TWI579270B - 用於有機電致發光裝置的咔唑基化合物及包含該化合物之有機電致發光裝置 - Google Patents

用於有機電致發光裝置的咔唑基化合物及包含該化合物之有機電致發光裝置 Download PDF

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Description

用於有機電致發光裝置的咔唑基化合物及包含該化合物之有機電致發光裝置
本發明係關於用於有機電致發光裝置的化合物及包含該化合物之有機電致發光裝置，更特定言之，本發明係關於用於有機電致發光裝置的咔唑基化合物及包含該咔唑基化合物之有機電致發光裝置，該有機電致發光裝置具有高發光效率及低驅動電壓。
有機電致發光(EL)裝置具有較為簡單的結構、各種處理上的優點、較高的亮度、優異的視角性質、較快的反應速率以及與其他平板顯示器(例如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、場發射顯示器(FED)等)相比較低的驅動電壓，因而被完全地開發，以便被利用來作為平板顯示器(例如可壁掛電視等)的光源或顯示器的背光單元、照明器、廣告看板等等。
典型地，當施加直流電壓到有機EL裝置時，從陽極注入的電洞和從陰極注入的電子重組而形成電子-電洞對，亦即激子。當激子返回到穩定的基態時，與其對應的能量被轉移到發光材料，並由此轉換成光。
為了增加有機EL裝置的效率和穩定性，自從伊士曼柯達公司(Eastman Kodak Company)的C.W.Tang等人藉由在兩個相反電極之間形成串聯有機薄膜而製作出在低電壓操作的有機EL裝置(C.W.Tang,S.A.Vanslyke,Applied Physics Letters，第51卷，第913頁，1987年)之後，已經持續有深入用於具有多層薄膜結構的有機EL裝置之有機材料的廣泛和密集研究。這樣的串聯有機EL裝置之效率和壽命與用於薄膜的材料之分子結構有密切的關係。例如，量子效率可大大地視用於薄膜的材料之結構而變化，特別是主體材料、電洞傳輸層材料或電子傳輸層材料。當材料的熱穩定性降低，此材料可能會在高溫下或驅動溫度下結晶，而不理想地縮短了裝置的壽命。
目前已知可用於有機EL裝置的電洞傳輸材料是有問題的，因為使用真空沉積由該電洞傳輸材料形成的薄膜是熱和電不穩定的，因而可能由於裝置驅動後產生的熱而迅速地結晶，而且膜材料也可能會改變，而不理想地劣化裝置的發光效率。此外，可能會出現越來越多稱為暗點的不發光部分，而且電壓在恆定電流驅動下可能會提高，而不理想地損壞裝置。
同時，由於低的三重態能量，使用磷光發光材料的 有機EL裝置不會限制發光層的發光材料中產生的三重態激子，而不理想地降低了裝置的發光效率。
因此，本發明之目的係提供一種用於有機EL裝置的化合物，該有機EL裝置可以具有高的熱穩定性、高的三重態能量以及電洞傳輸能力。
本發明之另一個目的係提供一種有機EL裝置，該有機EL裝置包括如上的化合物，並因而改善了熱穩定性和發光效率，而且其中以上的化合物被用作電洞傳輸層材料，從而限制磷光發光材料的三重態激子，而最終改良了有機EL裝置的效率。
為了實現以上的目的，本發明之一態樣提供一種用於有機EL裝置的化合物，如以下化學式1所表示。
在化學式1中，Ar1為取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30 雜芳基，Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未 取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
本發明之另一個態樣提供一種用於有機EL裝置的化合物，如以下化學式2所表示。
在化學式2中，Ar1為取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基， Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1 至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
本發明之另一個態樣提供一種用於有機EL裝置的化合物，如以下化學式3所表示。
在化學式3中，Ar1為取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的 C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為氫原子、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30環烷基、取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與鄰接與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與 Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
取代的或未取代的C6至C30芳基之實例可以包括取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的聯苯基、取代的或未取代的三聯苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的茀基、取代的或未取代的螺茀基、取代的或未取代的芘基、或取代的或未取代的苝基。
取代的或未取代的C1至C30雜芳基之實例可以包括取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的三嗪基、取代的或未取代的硫苯基、取代的或未取代的吡咯基、取代的或未取代的苯并硫苯基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的咪唑〔1,2-a〕吡啶基、取代的或未取代的苯并咪唑基、取代的或未取代的吲唑基、取代的或未取代的啡噻嗪基、取代的或未取代的啡嗪基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并硫苯基、取代的或未取代的咪唑基、取代的或未取代的三唑基、取代的或未取代的四唑基、取代的或未取代的噁二唑基、取代的 或未取代的噁三唑基、取代的或未取代的噻三唑基、取代的或未取代的苯并三唑基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的嗒嗪基、取代的或未取代的嘌呤基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的異喹啉基、取代的或未取代的呔嗪基、取代的或未取代的萘吡啶基、取代的或未取代的喹【口+咢】啉基、取代的或未取代的喹唑啉基、取代的或未取代的吖啶基、或取代的或未取代的啡啉基。較為有用的為取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的三嗪基、取代的或未取代的硫苯基、取代的或未取代的吡咯基、取代的或未取代的苯并硫苯基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的咪唑[1,2-a]吡啶基、取代的或未取代的苯并咪唑基、取代的或未取代的吲唑基、取代的或未取代的啡噻嗪基、取代的或未取代的啡嗪基、取代的或未取代的咔唑基、或取代的或未取代的二苯并硫苯基。
本發明之另一個態樣提供一種用於有機EL裝置的化合物，該化合物為選自由以下化學式表示的化合物1至33中之任一者。
依據本發明之一實施例，可以提供一種依據本發明包括用於有機EL裝置的化合物之有機電致發光(EL)裝置。
依據本發明之一實施例，一種有機EL裝置可以包括第一電極、第二電極以及介於該第一電極和該第二電極之間的單一有機層或複數有機層，其中一或更多個選自該單一有機層或複數有機層的有機層可以依據本發明包括用於有機EL裝置的化合物。
依據本發明之一實施例，該單一有機層或該複數有機層可以包括發光層。
依據本發明之一實施例，該複數有機層可以包括發光層，而且該複數有機層可以進一步包括選自電子注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層、電子阻擋層、電洞傳輸層以及電 洞注入層中之一或更多者。
依據本發明之一實施例，該發光層可以包括主體以及摻雜劑。
依據本發明之一實施例，與苯基耦合的咔唑基化合物在苯基的鄰位或間位上被一或兩個二芳基胺取代。該化合物被包含於有機EL裝置的有機層中，並且在該有機EL裝置中使用該化合物作為發磷光材料能夠提高三重態能量，由而獲得具有改良的熱穩定性和光發射效率的有機EL裝置。
1‧‧‧有機EL裝置
110‧‧‧第一電極
130‧‧‧有機層
131‧‧‧電子注入層
132‧‧‧電子傳輸層
133‧‧‧電洞阻擋層
134‧‧‧發光層
135‧‧‧電子阻擋層
136‧‧‧電洞傳輸層
137‧‧‧電洞注入層
150‧‧‧第二電極
從下面的詳細描述並結合附圖，將更清楚地理解本發明的以上和其他目的、特徵及優點，其中：第1圖為圖示依據本發明之一實施例的有機EL裝置之剖面圖；以及第2圖為圖示依據本發明之另一個實施例的有機EL裝置之剖面圖。
本發明可以進行各種修改，並且可以具有各種實施例，而且意圖說明特定的實施例。然而，下面的描述不將本發明限制於具體的實施例，並且應被理解為包括在本發明的精神和範圍內的所有變體、等同物或替代。此外，在本發明的描述中，當確定相關技藝的詳細描述會模糊本發明的主旨時，則將刪去對該等相關技藝的描述。
同時，在下面的描述中，術語「第一」、「第二」及類似者係用以將某些組件與其他組件區別，但這樣的組件之 配置不應被解讀為被該等術語限制。例如，在本發明之範圍內，第一組件可以被稱為第二組件，並且第二組件可以被稱為第一組件。
同時，當任一個組件被提到為「被形成」或「被堆疊」在另一個元件上時，該組件可以被直接附接到另一個組件的整個表面或一個表面，或另外的組件可以被額外的插入其間。
除另有陳述，否則單數的表示包括複數的表示。在此申請中，術語「包括」和「具有」係用以指示說明書中描述的特徵、數量、步驟、操作、組件、部件或上述之組合的存在，不意圖排除一或更多個不同特徵、數量、步驟、操作、組件、部件或上述之組合的存在或附加的可能性。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「價鍵」意指單鍵、雙鍵或參鍵。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「取代的」意指取代基或化合物上至少一氫被氘、鹵基、羥基、胺基、C1至C30胺基、硝基、C1至C30矽基、C1至C30烷基、C1至C30烷矽基、C3至C30環烷基、C1至C30雜環烷基、C6至C30芳基、C1至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基或氰基取代。
此外，在取代的鹵基、羥基、胺基、C1至C30胺基、C3至C30矽基、C1至C30烷基、C1至C30烷矽基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基或氰基中，兩個相鄰的取代基可以稠合而形 成環。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「雜」意指含有1至4個選自於由N、O、S以及P所組成之群組的雜原子之官能基，其餘為碳。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「上述之組合」意指兩個或更多的取代基彼此藉由鏈接子(linker)耦合或是兩個或更多的取代基彼此縮合。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「氫」意指氫、氘或氚。
如本文所使用的，除非另有定義，否則術語「烷基」意指脂族烴基。
該烷基可以是沒有任何雙鍵或參鍵的「飽和烷基」。
該烷基可以是具有至少一雙鍵或三鍵的「不飽和烷基」。
術語「亞烯基(alkenylene group)」意指在至少兩個碳原子之間具有至少一碳-碳雙鍵的官能基，並且術語「亞炔基(alkynylene group)」意指在至少兩個碳原子之間具有至少一碳-碳參鍵的官能基。不管是否飽和或不飽和，該烷基可以是支鏈的、直鏈的或環狀的。
該烷基可以是C1至C30烷基，較佳為C1至C20烷基，更佳為C1至C10烷基，而且遠更佳為C1至C6烷基。
舉例來說，C1至C4烷基表示含有1至4個碳原子的烷鏈，特別是選自於由甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁 基、異丁基、二級丁基以及三級丁基所組成之群組的烷鏈。
該烷基之具體實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、三級丁基、戊基、己基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。
該「胺基」包括芳胺基、烷胺基、芳烷胺基或烷芳胺基。
術語「環烷基」係指單環或稠合多環(即共用相鄰碳原子對的環)官能基。
術語「雜環烷基」意指含有1至4個選自於由N、O、S以及P所組成之群組的雜原子之環烷基，其餘為碳。 在該雜環烷基為稠合環的情況下，每個環可以含有1至4個雜原子。
術語「芳香基」意指其中所有的環原子具有p軌域的環狀官能基，而且這些p軌域形成共軛。芳香基之具體實例包括芳基和雜芳基。
術語「芳基」係指單環或稠合多環(即共用相鄰碳原子對的環)官能基。
術語「雜芳基」意指含有1至4個選自於由N、O、S以及P所組成之群組的雜原子之芳基，其餘為碳。在該雜烷基為稠合環的情況下，每個環可以含有1至4個雜原子。
在該芳基和該雜芳基中，環原子的數量為碳原子的數量和非碳原子的數量之總和。
當烷基和芳基被用於如「烷芳基」或「芳烷基」的組合中時，「烷基」和「芳基」分別具有如上的意義。
術語「芳烷基」意指芳基取代的烷自由基，例如苯甲基，並且被併入烷基中。
術語「烷芳基」意指烷基取代的芳自由基，並且被併入芳基中。
以下為參照附圖的本發明實施例之描述，其中藉由相同的元件符號指示相同或相似的組件，並且省略該等實施例之重複描述。
參照第1圖和第2圖，依據本發明之實施例可以提供包括依據本發明用於有機EL裝置的化合物之有機EL裝置1。
依據本發明之另一個實施例，有機EL裝置包括第一電極110、第二電極150以及介於該第一電極和該第二電極之間的單一有機層或複數有機層130，而且一或更多個選自於該單一有機層或該複數有機層130的有機層可以包括依據本發明用於有機EL裝置的化合物。
如此一來，該單一有機層或該複數有機層130可以包括發光層134。
該複數有機層130包括發光層134，而且該複數有機層130可以進一步包括選自電子注入層131、電子傳輸層132、電洞阻擋層133、電子阻擋層135、電洞傳輸層136以及電洞注入層137中之一或更多者。
發光層134可以包括主體和摻雜劑。
該有機EL裝置較佳係藉由透明基板支撐。用於該透明基板的材料並無特別限制，只要具有良好的機械強度、 熱穩定性及透明度即可。該透明基板之具體實例可以包括玻璃、透明塑膠膜等。
依據本發明的有機EL裝置之陽極材料可以包括具有4電子伏特(eV)或更高的功函數的金屬、合金、導電化合物或上述之混合物。該陽極材料之具體實例可以包括金(Au)金屬或透明導電材料，例如CuI、ITO(銦錫氧化物)、SnO2以及ZnO。陽極膜之厚度較佳為設定於10至200nm。
依據本發明的有機EL裝置之陰極材料可以包括具有小於4eV的功函數的金屬、合金、導電化合物或上述之混合物。該陰極材料之具體實例可以包括鈉(Na)、鈉-鉀(Na-K)合金、鈣、鎂、鋰、鋰合金、銦、鋁、鎂合金或鋁合金。此外，還可以使用鋁/AlO2、鋁/鋰、鎂/銀或鎂/銦。陰極膜之厚度較佳為設定於10至200nm。
為了提高有機EL裝置的發光效率，一或更多個電極較佳為具有10%或更多的光透射率。電極的片電阻較佳為數百Ω/mm或更小。電極的厚度落在10nm至1微米的範圍中，較佳為10至400nm。這樣的電極可以使用上述的電極材料經由氣相沉積(例如化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或類似者)或濺射法製造成薄膜的形式。
當使用依據本發明用於有機EL裝置的化合物以便適用本發明之目的時，習知的電洞傳輸材料、電洞注入材料、發光層材料、用於發光層的主體材料、電子傳輸材料以及電子注入材料可以在每個有機層中被單獨使用，或是可以與依據本發明用於有機EL裝置的化合物選擇性組合而使用。
電洞傳輸材料之實例可以包括卟啉化合物衍生物，包括N,N-二咔唑基-3,5-苯(mCP)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)、N,N'-二(1-萘基_-N,N'-二苯基聯苯胺(NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二胺基聯苯(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-4,4'-二胺基聯苯、N,N,N',N'-四-對-甲苯基-4,4'-二胺基聯苯、N,N,N',N'-四苯基-4,4'-二胺基聯苯、1,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟啉銅(II)等；三芳基胺衍生物，包括在主鏈或側鏈中具有芳香叔胺的聚合物、1,1-雙(4-二-對-甲苯基胺基苯基)環己烷、N,N,N-三(對-甲苯基)胺及4,4',4'-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]三苯基胺；咔唑衍生物，包括N-苯基咔唑及聚乙烯基咔唑；酞青衍生物，包括無金屬酞青和酞青銅；星爆胺衍生物；烯胺二苯乙烯基衍生物、含芳香叔胺的苯乙烯基胺化合物衍生物；聚矽烷等。
電子傳輸材料之實例可以包括二苯基膦氧化物-4-(三苯基矽基)苯基(TSPO1)、Alq3、2,5-二芳基矽醇基(sylol)衍生物、(PyPySPyPy)、全氟化化合物(PF-6P)、八取代的環辛四烯化合物(COT)等。
在依據本發明的有機EL裝置中，電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層以及電洞注入層可以被以含有一或更多種上述化合物的單層形式提供，或者可以被以含有不同種化合物的複數堆疊層形式提供。
發光材料可以包括例如光致發光螢光材料、螢光增亮劑、雷射染料、有機閃爍體及螢光分析試劑。該發光材料 之具體實例包括咔唑基化合物、氧化膦基化合物、咔唑基氧化膦化合物、聚芳香族化合物(包括雙((3,5-二氟-4-氰基苯基)吡啶)銥吡啶甲酸(FCNIrpic)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、蒽、菲、芘、苯並菲、苝、蔻、紅螢烯以及喹吖酮)、寡聚伸苯化合物(包括四聯苯)、用於液體閃爍的閃爍體(包括1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基-5-苯基-2-噁唑基)苯、1,4-雙(5-苯基-2-噁唑基)苯、2,5-雙(5-叔丁基-2-苯并噁唑基)噻吩、1,4-二苯基-1,3-丁二烯、1,6-二苯基-1,3,5-己三烯及1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯)、奧辛衍生物之金屬複合物、香豆素染料、二氰基亞甲基哌喃染料、二氰基亞甲基噻喃染料、聚次甲基(polymethine)染料、側氧苯并 蒽(oxobenzanthracene)染料、二苯并哌喃(xanthene)染料、碳苯乙烯基(carbostyryl)染料、苝染料、噁嗪化合物、二苯乙烯衍生物、螺化合物、噁二唑化合物等。
依據本發明的有機EL裝置之每一層可以使用習知的製程(例如真空沉積、旋塗或澆鑄)以薄膜的形式提供，或者可以使用每個層材料製造。每一層的厚度沒有特別的限制，但可以視材料的性質進行適當的設置，而且典型可以在2至5000奈米的範圍中被測定。
因為依據本發明用於有機EL裝置的化合物可以接受真空沉積，故薄膜形成製程簡單，並且可以輕易地獲得實質上不具有銷孔的均勻薄膜。
可以經由以下的實例來獲得對本發明(關於用於有 機EL裝置的化合物之合成以及包括該化合物的有機EL裝置之製造)更好的瞭解，該等實例係被提出來說明本發明，而不是被解讀為限制本發明。
[實例]
製備實例1. 中間物1,N,N-二苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷-2-基)苯胺之合成
將10克的3-溴基-N,N-二苯基苯胺、11.7克的聯硼酸雙頻那醇酯(bispinacolato diboron)、9.1克的KOAc和0.76克的[1,1'-雙(聯苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)[Pd(dppf)Cl2]以及100毫升(ml)的DMSO在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並在80℃攪拌10小時。將反應溶液冷卻並以二氯甲烷和水萃取，以及將萃取的溶液濃縮。使用二氯甲烷和正己烷的混合溶劑將濃縮的溶液進行管柱層析並濃縮，因而得到3.9克的N,N-二苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷-2-基)苯胺(產率38%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.57(s,1H),7.49-7.48(d,1H),7.26-7.24(dd,1H),7.22-7.20(m,4H),7.17(d,1H),7.07-7.03(d 4H),6.98-6.95(dd,2H),1.31-1.28(m,12H)
製備實例2. 中間物2,3-(二-對-甲苯基胺基)苯基硼 酸之合成
將10克的3-溴基-N,N-二甲苯基苯胺在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，加入100ml的THF，藉由攪拌溶解混合物，將產生的溶液降溫到-78℃。將溶於乙醚的n-BuLi緩慢滴加到該混合物中。之後，逐滴加入溶於THF的3.2克B(OMe)3，將燒瓶升溫到室溫，然後持續攪拌該混合物。在室溫攪拌該混合物3小時、加入鹽酸、用乙酸乙酯和水洗滌該混合物以及萃取和濃縮有機層。將二氯甲烷加入濃縮物中，因而獲得6.8克的中間物2，為白色結晶(產率75%)。
1H NMR(CDCl3,300MHz)δ 7.83-7.80(m,1H),7.64-7.61(m,1H),7.30-7.25(t,1H),7.19-7.17(m,1H),7.05-6.90(m,8H),2.28(s,6H)
製備實例3. 中間物2-異丙基-N-苯基苯胺之合成
將15克的甲基-2-胺基苯甲酸鹽、15.6克的溴苯、 0.9克的Pd2(dba)3、0.4克的P(t-Bu)3以及28.6克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，加入100ml的甲苯，將混合物攪拌並回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得甲基-2-(苯基胺基)苯甲酸鹽(21.0克，產率93%)。
將以上獲得的20克甲基-2-(苯基胺基)苯甲酸鹽在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，加入300ml的THF，藉由攪拌溶解混合物，以及將溶液降溫到0℃。緩慢滴加溶於THF的CH3MgBr。完成滴加之後，將該混合物緩慢升溫至室溫，並攪拌5小時。然後，使用乙酸乙酯和水洗滌有機層。萃取、濃縮該有機層，並藉由管柱分離，因而獲得2-異丙基-N-苯基苯胺(16.9克，產率91%)。
製備實例4. 中間物9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶之合成
將製備實例3中獲得的15克2-異丙基-N-苯基苯胺放在圓底三頸燒瓶中、在室溫逐滴加入濃硫酸以及攪拌混合物。在完成滴加之後，進一步在室溫攪拌該混合物5小時。然後，用乙酸乙酯和水洗滌有機層、萃取、濃縮以及藉由管柱分離，獲得9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶(13.4克，產率90%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.41-7.39(m,2H), 7.13-7.01(m,2H),6.96-6.92(t,2H),6.71-6.69(d,2H),6.13(s,1H),1.61(s,6H)
製備實例5. 中間物3之合成
將10.0克製備實例4中獲得的9,9-二甲基-9,10-二氫吖啶、16.1克的1-溴基-3-碘苯、0.43克的Pd2(dba)3、0.50克的PPh3以及13.6克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入150ml的甲苯。將混合物攪拌、加熱及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥、濃縮以及藉由二氧化矽管柱分離。
將上面的有機化合物、18.0克的聯硼酸雙頻那醇酯、13.9克的乙酸鉀、0.7克的Pd(dppf)Cl2以及100ml的DMSO在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中、攪拌以及以保持在80℃的溫度回流。反應完成之後，用二氯甲烷和蒸餾水萃取反應混合物、乾燥、因而獲得固體。藉由管柱使用二氯甲烷和正己烷分離固體，並再結晶，因而獲得中間物3(13.6 克，產率70%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.94-7.92(d,1H),7.75(s,1H),7.64-7.61(t,1H),7.45-7.43(m,3H),6.96-6.89(m,4H),6.24-6.21(m,2H),1.69(s,6H),1.34(s,12H)
製備實例6. 中間物4之合成
將10克的甲基-2-胺基苯甲酸鹽、21.4克的2-溴基-N,N-二苯基苯胺在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中。中間物4係以與製備實例3和4相同的方式獲得(19.4克，產率78%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.41-7.39(d,1H),7.21-7.17(m,4H),7.13-7.01(m,6H),6.97-6.90(m,3H),6.71-6.69(d,1H),6.60-6.57(m,1H),6.20-6.18(m,1H),6.05(s,1H),1.60(s,6H)
製備實例7. 中間物5之合成
將15克製備實例6中獲得的中間物4、12.4克的1-溴基-3-碘苯、0.36克的Pd2(dba)3、0.41克的PPh3以及11.5克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍中放在圓底三頸燒瓶中，並加入150ml的甲苯。將該混合物攪拌、加熱以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥及濃縮，並藉由二氧化矽管柱分離。
將上面獲得的有機化合物、15.0克的聯硼酸雙頻那醇酯、11.6克的乙酸鉀、0.6克的[1,1'-雙(聯苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)[Pd(dppf)Cl2]以及100ml的DMSO在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中。將混合物以保持在80℃的溫度攪拌並回流。反應完成之後，用二氯甲烷和蒸餾水萃取反應混合物，因而獲得固體。藉由管柱使用二氯甲烷和正己烷分離固體，並再結晶，因而獲得中間物5(19.4克，產率84%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.95-7.92(d,1H),7.75(s,1H),7.64-7.62(m,1H),7.46-7.39(m,2H),7.21-7.17(m, 4H),7.13-7.01(m,6H),6.97-6.90(m,3H),6.71-6.69(d,1H),6.60-6.57(m,1H),6.20-6.18(m,1H),6.05(s,1H),1.60(s,6H),1.32(s,12H)
製備實例8. 中間物6之合成
將15克的2-溴基-N,N-二苯基苯胺、8.6克的苯胺、0.4克的Pd2(dba)3、0.4克的P(t-Bu)3以及13.3克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍中放在圓底三頸燒瓶中，並加入100ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得中間物6。(14.6克，產率94%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.29-7.26(m,2H),7.21-7.17(m,4H),7.07-7.02(m,7H),6.96-6.92(m,3H),6.87-6.85(m,1H),6.66-6.63(m,2H),5.60(s,1H)
製備實例9. 中間物7之合成
以與製備實例7相同的方式獲得中間物7，不同之處僅在於使用中間物6取代中間物4。(產率56%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.58-7.57(d,1H),7.50-7.48(d,1H),7.28-7.26(m,1H),7.21-7.16(m,7H),7.08-7.03(m,7H),6.99-6.94(m,3H),6.87-6.85(t,1H),6.66-6.63(m,2H)
製備實例10. 中間物8之合成
以與製備實例7相同的方式獲得中間物8，不同之 處僅在於使用二苯基胺和2-溴基-4-碘基甲苯作為試劑。(產率69%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.54-7.53(d,1H),7.21-7.18(t,4H),7.09-7.07(d,1H),7.05-7.02(m,5H),6.95-6.92(t,2H)
製備實例11. 3,5-雙(二苯基胺)-1-溴基苯之合成
將9克的1,3,5-三溴基苯、8克的二苯基胺、0.26克的Pd2(dba)3、0.30克的P(t-Bu)3以及8.2克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入100ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得5克的3,5-雙(二苯基胺)-1-溴基苯(35%產率)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.24-7.21(t,8H),7.08-7.06(d,8H),7.02-7.00(t,4H),6.75-6.74(d,2H),6.71-6.70(d,1H)
製備實例12. 中間物9、3,5-雙(二苯基胺)-1-頻那醇硼苯之合成
以與製備實例1相同的方式使用10克製備實例11中合成的3,5-雙(二苯基胺)-1-溴基苯來獲得4克的3,5-雙(二苯基胺)-1-頻那醇硼苯(產率37%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.20-7.19(d,2H),7.19-7.16(t,8H),7.02-7.01(d,8H),6.94-6.91(m,5H),1.26(s,12H)
製備實例13. 中間物10之合成
以與製備實例11相同的方式獲得中間物10，不同之處僅在於使用二-甲苯基胺取代二苯基胺。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.02-7.00(d,8H),6.94-6.92(d,8H),6.62-6.60(m,2H),6.55-6.54(m,1H),1.28(s,12H)
製備實例14. 中間物11之合成
中間物11係以與製備實例1相同的方式使用製備實例13中得到的中間物10來獲得(產率42%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.04-7.02(d,8H),6.98-6.96(d,8H),6.87-6.85(m,2H),6.81-6.80(m,1H),1.27(s,12H)
製備實例15. 中間物12之合成
將5克的3,6-二溴基咔唑、14.8克製備實例2中獲得的中間物2、0.4克的Pd(PPh3)4以及12.8克的K2CO3在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入100ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得9.1克的中間物12(產率83%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.20(s,2H),8.04(s,2H),7.55-7.53(dd,2H),7.42-7.39(m,4H),7.29-7.28(m,2H),7.07-7.04(m,16H),6.99-6.96(m,2H),2.29(s,12H)
製備實例16. 中間物13之合成
將10克的3,6-二溴基-9-苯基-9H-咔唑、4.6克製備實例1中獲得的中間物1、0.3克的Pd(PPh3)4以及5.1克的K2CO3在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入100ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得4.1克的中間物13(產率58%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.29-8.27(d,1H),8.18-8.15(d,1H),7.65-7.52(m,7H),7.50-7.40(m,5H),7.28-7.24(m,4H),7.18-7.14(m,4H),7.05-6.98(m,3H)
製備實例17. 中間物14之合成
以與製備實例16相同的方式獲得中間物14，不同之處僅在於使用製備實例10中獲得的中間物8取代中間物1。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.20-8.18(d,1H),8.00-7.98(d,1H),7.60-7.53(m,3H),7.50-7.42(m,4H),7.31-7.29(m,1H),7.25-7.05(m,11H),7.03-6.94(m,3H),2.28(s,3H)
製備實例18. 中間物15之合成
將3克的二苯基胺、7克的2-溴基碘苯、0.1克的1,10-啡啉、0.12克的CuI(1)以及7.8克的KOH在氮氣氛圍下放在 圓底三頸燒瓶中，並加入20ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌產生的溶液。收集有機層、用MgSO4乾燥以及藉由管柱分離，因而獲得3.0克的中間物15(產率52%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.62-7.60(m,1H),7.32-7.26(m,1H),7.25-7.19(m,5H),7.10-7.08(m,1H),7.06-7.01(m,4H),6.99-6.92(m,2H)
製備實例19. 中間物16之合成
使用製備實例18中獲得的中間物15以與製備實例1相同的方式獲得中間物16。(產率42%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 7.87-7.84(m,1H),7.67-7.61(m,1H),7.52-7.50(m,1H),7.25-7.19(m,4H),7.10-7.08(m,1H),7.06-7.01(m,4H),6.99-6.92(m,2H),1.34(s,12H)
實例1. 化合物1之合成
將2克的3,6-二溴基-9-苯基-9H-咔唑、3.9克製備實例1中合成的中間物1、0.3克的Pd(PPh3)4以及4.1克的K2CO3在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入50ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌反應溶液。然後使用MgSO4去除收集的有機層之水分。藉由管柱分離反應混合物並再結晶，因而獲得1.8克的化合物1(產率49%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ δ 7.63-7.61(d,2H),7.25-7.22(dd,4H),7.08-7.07(d,4H),7.03-7.01(t,2H),6.83-6.82(m,2H),2.41(s,3H),1.30(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：730.5
實例2. 化合物2之合成
以與實例1相同的方式獲得化合物2，不同之處僅在於使用製備實例2中合成的中間物2取代中間物1。(產率54%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.32-8.29(m,2H),7.62-7.59(t,2H),7.57-7.54(m,4H),7.49-7.46(t,1H),7.44-7.40(m,4H),7.33-7.32(m,4H),7.10-7.08(m,16H),7.03-7.00(m,2H),2.33(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：786.2
實例3. 化合物3之合成
以與實例1相同的方式合成化合物3，不同之處僅在於使用製備實例5中合成的中間物3取代中間物1。(產率58%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.32-8.29(m,2H),7.62-7.59(t,2H),7.57-7.52(m,4H),7.49-7.43(m,7H),7.41-7.32(m,6H),7.06-7.02(d,2H),6.96-6.88(m,8H),6.24-6.20(m,4H),1.67(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：810.1
實例4. 化合物4之合成
將3克製備實例15中合成的中間物12、1.3克的2-溴基吡啶、0.04克的Pd2(dba)3、0.04克的P(t-Bu)3以及1.2克的Na(t-BuO)在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入50ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌反應溶液。然後使用MgSO4去除收集的有機層之水分。藉由管柱分離反應混合物並再結晶，因而獲得2.1克的化合物4(產率64%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.71-8.69(m,1H),8.25-8.24(d,2H),7.92-7.89(m,1H),7.85-7.82(d,2H),7.64-7.60(d,1H),7.58-7.54(m,2H),7.41(s,1H),7.32-7.28(d,4H),7.10-6.98(m,20H),2.57(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：787.5
實例5. 化合物5之合成
以與實例4相同的方式合成化合物5，不同之處僅在於使用3-溴基聯苯基取代2-溴基吡啶。(產率68%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.29-8.28(d,2H),7.80-7.79(m,1H),7.71-7.63(m,4H),7.56-7.52(m,3H),7.48-7.45(m,4H),7.42-7.37(m,3H),7.32-7.28(d,4H),7.09-7.04(m,16H),7.00-6.97(m,2H),2.31(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：862.0
實例6. 化合物6之合成
以與實例4相同的方式合成化合物6，不同之處僅在於使用製備實例9中合成的中間物7取代2-溴基吡啶。(產率48%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.30-8.26(m,2H),7.62-7.58(t,2H),7.57-7.52(m,4H),7.49-7.43(m,3H),7.41-7.32(m,4H),7.21-7.17(m,12H),7.08-7.02(d,16H),6.97-6.94(t,6H),6.87-6.85(t,2H),6.66-6.63(m,4H)
LC/Mass[M+H]+：1064.4
實例7. 化合物7之合成
以與實例1相同的方式合成化合物7，不同之處僅在於使用製備實例9中合成的中間物7取代中間物1。(產率48%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.30-8.26(m,2H),7.62-7.58(t,2H),7.57-7.52(m,4H),7.49-7.43(m,3H),7.41-7.32(m,6H),7.21-7.17(m,8H),7.13-7.02(m,14H),6.96-6.92(m,6H),6.71-6.69(d,2H),6.60-6.57(d,2H),6.20-6.18(d,2H),1.63(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：1144.7
實例8. 化合物8之合成
以與實例4相同的方式合成化合物8，不同之處僅在於使用4-溴基-N,N-二苯基苯胺取代2-溴基吡啶(產率69%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.26-8.25(m,2H),7.55-7.52(m,2H),7.43-7.40(d,2H),7.39(s,2H),7.37-7.35(d,2H),7.34-7.27(m,8H),7.25-7.22(m,2H),7.21-7.18(d,4H),7.10-7.04(m,18H),7.00-6.96(m,2H),2.31(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：953.6
實例9. 化合物9之合成
以與實例1相同的方式合成化合物9，不同之處僅在於使用製備實例10中合成的中間物8取代中間物1。(產率48%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.30-8.26(m,2H),7.57-7.52(m,2H),7.49-7.43(m,2H),7.41-7.32(m,4H),7.25-7.18(m,10H),7.11-7.09(m,2H),7.07-7.00(m,10H),6.99-6.94(m,4H),2.28(s,6H)
LC/Mass[M+H]+：758.8
實例10. 化合物10之合成
將2.8克製備實例16中合成的中間物13、3.2克製備實例12中合成的中間物9、0.2克的Pd(PPh3)4以及2.1克的K2CO3在氮氣氛圍下放在圓底三頸燒瓶中，並加入50ml的甲苯。將該混合物攪拌以及回流。反應完成之後，用二氯甲烷和水洗滌反應溶液。然後使用MgSO4去除收集的有機層之水分。藉由管柱分離反應混合物並再結晶，因而獲得2.3克的化合物10(產率52%)。
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.29-8.27(m,1H),8.12-8.10(m,1H),7.62-7.58(m,3H),7.57-7.52(m,4H),7.49-7.43(m,4H),7.41-7.32(m,2H),7.25-7.20(m,12H),7.16-7.11(m,12H),7.04-6.92(m,8H),6.82-6.80(m,1H)
LC/Mass[M+H]+：897.3
實例11. 化合物11之合成
以與實例10相同的方式合成化合物11，不同之處僅在於使用製備實例14中合成的中間物11取代中間物9。(產率64%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.30-8.26(m,1H),8.12-8.10(m,1H),7.62-7.58(m,3H),7.57-7.52(m,3H),7.42-7.40(m,3H),7.28-7.24(m,4H),7.18-6.94(m,25H),6.82-6.80(m,1H),2.28(s,12H)
LC/Mass[M+H]+：953.5
實例12. 化合物33之合成
以與實例1相同的方式合成化合物33，不同之處僅在於使用製備實例19中合成的中間物16取代中間物1。(產率57%)
1H NMR(CDCl3,600MHz)δ 8.30-8.26(m,2H),7.88-7.85(m,1H),7.65-7.58(m,4H),7.57-7.52(m,2H),7.48-7.44(t,1H),7.41-7.38(d,2H),7.36-7.32(m,2H),7.25-7.19(m,8H),7.18-7.14(d,8H),7.02-6.98(m,5H)
LC/Mass[M+H]+：730.1
裝置實例1. 製造包括化合物1作為第二電洞傳輸層的有機EL裝置
將塗覆有厚度100nm的ITO(銦錫氧化物)薄膜的玻璃基板使用異丙基醇溶劑進行超音波洗滌、乾燥、放在電漿清洗系統中，使得該基板被使用氧電漿清洗5分鐘，然後被傳送進入真空沉積系統。
因此製備出的ITO透明電極被用來作為陽極，並且將DNTPD[N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間-甲苯基胺基)-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺]真空沉積於ITO基板上，因而形成厚度55nm的電洞注入層。之後，真空沉積厚度30nm的NPB[N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺]，因而形成第一電洞傳輸層，並且使用化合物1在該第一電洞傳輸層上形成厚度10nm的第二電洞傳輸層。在該第二電洞傳輸層上真空沉積厚度25nm的CBP[4,4-N,N-二咔唑聯苯基]作為主體以及6體積%的Ir(PPy)3[三(2-苯基吡啶)銥]作為摻雜劑，因而形成發光層。
之後，使用Bphen[4,7-二苯基-1,10-啡啉]在發光層上形成厚度30nm的電子傳輸層。在該電子傳輸層上依序真空沉積2nm厚的Liq(鋰喹啉鹽)和100nm厚的Al，以形成陰極，從而製造出有機EL裝置。
裝置實例2. 製造包括化合物2作為第二電洞傳輸層的有機EL裝置
以與裝置實例1相同的方式製造有機EL裝置，不同之處僅在於使用化合物2取代化合物1。
比較裝置實例1. 製造包括NPB作為第二電洞傳輸層的有機EL裝置
以與裝置實例1相同的方式製造有機EL裝置，不同之處僅在於使用NPB取代化合物1。
以下表示出實例中使用的DNTPD、NPB、CBP以及Bphen之化學式。
測試實例：評估有機EL裝置之性質
以1000cd/m2的亮度評估裝置實例1、2以及比較裝置實例1之裝置性質，結果顯示於下表1。
電流密度
在製造出的有機EL裝置中，當電壓從0伏(V)提高到10V時，使用電流-電壓計(Keithley 2635A Source Meter)量測每個單位裝置的電流，並將量測的電流值除以面積，而得到電流密度。
亮度效率
在製造出的有機EL裝置中，當電壓從0V提高到10V時，使用亮度計(Minolta CS-2000)量測亮度，並將量測的亮度值除以電流值，而得到亮度效率。
色彩座標
使用亮度計(Minolta CS-2000)量測色彩座標。
[表1]
參照表1，從依據本發明使用化合物1和2作為第二電洞傳輸層材料來製造有機EL裝置的結果可明顯看出，與使用NPB作為傳統材料時相比，所有的裝置皆表現出優越的性質。
雖然為了說明的目的已經揭示了本發明的較佳實施例，但本技術領域中具有通常知識者將理解到，在不脫離如所附申請專利範圍中所揭示的本發明之範圍和精神下，各種修改、添加及取代皆是可能的。
1‧‧‧有機EL裝置
110‧‧‧第一電極
130‧‧‧有機層
150‧‧‧第二電極

Claims (9)

  1. 一種用於一有機電致發光裝置的化合物，由以下化學式1表示： 其中Ar1為一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的C6至C30芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代 的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
  2. 一種用於一有機電致發光裝置的化合物，由以下化學式2表示： 其中Ar1為一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代 的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
  3. 一種用於一有機電致發光裝置的化合物，由以下化學式3表示： 其中Ar1為一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，Ar2至Ar9彼此相同或不同，並且Ar2至Ar9各自獨立為一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或Ar2和Ar3、Ar4和Ar5、Ar6和Ar7及Ar8和Ar9分別鏈接形成一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R1和R2彼此相同或不同，並且R1和R2各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代 的或未取代的C1至C30雜芳基、或R1和R2中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，R3和R4彼此相同或不同，並且R3和R4各自獨立為一氫原子、一取代的或未取代的C1至C30烷基、一取代的或未取代的C3至C30環烷基、一取代的或未取代的C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的C6至C30芳基、或一取代的或未取代的C1至C30雜芳基，或R3和R4中之至少一者進一步與一鄰接一與其鏈接的碳原子之碳原子耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C3至C30環烷基、一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、一取代的或未取代的稠合C6至C30芳基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，或R3進一步與Ar2和Ar3中之任一者耦接，以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，R4進一步與Ar6和Ar7中之任一者耦接以形成一取代的或未取代的稠合C1至C30雜環烷基、或一取代的或未取代的稠合C1至C30雜芳基，一起具有一中間的氮原子，m為0或1，以及n為0或1。
  4. 一種用於一有機電致發光裝置的化合物，該化合物係選自以下化學式所表示的化合物1至33：
  5. 一種有機電致發光裝置，包括選自請求項1至請求項3中任一者之化合物。
  6. 一種有機電致發光裝置，包含一第一電極、一第二電極以及一介於該第一電極和該第二電極之間的單一有機層或複數有機層，其中一或更多個選自該單一有機層或複數有機層的有機層包括選自請求項1至請求項3中任一者之化合物。
  7. 如請求項6所述之有機電致發光裝置，其中該單一有機層或該複數有機層包括一發光層。
  8. 如請求項6所述之有機電致發光裝置，其中該複數有機 層包括一發光層，而且該複數有機層進一步包括選自一電子注入層、一電子傳輸層、一電洞阻擋層、一電子阻擋層、一電洞傳輸層以及一電洞注入層中之一或更多者。
  9. 如請求項7所述之有機電致發光裝置，其中該發光層包括一主體以及一摻雜劑。
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