TWI573983B - 用於投射體的機電引信 - Google Patents

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Description

用於投射體的機電引信
本發明係有關一種用於投射體的機電引信。本發明尤其係有關一種具有用來實施機械點衝擊機構的衝擊感測及自毀功能之電子發射電路。
如第1圖所示，通常自一武器管發射的一圓形物10包含一彈殼20、一彈體30、及一鼻錐40，且係沿著一縱軸12按照該順序配置該等組件。被安裝在鼻錐40之一引信(圖中未示出)是一安全裝置，用以保證該投射體在其被推進到離開膛口有一預定距離之前是安全的；換言之，只有在該投射體被推進到超過一最小安全膛口距離之後，該投射體才被置於備炸狀態。現在舉例說明一傳統的機械引信：一旦投射體被推進通過武器管之後，一旋轉引動鎖解除一失衡轉子。該轉子的旋轉速率被一小齒輪總成及一邊界總成管制，因而在一預定延遲時間之後，且在該投射體到達一戰術距離之後，該轉子旋轉到其備炸位置，且使該轉子的一針刺雷管對準一彈尖引爆(Point Detonating；簡稱PD)針。一旦處於備炸位置之後，該轉子被一備炸鎖定針保持在該備炸位置。當該鼻錐在一被設計的或最佳角度下撞擊一目標時，亦即，在該點衝擊模式時，衝擊力將與該轉子附著的一安全與備炸(safe-and-arm)總成單元向前推進，且該彈尖引爆針隨即觸發該針刺雷管。該安全裝置然 後可觸發該投射體內配置的一傳爆管32及/或一炸藥34。
在某些投射體中，設有被配置在該安全與備炸總成單元與該鼻錐間之一機械自毀機構。在該投射體未命中其目標，著陸在軟土，或以低掠角(glazing angle)著陸，且極緩慢地靜止之後，該機械自毀機構是針刺雷管觸發之第二安全裝置。在該投射體無法被點衝擊引爆之後，一機械自毀功能可將一旋轉衰減機構用來解除該針刺雷管上的一彈簧負載自毀(Self-Destruct；簡稱SD)撞針。本案申請人本身的旋轉衰減自毀引信係述於美國專利6,237,495。
上述點衝擊引爆(PD)及自毀(SD)機構需要機械零件的精確移動。投射體有時以斜角衝擊目標；在城市地形中經常遭遇此種狀況；也會遭遇以被配置成某些角度的車體板特別設計的裝甲車之目標斜面。斜角衝擊經常可能損壞PD及/或SD機構。如"US Military Operations On Urbanized Terrain(MOUT)"在"Weapon Effect_MOUT_B0386"中所述的，城市地形中使用的投射體中大約有25%會失效。未爆的投射體造成危險，且因而要求新開發的爆炸物裝置設有自毀功能。
在一種方法中，被讓渡給Action Manufacturing Company的美國專利7,729,205說明了一種適用於投射體之小電流微控制器電路。該專利也說明了一種引信電路之精確定時系統。
因而可得知目前需要一種具有高可靠性之新引信系統，以便保證大部分的投射體在被部署之後將被衝擊及/或 自毀觸發而引爆。
下文中提供了一簡化摘要，以便提供對本發明之基本了解。該摘要並不是本發明之一徹底的之概述，且其用意不是識別本發明之關鍵性特徵。其用意只是以一種一般性之形式提供本發明的某些創新觀念，作為接續的詳細說明之一前言。
本發明意圖提供一種在95%或更高的信賴水準下具有大約99%或更高的可靠性之機電引信。係以一機械引信及一電子引信電路實現該機電引信。
在一實施例中，本發明提供了一種用於投射體之引信，該引信包含：一後座力發電機(setback generator)，用以供應電力；被耦合到一電子發射電路之一衝擊感測器觸發電路及一安全閉鎖電路；以及與一撞針對準之方式配置的一電雷管；其中在該投射體衝擊一目標之後，該衝擊感測器觸發電路將取決於該安全閉鎖電路之一發射信號傳送到該電子發射電路，而觸發該電雷管，該電雷管然後可操作而引動該撞針，以便觸發一針刺雷管。
在另一實施例中，本發明提供了一種控制投射體的引信之方法，該方法包含下列步驟：將一壓電感測器之一信號及一安全閉鎖電路耦合到一電子發射電路；其中該電子發射電路可操作而在一衝擊感測模式中觸發一電雷管，該電雷管然後可操作而引動一撞針，以便觸發一針刺雷管。 在一實施例中，將該壓電感測器之一信號耦合到該電子發射電路之該步驟包含下列步驟：傳送該壓電感測器之輸出信號，以便控制一矽控整流器(SCR)之一閘極。
在該撞針之一實施例中，在與該投射體的移動相關的前進方向上，不容許該撞針觸發該針刺雷管，但是在向後方向上容許該撞針觸發該針刺雷管，因而當該電雷管被觸發時，產生一推力，而引動該撞針到該針刺雷管。
在該安全閉鎖電路之一實施例中，其包含一n通道場效電晶體(Field Effect Transistor；簡稱FET)，該n通道FET之汲極被連接到一矽控整流器(Silicon-Controlled Rectifier；簡稱SCR)之一閘極，且該n通道FET之源極被連接到一接地點，因而在該投射體被推進而通過一戰術距離之後，該後座力發電機產生之一電壓脈波Vin減少到一預定低位準，使被施加到該n通道FET的一閘極電壓線之一電壓無法再將該n通道FET保持在導通狀態，因而該n通道FET被關閉，且因而該安全閉鎖電路被停止啟動，且該發射信號然後被傳送到該SCR之該閘極，而使該SCR被開啟，因而該SCR於響應時可操作而觸發該電雷管。
在該衝擊感測器觸發電路之一實施例中，其包含一壓電感測器、一閘控D型閂鎖器、及一電壓比較器。
在該引信之另一實施例中，其包含一微控制器及一旋轉損失感測器。該旋轉損失感測器輸出被連接到該微控制器之一輸入，而該微控制器輸出一PIEZO_EN、PIEZO_CLR、ARM、TIME_OUT、及DAC信號。在一實施 例中，該DAC信號驅動該電壓比較器之參考電壓；當該投射體接近及目標時，該DAC信號可自一高位準改變為一較低位準。在又一實施例中，該ARM信號被連接到該n通道FET之該閘極電壓線；該ARM信號可以是一高位準至低位準信號。
現在將參照各附圖而說明本發明的一或多個特定及替代實施例。然而，熟悉此項技術者當可了解：可在沒有這些特定細節之情形下實施本發明。可能不詳細地說明某些細節，以便不會模糊了本發明。為了便於參照，於參照該等圖式共用之相同的或類似的特徵時，將在所有該等圖式中使用共同的參考編號或參考編號系列。
第2圖示出根據本發明的一實施例的一投射體50。一機電引信100被配置在投射體50之鼻錐40。如第2A圖所示，機電引信100包含一機械引信101及一電子引信電路200。機電引信100包含一外殼104以及外殼104上所建的一框106。外殼104包封了一安全與備炸總成單元110以及一撞針150。含有電子引信電路200之一印刷電路板(Printed Circuit Board；簡稱PCB)204連同一後座力發電機202及一電雷管295被安裝在框106上。電雷管295被對準撞針150之頂部。如第2A圖所示，一扣簧112將安全與備炸總成單元110向後壓。外殼104之基部有一開孔，該開孔上安裝了一傳爆藥32。
一失衡轉子114、一小齒輪總成116、及一邊界總成117被以可樞轉之方式安裝在外殼104。轉子114具有一針刺雷管120及一備炸鎖定針122。轉子114被安裝成處於第2B圖所示之一"安全"位置時，針刺雷管120並未對準撞針150。為了將轉子114保持在該"安全"位置，安全與備炸總成單元110具有一掣子118及作用在該掣子上之一彈簧119。在該"安全"位置上，掣子118延伸而鎖定轉子114不使其轉動。當投射體50被推進通過武器管時，投射體50繞著其縱軸12旋轉，且離心力作用在掣子118上，使掣子118壓著彈簧119而縮回。第2C圖示出掣子118部分地縮回，而第2D圖示出掣子118完全地縮回。如第2B-2D圖所示，小齒輪總成116與邊界總成117接合，邊界總成117可操作而擺動，且週期性地延遲小齒輪總成116的旋轉，因而在投射體50已被推進到超過最小安全膛口距離之後(亦即，在一預定的延遲備炸時間之後)，轉子114旋轉到其"備炸"位置；在該"備炸"位置上，如第2A圖所示，針刺雷管120對準了撞針150。如第2E圖所示，備炸鎖定針122將轉子114保持在該備炸位置。當鼻錐40於此種點衝擊模式期間在一被設計的或最佳角度下撞擊一目標時，衝擊力將安全與備炸總成單元110向前推進而壓到撞針150，因而觸發針刺雷管120。在前進方向上，不容許針刺雷管120被推進到撞針150，但是如將於後文中說明的，當撞針150被電雷管295引動而在向後方向上，容許針刺雷管120被推進到撞針150。在此種方式 下，針刺雷管120的引爆然後又觸發傳爆藥32及/或被配置在投射體50的彈體30內之炸藥34。
第3圖示出根據本發明的一實施例的電子引信電路200之功能方塊圖。如第3圖所示，電子引信電路200至少包含一發電電路210、一微控制器220、一旋轉損失感測器240、一衝擊感測器觸發電路260、一發射電路280、以及一安全閉鎖電路290。
如第3A圖所示，發電電路210至少包含一後座力發電機202、一二極體D1、電荷儲存電容C1、C2、以及一電壓調整器208。後座力發電機202被安裝在框106上。當在武器管中發射投射體50時，後座力發電機202內之一磁鐵的位移產生一電壓脈波Vin。Vin被該二極體D1整流，且電力然後被儲存在兩個電荷儲存電容C1、C2。在該等電容C1、C2兩端提供了一曾納二極體D2及一電阻R1。曾納二極體D2限制了被供應到電容C1、C2的尖峰電壓，而大約1百萬歐姆(Mohm)的R1可在投射體50無法爆炸的情形中讓該等電容C1、C2緩慢地(例如，於30分鐘的期間)放電。來自儲存電容C1的初始充電電壓Vcap太高而無法被下游數位電路使用。Vcap因而被電壓調整器208調整，而提供了一被調整的諸如大約3.3伏特之電壓Vcc。電壓調整器208屬於一種低壓降及小靜態電流的類型。提供了電容C3，用以維持電壓調整器208的穩定操作。
如第3及3B圖所示，被調整的電壓Vcc被供應到一 微控制器220。微控制器220是一低功率的8位元混合信號微處理器。一振盪器230週期性地將微控制器220自其休眠模式啟動，以便減少其電力消耗。微控制器220執行記時，且控制某些安全禁止線，而且其功能在說明電子引信電路200的其他組件時將會更清楚。在一實施例中，微控制器220輸出一ARM信號；在另一實施例中，微控制器220輸出一數位至類比轉換器(Digital-to-Analogue Converter；簡稱DAC)信號。
請再參閱第3B圖，旋轉損失感測器240被連接到微控制器220之輸入。第3B1圖示出具有電接點A1、A2、A3之旋轉損失感測器240。在投射體50被推進到武器管內之後，旋轉損失感測器240感受到高初始離心加速度，而該離心加速度在投射體50離開膛口時達到最大值，然後離心加速度緩慢地減小。旋轉損失感測器240中之一球241響應高離心加速度，而被強制壓著一彈簧242而沿著一通道徑向地滑動。如第3B1圖所示，球241的移動閉合A1、A2、及A3上之電接點。在感受最大加速度之後，球241上的離心力逐漸減小，且彈簧242響應地使球241朝向其未被引動的位置復位，因而使球241以一種相反的方式閉合各電接點，亦即，自A3至A2，然後回到A1位置。為了安全上的考慮，只有在該A1電接點第二次被啟動之後，該A1信號才設定微控制器220中之一旗標。於響應時，微控制器220在實質上9至30秒之後輸出一自毀TIME_OUT信號，因而在一投射體被部署後無法爆炸之後 ，該TIME_OUT信號可啟動投射體50之自毀。微控制器220也輸出PIEZO_CLR、PIEZO_EN、及ARM信號。該PIEZO_CLR信號是用來在壓電感測器輸出信號被電子引信電路200處理之前先清除第3C或3C1圖所示之一壓電感測器262的狀態。提供與該PIEZO_CLR信號互補的該壓電感測器啟用(或PIEZO_EN)信號，而使壓電感測器262能夠輸出，以便在衝擊感測期間產生一發射信號。在一實施例中，該ARM信號是一高位準至低位準脈波，以便保證電子引信電路200不會被寄生雜訊啟動。
第3C圖示出根據本發明的另一實施例的衝擊感測器觸發電路260。如第3C圖所示，壓電感測器262被連接到一電壓比較器264之一非反相(+)端，而一參考電壓被連接到一反相(-)端。在由電阻R3及R4構成的一分壓器上分接該被調整的電壓供應Vcc，而提供該參考電壓。當投射體50經歷一衝擊時，壓電感測器262產生的一電壓尖突(voltage spike)短暫地高於該參考電壓，且電壓比較器264之輸出因而改變為高位準。如第3C圖所示，電壓比較器264之輸出被連接到一D型閂鎖器270之時脈端。於響應時，在D型閂鎖器270的該時脈端上有一上升脈波之情形下，D型閂鎖器270的D端上之PIEZO_EN信號輸入將Q輸出改變為高位準。一壓電感測觸發(或PIEZO_TRG)信號然後被傳送到發射電路280。在另一實施例中，微控制器220將PIEZO_CLR信號強制傳送到D型閂鎖器270之一清除(或CLR)輸入端，而PIEZO_EN信號被強制傳送，以 便啟用衝擊感測。
第3C1圖示出根據本發明的一實施例的一衝擊感測器觸發電路260a。衝擊感測器觸發電路260a類似於先前的電路260，但是不同之處在於：如第3C1圖所示，現在是由來自微控制器220之DAC輸出驅動該參考電壓。在一實施例中，該DAC輸出隨著時間的經過而自一高位準改變為一較低位準。其優點在於：當投射體50接近其目標時，衝擊感測器觸發電路260a之靈敏度更高一些。測試已證明：甚至在投射體50以斜角撞擊其目標時，電子引信電路200也能夠偵測到衝擊，而此種情況對機械點衝擊引爆模式是無效的。另一優點在於：衝擊感測器觸發電路260、260a之響應時間短於機械點引爆響應時間。
第3D圖示出根據本發明的其他實施例的發射電路280及安全閉鎖電路290。在發射電路280中，自微控制器220輸出之TIME_OUE信號及自D型閂鎖器270輸出之PIEZO_TRG被連接到一"或"閘282。"或"閘282之輸出可操作而驅動一矽控整流器SCR之一閘極電壓線。如第3D圖所示，該SCR閘極電壓線被連接到安全閉鎖電路290。
如第3D圖所示，安全閉鎖電路290一n通道場效電晶體(FET)292，該FET 292之汲極被連接到該SCR閘極電壓線，且該FET 292之源極被連接到接地點。FET 292之閘極被連接到一分壓器及曾納二極體D4，該曾納二極體D4具有由後座力發電機202供應之電壓脈波Vin。一正 FET閘極電壓使FET 292之閘極通道導通；因此，該SCR閘極電壓被下拉到接地電位，且因而在電子引信電路200處於備炸狀態之前提供一安全閉鎖。當投射體50正在朝向其目標推進時，FET 292的閘極上之電壓降低。當FET 292的閘極上之電壓太低而無法使FET 292保持在導通狀態時，FET 292變成關閉，且因而電子引信電路200變成處於備炸狀態。"或"閘282的輸入端上之PIEZO_TRG或TIME_OUE信號將"或"閘282之輸出改變為高位準，而將一發射信號提供給該SCR。該SCR閘極上之該發射信號使該SCR導通，且隨即傳送電荷電容C1、C2中儲存之電能Vcap，而啟動電雷管295。
在安全閉鎖電路290之另一實施例中，來自微控制器220之該ARM信號被連接到n通道FET 292之閘極電壓線。該ARM信號是一高位準至低位準信號。在電子引信電路200處於備炸狀態之前，該ARM信號是高位準，且n通道FET 292的閘極上之該強制電壓使該FET導通，且將該SCR的閘極電壓線下拉到接地電位。當電子引信電路200處於備炸狀態時，該ARM信號改變為低位準，且n通道FET 292被關閉，因而一發射信號被傳送到該SCR的閘極，而使該SCR導通，因而可傳送電荷電容C1、C2中儲存之電能Vcap，而啟動電雷管295。
在另一實施例中，衝擊感測器觸發電路260在功能上是獨立的。例如，在微控制器220故障或失靈之情況下，其為本發明的電子引信電路200之一故障安全(fail-safe) 功能。如第3C圖所示，被調整的電壓供應Vcc被耦合到PIEZO_CLR及PIEZO_EN線；因此，投射體50被部署時，該PIEZO_EN線立即持續地被啟用。
由第2A圖可知：機械引信101涉及諸如轉子114、小齒輪總成116、邊界總成117、及撞針150等的許多精密零件之移動。例如，當投射體50在一斜角下撞擊一硬目標時，投射體50可能跳彈，此時投射體50的彈體30可能猛撞其目標。在某些事件中，此種情況可能導致撞針150偏離或未對準針刺雷管120之中心。框106也可能未對準。在其他的事件中，機械引信101的該等組件可能未對準且無法工作。針刺雷管120的未對準可能影響到與傳爆藥32間之爆炸藥鏈(explosive train)。由於投射體50的彈體中之炸藥34與傳爆藥32之間有段距離，所以傳爆藥32的任何未對準都可能影響到炸藥34之引爆。因為電子引信電路200之響應時間比機械引信101之響應時間快，所以提供了衝擊感測器觸發電路260、260a，以便在機械引信101開始任何偏移或未對準之前即觸發一發射信號。在投射體50於一斜角下撞擊一硬目標之後的一毫秒之分數是衝擊感測器觸發電路260、260a觸發且發射電路280響應之所有時間；本發明之電子引信電路200已被設計成實現上述之觸發及響應。自所進行的測試可知，本發明之機電引信100的整體可靠性在95%或更高的信賴水準下增加到大約99%或更高。
雖然已說明且示出了一些特定實施例，但是我們應可 了解：可在不脫離本發明之範圍下，對本發明作出許多改變、修改、變化、及以上各項之組合。將在申請專利範圍中界定本發明之範圍，且以本說明及各圖式支持該範圍。
50‧‧‧投射體
100‧‧‧機電引信
40‧‧‧鼻錐
101‧‧‧機械引信
500‧‧‧電子引信電路
104‧‧‧外殼
106‧‧‧框
110‧‧‧安全與備炸總成單元
150‧‧‧撞針
204‧‧‧印刷電路板
202‧‧‧後座力發電機
295‧‧‧電雷管
112‧‧‧扣簧
32‧‧‧傳爆藥
114‧‧‧失衡轉子
116‧‧‧小齒輪總成
117‧‧‧邊界總成
120‧‧‧針刺雷管
122‧‧‧備炸鎖定針
118‧‧‧掣子
119,242‧‧‧彈簧
12‧‧‧縱軸
30‧‧‧彈體
34‧‧‧炸藥
210‧‧‧發電電路
220‧‧‧微控制器
240‧‧‧旋轉損失感測器
260,260a‧‧‧衝擊感測器觸發電路
280‧‧‧發射電路
290‧‧‧安全閉鎖電路
208‧‧‧電壓調整器
230‧‧‧振盪器
241‧‧‧球
262‧‧‧壓電感測器
264‧‧‧電壓比較器
270‧‧‧D型閂鎖器
282‧‧‧"或"閘
292‧‧‧場效電晶體
200‧‧‧電子引信電路
已參照各附圖而利用本發明的一些非限制性實施例說明了本發明，在該等附圖中：第1圖示出一習知投射體之一結構；第2圖示出根據本發明的一實施例的一投射體；第2A圖示出被配置在根據本發明的一實施例的第2圖所示的該投射體的一鼻錐內之一機械引信之一切開透視圖；第2B-2E圖示出在安全與備炸位置之間交替的各階段中被用於第2A圖所示的引信的一安全與備炸總成單元之後視圖；第3圖示出根據本發明的另一實施例的第2A圖所示該機械引信中實施的一電子引信系統之一方塊圖；第3A圖示出根據本發明的另一實施例的第3圖所示該引信系統中使用之一發電及電壓調整電路；第3B圖示出配合根據本發明的另一實施例的第3圖所示該引信系統而使用之一控制器；而第3B1圖示出具有3個電接點之旋轉損失感測器；第3C圖示出配合根據本發明的另一實施例的第3圖所示該引信系統而使用之一衝擊感測觸發電路；第3C1圖示出根據本發明的另一實施例的一衝擊感測觸發電路；以及 第3D圖示出配合根據本發明的又一實施例的第3圖所示該引信系統而使用之一發射及安全閉鎖電路。
32‧‧‧傳爆藥
100‧‧‧機電引信
101‧‧‧機械引信
104‧‧‧外殼
106‧‧‧框
110‧‧‧安全與備炸總成單元
150‧‧‧撞針
204‧‧‧印刷電路板
202‧‧‧後座力發電機
295‧‧‧電雷管
112‧‧‧扣簧
114‧‧‧失衡轉子
116‧‧‧小齒輪總成
120‧‧‧針刺雷管
118‧‧‧掣子
200‧‧‧電子引信電路

Claims (26)

  1. 一種用於投射體之引信，包含：一後座力發電機，用以在該引信啟動後供應電力；被耦合到一電子發射電路之一衝擊感測器觸發電路及一安全閉鎖電路；其中該衝擊感測器觸發電路包括一壓電感測器；以及以實質上同軸串聯之方式配置的一電雷管以引動一撞針；其中在該投射體衝擊一目標之後，該壓電感測器產生且將取決於該安全閉鎖電路之一發射信號傳送到該電子發射電路，而觸發該電雷管，該電雷管之外延然後可操作而引動該撞針，以便觸發配置在該引信內的一針刺雷管。
  2. 如申請專利範圍第1項之引信，其中在與該投射體行進相關的前進方向上，不容許該撞針觸發該針刺雷管，但是在向後方向上容許該撞針觸發該針刺雷管，因而當該電雷管被觸發時，產生一推力，而引動該撞針接觸到該針刺雷管。
  3. 如申請專利範圍第1項之引信，其中該安全閉鎖電路包含一n通道場效電晶體，該n通道場效電晶體之汲極被連接到一矽控整流器(SCR)之一閘極，且該n通道場效電晶體之源極被連接到一接地點，因而在該投射體被推進而通過一戰術距離之後，該後座力發電機產生之一電壓脈波Vin減少到一預定低位準，使被施加到該n通道場效電晶體的一閘極電壓線之一電壓無法再將該n通道場效電晶 體保持在導通狀態，因而該n通道場效電晶體被關閉，且因而該安全閉鎖電路被停止啟動，且該發射信號然後被傳送到該SCR之該閘極，而使該SCR被開啟，因而該SCR於響應時可操作而觸發該電雷管。
  4. 如申請專利範圍第3項之引信，進一步包含：一微控制器，該微控制器根據該微控制器中被設定的預定時脈期間而輸出ARM、壓電感測器啟用(或PIEZO_EN)及壓電感測器清除(或PIEZO_CLR)信號。
  5. 如申請專利範圍第4項之引信，進一步包含一旋轉損失感測器，該旋轉損失感測器之輸出設定該微控制器中之一旗標，且輸出一TIME_OUT自毀信號。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之引信，其中該衝擊感測器觸發電路包含一閘控D型閂鎖器，其中該衝擊感測器觸發電路之輸出被連接到該閘控D型閂鎖器之一時脈(或CLK)輸入，而該PIEZO_EN被連接到一D輸入，該PIEZO_CLR信號被連接到一清除(或CLR)輸入，且在一Q端上輸出一PIEZO_TRG。
  7. 如申請專利範圍第4項之引信，其中該壓電感測器之輸出被連接到一電壓比較器之一非反相端，而自一分壓器分接之一參考電壓被連接到一反相端。
  8. 如申請專利範圍第7項之引信，其中該微控制器輸出一數位至類比(DAC)信號，該DAC信號可操作而驅動該電壓比較器上之該參考電壓。
  9. 如申請專利範圍第8項之引信，其中該DAC信號隨 著時間的經過而自一高位準改變為一相對低位準，因而當該投射體接近其目標時，該壓電感測器之靈敏度響應地提高。
  10. 如申請專利範圍第4項之引信，其中該ARM信號被連接到該n通道場效電晶體之該閘極電壓線。
  11. 如申請專利範圍第10項之引信，其中該ARM信號包含一高位準至低位準信號。
  12. 如申請專利範圍第6項之引信，其中該發射電路包含一"或"閘，其中該PIEZO_EN信號可讓該PIEZO_TRG信號或該TIME_OUT信號被輸入到該"或"閘，而產生該發射信號。
  13. 如申請專利範圍第1項之引信，進一步包含一安全與備炸總成單元，該針刺雷管可在該安全與備炸總成單元上旋轉，因而在該投射體被推進到一最小膛口安全距離之後，該針刺雷管對準該撞針。
  14. 一種控制投射體的引信之方法，該方法包含：將一壓電感測器之一信號及一安全閉鎖電路耦合到一電子發射電路；其中該壓電感測器產生且傳送發射信號至該電子發射電路以依據該安全閉鎖電路而在一衝擊感測模式中觸發一電雷管，其中該電雷管之外延可操作而引動一撞針，而觸發一針刺雷管，而該電雷管以實質上與該撞針同軸串聯之方式配置。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中將該壓電感 測器之一信號耦合到該電子發射電路之該步驟包含傳送該信號，以便控制一矽控整流器(SCR)之一閘極。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之方法，其中將一安全閉鎖電路耦合到該電子發射電路包含：控制一n通道場效電晶體(FET)之一閘極電壓線，該n通道場效電晶體之汲極被連接到一矽控整流器(SCR)之一閘極，且該n通道場效電晶體之源極被連接到接地點，來自一後座力發電機的一電壓脈波Vin供應之該場效電晶體閘極電壓初始時高到足以導通該n通道場效電晶體，因而該發射信號被拉到接地電位，而不使該電子引信電路處於備炸狀態；以及在該投射體已到達一戰術距離的一預定時間之後，該場效電晶體閘極電壓變成太低而無法將該n通道場效電晶體保持傳導，該n通道場效電晶體被關閉，且導致該安全閉鎖電路被停止啟動，且該發射信號然後被傳送到該SCR之該閘極，而使該SCR被開啟，因而該SCR於響應時可操作而觸發該電雷管。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，進一步：由一微控制器控制該發射電路，該微控制器根據該微控制器中被設定的預定時脈期間而輸出ARM、壓電感測器啟用(或PIEZO_EN)及壓電感測器清除(或PIEZO_CLR)信號。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，進一步包含：將一旋轉損失信號輸入到該微控制器，以供該微控制器輸出一TIME_OUT自毀信號。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，進一步包含：響 應該壓電感測器的輸出提供之一時脈信號及來自該微控制器之一壓電感測器清除(或PIEZO_CLR)信號，而閂鎖該PIEZO_EN信號，以便提供一PIEZO_TRG輸出信號。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，進一步包含：將該壓電感測器之輸出電壓與一參考電壓比較。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該微控制器輸出一數位至類比(DAC)信號，該DAC信號可操作而驅動該參考電壓。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該DAC信號隨著時間的經過而自一高位準改變為一較低位準，因而當該投射體接近其目標時，該壓電感測器之靈敏度響應地提高。
  23. 如申請專利範圍第17項之方法，進一步包含：將該ARM信號連接到該n通道場效電晶體之該閘極電壓線。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該ARM信號包含一高位準至低位準信號。
  25. 如申請專利範圍第14項之方法，進一步包含：在該投射體已被推進到一最小膛口安全距離之後，將被配置在一安全與備炸總成單元上之該針刺雷管旋轉至對準該撞針。
  26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該撞針可操作而在一彈尖引爆模式中觸發該針刺雷管，且該電子發射電路可操作而在一衝擊感測模式或一自毀模式中觸發該電 雷管。
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