TWI441271B - 量測矽通孔結構之系統、方法與電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

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Description

量測矽通孔結構之系統、方法與電腦可讀取記錄媒體
本揭露係關於一種量測半導體結構之系統、方法與電腦可讀取記錄媒體，特別係關於一種量測矽通孔結構之系統、方法與電腦可讀取記錄媒體。
隨著消費者對於電子產品的尺寸要求輕薄短小之趨勢下，半導體製程技術也持續進步以符合消費者之需求。特而言之，一種新的3D堆疊技術則孕育而生。3D堆疊技術係利用貫穿矽通孔之技術(through silicon via，TSV)以將複數個晶片垂直堆疊以節省空間，進而達到縮小尺寸之目的。貫穿矽通孔技術為一種利用通孔結構達成連接該等垂直堆疊晶片之技術，並可取代引線焊接(wire bonding)之技術而節省引線焊接技術所需之繞線及額外之中介層。
由於上述優點，貫穿矽通孔技術對於高深寬比(aspect ratio)之小尺寸電子產品具有相當廣泛之應用。據此，針對根據貫穿矽通孔技術所形成之通孔結構進行量測亦成為重要的課題。一般而言，針對大孔徑之通孔結構而言，例如孔徑大於10微米之通孔結構，目前可利用雷射量測裝置進行量測。然而，現行針對高密度(例如通孔和空間比大於1之通孔結構)、高深寬比(例如深寬比大於10之通孔結構)或是小孔徑(例如孔徑小於10微米之通孔結構)之通孔結構之量測方法可利用雷射量測裝置或是紅外線干涉儀等裝置之量測方法，多半具有速度慢、每次只能量測單一通孔結構及無法針對具有薄氧化膜的晶片進行量測之缺點。換言之，目前仍較難以非破壞性並且同時多孔量測的方法量測高密度、高深寬比或是小孔徑之通孔結構，特別是通孔之深度。
然而，貫穿矽通孔技術仍然持續朝高密度及高深寬比之方向前進。根據2008年底修訂的國際半導體技術藍圖(international technology roadmap for semiconductor，ITRS)，在2010年量產之貫穿矽通孔之孔徑將達1.4微米，而深寬比需大於10。
據此，業界所需要的是一種針對矽通孔結構之量測系統和方法，其可得以非破壞式的方式多孔量測通孔結構之深度。
本揭露之量測矽通孔結構的系統和方法可透過傅立葉轉換收集之反射光譜而同時決定至少一通孔結構之深度，故可快速的獲得該些深度資訊，同時避免破壞所量測之矽通孔結構，而判斷具有高密度矽通孔結構的基板是否正常或失效。
本揭露揭示一種應用於量測覆蓋氧化物層的一基板之方法，該基板包含高密度矽通孔結構，該方法包含下列步驟：獲取至少一矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；以及根據計算結果決定該至少一矽通孔結構之深度。
本揭露另揭示一種非破壞性之具有高密度矽通孔結構的基板之檢測方法，包含下列步驟：獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；根據計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度；以及判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效。
本揭露另揭示一種量測矽通孔結構之系統，其包含一反射儀以及一運算單元。該反射儀發射一寬頻光束至該至少一矽通孔結構，並收集該至少一矽通孔結構之一反射光譜。該運算單元藉由電耦合於該反射儀，並根據該反射光譜進行換算，以決定該至少一矽通孔結構之深度。
本揭露另揭示一種電腦可讀取記錄媒體，用以儲存一應用程式，該應用程式使一測量矽通孔結構系統執行一檢測方法，該檢測方法包含下列步驟：獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；根據計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度；以及判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效。
上文已經概略地敍述本揭露之技術特徵，俾使下文之詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵將描述於下文。本發明所屬技術領域中具有通常知識者應可瞭解，下文揭示之概念與特定實施例可作為基礎而相當輕易地予以修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本發明所屬技術領域中具有通常知識者亦應可瞭解，這類等效的建構並無法脫離後附之申請專利範圍所提出之本揭露的精神和範圍。
本揭露在此所探討的方向為一種量測矽通孔結構之系統、方法及電腦可讀取記錄媒體。為了能徹底地瞭解，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及組成。顯然地，本揭露的施行並未限定於本發明技術領域之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面，眾所周知的組成或步驟並未描述於細節中，以避免造成本揭露不必要之限制。本揭露的一些實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本揭露還可以廣泛地施行在其他的實施例中，且本發明的範圍不受限定，其以之後的申請專利範圍為準。
在下文中本揭露的實施例係配合所附圖式以闡述細節。說明書所提及的「實施例」、「變化實施例」、「其他實施例」等等，意指包含在本揭露之該實施例所述有關之特殊特性、構造、或特徵。說明書中各處出現之「其他實施例」的片語，並不必然全部指相同的實施例。於說明書中所運用諸如「辨識」、「分離」、「計算」、「決定」、「收集」、「判斷」、「換算」、「轉換」、「判定」或類似者的術語係指電腦或電腦系統、或類似的電子計算裝置之動作或處理，上述電腦、電腦系統或電子計算裝置操縱或變換電腦系統的暫存器或是記憶體內之物理(諸如：電子)量的資料而成為類似表示為於電腦系統記憶體、暫存器或其他該種資訊儲存器、傳輸或顯示裝置內的物理量之其他資料。
以下所述之根據本揭露之實施例之針對量測矽通孔結構之系統、方法及電腦可讀取記錄媒體皆係應用薄膜理論以進行矽通孔結構之測量。特而言之，根據本揭露之實施例之針對量測矽通孔結構之系統、方法及電腦可讀取記錄媒體皆係利用反射儀照射矽通孔結構以收集矽通孔結構之反射光譜。另一方面，根據本揭露之其他實施例之針對通孔結構之測量系統和方法係根據費涅公式(Fresnel equation)模擬通孔結構之反射光譜，並透過比對所收集之反射光譜和模擬之反射光譜決定通孔結構之尺寸。此外，根據本揭露之實施例之針對通孔結構之測量系統和方法係利用一橢圓球體模型模擬通孔結構之底部形狀，並據此模擬通孔結構之反射光譜以透過比對所收集之反射光譜和模擬之反射光譜決定通孔結構之底部形狀。
圖1顯示本揭露之一實施例之量測矽通孔結構之系統100之示意圖。如圖1所示，該系統100包含一反射儀110、和一運算單元120。該反射儀110發射一寬頻光束至該至少一矽通孔結構150，並收集該至少一矽通孔結構150之一反射光譜。如圖2所示之反射儀110包含寬頻光源泵浦111、分光鏡112、凸透鏡113、反射鏡114、光柵115及光感測器116。寬頻光源泵浦111發射該寬頻光束至該分光鏡112，該分光鏡112導引該寬頻光束通過凸透鏡113而聚焦至該至少一矽通孔結構150，該寬頻光束會經由矽通孔結構150的底部反射而成為一寬頻反射光束。該寬頻反射光束依序通過凸透鏡113及分光鏡112而導引至反射鏡114，反射鏡114將反射該寬頻反射光束至光柵115而使寬頻反射光束分光而產生一反射光譜。光感測器116相對於該光柵115設置，因此光感測器116可收集由光柵115分光而產生的該反射光譜。
在此實施例中，光感測器116係選自一電荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)及一互補金屬氧化半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)感測元件。此外，在此實施例中，雖然寬頻光束只偵測單一矽通孔結構150，然而在其他實施例(圖未示)中，寬頻光束亦可同時並準直地照射至該至少兩矽通孔結構150，而同時產生至少兩矽通孔結構150的反射光譜，以供進而辨識該至少兩矽通孔結構150的深度差異。在其他實施例(圖未示)中，反射儀110可為市面上所販售之反射儀，例如Nanometrics或是Nova所提供之反射儀。
如圖1之實施例所示，該運算單元120電耦合於該反射儀110，並根據該反射光譜進行換算，以決定該至少一矽通孔結構150之深度。具體而言，該運算單元120係一電腦裝置，該運算單元120將該反射光譜進行離散傅立葉轉換而決定該至少一矽通孔結構150之深度。此外，該運算單元120可同時獲得該至少兩矽通孔結構之深度並判斷該些矽通孔結構150之深度差值是否大於一預設失效判定值。若兩矽通孔結構150之深度差異大於該預設失效判定值時，則具有該兩矽通孔結構150之基板可判斷為失效，或不良品。在其他實施例(圖未示)中，該運算單元120可另包含模擬模組(圖未示)及比對模組(圖未示)，模擬模組係設定以提供該通孔結構150之模擬之反射光譜，其中該模擬模組可為一資料庫，其包含複數個根據矽通孔結構150之不同深度和底部形狀所模擬之反射光譜。該比對模組係設定以比對該反射儀110所收集之反射光譜和該模擬模組所模擬之反射光譜以決定該矽通孔結構150之深度和底部形狀。如圖1所示，該系統100係利用分析反射光譜之方式量測該矽通孔結構150之尺寸，故該系統100可避免習知技術採用破壞式量測方法所帶來的缺點。
圖3顯示本揭露之一實施例之應用於量測覆蓋氧化物層200(示於圖2)的一基板300(示於圖2)的方法流程圖，而該基板300包含高密度矽通孔結構150(示於圖2)。此方法包含下列步驟：步驟302，獲取至少一矽通孔結構之一反射光譜，並進入步驟304。在步驟304，針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算，並進入步驟306。在步驟306，根據頻率資料之計算結果決定該至少一矽通孔結構之深度。在其他實施例(圖未示)中，亦可根據反射光譜所包含之振幅資料的計算結果決定該矽通孔結構之底部形狀。在此實施例中，該反射光譜包含一高頻成分和一低頻成分，該低頻成分係作為該高頻成分之載波，而該計算步驟304具體而言係根據該反射光譜之該高頻成分進行計算，而該決定步驟306則係根據該高頻成分之計算結果決定該矽通孔結構之深度。若計算步驟304係根據該反射光譜之該低頻成分進行計算的話，則該決定步驟306則係根據該低頻成分之計算結果決定該氧化物層之厚度。在上述實施例中，計算步驟304可分離或混合該高頻成分與該低頻成分，若分離該高頻成分與該低頻成分時，則根據該高頻成分與該低頻成分而分別進行計算。再者，該計算步驟304亦可將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟306亦可根據離散傅立葉轉換後之結果決定該至少一矽通孔結構之深度。雖然上述實施例著重於利用反射儀照射單一矽通孔結構並收集而得該反射光譜，然而在其他實施例(圖未示)，反射光譜亦可由該反射儀同時照射複數個矽通孔結構以收集而得，而該決定步驟306可同時決定該等矽通孔結構之深度。
圖4顯示覆蓋一氧化物層200'的基板300'，該基板300'包含小孔徑和高深寬比的矽通孔結構150'。應用圖1之系統100及圖2之方法於圖4之矽通孔結構150'。將該反射儀110以垂直入射之角度照射該矽通孔結構150'以獲取該矽通孔結構150'之反射光譜。如圖4所示，該反射儀110所收集之反射光束包含照射於該基板300'之矽表面之光束並反射回該反射儀110之反射光束401、照射於該矽通孔結構150'之底部並反射回該反射儀110之反射光束402，以及照射於該基板300'之矽表面並於氧化物層200'中反射一次後之反射光束403。若該些反射光束之相位差為光波長之整數倍，則該等反射光束401、402、403會造成建設性干涉而增加反射光之強度。一般而言，反射光譜具有一低頻成分和一高頻成分，其中該低頻成分係作為該高頻成分之載波。該低頻成分係對應至該氧化物層之厚度，而該高頻成分係對應至該矽通孔結構150'之深度。可進一步將該低頻成分和高頻成分分離。反射儀110所得到的反射光譜之高頻成分則如圖5所示，根據費涅公式，該等反射光束具有一180度之相位位移，且該照射於氧化物層表面之光束並反射回該反射儀110之光束需乘上反射值，其中n 0 為空氣之介質，而n ox 為氧化物層200'之介質，而可換算出反射值為1.46及其等效光程差，在此實施例中，氧化物層200'的厚度為0.6微米而其等效光程差則約為0.9微米(0.6x1.46)。利用離散傅立葉方程式轉換圖5所示的反射光譜則可獲得如圖6所示之反射度/深度相關圖，由圖6可知共有三個峰值，分別為50微米、49.1微米(50-0.9)與48.2微米(50-0.9*2)，由上述等效光程差則約為0.9微米以及圖6所示的三個峰值，可知50微米為矽通孔結構150'之底部深度、而49.1微米表示矽通孔結構150'之底部深度減去反射光束401在氧化物層200'之等效光程差，此外48.2微米代表矽通孔結構150'之底部深度減去氧化物層200'之兩次等效光程差。因而決定該矽通孔結構150'的深度分別如圖6所示的50微米。再者，由於基板300'表面非常平滑，因此反射光束401的反射度強度最強，以致於矽通孔結構150'之底部深度減去一次等效光程差的峰值最強，此特徵也適用於決定該矽通孔結構150'的深度。
此外在其他實施例(圖未示)中，根據費涅公式，該等反射光束具有一180度之相位位移，且需乘上反射值，其中n 0 為空氣之介質，而n 為矽之介質。因此，不同之矽通孔深度會產生不同之反射光譜。該模擬模組即可根據費涅公式以不同之深度模擬出不同之反射光譜。而比對模組即可比較該反射儀110(如圖1所示)所收集之反射光譜和該模擬模組所模擬之反射光譜以選擇誤差最小之模擬反射光譜，並根據所選擇之模擬反射光譜所設定的參數，而決定該矽通孔結構150(如圖1所示)之深度。
另一方面，根據本揭露之其他實施例(圖未示)，亦可藉由反向傅立葉轉換(inverse Fourier transform)矽通孔結構之反射光譜以獲得該矽通孔結構之深度。
圖7顯示本揭露之一實施例之非破壞性之具有高密度矽通孔結構150"(示於圖8)的基板300"(示於圖8)之檢測方法流程圖。此檢測方法包含下列步驟：步驟702，獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜，並進入步驟704。在步驟704，針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算，並進入步驟706。在步驟706，根據頻率資料之計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度，並進入步驟708。在步驟708，判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效。在上述實施例中，反射光譜包含一高頻成分及一低頻成分，計算步驟704可分離或混合該高頻成分與該低頻成分，若分離該高頻成分與該低頻成分時，則根據該高頻成分與該低頻成分而分別進行計算。再者，該計算步驟704亦可將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟706亦可根據離散傅立葉轉換後之結果決定該至少兩矽通孔結構之深度。反射光譜亦可由該反射儀同時照射複數個矽通孔結構收集而得，而該決定步驟706可同時決定該等矽通孔結構之深度，以供判定該基板是否為失效或不良品。
圖8顯示另一具有小孔徑和高深寬比的高密度矽通孔結構150"的基板300"。類似的，應用圖1之系統100及圖7之方法於圖8之矽通孔結構150"。將該反射儀110以垂直入射之角度照射該複數個矽通孔結構150"以獲取該些矽通孔結構150"之反射光譜。如圖8所示，該反射儀110所收集之反射光束包含照射於該基板300"表面並反射回該反射儀110(如圖2所示)之反射光束801，以及照射於該些矽通孔結構150"之底部並反射回該反射儀110之反射光束802。若該等反射光束801、802之相位差為光波長之整數倍，則該等反射光束801、802會造成建設性干涉而增加反射光之強度。
圖9顯示根據圖8之該些矽通孔結構150"所獲得之反射光譜。利用離散傅立葉方程式轉換圖9所示的反射光譜則可獲得如圖10所示之反射度/深度相關圖，由圖10可知共有兩個峰值，分別為50微米及51微米。由於如圖8所示之實施例中，基板300"並無氧化物層的存在，因此不須考慮等效光程差的因素。此實施例中，圖10所示之兩個峰值分別代表圖8所示兩個矽通孔結構150"的深度。是故，反射光譜係由該反射儀110(如圖2所示)同時照射複數個矽通孔結構150"以收集而得，而可同時決定該等矽通孔結構150"之深度。
如圖11所示本揭露之另一具有高密度矽通孔結構150'''的基板(圖未示)的俯視圖，基板上設置氧化物層200'''。而反射儀的寬頻光束的光點400涵蓋了至少五個矽通孔結構150'''，因此本揭露可同時針對複數個矽通孔結構150'''進行深度的量測。量測所得的反射光譜如圖12所示，該反射光譜具有一低頻成分和一高頻成分，其中該低頻成分係作為該高頻成分之載波。該低頻成分係對應至該氧化物層200'''之厚度，而該高頻成分係對應至該些矽通孔結構150'''之深度。該低頻成分和高頻成分可選擇分離或不分離而進行後續處理。若分離處理時，圖13顯示圖12之反射光譜之低頻成分α，而圖14顯示圖12之反射光譜之高頻成分。如圖13所示，上述模擬模組(圖未示)即可分別針對不同之氧化物層厚度模擬出不同之模擬反射光譜β。該比對模組(圖未示)即可比較該反射儀110所收集之反射光譜和該模擬模組所模擬之反射光譜以選擇誤差最小之模擬之反射光譜，並根據該所選擇之模擬反射光譜所設定的參數決定該氧化物層200'''之厚度。在此實施例中，氧化物層200'''之厚度為0.596微米，因此其等效光程差為0.87微米(0.596x1.46(反射值))。反射光譜之高頻成分(如圖14所示)經離散傅立葉轉換後可得如圖15所示之反射度/深度相關圖。圖15中顯示複數的波峰，波峰A與B的相對應深度相差0.87微米，此外波峰C與D、波峰E與F、波峰G與H及波峰I與J之深度差值亦為0.87微米，是故可推算而決定出五個矽通孔結構150'''之底部深度為38.55微米、38微米、36.7微米、36.27微米及39.86微米。若預設失效判定值定為1微米時，上述實施例之矽通孔結構150'''的深度差異則大於該預設失效判定值，因此不需利用破壞性的電子顯微鏡，本揭露即可快速並即時地判定上述基板為不良品。
本揭露另提供一種電腦可讀取記錄媒體(圖未示)，用以儲存一應用程式(圖未示)，該應用程式使一測量矽通孔結構系統100(如圖1所示)執行一檢測方法(如圖7所示)，該檢測方法包含下列步驟：步驟702，獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜，並進入步驟704。在步驟704，針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算，並進入步驟706。在步驟706，根據頻率資料之計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度，並進入步驟708。在步驟708，判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效。在上述實施例中，反射光譜包含一高頻成分及一低頻成分，計算步驟704可混合該高頻成分與該低頻成分。再者，該計算步驟704亦可將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟706亦可根據離散傅立葉轉換後之結果決定該些矽通孔結構之深度。反射光譜亦可由該反射儀同時照射複數個矽通孔結構收集而得，而該決定步驟706可同時決定該等矽通孔結構之深度，以供判定該基板是否為失效或不良品。
綜上所述，本揭露所提供之量測矽通孔結構之系統、方法及電腦可讀取記錄媒體可快速得以非破壞式的方式量測矽通孔結構之深度，故相較於習知技術更適合於矽通孔結構之量測。
本揭露之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本揭露之教示及揭示而作種種不背離本揭露精神之替換及修飾。因此，發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本揭露之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
100．．．系統
110．．．反射儀
111．．．寬頻光源泵浦
112．．．分光鏡
113．．．凸透鏡
114．．．反射鏡
115．．．光柵
116．．．光感測器
120．．．運算單元
150,150'．．．矽通孔結構
150",
150'''
200,200'．．．氧化物層
200'''
300,300'．．．基板
300"
302~306．．．步驟
400．．．光點
401．．．反射光束
402．．．反射光束
403．．．反射光束
702~708．．．步驟
801．．．反射光束
802．．．反射光束
α．．．低頻成分
β．．．模擬反射光譜
A~J．．．波峰
圖1顯示根據本揭露之一實施例之量測矽通孔結構之系統之示意圖；
圖2顯示根據本揭露之一實施例之反射儀之架構示意圖；
圖3顯示本揭露之一實施例之應用於量測覆蓋氧化物層的基板之方法流程圖；
圖4顯示本揭露之一實施例之小孔徑和高深寬比並具有氧化物層塗布的矽通孔結構；
圖5顯示圖4之反射光譜的高頻成分；
圖6顯示根據圖4之反射光譜進行離散傅立葉轉換所獲得之圖形；
圖7顯示本揭露之一實施例之非破壞性之具有高密度矽通孔結構的基板之檢測方法流程圖；
圖8顯示本揭露之一實施例之小孔徑和高深寬比的高密度矽通孔結構；
圖9顯示圖8之反射光譜；
圖10顯示根據圖8之反射光譜進行離散傅立葉轉換所獲得之圖形；
圖11顯示本揭露之另一具有高密度矽通孔結構的基板的俯視圖；
圖12顯示圖11之反射光譜；
圖13顯示圖12之反射光譜的低頻成分；
圖14顯示圖12之反射光譜的高頻成分；以及
圖15顯示根據圖14之反射光譜的高頻成分進行離散傅立葉轉換所獲得之圖形。
302~306．．．步驟

Claims (17)

  1. 一種量測矽通孔結構之方法，包含下列步驟：獲取至少一矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；以及根據計算結果決定該至少一矽通孔結構之深度； 其中該反射光譜包含一高頻成分和一低頻成分，該低頻成分係作為該高頻成分之載波，而該計算步驟進一步包含根據該反射光譜之該高頻成分進行計算，而該決定步驟則包含根據該高頻成分之計算結果決定該至少一矽通孔結構之深度。
  2. 根據請求項1所述之方法，其中該計算步驟進一步包含根據該反射光譜之該低頻成分進行計算，而該決定步驟進一步包含根據該低頻成分之計算結果決定一氧化物層之厚度。
  3. 根據請求項1所述之方法，其中該計算步驟係進一步包含分離該高頻成分與該低頻成分，以根據該高頻成分與該低頻成分而分別進行計算。
  4. 根據請求項1所述之方法，其中該計算步驟進一步包含將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟進一步包含根據離散傅立葉轉換後之結果決定該至少一矽通孔結構之深度。
  5. 根據請求項1所述之方法，其中該反射光譜係利用一反射儀照射該至少一矽通孔結構並收集而得。
  6. 根據請求項5所述之方法，其中該反射光譜係由該反射儀 同時照射複數個矽通孔結構以收集而得，而該決定步驟可同時決定該等矽通孔結構之深度。
  7. 一種量測矽通孔結構之方法，包含下列步驟：獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；根據計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度；以及判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效；其中該反射光譜包含一高頻成分和一低頻成分，該低頻成分係作為該高頻成分之載波，而該計算步驟進一步包含根據該反射光譜之該高頻成分進行計算，而該決定步驟則包含根據該高頻成分之計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度。
  8. 根據請求項7所述之方法，其中該計算步驟係進一步包含分離該高頻成分與該低頻成分，以分別根據該高頻成分與該低頻成分而分別進行計算。
  9. 根據請求項7所述之方法，其中該計算步驟進一步包含將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟進一步包含根據離散傅立葉轉換後之結果決定該至少兩矽通孔結構之深度。
  10. 根據請求項7所述之方法，其中該反射光譜係利用一反射儀照射該些矽通孔結構並收集而得。
  11. 根據請求項10所述之方法，其中該反射光譜係由該反射儀同時照射複數個矽通孔結構以收集而得，而該決定步驟可 同時決定該等矽通孔結構之深度。
  12. 一種電腦可讀取記錄媒體，用以儲存一應用程式，該應用程式使一測量矽通孔結構系統執行一檢測方法，該檢測方法包含下列步驟：獲取至少兩矽通孔結構之一反射光譜；針對該反射光譜所包含之頻率資料進行計算；根據計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度；以及判斷該至少兩矽通孔結構之深度差值大於一預設失效判定值時，則該基板判定為失效；其中該反射光譜包含一高頻成分和一低頻成分，該低頻成分係作為該高頻成分之載波，而該計算步驟進一步包含根據該反射光譜之該高頻成分進行計算，而該決定步驟則包含根據該高頻成分之計算結果決定該至少兩矽通孔結構之深度。
  13. 根據請求項12所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該計算步驟進一步包含根據該反射光譜之該低頻成分進行計算，而該決定步驟進一步包含根據該低頻成分之計算結果決定一氧化物層之厚度。
  14. 根據請求項12所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該計算步驟係進一步包含分離該高頻成分與該低頻成分，以分別根據該高頻成分與該低頻成分而分別進行計算。
  15. 根據請求項12所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該計算步驟進一步包含將該反射光譜進行離散傅立葉轉換，而該決定步驟進一步包含根據離散傅立葉轉換後之結果決定該 至少兩矽通孔結構之深度。
  16. 根據請求項12所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該反射光譜係利用一反射儀照射該至少兩矽通孔結構並收集而得。
  17. 根據請求項16所述之電腦可讀取記錄媒體，其中該反射光譜係由該反射儀同時照射複數個矽通孔結構以收集而得，而該決定步驟可同時決定該等矽通孔結構之深度。
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