TWI686828B

TWI686828B - 鍵盤

Info

Publication number: TWI686828B
Application number: TW107130624A
Authority: TW
Inventors: 李彥慶
Original assignee: 群光電子股份有限公司
Priority date: 2018-08-31
Filing date: 2018-08-31
Publication date: 2020-03-01
Also published as: US10715141B2; TW202011437A; US20200076432A1

Abstract

本發明揭露一種鍵盤，其包括一底板、複數按鍵結構、一電路板、一電容感應模組以及一處理模組。底板具有複數中空部。按鍵結構分別容置於中空部。電路板設置於底板的一表面。電容感應模組包括複數感應單元及一控制單元。感應單元分別設置於複數淨空區，淨空區鄰近於部分按鍵結構。控制單元設置於電路板，控制單元電性連接於感應單元。當鄰近於感應單元的該些按鍵結構被按壓時，控制單元產生一電容變化值。處理模組電性連接於電容感應模組的控制單元，並接收電容變化值，處理模組依據電容變化值判斷按鍵結構的被按壓程度，並產生一輸入訊號。

Description

鍵盤

本發明係關於一種鍵盤。

依據目前電腦的使用習慣，鍵盤為不可或缺的輸入設備之一。一般而言，鍵盤具有複數個按鍵結構，且每次按壓按鍵結構僅皆產生單一的觸發訊號，並對應產生單一的輸入訊號。換言之，按壓其中一個按鍵時，不論按壓的程度（全壓、或半壓），皆產生相同的輸入訊號，並對應於相同的操作指令。對於處理文書或其他事務所使用的一般鍵盤而言，單一按鍵結構對應於單一的輸入訊號，即符合使用者的需求。然而，對於電競遊戲的玩家而言，以電競鍵盤操控遊戲標的前進、後退、旋轉、跳躍等作動時，即有同時控制作動速度的需求。

目前的設計係利用光反射式的感測模組，以取得按鍵結構被按壓的深度（程度），並依據不同按壓深度產生不同的輸入訊號，以對應於不同作動速度的指令。例如，於按鍵結構的底部設置紅外線發射單元及紅外線感應單元，並往鍵帽的方向發射紅外線，由紅外線感應單元接收自鍵帽反射的紅外線，藉此取得鍵帽被按壓的深度，進而產生不同的輸入訊號。然而，利用光反射的方式需額外設置紅外線發射單元及紅外線感應單元，提高了製造成本，且按鍵結構需有額外的空間設置紅外線發射單元及紅外線感應單元。

有鑑於上述課題，本發明之主要目的係在提供一種鍵盤，藉由電容感應模組包括感應單元及控制單元，當鄰近於感應單元的按鍵結構被按壓時，控制單元產生電容變化值，處理模組可依據電容變化值判斷按鍵結構被按壓程度，並產生對應之輸入訊號，以解決習知電競鍵盤利用光反射原理所造成的問題。

為達成上述之目的，本發明提供一種鍵盤，其包括一底板、複數按鍵結構、一電路板、一電容感應模組以及一處理模組。底板具有複數中空部。按鍵結構分別容置於中空部。電路板設置於底板的一表面。電容感應模組包括複數感應單元及一控制單元。感應單元分別設置於複數淨空區，淨空區鄰近於部分按鍵結構。控制單元設置於電路板，控制單元電性連接於感應單元。當鄰近於感應單元的該些按鍵結構被按壓時，控制單元產生一電容變化值。處理模組電性連接於電容感應模組的控制單元，並接收電容變化值，處理模組依據電容變化值判斷該些按鍵結構的被按壓程度，並產生對應之一輸入訊號。

根據本發明之一實施例，當鄰近於感應單元的按鍵結構被導體按壓時，感應單元依據與導體的一距離差值產生一電容變化，控制單元偵測電容變化並產生電容變化值。

根據本發明之一實施例，處理模組包括一記憶單元，儲存一電容變化輸入訊號對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之輸入訊號。處理模組判斷電容變化值位於電容變化區段的其中之一，並產生對應之輸入訊號。

根據本發明之一實施例，處理模組包括一記憶單元，儲存一按壓深度輸入訊號對照表，其包含複數按壓深度區段及其對應之輸入訊號，處理模組依據電容變化值計算取得一按壓深度，並判斷按壓深度位於該些按壓深度區段的其中之一，並產生對應之輸入訊號。

根據本發明之一實施例，處理模組包括一記憶單元，儲存一電容變化按壓深度對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之一按壓深度，處理模組依據電容變化值取得按壓深度。

根據本發明之一實施例，感應單元為一導電件。

根據本發明之一實施例，淨空區位於電路板之一表面，並分別於該些淨空區塗佈複數金屬塗層，金屬塗層作為感應單元。

根據本發明之一實施例，淨空區位於按鍵結構，且部分按鍵結構分別包括相對設置之一第一金屬彈片及一第二金屬彈片。

根據本發明之一實施例，控制單元電性連接於第一金屬彈片，且第一金屬彈片作為感應單元。

根據本發明之一實施例，控制單元電性連接於第二金屬彈片，且第二金屬彈片作為感應單元。

根據本發明之一實施例，當該按鍵結構被按壓時，第一金屬彈片及第二金屬彈片相互接觸，並產生一觸發訊號，處理模組並對應產生輸入訊號。

根據本發明之一實施例，該些淨空區所鄰近的該些按鍵結構為複數方向鍵。

根據本發明之一實施例，方向鍵包括上、下、左、右、A字元、S字元、D字元、或W字元所對應之該些按鍵結構。

承上所述，依據本發明之鍵盤，其包括電容感應模組及處理模組，且電容感應模組包括複數感應單元及一控制單元。感應單元分別設置於鄰近於部分按鍵結構的淨空區。控制單元設置於電路板，且控制單元電性連接於感應單元。當鄰近於感應單元的按鍵結構被按壓時，控制單元可偵測並取得一電容變化值，處理模組依據電容變化值產生對應之輸入訊號。電容變化值可因應按鍵結構被按壓的深度不同而有所不同，處理模組可依據不同電容變化值，判斷按鍵結構被按壓的程度，並產生對應的輸入訊號。換言之，藉由電容變化的原理，以達到單一按鍵結構可產生多個不同輸入訊號的效果。又，由於電容感應模組的感應單元的體積小，甚至可直接利用按鍵結構的金屬彈片作為感應單元，相較於習知鍵盤利用光反射原理，更可達到節省空間、及降低製造成本的效果。

為能讓貴審查委員能更瞭解本發明之技術內容，特舉較佳具體實施例說明如下。

圖1為本發明之一實施例之鍵盤的示意圖，圖2為圖1所示之鍵盤的分解示意圖，圖3為本發明之一實施例之電容感應模組及處理模組的方塊示意圖，請同時參考圖1、圖2及圖3所示。本實施例之鍵盤1包括一底板10、複數按鍵結構20、一電路板30、一電容感應模組40以及一處理模組50。電路板30設置於底板10的一表面，本實施例之電路板30係疊置於底板10的下表面。底板10具有複數中空部11，用以容置按鍵結構20。按鍵結構20穿過中空部11，以分別容置於中空部11，並固定於底板10。

本實施例之鍵盤1可以為電競鍵盤，按鍵結構20可以為機械式按鍵。按鍵結構20包括一鍵帽21及一按鍵開關22，鍵帽21組裝於按鍵開關22上，且按鍵開關22穿過中空部11後，與電路板30電性連接。圖4為圖2所示之按鍵結構的分解示意圖，請搭配參考圖4所示。又，按鍵開關22包括殼體221、按壓件222、彈性件223。殼體221穿設於中空部11，彈性件223套設於按壓件222，且按壓件222及彈性件223容置於殼體221內。本實施例之殼體221包括上殼體2211及下殼體2212。上殼體2211具有通孔，使按壓件222的一端穿過上殼體2211並連接於鍵帽21。

請參考圖3所示，電容感應模組40包括複數感應單元41及控制單元42。本實施例之感應單元41為導電件，且控制單元42設置於電路板30，控制單元42電性連接於感應單元41，以輸出定電壓至感應單元41，並可偵測感應單元41的電容變化。換言之，本實施例之感應單元41即為偵測電容變化的感應區域。本實施例之感應單元41設置於鄰近部分按鍵結構20的淨空區C（於後進一步說明），當使用者按壓按鍵結構20時，使用者的手指（導體）隨著按壓程度接近感應單元41，感應單元41因電容偶合效應產生電容變化，而控制單元42可偵測該電容變化，並產生一電容變化值。具體而言，控制單元42能夠在使用者手指按壓按鍵結構20後依按壓深淺而感應出不同的電容值。

於本實施例所稱之「部分」按鍵結構20，可以是進行遊戲有控制作動速度需求的按鍵結構20，例如方向鍵。除了對應於上、下、左、右功能的按鍵結構20是方向鍵以外，電競鍵盤的A字元、S字元、D字元、W字元的按鍵結構20亦常被作為方向鍵使用，本實施例所稱之「部分」按鍵結構20可以是A字元、S字元、D字元、W字元的按鍵結構20。電容感應模組40的感應單元41則設置於鄰近於前述方向鍵的淨空區C。換言之，本實施例之複數個感應單元41分別設置於複數個淨空區C，所述複數個淨空區C分別鄰近於部分按鍵結構20，所述部分按鍵結構20為複數個方向鍵之按鍵結構20。例如，上、下、左、右功能所對應之按鍵結構20和A字元、S字元、D字元、W字元所對應之按鍵結構20。

承上所述，本實施例之電容感應模組40亦可具有二控制單元42，其分別具有四個接腳。其中一控制單元42可電性連接分別鄰近於上、下、左、右功能所對應之按鍵結構20的四個感應單元41；另一控制單元42可電性連接分別鄰近於A字元、S字元、D字元、W字元之按鍵結構20的四個感應單元41。在其他實施例中，電容感應模組40具有一控制單元42，其具有八個接腳，分別電性連接於鄰近於前述方向鍵的八個感應單元41。

本實施例所稱之淨空區C是指不具有導電材質的區域，亦即，除了感應單元41（導電件）以外，不具有其他導電件的區域。感應單元41設置於淨空區C，即可避免控制單元42所提供的定電壓傳導至其他導電件，以準確地偵測感應單元41的電容變化。在本實施例中，淨空區C可位於電路板30之一表面，本發明不限定為電路板30的上表面、或下表面，圖5係以電路板30的下表面為例。圖5為圖2所示之電路板之下表面的部分示意圖，請參考圖5所示。雖底板10為金屬件，且電路板30與底板10相鄰設置，但按鍵結構20容置於中空部11內，故電路板30對應於按鍵結構20且不具有走線或者接地件的位置即可作為本實施例之淨空區C。

在本實施例中，分別於淨空區C塗佈金屬塗層，金屬塗層作為感應單元41。亦即，感應單元41（例如金屬塗層）對應於按鍵結構20而位於中空部11下方。換言之，本實施例電路板30之下表面具有八個金屬塗層，且分別對應於前述之方向鍵（上、下、左、右功能所對應之按鍵結構20、A字元、S字元、D字元、或W字元所對應之按鍵結構20），該些金屬塗層作為電容感應模組40的感應單元41，並例如透過走線與控制單元42電性連接。

如前述，控制單元42提供定電壓至感應單元41（例如金屬塗層），並於感應單元41所對應的方向鍵形成感應區域。當使用的手指（導體）按壓前述之方向鍵時，感應單元41發生電容變化，而控制單元42偵測到該電容變化並產生一電容變化值。簡言之，當鄰近於感應單元41的按鍵結構20被按壓時，控制單元42產生一電容變化值。

詳言之，感應單元41可依據其與手指（導體）的一距離差值產生一電容變化，亦即，感應單元41可依據感應單元41與手指（導體）之間的距離變化而對應產生電容變化。舉例而言，當鍵帽21未被按壓時，感應單元41所儲存之電容值最大。當使用者的手指（導體）按壓鍵帽21時，手指（導體）與感應單元41（例如金屬塗層）之間的距離隨著鍵帽21被按壓的程度而漸小，而感應單元41所儲存之電容值亦變小。當鍵帽21被按壓至底（全壓）時，手指與感應單元41之間的距離最小，感應單元41所儲存之電容值最小。換言之，感應單元41隨著按鍵結構20被按壓的程度（即感應單元41與導體之間的距離差值）而發生電容變化，而控制單元42偵測到該電容變化並產生對應之電容變化值。

請參考圖3所示，本實施例之處理模組50可以設置於電路板30。處理模組50電性連接於電容感應模組40的控制單元42，並接收電容變化值，處理模組50依據電容變化值產生一輸入訊號。具體而言，本實施例之處理模組50包括一記憶單元51及一處理單元52，其相互耦接。記憶單元51儲存一電容變化輸入訊號對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之輸入訊號。舉例而言，按鍵結構20之鍵帽21被按壓至底（全壓）時所測得的電容變化值可定義為100，而按鍵結構20之鍵帽21未被按壓時的電容變化值為0，落於其間的電容變化值區分為複數電容變化區段，分別對應於不同的輸入訊號。例如可區分為4個電容變化區段，分別對應於不同作動速度（快速、中快速、中慢速、慢速）的輸入訊號。

處理模組50的處理單元52自控制單元42接收電容變化值後，依據電容變化值判斷按鍵結構20被按壓的程度。亦即，處理單元52可判斷電容變化值位於電容變化區段的其中之一，並產生對應之輸入訊號。例如，處理單元52判斷電容變化值介於75～100之間，則產生快速作動的輸入訊號；若電容變化值介於0～25之間，則處理單元52產生慢速作動的輸入訊號。

在其他實施例中，處理模組50的處理單元52亦可依據電容變化值計算取得一按壓深度，而記憶單元51儲存一按壓深度輸入訊號對照表，其包含複數按壓深度區段及其對應之輸入訊號。同樣的，可區分為4個按壓深度區段，分別對應於不同作動速度（快速、中快速、中慢速、慢速）的輸入訊號。處理模組50判斷按壓深度位於按壓深度區段的其中之一，並產生對應之輸入訊號。

在其他實施例中，記憶單元51亦可儲存一電容變化按壓深度對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之按壓深度。處理模組50處理單元52自控制單元42接收電容變化後，可依據電容變化值評估所位於的電容變化區段，再查表取得一按壓深度，並將所述按壓深度輸出給外部。如此一來，電容感應模組40就能夠在使用者手指按壓後依按壓深淺而感應出不同的電容值，處理模組50進而產生出不同的數值輸出而讓系統或使用者可以知道按鍵的按壓程度。

需說明的是，目前的電競鍵盤為提升按鍵結構的觸發效果，於按鍵結構設置二片金屬彈片，利用金屬彈片互相接觸導通達到按壓時的訊號觸發效果。以下實施例係應用於前述類型的按鍵結構。

圖6為本發明另一實施例之按鍵結構的示意圖，由於鍵盤1的其他結構及其連接關係可參考前述實施例中，故以下請參考圖2、圖3、及圖6所示，且按鍵結構20a以外的元件名稱沿用前述實施例。在本實施例中，按鍵結構20a分別包括相對設置於殼體221a之一第一金屬彈片24a及一第二金屬彈片25a。第一金屬彈片24a及第二金屬彈片25a與電路板30電性連接。舉例而言，第一金屬彈片24a經由電路板30上的走線電性連接於處理模組（於本實例中，所述處理模組可以是處理模組50），第二金屬彈片25a電性連接於電路板30上的接地件。當按鍵結構20a被按壓時，第一金屬彈片24a及第二金屬彈片25a相互接觸導通，產生單一的觸發訊號，處理模組50並產生對應的輸入訊號。

此外，第一金屬彈片24a之至少局部為導電件，本實施例之感應單元41為所述導電件，經由電路板30上的走線電性連接於電路板30上的控制單元42。控制單元42以輸出定電壓至感應單元41，並可偵測感應單元41的電容變化。詳言之，當使用的手指（導體）按壓鍵帽21a時，殼體221a為固定件，並由鍵帽21a帶動按壓件222a向下移動，故手指與感應單元41（例如第一金屬彈片24a）的相對距離隨著按鍵結構20a之鍵帽21a被按壓的程度而漸近。當按鍵結構20a被按壓至底（全壓）時，手指與感應單元41的相對距離最接近。感應單元41隨著按鍵結構20a被按壓的程度而發生電容變化，而控制單元42偵測到該電容變化並產生一電容變化值。

由於按鍵結構20a容置於中空部11內，故按鍵結構20a內不具有其他導電件的區域亦可作為淨空區C。亦即，淨空區C亦可位於按鍵結構20a，並可將第一金屬彈片24a或第二金屬彈片25a作為電容感應模組40的感應單元41。具體而言，電容感應模組40的控制單元42亦設置於電路板30，控制單元42的接腳電性連接於按鍵結構20a的第一金屬彈片24a，則第一金屬彈片24a作為感應單元41；若控制單元42的接腳電性連接於第二金屬彈片25a，則第二金屬彈片25a作為感應單元41。需說明的是，控制單元42可電性連接於鍵盤1部分或全部的按鍵結構20a，較佳可以為前述方向鍵（上、下、左、右、A字元、S字元、D字元、或W字元所對應之按鍵結構20a）。

本實施例是以控制單元42電性連接於第一金屬彈片24a為例，控制單元42可提供定電壓至第一金屬彈片24a，當按鍵結構20a被按壓時，第一金屬彈片24a產生電容變化。控制單元42電性連接於第一金屬彈片24a，故可透過第一金屬彈片24a（感應單元41）偵測該電容變化，並取得一電容變化值。

在一實施例中，處理模組50可持續地對電容感應模組40發送請求訊號，以取得感應單元41於各時間點的電容值。當按鍵結構20a被按壓時，第一金屬彈片24a及第二金屬彈片25a相互接觸而產生觸發訊號，處理模組50即可依據電容感應模組40所產生的電容變化值，並產生對應於不同作動的輸入訊號。其他細節內容可參考前述實施例，於此不加贅述。

在其他實施例中，若控制單元42電性連接於第二金屬彈片25a，則第二金屬彈片25a可作為感應單元41。於此實施例中，第一金屬彈片24a電性連接於電路板30上的接地件，第二金屬彈片25a經由電路板30上的走線電性連接於處理模組（於本實例中，所述處理模組可以是處理模組50）。此外，第二金屬彈片25a之至少局部為導電件，本實施例之感應單元41為所述導電件，經由電路板30上的走線電性連接於電路板30上的控制單元42。控制單元42以輸出定電壓至感應單元41，並可偵測感應單元41的電容變化。同樣的，當按鍵結構20a被按壓時，第一金屬彈片24a及第二金屬彈片25a相互接觸導通，產生觸發訊號，處理模組50並對應產生單一的輸入訊號。當使用的手指（導體）按壓鍵帽21a時，手指與感應單元41的相對距離隨著按鍵結構20a被按壓的程度而漸近。換言之，當按鍵結構20a被按壓至底（全壓）時，手指與感應單元41的相對距離最接近。感應單元41隨著按鍵結構20a被按壓的程度而發生電容變化，而控制單元42偵測到該電容變化並產生一電容變化值。處理模組50再依據電容感應模組40所產生的電容變化值，產生對應於不同作動的輸入訊號。其他細節內容可參考前述實施例，於此不加贅述。

綜上所述，依據本發明之鍵盤，其包括電容感應模組及處理模組，且電容感應模組包括複數感應單元及一控制單元。感應單元分別設置於鄰近於部分按鍵結構的淨空區。控制單元設置於電路板，且控制單元電性連接於感應單元。當鄰近於感應單元的按鍵結構被按壓時，控制單元可偵測並取得一電容變化值，處理模組依據電容變化值產生對應之輸入訊號。電容變化值可因應按鍵結構被按壓的深度不同而有所不同，處理模組可依據不同電容變化值，判斷按鍵結構被按壓的程度，並產生對應的輸入訊號。換言之，藉由電容變化的原理，以達到單一按鍵結構可產生多個不同輸入訊號的效果。又，由於電容感應模組的感應單元的體積小，甚至可直接利用按鍵結構的金屬彈片作為感應單元，相較於習知鍵盤利用光反射原理，更可達到節省空間、及降低製造成本的效果。

本發明無論就目的、手段及功效，在在均顯示其迥異於習知技術之特徵，懇請貴審查委員明察，早日賜准專利，俾嘉惠社會，實感德便。惟應注意的是，上述諸多實施例係為了便於說明而舉例，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

1:鍵盤

10:底板

11:中空部

20、20a:按鍵結構

21 、21a:鍵帽

22、22a:按鍵開關

221、221a:殼體

2211:上殼體

2212:下殼體

222、222a:按壓件

223、223a:彈性件

24a:第一金屬彈片

25a:第二金屬彈片

30:電路板

40:電容感應模組

41:感應單元

42:控制單元

50:處理模組

51:記憶單元

52:處理單元

C:淨空區

圖1為本發明之一實施例之鍵盤的示意圖。圖2為圖1所示之鍵盤的分解示意圖。圖3為本發明之一實施例之電容感應模組及處理模組的方塊示意圖。圖4為圖2所示之按鍵結構的分解示意圖。圖5為圖2所示之電路板之下表面的部分示意圖。圖6為本發明另一實施例之按鍵結構的示意圖。

1:鍵盤

10:底板

11:中空部

20:按鍵結構

21:鍵帽

22:按鍵開關

30:電路板

42:控制單元

50:處理模組

Claims

一種鍵盤，包括：一底板，具有複數中空部；複數按鍵結構，分別容置於該些中空部；一電路板，設置於該底板的一表面；一電容感應模組，包括：複數感應單元，其分別為一導電件，分別設置於複數淨空區，該些淨空區鄰近於部分該些按鍵結構，其中該些淨空區位於該電路板之一表面，並分別於該些淨空區塗佈複數金屬塗層，該些金屬塗層作為該些感應單元；及一控制單元，設置於該電路板，該控制單元電性連接於該些感應單元，當鄰近於該感應單元的該些按鍵結構被按壓時，該控制單元產生一電容變化值；以及一處理模組，電性連接於該電容感應模組的該控制單元，並接收該電容變化值，該處理模組依據該電容變化值判斷該些按鍵結構的被按壓程度，並產生對應之一輸入訊號；其中當鄰近於該感應單元的該些按鍵結構被一導體按壓時，該感應單元依據其與該導體的一距離差值產生一電容變化，該控制單元偵測該電容變化並產生該電容變化值。
如申請專利範圍第1項所述之鍵盤，其中該處理模組包括一記憶單元，儲存一電容變化輸入訊號對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之該輸入訊號，該處理模組判斷該電容變化值位於該些電容變化區段的其中之一，並產生對應之該輸入訊號。
如申請專利範圍第1項所述之鍵盤，其中該處理模組包括一記憶單元，儲存一按壓深度輸入訊號對照表，其包含複數按壓深度區段及其對應之該輸入訊號，該處理模組依據該電容變化值計算取得一按壓深度，並判斷該按壓深度位於該些按壓深度區段的其中之一，並產生對應之該輸入訊號。
如申請專利範圍第1項所述之鍵盤，其中該處理模組包括一記憶單元，儲存一電容變化按壓深度對照表，其包含複數電容變化區段及其對應之一按壓深度，該處理模組依據該電容變化值取得該按壓深度。
如申請專利範圍第1項所述之鍵盤，其中該些淨空區所鄰近的該些按鍵結構為複數方向鍵。
一種鍵盤，包括：一底板，具有複數中空部；複數按鍵結構，分別容置於該些中空部；一電路板，設置於該底板的一表面；一電容感應模組，包括：複數感應單元，其分別為一導電件，分別設置於複數淨空區，該些淨空區位於部分該些按鍵結構，且部分該些按鍵結構分別包括相對設置之一第一金屬彈片及一第二金屬彈片；及一控制單元，設置於該電路板，該控制單元電性連接於該些感應單元，當該些淨空區所位於的該些按鍵結構被按壓時，該控制單元產生一電容變化值；以及一處理模組，電性連接於該電容感應模組的該控制單元，並接收該電容變化值，該處理模組依據該電容變化值判斷該些按鍵結構的被按壓程度，並產生對應之一輸入訊號。
如申請專利範圍第6項所述之鍵盤，其中該控制單元電性連接於該第一金屬彈片，且該第一金屬彈片作為該感應單元。
如申請專利範圍第6項所述之鍵盤，其中該控制單元電性連接於該第二金屬彈片，且該第二金屬彈片作為該感應單元。
如申請專利範圍第6項所述之鍵盤，其中當該按鍵結構被按壓時，該第一金屬彈片及該第二金屬彈片相互接觸，並產生一觸發訊號，該處理模組並對應產生該輸入訊號。
如申請專利範圍第6項所述之鍵盤，其中該些淨空區所位於的該些按鍵結構為複數方向鍵。
一種鍵盤，包括：一底板，具有複數中空部；複數按鍵結構，分別容置於該些中空部；一電路板，設置於該底板的一表面；一電容感應模組，包括：複數感應單元，分別設置於複數淨空區，該些淨空區鄰近於部分該些按鍵結構，且該些淨空區所鄰近的該些按鍵結構為複數方向鍵，該些方向鍵包括上、下、左、右、A字元、S字元、D字元、或W字元所對應之該些按鍵結構；及一控制單元，設置於該電路板，該控制單元電性連接於該些感應單元，當鄰近於該感應單元的該些按鍵結構被按壓時，該控制單元產生一電容變化值；以及一處理模組，電性連接於該電容感應模組的該控制單元，並接收該電容變化值，該處理模組依據該電容變化值判斷該些按鍵結構的被按壓程度，並產生對應之一輸入訊號。