TWI433607B - 發光二極體模組 - Google Patents

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Chi Lin Chen
Ling Li
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Chunghwa Picture Tubes Ltd
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發光二極體模組
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種發光二極體模組。
由於發光二極體(light emitting diode,LED)的低功率消耗以及高亮度的實現，使其在多個方面的都被有效的應用，例如照明用燈、電子公佈欄以及紅綠燈。而另外光二極體在美國國家電視標準委員會(National Television Standard Committee,NTSC)所制定的色域中，有著很優良的色域表現，因此也已逐漸取代之前用來作為顯示器面板背光模組的冷陰極管(cold cathode fluorescent lamps,CCFLs)。
然而，現今以發光二極體在作為顯示器面板背光模組時，卻面臨了兩個最嚴重的問題。其中之一是如何使得背光模組中的多條發光二極體串能夠表現出均勻的亮度，使顯示器面板可以有更佳的顯示效果。由於發光二極體串的亮度是依據流經該發光二極體串的電流來控制的，若是單純的利用一個固定電壓來驅動不同的發光二極體串，會因為每一個發光二極體串的特性有所差異，而導致整體亮度上的不均勻。
為了解決上述的問題，多種不同的習知技術被提出。其中的一種是利用多組的電壓轉電流的轉換器，來針對多 條的發光二極體串來調整亮度。這種方法因為可以單獨針對每一條發光二極體串各別調整，因此可以有效消除各發光二極體串間的特性差別。但是此種習知的技術需要很多的電壓轉電流的轉換器，並不是一種經濟的方法。另外，還有利用分時多工的方式，來針對不同的發光二極體串調整亮度以期達到亮度的均衡。而這種分時多工的習知技術，則需要一個較高頻率的時脈，以及依據這個時脈產生的多個切換訊號來切換多個開關。
本發明提供一種發光二極體模組，其消耗功率可大幅降低。
本發明提出一種發光二極體模組，其具有接收一操作電壓的多數個發光二極體串(Light Emission Diode string,LED string)，其中發光二極體模組包括多數個驅動電流源、一驅動電路以及一比較及判斷電路。驅動電流源分別串接於發光二極體串。驅動電路包括一穩定電壓產生器以及一電壓偵測調整器。穩定電壓產生器依據一驅動電流以提供一偏壓電壓至驅動電流源，並用以控制驅動電流源所產生的電流的大小。電壓偵測調整器依據驅動電流產生一低臨界電壓。比較及判斷電路耦接於驅動電流源以及電壓偵測調整器之間。比較及判斷電路接收發光二極體串與驅動電流源耦接的端點的多數個端點電壓以及低臨界電壓，並依據比較端點電壓以及低臨界電壓來調整操作電壓。
依據本發明之一實施例，穩定電壓產生器包括一電流源、一電阻以及一電壓源。電流源依據驅動電流產生一電流，而電阻的一端耦接電流源並產生偏壓電壓，且電壓源耦接電阻的另一端。在一實施例中，電流源包括一第一電晶體。第一電晶體的閘極耦接一第一控制電壓，且其第一源/汲極耦接一系統電壓。在一實施例中，電流源更包括一第二電晶體。第二電晶體的閘極耦接一第二控制電壓，而其第一源/汲極耦接第一電晶體的第二源/汲極，且其第二源/汲極耦接電阻。在一實施例中，發光二極體模組更包括一驅動電流產生器，其中驅動電流產生器，包括一參考電流源、一第三電晶體、一第四電晶體、一第一運算放大器、一第五電晶體以及一第六電晶體。參考電流源提供一參考電流。第三電晶體的第一源/汲極耦接系統電壓，而其第二源/汲極耦接參考電流源並接收參考電流，且其閘極與其第二源/汲極彼此耦接。第四電晶體的第一源/汲極耦接系統電壓，且其閘極以及第三電晶體的閘極相耦接並接收第一控制電壓。第一運算放大器的第一輸入端耦接至第三電晶體的第二源/汲極，且其第二輸入端耦接至第四電晶體的第二源/汲極。第五電晶體的閘極與第一運算放大器的輸出端以及第二電晶體的閘極相耦接並接收第二控制電壓，而其第一源/汲極耦接第一運算放大器的第二輸入端，且其第二源/汲極產生驅動電流。第六電晶體的閘極與其第一源/汲極耦接第五電晶體的第二源/汲極，且其第二源/汲極耦接一基準電壓。在一實施例，參考電流源包括一第七電晶體、 一另一運算放大器以及一另一電阻。第七電晶體的第一源/汲極產生參考電流。另一運算放大器的輸出端耦接第七電晶體的閘極，而其第一輸入端耦接一參考電壓，且其第二輸入端耦接第七電晶體的第二源/汲極。另一電阻的一端耦接第七電晶體的第二源/汲極，且其另一端耦接基準電壓。在另一實施例，每一驅動電流源包括第八電晶體、第九電晶體以及第二運算放大器。第八電晶體的第一源/汲極耦接對應的發光二極體串。第九電晶體的第一源/汲極耦接第八電晶體的第二源/汲極，而其閘極耦接第六電晶體的閘極，且其第二源/汲極耦接基準電壓。第二運算放大器的輸出端耦接第八電晶體的閘極，而其第一輸入端接收偏壓電壓，且其第二輸入端耦接第八電晶體的第二源/汲極以及第九電晶體的第一源/汲極。
依據本發明之一實施例，比較及判斷電路包括多個比較單元以及一判斷單元，其中判斷單元耦接比較單元。比較單元分別比較端點電壓以及低臨界電壓，並產生多數個比較結果。判斷單元接收比較結果，並依據比較結果來產生一電壓調整信號。在一實施例中，發光二極體模組更包括一電源轉換器。電源轉換器耦接驅動電路、驅動電流源以及發光二極體串，用以依據電壓調整信號來產生操作電壓。在另一實施例中，比較結果為其中一個端點電壓小於低臨界電壓時，則可透過電壓調整信號來提高操作電壓。
依據本發明之一實施例，電壓偵測調整器包括一第一電流源、一第一電阻、一電壓源以及一第二電阻。第一電 流源依據驅動電流產生一電流。第一電阻的一端耦接第一電流源並產生低臨界電壓。電壓源耦接第一電阻的另一端。第二電阻的一端耦接低臨界電壓，且其另一端耦接一第二電流源並產生一高臨界電壓。在一實施例中，第一電流源包括一第一電晶體。第一電晶體的閘極耦接一第一控制電壓，且其第一源/汲極耦接一系統電壓。在一實施例中，第一電流源更包括一第二電晶體。第二電晶體的閘極耦接一第二控制電壓，而其第一源/汲極耦接第一電晶體的第二源/汲極，且其第二源/汲極耦接第一電阻以及第二電阻。在一實施例中，發光二極體模組更包括一驅動電流產生器，其中驅動電流產生器包括一參考電流源、一第三電晶體、一第四電晶體、一第一運算放大器、一第五電晶體以及一第六電晶體。參考電流源提供一參考電流。第三電晶體的第一源/汲極耦接系統電壓，其第二源/汲極耦接參考電流源並接收參考電流，且其閘極與其第二源/汲極彼此耦接。第四電晶體的第一源/汲極耦接系統電壓，且其閘極以及第三電晶體的閘極相耦接並接收第一控制電壓。第一運算放大器的第一輸入端耦接至第三電晶體的第二源/汲極，且其第二輸入端耦接至第四電晶體的第二源/汲極。第五電晶體的閘極與第一運算放大器的輸出端以及第二電晶體的閘極相耦接並接收第二控制電壓，而其第一源/汲極耦接第一運算放大器的第二輸入端，且其第二源/汲極產生驅動電流。第六電晶體的閘極與其第一源/汲極耦接第五電晶體的第二源/汲極，且其第二源/汲極耦接一基準電壓。在 一實施例中，參考電流源包括一第七電晶體、一另一運算放大器以及一另一電阻。在一實施例中，第七電晶體的第一源/汲極產生參考電流。另一運算放大器的輸出端耦接第七電晶體的閘極，而其第一輸入端耦接一參考電壓，且其第二輸入端耦接第七電晶體的第二源/汲極。另一電阻的一端耦接第七電晶體的第二源/汲極，且其另一端耦接基準電壓。在另一實施例中，每一驅動電流源包括一第八電晶體、一第九電晶體以及一第二運算放大器。第八電晶體的第一源/汲極耦接對應的發光二極體串。第九電晶體的第一源/汲極耦接第八電晶體的第二源/汲極，其閘極耦接第六電晶體的閘極，其第二源/汲極耦接基準電壓。第二運算放大器其輸出端耦接第八電晶體的閘極，其第一輸入端接收偏壓電壓，其第二輸入端耦接第八電晶體的第二源/汲極以及該第九電晶體的第一源/汲極。
依據本發明之一實施例，電壓源例如為一電壓隨耦器。
基於上述，本發明透過發光二極體模組中所設置的穩定電壓產生器以及電壓偵測調整器，可使流經發光二極體串的電流可更為精準，並減少發光二極體模組的整體消耗功率。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1繪示本發明之一實施例之發光二極體模組的等效電路圖。請參照圖1，本實施例之發光二極體模組200具有多數個發光二極體串210(Light Emission Diode string,LED string)，其中每一發光二極體串210接收一操作電壓VO以進行發光。
在本實施例中，發光二極體模組200包括多數個驅動電流源220、一驅動電路230以及一比較及判斷電路240，其中驅動電路230包括一穩定電壓產生器230a以及一電壓偵測調整器230b。驅動電流源220分別串接於發光二極體串210，而比較及判斷電路240耦接於驅動電流源220以及電壓偵測調整器230b之間。
實務上，發光二極體模組200中可設置用以產生操作電壓VO的一電源轉換器250，其中電源轉換器250耦接驅動電路230、驅動電流源220以及發光二極體串210。以下將利用圖2所繪示的等效電路圖來進一步說明本實施例，其中圖2為根據圖1中之發光二極體串、驅動電流源以及驅動電路所繪示的等效電路圖。
請參照圖2，在本實施例中，每一驅動電流源220包括一電晶體220T1、一電晶體220T2以及一運算放大器220OP。電晶體220T1的第一源/汲極耦接發光二極體串210，而電晶體220T1的第二源/汲極耦接電晶體220T2的第一源/汲極，且電晶體220T2的第二源/汲極耦接至一基準電壓V2。運算放大器220OP的輸出端耦接電晶體220T1的閘極，其第一輸入端接收一偏壓電壓VD，其第二輸入端 耦接電晶體220T1的第二源/汲極以及電晶體220T2的第一源/汲極。
在本實施例中，穩定電壓產生器230a包括一電流源230CS、一電阻230R以及一電壓源230VSa，其中電壓源230VSa為一電壓隨耦器(Voltage follower)。詳言之，電阻230R的兩端分別耦接電流源230CS以及電壓源230VSa，而電流源230CS包括一電晶體230Ta1以及一電晶體230Ta2。電晶體230Ta1的閘極以及第一源/汲極分別耦接至一控制電壓VC1以及一系統電壓V1，而電晶體230Ta1的第二源/汲極耦接電晶體230Ta2的第一源/汲極，且電晶體230Ta2的第二源/汲極以及閘極分別耦接至電阻230R以及一控制電壓VC2。
承上述，本實施例之穩定電壓產生器230a會依據一驅動電流IREF2來提供偏壓電壓VD至驅動電流源220，以控制驅動電流源220所產生的電流ILED的大小。更進一步地說，本實施例之穩定電壓產生器230a可動態地調整偏壓電壓VD，以使驅動電流源220便可獲得適當的跨壓VDS。舉例來說，當電流ILED為10、20或30毫安培(milliampere，簡稱mA)時，穩定電壓產生器230a可對應地將偏壓電壓VD調整為0.3、0.4或0.5伏特(Volt，簡稱V)，其中本實施例是透過調整電阻230R的電阻值來決定偏壓電壓VD的電壓值。
在一較佳實施例中，穩定電壓產生器230a可提供最低的偏壓電壓VD，以使驅動電流源220具有最低的跨壓 VDS，進而使驅動電流源220所產生的功率損耗降至最低。
另一方面，本實施例之電壓偵測調整器230b會依據驅動電流IREF2來產生一低臨界電壓VTL。而本實施例之比較及判斷電路240(繪示於圖1)則可在接收發光二極體串210與驅動電流源220耦接的端點的多數個端點電壓VN1、...、VNn以及低臨界電壓VTL之後，再透過比較端點電壓VN1、...、VNn以及低臨界電壓VTL來調整操作電壓VO。接下來，進一步說明電壓偵測調整器230b以及比較及判斷電路240。
在本實施例中，電壓偵測調整器230b包括一電流源230CS1、一電阻230R1、230R2以及一電壓源230VSb。詳言之，電流源230CS1包括一電晶體230Tb1與230Tb2。電晶體230Tb1的閘極耦接控制電壓VC1，而其第一源/汲極耦接系統電壓V1。電晶體230Tb2的閘極耦接控制電壓VC2，而其第一源/汲極耦接電晶體230Tb1的第二源/汲極，且其第二源/汲極耦接電阻230R1、230R2。此外，電阻230R1的其中一端耦接至電流源230CS1並產生低臨界電壓VTL，而其另一端耦接至電壓源230VSb。
請同時參照圖1以及圖2，本實施例之比較及判斷電路240包括多個比較單元240a以及一判斷單元240b，其中判斷單元240b耦接比較單元240a。發光二極體串210與驅動電流源220相耦接的多數個端點分別具有端點電壓VN1、...VNn，而比較單元240a可分別比較這些端點電壓VN1、...VNn以及低臨界電壓VTL，並進一步產生多數個比 較結果。接著，判斷單元240b在接收這些比較結果之後，便可依據這些比較結果來產生一電壓調整信號以進一步對操作電壓VO進行調整。
承上述，當比較結果為端點電壓VN1、...VNn中的其中一個小於低臨界電壓VTL時，本實施例可利用電壓調整信號來提高操作電壓VO，以使電源轉換器250依據此電壓調整信號來產生較高的操作電壓VO至發光二極體串210，直到每一驅動電流源220中的跨壓VDS都符合大於等於低臨界電壓VTL的條件。
不僅如此，本實施例還會根據電流ILED的數值大小來對低臨界電壓VTL的數值進行調整。例如，當電流ILED為10、20或30毫安培時，低臨界電壓VTL可對應地被調整為0.5、0.7或0.9伏特。
在其他實施例中，比較及判斷電路240中的比較單元240a除了比較端點電壓VN1、...VNn以及低臨界電壓VTL，還進一步將端點電壓VN1、...VNn以及一高臨界電壓(容後詳述)進行比對，並據以輸出比較結果至判斷單元240b。具體而言，如圖2所繪示的電壓偵測調整器230b，電阻230R2的其中一端耦接至低臨界電壓VTL，而其另一端耦接至一電流源230CS2並產生高臨界電壓VTH。於是，當比較結果為端點電壓VNn、...VNn中的其中一個大於高臨界電壓VTH時，則可透過電壓調整信號來降低操作電壓VO，以使電源轉換器250依據此電壓調整信號來產生較低的操作電壓VO，進而使發光二極體串210接收較低的操作電壓 VO。如此一來，每一驅動電流源220中的跨壓VDS都可符合大於等於低臨界電壓VTL且小於高臨界電壓VTH的條件，如圖3所示。
從以上敘述可清楚地看到，透過調整操作電壓VO的動作，可使流經每一發光二極體串210的電流ILED皆具有精準的電流值。然而，調整操作電壓VO的依據可以是透過比較端點電壓VN1、...VNn以及低臨界電壓VTL兩者而來，也可以為透過比較端點電壓VN1、...VNn、高臨界電壓VTH以及低臨界電壓VTL三者而來。
最後一提的是，在本實施例之穩定電壓產生器230a以及電壓偵測調整器230b中，電流源230CS例如依據驅動電流IREF2而產生一電流230Ia，而電流源230CS1例如依據驅動電流IREF2而產生一電流230Ib。在本實施例中，發光二極體模組200(繪示於圖1)中例如設置用以提供驅動電流IREF2的一驅動電流產生器260，其中驅動電流產生器260包括一參考電流源260CS、一電晶體260T1、一電晶體260T2、一運算放大器260OP1、一電晶體260T3以及一電晶體260T4。
承上述，本實施例之參考電流源260CS用以提供一參考電流IREF1，其中參考電流源260CS包括一電晶體260T5、一運算放大器260OP2以及一電阻260R。電晶體260T5的第一源/汲極產生參考電流IREF1，而電阻260R的兩端分別耦接至電晶體260T5的第二源/汲極以及基準電壓V2。另一方面，運算放大器260OP2的輸出端耦接電晶體 260T5的閘極，其第一輸入端耦接一參考電壓VREF，其第二輸入端耦接至電晶體260T5的第二源/汲極以及電阻260R。
此外，電晶體260T1及260T2兩者的第一源/汲極耦接系統電壓V1，而兩者的閘極彼此耦接並接收控制電壓VC1。電晶體260T1的第二源/汲極以及閘極彼此耦接至運算放大器260OP1的第一輸入端以及參考電流源260CS並接收參考電流IREF1，而電晶體260T2的第二源/汲極耦接至運算放大器260OP1的第二輸入端。電晶體260T3的閘極耦接至運算放大器260OP1的輸出端以及電晶體230Ta2的閘極並接收控制電壓VC2，而其第一源/汲極耦接運算放大器260OP1的第二輸入端，且其第二源/汲極產生驅動電流IREF2。電晶體260T4的閘極以及第一源/汲極兩者耦接至電晶體260T3的第二源/汲極以及電晶體220T2的閘極，而其第二源/汲極耦接至基準電壓V2。
綜上所述，在本發明之發光二極體模組中，穩定電壓產生器可用來控制串接至發光二極體串之驅動電流源所產生的電流的大小，而所產生的低臨界電壓可作為調整發光二極體串所接收之操作電壓的依據。如此，流經發光二極體串的電流可更為精準，且發光二極體模組的整體消耗功率可大幅降低。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧發光二極體模組
210‧‧‧發光二極體串
220‧‧‧驅動電流源
220OP、260OP1、260OP2‧‧‧運算放大器
220T1、220T2、230Ta1、230Ta2、230Tb1、230Tb2、260T1、260T2、260T3、260T4、260T5‧‧‧電晶體
230R、230R1、230R2、260R‧‧‧電阻
230CS、230CS1、260CS‧‧‧電流源
230VSa、230VSb‧‧‧電壓源
230‧‧‧驅動電路
230a‧‧‧穩定電壓產生器
230b‧‧‧電壓偵測調整器
240‧‧‧比較及判斷電路
240a‧‧‧比較單元
240b‧‧‧判斷單元
250‧‧‧電源轉換器
260‧‧‧驅動電流產生器
ILED、IREF1、IREF2‧‧‧電流
V1、V2、VN1、VNn、VC1、VC2、VREF‧‧‧電壓
VD‧‧‧偏壓電壓
VDS‧‧‧跨壓
VO‧‧‧操作電壓
VTH‧‧‧高臨界電壓
VTL‧‧‧低臨界電壓
圖1繪示本發明之一實施例之發光二極體模組的等效電路圖。
圖2為根據圖1中之發光二極體串、驅動電流源以及驅動電路所繪示的等效電路圖。
圖3為跨壓VDS與時間兩者的關係曲線圖。
210‧‧‧發光二極體串
220‧‧‧驅動電流源
220OP、260OP1、260OP2‧‧‧運算放大器
220T1、220T2、230Ta1、230Ta2、230Tb1、230Tb2、260T1、260T2、260T3、260T4、260T5‧‧‧電晶體
230R、230R1、230R2、260R‧‧‧電阻
230CS、230CS1、260CS‧‧‧電流源
230VSa、230VSb‧‧‧電壓源
230‧‧‧驅動電路
230a‧‧‧穩定電壓產生器
230b‧‧‧電壓偵測調整器
260‧‧‧驅動電流產生器
ILED、IREF1、IREF2‧‧‧電流
V1、V2、VN1、VNn、VC1、VC2、VREF‧‧‧電壓
VD‧‧‧偏壓電壓
VDS‧‧‧跨壓
VO‧‧‧操作電壓
VTH‧‧‧高臨界電壓
VTL‧‧‧低臨界電壓

Claims (21)

  1. 一種發光二極體模組，具有接收一操作電壓的多數個發光二極體串，其中該發光二極體模組包括：多數個驅動電流源，分別串接於該些發光二極體串；一驅動電路，耦接該些驅動電流源，包括：一穩定電壓產生器，依據一驅動電流提供一偏壓電壓至該些驅動電流源，並用以控制該些驅動電流源所產生的電流的大小；以及一電壓偵測調整器，依據該驅動電流產生一低臨界電壓；以及一比較及判斷電路，耦接於該些驅動電流源以及該電壓偵測調整器之間，且接收該些發光二極體串與該些驅動電流源耦接的端點的多數個端點電壓以及該低臨界電壓，並依據比較該些端點電壓以及該低臨界電壓來調整該操作電壓，其中該電壓偵測調整器包括：一第一電流源，依據該驅動電流產生一第一電流；一第一電阻，其一端耦接該第一電流源並產生該低臨界電壓；一電壓源，耦接該第一電阻的另一端；以及一第二電阻，其一端耦接該低臨界電壓，且其另一端耦接一第二電流源並產生一高臨界電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體模組，其中該穩定電壓產生器包括： 一電流源，依據該驅動電流產生一第二電流；一電阻，其一端耦接該電流源並產生該偏壓電壓；以及一電壓源，耦接該電阻的另一端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體模組，其中該電流源包括：一第一電晶體，其閘極耦接一第一控制電壓，且其第一源/汲極耦接一系統電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體模組，其中該電流源更包括：一第二電晶體，其閘極耦接一第二控制電壓，其第一源/汲極耦接該第一電晶體的第二源/汲極，其第二源/汲極耦接該電阻。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體模組，更包括：一驅動電流產生器，包括：一參考電流源，提供一參考電流；一第三電晶體，其第一源/汲極耦接該系統電壓，其第二源/汲極耦接該參考電流源並接收該參考電流，其閘極與其第二源/汲極彼此耦接；一第四電晶體，其第一源/汲極耦接該系統電壓，且其閘極以及該第三電晶體的閘極相耦接並接收該第一控制電壓；一第一運算放大器，其第一輸入端耦接至該第三 電晶體的第二源/汲極，且其第二輸入端耦接至該第四電晶體的第二源/汲極；一第五電晶體，其閘極與該第一運算放大器的輸出端以及該第二電晶體的閘極相耦接並接收該第二控制電壓，其第一源/汲極耦接該第一運算放大器的第二輸入端，其第二源/汲極產生該驅動電流；以及一第六電晶體，其閘極與其第一源/汲極耦接該第五電晶體的第二源/汲極，其第二源/汲極耦接一基準電壓。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體模組，其中該參考電流源包括：一第七電晶體，其第一源/汲極產生該參考電流；一另一運算放大器，其輸出端耦接該第七電晶體的閘極，其第一輸入端耦接一參考電壓，其第二輸入端耦接該第七電晶體的第二源/汲極；以及一另一電阻，其一端耦接該第七電晶體的第二源/汲極，其另一端耦接該基準電壓。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體模組，其中每一驅動電流源包括：一第八電晶體，其第一源/汲極耦接對應的發光二極體串；一第九電晶體，其第一源/汲極耦接該第八電晶體的第二源/汲極，其閘極耦接該第六電晶體的閘極，其第二源/汲極耦接該基準電壓；以及 一第二運算放大器，其輸出端耦接該第八電晶體的閘極，其第一輸入端接收該偏壓電壓，其第二輸入端耦接該第八電晶體的第二源/汲極以及該第九電晶體的第一源/汲極。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體模組，其中該電壓源為一電壓隨耦器。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體模組，其中該比較及判斷電路包括：多個比較單元，分別比較該些端點電壓以及該低臨界電壓，並產生多數個比較結果；以及一判斷單元，耦接該些比較單元，接收該些比較結果，並依據該些比較結果來產生一電壓調整信號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體模組，更包括：一電源轉換器，耦接該驅動電路、該些驅動電流源以及該些發光二極體串，用以依據該電壓調整信號來產生該操作電壓。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體模組，其中當該些比較結果為其中一個端點電壓小於該低臨界電壓時，透過該電壓調整信號來提高該操作電壓。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體模組，其中該第一電流源包括：一第一電晶體，其閘極耦接一第一控制電壓，且其第一源/汲極耦接一系統電壓。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體模組，其中該第一電流源更包括：一第二電晶體，其閘極耦接一第二控制電壓，其第一源/汲極耦接該第一電晶體的第二源/汲極，其第二源/汲極耦接該第一電阻以及該第二電阻。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體模組，更包括：一驅動電流產生器，包括：一參考電流源，提供一參考電流；一第三電晶體，其第一源/汲極耦接該系統電壓，其第二源/汲極耦接該參考電流源並接收該參考電流，其閘極與其第二源/汲極彼此耦接；一第四電晶體，其第一源/汲極耦接該系統電壓，且其閘極以及該第三電晶體的閘極相耦接並接收該第一控制電壓；一第一運算放大器，其第一輸入端耦接至該第三電晶體的第二源/汲極，且其第二輸入端耦接至該第四電晶體的第二源/汲極；一第五電晶體，其閘極與該第一運算放大器的輸出端以及該第二電晶體的閘極相耦接並接收該第二控制電壓，其第一源/汲極耦接該第一運算放大器的第二輸入端，其第二源/汲極產生該驅動電流；以及一第六電晶體，其閘極與其第一源/汲極耦接該第五電晶體的第二源/汲極，其第二源/汲極耦接一基準電 壓。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體模組，其中該參考電流源包括：一第七電晶體，其第一源/汲極產生該參考電流；一另一運算放大器，其輸出端耦接該第七電晶體的閘極，其第一輸入端耦接一參考電壓，其第二輸入端耦接該第七電晶體的第二源/汲極；以及一另一電阻，其一端耦接該第七電晶體的第二源/汲極，其另一端耦接該基準電壓。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體模組，其中每一驅動電流源包括：一第八電晶體，其第一源/汲極耦接對應的發光二極體串；一第九電晶體，其第一源/汲極耦接該第八電晶體的第二源/汲極，其閘極耦接該第六電晶體的閘極，其第二源/汲極耦接該基準電壓；以及一第二運算放大器，其輸出端耦接該第八電晶體的閘極，其第一輸入端接收該偏壓電壓，其第二輸入端耦接該第八電晶體的第二源/汲極以及該第九電晶體的第一源/汲極。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體模組，其中該電壓源為一電壓隨耦器。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體模組，其中該比較及判斷電路包括： 多個比較單元，分別比較該些端點電壓以及該低臨界電壓，並產生多數個比較結果；以及一判斷單元，耦接該些比較單元，接收該些比較結果，並依據該些比較結果來產生一電壓調整信號。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體模組，更包括：一電源轉換器，耦接該驅動電路、該些驅動電流源以及該些發光二極體串，用以依據該電壓調整信號來產生該操作電壓。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體模組，其中當該些比較結果為其中一個端點電壓小於該低臨界電壓時，透過該電壓調整信號來提高該操作電壓。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體模組，其中當該些比較結果為其中一個端點電壓大於該高臨界電壓時，透過該電壓調整信號來降低該操作電壓。
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