TWI421550B - 雙包層光纖及具有雙包層光纖之裝置 - Google Patents

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Description

雙包層光纖及具有雙包層光纖之裝置
本發明係關於雙包層光纖以及裝置，其使用雙包層光纖以及更特別是關於雙包層光纖，其具有高數值孔徑內側包層以及使用該雙包層光纖之內視鏡。
內視鏡，尤其是使用雙光子螢光處理的非線性光學內視鏡已經成為一種在樣本及/或目標執行螢光顯微鏡術最佳無侵害性的方式。非線性光學內視鏡利用一種來源或激發雷射光束以光纖將其引向至目標物。由於雙光子的吸收作用，激發雷射光束和目標物的交互作用，導致目標材料發螢光或發出光線，以光纖收集回內視鏡做進一步分析，形成影像，光譜等。和單光子顯微鏡比起來，雙光子螢光顯微鏡提供固有的光學區段特性，較大的穿透深度，和彈性的光譜易接近性。
一種使用雙光子螢光處理的非線性光學內視鏡的主要元件是內視鏡內的光纖。雖然內視鏡內可使用標準的單膜光纖，以傳送激發雷射光束到目標物，但這種光纖並不適合收集目標物傳回內視鏡的光學訊號做進一步分析，影像，光譜等。這主要是由於低數值孔徑和標準的單模光纖，小型的心蕊限制了光纖的收集效能。
為了改善非線性光學內視鏡的收集效能，可以使用雙包層的光纖。這種光纖通常包括心蕊，內包層，和外包層。內視鏡的激發射束可經由光纖的心蕊傳送到目標物，從目標物發出的光線再經由光纖的內包層收集回內視鏡。然而，由於內包層的低數值孔徑，大多數標準雙包層光纖的收集效能仍然很低。雖然已發展了具有較大數值孔徑內包層的雙包層光纖譬如光子晶體雙包層光纖，然而由於光子晶體雙包層光纖通常比標準的光纖難製造，於是就相當昂貴。據此，我們需要使用和非線性光學內視鏡同樣的另一種雙包層光纖。
在一項實施範例中，雙包層光纖包括心蕊，內包層，和以氧化矽為主玻璃的外包層。心蕊可以有小於約5微米的半徑，第一折射率n1 ，並且不包含任何主動稀土摻雜劑。內包層可以包圍心蕊，並且包括至少約25微米的徑向厚度，至少約0.25的數值孔徑，和第二折射率n2 ，使得n2 <n1 。心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(Δ%)可以大於約0.1%。外包層可以包圍內包層，並且包括大約10微米到約50微米的徑向厚度，和第三折射率n3 ，使得n3 <n2 。內包層相對於外包層的相對折射率百分比(Δ%)，可以大於約1.5%。
在另一個實施範例中，非線性光學內視鏡可包括雷射光源，雙包層光纖，光束掃瞄單元，光學感測器和計算機。雙包層光纖可包括心蕊，內包層，和外包層。心蕊可以有小於約5微米的半徑，第一折射率n1 ，並且不包含任何主動稀土摻雜劑。內包層可以包圍心蕊，並且包括至少約25微米的徑向厚度，至少約0.25的數值孔徑，和第二折射率n2 ，使得n2 <n1 。心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(Δ%)可以大於約0.1%。外包層可以包圍內包層，並且包括大約10微米到約50微米的徑向厚度，和第三折射率n3 ，使得n3 <n2 。內包層相對於外包層的相對折射率百分比(Δ%)可以大於約1.5%。雷射光源的輸出可以在雙包層光纖的第一端點光學耦合到雙包層光纖的心蕊以使雷射光源的輸出引向到雙包層光纖的心蕊。光學感測器可以在雙包層光纖的第一端點耦合到雙包層光纖的內包層可用來轉換通過內包層的光線成為電子訊號。計算機可電耦合到光學感測器用來從光學感測器接收的電子訊號形成影像。光束掃瞄單元可以光學耦合到光纖的第二端點用來掃瞄雷射光源的輸出引向到雙包層光纖心蕊以二維度掃過目標物，並收集從目標物發射的光線到雙包層光纖的內包層。
本發明其他特性及優點揭示於下列說明，以及部份可由說明清楚瞭解，或藉由實施下列說明以及申請專利範圍以及附圖而明瞭。人們瞭解先前一般說明及下列詳細說明只作為範例性及說明性，以及預期提供概要或架構以瞭解申請專利範圍界定出本發明原理及特性。
所使用定義及專有名詞在底下加以說明：折射率外形圖是相對折射率(Δ%)和光纖半徑之間的關係圖，在光纖的選定部分從光纖的中央線所測得。
相對折射率百分比或差值百分比(△%)定義如下：
△%=100(n1 2 -nref 2 )/2n1 2
其中ni 為區域i中最大折射率，以及nref 為參考區域之折射率，除非另有說明。
模態場直徑(MFD)是測量在單模光纖中傳播的光線亮點大小和光束寬度。模態場直徑是光源波長，光纖心蕊半徑和光纖折射率外形圖的函數。MFD使用Peterman II法量測，其中MFD=2w，以及其中E為光纖中電場分佈以及r為光纖之半徑。
色像色散或光纖色散是材料色散，波導色散和模態間色散的加總。在單模波導光纖情況，模態間色散是零。
光纖有效面積為傳播光線之光纖面積以及定義為：
其中E為光纖中傳播光線相關之電場以及r為光纖之半徑。
截止波長是光纖只維持一種傳導模的最小波長。如果運作波長在截止波長以下可能發生多模的運作，引入額外的色散光源可能限制光纖的資訊攜帶能力。數學定義可以在"Single Mode Fiber Optics,Jeunhomme,pp. 39-44,Marcel Dekker,New York,1990"一文中找到，其中理論上的光纖截止被描述為在外包層中，模態傳導係數變成等於平面波傳導係數的波長。理論上的波長是適合無限長，完全直而沒有直徑變化的光纖。
光纖截止波長會低於理論上的截止波長，而且使用傳輸功率技術來測量，譬如描述於TIA-455-80B的技術標題為"Measurement Cut-off Wavelength of Uncabled Single -modeFiber By Transmitted Power"。為了避免雙包層光纖心蕊區域的光傳播和內包層區域的光傳播之間的干擾可使用發射光纖來引導光線光源到雙包層光纖的心蕊。發射光纖的截止波長稍稍大於期望的雙包層光纖的心蕊光纖截止波長。發射光纖的長度應該大於2公尺。發射光纖的心蕊大小大約和雙包層光纖的心蕊大小相同。在測量時，發射光纖小心地對齊雙包層光纖以確保發射光纖的心蕊和雙包層光纖的心蕊之間有效的耦合。
所有和波長相關的光學性質(譬如色散，截止波長等)在這裡是針對特定的波長研究報告。
應該要知道的是，如這裡所使用的Δ1 %是指雙包層光纖的心蕊相對於雙包層光纖的內包層的相對折射率百分比(Δ%)。因而△1 %=100(n1 2 -n2 2 )/2n1 2 ，其中n1 為心蕊折射率以及n2 為內包層折射率。
應該要知道的是如這裡所使用的Δ2 %是指雙包層光纖的內包層相對於雙包層光纖的外包層的相對折射率百分比(Δ%)。因而△2 %=100(n2 2 -n3 2 )/2n2 2 ，其中n2 為內包層折射率以及n3 為外包層折射率。
圖1A顯示的是依據這裡顯示和說明的實施範例中，具有高數值孔徑內包層的雙包層光纖。這裡說明的雙包層光纖大致是包括心蕊，內包層，和外包層。選擇外包層和內包層的材料使得外包層和內包層的折射率產生具有較高數值孔徑的內包層。心蕊，內包層和外包層大致是包含氧化矽，尤其是氧化矽玻璃。使用雙包層光纖的結構，成分，製造方法，特性和裝置將在這裡更詳細地說明和討論。
現在參考圖1A和1B，依據這裡說明的實施範例顯示雙包層光纖100的橫截面和對應的折射率外形圖。雙包層光纖100大致是包括心蕊102，內包層104，和外包層106，大致是包含氧化矽，尤其是氧化矽玻璃。在特定實施範例(未顯示出)中，一種或以上的保護性塗層可圍繞著外包層106。這裡顯示的特定實施範例中，雙包層光纖的橫截面大致是相對心蕊的中心呈圓形對稱，雖說應該也要瞭解光纖和光纖的各個層(心蕊，內包層，和外包層)可能有其他的幾何形狀設計。當雙包層光纖如圖1所示是呈圓形對稱時，雙包層光纖100的外直徑(譬如2r3 )可以從約125微米到約500微米，最好是從約125微米到約300微米，更好是從約125微米到約250微米。
圖1所示的實施範例中，心蕊102可具有第一折射率n1 。心蕊102可包含純氧化矽(SiO2 )或者心蕊102可包含一種或多種提高折射率摻雜劑，例如GeO2 ,Al2 O3 ,P2 O5 ,TiO2 ,ZrO2 ,Nb2 O5 及/或Ta2 O5 ，例如當心蕊為提高折射率摻雜劑。在這裡討論的實施範例中，心蕊102可包含從約5.5%重量比到約32.5%重量比GeO2 ，最好是從約5.5%重量比到約15%重量比GeO2 ，更好是從約5.5%重量比到約10%重量比GeO2 。心蕊102的半徑r1 可以從約1.5微米到約5微米，最好是從約2微米到約4.5微米，更好是從約2.5微米到約4微米，使得如果使用雙包層光纖以及非線性光學內視鏡時，通過雙包層光纖心蕊的傳播光線射點大小很小，有對應的高光學功率，因而產生強的非線性效應。然而，射點大小應該也要大的足以使光源和雙包層光纖的心蕊有效耦合。雙包層光纖的心蕊102有效面積可以從約7平方微米到約80平方微米，最好是從約13平方微米到約64平方微米，更好是從約20平方微米到約50平方微米。
心蕊相對於內包層(譬如Δ1 %)的相對折射率百分比(Δ%)可以是至少0.1%，最好是大於約0.2%，更好是大於約0.3%。心蕊的數值孔徑NA特徵在於角度範圍，在該角度範圍內心蕊可接受或發出光學訊號以及直接地相關於心蕊102和內包層104的折射率(這裡將進一步討論)。如這裡使用的"心蕊的數值孔徑"以表示，心蕊的折射率是n1 ，而內包層的折射率是n2 。除非另外說明，任何參考心蕊的數值孔徑或NAcore 是指如上述參考數學關係所決定的心蕊的數值孔徑。在這裡顯示和說明的實施範例中，可選擇包含心蕊102和內包層104的材料，使得心蕊102的數值孔徑是從約0.08到約0.2，最好是從約0.1到約0.15，更好是約0.12。心蕊的折射率外形圖可以是梯級外形圖如圖1B所示，也可以是圓梯級外形圖或梯度外形圖。
在特定實施範例中，心蕊102可以是被動的，譬如心蕊102不包含任何在心蕊102中啟動增益或雷射行為的主動元件。明確地說，心蕊102可以不包含任何稀土摻雜劑包括Yb,Er,Nd,Tm,Sm和Tb。在特定實施範例中，也可以加入磷到心蕊102以降低心蕊102內氧化矽玻璃的軟化溫度。假使心蕊是以內部蒸氣沉積(IVD)處理產生，這種方式特別有用。也可以另外加入磷以提升心蕊102的折射率。
在這裡顯示和說明的實施範例中，雙包層光纖的心蕊在所需的運作波長是單模的，譬如800nm,1060nm,1310nm和1550nm的波長。如這裡所用的，單模意味著雙包層光纖只支援光線特定波長的一種傳播模態。單模光纖大致比多模光纖有較佳的色散特性(譬如較低的色散)。就雙包層光纖是單模的情況而言，光纖截止波長大致是描繪運作波長，因為運作波長大於截止波長較適合單模傳播。因此，最好將光纖設計成使心蕊光纖截止波長小於光纖使用的運作波長，譬如小於800nm,1060,1310及/或1550nm。
內包層104可以有第二折射率n2 ，使得n2 <n1 。內包層104可以包含純氧化矽(SiO2 )具有一種或多種增加折射率摻雜劑(譬如GeO2 ,Al2 O3 ,P2 O5 ,TiO2 ,ZrO2 ,Nb2 O5 及/或Ta2 O5 )的氧化矽玻璃，譬如當內包層是增加折射率摻雜劑，又或者氧化矽玻璃具有減低譬如氟和硼折射率的摻雜劑，譬如當內包層是減少折射率摻雜劑。在特定實施範例中，內包層是純氧化矽玻璃。在另一實施範例中，內包層可以包含以GeO2 塗料的氧化矽玻璃，GeO2 的量從約5.5%重量比到約27%重量比，最好從約5.5%重量比到約15%重量比，更好從約5.5%重量比到約10%重量比。又在另一實施範例中，內包層可以包含以Al2 O3 塗料的氧化矽玻璃，Al2 O3 的量從約1%重量比到約15%重量比，最好從約1%重量比到約10%重量比，更好從約1%重量比到約5%重量比。應該要知道的是，加到心蕊的摻雜劑不一定要和加到內包層的摻雜劑一樣。例如，內包層可包含以GeO2 塗料的氧化矽玻璃，而心蕊可包含以Al2 O3 塗料的氧化矽玻璃。然而，假使在心蕊中，和GeO2 一起使用Al2 O3 ，而且運作波長(即訊號)在850nm以上，心蕊內最好使用小於2%重量比的Al2 O3 ，更好是使用小於1%重量比的Al2 O3 ，再更好是小於0.5%重量比，以在這些波長(即>850nm)，最小化心蕊內的光學散射。
內包層104的厚度(譬如r2 -r1 )可以大於約25微米，最好是大於約30微米，更好是大於約40微米。內包層104相對於外包層106(譬如Δ2 %)的相對折射率百分比(Δ%)是大於約1.5%，對應於至少0.25%的數值孔徑。內包層的數值孔徑特徵在於角度範圍，內包層在該角度範圍可接受或發出光學訊號，其根據內包層和外包層的折射率之間的數學關係而定。依據特定實施範例中，"內包層的數值孔徑"可以使用的關係式來計算，其中n2 是內包層的折射率，而n3 是外包層的折射率(這裡將進一步討論)。例如，表2A和2B顯示的光纖範例中，內包層的數值孔徑理論上是利用上述的數學關係式來決定。然而，表1顯示的光纖範例中，內包層的數值孔徑是利用設備和技術來實驗決定，將在這裡進一步討論。可以選擇內包層104和外包層106的相關組成份，使得折射率的差異可產生內包層104所需的數值孔徑。內包層的數值孔徑可以大於約0.25，最好大於約0.3，更好大於約0.35以最大化內包層可接受或發出光學訊號的角度範圍。內包層的折射率外形圖可以是梯級外形圖如圖1B所示，也可以是圓梯級外形圖，或梯度外形圖。
外包層的厚度(譬如r3 -r2 )可以從約10微米到約50微米，最好是從約12.5微米到約30微米，更好是從約15微米到約20微米。外包層106通常有第三折射率n3 ，使得n3 <n2 <n1 。如這裡所描述的，可以選擇內包層104和外包層106的材料組成份，使得折射率的差異可產生內包層104所需的數值孔徑。為了達到大於約0.25所需數值孔徑的內包層104，外包層106可以相對於內包層104摻雜減少折射率摻雜劑，使得外包層折射率n3 和內包層折射率n2 之間的差異可產生內包層104所需的數值孔徑。或者，內包層104可以相對外包層106摻雜增加折射率摻雜劑，或是內包層104可以相對外包層106摻雜增加折射率摻雜劑，而且外包層106相對內包層104摻雜減少折射率摻雜劑。
在特定實施範例中，外包層106可包含氧化矽玻璃，有一種或以上摻雜劑，譬如氟，硼或其組合，可相對內包層104的折射率n2 ，降低外包層106的折射率n3 (譬如外包層106是摻雜減小折射率摻雜劑)。在特定實施範例中，外包層106可包含氧化矽玻璃，小於約5%重量比F和小於約10%重量比B(為B2 O3 形式)，最好是小於約2.5%重量比F和小於約5%重量比B(B2 O3 形式)，更好是小於約2%重量比F和小於約5%重量比B(B2 O3 形式)，使得內包層104相對於外包層106(譬如Δ2 %)的相對折射率百分比(Δ%)是大於約1.5%。當內包層104包含純氧化矽玻璃，而外包層106包含具有約2%重量比F和約5%重量比B的氧化矽玻璃時，內包層的數值孔徑可以是約0.30。在另一實施範例中，當內包層104包含增加內包層折射率的摻雜劑(譬如GeO2 ,Al2 O3 等等)，而外包層106包含具有約2%重量比F和約5%重量比B的氧化矽玻璃時，內包層的數值孔徑可以大於約0.30。
或者，可藉著形成外包層來減少外包層106的折射率n3 ，使得外包層包含圖2和3所示的空隙分佈，顯示兩個外包層包含空隙的雙包層光纖實施範例200,300。空隙可包含空氣及/或固化氣體，使得空隙的折射率小於外包層的折射率。據此，藉著合併外包層內的空隙可減少相對於內包層的外包層折射率n3 。
圖2顯示的是具有含空隙外包層206的雙包層光纖200橫截面。含空隙外包層206包括多個外形在整個外包層的空隙208。在特定實施範例中，空隙個別的閉合的空隙形成在外包層內，在光纖預形件的製造期間外包層的材料沉積並固化，在此抽拉雙包層光纖200。閉合的空隙可包含固化氣體，在固化處理期間變得陷進空隙中。在所示的實施範例中，空隙208可以很小譬如空隙的直徑可能小於沿著雙包層光纖200的內包層104傳播的光線波長。例如，空隙208的直徑可能小於500nm，最好是小於300nm，最好是小於200nm。如圖2所示，空隙在整個外包層206是隨機的大小的外形，使得外包層包含的空隙分佈具有不同的橫截面。當外包層的空隙是如這裡定義的小型空隙時，空隙的區域空隙面積百分比可能大於約10%，最好大於約20%，更好大於約25%。空隙的區域空隙面積百分比最好小於約60%。如這裡使用的，空隙的區域空隙面積百分比是指包含空隙區域(譬如外包層)內的空隙總面積除以包含空隙區域的總面積(垂直於光纖軸取得的光纖橫截面)再乘以100。在圖2所示的特定實施範例中，外包層206的區域空隙面積百分比大約是25%。
在特定實施範例中，包含在外包層的空隙可以是非週期性配置，或週期性配置，或兩者。"非週期性配置"或"非週期性外形"是指在光纖的特定橫截面(譬如垂直於縱軸的橫截面)，非週期性配置空隙是隨機或非週期性外形在整個外包層。沿著光纖長度的不同點所取得的類似橫截面顯示不同的橫截面洞圖案，亦即各種橫截面有不同的洞圖案，這裡空隙分佈和空隙大小並不匹配。這些空隙沿著光纖長度(亦即平行於縱軸)延伸(伸拉)，但以一般傳輸光纖的長度而言並不會延伸整個光纖的長度。雖然不希望侷限於理論，我們相信空隙延伸小於數公尺，在很多情況沿著光纖長度小於1公尺。這裡說明的雙包層光纖可使用預形件固化條件的方法製造，可有效產生被套在固化玻璃空白處顯著的氣體量，因而在固化玻璃光纖預形件內導致空隙的形成。不採取步驟移除這些空隙，而使用產生的預形件形成內有空隙的光纖。如這裡使用的，當觀看跨越光纖縱軸垂直橫截面的光纖時，空隙的直徑是最長的線段，其端點位在限定空隙的氧化矽內部表面。
在圖2所示的實施範例中，以上描述的雙包層光纖200的內包層104和心蕊102是相對圖1所示的雙包層光纖100。具有內包層的雙包層光纖包含純氧化矽玻璃和包含空隙的外包層大約是25%空氣的區域空隙面積百分比，可能產生數值孔徑約0.68的內包層。
雖然圖2顯示的空隙208在這裡被描述成具有隨機大小外形的閉合非週期性外形的空隙，應該要瞭解的是空隙208也可以在整個外包層作週期性外形，而且空隙也可以是一般均勻的大小。更進一步，空隙也可以是敞開式的，因而包含空氣，這裡將更詳細說明。
現在參考圖3，顯示的是具有含空隙外包層306的雙包層光纖300另一個實施範例。在這個實施範例中，空隙308很大，譬如空隙308的直徑可能大於沿著雙包層光纖300的內包層104傳播的光線波長。例如在這個實施範例中，大型空隙308的直徑通常可能大於1微米，最好是大於約5微米，更好是大於約10微米。當空隙308是如這裡定義的大型空隙時，區域空隙面積百分比可能大於約80%，最好大於約90%，更好大於約95%。當空隙308是如這裡定義的大型空隙時，區域空隙面積百分比最好小於約98%。在顯示的範例中，外包層306的區域空隙面積5大約是90%可大幅降低外包層的整個折射率。當外包層的區域空隙面積百分比大約是90%空氣時，包含純氧化矽玻璃的內包層可能有大約1的數值孔徑。
在圖3所示的實施範例中，空隙308可以週期性外形在整個外包層的橫截面。空隙308也可以包含大致相同的直徑。空隙308也可以是敞開式的因而包含空氣。空隙308可藉著在光纖預形件的外包層區域鑽孔而形成，雙包層光纖就是由預形件抽拉製成。或者，大型空隙308也可以使用形成光纖預形件的"堆疊和抽拉"方法來形成。可使用鑽孔以及堆疊和抽拉來產生小型空隙(譬如圖2描述的)或大型空隙(譬如圖3描述的)。然而，應該要瞭解的是也可以使用其他在外包層形成敞開式空隙的技術。
在特定實施範例中，圖1-3的雙包層光纖可藉由外部蒸氣沉積(OVD)處理產生。OVD處理是透過和特定氣相成份(包括氧化矽和其他摻雜劑先質)反應製造光纖的方式經由在CH4 +O2 火焰中水解處理以形成氧化矽玻璃及/或氧化矽玻璃和摻雜劑粉塵粒子，然後以熱泳的方式收集到餌棒(用來製作心蕊粉塵預形件)，或玻璃心蕊桿或棒(用來製作包層粉塵預形件)。接著烘乾粉塵預形件，在高溫爐中密實化成固體玻璃(在餌棒從心蕊預形件移除後)，這種處理一般稱為固化作用。可藉著在粉塵預形件製造處理過程中為每一層使用各種氣相成分的不同量以達到心蕊和包層所需的組成份。扼要地說，首先產生心蕊及/或包層預形件，然後固化，再以已知的纖維抽拉方法將最後(固化)的預形件抽拉成光纖。
更明確地說，可使用氣相先質材料來製造粉塵預形件部份，及雙包層光纖心蕊可以是例如SiCl4 ,GeCl4 ,AlCl3 ,TiCl4 ，或POCl3 。在一些實施範例中，心蕊預形件包含純氧化矽玻璃，或以GeO2 塗料的氧化矽玻璃。在粉塵固化成心蕊預形件後，可使用OVD處理在固化的心蕊預形件上沉積SiO2 煙灰以形成雙包層光纖的內包層粉塵預形件。如以上所描述的，內包層可包含摻雜劑來增加或減少內包層的折射率。這種摻雜劑可和SiO2 粉塵一起沉積。例如，當內包層是以GeO2 增加折射率時，GeO2 可以和SiO2 粉塵一起沉積。在內包層的煙灰預形件沉積在心蕊預形件之後，可固化內包層的粉塵預形件以形成一層圍繞心蕊預形件的密實氧化矽玻璃。在一些實施範例中，心蕊預形件包含純氧化矽玻璃而沒有任何摻雜劑(而且相對於SiO2 ，內包層是減少折射率)。
在內包層的粉塵預形件沉積之後，外包層的粉塵預形件也可以沉積在心蕊預形件上。在特定實施範例中，如以上所討論的，外包層包含以B2 O3 形式用氟和硼減少折射率的氧化矽玻璃。據此，為了沉積減少折射率摻雜劑的氧化矽玻璃層，可沉積SiO2 或以B2 O3 減少折射率的SiO2 到內包層固化的粉塵預形件以形成外包層的粉塵預形件。在固化處理過程，可使用含F的氣體，譬如SiF4 以降低預形件包層部分的折射率。如以上所討論的，包含B及/或F的固化玻璃比純氧化矽有較低的折射率。
假使使用氟/硼共同摻雜劑，可以經由兩個步驟達成氧化矽玻璃的氟/硼共同摻雜劑：(i)在粉塵沉積中摻雜硼；接著(ii)在固化期間燒結摻雜之氧化矽。
例如，可以在純氧化矽或以氧化矽向上或減少折射率摻雜劑的內包層上沉積硼摻雜劑的SiO2 外包層，而且內包層圍繞著純氧化矽或以GeO2 摻雜劑的氧化矽心蕊棒，使用BCl3 和SiCl4 或含B-和Si-的有機金屬先質當作來源材料。應該要注意當OVD燃燒器火焰溫度減少時，沉積作用的硼擷取能力就會增加。沉積階段的最佳溫度範圍是大約1400℃到1600℃，粉塵的目標氧化硼含量10%重量比到12%重量比，而在接下來的固化階段，適合較容易的F燒結摻雜劑的粉塵密度(譬如小於0.6gm/cm3 ，最好是小於0.5gm/cm3 ，更好是小於0.4gm/cm3 )。這種摻雜硼粉塵製造的預形件，由於其較低溫的水解過程和粉塵成分較高的熱膨脹係數，通常有較高的OH含量和高應力水準。為了避免粉塵預形件破裂的可能性，粉塵預形件最好在固化時F燒結摻雜之前進行熱穩定步驟。粉塵預形件最好在100℃到500℃進行熱穩定，譬如在固定300℃的爐中，在乾的惰性氣體中放8小時。就這方面，熱穩定期間可以是3到24(譬如10,12,16，或18小時)，較大型的粉塵預形件則需要較長的熱穩定期間。
依據此實施範例的粉塵預形件，接下來在爐中和F化合物固化，譬如和SiF4 或CF4 。依據本發明的實施範例中，氟(F)燒結摻雜劑到含硼的粉塵預形件是單一區域的固化處理。整個固化處理發生在爐中較低溫的乾燥區域，通常是位在標準固化爐的上面部分。由於B/F共同摻雜劑氧化矽(大約800℃或以下)相當低的玻璃轉換溫度(Tg)，固化處理是在相對低的溫度下進行。範例的粉塵預形件(摻雜10%重量比B)，首先在大約850℃-900℃以Cl2 烘乾45-60分鐘。然後以斜線速率提高乾燥區域的溫度到1200℃，以SiF4 燒結/摻雜F歷時90到150分鐘。在燒結和F摻雜劑期間，固化玻璃內的硼成份會明顯下降，譬如從10%重量比的粉塵相到4-8%重量比完全固化的玻璃相。這種降低是在氟呈現時，藉著來自硼的蝕刻所導致。於是，玻璃內硼和氟濃度的範圍可以分別是4-8%重量比和1.5-2.5%重量比。在固化處理後，冷卻固化的預形件，再作光纖抽拉。
在另一實施範例中，雙包層光纖的外包層可包括含空隙的外包層，而不是包含B及/或F摻雜劑的外包層。含空隙外包層的空隙可降低外包層的折射率。在特定實施範例中，為了產生含空隙的外包層，SiO2 粉塵可以沉積在內包層的固化粉塵預形件上。在固化玻璃內可有效圍住一部分固化氣體的情況下，沉積並固化SiO2 粉塵，因而在光纖預形件外包層區域中產生閉合式空隙陣列，從光纖預形件抽拉雙包層光纖。例如，可以在空氣中固化外包層，使得空隙被閉合時有一部分的空氣被圍住。空氣可以包含降低折射率的氣體譬如氮或氪。然而，應該要瞭解的是，也可以使用降低玻璃折射率的其他氣體，譬如氮，氬，二氧化碳，氧，CF4 ，氯，CO,C2 F6 ,SO2 ,Kr,Xe,Ne和其混合物，但不是空氣。在一些實施範例中，用來產生含空隙外包層的方法可能類似於美國第12/151,170號專利申請案，申請日期為2008/5/5，發明名稱為"MICROSTRUCTURED OPTICAL FIBERS AND METHODS"中說明的方法，雖然也可使用其他方法來形成含空隙外包層。
如以上所描述的，可利用數學計算內包層的數值孔徑。然而，在一些情況下，可能需要實驗決定內包層的數值孔徑。例如，在有些情況，可能無法精準得知內包層的折射率n2 。在這種情況下，可使用角度測量技術來測量這裡所描述雙包層光纖的內包層數值孔徑，標題為"Propagation losses of pump light in rectangular double-clad fibers" by Anping Lu and Kenichi Ueda,3134 Optical Engineering,Vol. 35 No. 11,November 1996，一文中所描述的。執行類似測量技術的範例裝置圖示於圖4。裝置通常包括光源406，可旋轉平台404和光學感測器412。光源406通常包括具有特定中央波長的寬頻光源。例如，可選用不同寬頻光源以得到不同的中央波長。我們有興趣的是具有對應典型雙包層光纖運作波長的中央波長的光源，內視鏡也是使用同樣的光源。據此，寬頻光源可以具有850nm,1060nm,1310nm或1550nm的中央波長。
為了測量內包層的數值孔徑，將雙包層測試光纖402放在可旋轉平台404上，使得雙包層測試光纖402的角度位置可以相對來自光源的光線準確控制。光源406的輸出可以耦合光纖410和校準透鏡408耦合到雙包層測試光纖402的切割端。明確地說，光源406的輸出可以耦合到雙包層測試光纖402的內包層。耦合到雙包層測試光纖402內包層的光線在通過校準透鏡之後是真正被校準。雙包層測試光纖402的另一端耦合到光學感測器412以測量耦合到雙包層測試光纖402的光線功率。
雙包層測試光纖402透過一個範圍的輸入角度θi 旋轉，使得雙包層測試光纖402的角度位置可相對於來自光源406的光線調整。當雙包層測試光纖402旋轉時，所測得耦合到雙包層測試光纖402內包層的光線功率是來自光源406的光線輸入角度θi 的函數。圖5顯示的是耦合到雙包層測試光纖402內包層的光線正常功率的範例圖，其為角度指向的函數。使用一半角度(例如∣θ1 -θ2 ∣/2)可以從來自光源的光線特定波長計算出雙包層測試光纖402內包層的數值孔徑。為了執行這種計算，先設定門檻值以決定θ1 和θ2 。例如，門檻值可以設定在耦合到雙包層測試光纖402內包層的光線尖峰功率的2.5%。據此，可藉由旋轉雙包層測試光纖402以決定θ1 及/或θ2 ，直到耦合到雙包層測試光纖內包層的光線尖峰功率是耦合到光纖尖峰或最大功率的2.5%。從相對於光源輸出的雙包層測試光纖角度位置可決定θ1 及/或θ2 。就特定的門檻功率水準，內包層的數值孔徑可用下列式子計算：NA=sin(θ1 -θ2 )/2。可測量數種不同波長的內包層數值孔徑。然而，數值孔徑大致上是稍稍相關於耦合到光纖的光線波長。可以使用圖4顯示的測量裝置，和上述的數學式子來決定內包層的數值孔徑。
列於表1三種光纖範例的內包層數值孔徑是利用前述技術來實驗決定。雙包層測試光纖是使用這裡描述的外部蒸氣沉積(OVD)處理製造。所有這三種雙包層測試光纖的心蕊都包含5.5%的GeO2 (沒有稀土摻雜劑)，而內包層則包含純氧化矽玻璃。在這些光纖實施範例中，光纖的心蕊沒有包含稀土摻雜劑，也沒有包含Al或F。外包層包含以2%重量比F和5%重量比B2 O3 摻雜劑的氧化矽玻璃以降低外包層相對於內包層的折射率。列出了這三種範例光纖的心蕊半徑(r1 )，內包層半徑(r2 )，和外包層半徑(r3 )。測得的表1所示雙包層測試光纖的數值孔徑，在2.5%下強度門檻值是0.25。這三種範例雙包層測試光纖測得的心蕊光纖截止波長是在800nm以下，而心蕊的模態場直徑(MFD)在800nm下是從約4.7到約5.7。心蕊相對於包層(譬如Δ1 %)的相對折射率百分比(Δ%)決定是0.36%。
表2A和2B顯示範例的雙包層光纖組成份和對應的光學性質。每種範例組成份是依據具有心蕊，內包層和外包層的光纖，全部包含氧化矽為主的玻璃。應該要注意，如表2A和2B顯示的範例光纖，光纖心蕊最好不包括A1,因此表2A的範例光纖顯示出非常低的散射耗損，而且在1060nm到1700nm的運作波長範圍，小於1dB/km的低衰減。(在比較的光纖範例中有類似的折射率外形圖，但心蕊中呈現Yb2 O3 ,Al2 O3 和GeO2 ，在1120nm-1700nm的波長範圍，衰減大於20dB/km，而在1100nm以下的波長衰減大於100dB/km)。
光纖1以氧化矽玻璃為主的心蕊半徑是2.5微米，包括5.5%重量比GeO2 以增加心蕊的折射率。心蕊理論上的截止波長是779nm，使得雙包層光纖的心蕊在800nm的運作波長是單模的。內包層是純氧化矽，心蕊相對於內包層(譬如Δ1 %)的相對折射率百分比(Δ%)是0.34%。外包層包含以2%重量比F和5%重量比B2 O3 摻雜劑的氧化矽玻璃以降低外包層的折射率。內包層相對於外包層(譬如Δ2 %)的相對折射率百分比(Δ%)是2.1%，對應於具有0.3數值孔徑的內包層。外包層的外部半徑r3 是62.5微米，使得雙包層光纖是標準125微米直徑的光纖。
內包層的數值孔徑可藉著增加內包層(n2 )相對於外包層的折射率來增加。例如，光纖2的內包層以27.0%重量比GeO2 摻雜劑，因而提升內包層的折射率。外包層的折射率以和光纖1相同F和B2 O3 的%重量比摻雜劑。由於內包層(n2 )增加折射率，內包層相對於外包層的相對折射率增加到大約3%，尤其是3.76%，而內包層的數值孔徑則增加到0.4。在這個例子中，心蕊是以額外的GeO2 摻雜劑以維持Δ1 %在0.34%，如同光纖1。
或者，內包層也可包含其他可增加內包層折射率的摻雜劑。例如，光纖3的內包層包含14.1%的Al2 O3 ，有增加內包層(n2 )折射率的效果，提高內包層相對於外包層的相對折射率到大約3%，尤其是3.1%，而且提升內包層的數值孔徑到0.36。如同光纖2，心蕊是以足夠的GeO2 摻雜劑以維持Δ1 %在0.34%。
圖1-3的範例組成份是相對雙包層光纖，其中外包層半徑(r3 )是62.5微米。然而，有些應用可能需要較大直徑的光纖，更進一步改善光纖的收集效能。據此，在光纖4中光纖1組成份的雙包層光纖尺寸被放大以產生具有250微米外部直徑的光纖。光纖4組成份的較大直徑雙包層光纖數值孔徑和其他特性和光纖1組成份的雙包層光纖情況一樣。
在光纖1-4範例組成份中，雙包層光纖的心蕊數值孔徑是012，而模態場直徑(MFD)是5.5微米。然而，在很多應用上可能需要高數值孔徑和較小MFD的心蕊。這可經由摻雜劑增加心蕊的折射率而達成。在光纖5中，心蕊是以8.1%重量比GeO2 摻雜劑(和光纖1的5.5%重量比GeO2 比較)。和光纖1作比較，光纖5額外的GeO2 增加光纖的Δ1 %到0.50%，並增加心蕊的數值孔徑到0.15，一方面減少MFD到4.5微米。
在表1A的範例組成份中，設計800nm運作波長的雙包層光纖。然而，如表1A所示，在800nm時，雙包層光纖心蕊的色散在800nm下大約是-120ps/nm/km。為了減少心蕊的色散，可使用不同的運作波長。這種運作波長大致對應一般用在內視鏡的其他運作波長。例如，非線性光學內視鏡的運作波長範圍是在800到1550nm。表2B中顯示光纖6-10中的雙包層光纖是設計在800nm以外的運作波長，明確地說就是1060nm,1310nm和1550nm。
例如，光纖6是設計在1600nm的運作波長。這可藉著增加心蕊的半徑到3.22微米而達成。於是，心蕊的截止波長是1021nm以使雙包層光纖在1600nm是單模的。光纖6的雙包層光纖有7.28的MFD，大於設計在800nm運作光纖的MFD。設計在較大波長運作的雙包層光纖有一項特別的好處就是減少光纖心蕊染色的色散。例如，表2A設計在800nm運作的光纖，心蕊色像色散在800nm下大約是-120ps/nm/km。然而，設計在1600nm運作的光纖6，心蕊色像色散是-34.9ps/nm/km，比表1A設計在800nm運作對應的雙包層光纖，大約改善了85ps/nm/km。
的確，如光纖7所示，設計在1310nm運作的光纖，可得到接近零色散的心蕊。這可藉著增加心蕊的半徑r1 來達成。例如，增加心蕊的半徑產生的雙包層光纖，心蕊色散的絕對值是小於約10ps/nm/km，最好是小於約5ps/nm/km，在大約1310nm的運作波長，更好是小於約2ps/nm/km。當心蕊的半徑增加到4.01微米，心蕊的截止波長是1295nm，雙包層光纖在1310nm變成是單模的。在這個實施範例中，雙包層光纖心蕊的染色色散降低到-0.03ps/nm/km。
在另一範例中，藉著增加Δ1 %和減少心蕊的半徑r1 設計在1550nm運作波長下接近零色散的雙包層光纖。增加Δ1 %和減少心蕊的半徑r1 所產生的雙包層光纖之心蕊色散的絕對值是小於約10ps/nm/km，最好是小於約5ps/nm/km，在大約1550nm的運作波長下，更好是小於約2ps/nm/km。例如，在光纖8中，藉著以19.5%重量比GeO2 摻雜劑心蕊，增加心蕊的折射率來增加Δ1 %。當內包層包含純氧化矽時，Δ1 %變成1.2%。心蕊的半徑r1 也減少到2.28微米，使得心蕊的截止波長是1240nm。因此，雙包層光纖在任何1240nm以上的波長是單模的。在1550nm的運作波長下，光纖8的色散是約-0.04ps/nm/km。
如以上所討論的，增加內包層數值孔徑的另一種方法是藉著形成包含空隙的外包層，空隙分佈在整個外包層以減少外包層的折射率。圖9和10是兩種具有含空隙外包層的雙包層光纖的範例組成份。
光纖9具有含空隙的外包層，包含小型圍住氣體的閉合式空隙，使得外包層的空隙區域大約是25%。這降低了外包層的折射率，於是內包層相對於外包層的相對折射率百分比(Δ2 %)增加到11.7%，而且內包層的數值孔徑增加到0.68。更者，設計光纖在1310nm波長下運作(譬如光纖的半徑r1 是4.01，和範例7一樣)。使得雙包層光纖在運作波長也有接近零的色散。
在光纖10中，包含空隙的外包層，包括大型含有氣體的敞開式空隙，使得外包層的空隙區域包含90%的空氣。這降低了外包層的折射率，於是內包層相對於外包層的相對折射率百分比(Δ2 %)增加到30%，而且內包層的數值孔徑增加到1.0。如同光纖9，設計光纖在1310nm波長下運作，使得雙包層光纖在運作波長有接近零的色散。
表2A和2B的範例光纖有GeO2 摻雜劑的心蕊。然而，心蕊中也可使用其他的摻雜劑。例如，表2C的光11氧化矽為主的心蕊是以4.2%的Al2 O3 摻雜劑，而沒有其他的摻雜劑(即不含GeO2 )。可以使用範例光纖11來偵測300-500nm波長範圍的訊號(由於雙光子吸收)，因為在這種波長範圍(300-500nm),Al2 O3 摻雜劑的心蕊有較少的吸收和螢光，並且產生較低的雜訊背景。然而，心蕊中的Al2 O3 可能會增加線性和非線性的螢光(相對於純氧化矽心蕊)，因而增加內視鏡應用的背景雜訊。很吸引人的是，純氧化矽心蕊的光纖可用來進一步降低背景雜訊。表2C的範例光纖12有純氧化矽的心蕊，因此比範例光纖11有較少的背景雜訊。範例光纖12中，以F摻雜內包層降低折射率以產生心蕊內的波導，而外包層包含B和F，使得外包層比內包層有較低的折射率百分比。兩個範例光纖(11和12)設計用在800nm的運作波長，並且是以氧化矽為主的心蕊。光纖11在800nm波長有小於5dB的衰減。光纖12在800nm波長下有小於3dB的衰減，而在1600nm波長下有小於1dB的衰減。然而，其他運作波長的光纖也可以利用類似的方法設計。
現在參考6，圖示的是非線性光學內視鏡500。其中描述和顯示雙包層光纖的內包層有相當高的數值孔徑，此得這種光纖特別適合和這種非線性光學內視鏡一起使用，尤其當內視鏡是使用雙光子或多光子螢光處理，從目標材料產生影像或光譜。非線性光學內視鏡500通常包括光源508(譬如雷射)包含心蕊504的雙包層光纖502，內包層506和這裡描述的外包層，光束掃瞄單元512和光學感測器514。
光源508可以包含一個雷射光源譬如短脈衝雷射光源。光源508的輸出可以在雙包層光纖第一端的光學元件510耦合到雙包層光纖502的心蕊。光學元件可以包括透鏡，校準透鏡，鏡子等。雙包層光纖可以通過光耦合雙包層光纖502的內包層到光學感測器514的光學耦合器535，其將進一步討論。光束掃瞄單元512可以在雙包層光纖的第二端光學耦合到雙包層光纖502。
光束掃瞄單元512可用來以兩個方向定位雙包層光纖502，使得光源508的輸出可以掃瞄整個目標物522。在特定實施例中，光束掃瞄單元512包含一個壓電致動器，可用來以兩個方向定位雙包層光纖502，因而達到目標物522上光源508輸出所需的掃瞄圖案。非線性光學內視鏡500也可以包括一個或多個透鏡(未顯示)置放在光束掃瞄單元512，使得離開雙包層光纖502的光源輸出通過透鏡，聚焦在目標物522上。透鏡也可以用來從目標物射出的光線聚焦在雙包層光纖502的內包層506。在特定實施例中，可在光束掃瞄單元512和目標物522之間放置聚焦離開雙包層光纖502光源輸出透鏡。
光學感測器514可以經由光學耦合器535光耦合到雙包層光纖的內包層，使光學訊號沿著內包層傳播，尤其是從目標物射出並收集到內包層506的光學訊號都可藉由光學偵測器接收。傳輸光纖530連接光學耦合器535到光學感測器514。更明確地說，光學耦合器535耦合在雙包層光纖的內包層傳播的光線到傳輸光纖530以傳輸光線到光學感測器。在特定實施例中，光學感測器回應沿著內包層傳播的光學訊號產生對應的電輸出訊號到計算機516，根據接收的輸出訊號程式設計以形成影像，或者就是分析光學感測器所收到的輸出訊號。在另一個實施例中，光學感測器514可以包含光譜儀及/或影像裝置產生輸出訊號以指示沿著內包層506傳播光學訊號得到光譜的資訊。在任一個實施例中，可使用光學感測器的輸出來決定目標物的特性，譬如根據從目標物射出的光線產生目標物影像或是由於螢光處理過程，產生指示從目標物射出不同波長強度的光譜。
在運作上，非線性光學內視鏡的光源508(譬如雷射)產生光線脈衝利用光學元件耦合到雙包層光纖502的心蕊504。光線脈衝沿著雙包層光纖502傳播，並且在接近光束掃描單元512的雙包層光纖第二端離開。光束掃瞄單元512可用來定位雙包層光纖502使得離開雙包層光纖的光線脈衝可以沿著目標物522掃瞄。當光線脈衝離開雙包層光纖，入射到目標物時，目標物可能會發出螢光，並且發出光學訊號520。由目標物522發射的光學訊號520收集回雙包層光纖，明確地說是收集回到雙包層光纖502的內包層。由於內包層大型的數值孔徑(譬如NA>.25)，雙包層光纖得以大的發散角度收集光學訊號520，因而改善雙包層光纖光學訊號的收集效能。
在由目標物發射的光學訊號520收集回內包層後，光學訊號沿著雙包層光纖502內包層傳播回來以傳輸光纖530藉由光學耦合器535轉向到光學感測器514。光學感測器514轉換光學訊號成為電子訊號可用來進一步分析及/或影像化目標物。
現在應該要知道，這裡顯示和描述的雙包層光纖各種實施例和組成份可以產生具有大於約0.25數值孔徑的雙包層光纖。更者，這裡顯示和描述雙包層光纖的特定實施例和組成份可以產生除了具有大於約0.25數值孔徑，而且低色像色散的雙包層光纖。
應該也要知道這裡顯示和描述的雙包層光纖的光學特性明確地說是雙包層光纖內包層的大型數值孔徑，使雙包層光纖的光學特性特別是合併入光學內視鏡，特別是使用雙光子或多光子處理以影像化及/或分析目標物的非線性光學內視鏡。尤其，使用如這裡顯示和描述的雙包層光纖可改善非線性光學內視鏡光學訊號的收集效能，因而改善非線性光學內視鏡所產生的影像品質，以及藉由非線性光學內視鏡所收集光學訊號的資料品質。
熟知此技術者瞭解本發明能夠作許多變化及改變而並不會脫離本發明之精神及範圍。預期本發明含蓋本發明各種變化及改變，其屬於下列申請專利範圍以及同等物範圍內。
100．．．雙包層光纖
102．．．心蕊
104．．．內包層
106．．．外包層
200．．．雙包層光纖
206．．．外包層
208．．．空隙
300．．．雙包層光纖
306．．．外包層
308．．．空隙
402．．．雙包層測試光纖
404．．．可旋轉平台
406．．．光源
408．．．校準透鏡
410．．．耦合光纖
412．．．光學感測器
500．．．非線性光學內視鏡
502．．．雙包層光纖
504．．．心蕊
506．．．內包層
508．．．光源
510．．．光學元件
512．．．光束掃瞄單元
514．．．光學偵測器
522．．．目標物
530．．．傳輸光纖
535．．．光學耦合器
在附圖中所揭示實施例為列舉性以及並不預期限制申請專利範圍界定出之本發明。除此，當隨同下列附圖閱讀本發明時，將了解下列本發明特定實施例詳細說明，附圖中類似結構以相同的參考符號標示。
圖1A顯示出依據在此所顯示及說明之一項或多項實施例的雙包層光纖斷面圖。
圖1B顯示出依據圖1A所顯示及說明之一項或多項實施例的雙包層光纖折射率外形。
圖2顯示出依據在此所顯示及說明一項或多項實施例在外包層中包含孔隙隨機外形(尺寸及位置)之雙包層光纖斷面圖。
圖3顯示出依據在此所顯示及說明一項或多項實施例在外包層中包含孔隙規則外形(尺寸及位置)之另一雙包層光纖斷面圖。
圖4顯示出量測光纖數值孔徑5 1測試裝置。
圖5為曲線圖，其顯示出使用圖4測試裝置經由光纖耦合光源之標準化功率，為光纖角度指向之函數。
圖6示意性地顯示非線性光學內視鏡，其利用依據在此所顯示及說明一項或多項實施例之雙包層光纖。
本發明其他特性及優點揭示於下列說明，以及部份可由說明清楚瞭解，或藉由實施下列說明以及申請專利範圍以及附圖而明瞭。人們瞭解先前一般說明及下列詳細說明只作為範例性及說明性，以及預期提供概要或架構以瞭解申請專利範圍界定出本發明原理及特性。
100．．．雙包層光纖
102．．．心蕊
104．．．內包層
106．．．外包層

Claims (30)

  1. 一種雙包層光纖，其包括心蕊，內包層，和外包層，其中：心蕊包含小於5微米的半徑，第一折射率n1 以及不包含任何主動稀土摻雜劑；內包層包圍著心蕊以及包括至少25微米的徑向厚度，至少0.25的數值孔徑，以及第二折射率n2 ，使得n2 <n1 ，其中心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(△%)為大於0.1%；外包層包圍著內包層以及包括10微米到50微米的徑向厚度以及第三折射率n3 ，使得n3 <n2 ，其中內包層相對於外包層的相對折射率百分比(△%)為大於1.5%；以及心蕊，內包層以及外包層由氧化矽為主玻璃形成。
  2. 依據申請專利範圍第1項之雙包層光纖，其中心蕊之數值孔徑為0.08至0.2。
  3. 依據申請專利範圍第1項之雙包層光纖，其中內包層包含純氧化矽玻璃以及心蕊包含5.5%重量比GeO2 至32.5%重量比GeO2 。
  4. 依據申請專利範圍第1項之雙包層光纖，其中內包層包含純氧化矽玻璃以及外包層為共同摻雜硼及氟。
  5. 依據申請專利範圍第4項之雙包層光纖，其中外包層包含小於5.0%重量比F以及小於10%重量比為B2 O3 形式之B。
  6. 依據申請專利範圍第1項之雙包層光纖，其中 內包層包含摻雜劑使得內包層相對於外包層的相對折射率百分比(△%)為大於3%；心蕊包含摻雜劑使得心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(△%)為大於0.3%；以及外包層包含小於5.0%重量比F以及小於10%重量比為B2 O3 形式之B。
  7. 依據申請專利範圍第6項之雙包層光纖，其中內包層包含5.5%重量比至27%重量比GeO2 。
  8. 依據申請專利範圍第6項之雙包層光纖，其中內包層包含1%重量比至15%重量比Al2 O3 。
  9. 依據申請專利範圍第1項之雙包層光纖，其中外包層包含孔隙分佈，其相對於內包層折射率n2 降低外包層之折射率n3 。
  10. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中孔隙為非週期性地分佈於整個外包層。
  11. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中孔隙為週期性地分佈於整個外包層。
  12. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中孔隙包含不同的斷面面積。
  13. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中孔隙直徑為小於500nm以及外包層之區域孔隙面積百分比為10%至30%。
  14. 依據申請專利範圍第13項之雙包層光纖，其中孔隙為閉合的以及包含氮氣，氪或其組合。
  15. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中孔隙為敞開的。
  16. 依據申請專利範圍第15項之雙包層光纖，其中孔隙直徑為小於1微米以及外包層之區域孔隙面積百分比為80%至95%。
  17. 依據申請專利範圍第9項之雙包層光纖，其中內包層包含純氧化矽玻璃以及心蕊包含5.5%重量比至27%重量比GeO2 。
  18. 一種雙包層光纖，其包括心蕊，內包層，和外包層，其中：心蕊包含小於5微米的半徑，第一折射率n1 以及不包含任何主動稀土摻雜劑；內包層包圍著心蕊以及包括至少25微米的徑向厚度，至少0.25的數值孔徑，以及第二折射率n2 ，使得n2 <n1 ，其中心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(△%)為大於0.1%；外包層包圍著內包層以及包括10微米到50微米的徑向厚度以及第三折射率n3 ，使得n3 <n2 ，其中內包層相對於外包層的相對折射率百分比(△%)為大於1.5%；以及心蕊，內包層以及外包層由氧化矽為主玻璃形成，其中在操作波長1550nm下心蕊像差色散之絕對值為小於10ps/nm/km。
  19. 一種雙包層光纖，其包括心蕊，內包層，和外包層，其中：心蕊包含小於5微米的半徑，第一折射率n1 以及不包含任何主動稀土摻雜劑；內包層包圍著心蕊以及包括至少25微米的徑向厚度，至少0.25的數值孔徑，以及第二折射率n2 ，使得n2 <n1 ，其中心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(△%)為大於0.1%；外包層包圍著內包層以及包括10微米到50微米的徑向厚度以及第三折射率n3 ，使得n3 <n2 ，其中內包層相對於外包層的相對折射率百分比(△%)為大於1.5%；以及心蕊，內包層以及外包層由氧化矽為主玻璃形成，其中在操作波長1310nm下心蕊像差色散之絕對值為小於10ps/nm/km。
  20. 一種光學內視鏡，其包括雷射光源，雙包層光纖，光束掃瞄單元，光學感測器以及計算機，其中：雙包層光纖可包括心蕊，內包層以及外包層，其中：心蕊具有小於5微米的半徑，第一折射率n1 以及不包含任何主動稀土摻雜劑；內包層包圍著心蕊以及包括至少25微米的徑向厚度，至少0.25的數值孔徑，以及第二折射率n2 ，使得n2 <n1 ，其中心蕊相對於內包層的相對折射率百分比(△%)為大於0.1%；外包層包圍著內包層以及包括10微米到50微米的徑向厚度以及第三折射率n3 ，使得n3 <n2 ，其中內包層相對於外包層的相對折射率百分比(△%)為大於1.5%；及 心蕊，內包層以及外包層由氧化矽為主玻璃形成；雷射光源的輸出光學地耦合至雙包層光纖之心蕊於雙包層光纖之心蕊第一端部處，使得雷射光源之輸出導引至雙包層光纖之心蕊內；光學感測器耦合至光纖之內包層於雙包層光纖之第一端部處及可操作來將運行經由內包層光線轉換為電子訊號；計算機電耦合至光學感測器以及可操作來由光學感測器接收之電子訊號形成影像；以及光束掃瞄單元光學地耦合至光纖之第二端部，其中光束掃瞄單元操作來掃瞄單雷射光源之輸出經由標的二維地導引至雙包層光纖之心蕊內以及收集標的發出光線至光纖之內包層內。
  21. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中該心蕊具有較多GeO2 而大於內包層。
  22. 依據申請專利範圍第20項之雙包層光纖，其中該心蕊具有比內包層多至少5%重量比GeO2 。
  23. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中心蕊之有效面積為≦65.2平方微米。
  24. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中內包層之外側半徑為≦61.25微米。
  25. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中心蕊在操作波長下為單模心蕊。
  26. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中光纖具有截止波長並不大於800nm。
  27. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中光纖在1060至1700nm波長範圍內具有衰減為小於1dB/km。
  28. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中心蕊包含GeO2 以及內包層並不包含GeO2 。
  29. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中心蕊為不含任何其他摻雜劑之純氧化矽。
  30. 依據申請專利範圍第1或20項之雙包層光纖，其中內包層並不包含Ge。
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