TWI420082B - A method of detecting the wafer offset position - Google Patents
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- TWI420082B TWI420082B TW100128006A TW100128006A TWI420082B TW I420082 B TWI420082 B TW I420082B TW 100128006 A TW100128006 A TW 100128006A TW 100128006 A TW100128006 A TW 100128006A TW I420082 B TWI420082 B TW I420082B
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Description
本發明涉及半導體製造領域，尤其涉及一種探測晶片偏移位置的方法。
在製造半導體積體電路時，很多制程都是在晶片狀態下進行的，對於晶片來說，每一個制程都是在對應的制程室中完成的。使用晶片傳輸機構來實現晶片在各個制程室之間的移動，將晶片從一個制程室中取出，然後放入另一個制程室中。在晶片移動的過程中，必須確保晶片被精確地放置在制程室中的預定位置。
利用機械手來作為晶片傳輸機構是較為常見的做法，該機械手包含若干旋轉臂，將晶片載入在機械手末端旋轉臂的晶片位上，機械手通過旋轉和伸縮來實現角度和長度的改變，從而將晶片傳輸到不同的制程室中的預定位置。若晶片被準確地載入到晶片位上的預定位置，則機械手也會準確地將晶片傳輸到目標制程室中的預定位置，反之，若晶片在載入時發生了偏移，則機械手不能準確地將晶片傳輸到目標制程室中的預定位置。
由此引申出一種探測晶片偏移位置的技術，採用探測器對晶片傳輸機構的晶片載入位上的晶片位置進行探測，確定晶片是否發生了偏移，若發生偏移，則根據檢測出的偏移量來糾正晶片的位置，使之恢復到預定位置。所述的探測器設置在晶片傳輸路徑的周圍，多採用光電探測器。
光電探測器是一對光學裝置，分為發射器和接收器，發射器有一個發光裝置和一個透鏡把發光裝置發出的光源轉換成平行光，發射器發出的平行光跟晶片垂直，接收器可能是探測光強的儀器或者線性CCD，當晶片放置在探測器的發射器和接收器中間的時候，發射器發射出的平行光被晶片遮擋而不能到達接收器，探測器依據接收到的光強(光強式接收器)或者沒有被發射器的光照射到的CCD的位置來探測晶片的位置。
如圖1所示，為美國專利號為5,917,601的專利中涉及的晶片位置檢測方法，該方法沿X-Y軸方向線性設置探測器，採用如下步驟進行探測：步驟1、測量預定位置上參考晶片位於兩探測器之間的弦AB的長度L o
；步驟2、計算弦AB到參考晶片圓心的距離，其中，r為晶片半徑；步驟3、測量偏移晶片位於兩探測器之間的弦A’B’的長度L m
；步驟4、計算弦A’B’到偏移晶片圓心的距離，其中，r為晶片半徑；步驟5、計算晶片圓心偏移量D y
=Y o
-Y m
。
由於實際操作中，晶片在X軸方向和Y軸方向上的偏移量有時是非常小的，這樣測量的資料會產生誤差，再用測量值代入平方根公式進行計算，勢必引入更大的誤差，不能保證得到準確的偏移值，也就不能精確地校正晶片的位置，仍然有導致晶片損壞或者制程無法進行的後果。
本發明提供的一種探測晶片偏移位置的方法，通過確定晶片中心點偏移來探測晶片偏移位置，該方法改善了制程中晶片傳輸的重複性，避免了因為晶片位置偏移而導致的晶片損壞。
為了達到上述目的，本發明提供一種探測晶片偏移位置的方法，該方法在晶片周圍設置若干探測器，將所述的探測器的探測方向沿晶片預定位置的徑向佈置，任意兩個探測器之間都不存在線性位置關係，即任意兩個探測器的探測方向不在同一個直線上，探測器相對於晶片預定位置以及制程室的位置固定，利用該若干探測器進行探測的方法包含以下步驟：步驟1、判斷設置了幾個探測器，若探測器個數n=2，則進行步驟2，若探測器個數n=3，則進行步驟3，若探測器個數n4，則進行步驟4；步驟2、利用兩點法進行探測，計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a和b探測到的預定位置上的晶片邊緣上的兩探測點分別為A和B，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的兩探測點分別為A’和B’；步驟2.1、探測器探測得到晶片邊緣偏移距離AA’和BB’；步驟2.2、探測器探測得到晶片安裝角度∠OAA’和∠OBB’；步驟2.3、計算偏移後的晶片邊緣A’和B’到晶片預定位置圓心O的距離：
其中，OA=OB=晶片半徑；步驟2.4、計算晶片邊緣相對於晶片預定位置圓心O偏移的角度：
∠AOA’=arccos((OA’2
+OA2
-AA’2
)/(2×OA×OA’))；
∠BOB’=arccos((OB’2
+OB2
-BB’2
)/(2×OB×OB’))；
步驟2.5、計算偏移後的晶片邊緣OA’和OB’之間的夾角：
∠A’OB’=∠AOB-∠AOA’-∠BOB’；
步驟2.6、計算偏移後的晶片邊緣A’和B’之間的距離：
步驟2.7、計算A’B’和OB’之間的夾角：
∠A’B’O=arccos((OB’2
+A’B’2
-OA’2
)/(2×OB’×A’B’))；
步驟2.8、計算A’B’和O’B’之間的夾角：
∠A’B’O’=arccos((O’B’2
+A’B’2
-O’A’2
)/(2×O’B’
×A’B’))；
步驟2.9、計算OB’和B’O’之間的夾角：
∠OB’O’=∠A’B’O’-∠A’B’O；
步驟2.10、計算晶片預定位置圓心O和偏移後晶片圓心O’之間的距離：
從而獲得了晶片圓心偏移距離；
步驟2.11、計算B’O和OO’之間的夾角：
∠B’OO’=arccos((B’O2
+OO’2
-B’O’2
)/(2×OB’×OO’))；
步驟2.12、計算OO’和X軸之間的夾角：
∠XOO’=∠B’OO’-∠B’OB-∠BOX；
從而獲得了晶片圓心偏移角度；步驟3、選擇測量計算方法，若採用兩點法，則進行步驟3.1，若採用三點法，則進行步驟3.2；步驟3.1、重複採用兩點法計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b和c探測到的預定位置上的晶片邊緣上的三探測點分別為A、B和C，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的三點分別為A’、B’和C’，O’a
為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏移圓心，O’b
為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c
為探測器c和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；步驟3.1.1、利用探測器a和探測器b，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’a
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’a
；步驟3.1.2、利用探測器b和探測器c，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’b
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’b
；步驟3.1.3、利用探測器c和探測器a，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’c
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’c
；步驟3.1.4、計算均值，獲得晶片圓心偏移距離：
OO’=(OO’a
+OO’b
+OO’c
)/3；
步驟3.1.5、計算均值，獲得晶片圓心偏移角度：
∠XOO’=(∠XOO’a
+∠XOO’b
+∠XOO’c
)/3；
步驟3.2、採用三點法計算得到偏移後晶片的圓心座標；發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的三點分別為A’、B’和C’；步驟3.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟3.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的三點A’、B’和C’的座標分別為A’(Xa’
,Ya’
)、B’(Xb’
,Yb’
)、C’(Xc’
,Yc’
)；步驟3.2.3、計算A’和C’之間的X軸向距離a11
和Y軸向距離a12
：
a11
=2×(Xc’
-Xb’
)；
a12
=2×(Yc’
-Yb’
)；
步驟3.2.4、計算B’和A’之間的X軸向距離a21
和Y軸向距離a22
：
a21
=2×(Xb’
-Xa
’)；
a22
=2×(Yb’
-Ya
’)；
步驟3.2.5、計算得到偏移後的晶片圓心O’的座標：
步驟4、選擇測量計算方法，若採用均值兩點法，則進行步驟4.1，若採用均值三點法，則進行步驟4.2；步驟4.1、採用均值兩點法計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b、c……n探測到的預定位置上的晶片邊緣上的n個探測點分別為A、B、C……N，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的點分別為A’、B’、C’……N’，O’a
為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏移圓心，O’b
為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c
為探測器c和探測器d計算得到的晶片偏移圓心……O’n
為探測器n和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；步驟4.1.1、從n個探測器中任意選取2個探測器，利用函數COMBIN()確定所有可能的組合數；
步驟4.1.2、針對步驟4.1.1得到的種探測器組合，分別進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’a
、OO’b
、OO’c
……OO’n，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’a
、∠XOO’b
、∠XOO’c
……∠XOO’n
；步驟4.1.3、計算均值，獲得晶片圓心偏移距離：
步驟4.1.4、計算均值，獲得晶片圓心偏移角度：
步驟4.2、採用均值三點法計算得到偏移後晶片的圓心座標；發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b、c……n探測到的偏移後的晶片邊緣上的點分別為A’、B’、C’……N’；步驟4.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟4.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的點A’、B’、C’……N’的座標分別為A’(Xa’
，Ya’
)、B’(Xb’
，Yb’
)、C’(Xc’
，Yc’
)……N’(Xn’
，Yn’
)；步驟4.2.3、從n個探測器中任意選取3個探測器，利用函數COMBIN()確定所有可能的組合數；
步驟4.2.4、針對步驟4.2.3得到的種探測器組合，分別進行步驟3.2.3～步驟3.2.8，得到偏移後的晶片圓心O’的座標O’(xa
,ya
)、O’(xb
,yb
)、O，(xc
,yc
)……O’(xn
,yn
)；步驟4.2.5、計算均值，獲得晶片圓心O’的座標O’(x,y)：
當探測器個數n2時，可準確檢測得到晶片的偏移位置，當探測器個數n3時，可以計算得到combin(n,3)個晶片圓心，並由此根據探測器的位置計算得出晶片半徑，當有一個探測器落在晶片刻痕位置時，依據這個探測器計算出的晶片半徑會小於晶片的理論半徑(例如150mm)，根據這個原理，就可以剔除落在晶片刻痕上的探測器，從而消除刻痕對晶片中心探測的影響；當探測器個數n3時，晶片的刻痕位置不得位於探測點位置處；在所述的步驟4.1中，若晶片的刻痕位置位於其中一個探測點位置處，則步驟4.1.2中得到的計算結果中，會有n-1個結果與其他結果有較大不同。
在背景技術的US5917601專利中，探測器是放置在夾角90度的圓周上兩點並呈線性佈置(兩個探測器的探測方向在同一條直線上)，相對於背景技術，本發明的優勢在於：可以任意佈置探測器，並不局限於把探測器放置在夾角90度的圓周兩點上並線性佈置，在設計上有更大的靈活性；當探測器的探測方向沿晶片預定位置的徑向佈置時，在相同探測能力下，本發明的可探測距離更長。
本發明提供的一種探測晶片偏移位置的方法，改善了制程中晶片傳輸的重複性，避免了因為晶片位置偏移而導致的晶片損壞。
以下跟據圖2-圖4，具體說明本發明的較佳實施例：如圖2所示，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，在晶片周圍設置兩個探測器a和b，所述的探測器的探測方向沿晶片預定位置的徑向佈置，兩個探測器之間不存在線性位置關係，探測器探測到的預定位置上的晶片邊緣上的兩探測點分別為A和B，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的兩探測點分別為A’和B’；針對兩個探測器的設置，可利用兩點法進行探測，該探測方法包含如下步驟：步驟2.1、探測器探測得到晶片邊緣偏移距離AA’和BB’；步驟2.2、探測器探測得到晶片安裝角度∠OAA’和∠OBB’；步驟2.3、計算偏移後的晶片邊緣A’和B’到晶片預定位置圓心O的距離：
其中，OA=OB=晶片半徑；步驟2.4、計算晶片邊緣相對於晶片預定位置圓心O偏移的角度：
∠AOA’=arccos((OA’2
+OA2
-AA’2
)/(2×OA×OA’))；
∠BOB’=arccos((OB’2
+OB2
-BB’2
)/(2×OB×OB’))；
步驟2.5、計算偏移後的晶片邊緣OA’和OB’之間的夾角：
∠A’OB’=∠AOB-∠AOA’-∠BOB’；
步驟2.6、計算偏移後的晶片邊緣A’和B’之間的距離：
步驟2.7、計算A’B’和OB’之間的夾角：
∠A’B’O=arccos((OB’2
+A’B’2
-OA’2
)/(2×OB’×A’B’))；
步驟2.8、計算A’B’和O’B’之間的夾角：
∠A’B’O’=arccos((O’B’2
+A’B’2
-O’A’2
)/(2×O’B’×A’B’))；
步驟2.9、計算OB’和B’O’之間的夾角：
∠OB’O’=∠A’B’O’-∠A’B’O；
步驟2.10、計算晶片預定位置圓心O和偏移後晶片圓心O’之間的距離：
從而獲得了晶片圓心偏移距離；步驟2.11、計算B’O和OO’之間的夾角：
∠B’OO’=arccos((B’O2
+OO’2
-B’O’2
)/(2×OB’×OO’))；
步驟2.12、計算OO’和X軸之間的夾角：
∠XOO’=∠B’OO’-∠B’OB-∠BOX；
從而獲得了晶片圓心偏移角度。
如圖3所示，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，在晶片周圍設置三個探測器a、b和c，所述的探測器的探測方向沿晶片預定位置的徑向佈置，任意兩個探測器之間不存在線性位置關係，探測器探測到的預定位置上的晶片邊緣上的三探測點分別為A、B和C，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的三點分別為A’、B’和C’，O’a
為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏移圓心，O’b
為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c
為探測器c和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；針對三個探測器的設置，可重複利用兩點法進行探測，該探測方法包含如下步驟：步驟3.1.1、利用探測器a和探測器b，重複步驟2.1～步驟2.11，得到晶片圓心偏移距離OO’a
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’a
；步驟3.1.2、利用探測器b和探測器c，重複步驟2.1～步驟2.11，得到晶片圓心偏移距離OO’b
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’b
；步驟3.1.3、利用探測器c和探測器a，重複步驟2.1～步驟2.11，得到晶片圓心偏移距離OO’c
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’c
；步驟3.1.4、計算均值，獲得晶片圓心偏移距離：
OO’=(OO’a
+OO’b
+OO’c
)/3；
步驟3.1.5、計算均值，獲得晶片圓心偏移角度：
∠XOO’=(∠XOO’a
+∠XOO’b
+∠XOO’c
)/3。
針對三個探測器的設置，還可利用三點法進行探測，該探測方法包含如下步驟：
步驟3.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟3.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的三點A’、B’和C’的座標分別為A’(Xa’
,Ya’
)、B’(Xb’
,Yb’
)、C’(Xc’
,Yc’
)；步驟3.2.3、計算A’和C’之間的X軸向距離a11
和Y軸向距離a12
：
a11
=2×(Xc’
-Xb’
)；
aL2
=2×(Yc’
-Yb’)
；
步驟3.2.4、計算B’和A’之間的X軸向距離a21
和Y軸向距離a22
：
a21
=2×(Xb’
-Xa’
)；
a22
=2×(Yb’
-Ya’
)；
步驟3.2.5、計算得到偏移後的晶片圓心O’的座標：
如圖4所示，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b、c……n探測到的預定位置上的晶片邊緣上的n個探測點分別為A、B、C……N，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的點分別為A’、B’、C’……N’，O’a
為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏移圓心，O’b
為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c
為探測器c和探測器d計算得到的晶片偏移圓心……O’n
為探測器n和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；探測器a，探測器b，……探測器n，沿晶片周向佈置，探測器的中心位置在距晶片理論圓心為晶片半徑的圓上，且任何兩個探測器的探測方向不在同一條直線上，探測器相對於晶片預定位置以及制程室的位置固定；針對n個探測器的設置，可利用均值兩點法進行探測，該探測方法包含如下步驟：步驟4.1.1、從n個探測器中任意選取2個探測器，利用函數COMBIN()確定所有可能的組合數；
步驟4.1.2、針對步驟4.1.1得到的種探測器組合，分別進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’a
、OO’b
、OO’c
……OO’n
，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’ a
、∠XOO’ b
、∠XOO’ c
……∠XOO’ n
；步驟4.1.3、計算均值，獲得晶片圓心偏移距離：
步驟4.1.4、計算均值，獲得晶片圓心偏移角度：
針對n個探測器的設置，還可利用均值三點法進行探測，該探測方法包含如下步驟：步驟4.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟4.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的點A’、B’、C’……N’的座標分別為A’(Xa’
，Ya’
)、B’(Xb’
，Yb’
)、C’(Xc’
，Yc’
)……N’(Xn’
，Yn’
)；步驟4.2.3、從n個探測器中任意選取3個探測器，利用函數COMBIN()確定所有可能的組合數；
步驟4.2.4、針對步驟4.2.3得到的種探測器組合，分別進行步驟3.2.3～步驟3.2.8，得到偏移後的晶片圓心O’的座標O’(xa
,ya
)、O’(xb
,yb
)、O’(xc
,yc
)……O’(xn
,yn
)；步驟4.2.5、計算均值，獲得晶片圓心O’的座標O’(x,y)：
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的權利要求來限定。
O、O’‧‧‧晶片圓心
a、b、c、n‧‧‧探測器
A、B、C、N‧‧‧探測點
A’、B’、C’、N’‧‧‧點
O’a
、O’b
、O’c
‧‧‧偏移圓心
圖1是背景技術中探測晶片偏移位置的方法的示意圖；
圖2是本發明提供的一種探測晶片偏移位置的方法中設置兩個探測器進行探測的示意圖；
圖3是本發明提供的一種探測晶片偏移位置的方法中設置三個探測器進行探測的示意圖；圖4是本發明提供的一種探測晶片偏移位置的方法中設置n個探測器進行探測的示意圖。
Claims (8)
- 一種探測晶片偏移位置的方法，該方法在晶片周圍設置若干探測器，其特徵在於，將所述的探測器的探測方向沿晶片預定位置的徑向佈置，任意兩個探測器之間都不存在線性位置關係，探測器相對於晶片預定位置以及制程室的位置固定，利用該若干探測器進行探測的方法包含以下步驟：步驟1、判斷設置了幾個探測器，若探測器個數n=2，則進行步驟2，若探測器個數n=3，則進行步驟3，若探測器個數n4，則進行步驟4；步驟2、利用兩點法進行探測，計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；步驟3、選擇測量計算方法，若採用兩點法，則進行步驟3.1，若採用三點法，則進行步驟3.2；步驟3.1、重複採用兩點法計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；步驟3.2、採用三點法計算得到偏移後晶片的圓心座標；步驟4、選擇測量計算方法，若採用均值兩點法，則進行步驟4.1，若採用均值三點法，則進行步驟4.2；步驟4.1、採用均值兩點法計算得到晶片圓心偏移距離和偏移角度；步驟4.2、採用均值三點法計算得到偏移後晶片的圓心座標。
- 如申請專利範圍第1項所述的探測晶片偏移位置的方法，其中所述的步驟2中，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a和b探測到的預定位置上的晶片邊緣上的兩探測點分別為A和B，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的兩探測點分別為A’和B’；所述的步驟2包含以下步驟：步驟2.1、探測器探測得到晶片邊緣偏移距離AA’和BB’；步驟2.2、探測器探測得到晶片安裝角度∠OAA’和∠OBB’；步驟2.3、計算偏移後的晶片邊緣A’和B’到晶片預定位置圓心O的距離：
- 如申請專利範圍第2項所述的探測晶片偏移位置的方法，其中所述的步驟3.1中，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b和c探測到的預定位置上的晶片邊緣上的三點分別為A、B和C，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的三點分別為A’、B’和C’，O’a 為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏移圓心，O’b 為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c 為探測器c和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；所述的步驟3.1包含以下步驟： 步驟3.1.1、利用探測器a和探測器b，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’a ，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’a ；步驟3.1.2、利用探測器b和探測器c，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’b ，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’b ；步驟3.1.3、利用探測器c和探測器a，進行步驟2，得到晶片圓心偏移距離OO’c ，以及晶片圓心偏移角度∠XOO’c ；步驟3.1.4、計算均值，獲得晶片圓心偏移距離：OO’=(OO’a +OO’b +OO’c )/3；步驟3.1.5、計算均值，獲得晶片圓心偏移角度：∠XOO’=(∠XOO’a +∠XOO’b +∠XOO’c )/3。
- 如申請專利範圍第1項所述的探測晶片偏移位置的方法，其中所述的步驟3.2中，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的三點分別為A’、B’和C’；所述的步驟3.2包含以下步驟：步驟3.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟3.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的三點A’、B’和C’的座標分別為A’(Xa’ ,Ya’ )、B’(Xb’ ,Yb’ )、C’(Xc’ ,Yc’ )；步驟3.2.3、計算A’和C’之間的X軸向距離a11 和Y軸向距離a12 ：a11 =2×(Xc’ -Xb’ )；a12 =2×(Yc’ -Yb’ )；步驟3.2.4、計算B’和A’之間的X軸向距離a21 和Y軸向距離a22 ：a21 =2×(Xb’ -Xa’ )；a22 =2×(Yb’ -Ya’ )；步驟3.2.5、計算得到偏移後的晶片圓心O’的座標：
- 如申請專利範圍第2項所述的探測晶片偏移位置的方法，其中所述的步驟4.1中，預定位置上的晶片圓心為O，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b、c……n探測到的預定位置上的晶片邊緣上的n個探測點分別為A、B、C……N，探測器探測到的偏移後的晶片邊緣上的點分別為A’、B’、C’……N’，O’a 為探測器a和探測器b計算得到的晶片偏 移圓心，O’b 為探測器b和探測器c計算得到的晶片偏移圓心，O’c 為探測器c和探測器d計算得到的晶片偏移圓心……O’n 為探測器n和探測器a計算得到的晶片偏移圓心；所述的步驟4.1包含以下步驟：步驟4.1.1、從n個探測器中任意選取2個探測器，利用函數COMBIN()確定所有可能的組合數；
- 如申請專利範圍第4項所述的探測晶片偏移位置的方法，其中所述的步驟4.2中，發生偏移後的晶片圓心為O’，探測器a、b、c……n探測到的偏移後的晶片邊緣上的點分別為A’、B’、C’……N’；所述的步驟4.2包含以下步驟：步驟4.2.1、設發生偏移後的晶片圓心O’的座標為O’(x,y)；步驟4.2.2、探測器探測得到偏移後的晶片邊緣上的點A’、B’、C’……N’的座標分別為A’(Xa’ ，Ya’ )、B’(Xb’ ，Yb’ )、C’(Xc’ ，Yc’ )……N’(Xn’ ，Yn’ )；步驟4.2.3、從n個探測器中任意選取3個探測器，利用函數COMBIN( )確定所有可能的組合數；
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任意一個所述的探測晶片偏移位置的方法，其中當探測器個數n2時，可準確檢測得到晶片的偏移位置，當探測器個數n3時，可以消除刻痕位置對探測晶片中心的影響。
- 如申請專利範圍第1項至第6項中任意一個所述的探測晶片偏移位置的方法，其中當探測器個數n3時，晶片的刻痕位置不得位於探測點位置處。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100128006A TWI420082B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | A method of detecting the wafer offset position |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100128006A TWI420082B (zh) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | A method of detecting the wafer offset position |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201307808A TW201307808A (zh) | 2013-02-16 |
| TWI420082B true TWI420082B (zh) | 2013-12-21 |
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| Country | Link |
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| TW (1) | TWI420082B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200827682A (en) * | 2006-10-09 | 2008-07-01 | Advanced Micro Devices Inc | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
| US20080168673A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Sokudo Co., Ltd. | Method and system for detection of wafer centering in a track lithography tool |
-
2011
- 2011-08-05 TW TW100128006A patent/TWI420082B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200827682A (en) * | 2006-10-09 | 2008-07-01 | Advanced Micro Devices Inc | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
| US20080168673A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Sokudo Co., Ltd. | Method and system for detection of wafer centering in a track lithography tool |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| TW201307808A (zh) | 2013-02-16 |
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