TWI571280B - Oral tissue anti - inflammatory system - Google Patents
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Description
本發明係有關一種口腔組織抗發炎系統,尤指一種可以增進與調理人體口腔組織以避免發炎的共振波頻率配方技術。
一般口腔組織發炎即是指嘴、唇或舌頭上有腫脹、斑點或潰瘍等部位的發炎病變而言。其中,口腔發炎與病變較為常見的就是口瘡、唇皰疹、白斑及口腔念珠病等之病變。由於口腔潰瘍、發炎不止是會產生疼痛不適感而已,而且還會干擾進食與說話,以現代醫學觀點而言,持續一星期以上的口腔潰瘍都必須就醫,而且建議採取活組織切片檢查法,透過檢查即可判定病因,以作為是否排除癌症與愛滋病等嚴重疾病的依據。再者,有些醫學專家認為口腔組織發病的原因與人體免疫系統、細菌或病毒有著密切的關係。例如壓力、外傷、過敏、抽煙、鐵元素或者其他維生素缺乏等因素,這些都是口腔組織發炎的主要原因。
一般而言,治療方式依患者的症狀類型而不同,上述常見的口腔組織發炎不外乎有以下的治療方法:
1.使用非處方的軟膏、止痛劑或是抗菌漱口水等,於治療後僅能可提供暫時性的緩解而已,雖有助於降低發炎指數,但是卻無法有效根治。
2.服用處方箋的抗菌劑、抗真菌藥物或是病毒藥,治療後有助於降低發炎指數,並會降低病毒感染的機率。
3.使用非處方箋的局部麻醉藥,雖可提供暫時性緩解,但是卻無法有效根治。
由上述得知,除了上述治療方式以外,良好的口腔衛生習慣亦是避免口腔組織發炎非常重要的因素。另一方面,牙周病亦是口腔組織非常常見的病變之一。牙周病發生原因主要是細菌侵入牙周組織所致的口腔疾病,細菌本身與其分泌的毒素造成牙齦、牙周韌帶和齒槽骨的崩解破壞,輕者會有口臭、牙齦發紅腫脹疼痛,以及刷牙流血症狀,嚴重時牙齒會搖動甚至脫落。不僅如此,牙周病會透過唾液互相傳染,細菌一旦經由發炎的牙齦進入血液,附著在受傷的心臟瓣膜或心內膜壁上,嚴重者甚至會造成細菌性心內膜炎而引發心臟病。
傳統治療牙周病治療方式,則是以開刀方式將牙齦肉翻開,刮除出裏面的結石與污垢,嚴重的牙周病甚至必須採用翻瓣手術,開刀將病患牙齦翻開,刮除牙周壞死組織;另一種治療牙周病治療方式,則是採用無痛雷射治療,主要是運用雷射高溫滅菌的特性,醫師可以在不傷及任何牙周組織的情況下,為病患清除有害口腔健康的病菌。無痛雷射治療具有縮減療程時間、少流血、少傷害以及滅菌率高等優點。雷射治療可藉由雷射光束的刺激,以活化牙周組織的自癒及再造能力,使其自行生長出新的組織結構,雖然雷射治療可達到減低搖動與鞏固牙齒之目的,惟,雷射治療費用高於傳統手術,而且是依牙周囊袋深度而定,費用是傳統治療的2至3倍左右。
另外,相關技術領域業者已然開發出一種如發明第200726444號『處理口腔組織用之具活化特徵表面的裝置』所示的專利,其
係包含一建構在口腔組織附近的托架,及活化特徵表面,活化特徵表面耦合至托架,並將重複性運動及電磁輻射(即電磁輻射如LED、雷射或光纖所發出之光波)傳送至口腔組織。口腔架可對牙齒變色、牙周病等症狀進行檢測、處理、及護理,該專利雖然可以達到口腔組織活化的效果,惟與本發明的技術差異在於,該專利之電磁輻射非為共振波,而是一種電磁輻射如LED、雷射或光纖所發出的光波;反觀本發明係採用共振波作為活化能量的來源;其次,該專利用來覆蓋上齒及下齒的小型口腔架與本發明採用之能量作用單元的結構形態不同,可見,該專利除了採用技術手段與本發明不同之外,至於所產生之機能效果亦與本發明有所不同。
既然,共振波對於人體之疾病、生心理狀態有其特定且良好的效果,並已成為相關技術領域業者所爭相投入生產製造及研發的技術,惟,要開發出一套非藥物性、免開刀並可活化牙周組織的自癒及再造能力的共振波技術,則必需要有長期深入研發與試驗方有機會達成。
有鑑於生物共振波對於人體疾病的治療或生理舒緩有極大的可能療效,本發明人長期積極努力研究各種病症或生理狀態所需的電能波,找出較佳的治療或舒緩的共振波頻率組合及其所產生的能量波組合,並將之具體實現,經實作與實驗均能產生良好效果,在此之前已陸續申請了數件發明專利,也已有獲准專利。而今再鑑於一般大眾常因口腔發炎而承受各種口腔疾病之苦,而前述專利與先前技術尚未有一套可以對於口腔組織具有抗發炎的物理處理方式或電能波配方,本發明人等乃積極努力研
發,經實作與實驗,終於研發出一種可以對口腔組織具有抗發炎的電能波配方,本發明所達成之功效,於上述習用技術均無法有效具體達成,為確保本發明之合法權益,爰依法具文提出專利申請。
本發明主要目的,在於提供一種用口腔組織抗發炎系統,主要是於多個頻率作用時段依序輸出與口腔組織抗發炎共振波配方對應之特定能量密度的共振波,而可在非藥物與手術治療以及非食品服用的情況下,即可使特定之能量密度與人體口腔組織形成頻率的共振效應,以增進與調理人體口腔組織的機能,進而避免口腔組織發炎或是病變的情事產生。達成本發明主要目的之技術手段,係由電能波產生器依據口腔組織抗發炎共振波配方而輸出作用於人體的電能波,其中,電能波於第一頻率作用時段產生六種頻率連續產生的第一至第六能量密度。於第二頻率作用時段產生由五種頻率連續產生的第七至第十一能量密度。於第三頻率作用時段產生由四種頻率連續產生的第十二至第十五能量密度。於第四頻率作用時段產生由四種頻率連續產生的第十六至第十九能量密度。於第五頻率作用時段產生由三種頻率所產生的第廿至第廿二能量密度。於第六頻率作用時段產生由三種頻率所產生的第廿三至第廿五能量密度。於第七頻率作用時段產生由二種頻率所產生的第廿六第至廿七能量密度。於第八頻率作用時段產生由二種頻率所產生的第廿八至第廿九能量密度。於第九頻率作用時段產生由二種頻率所產生的第卅至第卅一能量密度。
10‧‧‧電能波產生器
11‧‧‧操作界面
12‧‧‧控制驅動單元
13‧‧‧資料庫
14‧‧‧電能波產生單元
140‧‧‧電極片組
15‧‧‧顯示單元
20‧‧‧貼覆件
圖1係本發明具體實施的示意圖。
圖2係本發明具體架構的功能方塊示意圖。
圖3係本發明單頻掃瞄模式的波形示意圖。
圖4係本發明各頻率作用時段之工作條件與能量密度的對照示意圖。
圖5係本發明能量密度於環形時間軸的分佈示意圖。
圖6係本發明能量密度於線性時間軸的分佈示意圖。
圖7係本發明實驗例的具體施作示意圖。
圖8係本發明實驗例有無共振波作用與時間的對照示意圖。
圖9係本發明實驗例一的結果示意圖。
圖10係本發明實驗例二的結果示意圖。
圖11係本發明實驗例三的結果示意圖。
圖12係本發明實驗例四的結果示意圖。
圖13係本發明實驗例五的結果示意圖。
圖14係本發明實驗例六的結果示意圖。
為讓 貴審查委員能進一步瞭解本發明整體的技術特徵與達成本發明目的之技術手段,玆以具體實施例並配合圖式及圖表加以詳細說明:請配合參看圖1~4所示,主要係於一電能波產生器10建立有包含至少九個頻率作用時段的口腔組織抗發炎共振波配方,使電能波產生器10由第一至第九的順序依序輸出相應的電能波,並將電能波導入而作用於人體上,特別是可以導入至口腔內部或口腔外部,或臨近口腔的部位
(如臉部)。具體而言,如圖1、2所示之電能波產生器10,係包括操作界面11、控制驅動單元12、用以儲存與每一頻率作用時段之每一頻率相應之頻譜資料及調變參數的資料庫13、電能波產生單元14及顯示單元15,電能波產生單元14包含一用以貼覆於人體上的電極片組140。上述控制驅動單元12(如微控制器與驅動電路的組合架構)用以於各頻率作用時段依序讀取資料庫13中的頻譜資料及調變參數,進而驅使電能波產生單元14依序於每一頻率作用時段產生與各能量密度(ED)相應的電能波。進一步而言,控制驅動單元12可受操作界面11所產生之指令訊號的觸發而讀取資料庫13中的相關頻譜資料及調變參數,再輸出與頻率作用時段之頻率及能量密度相應之驅動訊號來控制電能波產生單元14(如弱電脈衝產生電路)的通、斷,使電能波產生單元14產生所需之頻率及能量密度分佈的電能波。至於顯示單元15則是用來顯示操作或是運作等狀態的畫面。該電能波產生單元14可以輸出特定頻率並符合該頻率作用時段之能量密度的電能波。電極片組140則可將電能波傳導至人體,用以使電能波產生單元14與人體之間形成電能波循環的迴路。本發明較佳的作用方式,是將電極片組140的二個電極片分別固定在一貼覆件20上,使用者可藉由穿戴貼覆件20,而使二個電極片貼接在使用對應口腔部位的臉部上。此外,本發明電能波產生單元14之實施形態並不以弱電脈衝產生電路為限,電能波產生單元14亦可以是一種發光裝置或是音頻播放裝置,於此,得以讓本發明電能波產生器10發出特定頻率之光或音頻等形式的電能波。
本發明於一種具體的實施例中,電能波產生器10係依據口腔組織抗發炎共振波配方並按照第一至第九順序輸出九個頻率作用時段的
電能波。其中,於第一頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由第一至第六頻率的六種頻率所分別連續產生的第一至第六能量密度(ED)。該第一能量密度介於2.47~6.19之間,較佳為4.95。該第二能量密度介於2.51~6.28之間,較佳為5.02。該第三能量密度介於2.49~6.24之間,較佳為4.99。該第四能量密度介於2.46~6.16之間,較佳為4.92。該第五能量密度介於2.44~6.10之間,較佳為4.88。該第六能量密度介於2.43~6.07之間,較佳為4.86。
於第二頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由第七至第十一頻率的五種頻率所分別連續產生的第七至第十一能量密度(ED),該第七能量密度介於2.90~7.25之間,較佳為5.80。該第八能量密度介於2.34~5.85之間,較佳為4.68。該第九能量密度介於2.34~5.85之間,較佳為4.68。該第十能量密度介於2.31~5.78之間,較佳為4.63。該第十一能量密度介於2.28~5.70之間,較佳為4.56。
於第三頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由第十二至第十五頻率所分別連續產生的第十二至第十五能量密度(ED),該第十二能量密度介於2.79~6.98之間,較佳為5.58。該第十三能量密度介於2.89~7.21之間,較佳為5.77。該第十四能量密度介於2.21~5.51之間,較佳為4.41。該第十五能量密度介於2.77~6.92之間,較佳為5.54。
於第四頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由第十六至第十九頻率的四種頻率所分別連續產生的第十六至第十九能量密度(ED),該第十六能量密度介於2.81~7.02之間,較佳為5.61。該第十七能量密度介於2.14~5.36之間,較佳為4.29。該第十八能量密度介於2.48~6.21之
間,較佳為4.97。該第十九能量密度介於2.43~6.07之間,較佳為4.86。
於第五頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由廿至第廿二頻率的三種頻率所連續產生的第廿能量密度(ED)至第廿二能量密度(ED),該廿能量密度介於2.46~6.15之間,較佳為4.92。該第廿一能量密度介於1.90~4.75之間,較佳為3.80。該廿二能量密度介於1.85~4.63之間,較佳為3.70。
於第六頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由廿三至第廿五頻率的三種頻率所連續產生的第廿三能量密度(ED)至第廿五能量密度(ED),該廿三能量密度介於1.33~3.33之間,較佳為2.67。該第廿四能量密度介於0.99~2.47之間,較佳為1.97。該第廿五能量密度介於2.05~5.13之間,較佳為4.10。
於第七頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由廿六至第廿七頻率所連續產生的第廿六能量密度(ED)至第廿七能量密度(ED),該廿六能量密度介於1.45~3.62之間,較佳為2.90。該第廿七能量密度介於1.39~3.48之間,較佳為2.78。
於第八頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由廿八至第廿九頻率的二種頻率所連續產生的第廿八能量密度(ED)至第廿九能量密度(ED),該廿八能量密度介於1.39~3.48之間,較佳為2.78。該第廿九能量密度介於1.45~3.62之間,較佳為2.90。
於第九頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係由卅至第卅一頻率的二種頻率所連續產生的第卅能量密度(ED)至第卅一能量密度(ED),該卅能量密度介於1.79~4.48之間,較佳為3.59。該第卅一能量密度
介於1.41~3.52之間,較佳為2.82。
本發明所研發頻率及能量密度的配方,其數值的對應關係,如同本發明人於先前所採用的能量密度運算公式計算出,而將之以數值方式具體地呈現,便於審查員或本發明領域具通常知識者能具體理解,而該能量密度運算公式即則為下式所示:Energy Density(ED)=log10(Freq.×Duty Cycle(D%)×(2Width+1)×Total Time(TT)+1)
換言之,能量密度(ED)=log10〔頻率(Freq.) x 工作周期發射率(D%)〕 x 〔2掃瞄寬度(Width)+1〕 x 〔該時段作用時間(TT)+1〕。舉第一頻率作用時段中之第一頻率為例,假設當第一頻率Freq.=18127.9hz,工作周期發射率D%=70%,掃瞄寬度(即頻寬)Width=0,該時段作用時間TT=7秒(sec),依據能量密度計算公式:ED=log10(18127.9 x 70%) x (2 x 0+1) x 7+1)=4.95。因此,藉由前述計算式便可以具體地獲得第一頻率作用時段中之第一頻率的能量密度ED=4.95。此外,本發明所稱之能量密度ED雖無具體的單位,卻有著實質的意義,即代表『總發送能量』的意思,當頻率越高,則其電壓(電流)切換的次數越多,故愈耗能。如再乘上時間,則表示持續能量期間為何。此能量密度ED值已考慮所有發送參數,亦即可以代表發送行為;若每一個參數變動太大,則能量密度ED也會跟著改變,若超出所訂出的能量密度ED範圍,則效能也就跟著改變。
請配合參看圖3所示,本發明電能波係為一種方波,上述D為工作周期(Duty cycle);T為單頻的作用時間;D%為工作周期發射率。本發明設定每一工作周期(Duty cycle)中電能波發射率皆為70%;換言之,U為
70%的部分,代表為正電位的方波輸出,另外,V則為30%的部分,代表為關閉狀態的0電位;另外,P則代表為一個作用頻率Pluse Rate(hz),P=1/(U+V),T代表一個頻率的作用時間,TT則為複數個頻率作用時間的總合。圖表1中正規化的百分比,乃是加總全程的ED之後,某一個作用頻率時段(level)之ED所佔全程ED的比例。
當本發明電能波產生器10開始運作時,則會對人體發出特定頻率的電能波,首先會進入第一作用頻率時段(level)中的第一能量密度產生時段,如圖4所示,該第一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第一頻率(freq)介於18100hz~18150hz之間,較佳之原始基頻為18122hz,基底頻率為18127.9hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為7秒,此外,所謂的單頻掃瞄模式,即為每一作用頻率皆為固定頻率,一直到該能量密度產生時段的作用時間結束為止,以第一能量密度產生時段為例,假設第一頻率為18127.9hz,那麼於第一能量密度作用時段的第一頻率(freq)皆為固定的18127.9hz,直到頻率作用時間達到7秒為止,然後再進入下一個能量密度作用時段,以此類推,而且由於單頻掃瞄模式並無頻率變動之範圍值,因此,掃瞄寬度(即頻寬)為0hz。第二能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第二頻率(freq)介於10000hz~10030hz之間,較佳之原始基頻為10000hz,基底頻率為10008.6hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為15秒。第三能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第三頻率(freq)介於
7300hz~7370hz之間,較佳之原始基頻為7344hz,基底頻率為7351.2hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為19秒。該第四頻率(freq)介於5000hz~5050hz之間,較佳之原始基頻為5000hz,基底頻率為5009.3hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為24秒。第五能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第五頻率(freq)介於4100hz~4250hz之間,較佳之原始基頻為4208.8hz,基底頻率為4200.2hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為26秒。第六能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第六頻率(freq)介於3600hz~3700hz之間,較佳之原始基頻為3673.7hz,基底頻率為3675.4hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為28秒。
接著,進入第二作用頻率時段(level)中的第七能量密度產生時段,如圖表1所示,第七能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,第七頻率(freq)介於2000hz~2080hz之間,較佳之原始基頻為2007hz,基底頻率為2015.8hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為30秒;至於掃瞄收斂模式之頻率值變化計算方式為:第一個輸出頻率為基底頻率Fn加掃瞄寬度m;第二個輸出頻率為基底頻率Fn減
去掃瞄寬度m;第三個輸出頻率為第一個輸出頻率減去一調變量(如一個掃瞄寬度1hz);第四個輸出頻率為第二個輸出頻率加一調變量(如1hz),以此類推,當下一個輸出頻率等於基底頻率時,則下一個輸出頻率則為最後一個輸出頻率,舉本時段為例,本時段之第七頻率(freq)為2012hz,掃瞄寬度(Width)為7hz,依據上式可求得頻率數量為15個,至於頻率的輸出順序則分別為2019hz、2005hz、2018hz、2006hz、2017hz、2007hz、2016hz、2008hz、2015hz、2009hz、2014hz、2010hz、2013hz、2011hz及2012hz,每一頻率的作用時間為3秒,15個頻率的總作用時間(TT)為45秒,亦即TT=(2M+1)*T。第八能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第八頻率(freq)介於1800hz~1900hz之間,較佳之原始基頻為1865hz,基底頻率為1870.9hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為37秒。第九能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第九頻率(freq)介於1830hz~1860hz之間,較佳之原始基頻為1850hz,基底頻率為1851.3hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為37秒。第十能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十頻率(freq)介於1500hz~1590hz之間之間,較佳之原始基頻為1550hz,基底頻率為1551.5hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為39秒。第十一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第十一頻率(freq),介於1220hz~1250hz之間,較佳之原始基頻為1234hz,基底頻率為1239.3hz(原
始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為42秒。
接著,進入第三作用頻率時段(level)中的第十二能量密度產生時段,第十二能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第十二頻率(freq)介於800hz~860hz之間,較佳之原始基頻為807hz,基底頻率為812.7hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為45秒。第十三能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第十三頻率(freq)介於750~800hz之間,較佳之原始基頻為778hz,基底頻率為781.1hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為9hz,作用時間(TT)為57秒。第十四能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十四頻率(freq)介於700hz~790hz之間,較佳之原始基頻為751hz,基底頻率為756.7hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為49秒。第十五能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,第十五頻率(freq)介於700hz~750hz之間,較佳之原始基頻為730hz,基底頻率為737.1hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為45秒。
緊接著,進入第四作用頻率時段(level)中的第十六能量密度產生時段,如附件圖表1所示,第十六能量密度產生時段之頻率作用方式
為掃瞄收斂模式,第十六頻率(freq)介於500hz~580hz之間,較佳之原始基頻為542hz,基底頻率為551.8hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為9hz,作用時間(TT)為57秒。第十七能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十七頻率(freq)介於510hz~550hz之間,較佳之原始基頻為522hz,基底頻率為527.5hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為53秒。第十八能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,該第十八頻率(freq),介於470hz~500hz之間,較佳之原始基頻為484hz,基底頻率為492.8hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為4hz,作用時間(TT)為55秒;至於掃瞄遞增模式之頻率值變化計算方式為;第一個輸出頻率為基底頻率Fn減掃瞄寬度m;第二個輸出頻率為第一個輸出頻率加一個調變量(如1hz),當下一個輸出頻率等於基底頻率Fn時,則下一個輸出頻率則為最後一個輸出頻率。舉例說明,第九頻率(freq)為492.8hz,掃瞄寬度(Width)為4hz,依據上式可求得頻率數量為5個,至於頻率的輸出順序則分別為488.8hz、489.8hz、490.8hz、491.8hz、及492.8hz,每一單頻作用時間為11秒,5個頻率的總作用時間(TT)為55秒,亦即TT=(M+1)*T。第十九能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第十九頻率(freq)介於450~480hz之間,較佳之原始基頻為462hz,基底頻率為470.4hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為3hz,作用時間(TT)為56秒。
再接著,進入第五作用頻率時段(level)中的第廿能量密度產生時段,如附件圖表1所示,第廿能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,第廿頻率(freq)介於140~150hz之間,較佳之原始基頻為141hz,基底頻率為144.7hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為6hz,作用時間(TT)為65秒。第廿一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿一頻率(freq)介於110~150hz之間,較佳之原始基頻為125hz,基底頻率為134.3hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為72秒。第廿二能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿二頻率(freq)介於90~110hz之間,較佳之原始基頻為95hz,基底頻率為96hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為76秒。
接著,進入第六作用頻率時段(level)中的第廿三能量密度產生時段,如圖4所示,第廿三能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿三頻率(freq)介於5~10hz之間,較佳之原始基頻為6hz,基底頻率為7.8hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為110秒。第廿四能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿四頻率(freq)介於1~10hz之間,較佳之原始基頻為1hz,基底頻率為4.7hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周
期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為133秒。第廿五能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞減模式,第廿五頻率(freq)介於25~50hz之間,較佳之原始基頻為28hz,基底頻率為31.1hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為8hz,作用時間(TT)為72秒;至於掃瞄遞減模式之頻率值變化計算方式為:第一個輸出頻率為基底頻率Fn加掃瞄寬度m;第二個輸出頻率為第一個輸出頻率減去一調變量(如1hz),當下一個輸出頻率等於基底頻率Fn時,則下一個輸出頻率則為最後一個輸出頻率。舉例說明,第廿五頻率(freq)為31.1hz,掃瞄寬度(Width)為8hz,依據上式可求得頻率數量為9個,至於頻率的輸出順序則分別為39.1hzhz、38.1hzhz、37.1hz、36.1hz、35.1hz、34.1hz、33.1hzz、32.1hz及31.1hz,每一單頻作用時間為8秒,9個頻率的總作用時間(TT)為72秒,亦即TT=(M+1)*T。
接著,進入第七作用頻率時段(level)中的第廿六能量密度產生時段,如圖4所示,第廿六能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿六頻率(freq)介於5~20hz之間,較佳之原始基頻為7.83hz,基底頻率為16hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒。第廿七能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿七頻率(freq)介於5~15hz之間,較佳之原始基頻為6hz,基底頻率為13.9hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒。
接著,進入第八作用頻率時段(level)中的第廿八能量密度產生時段,如圖4所示,第廿八能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿八頻率(freq)介於5~20hz之間,較佳之原始基頻為6hz,基底頻率為13.8hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒。第廿九能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,第廿九頻率(freq)介於5~10hz之間,較佳之原始基頻為7.83hz,基底頻率為8.3hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒
接著,進入第九作用頻率時段(level)中的第卅能量密度產生時段,如圖4所示,第卅能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,第卅頻率(freq)介於15~30hz之間,較佳之原始基頻為17hz,基底頻率為19.4hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為8hz,作用時間(TT)為36秒。第卅一能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,第卅一頻率(freq)介於20~40hz之間,較佳之原始基頻為26hz,基底頻率為30.5hz(原始基頻乃是真正發射的頻率,而基底頻率乃是經過亂數處理得到),工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為2hz,作用時間(TT)為12秒
再請參看圖6所示為本發明能量密度於環形時間軸的分佈示意,圖5為本發明能量密度於線性時間軸的分佈示意,其中,圖5、
6所示之上限代表本發明能量密度於上述時間軸的上限範圍;下限則代表本發明能量密度於上述時間軸的下限範圍。圖6中央部位則為本發明於上述時間軸之能量密度平均的分佈範圍;再由圖4~6中得知,第一頻率作用時段位於第1~6時間順序;第二頻率作用時段位於第11~15時間順序;第三頻率作用時段位於第21~24時間順序;第四頻率作用時段位於第31~34時間順序;第五頻率作用時段位於第41~43時間順序,第六頻率作用時段位於第49~50時間順序,第七頻率作用時段位於第54~55時間順序,第八頻率作用時段位於第57~58時間順序,第九頻率作用時段位於第60~61時間順序。
除此之外,本實施例除了具備上述頻率作用時段之外,更包含八個無能量密度作用時段,該八個無能量密度作用時段分別介置於二個相鄰的頻率作用時段之間,電能波產生器10依據每一無能量密度作用時段產生不同的頻率,並將其頻率濾除而使每一無能量密度作用時段中為無能量密度,如圖4所示之八個無能量密度作用時段則依序分佈於第7~10時間順序、第16~20時間順序、第25~30時間順序以、第35~40、44~48、第52~53、第56及第59時間順序。
為驗證本發明的可行性,本申請人乃進行如圖7~14所示的牙細胞實驗例,實驗材料為human gingivalis fibroblasts;人類牙齦纖維母細胞;初代細胞。具體的實驗做法是,首先解凍10cm培養皿(dish),再將10cm培養皿(dish)分盤為六組第2代3.5cm的培養皿(dish),分別為培養皿A1:Control(0h w/o LPS)、培養皿A2,0h(w/LPS)、培養皿A3,4h w/o bRW、培養皿A4,4h w/bRW、培養皿A5,24h w/o bRW;
以及培養皿A6,24h w/bRW。其中,無共振波處理的為A1、A2,(Control (A1)LPS 0hr(A2)。置於有貼銅片的10cm培養皿(dish)且無共振波處理的為A3、A5,4hr(A3),24hr(A5)。置於有貼銅片的10cm培養皿(dish)且進行共振波處理的是A4、A6,4hr(A4),24hr(A6),最後進行抽RNA,Q-PCR等步驟,並進一步整理數據。
促炎性細胞因子(Pro-inflammatory cytokines)如TNF-α、IL-1 β;抗炎細胞因子(Anti-inflammatory cytokines)如IL-10、IL-6,在收集的時間點不同,可能為促炎pro-或抗炎anti-的細胞因子。而IL-10分泌可以抑制IL-6的分泌。細胞因子數量、標的細胞性質、激活信號性質,後續產生細胞因子的性質、時間,細胞因子的動作順序、實驗模型,都會顯著影響細胞因子的特性,故以上細胞因子分類為主要分類,需依照收集的時間點來決定其作用。至於具體的處理方式如表一所示:
圖9所示為本發明的實驗例一,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗
分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time PCR測定基因表現,其中,圖9之(A)部分為TNF α(tumor necrosis factor α;腫瘤壞死因子α),黑色圖塊為未共振波處理之TNF α指數示意,白色圖塊為共振波處理之TNF α示意,並以control值當1的相對定量。圖9之(B)部分為IL1 β(淋巴細胞刺激因子),黑色圖塊為未共振波處理之IL1 β指數示意,白色圖塊為共振波處理之IL1 β示意(B),由圖9得知,本實驗例結果為絕對定量。
圖10所示為本發明的實驗例二,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time PCR測定基因表現,其中,圖10之(A)部分為TNF α,圖10之(B)部分為IL1 β,並以有或無LPS處理以及有或無共振波處理,並以無共振波組當1的相對定量,最後實驗結果如圖10所示。
圖11所示為本發明的實驗例三,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time PCR測定基因表現,其中,圖11之(A)部分為IL6,圖11之(B)部分為IL10,並以有或無LPS處理以及有或無共振波處理,並以control值當1的相對定量,最後實驗結果如圖11所示。
圖12所示為本發明的實驗例四,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time
PCR測定基因表現,其中,圖12之(A)部分為IL6,圖12之(B)部分為IL10,並以有或無LPS處理以及有或無共振波處理,並以無共振波組當1的相對定量,最後實驗結果如圖12所示。
圖13所示為本發明的實驗例五,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time PCR測定基因表現,其中,圖13之(A)部分為IL-10/TNF-α,圖13之(B)部分為L-10/IL-1 β,並以有或無LPS處理以及有或無共振波處理,再以抗炎/促炎細胞因子當1的相對定量,最後實驗結果如圖13所示。
圖14所示為本發明的實驗例六,係為共振波對於人體牙齒纖維細胞作用(Effect of bRWs on human gingivalis fibroblasts)進行實驗分析,本實驗例經過4小時及24小時的共振波處理後,使用real-time PCR測定基因表現,其中,圖14之(A)部分為IL-6/TNF-α,圖14之(B)部分為IL-6/IL-1 β,並以有或無LPS處理以及有或無共振波處理,再以抗炎/促炎細胞因子當1的相對定量,最後實驗結果如圖14所示。
由上述實驗例的結果得知,A2→TNF α,IL1 β,IL-10升高,IL-6下降。A3→TNF α,IL1 β,IL-6,IL-10大幅升高。A5→IL1 β,IL-6高於control(A1),TNF α,IL-10低於control(A1)。A4→TNF α,IL1 β,IL-6,IL-10升高,但明顯比A3低很多。A6→IL1 β,IL-6高於control(A1),TNF α低於control(A1),IL-10與control(A1)相當。由結果顯示,LPS處理後IL-6表現與其他cytokines細胞因子表現不同,IL-6表現下降。可能是IL-10分泌抑制了IL-6分泌。LPS對初級免疫反應(4
小時)有明顯提升,bRW對初級免疫反應有明顯抑制作用。但是在晚期免疫反應(24小時),有無bRW處理免疫反應均會消退。
以上所述,僅為本發明之可行實施例,並非用以限定本發明之專利範圍,凡舉依據下列請求項所述之內容、特徵以及其精神而為之其他變化的等效實施,皆應包含於本發明之專利範圍內。本發明所具體界定於請求項之結構特徵,未見於同類物品,且具實用性與進步性,已符合發明專利要件,爰依法具文提出申請,謹請 鈞局依法核予專利,以維護本申請人合法之權益。
10‧‧‧電能波產生器
11‧‧‧操作界面
14‧‧‧電能波產生單元
140‧‧‧電極片組
15‧‧‧顯示單元
20‧‧‧貼覆件
Claims (9)
- 一種口腔組織抗發炎系統,其包括由一電能波產生器所產生之一口腔組織抗發炎共振波配方,該口腔組織抗發炎共振波配係選自九個頻率作用時段至少其中五個頻率作用時段,該電能波產生器係依據該口腔組織抗發炎共振波配方且按照第一至第九順序而輸出相應的電能波,以作用於一人體;其中,於該第一頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由第一至第六頻率的六種頻率所分別連續產生的第一至第六能量密度(ED),該第一能量密度介於2.47~6.19之間,該第二能量密度介於2.51~6.28之間,該第三能量密度介於2.49~6.24之間,該第四能量密度介於2.46~6.16之間,該第五能量密度介於2.44~6.10之間,該第六能量密度介於2.43~6.07之間;於該第二頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由第七至第十一頻率的五種頻率所分別連續產生的第七至第十一能量密度(ED),該第七能量密度介於2.90~7.25之間,該第八能量密度介於2.34~5.85之間,該第九能量密度介於2.34~5.85之間,該第十能量密度介於2.31~5.78之間,該第十一能量密度介於2.28~5.70之間;於該第三頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由第十二至第十五頻率所分別連續產生的第十二至第十五能量密度(ED),該第十二能量密度介於2.79~6.98之間,該第十三能量密度介於2.89~7.21之間,該第十四能量密度介於2.21~5.51之間,該第十五能量密度介於2.77~6.92之間;於該第四頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由第十六至第十九頻率的四種頻率所分別連續產生的第十六至第十九能量密度(ED),該第十六能量密度介於2.81~7.02之間,該第十七能量密度介於2.14~5.36之間,該第十八能量密度介於2.48~6.21之間,該第十九能量密度介於2.43~6.07之間;於該第五頻率作用時段所產生之電能波的能量密 度係選自由廿至第廿二頻率的三種頻率所連續產生的第廿能量密度(ED)至第廿二能量密度(ED),該廿能量密度介於2.46~6.15之間,該第廿一能量密度介於1.90~4.75之間,該廿二能量密度介於1.85~4.63之間;於該第六頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由廿三至第廿五頻率的二種頻率所連續產生的第廿三能量密度(ED)至第廿四能量密度(ED),該廿三能量密度介於1.33~3.33之間,該第廿四能量密度介於0.99~2.47之間,該第廿五能量密度介於2.05~5.13之間;於該第七頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由廿六至第廿七頻率所連續產生的第廿六能量密度(ED)至第廿七能量密度(ED),該廿六能量密度介於1.45~3.62之間,該第廿七能量密度介於1.39~3.48之間;於該第八頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由廿八至第廿九頻率的二種頻率所連續產生的第廿八能量密度(ED)至第廿九能量密度(ED),該廿八能量密度介於1.39~3.48之間,該第廿九能量密度介於1.45~3.62之間;於該第九頻率作用時段所產生之電能波的能量密度係選自由卅至第卅一頻率的二種頻率所連續產生的第卅能量密度(ED)至第卅一能量密度(ED),該卅能量密度介於1.79~4.48之間,該第卅一能量密度介於1.41~3.52之間。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該電能波產生器包含一控制驅動單元、一用以儲存與每一該頻率作用時段之每一該頻率相應之頻譜資料的資料庫及一電能波產生單元,該控制驅動單元用以依序讀取該資料庫中的各該頻譜資料,使該電能波產生單元依序於每一該頻率作用時段產生與該能量密度(ED)相應的該電能波。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,每一該能量密度係 以一能量密度運算公式計算出,該能量密度運算公式為:能量密度(ED)=log10〔頻率(freq) x 工作周期發射率(D%)〕 x 〔2掃瞄寬度(Width)+1〕 x 〔作用時間(TT)+1〕。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該第一能量密度為4.95,該第二能量密度為5.02,該第三能量密度為4.99,該第四能量密度為4.92,該第五能量密度為4.88,該第六能量密度為4.86;該第七能量密度為5.80,該第八能量密度為4.68,該第九能量密度為4.68,該第十能量密度為4.63,該第十一能量密度為4.56;該第十二能量密度為5.58,該第十三能量密度為5.77,該第十四能量密度為4.41,該第十五能量密度為5.54;該第十六能量密度為5.61,該第十七能量密度為4.29,該第十八能量密度為4.97,該第十九能量密度為4.86;該第廿能量密度為4.92,該第廿一能量密度為3.80,該第廿二能量密度為3.70,該第廿三能量密度為2.67,該第廿四能量密度為1.97,該第廿五能量密度為4.10,該第廿六能量密度為2.90,該第廿七能量密度為2.78,該第廿八能量密度為2.78,該第廿九能量密度為2.90,該第卅能量密度為3.59,該第卅一能量密度為2.82。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該第一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第一頻率(freq)介於18100hz~18150hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為7秒;該第二能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第二頻率(freq)介於10000hz~10030hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為15秒;該第三能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第三頻率(freq)介於 7300hz~7370hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為19秒;該第四能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第四頻率(freq)介於5000hz~5050hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為24秒;該第五能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第五頻率(freq)介於4100hz~4250hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為26秒;該第六能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第六頻率(freq)介於3600hz~3700hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為28秒。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該第七能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第七頻率(freq)介於2000hz~2080hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為30秒;該第八能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第八頻率(freq)介於1800hz~1900hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為37秒;該第九能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第九頻率(freq)介於1830hz~1860hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為37秒;該第十能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十頻率(freq),介於1500hz~1590hz之間之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為39秒;該第十一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十一頻率(freq),介於1220hz~1250hz之間之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為 0hz,作用時間(TT)為42秒。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該第十二能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第十二頻率(freq)介於800hz~860hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為45秒;該第十三能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第十三頻率(freq)介於750~800hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為9hz,作用時間(TT)為57秒;該第十四能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十四頻率(freq)介於700hz~790hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為49秒;該第十五能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,第十五頻率(freq)介於700hz~750hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為7hz,作用時間(TT)為45秒。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其中,該第十六能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第十六頻率(freq)介於500hz~580hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為9hz,作用時間(TT)為57秒;該第十七能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第十七頻率(freq)介於510hz~550hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為53秒;該第十八能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,該第十八頻率(freq),介於470hz~500hz之間之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為4hz,作用時間(TT)為55秒;該第十九能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞減模式,該第十九頻率(freq)介於450~480hz之間,工作周期發射率(D%) 為70%,掃瞄寬度(Width)為3hz,作用時間(TT)為56秒;該第廿能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄收斂模式,該第廿頻率(freq)介於140~150hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為6hz,作用時間(TT)為65秒;該第廿一能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿一頻率(freq)介於110~150hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為72秒;該第廿二能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿二頻率(freq)介於90~110hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為76秒;該第廿三能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿三頻率(freq)介於5~10hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為110秒;該第廿四能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿四頻率(freq)介於1~10hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為133秒;該第廿五能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞減模式,該第廿五頻率(freq)介於25~50hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為8hz,作用時間(TT)為72秒;該第廿六能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿六頻率(freq)介於5~20hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒;該第廿七能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿七頻率(freq)介於5~15hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒;該第廿八能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿八頻率(freq)介於5~20hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width) 為0hz,作用時間(TT)為144秒;該第廿九能量密度產生時段之頻率作用方式為單頻掃瞄模式,該第廿九頻率(freq)介於5~10hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為0hz,作用時間(TT)為144秒;該第卅能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,該第卅頻率(freq)介於15~30hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為8hz,作用時間(TT)為36秒;該第卅一能量密度產生時段之頻率作用方式為掃瞄遞增模式,該第卅一頻率(freq)介於20~40hz之間,工作周期發射率(D%)為70%,掃瞄寬度(Width)為2hz,作用時間(TT)為12秒。
- 如請求項1所述之口腔組織抗發炎系統,其更包含八個無能量密度作用時段,該八個無能量密度作用時段分別介置於二個相鄰的該九個頻率作用時段之間,該電能波產生器依據每一該無能量密度作用時段產生不同的頻率,並將其頻率濾除而使每一無能量密度作用時段中為無能量密度。
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US20100078384A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Abbott Laboratories | Apparatus and method for separation of particles suspended in a liquid from the liquid in which they are suspended |
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