TWI570272B - 披覆裝置及披覆裝置使用方法 - Google Patents

Description

披覆裝置及披覆裝置使用方法

本發明是有關於一種披覆裝置及披覆裝置使用方法，且是關於一種利用電荷中和的方式的披覆裝置及披覆裝置使用方法。

傳統的披覆送粉機構，藉由流體力學所設計之流場，粉末可在一定距離內聚集，換言之，粉末若超過該一定距離後會快速發散。因此，在製程中不易控制細微線寬。另外，若偶數個供粉料管皆為相同電荷，則粉末在相同流場設計下，將會比上述設計方法更加發散，更加無法達到線寬細微化的效果。

綜上，由於在製程中難以控制且無法使線寬細微化，使得粉末集中範圍通常屬於數個釐米的數量級，而心導管支架或是微型線路的修補所需的線寬為低於1釐米到數百個微米的數量級，故依照傳統的披覆送粉機構所製程後的成品將無法應用於心導管支架或是微型線路的修補，現行的披覆送粉機構是沒有機會達成的。

此外，粉末在送粉機構內的傳遞過程中往往因摩擦而導致產生靜電，使得帶有靜電的粉末彼此相互吸附，如此在造成粉末聚集成團而堵塞送粉機構。

本發明提供一種披覆裝置，能將線寬細微化，而能將細微化後的成品應用於心導管支架或是微型線路的修補。

本發明提供一種披覆裝置使用方法，先利用電荷中和原理，使兩粉體彼此相吸，以達到聚集細微化的效果，接著利用進行披覆製程，如此得以降低製造後成品的線寬且能提升品質。

本發明的一實施例提出一種披覆裝置，披覆裝置包括一供粉單元、一電荷產生單元以及一供熱單元。供粉單元包含一第一供粉料管與一第二供粉料管，其中第一供粉料管與第二供粉料管用以分別輸送複數個第一粉體及複數個第二粉體。電荷產生單元包含一第一電荷產生元件與一第二電荷產生元件，其中第一電荷產生元件耦接於第一供粉料管，而第二電荷產生元件耦接於第二供粉料管，該第一電荷產生元件與該第二電荷產生元件產生相反的電荷。供熱單元提供一熱源至供粉單元的前端。

本發明的一實施例提出一種披覆裝置使用方法，披覆裝置使用方法包括以下步驟。提供複數個第一粉體及複數個第二粉體，使複數個第一粉體與複數個第二粉體分別攜帶相反極性的電荷。分別輸送帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體與複數個第二粉體至一基板之一預設位置。藉由靜電力結合複數個第一粉體與複數個第二粉體。加熱結合後的複數個第一粉體與複數個第二粉體。

基於上述，在本發明的披覆裝置與披覆裝置使用方法中，將供粉單元配置成對的第一送料粉管與第二送料粉管，接著分別讓第一送料 粉管與第二送料粉管內的第一粉體與第二粉體帶有相反極性的電荷。如此配置之下，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體自第一供粉料管的前端輸出，而帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體自第二供粉料管的前端輸出，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體分別朝基板的方向落下，當數個第一粉體與複數個第二粉體彼此鄰近時，由於第一粉體與第二粉體分別攜帶相反極性的電荷，藉由正負電荷中和的原理，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體彼此結合，使得第一粉體與第二粉體相互聚集，而達到線寬細微化的效果，而後加熱結合後的第一粉體與第二粉體已完成披覆製程。

100、200‧‧‧披覆裝置

110、312‧‧‧第一供粉料管

112‧‧‧第一輸送通道

120、314‧‧‧第二供粉料管

122‧‧‧第二輸送通道

130‧‧‧第一電荷產生元件

132‧‧‧第一電荷傳遞部

140‧‧‧第二電荷產生元件

142‧‧‧第二電荷傳遞部

150、250‧‧‧供熱單元

152‧‧‧鏡面組合

154‧‧‧雷射

160‧‧‧基板

310‧‧‧供粉單元

52‧‧‧第一粉體

54‧‧‧第二粉體

a‧‧‧重力加速度

D1、D2‧‧‧間距

F1‧‧‧靜電力

F2‧‧‧重力

m‧‧‧重量

k_e‧‧‧庫倫常數

Q‧‧‧電荷

S100、S200‧‧‧披覆裝置使用方法

S110~S150‧‧‧步驟

S112~S116‧‧‧步驟

S240~S250‧‧‧步驟

第1圖為本發明一實施例披覆裝置的示意圖。

第2圖為本發明另一實施例披覆裝置的示意圖。

第3圖為本發明披覆裝置一理論計算驗證的示意圖。

第4圖為本發明披覆裝置使用方法一實施例的流程示意圖。

第5圖為第4圖中披覆裝置使用方法的進一步流程示意圖。

第6圖為本發明披覆裝置使用方法另一實施例的流程示意圖。

以下謹結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一 步描述。以下實施例僅用於更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此限制本發明的保護範圍。

第1圖為本發明一實施例披覆裝置的示意圖。請參閱第1圖。在本實施例中，披覆裝置100包括一供粉單元(包含一第一供粉料管110與一第二供粉料管120)、一電荷產生單元(包含一第一電荷產生元件130與一第二電荷產生元件140)、一供熱單元150以及一基板160。需說明的是，上述供粉單元以第一供粉料管110與第二供粉料管120作為舉例說明，實際上不侷限於上述兩個供粉料管，端視實際裝置而可調整供粉料管的數目及排列，諸如供粉單元配置成偶數或成對的供粉料管，或者將供粉單元配置成正三角形排列亦可。並且，電荷產生單元中的電荷產生元件的數目隨著供粉料管的數目而調整。

在本實施例中，供粉單元包含第一供粉料管110與第二供粉料管120。第一供粉料管110與第二供粉料管120彼此相鄰配置，且第一供粉料管110與第二供粉料管120並未彼此平行，其中第一供粉料管110前端與第二供粉料管120前端之間具有一角度，其中該角度為在0至150度之範圍內。第一供粉料管110前端與第二供粉料管120前端彼此之間具有一間距D1，該間距D1為在0至100mm範圍內，然，此間距D1會與角度彼此影響，在本實施例中，第一供粉料管110前端與第二供粉料管120前端彼此之間的夾角為64度，而對應到的間距D1約為9.5mm。

第一供粉料管110為一管體，第一供粉料管110內具有一輸送通道112，此第一輸送通道112用以輸送複數個第一粉體52，而第二供粉料管120內具有一第二輸送通道122，第二輸送通道122用以輸送複數個第二粉 體54。於一實施例中，第一粉體之材料與第二粉體之材料為同一材質，然本發明不以此為限，於另一實施例中，第一粉體之材料與第二粉體之材料亦可採用不同材質。在本實施例中，電荷產生單元包含一第一電荷產生元件130與一第二電荷產生元件140，其中第一電荷產生元件130與第二電荷產生元件140產生相反的電荷。

第一電荷產生元件130相鄰並耦接於第一供粉料管110，第一電荷產生元件130包含一第一電荷傳遞部132，第一電荷傳遞部132用以讓第一供粉料管110內的各第一粉體52帶有一第一極性的電荷，使得第一供粉料管110內的各第一粉體52帶有相同極性的電荷。

第二電荷產生元件140相鄰並耦接於第二供粉料管120。第二電荷產生元件140包含一第二電荷傳遞部142，第二電荷傳遞部142用以讓第二供粉料管120內的各第二粉體54帶有一第二極性的電荷，使得第二供粉料管120內的各第二粉體54帶有相同極性的電荷。

在本實施例中，第一電荷產生元件130產生的電荷與第二電荷產生元件140產生的電荷為相反。以第1圖來說，第一極性的電荷為一正電極性，而第二極性的電荷為一負電極性。於一未繪示實施例，第一極性的電荷為一負電極性，而第二極性的電荷為一正電極性。

供熱單元150提供一熱源至供粉單元的前端。本實施例並不限制供熱單元150的位置，以第1圖為例，供熱單元150位於第一供粉料管110與第二供粉料管120之間，供熱單元150例如為一雷射源，也就是供熱單元150以雷射作為一雷射加熱源，在一實施例中，透過光學配置，使此雷射加熱源的尺寸大小可以達到幾十微米的程度。舉例而言，供熱單元150包含一 鏡面組合152，該鏡面組合152例如為一聚焦鏡組，該聚焦鏡組的作用是將平行的雷射光束聚集至該聚焦鏡組的焦點位置。如此供熱單元150用以發射一雷射154並藉由鏡面組合152而使雷射154聚集至焦點位置。然，本實施例不對供熱單元150的態樣加以限制，於其他實施例中，供熱單元亦可為微波或超音波等可供加熱的構件，端視實際設備產品而能調整供熱單元的配置態樣。

基板160位於供粉單元中第一供粉料管110與第二供粉料管120的前端。詳細而言，第一供粉料管110前端與第二供粉料管120前端之間具有一角度，其中該角度為在0至150度之範圍內。然，本實施例不對此角度加以限制，端視實際設備產品而能調整第一供粉料管與第二供粉料管的配置態樣。於一實施例中，第一供粉料管110並非垂直於基板160，第一供粉料管110相對於基板160呈一傾斜配置，同理，第二供粉料管120並非垂直於基板160，第二供粉料管120相對於基板160呈一傾斜配置。

在此配置之下，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52自第一供粉料管110的前端輸出，而帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54自第二供粉料管110的前端輸出，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54分別朝基板160的方向落下，而複數個第一粉體52與複數個第二粉體54之間具有一間距D2，其中此間距D2例如約小於或等於20mm，端視粉體本身質量及電荷大小而此間距D2隨之改變。如此一來，由於第一供粉料管110與第二供粉料管120分別相對於基板160而為傾斜配置，而能符合流體力學之流場設計，藉以使帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉 體54於一特定位置聚集。並且，因第一粉體52與第二粉體54分別攜帶相反極性的電荷，藉由正負電荷中和的原理，帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54彼此結合，使得第一粉體52與第二粉體54相互聚集，而達到線寬細微化的效果，接著經供熱單元150發射雷射154，以加熱結合後的第一粉體52與第二粉體54，而被加熱後的第一粉體52與第二粉體54掉落至基板160。

此外，在輸送粉體(第一粉體52或第二粉體54)過程中，由於在第一供粉料管110內的各第一粉體52帶有相同極性的電荷，故在輸送複數個第一粉體52的過程中，各個第一粉體52彼此之間會相互排斥而不會相吸，如此能避免堵塞第一供粉料管110內的第一輸送通道112。同理，第二供粉料管120內的各第二粉體54帶有相同極性的電荷，如此能避免堵塞第二供粉料管120內的第二輸送通道122。

第2圖為本發明另一實施例披覆裝置的示意圖。請參閱第2圖。需說明的是，第2圖的披覆裝置200與第1圖的披覆裝置100相似，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。

在本實施例中，披覆裝置200的供熱單元250位於供粉單元中第一供粉料管110與第二供粉料管120的前端，舉例而言，如第2圖所示，供熱單元250例如是位於基板160的側邊，且供熱單元250的高度約高於基板160而能提供熱源至基板160之預設位置，以供所需披覆線寬區域之範圍，但本實施例不對此供熱單元250的位置加以限制，只要供熱單元加熱到至少等於所需披覆線寬區域之範圍即可。

在此配置之下，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52自第一供粉料管110的前端輸出，而帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54自第二供粉料管120的前端輸出，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54彼此結合並掉落至基板160，供熱單元250提供熱源至基板160上所需披覆線寬區域之範圍(預設位置)，或者是，供熱單元250所提供的熱源直接對位在基板160之預設位置上的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54加熱成型。

第3圖為本發明披覆裝置一理論計算驗證的示意圖。請參閱第3圖。需說明的是，第3圖的披覆裝置300與第1圖的披覆裝置100相似，而為了便於後續理論計算驗證，第3圖的披覆裝置300僅繪示部分元件，並將供粉單元310中的第一供粉料管312與第二供粉料管314平行設置，其中相同的元件以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。

在此計算驗證實施例中，假設第一粉體52與第二粉體54之間吸附的靜電力F1，而此靜電力F1需要遠大於重力F2，如此才能讓第一粉體52與第二粉體54才能在落下的過程中相互吸附。

假設提供的電荷Q，而第一供粉料管312與第二供粉料管314彼此之間具有一間距D1，間距D1為20mm，而第一粉體52與第二粉體54的直徑均為50um。

第一粉體52與第二粉體54之間吸附的靜電力F1，可依據庫倫定律求得，，其中庫倫常數k_e=8.987x10⁹。

由此可知，。

另，重力F2可依據F2=ma，其中重量m在此以鎳基合金(Inconel 718)為例，其重量為5.364x10^-10，重力加速度a為9.8m/s²而約等於10m/s²。

接著，靜電力數學公式與重力數學公式兩者對照之下，，故可知道電荷Q為4.886E-19(庫倫)。由此可知，在上述假設的條件下，若要讓第一粉體52與第二粉體54在落下至基板160的過程中相互吸附，所提供的電荷Q至少要4.886E-19(庫倫)，而此電荷Q的數值大小會跟隨粉體大小、粉體本身質量及間距D1而變動。如此一來，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54才能克服重力並藉由正負電荷中和的原理彼此結合，使得第一粉體52與第二粉體54相互聚集，而達到線寬細微化的效果。

第4圖為本發明披覆裝置使用方法一實施例的流程示意圖。請參閱第4圖。

在本實施例中，披覆裝置使用方法S100包含以下步驟S110至步驟S150。

進行步驟S110，如第1圖或第2圖所示，提供複數個第一粉體52及複數個第二粉體54，使複數個第一粉體52與複數個第二粉體54分別攜帶相反極性的電荷。

進一步而言，如第5圖所示，第5圖為第4圖中披覆裝置使用 方法的進一步流程示意圖。請參閱第5圖，步驟S110中包含步驟S112至步驟S114。首先，進行步驟S112，如第1圖或第2圖所示，提供一第一供粉料管110與一第二供粉料管120，其中第一供粉料管110內具有複數個第一粉體52，而第二供粉料管120內具有複數個第二粉體54。

接著，進行步驟S114，提供一電荷產生單元，電荷產生單元包含一第一電荷產生元件130與一第二電荷產生元件140，其中第一電荷產生元件130耦接於第一供粉料管110，而第二電荷產生元件140耦接於第二供粉料管120，第一電荷產生元件130與第二電荷產生元件140產生相反的電荷。

具體而言，第一電荷產生元件130包含一第一電荷傳遞部132，第一電荷產生元件130的第一電荷傳遞部132用以讓第一供粉料管110內的各第一粉體52帶有一第一極性的電荷，而第二電荷產生元件140耦接於第二供粉料管120，第二電荷產生元件140包含一第二電荷傳遞部142，第二電荷產生元件140的第二電荷傳遞部142用以讓第二供粉料管120內的各第二粉體54帶有一第二極性的電荷，第一極性的電荷與第二極性的電荷相反。以第1圖或第2圖來說，第一極性的電荷為一正電極性，而第二極性的電荷為一負電極性。於一未繪示實施例，第一極性的電荷為一負電極性，而第二極性的電荷為一正電極性。

另需說明的是，步驟S112至步驟S114是對於步驟S110的一具體實施步驟，以步驟S112而言，是以提供第一供粉料管110與第二供粉料管120作為說明，實際上不限制於步驟S112所提及的兩個供粉料管，端視實際情況而可調整具體實施步驟的方式，只要能提供複數個第一粉體52及複 數個第二粉體54，使複數個第一粉體52與複數個第二粉體54分別攜帶相反極性的電荷即可。舉例而言，在一具體實施步驟，提供成對或偶數的供粉料管(不限制一對供粉料管)。在另一具體實施步驟，將供粉單元配置正三角形排列，而將其中兩個供粉料管帶有第一粉體，而一供粉料管帶有第二粉體，亦可以達到步驟S110所需，端視實際步驟而可調整供粉料管的數目及排列。並且，步驟S114中電荷產生單元中的電荷產生元件的數目隨著供粉料管的數目而調整。

而後，進行步驟S116，第一供粉料管110的前端及第二供粉料管120的前端分別輸出帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54。

請復參閱第4圖，接著進行步驟S120，分別輸送帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54至一基板160之一預設位置。如第1圖所示，由於第一供粉料管110與第二供粉料管120分別相對於基板160而為傾斜配置，藉以使帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54至基板160之特定位置聚集。

接著，進行步驟S130，藉由靜電力結合複數個第一粉體52與複數個第二粉體54。

如第1圖或第2圖所示，帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54於至基板160之特定位置聚集時，由於第一粉體52與第二粉體54分別攜帶相反極性的電荷，藉由正負電荷中和的原理，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體52與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體54彼此藉由靜電力結合，使得第一粉體52與第二粉體54相互聚集，而 達到線寬細微化的效果。

進行步驟S140，加熱結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54。

在本實施例中，供熱單元150提供一熱源至供粉單元的前端。如第1圖所示，例如是藉由一供熱單元而加熱結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54，供熱單元150例如為一雷射源，也就是供熱單元150以雷射作為一雷射加熱源，在一實施例中，透過光學配置，使此雷射加熱源的尺寸大小可以達到幾十微米的程度。舉例而言，供熱單元150用以發射一雷射154並藉由鏡面組合152使雷射154聚集至焦點位置，以加熱結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54。然，本實施例不對供熱單元150的態樣加以限制，於其他實施例中，供熱單元亦可為微波或超音波等可供加熱的構件，端視實際設備產品而能調整供熱單元的使用及配置態樣。

進行步驟S150，使結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54成型於基板160之預設位置上。

就供熱單元的配置態樣而言，第1圖是將供熱單元150配置於第一供粉料管110與第二供粉料管120之間，而可對應上述步驟S140至步驟S150的說明，也就是對結合後複數個第一粉體52與複數個第二粉體54加熱，而加熱結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54才落至基板160並成型於基板160之預設位置上，然本實施例不以此為限制，只要供熱單元加熱到至少等於所需披覆線寬區域之範圍即可。

在一實施例中，如第2圖所示，供熱單元250位於供粉單元中第一供粉料管110與第二供粉料管120的前端，另請參閱第6圖，第6圖為本 發明披覆裝置使用方法另一實施例的流程示意圖。需說明的是，第6圖的披覆裝置使用方法S100與第4圖的披覆裝置使用方法S200相似，其中相同的步驟以相同的標號表示且具有相同的功效而不再重複說明，以下僅說明差異處。

進行步驟S110至步驟S130之後，接著進行步驟S240，提供一熱源至基板160之預設位置。在此所述熱源，例如為雷射、微波或超音波等可供加熱的構件，端視實際設備產品而能調整供熱單元的配置態樣。

接著，進行步驟S250，當結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54輸送至基板160之預設位置上之後，加熱結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54。換言之，本實施例是結合後的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54落至基板160後，利用上述熱源對基板160加熱而讓複數個第一粉體52與複數個第二粉體54成型在基板160之預設位置上，或者是，熱源直接對位在基板160之預設位置上的複數個第一粉體52與複數個第二粉體54加熱成型。

綜上所述，在本發明的披覆裝置與披覆裝置使用方法中，分別讓供粉單元中第一送料粉管與第二送料粉管內的第一粉體與第二粉體帶有相反極性的電荷。如此配置之下，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體自第一供粉料管的前端輸出，而帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體自第二供粉料管的前端輸出，帶有第一極性的電荷的複數個第一粉體與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體分別朝基板的方向落下，當數個第一粉體與複數個第二粉體彼此鄰近時，由於第一粉體與第二粉體分別攜帶相反極性的電荷，藉由正負電荷中和的原理，帶有第一極性的電荷的複數個 第一粉體與帶有第二極性的電荷的複數個第二粉體彼此結合，使得第一粉體與第二粉體相互聚集，而達到線寬細微化的效果，而後加熱結合後的第一粉體與第二粉體已完成披覆製程。

再者，由於上述第一供粉料管與第二供粉料管分別相對於基板而為傾斜配置，而能符合流體力學之流場設計，藉以使帶有相反極性的電荷的複數個第一粉體與複數個第二粉體於一特定位置聚集，搭配正負電荷聚集之效應而讓線寬細微化更為明顯。

此外，在輸送粉體過程中，由於在供粉單元內的粉體帶有相同極性的電荷，故在輸送粉體的過程中，粉體彼此之間會相互排斥而不會相吸，如此能避免堵塞供粉單元。

以上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段的較佳實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施的範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

100‧‧‧披覆裝置

110‧‧‧第一供粉料管

112‧‧‧第一輸送通道

120‧‧‧第二供粉料管

122‧‧‧第二輸送通道

130‧‧‧第一電荷產生元件

132‧‧‧第一電荷傳遞部

140‧‧‧第二電荷產生元件

142‧‧‧第二電荷傳遞部

150‧‧‧供熱單元

152‧‧‧鏡面組合

154‧‧‧雷射

160‧‧‧基板

52‧‧‧第一粉體

54‧‧‧第二粉體

D1、D2‧‧‧間距

Claims (21)

1. 一種披覆裝置，包括：一供粉單元，包含一第一供粉料管與一第二供粉料管；一電荷產生單元，包含一第一電荷產生元件與一第二電荷產生元件，其中該第一電荷產生元件耦接於該第一供粉料管，而該第二電荷產生元件耦接於該第二供粉料管，該第一電荷產生元件與該第二電荷產生元件產生相反的電荷；以及一供熱單元，提供一熱源至該供粉單元的前端。
2. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該第一供粉料管前端與該第二供粉料管前端彼此之間具有一間距。
3. 如申請專利範圍第2項所述之披覆裝置，其中該間距為在0至100mm之範圍內。
4. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該第一供粉料管前端與該第二供粉料管前端之間具有一角度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之披覆裝置，其中該角度為在0至150度之範圍內。
6. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該第一電荷產生元件的電荷為一正電極性，而該第二電荷產生元件的電荷為一負電極性。
7. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該第一供粉料管內具有一第一輸送通道，該第二供粉料管內具有一第二輸送通道。
8. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該第一電荷產生元件包含一第一電荷傳遞部，該第二電荷產生元件包含一第二電荷傳遞部。
9. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該供熱單元為雷射、微波或超音波。
10. 如申請專利範圍第9項所述之披覆裝置，其中當該供熱單元為雷射時，更包含一鏡面組合。
11. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，更包括：一基板，該基板位於該供粉單元的前端。
12. 如申請專利範圍第11項所述之披覆裝置，其中該供熱單元位於該供粉單元的前端，該供熱單元位於該基板的側邊。
13. 如申請專利範圍第1項所述之披覆裝置，其中該供熱單元位於該第一供粉料管與該第二供粉料管之間。
14. 一種披覆裝置使用方法，包括以下步驟：提供複數個第一粉體及複數個第二粉體，使該複數個第一粉體與該複數個第二粉體分別攜帶相反極性的電荷；分別輸送帶有相反極性的電荷的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體至一基板之一預設位置；藉由靜電力結合該複數個第一粉體與該複數個第二粉體；以及加熱結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體。
15. 如申請專利範圍第14項所述之披覆裝置使用方法，其中於提供該複數個第一粉體及該複數個第二粉體，使該複數個第一粉體與該複數個第二粉體分別攜帶相反極性的電荷之步驟中：提供一第一供粉料管與一第二供粉料管，其中該第一供粉料管內具有該複數個第一粉體，而該第二供粉料管具有該複數個第二粉體；以及該第一供粉料管的前端及該第二供粉料管的前端分別輸出帶有相反極性的電荷的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體。
16. 如申請專利範圍第15項所述之披覆裝置使用方法，其中於提供該複數個第一粉體及該複數個第二粉體，使該複數個第一粉體與該複數個第二粉 體分別攜帶相反極性的電荷之步驟中：提供一電荷產生單元，包含一第一電荷產生元件與一第二電荷產生元件，其中該第一電荷產生元件耦接於該第一供粉料管，該第一電荷產生元件用以讓該第一供粉料管內的各該第一粉體帶有一第一極性的電荷，而該第二電荷產生元件耦接於該第二供粉料管，該第二電荷產生元件用以讓該第二供粉料管內的各該第二粉體帶有一第二極性的電荷，該第一極性的電荷與該第二極性的電荷相反。
17. 如申請專利範圍第16項所述之披覆裝置使用方法，其中該第一電荷產生元件包含一第一電荷傳遞部，該第二電荷產生元件包含一第二電荷傳遞部。
18. 如申請專利範圍第14項所述之披覆裝置使用方法，更包括以下步驟：使結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體成型於該基板之該預設位置上。
19. 如申請專利範圍第14項所述之披覆裝置使用方法，其中於加熱結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體之步驟中：當結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體輸送至該基板之該預設位置上之後，加熱結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體。
20. 如申請專利範圍第19項所述之披覆裝置使用方法，更包括以下步驟：提供一熱源至該基板之該預設位置。
21. 如申請專利範圍第14項所述之披覆裝置使用方法，其中於加熱結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體之步驟中：當結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉體輸送至該基板之該預設位置上之前，加熱結合後的該複數個第一粉體與該複數個第二粉 體。