實施例。16個晶片允許在64個不同波導中的64個不同無線電通道。使用晶片與天線組合的波束形成可使用來允許N個不同通道，1≤N≤64。無線電晶片可安裝於封裝件基材的背側上，如圖顯示嵌置於封裝件基材中，或安裝於前側上。前側位置減少了天線的可用空間。
圖8為參考一集束介電波導630配置的圖7之封裝件628的前側之等角視圖。封裝件具有在各個天線上方的塑膠介電波導或管，其自各個封裝件天線622擷取電磁能。管可由多種不同塑膠中之任一者，諸如聚四氟乙烯製成。管透過變換而連結入各個對應介電波導626。為了容易操作及穩定，波導包裹在一起。如圖顯示，包裹包括第一層電介質634，其由第二層電介質636覆蓋，其由一層金屬638覆蓋。該集束顯示為水平，各集束中有一列波導，但也可使用不同組態。
介電波導的包裹可使用不同的傳導材料及不同的介電材料形成。電介質可由具有不同的介電常數、損耗正切、及其它性質的多種不同塑膠及其它材料形成。於若干實施例中，最內側材料具有低k材料，外部材料為高k材料。其它實施例可以相反。於若干實施例中，外包裹638可以是非傳導介電材料或摻雜聚合物。另外，另一個包裹可以是在介電下一層636頂上的連續傳導片或小型傳導補綴。傳導補綴可使用來提供個別波導集束間之隔離，帶有趨膚效應損耗的減少。傳導補綴的大小及其間間隔可依關注波長的分量決定。
集束可經配置使得各個集束連結CPU到不同的外部組件。另外，全部集束可連結到相同的組件。此種精簡直接的波導連結以1米長的波導能夠發射6 Gb/s或以上。即使2米長，資料率也幾乎等高。如圖顯示，使用64波導，歷1米的資料率可以是384 Gb/s或以上。介電集束可通訊到同一個機殼中的其它組件，或通訊到在相同或附近設備機架中的附近機殼中的組件。通訊為高資料率及低功率，使其適合用於微伺服器，也可施加至機架級架構(RSA)以及百億億級(ExaScale)系統。
圖9為一等角視圖，其顯示可使用於不同樣式的多晶片無線電封裝件及用於下游連接器的介電波導連接器及集束上的變化。連接器頭部650係由可彎塑膠或其它材料製成。介電波導654係以耦合器656為終端，其係經由連接器而插入孔652內。耦合器具有肋部來接合孔的側面，及具有過渡波導來導引無線電波自天線至波導內。一集合之固定螺絲658可使用來將連接器固定至固定件且與天線通訊。連接器的形狀為粗略六角形來以粗略圓形圖案攜載20或以上個波導。相似類型的連接器可使用於圖7及圖8之實例中來將波導固定在一起及將其背向多個多無線電晶片封裝件628加壓。
圖10為等角視圖其顯示介電波導連接器及集束上的另一項變化。於此種情況下，線性連接器660固定單一列介電波導666。此等波導具有在各端的耦合器662以將波導附接到連接器及將無線電信號從過渡波導至天線。另外，此等連接器可使用來將兩個波導長度連結在一起。在該列波導任一側上的固定螺絲664係安裝至連接器，使得螺絲可被螺接入固定件內來將波導固定定位。
圖11例示依據另一個實施例的計算裝置100。計算裝置100罩住一板2。板2可包括多個組件，包括但非僅限於處理器4及至少一個通訊晶片6。處理器4係實體上及電氣上耦合至板2。於若干實施例中，至少一個通訊晶片6也實體上及電氣上耦合至板2。於進一步實施例中，通訊晶片6為處理器4的部件。
取決於其應用，計算裝置11可包括可以或可非實體上及電氣上耦合至板2的其它組件。此等其它組件包括，但非限制性，依電性記憶體(例如，DRAM)8、非依電性記憶體(例如，ROM)9、快閃記憶體(未顯示於圖中)、圖形處理器12、數位信號處理器(未顯示於圖中)、密碼處理器(未顯示於圖中)、晶片組14、天線16、顯示器18諸如觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器20、電池22、音訊編解碼器(未顯示於圖中)、視訊編解碼器(未顯示於圖中)、功率放大器24、全球定位系統(GPS)裝置26、羅盤28、加速度計(未顯示於圖中)、迴轉儀(未顯示於圖中)、揚聲器30、相機32、及大容量儲存裝置(諸如硬碟驅動裝置)10、光碟(CD)(未顯示於圖中)、數位影音碟(DVD)(未顯示於圖中)及依此類推)。此等組件可連結到系統板2，安裝至系統板、或與其它組件中之任一者組合。
通訊晶片6使其能無線及/或有線通訊用於資料移轉至及自計算裝置11。術語「無線」及其衍生詞可使用來描述電路、裝置、系統、方法、技術、通訊通道等，其可透過調變電磁輻射的使用而經由非固體媒體通訊資料。該術語並非暗示相關聯的裝置不含任何導線，但於若干實施例中可能不含。通訊晶片6可實施多種無線或有線標準或協定，包括但非僅限於Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE 802.16家族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍牙、其乙太網路衍生協定，以及標示為3G、4G、5G、及以上的任何其它無線及有線協定。計算裝置11可包括多個通訊晶片6。例如，第一通訊晶片6可專用於短程無線通訊，諸如Wi-Fi及藍牙，及第二通訊晶片6可專用於較長程無線通訊，諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO、及其它。
於若干實施例中，該等組件中之任一或多者可調整適用於使用本文描述的無線連結。圖12之系統的特徵可調整適用於圖7之系統及反之亦然。舉例言之，圖12之系統可攜載多個處理器。圖7之系統可包括圖12中顯示的周邊裝置中之任一或多者。術語「處理器」可指處理得自暫存器及/或記憶體的電子資料而將該電子資料變換成可儲存於暫存器及/或記憶體中的其它電子資料的任何裝置或裝置部分。
於各種實施例中，計算裝置11可以是膝上型電腦、小筆電、筆記型電腦、超筆電、智慧型電話、平板、個人數位助理器(PDA)、超行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、印列器、掃描器、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位相機、行動音樂播放器、或數位視訊紀錄器。於進一步實施例中，計算裝置11可以是處理資料的任何其它電子裝置，包括穿戴裝置。
實施例可實施為一或多個記憶體晶片、控制器、中央處理單元(CPU)、使用主機板互連的微晶片或積體電路、特定應用積體電路(ASIC)、及/或現場可程式閘陣列(FPGA)。
述及「一個實施例」、「一實施例」、「具體實施例」、「各種實施例」等指示如此描述的該(等)實施例可包括特定特徵、結構、或特性，但非必然每個實施例包括該等特定特徵、結構、或特性。又復，若干實施例可具有針對其它實施例描述的該等特徵中之部分、全部、或全無。
於後文詳細說明部分及申請專利範圍中，術語「耦合」連同其衍生詞可使用。「耦合」係用來指示二或多個元件彼此協作或互動，但其可有或可沒有中介實體或電氣組件於其間。
如於申請專利範圍中使用，除非另行載明，否則使用序數形容詞「第一」、「第二」、「第三」等來描述一共通元件，僅指示指稱相似元件的不同情況，而非意圖暗示如此描述的元件必須在時間上、空間上、排序上、或以任何其它方式呈指定的順序。
附圖及前文詳細說明部分舉出實施例的實例。熟諳技藝人士將瞭解所描述的元件中之一或多者可良好地組合成單一功能元件。另外，某些元件可分裂成多個功能元件。來自一個實施例的元件可加到另一個實施例。舉例言之，本文描述的處理的順序可經改變而非限於本文描述的方式。再者，任何流程圖的動作無需以顯示的順序實施；也無需進行全部動作。又，非取決於其它動作的該等動作可與其它動作並行進行。實施例之範圍絕非受此等特定實例所限。無論於說明書中明白給定與否，無數變化諸如結構、維度、及材料的使用上的差異皆屬可能。實施例之範圍至少如同下列申請專利範圍給定般地寬廣。
下列實例係有關於進一步實施例。不同實施例的各種特徵可各異地與若干特徵包含地組合及其它特徵互斥地組合來適合各式各樣不同的應用。若干實施例係有關於一種設備包括，一積體電路晶片；攜載該積體電路晶片的一封裝件基材，該封裝件基材具有傳導連接器用以連結該積體電路晶片到外部組件；於一端耦合至該積體電路晶片的在該封裝件基材上之一電纜；於該另一端耦合至該電纜的在該電纜上之一無線電晶片，用以調變在一載波上的資料及用以發射該經調變的資料之該無線電晶片；及耦合至一介電波導用以接收來自該無線電該經發射的該經調變的資料及用以將該資料耦合入該波導的一過渡波導，該波導用以攜載該經調變的資料到一外部組件。
進一步實施例包括耦合於該無線電晶片與該過渡波導間用以發射該經調變的資料到該過渡波導的一天線。
於進一步實施例中，該天線係由耦合至該電纜的金屬襯墊形成。
進一步實施例包括在該電纜上的一無線電封裝件其中該無線電封裝件包含一基材，其中該天線係由沈積在該基材上的一金屬片形成，及其中該無線電晶片係附接到該基材。
於進一步實施例中，該無線電封裝件係安裝或部分整合入該電纜內。
於進一步實施例中，該無線電天線係在該無線電封裝件基材的一頂面上及其中一波導連接器係連結到在該無線電天線上方的該無線電封裝件基材。
於進一步實施例中，該無線電係形成於該無線電封裝件基材的層內部及係通過該無線電封裝件基材的金屬層連結到該天線。
進一步實施例包括一波導連接器，其中該過渡波導係以座落至該波導連接器的一波導耦合器為終端及其中該波導連接器係附接到該無線電封裝件基材。
於進一步實施例中，該等介電波導包含具有一固體電介質環繞一中空中心的中空介電材料。
若干實施例係有關於一可撓性電纜其具有一第一端，帶有經組配以連結到該積體電路晶粒的多個連接器，及與該第一端相對的一第二端；附接到該電纜及經由該封裝件耦合至該等多個連接器的多個無線電晶粒；及各自耦合至一個別無線電晶粒用以發射一無線電信號的多個天線。
於進一步實施例中，該等無線電晶粒係附接到該電纜於該第二端的一側及該等天線係附接到該電纜於該第二端的該另一側及經由該電纜耦合至該個別無線電晶粒。
於進一步實施例中，該第一端係經組配以在該電纜的一側上連結到該晶粒及連結到該電纜於該第一端的另一側上的一第二晶粒。
於進一步實施例中，該第一端係經組配以在該電纜的一側上連結到該晶粒及連結到該電纜於該第一端的另一側上的一封裝件基材。
於進一步實施例中，該等多個天線係附接到該封裝件及該等天線係經由該封裝件耦合至一個別無線電晶粒。
進一步實施例包括附接到該電纜的該第二端之一封裝件及其中該等無線電晶粒及該等天線係附接到該封裝件。
進一步實施例包括附接到多個介電波導之一連接器用以連結到該封裝件使得來自該等天線的該等無線電信號係耦合入該介電連接器。
於進一步實施例中，該電纜第二端係附接到該積體電路晶粒的一封裝件的一散熱座。
若干實施例係有關於一種計算系統其包括一系統板；附接到該電路板的一積體電路晶粒封裝件；一可撓性電纜其具有一第一端，帶有經組配以連結到該積體電路晶粒的多個連接器，及與該第一端相對的一第二端；附接到該電纜及經由該封裝件耦合至該等多個連接器的多個無線電晶粒；各自耦合至一個別無線電晶粒用以發射一無線電信號的多個天線；及耦合至該等天線用以攜載該等無線電信號至一外部組件的多個介電波導。
進一步實施例包括附接到該電纜的該第二端之一封裝件及其中該等無線電晶粒及該等天線係附接到該封裝件。
於進一步實施例中，該無線電係形成於該無線電封裝件基材的層內及係通過該無線電封裝件基材的金屬層連結到該天線。
2‧‧‧板、主機板4、504、506‧‧‧處理器6‧‧‧通訊晶片8‧‧‧依電性記憶體9‧‧‧非依電性記憶體10‧‧‧大容量儲存裝置11、100‧‧‧計算裝置12、516、604‧‧‧圖形CPU14、502‧‧‧晶片組16、622‧‧‧天線18‧‧‧觸控螢幕顯示器20‧‧‧觸控螢幕控制器22‧‧‧電池24、344‧‧‧功率放大器(PA)26‧‧‧全球定位系統(GPS)裝置28‧‧‧羅盤30‧‧‧揚聲器102、104、202、204、404‧‧‧積體電路(IC)晶片封裝件106、108、206、208、602‧‧‧可撓性連接器、可撓性電纜110、210‧‧‧印刷電路板(PCB)、主機板112、114、212、214、410、420、424‧‧‧無線電、收發器或無線電晶粒116、118、216、218‧‧‧天線或天線陣列120、610‧‧‧散熱座122‧‧‧肘部130、402‧‧‧積體電路晶粒132‧‧‧散熱片134、144、352、606、628‧‧‧封裝件基材136、148、430‧‧‧線跡或導線層140、604‧‧‧晶粒142‧‧‧貫穿矽通孔146‧‧‧機械固定件220‧‧‧反射器222‧‧‧組件224‧‧‧固定件308‧‧‧主動倍增器310‧‧‧0/90度正交岔路接頭312‧‧‧降頻轉換器314‧‧‧升頻轉換器及混合器320‧‧‧RX(接收)鏈接322‧‧‧低雜訊放大器(LNA)324‧‧‧寬頻基帶(BB)放大鏈接340‧‧‧TX(發射)鏈接342‧‧‧BB數位驅動裝置鏈接350‧‧‧無線電晶片358‧‧‧發射天線412、422、426‧‧‧TX，RX天線對500‧‧‧計算系統508、510‧‧‧動態隨機存取記憶體(DRAM)模組512、514、530‧‧‧周邊組件互連(PCI)介面518‧‧‧顯示器520‧‧‧USB介面522、524‧‧‧串列進階技術附接(SATA)介面526‧‧‧串列附接小電腦串列介面(SAS)介面528‧‧‧額外大容量儲存裝置532‧‧‧通訊介面608‧‧‧整合式散熱片612‧‧‧插座614‧‧‧系統板620‧‧‧無線互連模組、無線電收發器、無線電晶片624、656、662‧‧‧波導耦合器626、654、666‧‧‧介電波導630‧‧‧介電波導集束634、636‧‧‧電介質層638‧‧‧金屬層650‧‧‧連接器頭部652‧‧‧孔洞658、664‧‧‧固定螺絲660‧‧‧線性連接器
實施例係藉實例例示而非限制性，於附圖之圖式中，相似的元件符號指稱相似的元件。
圖1為依據一實施例用於晶片對晶片通訊的一無線互連件之側視剖面圖。
圖2為依據一實施例用於晶片對晶片通訊的另一個無線互連件之側視剖面圖。
圖3為依據一實施例一無線電晶片及相關組件的方塊圖。
圖4為依據一實施例具有用於晶片對晶片通訊的多個無線互連件之一封裝件的頂視圖。
圖5為依據一實施例具有多個高速介面的一計算系統之方塊圖。
圖6為依據一實施例具有用於無線通訊的可撓性電纜之插在插座內的封裝件之側視圖。
圖7為依據一實施例圖6的無線電及天線封裝件之頂視圖。
圖8為依據一實施例具有介電波導的圖6之無線電及天線封裝件之等角視圖。
圖9為依據一實施例一波導連接器的等角視圖。
圖10為依據一實施例另一個波導連接器的等角視圖。
圖11為依據一實施例結合無線介面的一計算裝置之方塊圖。
102、104‧‧‧封裝件
106、108‧‧‧可撓性連接器、可撓性電纜
110‧‧‧印刷電路板(PCB)、主機板
112、114‧‧‧無線電晶粒
116、118‧‧‧天線或天線陣列
120‧‧‧散熱座
122‧‧‧肘部
130‧‧‧積體電路晶粒
132‧‧‧散熱片
134、144‧‧‧封裝件基材
136、148‧‧‧線跡或導線層
140‧‧‧晶粒
142‧‧‧貫穿矽通孔
146‧‧‧機械固定件

Claims (20)

  1. 一種具有無線電通訊之功能之設備，其包含：一積體電路晶片；一封裝件基材，其攜載該積體電路晶片，該封裝件基材具有傳導連接器用以連結該積體電路晶片至外部組件；一電纜，其於一端處在該封裝件基材上被耦合至該積體電路晶片；一無線電晶片，其在該電纜上，並於另一端處耦合至該電纜，該無線電晶片用以調變在一載波上的資料及用以發射經該調變的資料；以及一過渡波導，其耦合至一介電波導用以接收來自該無線電晶片的經發射之經該調變的資料及用以將經該調變的資料耦合入該波導，該波導用以攜載經該調變的資料至一外部組件。
  2. 如請求項1之設備，其進一步包含耦合於該無線電晶片與該過渡波導之間用以發射經該調變的資料至該過渡波導的一天線。
  3. 如請求項2之設備，其中該天線係由耦合至該電纜的金屬襯墊所形成。
  4. 如請求項2之設備，其進一步包含在該電纜上的一無線電封裝件，其中該無線電封裝件包含一基材，其中該天線係由沈積在該基材上的一金屬片所形成，且其中該無線電晶片係附接至該基材。
  5. 如請求項4之設備，其中該無線電封裝件係安裝或部分整合入該電纜內。
  6. 如請求項4之設備，其中該天線係在該無線電封裝件基材的一頂面上及其中一波導連接器係連結至在該天線上方的該無線電封裝件基材。
  7. 如請求項4之設備，其中該無線電晶片係形成於該無線電封裝件基材的多個層內及係通過該無線電封裝件基材的多個金屬層連結至該天線。
  8. 如請求項1之設備，其進一步包含一波導連接器，其中該過渡波導係以座落至該波導連接器的一波導耦合器為終端及其中該波導連接器係附接至該無線電封裝件基材。
  9. 如請求項1之設備，其中該等介電波導包含具有一固體電介質環繞一中空中心的中空介電材料。
  10. 一種用於無線電通訊之設備，其包含：一可撓性電纜，其具有一第一端帶有經組配以耦合至一積體電路晶粒的多個連接器，及與該第一端相對的一第二端；多個無線電晶粒，其附接至該可撓性電纜之該第二端及經由該可撓性電纜耦合至該等多個連接器；以及多個天線，其各自耦合至一個別無線電晶粒用以發射一無線電信號。
  11. 如請求項10之設備，其中該等無線電晶粒係附接至該電纜於該第二端的一側及該等天線係附接至該 電纜於該第二端的另一側且經由該電纜耦合至該個別無線電晶粒。
  12. 如請求項10之設備，其中該第一端係經組配以在該電纜的一側上連結至該晶粒及連結至該電纜於該第一端的另一側上的一第二晶粒。
  13. 如請求項10之設備，其中該第一端係經組配以在該電纜的一側上連結至該晶粒及連結至該電纜於該第一端的另一側上的一封裝件基材。
  14. 如請求項10之設備，其中該等多個天線係附接至一封裝件及該等天線係經由該封裝件耦合至一個別無線電晶粒。
  15. 如請求項10之設備，其進一步包含附接至該電纜的該第二端之一封裝件及其中該等無線電晶粒及該等天線係附接至該封裝件。
  16. 如請求項15之設備，其進一步包含附接至多個介電波導之一連接器，用以連結至該封裝件使得來自該等天線的該等無線電信號係耦合入該介電連接器。
  17. 如請求項10之設備，其中該電纜第二端係附接至該積體電路晶粒的一封裝件之一散熱座。
  18. 一種計算系統，其包含：一系統板；一積體電路晶粒封裝件，其附接至該電路板；一可撓性電纜，其具有一第一端帶有經組配以耦合至該積體電路晶粒的多個連接器，及與該第一端相對的一第 二端；多個無線電晶粒，其附接至該可撓性電纜之該第二端及經由該可撓性電纜耦合至該等多個連接器；多個天線，其各自耦合至一個別無線電晶粒用以發射一無線電信號；以及多個介電波導，其耦合至該等天線用以攜載該等無線電信號至一外部組件。
  19. 如請求項18之計算系統，其進一步包含附接至該電纜的該第二端之一封裝件，且其中該等無線電晶粒及該等天線係附接至該封裝件。
  20. 如請求項19之計算系統，其中該無線電係形成於該無線電封裝件基材的多個層內及係通過該無線電封裝件基材的多個金屬層連結至該天線。
TW105134019A 2015-12-08 2016-10-21 計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件 TWI706651B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2015/064511 WO2017099730A1 (en) 2015-12-08 2015-12-08 Wireless interconnects on flexible cables between computing platforms
WOPCT/US15/64511 2015-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201722122A TW201722122A (zh) 2017-06-16
TWI706651B true TWI706651B (zh) 2020-10-01

Family

ID=59012871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105134019A TWI706651B (zh) 2015-12-08 2016-10-21 計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10498379B2 (zh)
TW (1) TWI706651B (zh)
WO (1) WO2017099730A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017052651A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Intel Corporation Communication between integrated circuit packages using a millimeter-wave wireless radio fabric
CN216290923U (zh) * 2021-08-31 2022-04-12 华为技术有限公司 一种数据收发装置和组件、数据传输系统
WO2024025530A1 (en) * 2022-07-28 2024-02-01 Intel Corporation Chip-to-chip waveguide and contactless chip-to-chip communication

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103283023A (zh) * 2010-12-20 2013-09-04 英特尔公司 封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法
US20140049292A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Ati Technologies Ulc Integrated circuit package having medium-independent signaling interface coupled to connector assembly
US20140106582A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Timothy Wig System interconnect for integrated circuits
JP2014516221A (ja) * 2011-05-12 2014-07-07 ウェーブコネックス・インコーポレーテッド スケーラブルな高帯域幅の接続性
US20140287703A1 (en) * 2013-03-19 2014-09-25 Texas Instruments Incorporated Integrated Circuit with Antenna for Dielectric Waveguide
TW201503337A (zh) * 2013-04-23 2015-01-16 Sensors Unlimited Inc 影像感測器之小尺寸、重量及封裝

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7557758B2 (en) * 2007-03-26 2009-07-07 Broadcom Corporation Very high frequency dielectric substrate wave guide
US7768457B2 (en) * 2007-06-22 2010-08-03 Vubiq, Inc. Integrated antenna and chip package and method of manufacturing thereof
KR20090078124A (ko) * 2008-01-14 2009-07-17 한국광기술원 연성 광전배선을 이용한 시스템 패키지 및 그의 신호 처리방법
US8674885B2 (en) 2010-08-31 2014-03-18 Siklu Communication ltd. Systems for interfacing waveguide antenna feeds with printed circuit boards
TWI554165B (zh) 2011-09-15 2016-10-11 奇沙公司 具有介電媒體之無線通訊

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103283023A (zh) * 2010-12-20 2013-09-04 英特尔公司 封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法
JP2014516221A (ja) * 2011-05-12 2014-07-07 ウェーブコネックス・インコーポレーテッド スケーラブルな高帯域幅の接続性
US20140049292A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Ati Technologies Ulc Integrated circuit package having medium-independent signaling interface coupled to connector assembly
US20140106582A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Timothy Wig System interconnect for integrated circuits
US20140287703A1 (en) * 2013-03-19 2014-09-25 Texas Instruments Incorporated Integrated Circuit with Antenna for Dielectric Waveguide
TW201503337A (zh) * 2013-04-23 2015-01-16 Sensors Unlimited Inc 影像感測器之小尺寸、重量及封裝

Also Published As

Publication number Publication date
US10498379B2 (en) 2019-12-03
US20180316375A1 (en) 2018-11-01
WO2017099730A1 (en) 2017-06-15
TW201722122A (zh) 2017-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11525970B2 (en) Microelectronic package communication using radio interfaces connected through wiring
US10452571B2 (en) Microelectronic package communication using radio interfaces connected through waveguides
US10327268B2 (en) Microelectronic package with wireless interconnect
CN108370083B (zh) 用于平台级无线互连的天线
TWI706651B (zh) 計算平台間的可撓性電纜上之無線互連件
US20160226141A1 (en) Structure of expandable multi-mode phased-array antenna
TW201906754A (zh) 用於汽車應用的毫米波介質互連拓撲
US10992021B2 (en) Cross talk and interference reduction for high frequency wireless interconnects
TWI719040B (zh) 在積體電路封裝體之間使用毫米波無線射頻組構之通訊技術
US20200227811A1 (en) Miniaturized rf front end modules
CN110073543B (zh) 可插拔有源毫米波互连