TWI538197B - 有機發光二極體顯示裝置 - Google Patents

Description

有機發光二極體顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種有機發光二極體顯示裝置。

隨著觸控顯示面板製造技術的發展，電容式觸控顯示面板已廣泛應用於各種電子設備中。

目前的電容式觸控顯示面板一般多由雙面工藝形成，亦即將觸控模組以及發光元件分別設置於封裝玻璃的兩側。如此一來，可以解決電容式觸控顯示面板中的電容耦合現象，但卻導致封裝玻璃無法薄化，以致於電容式觸控顯示面板之厚度難以降低，造成製作電容式觸控顯示面板的一大瓶頸。

然而，若將觸控模組以及發光元件設置於封裝玻璃的同一側，雖然可以降低封裝玻璃的厚度，使得觸控顯示面板之厚度得以降低，但如此一來，卻會造成電容耦合的現象。亦即，由於觸控模組以及發光元件設置於封裝玻璃的同一側，導致觸控模組以及發光元件的電極間距離減少，造成寄生電容變大，使得觸控模組的信號雜訊比變差。

因此，本發明之一態樣是在提供一種有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示裝置，包含一基底(substrate)、一像素定義層(pixel define layer；PDL)、複數個有機發光二極體、複數個光間隔物(photo spacer；PS)、一第一隔絕層、一第二隔絕層、一第三隔絕層、一觸控模組以及一封裝基底(encapsulation substrate)。像素定義層位於基底上方。有機發光二極體設置於像素定義層中。光間隔物係位於像素定義層上方，且對應於有機發光二極體設置。第一隔絕層位於光間隔物上方。第一隔絕層包含複數個第一隔絕體。第一隔絕體係對應於光間隔物設置。第二隔絕層位於第一隔絕層上方。第三隔絕層位於第二隔絕層上方，而觸控模組設置於第三隔絕層中。封裝基底位於第三隔絕層上方，且與基底對應設置。

應用本發明之優點在於藉由設置包含複數個第一隔絕體的第一隔絕層，可使得因為將觸控模組以及發光元件設置於封裝玻璃的同一側所造成的寄生電容有效地降低，進而提高觸控模組的信號雜訊比。另外，藉由對應密封層設置第二隔絕體，可避免因為設置了第一隔絕體，而需要增加密封層之高度，造成有機發光二極體顯示裝置於封裝上的困難。

100‧‧‧有機發光二極體顯示裝置

110‧‧‧基底

120‧‧‧像素定義層

130、132‧‧‧有機發光二極體

140‧‧‧光間隔物

145‧‧‧共通電極

150‧‧‧第一隔絕層

160‧‧‧第一隔絕體

170‧‧‧第二隔絕層

180‧‧‧第三隔絕層

182‧‧‧第一感測電極

184‧‧‧第二感測電極

186‧‧‧第一電橋

190‧‧‧封裝基底

AA、BB‧‧‧線段

a,b,c,d‧‧‧端點

310‧‧‧密封層

320‧‧‧第二隔絕體

第1圖為本發明一實施例中，一種有機發光二極體顯示裝置之示意圖。

第2圖係根據本發明一實施例，繪示有機發光二極體顯示裝置的截面示意圖。

第3A圖係根據本發明一實施例，繪示第一隔絕層以及第二隔絕層之高度與寄生電容值間之關係圖。

第3B圖係根據本發明一實施例，繪示第一隔絕層以及第二隔絕層之高度與寄生電容值間之關係圖。

第4圖係根據本發明一實施例，繪示有機發光二極體顯示裝置的截面示意圖。

下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍，而結構運作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為使便於理解，下述說明中相同元件將以相同之符號標示來說明。

在全篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某 些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。

另外，關於本文中所使用之『耦接』或『連接』，均可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。

於本文中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則『一』與『該』可泛指單一個或多個。將進一步理解的是，本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』及相似詞彙，指明其所記載的特徵、區域、整數、步驟、操作、元件與/或組件，但不排除其所述或額外的其一個或多個其它特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件，與/或其中之群組。

另外，在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層與/或區塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層與/或區塊不應該被這些術語所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層與/或區塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層與/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層與/或區塊，而不脫離本發明的本意。

請參照第1圖。第1圖為本發明一實施例中，一種有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示裝置100之示意圖。於一實施例中，有機發光二極體 顯示裝置100包含一觸控模組(未繪示)，上述觸控模組包含複數個第一感測電極182以及複數個第二感測電極184。第一感測電極182中每兩者間以一第一電橋(bridge)連接(如第2圖所示之第一電橋186)，第二感測電極184中每兩者間以一第二電橋連接(未繪示)。

請同時參照第2圖。第2圖係根據本發明一實施例，繪示如第1圖所示之有機發光二極體顯示裝置100中線段AA所對應之位置的截面示意圖。

如第2圖所示，有機發光二極體顯示裝置100包含一基底(substrate)110、一像素定義層(pixel define layer；PDL)120、複數個有機發光二極體130以及132、複數個光間隔物(photo spacer；PS)140、一第一隔絕層150(insulating layer)、一第二隔絕層170、一第三隔絕層180、一觸控模組(包含複數個第一感測電極182、複數個第二感測電極184以及第一電橋186)以及一封裝基底190(encapsulation substrate)。

於一實施例中，基底110可為但不限於一包含二氧化矽(SiO2)的玻璃基底。像素定義層120位於基底110上方，而有機發光二極體130以及132係設置於像素定義層120中。像素定義層120之材料可為但不限於聚醯亞胺(Polyimide；PI)。於另一實施例中，像素定義層120更包含複數個用以驅動有機發光二極體130以及132的薄膜電晶體(thin-film transistor；TFT)(未繪示)。

光間隔物140係對應於有機發光二極體120以及 132設置於像素定義層120上方。如第2圖所示，於有機發光二極體顯示裝置100中線段AA所對應之位置的截面上，光間隔物140係設置於有機發光二極體130以及132的上方兩側。

第一隔絕層150位於光間隔物140上方。第一隔絕層150包含複數個第一隔絕體160，第一隔絕體160係對應於光間隔物140設置。於一實施例中，第一隔絕體160之材料包含二氧化矽(SiO2)或是氮化矽(SiNx)。於另一實施例中，第一隔絕體160之高度約為0.5um。於第2圖所示之實施例中，第一隔絕體160係對應於有機發光二極體130以及132之上方兩側的光間隔物140而設置。

於又一實施例中，如第2圖所示，第一隔絕體160係不連續地設置於第一隔絕層150中。第一隔絕體160可對應於每一個有機發光二極體(如：有機發光二極體130以及132)所對應設置的光間隔物140而設置。於再一實施例中，第一隔絕體160係對應於複數個特定有機發光二極體所對應設置的光間隔物而設置。

於另再一實施例中，第一隔絕體160係對應於複數個特定顏色之有機發光二極體所對應設置的光間隔物而設置。於一例子中，第一隔絕體160係對應於複數個藍光有機發光二極體所對應設置的光間隔物而設置。

於一實施例中，有機發光二極體顯示裝置100更包含一共通電極145。共通電極145位於像素定義層120以及光間隔物140上方。於一實施例中，共通電極145係 用以提供一共通電壓予有機發光二極體130以及132。

再如第2圖所示，第二隔絕層170位於第一隔絕層150上方。第二隔絕層170的材料可為但不限於氧化矽或氮化矽。

於一實施例中，第二隔絕層170之高度約為0.5um。

其次，第三隔絕層180位於第二隔絕層170上方。於一實施例中，第三隔絕層180中設置有上述觸控模組(包含複數個第一感測電極182、複數個第二感測電極184以及第一電橋186)。

以上述實施例而言，藉由設置包含複數個第一隔絕體160的第一隔絕層150，可使得因觸控模組以及發光元件設置於封裝玻璃的同一側所造成的寄生電容有效地降低，進而提高觸控模組的信號雜訊比。

其中，當包含複數個第一隔絕體160的第一隔絕層150之高度越高，寄生電容之電容值會越低，觸控模組的信號雜訊比也會越高。然而，當第一隔絕層150之高度越高，製程上也會越困難。於一實施例中，第一隔絕層150與第二隔絕層170之總高度係介於0.35um至1.0um。

第3A圖係根據本發明一實施例，繪示第一隔絕層150以及第二隔絕層170之高度與上述寄生電容值(Cp)間之關係圖。為方便及清楚說明起見，第3A圖是根據第2圖所示實施例為例來作說明，但不以此為限。如第2圖和第3A圖所示，實線係代表未設置第一隔絕層150時，第 二隔絕層170之高度與寄生電容值間之關係。虛線則代表當設置第一隔絕層150(包含高度為0.5um之第一隔絕體160)時，第一隔絕層150與第二隔絕層170之總高度與寄生電容值間之關係。於第3A圖所示之實施例中，第一隔絕層150中之第一隔絕體160以及第二隔絕層170之主要材料為二氧化矽。

如第3A圖所示，當未設置第一隔絕層150且第二隔絕層170之高度為0.5um時，寄生電容值約為37.4pF(如第3A圖中之端點a)。當設置包含高度為0.5um之第一隔絕體160的第一隔絕層150以及高度為0.5um之第二隔絕層170時，寄生電容值則下降至約30.7pF(如第3A圖中之端點b)。

由上述結果可知，當第一隔絕層150中之第一隔絕體160以及第二隔絕層170之主要材料為二氧化矽，且第二隔絕層170之高度為0.5um時，藉由設置高度為0.5um的第一隔絕體160，可使得寄生電容值降低約18%。

第3B圖係根據本發明一實施例，繪示第一隔絕層150以及第二隔絕層170之高度與上述寄生電容值(Cp)間之關係圖。為方便及清楚說明起見，第3B圖是根據第2圖所示實施例為例來作說明，但不以此為限。如第2圖和第3B圖所示，實線係代表未設置第一隔絕層150時，第二隔絕層170之高度與寄生電容值間之關係。虛線則代表當設置第一隔絕層150(包含高度為0.5um之第一隔絕體160)時，第一隔絕層150與第二隔絕層170之總高度與寄 生電容值間之關係。於第3B圖所示之實施例中，第一隔絕層150中之第一隔絕體160以及第二隔絕層170之主要材料為氮化矽。

如第3B圖所示，當未設置第一隔絕層且第二隔絕層之高度為0.5um時，寄生電容值約為38.5pF(如第3B圖中之端點c)。當設置包含高度為0.5um之第一隔絕體的第一隔絕層以及高度為0.5um之第二隔絕層時，寄生電容值則下降至約31.6pF(如第3B圖中之端點d)。

由上述結果可知，當第一隔絕層中之第一隔絕體以及第二隔絕層之主要材料為氮化矽，且第二隔絕層之高度為0.5um時，藉由設置高度為0.5um的第一隔絕體，可使得寄生電容值降低約18%。

請同時參照第4圖。第4圖係根據本發明一實施例，繪示如第1圖所示之有機發光二極體顯示裝置100中線段AA以及線段BB所對應之位置的截面示意圖。

相較於第2圖所示之實施例，於本實施例中，有機發光二極體顯示裝置100中線段BB所對應之位置的截面更包含一密封層310(sealant)。密封層310位於像素定義層120上方。於一實施例中，密封層310之材質包含玻料(frit)。而第一隔絕層150更包含一對應於密封層310所設置的第二隔絕體320。於另一實施例中，第二隔絕體320之材料包含二氧化矽(SiO2)或是氮化矽(SiNx)。藉由對應密封層310設置第二隔絕體320，可避免因為設置了第一隔絕體160，而需要增加密封層310之高度，造成 有機發光二極體顯示裝置於封裝上的困難。

綜上所述，本發明藉由設置包含複數個第一隔絕體的第一隔絕層，可使得因為將觸控模組以及發光元件設置於封裝玻璃的同一側所造成的寄生電容有效地降低，進而提高觸控模組的信號雜訊比。另外，藉由對應密封層設置第二隔絕體，可避免因為設置了第一隔絕體，而需要增加密封層之高度，造成有機發光二極體顯示裝置於封裝上的困難。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧基底

120‧‧‧像素定義層

130、132‧‧‧有機發光二極體

140‧‧‧光間隔物

145‧‧‧共通電極

150‧‧‧第一隔絕層

160‧‧‧第一隔絕體

170‧‧‧第二隔絕層

180‧‧‧第三隔絕層

182‧‧‧第一感測電極

184‧‧‧第二感測電極

186‧‧‧第一電橋

190‧‧‧封裝基底

Claims (11)

1. 一種有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示裝置，包含：一基底(substrate)；一像素定義層(pixel define layer；PDL)，位於該基底上方；複數個有機發光二極體，設置於該像素定義層中；複數個對應於該些有機發光二極體設置的光間隔物(photo spacer；PS)，其中該些光間隔物係位於該像素定義層上方；一第一隔絕層(insulating layer)，位於該些光間隔物上方，該第一隔絕層包含複數個第一隔絕體，其中每一該些第一隔絕體分別地設置於該些光間隔物上方；一第二隔絕層，位於該第一隔絕層上方；一第三隔絕層，位於該第二隔絕層上方；一觸控模組，設置於該第三隔絕層中；以及一封裝基底(encapsulation substrate)，與該基底對應設置，該封裝基底位於該第三隔絕層上方。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一密封層(sealant)，位於該像素定義層上方，而該第一隔絕層更包含一對應於該密封層所設置的第二隔絕體。
3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該第二隔絕體之材 料包含二氧化矽(SiO2)或是氮化矽(SiNx)。
4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些第一隔絕體係不連續地設置於該第一隔絕層中。
5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些第一隔絕體係對應於複數個對應藍光有機發光二極體所設置的光間隔物而設置。
6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該觸控模組包含複數個第一感測電極以及複數個第二感測電極，該些第一感測電極中每兩者間以一第一電橋(bridge)連接，該些第二感測電極中每兩者間以一第二電橋連接。
7. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一共通電極，位於該像素定義層以及該些光間隔物上方。
8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些第一隔絕體之材料包含二氧化矽(SiO2)或是氮化矽(SiNx)。
9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該些第一隔絕體之高度約為0.5um。
10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二隔絕層之高度約為0.5um。
11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一隔絕層與第二隔絕層之總高度係介於0.35um至1.0um。