TWI532387B - 微機電系統麥克風晶片封裝體 - Google Patents

微機電系統麥克風晶片封裝體 Download PDF

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Description

微機電系統麥克風晶片封裝體
本發明是有關於一種封裝體，且特別是有關於一種微機電系統麥克風晶片封裝體。
隨著科技的進步，各種感測裝置已普遍地被應用於電子產品中。舉例來說，感測裝置可以是用以感測壓力之壓力感測器(Pressure Sensor)、加速度計(Accelerometer)或是用以感測聲波之聲音感測器(Acoustic Sensor)。以聲音感測器為例，由於市場對聲音品質的要求日益增高，因此一般之聲音感測器會配設訊號品質較佳之微機電系統麥克風。
一般來說，微機電系統麥克風通常配設於可攜式電子裝置之中，例如手機(mobile phone)、個人數位助理(PDA)或平板電腦(tablet PC)等。然而，在可攜式電子裝置朝向小型化的發展趨勢下，習知的微機電系統麥克風通常存在著封裝體積過大的問題，進而提高了可攜式電子裝置在設計或組裝上的困難度。另 一方面，在封裝過程中，會利用例如真空吸嘴等設備吸附微機電麥克風晶片，以將微機電麥克風晶片設置於載板上，因此，微機電系統麥克風晶片上的振動膜易受到真空吸嘴等設備的吸附力牽引或觸壓而破損；此外，異物汙染或人員誤觸亦可能破壞振動膜，進而導致製作良率不佳。
本發明提供一種微機電系統麥克風晶片封裝體，其符合封裝體小型化的趨勢，且具有較佳的製作良率。
本發明提出的微機電系統麥克風晶片封裝體包括線路載板、微機電系統麥克風晶片、邏輯晶片、微機電系統蓋體、至少一第一焊線以及封裝蓋體。微機電系統麥克風晶片配置於線路載板上，其中微機電系統麥克風晶片具有振動膜，且振動膜與線路載板之間具有第一腔室。邏輯晶片配置於線路載板上，且邏輯晶片與微機電系統麥克風晶片以及線路載板電性連接。微機電系統蓋體配置於微機電系統麥克風晶片上，並至少覆蓋振動膜，其中微機電系統蓋體與微機電系統麥克風晶片之間具有第二腔室。第一焊線電性連接微機電系統麥克風晶片與邏輯晶片。封裝蓋體配置於線路載板上，其中封裝蓋體與線路載板之間具有第三腔室以容納微機電系統麥克風晶片以及邏輯晶片，且第二腔室與第三腔室相連通。
在本發明的一實施例中，上述的微機電系統蓋體包括一 板體以及多個凸塊。凸塊位於板體與微機電系統麥克風晶片之間，且凸塊與板體之間形成多個通道，使第二腔室透過通道與第三腔室相連通。
在本發明的一實施例中，上述的微機電系統蓋體之至少一側具有至少一打線讓位區，打線讓位區係形成於板體之至少一側邊。
在本發明的一實施例中，上述的至少一第一焊線係通過至少一打線讓位區電性連接微機電系統麥克風晶片。
在本發明的一實施例中，上述的微機電系統蓋體之板體以及凸塊為一體成型。
在本發明的一實施例中，上述的微機電系統蓋體之板體以及凸塊為分開形成之結構。
在本發明的一實施例中，上述的邏輯晶片係疊置於微機電系統麥克風晶片上方之微機電系統蓋體上。
在本發明的一實施例中，上述的邏輯晶片與微機電系統麥克風晶片係並排於線路載板上。
在本發明的一實施例中，上述的封裝蓋體具有進音孔，且進音孔與第三腔室相連通。
在本發明的一實施例中，上述的封裝蓋體具有進音孔，且進音孔與第一腔室相連通。
基於上述，本發明的微機電系統麥克風晶片封裝體藉由在微機電系統麥克風晶片上配置微機電系統蓋體，可有效避免在 組裝過程時微機電系統麥克風晶片上的振動膜受到例如真空吸嘴等設備的吸附力的牽引或觸壓而破損；微機電系統蓋體也可以防止異物汙染或損壞振動膜或因誤觸而破壞振動膜，從而提昇製作上的良率。另一方面，本發明之微機電系統蓋體因具有通道，使得聲波可藉由通道進入第二腔室而傳遞至振動膜。因此，本發明之微機電系統蓋體之設置不但可保護微機電系統麥克風晶片，也不會影響微機電系統麥克風晶片之運作。此外，微機電系統蓋體可另具有打線讓位區，焊線可通過打線讓位區接合於微機電系統麥克風晶片上，而不影響封裝製程之進行。再者，可將邏輯晶片直接接合於微機電系統麥克風晶片上的微機電系統蓋體上方而形成堆疊結構，可有效縮減微機電系統麥克風晶片封裝體的尺寸大小，而符合現今科技產品朝小型化發展的趨勢。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100A~100E‧‧‧微機電系統麥克風晶片封裝體
110‧‧‧線路載板
110a‧‧‧進音孔
112‧‧‧接墊
120‧‧‧微機電系統麥克風晶片
120a、130a‧‧‧黏著層
121‧‧‧振動膜
122‧‧‧第一腔室
130‧‧‧邏輯晶片
140、140a、240、240a、240b‧‧‧微機電系統蓋體
141‧‧‧第二腔室
142、242‧‧‧板體
143、243‧‧‧凸塊
144、244‧‧‧通道
245、246‧‧‧打線讓位區
150‧‧‧封裝蓋體
151‧‧‧第三腔室
152‧‧‧進音孔
160‧‧‧第一焊線
170‧‧‧第二焊線
圖1A是本發明第一實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。
圖1B是圖1A的微機電系統蓋體的立體示意圖。
圖1C是圖1A另一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。
圖2A是本發明第二實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體 的剖示圖。
圖2B是圖2A的微機電系統蓋體的立體示意圖。
圖2C是圖2A另一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。
圖2D是圖2A再一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。
圖3是本發明第三實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。
圖4是本發明第四實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。
圖5是本發明第五實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。
圖1A是本發明第一實施例的微機電系統(Microelectromechanical System，MEMS)麥克風晶片封裝體的剖示圖。請參考圖1A，在本實施例中，微機電系統麥克風晶片封裝體100A包括線路載板110、微機電系統麥克風晶片120、邏輯晶片130、微機電系統蓋體140以及封裝蓋體150。微機電系統麥克風晶片120配置於線路載板110上，微機電系統麥克風晶片120具有振動膜121，且振動膜121與線路載板110之間具有第一腔室122。邏輯晶片130配置於線路載板110上，且邏輯晶片130與微機電系統麥克風晶片120以及線路載板110電性連接。微機電系統蓋體140配置於微機電系統麥克風晶片120上並至少覆蓋振動 膜121，其中微機電系統蓋體140與微機電系統麥克風晶片120之間具有第二腔室141。封裝蓋體150配置於線路載板110上，其中封裝蓋體150與線路載板110之間具有第三腔室151以容納微機電系統麥克風晶片120以及邏輯晶片130，且第二腔室141與第三腔室151相連通。
請繼續參考圖1A，在本實施例中，微機電系統麥克風晶片120係與邏輯晶片130並排於線路載板110上，其中微機電系統麥克風晶片120與邏輯晶片130分別透過黏著層120a、130a貼合於線路載板110上。微機電系統麥克風晶片封裝體100A更包括第一焊線160以及第二焊線170。第一焊線160藉由打線接合(wire bonding)技術電性連接微機電系統麥克風晶片120與邏輯晶片130。第二焊線170亦藉由打線接合技術電性連接邏輯晶片130至線路載板110上的接墊112。在本實施例中，微機電系統蓋體140之平面尺寸係略大於振動膜121之面積以覆蓋振動膜121，也就是說，振動膜121在線路載板110上的正投影是位於微機電系統蓋體140在線路載板110上的正投影之內。因此，微機電系統蓋體140並不影響第一焊線160與微機電系統麥克風晶片120之接合。
線路載板110例如是FR-4基板壓合技術或陶瓷基板壓合技術所製作的多層式基板。微機電系統麥克風晶片120例如是結合互補式金氧半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)與微機電系統(microelectromechanical system)製程而製作完成的麥克風晶片(microphone chip)或矽麥克風(silicon microphone)，其中微機電系統麥克風晶片120的振動膜121例如是以微機電製程直接在微機電系統麥克風晶片120蝕刻完成。另外，邏輯晶片130例如是特殊應用積體電路(Application-specific integrated circuit,ASIC)，其與通用積體電路相比具有體積更小、重量更輕、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增強、成本降低等優點。微機電系統蓋體140以及封裝蓋體150例如是由金屬或陶瓷等材質所構成的框罩，其中封裝蓋體150例如是透過膠層而接合於線路載板110上。此外，第一焊線160以及第二焊線170的材質可以選自金、銅、銀、鈀、鋁、其合金或其任何組合。
圖1B是圖1A的微機電系統蓋體的立體示意圖。請參考圖1B，在本實施例中，微機電系統蓋體140包括一板體142以及多個凸塊143，凸塊143位於板體142之四個角落以支撐板體142，並且與板體142之間形成多個通道144，當微機電系統蓋體140配置於微機電系統麥克風晶片120上時，凸塊143接合微機電系統麥克風晶片120，且第二腔室141透過通道144與第三腔室151相連通。於本實施例中，板體142與凸塊143為一體成型之結構，然本發明並不以此為限。
圖1C是圖1A另一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。請參考圖1C，圖1C的微機電系統蓋體140a與圖1B的微機電系統蓋體140的不同處在於：微機電系統蓋體140a之板體142以及凸塊143為分開形成之結構，且凸塊143與板體142可由相 同材質或不同材質所構成。另一方面，凸塊143例如是立方柱體、圓柱體或橢圓柱體等結構或其任何組合。更進一步來說，位於板體142的四個角落的凸塊143可以是相同尺寸或不同尺寸之柱體，本發明在此並不加以限制。
請繼續參考圖1A，在本實施例中，封裝蓋體150具有進音孔152，且進音孔152與第三腔室151連通。也就是說，外界的聲波可藉由進音孔152進入微機電系統麥克風晶片封裝體100A內，且藉由通道144進入第二腔室141而傳遞至振動膜121，微機電系統麥克風晶片120接收振動膜121所產生的振動參數，並經運算後，放大來自特定方向的聲音的強度以及降低來自其他方向的聲音的強度，以降低相位噪音，並且減少音源以外的雜音傳到接聽者的耳朵，使得接聽者得到清晰而正確的音訊。
由於本發明的微機電系統麥克風晶片120上配置有微機電系統蓋體140，於封裝製程中，例如真空吸嘴等設備可直接接觸微機電系統蓋體140將微機電系統麥克風晶片120吸附起來進行黏晶(Die Bond)步驟，以避免振動膜121受到例如真空吸嘴等設備的吸附力牽引或觸壓而破損；微機電系統蓋體140也可以防止異物汙染或損壞振動膜121或因誤觸而破壞振動膜121，從而有效提昇其製作良率。
另一方面，本發明之微機電系統蓋體140因具有通道144，使得聲波可藉由通道144進入第二腔室141而傳遞至振動膜121。因此，本發明之微機電系統蓋體140之設置不但可保護微機 電系統麥克風晶片120，也不會影響封裝製程及微機電系統麥克風晶片120之運作。
圖2A是本發明第二實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。請參考圖2A，在本實施例中，圖2A的微機電系統麥克風晶片封裝體100B的微機電系統蓋體240與圖1A的微機電系統蓋體140的不同處在於：微機電系統蓋體240之平面尺寸係大致上與微機電系統麥克風晶片120之表面積相近，也就是說，微機電系統蓋體240在線路載板110上的正投影大致上係與微機電系統麥克風晶片120在線路載板110上的正投影相重疊。因此，微機電系統蓋體240不僅覆蓋振動膜121，亦覆蓋微機電系統麥克風晶片120上之打線區。
圖2B是圖2A的微機電系統蓋體的立體示意圖。請參考圖2B，由於微機電系統蓋體240不僅覆蓋振動膜121，亦覆蓋微機電系統麥克風晶片120上之打線區，因此相較於圖1B的微機電系統蓋體140而言，微機電系統蓋體240之板體242之兩相對側具有打線讓位區245，以使第一焊線160可通過打線讓位區245接合於微機電系統麥克風晶片120上。於本實施例中，打線讓位區245是分別於板體242之兩相對側形成長方形凹槽，使得板體242之平面呈現I字或H字型。然而，於其他實施例中，打線讓位區245之數量與形狀可依照設計需求調整，可僅在板體242之一側形成打線讓位區245，或者在板體242之三側或四側皆形成打線讓位區245，而於板體242單一側之打線讓位區245可為複數個。
圖2C是圖2A另一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。請參考圖2C，微機電系統蓋體240a與圖1C的微機電系統蓋體140a的不同處在於：微機電系統蓋體240a之板體242之單一側具有打線讓位區245，使得第一焊線160可通過打線讓位區245接合於微機電系統麥克風晶片120上。
圖2D是圖2A再一實施例的微機電系統蓋體的立體示意圖。請參考圖2D，圖2D的微機電系統蓋體240b與圖2C的微機電系統蓋體240a的不同處在於：微機電系統蓋體240b的打線讓位區246例如是多個形成於板體242的單一側的讓位孔，其大致上呈現U形輪廓。然而，在其他可能的實施例中，打線讓位區246亦可為其他適當外型輪廓的讓位孔，本發明在此並不加以限制。
簡言之，本發明亦可將微機電系統蓋體240、240a、240b配置於微機電系統麥克風晶片120上，其中凸塊243位於板體242與微機電系統麥克風晶片120之間，並且與板體242之間形成多個通道244(如圖2B至圖2D所示)，使得聲波可藉由通道244進入第二腔室141而傳遞至振動膜121，進而達到與上述實施例相同的效果。
圖3是本發明第三實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。請參考圖3，圖3的微機電系統麥克風晶片封裝體100C與圖1A的微機電系統麥克風晶片封裝體100A的不同處在於：微機電系統麥克風晶片封裝體100C的線路載板110具有進音孔110a，且進音孔110a與第一腔室122相連通，其中進音孔110a 例如是藉由雷射鑽孔或機械鑽孔等技術形成於線路載板110。換言之，本發明的進音孔並不限定形成於封裝蓋體150上(如圖1A所示)，其中在進音孔110a形成於線路載板110上且與第一腔室122相連通的情況下，外界的聲波可藉由進音孔110a進入第一腔室122而傳遞至振動膜121，並讓接聽者得到清晰而正確的音訊。簡言之，如此配置下，亦可獲致相同於上述實施例的技術功效。
圖4是本發明第四實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。請參考圖4，圖4的微機電系統麥克風晶片封裝體100D與圖1A的微機電系統麥克風晶片封裝體100A的不同處在於：微機電系統麥克風晶片封裝體100D的邏輯晶片130係疊置於微機電系統麥克風晶片120上方之微機電系統蓋體140上，也就是說，微機電系統蓋體140位於微機電系統麥克風晶片120與邏輯晶片130之間。具體而言，邏輯晶片130係透過黏著層130a接合於微機電系統蓋體140上，再藉由第一焊線160與第二焊線170分別電性連接至微機電系統麥克風晶片120及線路載板110上的接墊112。簡言之，前述堆疊配置的方式，不僅可獲致相同於上述實施例的技術攻效，更有助於縮減微機電系統麥克風晶片封裝體的尺寸大小。
圖5是本發明第五實施例的微機電系統麥克風晶片封裝體的剖示圖。請參考圖5，圖5的微機電系統麥克風晶片封裝體100E與圖4的微機電系統麥克風晶片封裝體100D的不同處在於：微機電系統麥克風晶片封裝體100E的線路載板110具有進音 孔110a，且進音孔110a與第一腔室122相連通。換言之，本發明的進音孔並不限定形成於封裝蓋體150上(如圖4所示)，其中在進音孔110a形成於線路載板110上且與第一腔室122相連通的情況下，外界的聲波可藉由進音孔110a進入第一腔室122而傳遞至振動膜121，並讓接聽者得到清晰而正確的音訊。簡言之，如此配置下，亦可獲致相同於上述實施例的技術功效。
綜上所述，本發明微機電系統麥克風晶片封裝體藉由在微機電系統麥克風晶片上配置微機電系統蓋體，可有效避免組裝時微機電系統麥克風晶片上的振動膜受到例如真空吸嘴等設備的吸附力牽引或觸壓而破損；微機電系統蓋體也可以防止異物汙染或損壞振動膜或因誤觸而破壞振動膜，從而提昇製作上的良率。另一方面，本發明之微機電系統蓋體因具有通道，使得聲波可藉由通道進入第二腔室而傳遞至振動膜。因此，本發明之微機電系統蓋體之設置不但可保護微機電系統麥克風晶片，也不會影響微機電系統麥克風晶片之運作。此外，微機電系統蓋體可另具有打線讓位區，焊線可通過打線讓位區接合於微機電系統麥克風晶片上，而不影響封裝製程之進行。再者，可將邏輯晶片直接接合於微機電系統麥克風晶片上的微機電系統蓋體上方而形成堆疊結構，可有效縮減微機電系統麥克風晶片封裝體的尺寸大小，而符合現今科技產品朝小型化發展的趨勢。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的 精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100A‧‧‧微機電系統麥克風晶片封裝體
110‧‧‧線路載板
112‧‧‧接墊
120‧‧‧微機電系統麥克風晶片
120a‧‧‧黏著層
121‧‧‧振動膜
122‧‧‧第一腔室
130‧‧‧邏輯晶片
130a‧‧‧黏著層
140‧‧‧微機電系統蓋體
141‧‧‧第二腔室
150‧‧‧封裝蓋體
151‧‧‧第三腔室
152‧‧‧進音孔
160‧‧‧第一焊線
170‧‧‧第二焊線

Claims (8)

  1. 一種微機電系統麥克風晶片封裝體，包括：一線路載板；一微機電系統麥克風晶片，配置於該線路載板上，其中該微機電系統麥克風晶片具有一振動膜，且該振動膜與該線路載板之間具有一第一腔室；一邏輯晶片，配置於該線路載板上，且該邏輯晶片與該微機電系統麥克風晶片以及該線路載板電性連接；一微機電系統蓋體，配置於該微機電系統麥克風晶片上，並至少覆蓋該振動膜，其中該微機電系統蓋體與該微機電系統麥克風晶片之間具有一第二腔室，且該微機電系統蓋體具有多個通道；至少一第一焊線，電性連接該微機電系統麥克風晶片與該邏輯晶片；以及一封裝蓋體，配置於該線路載板上，其中該封裝蓋體與該線路載板之間具有一第三腔室以容納該微機電系統麥克風晶片以及該邏輯晶片，且該第二腔室透過該些通道與該第三腔室相連通，其中，該線路載板具有與該第一腔室相連通的一進音孔或該封裝蓋體具有與該第三腔室相連通的一進音孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該微機電系統蓋體包括一板體以及多個凸塊，該些凸塊位於該板體與該微機電系統麥克風晶片之間，且該些凸塊與該板體之間形成該些通道。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該微機電系統蓋體之至少一側具有至少一打線讓位區，該至少一打線讓位區係形成於該板體之至少一側邊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該至少一第一焊線係通過該至少一打線讓位區電性連接該微機電系統麥克風晶片。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該微機電系統蓋體之該板體以及該些凸塊為一體成型。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該微機電系統蓋體之該板體以及該些凸塊為分開形成之結構。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該邏輯晶片係疊置於該微機電系統麥克風晶片上方之該微機電系統蓋體上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的微機電系統麥克風晶片封裝體，其中該邏輯晶片與該微機電系統麥克風晶片係並排於該線路載板上。
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KR100722686B1 (ko) * 2006-05-09 2007-05-30 주식회사 비에스이 부가적인 백 챔버를 갖고 기판에 음향홀이 형성된 실리콘콘덴서 마이크로폰
CN101150886B (zh) * 2006-09-21 2011-07-13 财团法人工业技术研究院 微机电麦克风的封装结构及封装方法
CN101022685A (zh) * 2007-03-23 2007-08-22 胡维 电容式微型硅麦克风及其制备方法
KR101096544B1 (ko) * 2009-11-18 2011-12-20 주식회사 비에스이 멤스 마이크로폰 패키지 및 패키징 방법
CN202931550U (zh) * 2012-11-07 2013-05-08 山东共达电声股份有限公司 Mems传声器

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