TWI557626B - Used in pressure touch sensor variable resistance structure - Google Patents

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TWI557626B TW104143917A TW104143917A TWI557626B TW I557626 B TWI557626 B TW I557626B TW 104143917 A TW104143917 A TW 104143917A TW 104143917 A TW104143917 A TW 104143917A TW I557626 B TWI557626 B TW I557626B
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Description

應用於壓力觸控感測器之變阻式結構
本發明係為一種應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，特別是一種將變阻式結構貼附在可撓式基板上方、下方或上方以及下方，以克服習知觸控模組堆疊架構僅侷限於平面式設計問題的變阻式結構。
請參考圖1所示，習知技術之壓力觸控裝置(7)係包括一金屬底座(70)、一黏著膠膜層(71)、一氧化銦錫隔離層(72)、一聚酯層(73)、一銀質壓力感測裝置(74)、一背光模組(75)、一薄膜電晶體前端陣列(76)、一第一電容(77)、一第二電容(78)以及一前蓋板(79)。
該黏著膠膜層(71)係設置於該金屬底座(70)之上，該氧化銦錫隔離層(72)係設置於該黏著膠膜層(71)之上，該聚酯層(73)係設置於該氧化銦錫隔離層(72)之上，該銀質壓力感測裝置(74)係設置於該聚酯層(73)之上，該背光模組(75)係設置於該銀質壓力感測裝置(74)之上，該薄膜電晶體前端陣列(76)係設置於該背光模組(75)之上，該第一電容(77)之一端係與該銀質壓力感測裝置(74)電性連接，另一端係與該背光模組(75)電性連接，該第二電容(78)之一端係與該銀質壓力感測裝置(74)電性連接，另一端係與該薄膜電晶體前端陣列(76)電性連接，該前蓋板(79)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(76)之上。
習知技術之壓力觸控裝置係為非內嵌式(in-cell)，而採用自容式(Self capacitance)架構進行壓力觸控。其主要原理係為：外部手指下壓施力，相近的金屬層產生形變，相對於銀質壓力感測裝置的變化量，銀質壓力感測裝置偵測電容變化，最後經由演算法轉化為向下施與壓力指標。
然而，習知技術之壓力觸控裝置的堆疊架構被僅限於平面式設計，而不能應用於曲面式設計。
因此，如何設計出一同時適用於平面式設計以及曲面式設計之壓力觸控裝置堆疊架構，即成為相關設備廠商以及研發人員所共同期待的目標。
本發明人有鑑於習知技術之壓力觸控裝置的堆疊架構被僅限於平面式設計之缺失，乃積極著手進行開發，以期可以改進上述既有之缺點，經過不斷地試驗及努力，終於開發出本發明。
本發明之目的，係提供一種同時適用於平面式設計以及曲面式設計之變阻式結構。
為了達成上述之目的，本發明第一實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括一可撓式基板、一第一變阻層以及一黏著膠膜層。
該第一變阻層係由變阻式材料組成，並設置於該可撓式基板之上。該黏著膠膜層係設置於該第一變阻層之上。
為了達成上述之目的，本發明第二實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括一第一變阻層、一可撓式基板以及一黏著膠膜層。
該第一變阻層係由變阻式材料組成。該可撓式基板係設置於該第一變阻層之上。該黏著膠膜層係設置於該可撓式基板之上。
為了達成上述之目的，本發明第三實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括一第一變阻層、一可撓式基板、一第二變阻層以及一黏著膠膜層。
該第一變阻層係由變阻式材料組成。該可撓式基板係設置於該第一變阻層之上。該第二變阻層係由變阻式材料組成，係設置於該可撓式基板之上。該黏著膠膜層係設置於該第二變阻層之上。
藉由上述之結構，本發明可克服習知觸控模組堆疊架構僅侷限於平面式設計之問題，而同時適用於平面式設計以及曲面式設計之堆疊架構。
習知技術：
(70)‧‧‧金屬底座
(71)‧‧‧黏著膠膜層
(72)‧‧‧氧化銦錫隔離層
(73)‧‧‧聚酯層
(74)‧‧‧銀質壓力感測裝置
(75)‧‧‧背光模組
(76)‧‧‧薄膜電晶體前端陣列
(77)‧‧‧第一電容
(78)‧‧‧第二電容
(79)‧‧‧前蓋板
本發明：
(1、1a、1b)‧‧‧應用於壓力觸控感測器之變阻式結構
(10、10a、10b)‧‧‧可撓式基板
(11、11a、11b)‧‧‧第一變阻層
(12、12a、12b)‧‧‧黏著膠膜層
(13)‧‧‧第二變阻層
(2、2a、2b)‧‧‧壓力觸控感測器
(20、20a、20b)‧‧‧金屬底座
(21、21a、21b)‧‧‧背光模組
(22、22a、22b)‧‧‧薄膜電晶體前端陣列
(23、23a、23b)‧‧‧前蓋板
δR‧‧‧電阻變化量
R‧‧‧電阻
δ‧‧‧變化量
圖1係習知技術之壓力觸控裝置之示意圖；圖2a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於背光模組之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖2b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於背光模組之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖3a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於前蓋板之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖3b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於前蓋板之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖4a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖4b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖5a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於背光模組之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖5b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於背光模組之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖6a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於前蓋板之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖6b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於前蓋板之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖7a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於平面式設計之示意圖； 圖7b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖8a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於背光模組之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖8b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於背光模組之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖9a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於前蓋板之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖9b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於前蓋板之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖10a係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於平面式設計之示意圖；圖10b係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置於薄膜電晶體前端陣列之下，並應用於曲面式設計之示意圖；圖11係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構量測方式之電路圖；以及圖12係本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構以惠斯登電橋進行量測之電路圖。
為使熟悉該項技藝人士瞭解本發明之目的，兹配合圖式將本發明之較佳實施例詳細說明如下。
請參考圖2a以及圖2b所示，本發明第一實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1)，係設置於一壓力觸控感測器(2)內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1)係包括一可撓式基板(10)、一第一變阻層(11)以及一黏著膠膜層(12)。
該第一變阻層(11)係由變阻式材料組成，並設置於該可撓式基板(10)之上，在本發明之一較佳實施例中，該第一變阻層(11)係由氧化 銦錫或有機高分子材料組成。該第一變阻層(11)由變阻性材料所構成的感測架構，可為單一(single)架構或是矩陣(Matrix)架構，若為矩陣架構，感測元件的尺寸可相同或不同。
該第一變阻層(11)係偵測向下施與的壓力變化。
該黏著膠膜層(12)係設置於該第一變阻層(11)之上。
該壓力觸控感測器(2)包括一金屬底座(20)、一背光模組(21)、一薄膜電晶體前端陣列(22)以及一前蓋板(23)，該可撓式基板(10)係設置於該金屬底座(20)之上，該背光模組(21)係設置於該黏著膠膜層(12)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22)係設置於該背光模組(21)之上，該前蓋板(23)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22)之上。
請參考圖3a以及圖3b所示，在本發明之另一實施例中，該背光模組(21)係設置於該金屬底座(20)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22)係設置於該背光模組(21)之上，該可撓式基板(10)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22)之上，該前蓋板(23)係設置於該黏著膠膜層(12)之上。
請參考圖4a以及圖4b所示，在本發明之又一實施例中，該背光模組(21)係設置於該金屬底座(20)之上，該可撓式基板(10)係設置於該背光模組(21)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22)係設置於該黏著膠膜層(12)之上，該前蓋板(23)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22)之上。
請參考圖5a以及圖5b所示，本發明第二實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1a)，係設置於一壓力觸控感測器(2a)內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1a)係包括一第一變阻層(11a)、一可撓式基板(10a)以及一黏著膠膜層(12a)。
該第一變阻層(11a)係由變阻式材料組成，在本發明之一較佳實施例中，該第一變阻層(11a)係由氧化銦錫或有機高分子材料組成。該第一變阻層(11a)係偵測向下施與的壓力變化。該第一變阻層(11a)由變阻性 材料所構成的感測架構，可為單一(single)架構或是矩陣(Matrix)架構，若為矩陣架構，感測元件的尺寸可相同或不同。
該可撓式基板(10a)係設置於該第一變阻層(11a)之上。該黏著膠膜層(12a)係設置於該可撓式基板(10a)之上。
其中該壓力觸控感測器(2a)包括一金屬底座(20a)、一背光模組(21a)、一薄膜電晶體前端陣列(22a)以及一前蓋板(23a)，該第一變阻層(11a)係設置於該金屬底座(20a)之上，該背光模組(21a)係設置於該黏著膠膜層(12a)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22a)係設置於該背光模組(21a)之上，該前蓋板(23a)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22a)之上。
請參考圖6a以及圖6b所示，在本發明之一較佳實施例中，該背光模組(21a)係設置於該金屬底座(20a)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22a)係設置於該背光模組(21a)之上，該第一變阻層(11a)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22a)之上，該前蓋板(23a)係設置於該黏著膠膜層(12a)之上。
請參考圖7a以及圖7b所示，在本發明之又一較佳實施例中，該背光模組(21a)係設置於該金屬底座(20a)之上，該第一變阻層(11a)係設置於該背光模組(21a)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22a)係設置於該黏著膠膜層(12a)之上，該前蓋板(23a)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22a)之上。
請參考圖8a以及圖8b所示，本發明第三實施例之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1b)，係設置於一壓力觸控感測器(2b)內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1b)係包括一第一變阻層(11b)、一可撓式基板(10b)、一第二變阻層(13)以及一黏著膠膜層(12b)。
該第一變阻層(11b)係由變阻式材料組成，在本發明之一較佳實施例中，該第一變阻層(11b)係由氧化銦錫或有機高分子材料組成。該第一變阻層(11b)係偵測向下施與的壓力變化。該第一變阻層(11b)由變阻性材料所構成的感測架構，可為單一(single)架構或是矩陣(Matrix)架構，若為矩陣架構，感測元件的尺寸可相同或不同。
該可撓式基板(10b)係設置於該第一變阻層(11b)之上。該第二變阻層(13)係由變阻式材料組成，係設置於該可撓式基板(10b)之上，在本發明之一較佳實施例中，該第二變阻層(13)係由氧化銦錫或有機高分子材料組成。
該黏著膠膜層(12b)係設置於該第二變阻層(13)之上。
其中該壓力觸控感測器(2b)包括一金屬底座(20b)、一背光模組(21b)、一薄膜電晶體前端陣列(22b)以及一前蓋板(23b)，該第一變阻層(11b)係設置於該金屬底座(20b)之上，該背光模組(21b)係設置於該黏著膠膜層(12b)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22b)係設置於該背光模組(21b)之上，該前蓋板(23b)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22b)之上。
請參考圖9a以及圖9b所示，在本發明之一較佳實施例中，該第一變阻層(11b)係設置於該金屬底座(20b)之上，該背光模組(21b)係設置於該黏著膠膜層(12b)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22b)係設置於該背光模組(21b)之上，該前蓋板(23b)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22b)之上。
請參考圖10a以及圖10b所示，在本發明之又一較佳實施例中，該背光模組(21b)係設置於該金屬底座(20b)之上，該第一變阻層(11b)係設置於該背光模組(21b)之上，該薄膜電晶體前端陣列(22b)係設置於該黏著膠膜層(12b)之上，該前蓋板(23b)係設置於該薄膜電晶體前端陣列(22b)之上。
請參考圖2a、圖5a、圖8a以及圖11所示，δR為因壓力變化，本發明之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構(1、1a、1b)產生的電阻變化量(δR)，Gain(Ad)為OP放大器的增益值(可調整)，其中R為電阻，δ為變化量。
Vout=Ad(V1-V2)=Ad×Vs×(1/(2+δ)-1/2)=Ad×Vs×(-δ)/(4+2δ)。
藉由偵測輸出電壓(Vout)的電壓變化量，可推估壓力變化(產生電阻變化)的關係。
請參考圖2a、圖5a、圖8a以及圖12所示，圖12係本發明應用於壓力觸控感測器之變阻式結構以惠斯登電橋進行量測之電路圖，其中R3：變阻式 材料電阻(R30為施壓前，R31為施壓後)，R1以及R2為固定電阻，R4為搭配變阻式材料(未施壓時)，所匹配出的電阻。
未施壓前，惠斯登電橋平衡(Vout=0)：R4=R30×R2/R1。
施壓後：惠斯登電橋失去平衡狀態：Vout=Ad(V1-V2)。
藉由偵測輸出電壓(Vout)的電壓變化量，亦可推估出壓力變化的關係。
透過上述之結構，本發明係使用變阻式結構貼附在可撓式基板上方、下方或上方以及下方，使觸控模組堆疊架構不但可為平面式設計，更可為曲面式設計之堆疊架構。再者，其結構型態並非所屬技術領域中之人士所能輕易思及而達成者，實具有新穎性以及進步性無疑。
透過上述之詳細說明，即可充分顯示本發明之目的及功效上均具有實施之進步性，極具產業之利用性價值，且為目前市面上前所未見之新發明，完全符合發明專利要件，爰依法提出申請。唯以上所述著僅為本發明之較佳實施例而已，當不能用以限定本發明所實施之範圍。即凡依本發明專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請 貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。
(1)‧‧‧應用於壓力觸控感測器之變阻式結構
(10)‧‧‧可撓式基板
(11)‧‧‧第一變阻層
(12)‧‧‧黏著膠膜層
(2)‧‧‧壓力觸控感測器
(20)‧‧‧金屬底座
(21)‧‧‧背光模組
(22)‧‧‧薄膜電晶體前端陣列
(23)‧‧‧前蓋板

Claims (10)

  1. 一種應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括：            一可撓式基板；            一第一變阻層，係由變阻式材料組成，並設置於該可撓式基板之上；以及            一黏著膠膜層，係設置於該第一變阻層之上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該可撓式基板係設置於該金屬底座之上，該背光模組係設置於該黏著膠膜層之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該前蓋板係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該背光模組係設置於該金屬底座之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該可撓式基板係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上，該前蓋板係設置於該黏著膠膜層之上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該背光模組係設置於該金屬底座之上，該可撓式基板係設置於該背光模組之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該黏著膠膜層之上，該前蓋板係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上。
  5. 一種應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括：         一第一變阻層，係由變阻式材料組成；         一可撓式基板，係設置於該第一變阻層之上；以及          一黏著膠膜層，係設置於該可撓式基板之上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該第一變阻層係設置於該金屬底座之上，該背光模組係設置於該黏著膠膜層之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該前蓋板係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該背光模組係設置於該金屬底座之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該第一變阻層係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上，該前蓋板係設置於該黏著膠膜層之上。
  8. 一種應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，係設置於一壓力觸控感測器內，該應用於壓力觸控感測器之變阻式結構係包括： 一第一變阻層，係由變阻式材料組成； 一可撓式基板，係設置於該第一變阻層之上； 一第二變阻層，係由變阻式材料組成，係設置於該可撓式基板之上；以及 一黏著膠膜層，係設置於該第二變阻層之上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該第一變阻層係設置於該金屬底座之上，該背光模組係設置於該黏著膠膜層之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該前蓋板係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之應用於壓力觸控感測器之變阻式結構，其中該壓力觸控感測器包括一金屬底座、一背光模組、一薄膜電晶體前端陣列以及一前蓋板，該背光模組係設置於該金屬底座之上，該薄膜電晶體前端陣列係設置於該背光模組之上，該第一變阻層係設置於該薄膜電晶體前端陣列之上，該前蓋板係設置於該黏著膠膜層之上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645173B (zh) * 2017-01-23 2018-12-21 華邦電子股份有限公司 壓力感測器及其製造方法
US10323996B2 (en) 2017-01-23 2019-06-18 Winbond Electronics Corp. Pressure sensor and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106354328B (zh) * 2016-09-14 2023-11-14 宸鸿科技(厦门)有限公司 压力感测模组、压力感测触控系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200938054A (en) * 2007-12-27 2009-09-01 Nissha Printing Electronic apparatus with protective panel
TW201122953A (en) * 2009-12-31 2011-07-01 Wintek Corp Method of measuring touch pressure
TW201310316A (zh) * 2011-06-24 2013-03-01 Nissha Printing 結合靜電電容及壓力檢測的輸入裝置、以及具有感壓功能之靜電電容式之併合觸控面板
CN104220964A (zh) * 2010-12-24 2014-12-17 石墨烯广场株式会社 用于同时检测压力和位置的使用石墨烯的触摸传感器
US9130651B2 (en) * 2010-08-07 2015-09-08 Joseph Akwo Tabe Mega communication and media apparatus configured to provide faster data transmission speed and to generate electrical energy
CN104995587A (zh) * 2014-08-14 2015-10-21 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 一种压力检测结构及触控装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6819316B2 (en) * 2001-04-17 2004-11-16 3M Innovative Properties Company Flexible capacitive touch sensor
GB0515175D0 (en) * 2005-07-25 2005-08-31 Plastic Logic Ltd Flexible resistive touch screen
CN101587402B (zh) * 2009-06-29 2012-02-15 友达光电股份有限公司 可挠性触控显示装置
US20110273394A1 (en) * 2010-05-10 2011-11-10 Symbol Technologies, Inc. Methods and apparatus for a transparent and flexible force-sensitive touch panel
KR20130107640A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 삼성전자주식회사 압력감지방식 터치패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200938054A (en) * 2007-12-27 2009-09-01 Nissha Printing Electronic apparatus with protective panel
TW201122953A (en) * 2009-12-31 2011-07-01 Wintek Corp Method of measuring touch pressure
US9130651B2 (en) * 2010-08-07 2015-09-08 Joseph Akwo Tabe Mega communication and media apparatus configured to provide faster data transmission speed and to generate electrical energy
CN104220964A (zh) * 2010-12-24 2014-12-17 石墨烯广场株式会社 用于同时检测压力和位置的使用石墨烯的触摸传感器
TW201310316A (zh) * 2011-06-24 2013-03-01 Nissha Printing 結合靜電電容及壓力檢測的輸入裝置、以及具有感壓功能之靜電電容式之併合觸控面板
CN104995587A (zh) * 2014-08-14 2015-10-21 深圳纽迪瑞科技开发有限公司 一种压力检测结构及触控装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645173B (zh) * 2017-01-23 2018-12-21 華邦電子股份有限公司 壓力感測器及其製造方法
US10323996B2 (en) 2017-01-23 2019-06-18 Winbond Electronics Corp. Pressure sensor and manufacturing method thereof

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CN105389055A (zh) 2016-03-09
TW201719369A (zh) 2017-06-01

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