TWI482426B - 電壓控制振盪器模組以及振盪訊號產生方法 - Google Patents

電壓控制振盪器模組以及振盪訊號產生方法 Download PDF

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Description

電壓控制振盪器模組以及振盪訊號產生方法
本揭露是有關於一種電壓控制振盪器(voltage-controlled oscillator，VCO)及其振盪訊號的產生方法，且特別是有關於一種電流再利用(current reuse)的電壓控制振盪器及其振盪訊號的產生方法。
近年來因為無線通訊的發達，使得積體電路的製造技術在短時間內有相當大的變動，特別是應用在射頻(radio frequency，RF)接收和發送端的電路為最。隨著製程技術的進步，目前積體電路於十億赫茲(Giga Hertz，GHz)的頻率應用範圍越來越廣泛，甚至趨向更高的工作頻率來發展，使得在接收和發送端的電路設計會更加困難，並且也消耗更多的功率，但也更具有挑戰性。因此如何設計出一個高頻的射頻電路，還要讓這個射頻電路能更加的省電，並且提供給射頻系統一個穩定且低功耗的可調變參考頻率是當前的一個重要的課題。
一般的頻率振盪器要達到同時高頻且低功率的設計是極為困難的，因此目前各大廠所研發的60-GHz光載無線訊號相關電路，尚不能使用在可攜式的行動裝置之中，此乃因整個系統的功率消耗將近數十瓦。這樣的功率消耗不但無法使用電池來供應電源，並且在散熱上也是一個課題。因此如果能夠大幅地降低高頻的射頻電路本身所需的功率，將可增加此電路應用在可攜式行動裝置的可行性。
本揭露提供一種電壓控制振盪器模組，包括一第一電壓控制振盪單元、一第二電壓控制振盪單元以及一匹配電路。第一電壓控制振盪單元具有一第一端及一第二端，用以產生一第一振盪訊號。第二電壓控制振盪單元耦接至第一電壓控制振盪單元，用以產生一第二振盪訊號。匹配電路耦接在第一及第二電壓控制振盪單元之間。匹配電路包括多個電感模組，分別耦接在第一電壓控制振盪單元的第一端與第二電壓控制振盪單元之間，在第一電壓控制振盪單元的第一端與第二端之間，以及在第一電壓控制振盪單元的第二端與第二電壓控制振盪單元之間。
本揭露提供一種振盪訊號產生方法，適用於一電壓控制振盪器模組。電壓控制振盪器模組包括一第一及一第二電壓控制振盪單元。各電壓控制振盪單元包括一可變電容單元。振盪訊號產生方法包括如下步驟。在第一電壓控制振盪單元的一第一端與一第二端之間，耦接一第一電感模組。在第一電壓控制振盪單元的第一端與第二電壓控制振盪單元之間，耦接一第二電感模組。在第一電壓控制振盪單元的第二端與第二電壓控制振盪單元之間，耦接一第三電感模組。設定至少一可調電壓來改變各可變電容單元的電容值，以使第一電壓控制振盪單元產生一第一振盪訊號，並且使第二電壓控制振盪單元產生一第二振盪訊號。第一與第二振盪訊號的頻率係響應於各自對應的可變電容單元的電容值。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本揭露主要藉由電流再利用的技巧，使鎖相迴路中耗電的電壓控制振盪器和高頻除法器能夠疊接整合，並使用一條電流路徑，就可以同時使電壓控制振盪器和除法器能正常工作。跟以往架構相比，此電流再利用的技巧若應用在高頻振盪器的輸出端，則這二個區塊的電路上在操作時即可減少一半以上的電流消耗。除此之外，一般使用在高頻電路的除法器，需用注入鎖定(injection lock)的方式來做除法的功能，但此作法可能會有鎖定範圍較小的疑慮。因此，本揭露運用同步改變電壓控制振盪器與除法器的操作頻率方式來解決。以下將以數個範例實施例與圖式來更詳細描述本揭露。圖1繪示本揭露一實施例的電壓控制振盪器模組的概要方塊圖。請參考圖1，本實施例之電壓控制振盪器模組100包括一第一電壓控制振盪單元110、一第二電壓控制振盪單元120以及一匹配電路130。第一電壓控制振盪單元110用以產生一第一振盪訊號(未繪示)。第二電壓控制振盪單元120耦接至第一電壓控制振盪單元110用以產生一第二振盪訊號(未繪示)。匹配電路130耦接在第一及第二電壓控制振盪單元110、120之間，包括多個電感模組132、134、136。
具體而言，本實施例之匹配電路130包括一第一電感模組132、一第二電感模組134以及一第三電感模組136。第一電感模組132耦接在第一電壓控制振盪單元110的第一端N1與第二端N2之間；第二電感模組134耦接在第一電壓控制振盪單元110的第一端N1與第二電壓控制振盪單元120之間；第三電感模組136耦接在第一電壓控制振盪單元110的第二端N2與第二電壓控制振盪單元120之間。在本範例實施例中，各電感模組的實施方式包括以一並聯互消式(offset in parallel)的電感對來實施，或者以一電感器來實施，本發明並不加以限制。
在實際應用上，本範例實施之第二電壓控制振盪單元120例如是作為一個高頻的電荷注入式(current injection)除法器，其與第一電壓控制振盪單元110疊接整合並使用一個偏壓電流I來達成電流重複利用的目的。在電流重複利用的架構下，第一與第二電壓控制振盪單元110、120不僅能正常工作，兩者在操作時也可減少一半以上的電流消耗。
圖2繪示圖1之實施例的電壓控制振盪器模組的概要電路圖。請參考圖2，本實施例之第一電壓控制振盪單元110用以提供第一振盪訊號，其包括一對彼此反相的差動輸出訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)。並且，第一電壓控制振盪單元110包括一第一電晶體對112以及一第一可變電容(varactor)單元114，其中第一電晶體對112包括一第一電晶體MN1與一第二電晶體MN2，兩者係一交互耦合(cross-coupling)的電晶體對。在此例中，第一與第二電晶體MN1、MN2是採用NMOS電晶體來實施。在交互耦合的架構中，第一電晶體MN1的閘極耦接至第二電晶體MN2的汲極；第二電晶體MN2的閘極耦接至第一電晶體MN1的汲極；第一與第二電晶體MN1、MN2的源極分別耦接至一接地電壓。此交互耦合的架構用以提供等效負電阻來抵銷第一振盪單元142的寄生等效電阻的損耗。在此例中，第一電晶體對112的等效負電阻值為-2/gm ，其中轉導gm (trnasconductance)為NMOS電晶體的小訊號參數。藉此，第一電晶體對112可提供高阻抗，以使第一振盪單元142易於起振，並且使第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)持續振盪。
在本範例實施例中，第一電感模組132例如是以一電感器L1來實施，其耦接在第一電壓控制振盪單元110的第一端N1與第二端N2之間。第一電感模組132與第一可變電容單元114形成第一振盪單元142。具體而言，本實施例之第一可變電容單元114包括串聯耦接之可變電容C1、C2。第一可變電容單元114係響應於可調電壓來改變可變電容C1、C2的電容值，以調整第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)的頻率ω。在本範例實施例中，利用第一可變電容單元114可有效增加第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)的頻率ω的調整範圍。在此，可調電壓例如設定為系統電壓Vc。
另一方面，請繼續參考圖2。本實施例之第二電壓控制振盪單元120用以提供第二振盪訊號，其包括一組四相位輸出訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)。此四相位正交的振盪訊號具有相同的頻率ω/2，惟相位相差90度。
在本範例實施例中，第二電壓控制振盪單元120包括一第二電晶體對122、一第三電晶體對126、一第二可變電容單元124以及一第三可變電容單元128。類似於第一電晶體對112的架構，本實施例之第二電晶體對122及第三電晶體對126也是交互耦合的電晶體對，但本發明並不限於此。其中，第二電晶體對122包括一第三電晶體MP1與一第四電晶體MP2；第三電晶體對126包括一第五電晶體MP3與一第六電晶體MP4。在此例中，第三、第四、第五與第六電晶體MP1至MP4是採用PMOS電晶體來實施。在第二電晶體對122中，第三電晶體MP1的閘極耦接至第四電晶體MP2的汲極；第四電晶體MP2的閘極耦接至第三電晶體MP1的汲極；第三與第四電晶體MP1、MP2的源極分別耦接至系統電壓。類似地，在第三電晶體對126中，第五電晶體MP3的閘極耦接至第六電晶體MP4的汲極；第六電晶體MP4的閘極耦接至第五電晶體MP3的汲極；第五與第六電晶體MP3、MP4的源極分別耦接至系統電壓。在此，第二電晶體對122及第三電晶體對126除了可抵銷第二與第三振盪單元144、146的寄生等效電阻的損耗以外，也可提供高阻抗，以使第二與第三振盪單元144、146易於起振，並且使第二振盪訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)持續振盪。
在本範例實施例中，第二電感模組134與第三電感模組136例如各自是以一組並聯互消式的電感對來實施。以第二電感模組134為例，其包括電感器L2、L3，兩者並聯耦接在第二可變電容單元124與第一電壓控制振盪單元110的第一端N1之間，且互感係數k(coefficient of mutual induction)為負，屬互消式的電感對。類似地，第三電感模組136的電感器L4、L5也是屬於互消式的電感對，兩者並聯耦接在第三可變電容單元128與第一電壓控制振盪單元110的第二端N2之間。
此外，第二電感模組134與第二可變電容單元124形成第二振盪單元144。類似於第一可變電容單元114，本實施例之第二可變電容單元124包括可變電容C3、C4，兩者串聯耦接在第二電壓控制振盪單元120的一第一輸出端A與一第二輸出端B之間，並且其電容值係響應於可調電壓來調整振盪訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)的頻率ω/2。類似地，第三電感模組136與第三可變電容單元126形成第三振盪單元146。第三可變電容單元126包括可變電容C5、C6，兩者串聯耦接在第二電壓控制振盪單元120的一第三輸出端C與一第四輸出端D之間，，並且其電容值係響應於可調電壓來調整振盪訊號φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)的頻率ω/2。並且，在本範例實施例中，第二電壓控制振盪單元120作為一電荷注入式除法器，第二振盪訊號的頻率ω/2為第一振盪訊號的頻率ω的一半。因此，本揭露之電壓控制振盪器模組例如可整合至鎖相迴路的電路架構，以提供第一振盪訊號與頻率除2的第二振盪訊號。
在本範例實施例中，第一、第二及第三可變電容單元114、124、128的可調電壓均設定在系統電壓Vc，運用此種同步改變第一電壓控制振盪單元110以及作為除法器的第二電壓控制振盪單元120的操作頻率的方式，可改善一般利用注入鎖定的方式來做除法功能所造成的鎖定範圍較小的問題。
此外，在本範例實施例中，第一電感模組132例如是以一電感器L1來實施；第二電感模組134與第三電感模組136例如各自是以一組並聯耦接的電感對來實施，但本發明並不限於此。匹配電路130所包括的第一、第二及第三電感模組132、134、136的實施態樣可依實際設計需求或者電壓控制振盪器模組的設計結構進行調整，本發明並不加以限制。
總結來說，本揭露的第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)以及第二振盪訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)係分別由三組振盪單元142、144、146所產生，而這三組振盪單元142、144、146分別由三組交互耦合的電晶體差動對來分別產生負阻抗，進而使得三組振盪單元142、144、146起振。由於此三組振盪單元142、144、146互相牽引並且鎖住，而產生出第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)與第二振盪訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)的振盪頻率ω與ω/2。也就是說，。其中，第二電壓控制振盪單元120包括一組電荷注入式除法器(Injection locking Frequency Divider，ILFD)，係由二組交互耦合式的電晶體差動對所組成，進而產生四相位的輸出頻率ω/2。
在習知技術中，通常電壓控制振盪器和電荷注入式除法器的組合，是分別供應在不同的電源電流之下，而這二個區塊可以單獨地並行，並且給與最佳化的電流消耗。但如此還是需要個別的電源電流。為了有效的減少功率消耗，本揭露將作為除法器的可以第二電壓控制振盪單元120疊接在第一電壓控制振盪單元110之上，如圖2所示。此種設計架構可以讓消耗功率達到最小化，並且只要一路的電源電壓。不僅如此，第二電壓控制振盪單元120疊接在第一電壓控制振盪單元110之上，除了可以減少消耗功率之外，還可以減少寄生電容效應，使得可變頻率範圍可以增加。或者，在操作頻率不變的原則下，此種設計架構也可以加大電感或電晶體的驅動能力，使得輸出訊號增強，也可間接的改善相位雜訊。
圖3A及圖3B為本揭露以單晶片電路來驗證之振盪頻率的量測結果。請同時參照圖3A及圖3B，本揭露若以90奈米互補式金氧半導體製程技術實現單晶片電路來驗證，其量測結果顯示輸出的振盪頻率在42.2GHz至45.3GHz之間，如圖3A及圖3B所示，而此時電路本身所消耗功率僅為24毫瓦。
圖4繪示揭露一實施例之振盪訊號產生方法的步驟流程圖。請同時參照圖2及圖4，本實施例之振盪訊號產生方法例如適用在圖1或圖2所示的電壓控制振盪器模組，其包括如下步驟。首先，在步驟S400中，在第一電壓控制振盪單元110的一第一端N1與一第二端N2之間，耦接一第一電感模組132。接著，在步驟S410中，在第一電壓控制振盪單元110的第一端N1與第二電壓控制振盪單元120之間，耦接第二電感模組134。之後，在步驟S420中，在第一電壓控制振盪單元110的第二端N2與第二電壓控制振盪單元120之間，耦接第三電感模組136。繼之，在步驟S430中，設定可調電壓為系統電壓Vc來調整各可變電容單元的電容值，以使第一電壓控制振盪單元110產生第一振盪訊號φ0 (ω)、φ180 (ω)，並且使第二電壓控制振盪單元120產生第二振盪訊號φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)。第一與第二振盪訊號的頻率ω、ω/2係響應於各自對應的可變電容單元的電容值。並且，在本範例實施例中，第二電壓控制振盪單元120作為一電荷注入式除法器，第二振盪訊號的頻率ω/2為該第一振盪訊號的頻率ω的一半。此外，在本範例實施例中，步驟S400、410、420的實施並無次序性。也就是說，步驟S400、410、420可同時進行、分別進行或者依序進行。
另外，本揭露之實施例的振盪訊號產生方法可以由圖1至圖4實施例之敘述中獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。
綜上所述，本揭露之電壓控制振盪器模組，其內部的電壓控制振盪單元係疊接整合，使用一條電流路徑來達到電流再利用的目的以減少電路在操作時的電流消耗。除此之外，本揭露運用同步改變各電壓控制振盪單元的操作頻率的方式來增加可變頻率範圍。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．電壓控制振盪器模組
110．．．第一電壓控制振盪單元
112．．．第一電晶體對
114．．．第一可變電容單元
120．．．第二電壓控制振盪單元
122．．．第二電晶體對
124．．．第二可變電容單元
126．．．第三電晶體對
128．．．第三可變電容單元
130．．．匹配電路
132．．．第一電感模組
134．．．第二電感模組
136．．．第三電感模組
142．．．第一振盪單元
144．．．第二振盪單元
146．．．第三振盪單元
N1．．．第一電壓控制振盪單元的第一端
N2．．．第一電壓控制振盪單元的第二端
I．．．偏壓電流
φ0 (ω)、φ180 (ω)．．．第一振盪訊號
φ’0 (ω/2)、φ’180 (ω/2)、φ’90 (ω/2)、φ’270 (ω/2)．．．第二振盪訊號
MN1．．．第一電晶體
MN2．．．第二電晶體
MP1．．．第三電晶體
MP2．．．第四電晶體
MP3．．．第五電晶體
MP4．．．第六電晶體
L1、L2、L3、L4、L5．．．電感器
C1、C2、C3、C4、C5、C6．．．可變電容
k．．．互感係數
A．．．第一輸出端
B．．．第二輸出端
C．．．第三輸出端
D．．．第四輸出端
S400、S410、S420、S430．．．振盪訊號產生方法的步驟
圖1繪示本揭露一實施例的電壓控制振盪器模組的概要方塊圖。
圖2繪示圖1之實施例的電壓控制振盪器模組的概要電路圖。
圖3A及圖3B為本揭露以單晶片電路來驗證之振盪頻率的量測結果。
圖4繪示本揭露一實施例之振盪訊號產生方法的步驟流程圖。
110．．．第一電壓控制振盪單元
120．．．第二電壓控制振盪單元
130．．．匹配電路
132．．．第一電感模組
134．．．第二電感模組
136．．．第三電感模組
N1．．．第一電壓控制振盪單元的第一端
N2．．．第一電壓控制振盪單元的第二端
I．．．偏壓電流

Claims (25)

  1. 一種電壓控制振盪器模組，包括：一第一電壓控制振盪單元，具有一第一端及一第二端，用以產生一第一振盪訊號；一第二電壓控制振盪單元，耦接至該第一電壓控制振盪單元，用以產生一第二振盪訊號；以及一匹配電路，耦接在該第一及該第二電壓控制振盪單元之間，其中該匹配電路包括多個電感模組，分別耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二電壓控制振盪單元之間，在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二端之間，以及在該第一電壓控制振盪單元的該第二端與該第二電壓控制振盪單元之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電壓控制振盪器模組，其中該些電感模組包括：一第一電感模組，耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二端之間，其中該第一電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一；一第二電感模組，耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二電壓控制振盪單元之間，其中該第二電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一；以及一第三電感模組，耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第二端與該第二電壓控制振盪單元之間，其中該第三電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第一電壓控制振盪單元包括一第一電晶體對，其係一交互耦合電晶體對，包括一第一電晶體以及一第二電晶體，該第一與該第二電晶體的控制端分別耦接至該第二與該第一電晶體的第一端，該第一與該第二電晶體的第二端分別耦接至一接地電壓。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第一電壓控制振盪單元包括一第一可變電容單元，耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二端之間
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第一電感模組與該第一可變電容單元形成一第一振盪單元，該第一可變電容單元響應於一可調電壓來改變其電容值，以調整該第一振盪訊號的頻率。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第二電晶體對，其係一交互耦合電晶體對，包括一第三電晶體以及一第四電晶體，該第三與該第四電晶體的控制端分別耦接至該第四與該第三電晶體的第一端，該第三與該第四電晶體的第二端分別耦接至一系統電壓。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第二可變電容單元，耦接在該第二電壓控制振盪單元的一第一輸出端與一第二輸出端之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電感模組與該第二可變電容單元形成一第二振盪單元，該第二可變電容單元響應於一可調電壓來改變其電容值，以調整該第二振盪訊號的頻率。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第三電晶體對，其係一交互耦合電晶體對，包括一第五電晶體以及一第六電晶體，該第五與該第六電晶體的控制端分別耦接至該第六與該第五電晶體的第一端，該第五與該第六電晶體的第二端分別耦接至一系統電壓。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第三可變電容單元，耦接在該第二電壓控制振盪單元的一第三輸出端與一第四輸出端之間。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第三電感模組與該第三可變電容單元形成一第三振盪單元，該第三可變電容單元響應於一可調電壓來改變其電容值，以調整該第二振盪訊號的頻率。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第一振盪訊號包括一對彼此反相的差動輸出訊號。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二振盪訊號包括一組四相位輸出訊號。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之電壓控制振盪器模組，其中該第二電壓控制振盪單元作為一電荷注入式除法器，該第二振盪訊號的頻率為該第一振盪訊號的頻率的一半。
  15. 一種振盪訊號產生方法，適用於一電壓控制振盪器模組，包括一第一及一第二電壓控制振盪單元，其中各該電壓控制振盪單元包括一可變電容單元，該振盪訊號產生方法包括：在該第一電壓控制振盪單元的一第一端與一第二端之間，耦接一第一電感模組；在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二電壓控制振盪單元之間，耦接一第二電感模組；在該第一電壓控制振盪單元的該第二端與該第二電壓控制振盪單元之間，耦接一第三電感模組；以及設定至少一可調電壓來改變各該可變電容單元的電容值，以使該第一電壓控制振盪單元產生一第一振盪訊號，並且使該第二電壓控制振盪單元產生一第二振盪訊號，其中該第一與該第二振盪訊號的頻率係響應於各自對應的該可變電容單元的電容值。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第一電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一；該第二電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一；以及該第三電感模組包括一並聯耦接的電感對以及一電感器兩者其中之一。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第一電壓控制振盪單元包括一第一可變電容單元，耦接在該第一電壓控制振盪單元的該第一端與該第二端之間
  18. 如申請專利範圍第17項所述之振盪訊號產生方法，其中該第一電感模組與該第一可變電容單元形成一第一振盪單元，該第一可變電容單元係響應於該至少一可調電壓來改變其電容值，以調整該第一振盪訊號的頻率。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第二可變電容單元，耦接在該第二電壓控制振盪單元的一第一輸出端與一第二輸出端之間。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之振盪訊號產生方法，其中該第二電感模組與該第二可變電容單元形成一第二振盪單元，該第二可變電容單元係響應於該至少一可調電壓來改變其電容值，以調整該第二振盪訊號的頻率。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第二電壓控制振盪單元包括一第三可變電容單元，耦接在該第二電壓控制振盪單元的一第三輸出端與一第四輸出端之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之振盪訊號產生方法，其中該第三電感模組與該第三可變電容單元形成一第三振盪單元，該第三可變電容單元係響應於該至少一可調電壓來改變其電容值，以調整該第二振盪訊號的頻率。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第一振盪訊號包括一對彼此反相的差動輸出訊號。
  24. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第二振盪訊號包括一組四相位輸出訊號。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之振盪訊號產生方法，其中該第二電壓控制振盪單元作為一電荷注入式除法器，該第二振盪訊號的頻率為該第一振盪訊號的頻率的一半。
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