TWI664504B - 度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種量測與一結構形成程序相關之一所關注參數(例如，疊對)之n個值的方法，其中n＞1。該方法包括：對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由具有一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行；及自n+1個目標之該n次量測判定一所關注參數之n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。每一目標包括n+1個層，每一層包括一週期性結構，該等目標包括具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中。亦揭示一種具有此目標之基板及一種用於形成此目標之圖案化器件。

Description

度量衡方法及裝置、基板、微影方法及相關之電腦產品

本描述係關於一種用於可用於(例如)藉由微影技術進行器件製造之度量衡方法、裝置及電腦產品，且係關於一種使用微影技術來製造器件之方法。

微影裝置為將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)製造積體電路(IC)。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至具有基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或數個晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。在微影程序中，常需要進行所產生結構之量測(例如)以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度之量度)之特殊化工具。可依據兩個層之間的未對準程度來描述疊對，例如，對為1奈米之經量測疊對之參考可描述兩個層未對準達1奈米之情形。 最近，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性(例如，依據波長變化之單一反射角下的強度；依據反射角變化之一或多個波長下的強度；或依據反射角變化之偏振)以獲得「光譜」，可自光譜判定目標之所關注屬性。可藉由各種技術來執行對所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標之重建構；庫搜尋；及主成份分析。 由習知散射計使用之目標為相對較大(例如，40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。舉例而言，此情形簡化目標之數學重建構，此係因為可將目標視為無限的。然而，為了減小目標之大小(例如，減小至10微米乘10微米或更小)例如以便於其可定位於產品特徵當中而非定位於切割道中，已提議使得光柵小於量測光點(亦即光柵填充過度)之度量衡。通常使用暗場散射量測來量測此等目標，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中發現暗場度量衡之實例，該等文件之全文特此以引用之方式併入。該技術之進一步開發已描述於美國專利申請公開案第US 2011-0027704號、第US 2011-0043791號及第US 20120-0242970號中。所有此等申請案之全部內容亦以引用之方式併入本文中。使用繞射階之暗場偵測的基於繞射之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。目標可包含可在一個影像中量測之多個光柵。 在已知度量衡技術中，藉由在某些條件下量測疊對目標兩次，同時旋轉疊對目標或改變照明模式或成像模式以單獨地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度來獲得疊對量測結果。關於給定疊對目標之強度不對稱性(此等繞射階強度之比較)提供目標不對稱性(亦即，目標中之不對稱性)之量測。疊對目標中之此不對稱性可用作疊對(層之間的無意位置偏移)之指示符。

對於層對(或疊對對)之每一量測，亦即，對於後續堆疊內之每一層對，需要單獨疊對目標。將需要以更高效方式量測多個疊對對。 在一態樣中，提供一種量測與在一基板上形成一或多個結構之一程序相關之一所關注參數之n個值的方法，其中n＞1，該方法包含：對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由包含一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行；每一目標包含n+1個層，每一層包含一週期性結構，該等目標包含具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該至少一個偏置週期性結構以相對於其他層之一有意位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中；及自n+1個目標之該n次量測判定該所關注參數之該n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。 在一態樣中，提供一種基板，其包含n+1個目標，每一目標包含n+1個層，每一層包含一週期性結構，該等目標包含具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該至少一個偏置週期性結構以相對於其他層之一位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中。 在一態樣中，提供一種用於執行如本文中所描述之方法的電腦程式及相關聯電腦程式載體。 其他態樣包括：一度量衡器件，其可操作以執行如本文中所描述之方法；一微影裝置，其可操作以藉由可操作以使用一微影程序在如本文中所描述之基板上形成該等目標來製造該基板；及一組圖案化器件，其各自具有用於使一輻射光束圖案化之一圖案以在一微影程序中在一基板上形成一結構，且可操作以產生本文中所描述之基板，每一圖案化器件包含用於形成該等目標之一不同層的一圖案。

在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數準確地定位圖案化器件；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數準確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以藉由圖案化器件MA將施加至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。 本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 如此處所描繪，該裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參考圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於圖案化器件(例如，光罩) MA上且由圖案化器件圖案化，圖案化器件MA固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台MT)上。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移動(例如)以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，例如在自光罩庫機械擷取之後，或在掃描期間，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1中未明確描繪)以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M₁ 、M₂ 及基板對準標記P₁ 、P₂ 來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等基板對準標記被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小的對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述可偵測對準標記物之對準系統之實施例。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa保持基本上靜止，而施加至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa在X方向及/或Y方向上移位以使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。 2. 在掃描模式中，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WTa，而施加至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。基板台WTa相對於圖案化器件支撐件(例如光罩台) MT之速度及方向可由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性判定。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。 3. 在另一模式中，圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa，而施加至輻射光束之圖案投影至目標部分C上。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。 微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個台WTa、WTb (例如，兩個基板台)以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，在曝光站處曝光一個台上之基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，以及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置，該等感測器兩者係由參考框架RF支撐。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤台之位置。作為另一實例，在曝光站處曝光一個台上之基板時，不具有基板之另一台可在量測站處等待(其中視情況可發生量測活動)。此另一台具有一或多個量測器件且視情況可具有其他工具(例如，清潔裝置)。當基板已完成曝光時，不具有基板之台移動至曝光站以執行例如量測，且具有基板之台移動至卸載該基板且裝載另一基板之部位(例如量測站)。此等多台配置實現裝置之產出率之相當大增加。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影單元(lithocell)或微影製造叢集(lithocluster))之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行一或多個曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序器件之間移動基板且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如後續層之間的疊對、線厚度、臨界尺寸(CD)，等。若偵測到誤差，則可對一或多個後續基板之曝光進行調整，尤其是在檢測可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批次之另一基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良產率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行曝光。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另一曝光。另一可能性應為調適後續程序步驟之設定以補償誤差，例如，可調整修整蝕刻步驟之時間以補償由微影程序步驟引起的基板間CD變化。 檢測裝置用以判定基板之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之一或多個屬性如何在不同層間變化及/或橫越基板而變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為單機器件。為了實現最快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度-在已曝光於輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光於輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後進行量測，曝光後烘烤步驟通常為對經曝光之基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能對經顯影抗蝕劑影像進行量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後一可能性限制有疵點基板之重加工的可能性，但仍可提供有用資訊，例如，出於程序控制之目的。 由習知散射計使用之目標包含相對較大的週期性結構佈局(例如，包含一或多個光柵)，例如，40微米乘40微米。在彼狀況下，量測光束通常具有小於週期性結構佈局之光點大小(亦即，佈局填充不足，使得週期性結構中之一或多者未完全由光點覆蓋)。此情形簡化目標之數學重建構，此係由於可將目標視為無限的。然而，舉例而言，因此目標可定位於產品特徵之間而非定位於切割道中，目標之大小已減小(例如)至20微米乘20微米或更小，或減小至10微米乘10微米或更小。在此情形下，可使週期性結構佈局小於量測光點(亦即，週期性結構佈局填充過度)。通常使用暗場散射量測來量測此目標結構，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中發現暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文特此以引用之方式併入。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案之全文係特此以引用之方式併入。使用繞射階之暗場偵測的基於繞射之疊對(DBO或µDBO)實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。在一實施例中，可在一個影像中量測多個目標。 在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性光柵，其經印刷以使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性光柵，其經印刷以使得在顯影之後，該一或多個光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地被蝕刻至基板中。在一實施例中，光柵之圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PL)中之光學像差敏感，且照明對稱性及此等像差之存在將使其自身表現為經印刷光柵之變化。因此，經印刷光柵之經量測資料可用以重建構光柵。自印刷步驟及/或其他量測程序之知識，可將1-D光柵之參數(諸如線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如導柱或通孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理單元PU執行之重建構程序。 圖3A中展示適合用於本發明之實施例中之(暗場)度量衡裝置。圖3B中更詳細地說明目標T (包含諸如光柵之週期性結構)及繞射射線。度量衡裝置可為單機器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中抑或併入於微影製造單元LC中。具有貫穿裝置之若干分支的光軸由點線O表示。在此裝置中，由輸出11 (例如，例如激光或氙氣燈之源或連接至源之開口)發出之輻射經由稜鏡15由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：該透鏡配置仍將基板影像提供至偵測器上。 在一實施例中，透鏡配置允許存取中間光瞳平面以用於空間-頻率濾光。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，此選擇可(例如)藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與透鏡14之間插入合適形式之孔徑板13來進行。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。當前實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供來自僅出於描述起見而指定為「北」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供類似照明，但類似照明係來自被標註為「南」之相反方向。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式以外的任何不必要輻射可干涉所要量測信號。 如圖3B中所展示，目標T經置放為使得基板W實質上垂直於物鏡16之光軸O。與軸線O偏離一角度而照射於目標T上之照明射線I產生一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。在運用填充過度之小目標T的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將跨越角度範圍進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，週期性結構間距及照明角度可經設計或經調整以使得進入物鏡之一階射線與中心光軸接近地對準。圖3A及圖3B中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖中更容易地進行區分。 由基板W上之目標繞射的至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被導向回穿過稜鏡15。返回至圖3A，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線I係來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。相比而言，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(被標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。因此，在一實施例中，藉由在某些條件下量測目標兩次(例如，在使目標旋轉或改變照明模式或改變成像模式以單獨地獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度之後)來獲得量測結果。針對給定目標比較此等強度會提供該目標中之不對稱性之量測，且該目標中之不對稱性可用作微影程序之參數之指示符，例如，疊對。在上文所描述之情形下，改變照明模式。 光束分光器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重建構之許多量測目的，其未在此處被詳細描述。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標的影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上的目標之影像DF係由-1或+1一階光束形成。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器與控制器PU，影像處理器與控制器PU之功能將取決於正被執行之量測的特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，若僅存在-1及+1階中之一者，則不會形成週期性結構特徵之影像(例如，光柵線)。 圖3中所展示之孔徑板13及光闌21之特定形式純粹為實例。在另一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，替代一階光束或除一階光束以外，二階光束、三階光束及較高階光束(圖3中未展示)亦可用於量測中。 為了使照明可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞一盤碟而形成之數個孔徑圖案，該盤碟旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，使用孔徑板13N或13S以量測在一個方向(取決於設置而為X或Y)上定向之目標的週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖3C及圖3D中展示不同孔徑板。圖3C說明離軸照明模式之兩種另外類型。在圖3C之第一照明模式中，孔徑板13E提供來自自僅出於描述起見而相對於先前所描述之「北」指定為「東」之方向的離軸照明。在圖3C之第二照明模式中，孔徑板13W係用以提供類似照明，但類似照明係來自被標註為「西」之相反方向。圖3D說明離軸照明模式之兩種另外類型。在圖3D之第一照明模式中，孔徑板13NW提供來自被指定為如先前所描述之「北」及「西」之方向的離軸照明。在第二照明模式中，孔徑板13SE用以提供類似照明，但類似照明係來自被標註為如先前所描述之「南」及「東」之相反方向。舉例而言，上文所提及之先前公開之專利申請公開案中描述裝置之此等及眾多其他變化及應用的使用。 圖4描繪形成於基板上之複合度量衡目標之實例。複合目標包含接近地定位在一起之四個週期性結構(在此狀況下為光柵)或子目標32、33、34、35。該等週期性結構可足夠接近地定位在一起，使得其皆在由度量衡裝置之照明光束形成之量測光點31內。在彼狀況下，該四個週期性結構因此皆被同時照明且同時成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之一實例中，週期性結構32、33、34、35自身為藉由上覆週期性結構形成之複合週期性結構(例如，複合光柵)，亦即，週期性結構在形成於基板W上之裝置的不同層中經圖案化，且使得一個層中之至少一個週期性結構與不同層中之至少一個週期性結構疊對。此目標可具有在20微米×20微米內或在16微米×16微米內之外部尺寸。 另外，所有週期性結構用以量測一特定層對之間的疊對。為了使目標能夠量測多於單個層對，週期性結構32、33、34、35可為「偏置週期性結構」或「偏置子目標」，其各自具有不同位置偏置(不同層中之週期性結構之間的有意位置偏移)以便於量測其中形成有複合週期性結構之不同部分的不同層之間的疊對。因此，用於基板上之目標之所有週期性結構將用以量測一個層對，且用於基板上之另一相同目標之所有週期性結構將用以量測另一層對，其中不同位置偏置促進區分該等層對。週期性結構32、33、34、35之定向亦可不同，如所展示，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一個實例中，週期性結構32及34為分別具有+d、-d之位置偏置的X方向週期性結構。週期性結構33及35可為分別具有位置偏置+d及-d之Y方向週期性結構。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之分離影像。 圖5展示在使用來自圖3D之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖3之裝置中使用圖4之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然感測器19無法解析不同個別週期性結構32至35，但感測器23可解析不同個別週期性結構32至35。暗矩形表示感測器上之影像之場，在此場內，基板上之經照明光點31成像至對應圓形區域41中。在此場內，矩形區域42至45表示週期性結構32至35之影像。若週期性結構位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可看見產品特徵。影像處理器與控制器PU使用圖案辨識來處理此等影像以識別週期性結構32至35之單獨影像42至45。以此方式，該等影像不必在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此極大地改良量測裝置整體上之產出率。 一旦已識別週期性結構之單獨影像，即可(例如)藉由對經識別區域內之所選像素強度值求平均或求和來量測彼等個別影像之強度。可將影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測微影程序之不同參數。疊對效能為此參數之實例。目標之特定量測係為了獲得強度不對稱性之值。此量測係藉由以下操作進行：影像處理器與控制器PU針對每一週期性結構32至35比較自僅+1繞射階獲得之影像與來自僅-1繞射階之另一影像的強度值，以識別其任何強度差，亦即，不對稱性。術語「差」並不意欲係僅指減法。可以比率形式計算差。亦可使用其他對應高階(例如，+2及-2等)。 就方程式而言，疊對OV(一層對之間的疊對)與強度不對稱性A之間的關係假定為：其中在使得目標間距P對應於角度2π弧度之尺度上表達疊對OV。項d 為經量測目標(或子目標)之位置偏置。假定較小，則此可近似為強度不對稱性A與總偏移之間的正比例關係，其中K為比例常數(或疊對常數)。因此，可使用具有諸如圖4中所展示之不同的已知位置偏置(例如，+d及-d)之目標的兩個量測結果來計算疊對OV。 出於程序均一性原因，有時需要在基板上之層中包括(例如，週期性)虛設結構。此等虛設結構可與目標對準(例如，在經量測目標之光柵下方、上方或之間)，且在這樣做之情況下可能影響目標之疊對量測，從而產生疊對誤差。特別是在虛設結構與目標對準且平行於經量測疊對之方向延伸的狀況下。 因此在一實施例中提議用額外光柵替換虛設結構，且在目標光柵中之至少一者與額外光柵之間量測疊對。此具有另一優點：使能夠量測兩個疊對對(兩個層對組合)之間的疊對，而無需完整目標(諸如圖4中所說明之目標)形成於每一疊對對之基板上。每一額外目標需要圖案化器件/基板上之空間(「實際面積」)，該空間受限制，且需要使疊對目標所需之空間最小化。因而，在另一實施例中，提議以空間高效方式實現兩個或多於兩個疊對對之量測的目標設計及量測方法。即使未指定虛設結構，亦可使用此方法。 根據一實施例之所提議目標設計說明於圖6中。目標設計可包含複數個目標。在所展示之特定實例中且貫穿描述之其餘部分，每一目標被稱為(複合)目標之子目標形成部分。然而，(子)目標可個別地形成且彼此分開地定位。圖6A自上方展示複合目標300，且圖6B展示子目標中之三者之垂直橫截面。圖6A展示包含六個子目標之目標300，其中三個子目標在兩個正交定向中之每一者上，每一子目標係由三個層(例如，圖6B中所展示之層L1、L2及L3)中之每一者中的週期性結構或光柵組成。圖6B僅展示此等子目標中之三者(為了清楚起見)，此等子目標為僅在單一定向(例如，Y方向)上之子目標。考慮到第一定向之子目標，存在第一子目標310a，其在層L3中之光柵相對於其在層L1及L2中之光柵偏移位置偏置+d，存在第二子目標320a，其在每一層中之光柵中之任一者之間不具有位置偏置，且存在第三子目標330a，其在層L2中之光柵相對於其在層L1及L3中之光柵偏移位置偏置-d。視情況，如所展示，在第二定向(例如，X方向)上可存在對應子目標310b、320b、330b。 應注意，目標300之實際形式純粹為例示性的，且子目標之次序/配置、目標定向之數目及位置偏置可不同於所說明之彼等者。相關的是，對於雙疊對對實例存在至少三個子目標，更大體而言，對於n個疊對對存在n+1個目標，每一子目標在其層中之每一者中具有週期性結構；對於每一子目標，n+1個子目標包含在目標層中之一不同者中具有偏置光柵的至少n個偏置子目標。在一實施例中，對於子目標中之每一者，假定經量測強度不對稱性A為三個疊對對之移位之線性組合。根據此假定，則：其中X 為層之間的偏移，K 為經量測強度不對稱性與偏移之間的比例常數，且下標標識相關疊對對(例如，為層L3與層L1中之光柵之間的偏移。在每一狀況下，偏移X 將為疊對OV之總和，且在存在之情況下為位置偏置(例如，偏置+d或-d)。 應瞭解，強度不對稱性與疊對之間的上述線性近似並非關鍵的。強度不對稱性可(更正確地)敍述為正弦項之總和，例如：然而，如所描述，在每一狀況下，偏移X 將足夠小，以使近似有效。此進一步簡化計算，使得可經由如下文所描述之矩陣反轉計算疊對。在不使用此線性近似之替代實施例中，將不經由矩陣反轉而經由合適的非線性最佳化判定疊對。 由於：則： ， 其中且。 子光柵310a/310b、320a/320b、330a/330b之強度不對稱性A ₃₁₀ 、A ₃₂₀ 、A ₃₃₀ 分別為：其中d為下標中所描述之光柵對之間的位置偏置之量值(有意偏移)，且OV為下標中所描述之光柵對之間的疊對(無意偏移)。重排得到：假定使用具有不同波長及/或偏振之量測輻射在同一目標上進行至少第二強度不對稱性量測、、，接著亦可計算α'及β'：組合α、β、α'及β'之此等方程式，可如下計算兩個疊對對：、 當然，其中、判定計算第三疊對對較為簡單，此係由於。 如已提及，目標之實際形式、偏置光柵之部位及/或位置偏置之值可變化。舉例而言，儘管此簡化了計算，但對於每一子目標，位置偏置無需具有相同量值，亦無需處於相反方向上。藉助於雙疊對對(每一定向三個子目標)實例之特定替代方案，偏置子目標中之一者可在層L2及L3兩者中具有偏置光柵，而其他偏置子目標在層L2中具有偏置光柵。替代地或另外，n+1個子目標中之一者未必為非偏置子目標。替代地，對於n個疊對對，目標可包括n+1個偏置子目標(每一方向)。然而，在使用線性近似之情況下，目標應使得在下一段中倒置之矩陣不為奇異矩陣。因而，相比於圖6中所說明之情況，子目標之許多不同其他排列及組合係可能的。 雖然已針對量測兩個疊對對描述了此概念，但其可延伸任何數目n個疊對對(n＞1)。在此類實施例中，在包含n+1個子目標(每一定向)之目標上量測且使用n個不同波長及/或偏振來量測疊對對之數目n。經量測目標之n+1個子目標可包含n個偏置子目標，其在不同層中各自具有位置偏置(例如，+d或-d)光柵。在一實施例中，其他子目標可不包含位置偏置。舉例而言，n個偏置子目標中之每一者可包含在上部層(不同於最底層之層)中之一不同者中各自具有偏置光柵之子目標。在此類實例中，可如下計算疊對：其中疊對OV 下標指代疊對對且對應於先前實例，強度不對稱性A ₁ 為在任何層中皆不具有位置偏置之子目標之強度不對稱性量測，且A ₁ 、α 、 β 等之上標各自係關於運用不同波長及/或偏振之不同量測。如前所述，量測計算項α、β、γ等描述自來自子目標之強度不對稱性量測之特定組合計算的值。在通用基本強度不對稱性方程式中已進行下部疊對對之代入的每一狀況下，可判定此等量測計算項α、β、γ等：使得僅就包括頂層之n個疊對對而言描述方程式。此等n個疊對對中之每一者之每一係數將接著為α、β、γ等項中之一者。舉例而言，當n=3時，則：，，此等係數中之每一者可接著經重排(基於實際目標設計之知識)從而以類似於上文給出的n=2實例所描述之方式就強度不對稱性量測及位置偏置而言加以描述。因而，此等量測計算項中之每一者之實際形式將不僅關於疊對對之數目變化，且亦關於實際目標設計變化。熟習此項技術者將自上述描述顯而易見在每一特定狀況下如何計算每一項。 圖7說明如何可判定兩個或多於兩個疊對對之兩個層之間的疊對。在步驟M1處，經由諸如圖2中所描繪之微影製造單元處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次以產生包括諸如圖6中所展示之目標的目標之結構。在M2處，使用(例如)圖3之度量衡裝置，使用第一波長/偏振之一階繞射光束中之一者(比如-1)來獲得每一子目標之第一影像。在步驟M3處，藉由(例如)改變照明模式或改變成像模式抑或藉由使基板W在度量衡裝置之視野中旋轉180°，使用另一一階(+1)繞射光束(具有相同波長/偏振)來獲得每一子目標之第二影像。 應注意，藉由使在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。未解析個別子目標特徵。每一子目標將僅由具有某一強度位準之區域表示。在步驟M4中，在每一組件子目標之影像內識別所關注區(ROI)，將自該ROI量測強度位準。 在已識別每一各別子目標之所關注區且已量測其強度的情況下，可接著判定每一子目標之強度不對稱性(步驟M5)。 在步驟M6處，判定是否已進行n次量測。若否，則變化量測輻射之波長及/或偏振(步驟M7)且重複步驟M2至M5。在替代實施例中，在度量衡器件具有能力之情況下，可同時執行運用不同波長/偏振之n次量測。此在以下情況下係可能的：度量衡器件使用寬頻帶或多頻帶量測輻射來量測目標，且能夠分別處理與不同波長/偏振相關之量測資料。此類度量衡器件已描述於此項技術中且將為熟習此項技術者所知，且因此不對其進一步描述。 當已各自使用不同量測配方(例如，不同波長/偏振)進行n次量測時，使用量測以及目標設計及位置偏置之知識(步驟M8)來計算包含於經量測目標內之疊對對(每一層對之間的疊對)中之一或多者的疊對。可使用上文所描述之方法及方程式來執行此步驟。可接著出於各種目的使用疊對，該等目的包括各種程序及/或裝置之控制、設計等。舉例而言，疊對可經回饋以改良微影程序，用以改良圖7自身之量測及計算程序、用以改良目標T之設計，等。 提議亦使用以上方法藉由用諸如圖6中所說明之目標之實際疊對光柵形成部分替換虛設結構來減輕虛設結構之影響。此具有滿足程序要求之優點以及得到額外疊對資訊之益處。若額外疊對資訊並非所關注的，則仍可使用虛設結構(光柵)。藉助於具體實例，有可能僅疊對對OV₃₂ 為所關注的，而疊對對OV₃₁ (n=2實例)並非所關注的；然而，在層L1中可能需要虛設結構。為了使其對疊對對OV₃₂ 之量測的影響最小化，相比於主間距(亦即，600奈米)，虛設結構可包含分數(sub-multiple)間距(例如，100奈米)。此目標可以其他方式具有與圖6之目標300之結構類似的結構，其中虛設結構替換層L1中之光柵。在此實例中，經量測α將相對較小，但仍可能導致量測疊對對OV₃₂ 中之量測誤差。因此，可使用如上文所描述之相同方法及方程式(藉由使用不同配方之兩個量測)來消除虛設結構之影響。 所描述方法之主要優點為，其實現在一次量測中判定兩個或多於兩個疊對對(假定使用多頻帶輻射)。另一優點為，相比於使用個別目標，節省了圖案化器件/基板面積。舉例而言，圖6之目標比圖4中所展示之形式的兩個個別目標小25%。相比於使用個別目標來量測相同數目個疊對對，此面積節省隨著疊對對之數目n增加而增加。另外，當使用個別(圖4)目標來量測疊對時，介入疊對層對中之層應打開或受保護以防止信號串擾。然而，本文中所揭示之方法意謂可插入額外光柵，而非保持此類介入層打開或受保護。此具有實現在同一量測中量測插入層之疊對且更加程序友好的優點。 儘管上文已特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑被固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或約為365、355、248、193、157或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5至20奈米範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，或其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。 在方塊圖中，所說明之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，且該等模組係以與所描繪之方式不同的方式組織，例如，可摻和、結合、複寫、解散、分配(例如，在資料中心內或按地區)，或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦的一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此狀況下，在據稱供應或以其他方式提供資訊(例如，內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊來提供該資訊。 除非另外具體地陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算(computing)」、計算(calculating)」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或類似專用電子處理/運算器件之特定裝置的動作或程序。 讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。申請人已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個經隔離專利申請案，此係因為該等發明之相關主題可在應用程序中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例解決本文中所提到之所有不足，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或供應其他未經提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。歸因於成本約束，目前可不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如接續申請案或藉由修正本技術方案)中主張該等發明。類似地，歸因於空間限制，本文獻之發明摘要及發明內容章節皆不應視為含有所有此等發明之全面列舉或此等發明之所有態樣。 應理解，描述及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而正相反，本發明意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇的所有修改、等效物及替代方案。 鑒於此描述，本發明之各種態樣之修改及替代實施例將對於熟習此項技術者而言顯而易見。因此，此描述及圖式應被理解為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者進行本發明之一般方式之目的。應理解，本文中所展示及描述之本發明之形式應被視為實施例之實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，部分及程序可被反轉或被省略，可獨立利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本發明之此描述之益處之後將顯而易見的。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題僅為達成組織性目的，且不意欲用以限制描述之範疇。 如貫穿本申請案所使用，詞「可」係在許可之意義上(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義上(亦即，意謂必須)予以使用。詞「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用，除非內容另有明確地指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該」包括複數個參照物。因此，舉例而言，對「元件(an element/a element)」之提及包括兩個或多於兩個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及短語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非獨占式的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語，例如「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分的因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如，「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提係與出現結果之可能性相關。除非另有指示，否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如，執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等特質或功能經映射至所有此等物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如，所有處理器皆各自執行步驟A至D，及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之狀況)。另外，除非另有指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因數之情況及條件或值為複數個因數當中之一個因數之情況兩者。除非另有指示，否則一些集合之「每一」情況具有一些屬性之陳述不應理解為不包括較大集合之一些另外相同或類似構件不具有該特質的狀況，亦即，每一未必意謂每一及每一個。 在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用方式併入之情況下，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之情況下以引用方式併入。在存在此類衝突之情況下，在此類以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突文字並不具體地以引用方式併入本文中。 對特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該導引進行解譯。 在以下編號條項中描繪根據本發明之另外實施例： 1. 一種量測與在一基板上形成一或多個結構之一程序相關之一所關注參數之n個值的方法，其中n＞1，該方法包含： 對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由包含一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行，每一目標包含n+1個層，每一層包含一週期性結構，且該等目標包含具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一有意位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中；及 自n+1個目標之該n次量測判定該所關注參數之該n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。 2. 如條項1之方法，其中該等量測中之每一者為一強度不對稱性量測，該強度不對稱性量測包含在自該結構繞射之後比較該量測輻射之至少一對對應高繞射階。 3. 如條項1或條項2之方法，其中該所關注參數為疊對，該n個疊對值各自描述在一不同層對中形成之結構之間的一無意位置偏移。 4. 如條項3之方法，其中該n+1個目標進一步包含一非偏置目標，該非偏置目標在其層中之任一者中之該等週期性結構之間不具有有意位置偏置。 5. 如條項4之方法，其中該判定包含判定一一維矩陣與一二維方矩陣之逆的一組合；其中： 該二維方矩陣包含元素，該等元素各自與在一第一維度上藉由該波長及/或偏振組合中之一不同組合執行之該等量測相關，且與在一第二維度上之一不同量測計算項相關；且 該一維矩陣與該非偏置目標之量測相關，該等量測係在該第一維度上藉由該波長及/或偏振組合中之一不同組合而執行。 6. 如條項5之方法，其中每一不同量測計算項與來自該等目標之一不同組合的該等量測相關。 7. 如條項5或條項6之方法，其中該等不同量測計算項係自就頂層與該等其他層中之每一者之間的該n個疊對值而言敍述的一目標之強度不對稱性回應以及該目標結構之知識導出。 8. 如條項7之方法，其中每一不同量測計算項係自該頂層與該等其他層中之每一者之間的該n個疊對值之一不同係數導出。 9. 如條項3至8中任一項之方法，其包含判定兩個正交方向上之該n個疊對值，其中該等目標包含該n+1個目標之兩個集合，一個集合針對該兩個正交方向中之每一者。 10. 如條項3至9中任一項之方法，其中該等目標中之至少一者的該等週期性結構中之至少一者包含一虛設結構，該虛設結構具有可操作以使其對一所關注疊對值之量測之影響最小化的一組態，其中與該虛設結構相關之一疊對值經判定且用以校正該所關注疊對值。 11. 如任一前述條項之方法，其中該n個偏置目標各自包含在其上部層中之一不同層中的該偏置週期性結構。 12. 如任一前述條項之方法，其中該等目標中之每一者為一複合目標之一子目標形成部分。 13. 如任一前述條項之方法，其進一步包含基於該所關注參數之該等經判定值而判定微影製程之一校正。 14. 如條項13之方法，其進一步包含使用該校正來執行一後續微影程序。 15. 一種基板，其包含n+1個目標，每一目標包含n+1個層，每一層包含一週期性結構，該等目標包含具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一有意位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中。 16. 如條項15之基板，其中該n+1個目標進一步包含一非偏置目標，該非偏置目標在其層中之任一者中之該等週期性結構之間不具有有意位置偏置。 17. 如條項15或條項16之基板，其中該n個偏置目標各自包含在其上部層中之一不同層中的該偏置週期性結構。 18. 如條項15至17中任一項之基板，其中該等目標中之每一者為一複合目標之一子目標形成部分。 19. 如條項15至18中任一項之基板，其中該等目標包含該n+1個目標之兩個集合，一個集合針對兩個正交方向中之每一者。 20. 一種微影裝置，其可操作以藉由可操作以使用一微影程序在如條項15至19中任一項之基板上形成該等目標來製造該基板。 21. 一種度量衡器件，其可操作以執行如條項1至14中任一項之方法。 22. 一種微影系統，其包含如條項20之微影裝置及如條項21之度量衡器件。 23. 一組圖案化器件，其各自具有用於使一輻射光束圖案化之一圖案以在一微影程序中在一基板上形成一結構，且可操作以產生如條項15至19之基板，每一圖案化器件包含用於形成該等目標之一不同層的一圖案。 24. 一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在經執行於一合適裝置上時執行如條項1至14中任一項之方法。 25. 一種非暫時性電腦程式載體，其包含如條項24之電腦程式。 因此，本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。

11‧‧‧輸出

12‧‧‧透鏡

13‧‧‧孔徑板

13E‧‧‧孔徑板

13N‧‧‧孔徑板

13NW‧‧‧孔徑板

13S‧‧‧孔徑板

13SE‧‧‧孔徑板

13W‧‧‧孔徑板

14‧‧‧透鏡

15‧‧‧稜鏡

16‧‧‧物鏡/透鏡

17‧‧‧光束分光器

18‧‧‧光學系統

19‧‧‧第一感測器

20‧‧‧光學系統

21‧‧‧孔徑光闌

22‧‧‧光學系統

23‧‧‧感測器

31‧‧‧量測光點

32‧‧‧週期性結構/子目標

33‧‧‧週期性結構/子目標

34‧‧‧週期性結構/子目標

35‧‧‧週期性結構/子目標

41‧‧‧圓形區域

42‧‧‧矩形區域/影像

43‧‧‧矩形區域/影像

44‧‧‧矩形區域/影像

45‧‧‧矩形區域/影像

300‧‧‧複合目標

310a‧‧‧第一子目標/子光柵

310b‧‧‧子目標/子光柵

320a‧‧‧第二子目標/子光柵

320b‧‧‧子目標/子光柵

330a‧‧‧第三子目標/子光柵

330b‧‧‧子目標/子光柵

+1(N)‧‧‧+1繞射射線

+d‧‧‧位置偏置

-1(S)‧‧‧-1繞射射線

-d‧‧‧位置偏置

AD‧‧‧調整器

AS‧‧‧對準感測器

B‧‧‧ 輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

BK‧‧‧烘烤板

C‧‧‧ 目標部分

CH‧‧‧冷卻板

CO‧‧‧聚光器

DE‧‧‧顯影器

DF‧‧‧影像

I‧‧‧照明射線

I/O1‧‧‧輸入/輸出埠

I/O2‧‧‧輸入/輸出埠

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明器

IN‧‧‧積光器

L1‧‧‧層

L2‧‧‧層

L3‧‧‧層

LA‧‧‧微影裝置

LACU‧‧‧微影控制單元

LB‧‧‧裝載匣

LC‧‧‧微影單元/微影製造單元

LS‧‧‧位階感測器

M1‧‧‧步驟

M₁‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧步驟

M₂‧‧‧ 光罩對準標記

M3‧‧‧步驟

M4‧‧‧步驟

M5‧‧‧步驟

M6‧‧‧步驟

M7‧‧‧步驟

M8‧‧‧步驟

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧圖案化器件支撐件/支撐結構/光罩台

O‧‧‧ 光軸

P₁‧‧‧基板對準標記

P₂‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PU‧‧‧影像處理器與控制器

PW‧‧‧第二定位器

RF‧‧‧參考框架

RO‧‧‧基板處置器/機器人

SC‧‧‧旋塗器

SCS‧‧‧監督控制系統

SO‧‧‧源

T‧‧‧ 目標

TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元

W‧‧‧基板

WTa‧‧‧基板台

WTb‧‧‧基板台

X‧‧‧ 方向

Y‧‧‧方向

現將僅藉助於實例參看隨附圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中。 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2描繪根據本發明之一實施例的微影製造單元或叢集； 圖3A為用於使用提供某些照明模式之第一對照明孔徑來量測根據本發明之實施例之目標的量測裝置之示意圖； 圖3B為用於給定照明方向之目標的繞射光譜之示意性細節； 圖3C為在使用量測裝置以用於基於繞射之疊對量測時提供另外照明模式之第二對照明孔徑的示意性說明； 圖3D為在使用量測裝置以用於基於繞射之疊對量測時提供另外照明模式的組合第一對孔徑與第二對孔徑之第三對照明孔徑的示意性說明； 圖4描繪基板上之多重週期性結構(例如，多重光柵)目標之形式及量測光點之輪廓； 圖5描繪在圖3之裝置中獲得的圖4之目標之影像； 圖6A描繪根據本發明之一實施例之多重週期性結構的俯視圖； 圖6B描繪根據本發明之一實施例之圖6A之多重週期性結構的橫截面圖；且 圖7為展示根據本發明之實施例之使用圖3之裝置的疊對量測方法之步驟的流程圖。

Claims (12)

1. 一種量測與在一基板上形成一或多個結構之一程序相關之一所關注參數之n個值的方法，其中n＞1，該方法包含： 對n+1個目標中之每一者執行n次量測，每一量測係藉由包含一不同波長及/或偏振組合之量測輻射而執行，每一目標包含n+1個層，每一層包含一週期性結構，且該等目標包含具有至少一個偏置週期性結構之至少n個偏置目標，該偏置週期性結構以相對於其他層之一有意位置偏置而形成，對於每一偏置目標，該偏置週期性結構在該等層中之至少一不同層中；及 自n+1個目標之該n次量測判定該所關注參數之該n個值，該n個值中之每一者與一不同層對之該所關注參數相關。
2. 如請求項1之方法，其中該等量測中之每一者為一強度不對稱性量測，該強度不對稱性量測包含在自該結構繞射之後比較該量測輻射之至少一對對應高繞射階。
3. 如請求項1或請求項2之方法，其中該所關注參數為疊對，該n個疊對值各自描述在一不同層對中形成之結構之間的一無意位置偏移。
4. 如請求項3之方法，其中該n+1個目標進一步包含一非偏置目標，該非偏置目標在其層中之任一者中之該等週期性結構之間不具有有意位置偏置。
5. 如請求項4之方法，其中該判定包含判定一一維矩陣與一二維方矩陣之逆的一組合；其中： 該二維方矩陣包含元素，該等元素各自與在一第一維度上藉由該波長及/或偏振組合中之一不同組合執行之該等量測相關，且與在一第二維度上之一不同量測計算項相關；且 該一維矩陣與該非偏置目標之量測相關，該等量測係在該第一維度上藉由該波長及/或偏振組合中之一不同組合而執行。
6. 如請求項3之方法，其包含判定兩個正交方向上之該n個疊對值，其中該等目標包含該n+1個目標之兩個集合，一個集合針對該兩個正交方向中之每一者。
7. 如請求項3之方法，其中該等目標中之至少一者的該等週期性結構中之至少一者包含一虛設結構，該虛設結構具有可操作以使其對一所關注疊對值之量測之影響最小化的一組態，其中與該虛設結構相關之一疊對值經判定且用以校正該所關注疊對值。
8. 如請求項1或請求項2之方法，其中該n個偏置目標各自包含在其上部層中之一不同層中的該偏置週期性結構。
9. 如請求項1或請求項2之方法，其中該等目標中之每一者為一複合目標之一子目標形成部分。
10. 如請求項1或請求項2之方法，其進一步包含基於該所關注參數之該等經判定值而判定微影製程之一校正。
11. 一種度量衡器件，其可操作以執行如請求項1至10中任一項之方法。
12. 一種包含程式指令之電腦程式，該等程式指令可操作以在經執行於一合適裝置上時執行如請求項1至10中任一項之方法。