TWI456781B - 太陽能電池結構及其表面粗糙化方法 - Google Patents

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Chih Chiang Huang
Li Guo Wu
Cheng Yeh Yu
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Claims (16)

  1. 一種太陽能電池表面粗糙化的方法，包含有：提供一第一基底，具有至少一第一受光面；提供複數條彼此平行之線鋸，且該些線鋸係直接接觸該第一受光面；以及沿著該些線鋸之長軸方向移動該些線鋸，以於該第一受光面同時形成複數個第一凹槽，並同時形成複數個微結構於各該第一凹槽之表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在形成該些第一凹槽之後，另包含有：於該第一基底內形成一PN接面；以及於該第一基底之表面形成至少一指狀電極及一匯流電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些線鋸會持續壓抵住該第一受光面直至形成該些第一凹槽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在形成該些第一凹槽之後另包含有：進行一粗糙化製程，其中該粗糙化製程包含有濕式蝕刻、電漿蝕刻或熱處理。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中另包含提供一第二基 底，其中該第二基底之組成不同於該第一基底，且該方法另包含有：於提供該些線鋸時，該些線鋸會同時直接接觸該第二基底之一第二受光面；以及於移動該些線鋸時，會同時形成複數個第二凹槽於該第二基底之該第二受光面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些互相平行排列之線鋸係構成一線鋸列。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些線鋸係沿著各該長軸方向進行往復移動或單向移動。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在提供該些線鋸前，另包含有形成複數個研磨粒於該些線鋸之表面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中各該第一凹槽係具有相同之深度及寬度。
  10. 一種太陽能電池之結構，包含有：一基底，具有至少一受光面；以及複數個凹槽，位於該受光面，其中該些凹槽具有格狀(grid)排列佈局，且各該凹槽之表面具有複數個第一微結構，以構成一粗糙化結構。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該格狀排列係為一矩形(rectangular)格狀排列。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該格狀排列係為一菱形(diamond)格狀排列。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該格狀排列係為三角形(triangular)格狀排列。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中位於各該凹槽之間之該受光面具有複數個第二微結構。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中彼此平行之各該凹槽具有相同之深度及寬度。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之結構，其中該些彼此平行之兩相鄰凹槽間具有一間距，且各該間距彼此相同。
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