TWI425399B - 觸控面板的感測值辨識方法與驅動裝置 - Google Patents

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觸控面板的感測值辨識方法與驅動裝置
本發明是有關於觸控面板,且特別是有關於觸控面板的一種感測值辨識方法與進行此方法的驅動裝置。
為了達到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的,許多資訊產品的輸入方式已由傳統之鍵盤或滑鼠等裝置,轉變為使用觸控面板作為輸入的方式。觸控面板可組裝在諸多種類的平面顯示器上,以使平面顯示器兼具顯示畫面以及輸入操作資訊的功能。傳統觸控面板主要包括電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式。不同類型的觸控面板各自具有其優缺點,例如電容式觸控面板具有質感佳、觸控力道小等優點,但是價格較為昂貴。降低觸控面板的成本,以及對觸碰點進行精確定位,一直是本領域的課題。
本發明提供一種觸控面板的感測值辨識方法與驅動裝置,藉由暫停更新所有電極的基線資料來保留較小的碰觸點資訊,以便後續處理程式對觸碰點進行精確定位。
本發明實施例提出一種觸控面板的感測值辨識方法,包括感測觸控面板的多個電極,而獲得每一電極Si的原始資料與基線資料,其中該電極Si表示該觸控面板的該些電極中第i個電極。依據電極Si的原始資料與基線資料,計算電極Si的感測值。當每一電極Si的感測值均小於臨界值時,依據每一電極Si的原始資料更新每一電極Si的基線資料。當這些電極中有任 何一個電極Si的感測值大於臨界值時,暫停更新這些電極的基線資料。
本發明實施例提出一種觸控面板的驅動裝置,包括選擇器、感測電路以及控制器。選擇器連接至觸控面板的多個電極,其中該些電極中第i個電極為Si。感測電路連接至選擇器。感測電路透過選擇器的切換操作,逐一感測這些電極而獲得每一個電極Si的原始資料與基線資料。控制器連接至感測電路。控制器依據電極Si的原始資料與基線資料,計算電極Si的感測值。當每一電極Si的感測值均小於臨界值時,控制器依據每一電極Si的原始資料更新每一電極Si的基線資料。當這些電極中有任何一個電極Si的感測值大於臨界值時,控制器暫停更新這些電極的基線資料。
本發明實施例提出一種觸控面板的感測值辨識方法,應用於一觸控面板。該觸控面板沿第一軸向的二個對向側邊分別為第一側與第二側,其中該觸控面板包含多個電極對,該些電極對各自包含一第一電極與一第二電極,該些第一電極配置於該觸控面板的該第一側,該些第二電極配置於該觸控面板的該第二側。此感測值辨識方法包括感測觸控面板的所述電極對,而獲得每一電極Si的原始資料與一基線資料,其中該電極Si表示該觸控面板的該些第一電極與該些第二電極中的一個電極。依據電極Si的原始資料與基線資料,計算電極Si的感測值。當這些電極對的第一電極感測值與第二電極感測值的總和 均小於臨界值時,依據電極Si的原始資料更新電極Si的基線資料。當這些電極對中有任何一個電極對的第一電極感測值與第二電極感測值之總和大於臨界值時,暫停更新這些電極對的基線資料。
本發明實施例提出一種觸控面板的驅動裝置,包括選擇器、感測電路以及控制器。選擇器連接至觸控面板的多個電極對。其中,這些電極對各自包含第一電極與第二電極。觸控面板沿第一軸向的二個對向側邊分別為第一側與第二側。這些第一電極配置於觸控面板的第一側,而這些第二電極配置於觸控面板的第二側。假設這些第一電極與這些第二電極中的一個電極為Si。感測電路連接至選擇器。感測電路透過選擇器的切換操作逐一感測這些第一電極與這些第二電極,而獲得多個原始資料與多個基線資料。控制器連接至感測電路。控制器依據電極Si的原始資料與基線資料,計算電極Si的感測值。當這些電極對的第一電極感測值與第二電極感測值之總和均小於臨界值時,控制器依據電極Si的原始資料更新電極Si的基線資料。當這些電極對中有任何一個電極對的第一電極感測值與第二電極感測值之總和大於臨界值時,控制器暫停更新這些電極對的基線資料。
在本發明之一實施例中,上述更新電極Si基線資料之步驟包括計算BLi(n)=(N-1)×BLi(n-1)+(N)×RDi。其中,N為範圍在0到1之間的一個常數,RDi表示電極Si的原始資料,BLi(n-1) 表示電極Si更新前的基線資料,BLi(n)表示電極Si更新後的基線資料。
在本發明之一實施例中,上述計算該電極Si的感測值之步驟包括:計算電極Si的原始資料與電極Si的基線資料二者差值,做為該電極Si的感測值。
基於上述,當觸控面板的電極中有任何一個電極的感測值大於臨界值時,本發明實施例藉由暫停更新所有電極的基線資料來保留小於臨界值的感測值。如此,後續處理程式可以利用所述小於臨界值的感測值來對觸碰點進行更精確定位。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明所揭露的感測值辨識方法與驅動裝置可以應用於任何類型的觸控面板。以下將以電容式觸控面板做為範例。下述諸實施例可以類推至其他類型的觸控面板。
圖1A為依照本發明一實施例說明電容式觸控面板100與驅動裝置150的示意圖。圖1B為圖1A之觸控面板100沿剖線A-A’繪示的局部剖面示意圖。在圖1A與圖1B中引入笛卡兒座標系統(Cartesian coordinate system),其包括相互垂直的X軸方向、Y軸方向和Z軸方向。觸控面板100包含導電層110、保護層(cover lens)120以及基板102。導電層110配置於基板102上,而保護層120則配置於導電層110上。導電層110具 有導電異向性(Anisotropic Conductivity),亦即,導電層110在兩個不同方向上具有不同的阻抗性。例如,導電層110具有圖1A所示之低阻抗方向D以及高阻抗方向H,其中低阻抗方向D和高阻抗方向H可為垂直。於本實施例中,導電層110的低阻抗方向D為Y軸方向。
於本實施例中,基板102與/或保護層120可採用如:聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PolyMethyl MethAcrylate,PMMA)或薄化後的玻璃基板等透明材質。導電層110可以是平行排列的奈米碳管(carbon nano-tube,CNT)所形成之導電薄膜。此奈米碳管薄膜是由超順垂直排列奈米碳管陣列(Super Vertical-Aligned Carbon Nanotube Array)透過拉伸方式製成,可應用於製作透明的導電薄膜。例如,採用化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)或其他適當的方法於矽基板、石英基板或其他適當的基板上形成奈米碳管層。接著,沿著一拉伸方向從奈米碳管層的一側邊拉出奈米碳管薄膜,也就是導電層110。之後,將導電層110配置於基板102上,同時將保護層120覆蓋於導電層110上即初步地完成電容式觸控面板100。因拉伸製程中,長鍊狀奈米碳管約略沿著拉伸方向平行排列,使得奈米碳管薄膜在拉伸方向具有較低阻抗,在垂直拉伸方向阻抗約為拉伸方向阻抗的50至350倍之間。奈米碳管薄膜的表面電阻也因量測 的位置不同、方向不同而介於1KΩ至800KΩ之間,因此導電層110具有導電異向性。
請參照圖1A,導電層110的低阻抗方向D為第一軸向,且導電層110沿第一軸向(例如Y軸方向)的二個對向側邊分別為第一側111與第二側112。在第一側111與第二側112配置多個電極Si(i為整數,例如圖1A所示電極S1~S12)。雖然圖1A之電容式觸控面板100僅以十二個電極S1~S12作為實現範例,但實際應用時,電極的數目可根據實際觸控面板的面積以及設計需求而定。另外,為了簡化說明,以下實施例僅以一個觸碰點TP為例。在實際操作時,本實施例亦可適用於多觸碰點的情形。
請參照圖1A,驅動裝置150包含選擇器151、感測電路152與控制器153。本實施例將沿X軸方向掃描並驅動電極S1~S12。例如,前述掃描與驅動的順序可以是S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12,或是其他順序(例如隨機順序)。選擇器151連接至觸控面板100的電極S1~S12。選擇器151依據前述順序逐一選擇一個電極,以及提供參考電壓(例如接地電壓或是其他固定準位的參考電壓)至其他未被選擇的電極。感測電路152連接於選擇器151與控制器153之間。當電極S1~S12的其中一個電極被選擇時,感測電路152透過選擇器151驅動被選擇電極。前述驅動操作例如先對被選擇電極施加驅動電壓(例如電源電壓Vdd)而對導電層110充電,然後移 除驅動電壓並且感測被選擇電極的物理特徵值(即原始資料,例如電壓值、電荷量或電容值等),以及將被驅動電極的感測結果傳送至控制器153。因此,控制器153可以透過感測電路152感測觸控面板100的多個電極S1~S12,而獲得每一電極Si的原始資料(raw data)RD與基線(baseline)資料BL。依據每一個電極Si的原始資料RD與基線資料BL,控制器153可以計算該電極Si的感測值。控制器153利用電極S1~S12的感測值可以求出觸碰點TP的X軸位置與Y軸位置。
電容式觸控面板100的驅動電路150所感測出電容原始資料可能包括寄生的電容資料加上觸碰點TP的資訊。當觸控面板100未發生觸碰事件時,圖2A說明電容式觸控面板100中某一個感測電極Si的電容原始資料RD與基線資料BL的示意圖。橫軸表示時間,縱軸表示信號強度。觸控面板100的其它電極均可以參照電極Si的相關說明。當觸控面板100未發生觸碰時,驅動電路150所轉換的電容原始資料RD即為其背景信號。而此背景信號的平均值因為環境因素(例如溫度、溼度等)而隨著時間作緩慢的變化,使得電容原始資料RD大致上以平均值為中心作上下的變動。所以在信號處理上,控制器153會用濾波器(filter)將電容原始資料RD的低頻信號取出而成為基線資料BL。或者,控制器153會使用指數平均(exponential average)的方式來計算BL(n)=(1-N)×BL(n-1)+(N)×RD,以更新電極Si的基線資料BL。其中,N為範圍在0到1之間的一 個常數,BL(n-1)表示電極Si更新前的基線資料,BL(n)表示電極Si更新後的基線資料。因此,隨著時間的不同,這個感測電極Si的基線資料BL會被一直更新。
圖2B說明電容式觸控面板100被觸碰時,觸控面板100中某一個感測電極Si(例如電極S9)的電容原始資料RD與基線資料BL的示意圖。橫軸表示時間,縱軸表示信號強度。當電容式觸控面板100被觸碰時,此時電極Si的電容原始資料RD的值會因為電容的增加而上升。如果電極Si的感測值(例如RD-BL)上升的值超過臨界值TH,則視為觸控面板100發生一個有效的觸碰。例如,於圖2B所示期間240中,電容原始資料RD超過臨界值TH,則視為在期間240發生有效觸碰。在此期間240時,控制器153便不再更新這個感測電極Si的基線資料BL,而控制器153可以計算這個感測電極Si的原始資料RD與被固定的基線資料BL的差值(即RD-BL)做為這個感測電極Si的觸碰信號強度(即感測值)。
依據電極Si的原始資料RD與電極Si的基線資料BL,控制器153可以計算出電極Si的感測值。例如,控制器153可以計算電極Si的原始資料RD與電極Si的基線資料BL二者差值,也就是計算RD-BL,做為電極Si的感測值。在獲得每一個電極S1~S12的感測值後,控制器153可以進行後續處理程式,以便利用電極S1~S12的感測值來判斷觸控面板100有無發生觸碰事件,以及對觸碰點TP進行定位(也就是計算出觸碰點 TP的X軸位置與Y軸位置)。以下將說明控制器153對觸碰點TP進行定位的一個實現範例。
圖3A是依照本發明實施例說明圖1A中電極S7~S12的感測值示意圖。橫軸表示電極S7~S12的位置,縱軸表示感測值。由於觸碰點TP較靠近第二電極S9,因此圖3A於S9處出現相對極值(relative extreme),例如電極S9的感測值大於鄰近電極的感測值。相類似地,圖3B是依照本發明實施例說明圖1A中電極S1~S6的感測值示意圖。橫軸表示電極S1~S6的位置,縱軸表示感測值。圖3B於S3處亦出現相對極值。由於觸碰點TP與第一電極S1~S6的距離大於觸碰點TP與第二電極S7~S12的距離,因此第一電極S1~S6的感測值整體上小於第二電極S7~S12。控制器153可以依據圖3A或圖3B計算出觸碰點TP的X軸位置。例如,採用內插法或其他演算法,依據電極S8、S9、S10的感測值計算出觸碰點TP的X軸位置。
當獲知第一電極S3與/或第二電極S9出現相對極值時,控制器153會依據第一電極S3與第二電極S9二者感測值之比值計算出觸碰點TP的Y軸位置。例如,假設第一電極S3的感測值為A,第二電極S9的感測值為B,則比值r=B/A。若第一電極S3的感測值小於第二電極S9的感測值,則觸碰點TP的Y軸位置y=L÷(2r),其中L為第一電極S1~S6至第二電極S7~S12的距離。若第一電極S3的感測值等於第二電極S9的感測值,則y=L÷2。若第一電極S3的感測值大於第二電極S9的感測 值,則y=L-(L×r)÷2。若第一電極S3的感測值遠小於第二電極S9的感測值,則y=0。若第一電極S3的感測值遠大於第二電極S9的感測值,則y=L。
圖4是依據本實施例說明觸碰點TP很靠近觸控面板100的第二側112之情形。圖5A是說明圖4中感測電極S9的電容原始資料RD9與基線資料BL9的示意圖。圖5A中橫軸表示時間,縱軸表示信號強度。如上所述,當控制器153發現電極S9的感測值(RD9-BL9)上升的值超過臨界值TH,則視為觸控面板100發生一個有效的觸碰。在此有效觸碰期間,控制器153暫停對感測電極S9的基線資料BL9進行更新,而控制器153可以計算RD9-BL9做為感測電極S9的觸碰信號強度(即感測值)。然而,在控制器153暫停對感測電極S9的基線資料BL9進行更新的期間,控制器153可能會繼續對其他電極的基線資料BL進行更新。
圖5B是說明圖4中感測電極S3的電容原始資料RD3與基線資料BL3的示意圖。圖5B中橫軸表示時間,縱軸表示信號強度。在上述有效觸碰期間(即圖5A中RD9-BL9的值超過臨界值TH之期間),由於觸碰點TP與電極S3的距離很遠,因此感測電路152感測到電極S3的感測值(RD3-BL3)可能會小於臨界值TH。由於電極S3的感測值小於臨界值TH,所以控制器153會隨著時間的不同而一直更新感測電極S3的基線資料BL3。由於電極S3的基線資料BL3被更新,電極S3的感測值 (RD3-BL3)喪失了觸碰點TP的資訊,如圖5B所示。在此情況下,控制器153依據錯誤的第一電極S3感測值與正確的第二電極S9感測值,所計算出觸碰點TP的Y軸位置當然是不正確的。如此一來,觸控面板100靠近電極處形成一個非感測區域(即無法正確感測觸碰點TP位置的區域)。
上述實施例的感測值辨識方法中,基線資料BL的更新是由自身電極所感測到的原始資料RD是否超過臨界值TH來決定。以下另舉一實施例,使基線資料BL的更新除了由本身電極所感測的值來判斷外,也會由其它電極所感測的值來判斷。
圖6是依照本發明實施例說明一種觸控面板感測值辨識方法之流程示意圖。於步驟S605中,感測電路152透過選擇器151的切換操作而逐一感測電極S1~S12,而獲得每一個電極的原始資料RD。於步驟S610中,控制器153依據電極Si的原始資料RD與基線資料BL,計算電極Si的感測值。例如,控制器153依據電極S3的原始資料RD3與基線資料BL3,計算RD3-BL3作為電極S3的感測值。又例如,控制器153依據電極S9的原始資料RD9與基線資料BL9,計算RD9-BL9作為電極S9的感測值。其餘電極的感測值可以依此類推。
於步驟S615中,控制器153判斷有沒有任何一個電極的感測值大於臨界值TH。當電極S1~S12的感測值均小於臨界值TH時,控制器153依據該電極Si的原始資料RDi更新電極Si的基線資料BLi(步驟S630)。例如,控制器153會計算BL3(n) =(1-N)×BL3(n-1)+(N)×RD3,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,來更新電極S3的基線資料BL3。又例如,控制器153會計算BL9(n)=(1-N)×BL9(n-1)+(N)×RD9,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,來更新電極S9的基線資料BL9。其餘電極Si的基線資料BLi可以依此類推。
當電極S1~S12中有任何一個電極的感測值大於臨界值TH時,控制器153暫停更新所有電極S1~S12的基線資料BL(步驟S620)。然後,控制器153可以依據基線資料BL與原始資料RD計算出電極S1~S12的感測值。接下來控制器153可以進行步驟S625,以便使用電極S1~S12的感測值去計算出觸碰點TP的X軸位置與Y軸位置。步驟S625的實現方式可以參照前一個實施例的說明,或是以其他演算法計算觸碰點TP的X軸位置與Y軸位置。
圖7A是說明圖4中感測電極S9的電容原始資料RD9與基線資料BL9的示意圖。圖7B是說明圖4中感測電極S3的電容原始資料RD3與基線資料BL3的示意圖。圖7A與圖7B中橫軸表示時間,縱軸表示信號強度。當觸控面板100沒有發生觸碰事件時,電極S3的基線資料BL3和電極S9的基線資料BL9均隨著背景訊號作變化。當有一個觸碰物靠近電極S9時,電極S9的原始資料RD9會超過臨界值TH。當控制器153發現電極S9的感測值(RD9-BL9)超過臨界值TH,則視為觸控面板100發生一個有效的觸碰。在此有效觸碰期間,雖然電極S3的感 測值(RD3-BL3)沒有超過臨界值TH,然而由於控制器153進行了步驟S620而暫停更新所有電極S1~S12的基線資料BL,使得電極S3的感測值(RD3-BL3)仍然可以保存觸碰點TP的資訊。在此情況下,控制器153便可依據正確的第一電極S3感測值與正確的第二電極S9感測值來計算出觸碰點TP的Y軸位置。如此一來,觸控面板100的非感測區域便可以減少。
綜上所述,當觸控面板100的電極S1~S12中有任何一個電極的感測值大於臨界值TH時,上述實施例藉由暫停更新所有電極S1~S12的基線資料BL來保留小於臨界值的感測值。如此就能避免某些較遠離觸碰位置的電極訊號因為基線資料BL的更新而失真。因此,後續處理程式可以利用所述小於臨界值TH的感測值來對觸碰點TP進行更精確定位。
上述實施例是以單一個電極的原始資料RD或感測值做為判斷依據。然而,本發明的實現方式不限於此。例如,圖8是依照本發明另一實施例說明觸控面板感測值辨識方法之流程示意圖。請參照圖1與圖8,於本實施例中,第一電極S1與第二電極S7視為第一電極對,第一電極S2與第二電極S8視為第二電極對,第一電極S3與第二電極S9視為第三電極對,第一電極S4與第二電極S10視為第四電極對,第一電極S5與第二電極S11視為第五電極對,第一電極S6與第二電極S12視為第六電極對。於每一個電極對中,自第一電極至第二電極的方向為第一軸向(或低阻抗方向D)。
圖8中步驟S605、S610、S620、S625、S630相同於圖6。於步驟S605中,感測電路152通過選擇器151感測觸控面板100的多個電極對,並將獲得的多個原始資料傳送給控制器153。控制器153進行步驟S610以便依據電極Si的原始資料與基線資料,計算電極Si的感測值。在步驟S610後,控制器153進行步驟S810,以分別對各個電極對的感測值進行加總。例如,步驟S810將第一電極S1的感測值加上第二電極S7的感測值,作為第一電極對的感測值,以及將第一電極S2的感測值加上第二電極S8的感測值,作為第二電極對的感測值。其餘依此類推。
於步驟S820中,控制器153判斷於電極對中有無任何一個電極對的感測值(即第一電極與第二電極之感測值總和)大於臨界值TH。當這些電極對的感測值均小於臨界值TH時,控制器153依據電極Si的原始資料RD更新電極Si的基線資料(步驟S630)。當這些電極對中有任何一個電極對的感測值大於臨界值TH時,控制器153暫停更新這些電極對的基線資料BL(步驟S620)。以圖4為例,當第三電極對的感測值(即S3+S9)大於臨界值TH時,控制器153暫停更新所有電極對的基線資料BL。接下來控制器153可以進行步驟S625,以便使用電極S1~S12的感測值去計算出觸碰點TP的X軸位置與Y軸位置。如此做的好處為相對電極的原始資料RD是彼此成反比關係, 彼此相加後可以減少對位置的相依性,如此在觸控信號強度的判斷會比較準確。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控面板
102‧‧‧基板
110‧‧‧導電層
111、112‧‧‧導電層的二個對向側邊
150‧‧‧驅動裝置
151‧‧‧選擇器
152‧‧‧感測電路
153‧‧‧控制器
240‧‧‧有效觸碰期間
BL、BL3、BL9‧‧‧基線資料
D‧‧‧低阻抗方向
H‧‧‧高阻抗方向
RD、RD3、RD9‧‧‧原始資料
S1~S12‧‧‧電極
S605~S630、S810~S820‧‧‧步驟
TP‧‧‧觸碰點
TH‧‧‧臨界值
圖1A為依照本發明一實施例說明電容式觸控面板與驅動裝置的示意圖。
圖1B為圖1A之觸控面板沿剖線A-A’繪示的局部剖面示意圖。
圖2A說明電容式觸控面板中某一個感測電極Si的電容原始資料RD與基線資料BL的示意圖。
圖2B說明電容式觸控面板被觸碰時,觸控面板中某一個感測電極Si的電容原始資料RD與基線資料BL的示意圖。
圖3A是依照本發明實施例說明圖1A中電極S7~S12的感測值示意圖。
圖3B是依照本發明實施例說明圖1A中電極S1~S6的感測值示意圖。
圖4是依據本實施例說明觸碰點很靠近觸控面板的第二側之情形。
圖5A是說明圖4中感測電極S9的電容原始資料RD9與基線資料BL9的示意圖。
圖5B是說明圖4中感測電極S3的電容原始資料RD3與基線資料BL3的示意圖。
圖6是依照本發明實施例說明一種觸控面板感測值辨識方法之流程示意圖。
圖7A是說明圖4中感測電極S9的電容原始資料RD9與基線資料BL9的示意圖。
圖7B是說明圖4中感測電極S3的電容原始資料RD3與基線資料BL3的示意圖。
圖8是依照本發明另一實施例說明觸控面板感測值辨識方法之流程示意圖。
100‧‧‧觸控面板
102‧‧‧基板
110‧‧‧導電層
111、112‧‧‧導電層的二個對向側邊
150‧‧‧驅動裝置
151‧‧‧選擇器
152‧‧‧感測電路
153‧‧‧控制器
240‧‧‧有效觸碰期間
BL、BL3、BL9‧‧‧基線資料
D‧‧‧低阻抗方向
H‧‧‧高阻抗方向
RD、RD3、RD9‧‧‧原始資料
S1~S12‧‧‧電極
S605~S630、S810~S820‧‧‧步驟
TP‧‧‧觸碰點
TH‧‧‧臨界值

Claims (22)

  1. 一種觸控面板的感測值辨識方法,包括:感測一觸控面板的多個電極,而獲得每一電極Si的一原始資料與一基線資料,其中該電極Si表示該觸控面板的該些電極中第i個電極,其中i≧1且為整數;依據該電極Si的該原始資料與該基線資料,計算該電極Si的一感測值;當每一該電極Si的該感測值均小於一臨界值時,依據每一該電極Si的該原始資料更新每一該電極Si的該基線資料;以及當該些電極中有任一該電極Si的該感測值大於該臨界值時,暫停更新該些電極的該基線資料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中更新該電極Si的基線資料之步驟包括:計算BLi(n)=(N-1)×BLi(n-1)+(N)×RDi,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,RDi表示該電極S1的原始資料,BLi(n-1)表示該電極Si更新前的基線資料,BLi(n)表示該電極Si更新後的基線資料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中計算該電極Si的該感測值之步驟包括:計算該電極Si的該原始資料與該基線資料二者差值,做為該電極Si的該感測值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中該觸控面板包含具有導電異向性的一導電層,且該導電層的低阻抗方向為一第一軸向,該導電層沿該第一軸向的二個對向側邊分別為第一側與第二側,而該些電極配置於該第一側與該第二側。
  5. 如申請專利範圍第4項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中該導電層為奈米碳管薄膜。
  6. 一種觸控面板的驅動裝置,包括:一選擇器,連接至該觸控面板的多個電極,其中一電極Si表示該觸控面板的該些電極中第i個電極,其中i≧1且為整數;一感測電路,連接至該選擇器,其中該感測電路透過該選擇器的切換操作逐一感測該些電極,而獲得每一該電極Si的一原始資料與一基線資料;以及一控制器,連接至該感測電路,其中該控制器依據該電極Si的該原始資料與該基線資料,計算該電極Si的一感測值;當每一該電極Si的該感測值均小於一臨界值時,該控制器依據每一該電極Si的該原始資料更新每一該電極Si的該基線資料;以及當該些電極中有任一該電極Si的該感測值大於該臨界值時,該控制器暫停更新該些電極的該基線資料。
  7. 如申請專利範圍第6項所述觸控面板的驅動裝置,其中若RDi表示該電極Si的原始資料,BLi(n-1)表示該電極Si更新 前的基線資料,BLi(n)表示該電極Si更新後的基線資料,則該控制器計算BLi(n)=(N-1)×BLi(n-1)+(N)×RDi,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,以更新該電極Si的該基線資料。
  8. 如申請專利範圍第6項所述觸控面板的驅動裝置,其中該控制器計算該電極Si的該原始資料與該基線資料二者差值,做為該電極Si的該感測值。
  9. 如申請專利範圍第6項所述觸控面板的驅動裝置,其中該觸控面板包含具有導電異向性的一導電層,且該導電層的低阻抗方向為一第一軸向,該導電層沿該第一軸向的二個對向側邊分別為第一側與第二側,而該些電極配置於該第一側與該第二側。
  10. 如申請專利範圍第9項所述觸控面板的驅動裝置,其中該導電層為奈米碳管薄膜。
  11. 一種觸控面板的感測值辨識方法,應用於一觸控面板,且該觸控面板沿一第一軸向的二個對向側邊分別為一第一側與一第二側,其中該觸控面板包含多個電極對,該些電極對各自包含一第一電極與一第二電極,該些第一電極配置於該觸控面板的該第一側,該些第二電極配置於該觸控面板的該第二側,所述感測值辨識方法包括: 感測一觸控面板的該些電極對,而獲得每一電極Si的一原始資料與一基線資料,其中該電極Si表示該觸控面板的該些第一電極與該些第二電極中的一個電極,其中i≧1且為整數;依據該電極Si的該原始資料與該基線資料,計算該電極Si的一感測值;當該些電極對的一第一電極感測值與一第二電極感測值之總和均小於一臨界值時,依據該電極Si的該原始資料更新該電極Si的該基線資料;以及當該些電極對中有任一該電極對的該第一電極感測值與該第二電極感測值之總和大於該臨界值時,暫停更新該些電極對的該些基線資料。
  12. 如申請專利範圍第11項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中更新該電極Si的基線資料之步驟包括:計算BLi(n)=(N-1)×BLi(n-1)+(N)×RDi,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,其中RDi表示該電極Si的原始資料,BLi(n-1)表示該電極Si更新前的基線資料,BLi(n)表示該電極Si更新後的基線資料。
  13. 如申請專利範圍第11項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中計算該電極Si的該感測值之步驟包括:計算該電極Si的該原始資料與該基線資料二者差值,做為該電極Si的該感測值。
  14. 如申請專利範圍第11項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中該觸控面板包含具有導電異向性的一導電層,且該導電層的低阻抗方向為該第一軸向。
  15. 如申請專利範圍第14項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中該導電層為奈米碳管薄膜。
  16. 如申請專利範圍第11項所述觸控面板的感測值辨識方法,其中於該些電極對中,自所述第一電極至所述第二電極的方向為該第一軸向。
  17. 一種觸控面板的驅動裝置,包括:一選擇器,連接至該觸控面板的多個電極對,其中該些電極對各自包含一第一電極與一第二電極,該觸控面板沿一第一軸向的二個對向側邊分別為第一側與第二側,該些第一電極配置於該觸控面板的第一側,該些第二電極配置於該觸控面板的第二側,而該些第一電極與該些第二電極中的一個電極為Si,其中i≧1且為整數;一感測電路,連接至該選擇器,其中該感測電路透過該選擇器的切換操作逐一感測該些第一電極與該些第二電極,而獲得多個原始資料與多個基線資料;以及一控制器,連接至該感測電路,其中該控制器依據該電極Si的該原始資料與該基線資料,計算該電極Si的一感測值;當該些電極對的一第一電極感測值與一第二電極感測值之總和均小於一臨界值時,該控制器依據該電極Si的原始資料 更新該電極Si的基線資料;以及當該些電極對中有任一該電極對的該第一電極感測值與該第二電極感測值之總和大於該臨界值時,該控制器暫停更新該些電極對的基線資料。
  18. 如申請專利範圍第17項所述觸控面板的驅動裝置,其中若RDi表示該電極Si的原始資料,BLi(n-1)表示該電極Si更新前的基線資料,BLi(n)表示該電極Si更新後的基線資料,則該控制器計算BLi(n)=(N-1)×BLi(n-1)+(N)×RDi,其中N為範圍在0到1之間的一個常數,以更新該電極Si的基線資料。
  19. 如申請專利範圍第17項所述觸控面板的驅動裝置,其中該控制器計算該電極Si的原始資料與該電極Si的基線資料二者差值,做為該電極Si的感測值。
  20. 如申請專利範圍第17項所述觸控面板的驅動裝置,其中該觸控面板包含具有導電異向性的一導電層,且該導電層的低阻抗方向為該第一軸向。
  21. 如申請專利範圍第20項所述觸控面板的驅動裝置,其中該導電層為奈米碳管薄膜。
  22. 如申請專利範圍第17項所述觸控面板的驅動裝置,其中於該些電極對中,自所述第一電極至所述第二電極的方向為該第一軸向。
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