TWI412755B - Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method - Google Patents

Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method Download PDF

Info

Publication number
TWI412755B
TWI412755B TW99116557A TW99116557A TWI412755B TW I412755 B TWI412755 B TW I412755B TW 99116557 A TW99116557 A TW 99116557A TW 99116557 A TW99116557 A TW 99116557A TW I412755 B TWI412755 B TW I412755B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transmission line
branch
capacitor
substrate
line
Prior art date
Application number
TW99116557A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201142311A (en
Inventor
Jan Dong Tseng
Original Assignee
Nat Chinyi University Of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Chinyi University Of Technology filed Critical Nat Chinyi University Of Technology
Priority to TW99116557A priority Critical patent/TWI412755B/zh
Publication of TW201142311A publication Critical patent/TW201142311A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI412755B publication Critical patent/TWI412755B/zh

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

枝幹耦合式電容測試器及其方法
本發明係有關一種枝幹耦合式電容測試器及其方法，尤指一種於枝幹耦合器的第三傳輸線的中心位置連接一搭接端，並於基板鄰近搭接端的一側設一接地端，俾能使搭接端與接地端電性搭接一待測電容者。
按，一般所知的電容器的基本結構是由兩片金屬平板，中間隔以絕緣介質組合而成，其中電容量的大小取決於金屬片的面積、兩板間的間距以及介於兩板間材質的介質常數。歷史上第一個有留下記錄的電容器是克拉斯特主教(Ewald Georg von Kleist)於1745年10月所發明的，其結構是一個內外層均鍍有金屬膜的玻璃瓶，玻璃瓶內有一金屬桿，一端和內層的金屬膜連結，另一端則連結一金屬球體。在1746年1月時，一個丹麥物理學家馬森布魯克也獨立發明了構造非常類似的電容器，當時克拉斯特主教的發明尚未廣為人知。由於馬森布魯克當時在萊頓大學任教，因此將其命名為萊頓瓶，如附件二之參考文獻[1]。
隨著現代通訊系統的快速發展，電容器被廣泛運用於高頻旁路、交連電容與直流阻隔(DC block)，如附件二之參考文獻[2-3]等，若與電感器組合，則可設計為濾波器，如附件二之參考文獻[4-6]，或調諧電路如附件二之參考文獻[7]。在電容器的廣泛運用下，量測電容的技術日趨重要，目前電容測試器具體作法有：使用LCR Meter量測，其原理為發送一已知振幅及頻率的交流信號給待測電容，電容之電流經儀器內部處理計算後即可量測出待測電容器的電容值。M. Fonseca da Silva等提出基於傳統的Schering橋式電路上增加類比轉數位(Analog to Digital,ADC)電路，數位轉類比(Digital to Analog,DAC)電路，整合電路以及個人電腦的自動電容量測方法，如附件二之參考文獻[8]。P. Aronhime等提出三種架構，分別為使用基本的RC串聯電路，加上二極體以及開關，且透過電容充放電時間，推算出電容量，如附件二之參考文獻[9]。M. A. Atmanand等提出在未知的待測元件上，加上電壓源或電流源，計算出元件上的電壓或電流以及其相位差，即可量測出未知的待測元件為電感或電容，如附件二之參考文獻[10]。另有一種利用平面電路結構之耦合線與網路分析儀達到量測高頻電容值之方法，如附件二參考文獻[11-12]所示，其係為本發明人先前所發表之論文。
本發明之主要目的在於提供一種枝幹耦合式電容測試器及其方法，主要係利用枝幹耦合式結構來量測高頻電容值，並可透過量測的散射參數來計算出對應的電容值，經過實際電路量測與模擬結果顯示，模擬值與量測值相當吻合，故可供產業充分大量應用於生產線上，因而具備結構簡單、量測精度高、方便設計、量測快速方便以及製作容易以大幅降低生產成本等特點。
為達成上述功效，本發明所採用之技術手段係包括一基板及一覆設在基板上的枝幹耦合器，枝幹耦合器包含四段依序垂直環繞呈一矩形連接而可分別產生一特性阻抗的第一傳輸線、第二傳輸線、第三傳輸線及第四傳輸線，並於第一傳輸線與該第四傳輸線連接處設一訊號之輸入埠，再於第二傳輸線與第三傳輸線連接處設一訊號之輸出埠，其中，第三傳輸線的中心位置連接一搭接端，並於基板鄰近搭接端的一側設有一接地端，再於搭接端與接地端電性搭接一待測電容，進而量測出一散射參數，俾能依據散射參數而計算出與散射參數相應的電容值者。
 壹．本發明之技術概念
請參看第四至六圖所示，本發明主要係應用在高頻電容器值測定的技術領域上，並可利用枝幹耦合式結構與網路分析儀來量測高頻電容器值，本發明是利用枝幹耦合器(20)結構稍做局部改變，以將原傳統的枝幹耦合器結構上的第二埠及第四埠予以開路，並將待測電容器C電性搭置於基板(10)的搭接端(25)以及接地端(26)上，而可藉由網路分析儀達到量測高頻電容器值之目的。電路分析方面則可透過傳輸矩陣來進行分析，如附件二之參考文獻[13]。本發明主要係利用枝幹耦合式結構來量測高頻電容器值，並可透過量測的散射參數來計算出對應的電容器值，經過實際電路量測與模擬結果顯示，模擬值與量測值相當吻合，故可供產業充分大量應用於生產線上，因而具備結構簡單、量測精度高、方便設計、量測快速方便以及製作容易以大幅降低生產成本等諸多的特點。
貳．本發明具體實施 2.1本發明整體技術特徵
請參看第四至六圖所示，本發明整體技術特徵係具有一基板(10)、一覆設在基板(10)上的枝幹耦合器(20)及一具有搭接端(25)與接地端(26)的搭接電路，此枝幹耦合器(20)具有四段依序垂直環繞呈一矩形連接而可分別產生一特性阻抗的一第一傳輸線(21)、一第二傳輸線(22)、一第三傳輸線(23)及一第四傳輸線(24)，第一傳輸線(21)與第四傳輸線(24)連接處設一訊號之輸入埠(27)，第二傳輸線(22)與第三傳輸線(23)連接處設一訊號之輸出埠(28)，其中，本發明主要特徵部分係使原本枝幹耦合器上的第二埠與第四埠形成開路，亦即第一傳輸線(21)與第二傳輸線(22)相接處為開路，及第三傳輸線(23)與第四傳輸線(24)相接處為開路，且第三傳輸線(23)的中心位置連接一搭接端(25)，並於基板(10)鄰近搭接端(25)的一側則設有一接地端(26)，俾使搭接端(25)與接地端(26)可供一待測電容器C電性搭接其上。
2.2基板
請參看第四至六圖所示，本發明基板(10)具體實施例的厚度為1.6mm，相對介電常數為4.3，基板(10)尺寸為6.25cm×4.24cm。而第一傳輸線(21)、第二傳輸線(22)、第三傳輸線(23)、第四傳輸線(24)、搭接端(25)及接地端(26)係以印刷或蝕刻的方式成型於基板(10)上。
2.3枝幹耦合器
請參看第四至六圖所示，為組成所需的枝幹耦合器(20)之目的，本發明第一傳輸線(21)、第二傳輸線(22)、第三傳輸線(23)及第四傳輸線(24)的電氣長度皆為90°，且第一傳輸線(21)之二端分別與第二傳輸線(22)以及第四傳輸線(24)垂直連接，而第三傳輸線(23)之二端則分別與第二傳輸線(22)以及第四傳輸線(24)垂直連接，輸入埠(27)位於第一傳輸線(21)與第四傳輸線(24)連接處，輸出埠(28)位於第二傳輸線(22)與第三傳輸線(23)連接處。
為電性連接輸入埠(27)與輸出埠(28)之目的，係於第一傳輸線(21)與第四傳輸線(24)連接處設有一由第一傳輸線(21)一體向外延伸的第一矩形段(270)，此第一矩形段(270)可供輸入埠(27)組設，且第三傳輸線(23)與第四傳輸線(24)連接處設有一由第三傳輸線(23)一體向外延伸的第二矩形段(280)，此第二矩形段(280)可供輸出埠(28)組設，於一種更為具體的實施例中，第一矩形段與該第二矩形段的線寬皆為3.1mm，該第一矩形段與該第二矩形段的長度皆為5mm；另，第一傳輸線(21)與該第三傳輸線(23)的該特性阻抗皆為50歐姆，該第二傳輸線(22)與該第四傳輸線(24)的該特性阻抗皆為33.35歐姆。
上述具體實施例中，第一傳輸線(21)與第三傳輸線(23)的線寬皆為3.1mm，第一傳輸線(21)與第三傳輸線(23)的長度皆為41.911mm，第二傳輸線(22)與第四傳輸線(24)的線寬皆為5.3mm，第二傳輸線(22)與第四傳輸線(24)的長度皆為36.23mm。且第一傳輸線(21)與第二傳輸線(22)連接之外緣轉角形成一第一斜切邊(210)，第三傳輸線(23)與第四傳輸線(24)連接之外緣轉角形成一第二斜切邊(240)。
2.4輸入埠與輸出埠
請參看第四至七圖所示，本發明輸入埠(27)與輸出埠(28)主要係與量測裝置(30)做訊號連結而設置，並於輸入埠(27)與輸出埠(28)各自包含一具外螺牙的訊號接座，以供量測裝置(30)之一訊號插座(31)螺合而訊號連通，用以量測出一散射參數，並可依據散射參數而計算出與散射參數相應的待測電容器C之電容值。而輸入埠(27)與該輸出埠(28)的特性阻抗分別為50歐姆。
本發明的電路分析主要係以傳輸矩陣方式進行，而量測裝置(30)的具體實施例可以是向量網路分析儀，並可由一電磁模擬軟體IE3D內含之LineGauge將該第一傳輸線(21)、第二傳輸線(22)、第三傳輸線(23)及第四傳輸線(24)各項特性阻抗及電氣長度(θ)進行微帶線結構尺寸計算，電路模擬給定中心頻率為1GHz，第一傳輸線(21)、第三傳輸線(23)的特性阻抗為35.35Ω，第二傳輸線(22)、該第四傳輸線(24)的該特性阻抗為50Ω，該第一傳輸線(21)、該第二傳輸線(22)、該第三傳輸線(23)及該第四傳輸線(24)的電氣長度則為90度。
參．電路結構之電氣特性分析
請參看第四至六圖所示，傳統二階枝幹耦合器(20)可由附件二之參考文獻[14]得知，其基本結構為四段電氣長度為90°傳輸線連接而成，若設計輸出為半功率則特性阻抗分別為50Ω、35.35Ω、50Ω和35.35Ω。本發明電路結構如第一圖所示，係將原始結構之埠2及埠4開路為一第一斜切邊(210)及一第二斜切邊(240)，並將待測電容器C放至於第二傳輸線(22)的中心位置。電路分析則以傳輸矩陣來進行，如附件二之參考文獻[13]，再將電路斜切可分成上半及下半結構，如第二、三圖所示。其中Z1 、Z2 為傳輸線特性阻抗，θ1 、θ2 為傳輸線電氣長度，C為待測之電容器C。
上半及下半結構之傳輸矩陣如式(1)、式(2)所示：
接著將兩矩陣並聯如下式所示，公式如式(3)-(6)所示
接著在將傳輸矩陣轉成散射矩陣，如附件二之參考文獻[13]，公式如式(7)、式(8)所示，其中Z0 為系統阻抗
給定條件，令θ1 =θ2 =θ及S21 =0即可解出Yc如下式所示
設計電路中心頻率f0 為1GHz，經整理並帶入，移項後可得待測電容器CC與S21 諧振頻率點之關係式，如式(9)所示
肆．電路量測實作
本發明設定電路中心頻率為1GHz，各傳輸線(21)(22)(23)(24)之特性阻抗Z1 =35.35Ω、Z2 =50Ω及電氣長度θ1 =θ2 等於90°後，帶入上述推導之公式(9)後，運用數值分析軟體Matlab進行計算與繪圖，可繪出待測電容器值與|S21 |諧振頻率點之關係圖，如第八、九圖所示，當待測電容器C為0pF時，|S21 |諧振頻率點為1GHz。待測電容器C在0至47.556pF時，呈較線性的變化；當待測電容器C大於47.556pF時，呈指數曲線變化，也就是當待測電容器值大到一定程度後，對|S21 |諧振頻率點的變化影響也較小。並可觀察出當待測電容器CC愈大，則|S21 |諧振頻率點愈往低頻移動；反之，待測電容器CC愈小，則|S21 |諧振頻率點愈往高頻移動。
本發明電路模擬使用電磁模擬軟體IE3D進行，給定中心頻率為1GHz，傳輸線特性阻抗Z1 =35.35Ω、Z2 =50Ω及電氣長度θ1 =θ2 等於90°，接著分別模擬不同待測電容器值C為0pF(無標誌)、1pF(菱形標誌)、5.6pF(圓形標誌)、10pF(三角標誌)與30pF(交叉標誌)五個電容器值，其變化情形如第十、十一圖所示。可觀察出當電容器值C為0、1、5.6、10及30pF時，其|S21 |諧振頻率分別為1.01、0.995、0.9、0.81及0.56GHz。
請參看第四圖所示，電路實作使用板材為FR-4雙面板，基板(10)厚度為1.6mm，相對介電常數為4.3。將上述數值帶入電磁模擬軟體IE3D內含之Line Gauge，進行微帶線結構尺寸計算，可得W1 =3.1mm、W2 =5.3mm、L1 =5mm、L2 =36.23mm、L3 =41.91mm、L4 =2.65mm，輸入與輸出埠(28)之特性阻抗為50歐姆，線寬為W1 =3.1mm，任意給定長度L1 =5mm以方便製作。實際電路如第四、五圖所示，電路尺寸為6.25cm×4.24cm，並以向量網路分析儀Anritsu-37269D進行量測。
第十二、十三圖分別為電路之散射參數|S11 |與|S21 |實際量測結果，分別量測不同待測電容器值C為0pF(無標誌)、1pF(菱形標誌)、5.6pF(圓形標誌)、10pF(三角標誌)與30pF(交叉標誌)五個電容器值。可觀察出當電容器值C為0、1、5.6、10及30pF時，其|S21 |諧振頻率分別為1.01、0.997、0.888、0.772及0.512GHz。
第十四圖則為改變不同電容器值實際量測與公式推導得到之理論比較圖，虛線有菱形標誌的為理論值，實線有圓形標誌的為實際量測值，由第十五圖可觀察出模擬與實測結果具有相當高的一致性。其數值比較如附件一之表一所示，當待測電容器C為0pF時，理論計算與實際量測的諧振頻率點分別為1、1.01GHz，模擬與實測、理論與實測的電容器C誤差皆為0.4pF。當待測電容器C為1pF時，理論計算與實際量測的諧振頻率點分別為0.979、0.997GHz，模擬與實測、理論與實測的電容器C誤差分別為0.76、0.85pF。當待測電容器C為5.6pF時，理論計算與實際量測的諧振頻率點分別為0.887、0.888GHz，模擬與實測、理論與實測的電容器C誤差分別為0.67、0.1pF。當待測電容器C為10pF時，理論計算與實際量測的諧振頻率點分別為0.81與0.772GHz，模擬與實測、理論與實測的電容器C誤差分別為0.06、2.59pF。當待測電容器C為30pF時，理論計算與實際量測的諧振頻率點分別為0.596、0.512GHz，模擬與實測、理論與實測的電容器C誤差分別為5.6、14.8pF。
伍．結論
藉由上述技術特徵的建置，本發明確實可以利用枝幹耦合式結構來量測高頻電容值，並可透過量測的散射參數來計算出對應的電容值，經過實際電路量測與模擬結果顯示，模擬值與量測值相當吻合，故可供產業充分大量應用於生產線上，因而具備結構簡單、量測精度高、方便設計、量測快速方便以及製作容易以大幅降低生產成本等特點。
以上所述，僅為本發明之一可行實施例，並非用以限定本發明之專利範圍，凡舉依據下列請求項所述之內容、特徵以及其精神而為之其他變化的等效實施，皆應包含於本發明之專利範圍內。本發明所具體界定於請求項之結構特徵，未見於同類物品，且具實用性與進步性，已符合發明專利要件，爰依法具文提出申請，謹請　鈞局依法核予專利，以維護本申請人合法之權益。
C．．．待測電容器
(10)．．．基板
(20)．．．枝幹耦合器
(21)．．．第一傳輸線
(210)．．．第一斜切邊
(22)．．．第二傳輸線
(23)．．．第三傳輸線
(24)．．．第四傳輸線
(240)．．．第二斜切邊
(25)．．．搭接端
(26)．．．接地端
(27)．．．輸入埠
(270)．．．第一矩形段
(28)．．．輸出埠
(280)．．．第二矩形段
(30)．．．量測裝置
(31)．．．訊號插座
第一圖係本發明之等效電路示意圖。
第二圖係第一圖斜切後之上半結構示意圖。
第三圖係第一圖斜切後之下半結構示意圖。
第四圖係本發明基本電路的示意圖。
第五圖係本發明電路結構的實施示意圖。
第六圖係本發明電性搭置待測電容器之實施示意圖。
第七圖係本發明量測待測電容器的實施示意圖。
第八圖係本發明電容值為0-47.556pF與|S21 |頻率關係示意圖。
第九圖係本發明電容值為47.556-1436pF與|S21 |頻率關係示意圖。
第十圖係本發明不同電容值IE3D模擬散射參數|S11 |之示意圖。
第十一圖係本發明不同電容值IE3D模擬散射參數|S21 |示意圖。
第十二圖係本發明不同電容值實際量測散射參數|S11 |示意圖。
第十三圖係本發明不同電容值實際量測散射參數|S21 |示意圖。
第十四圖係本發明模擬與實際量測之電容與|S21 |頻率關係示意圖。
第十五圖係本發明電容值為0-47.556pF與|S21 |頻率關係圖示意圖。
附件一：表1係電容差值與|S21 |諧振頻率點關係。
附件二：係本發明之參考文獻。
C．．．待測電容器
(20)．．．枝幹耦合器
(21)．．．第一傳輸線
(210)．．．第一斜切邊
(22)．．．第二傳輸線
(23)．．．第三傳輸線
(24)．．．第四傳輸線
(240)．．．第二斜切邊
(25)．．．搭接端
(26)．．．接地端
(27)．．．輸入埠
(270)．．．第一矩形段
(28)．．．輸出埠
(280)．．．第二矩形段

Claims (10)

  1. 一種枝幹耦合式電容測試器，其由一基板、一覆設在該基板上的枝幹耦合器及一搭接電路所構成，該枝幹耦合器由依序垂直環繞呈一矩形連接而可分別產生一特性阻抗的一第一傳輸線、一第二傳輸線、一第三傳輸線、一第四傳輸線、一輸入埠及一輸出埠所構成，該輸入埠設於該第一傳輸線與該第四該傳輸線連接處，該輸出埠設於該第二傳輸線與該第三傳輸線連接處，且該搭接電路由一搭接端及一接地端所構成，該搭接端連接於該第三傳輸線的中心位置，該接地端設於該基板上鄰近該搭接端的一側位置，使該搭接端與該接地端可供一待測電容電性搭接其上，當一量測裝置之二訊號插座分別與該枝幹耦合器之該輸入埠以及該輸出埠訊號連通時，可量測出一散射參數，並依據該散射參數計算出該待測電容器的電容值。
  2. 如請求項1所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該基板厚度為1.6mm，相對介電常數為4.3，該第一傳輸線、該第二傳輸線、該第三傳輸線及該第四傳輸線的電氣長度為90°，該第一傳輸線之二端分別與該第二傳輸線以及該第四傳輸線垂直連接，該第三傳輸線之二端則分別與該第二傳輸線以及該第四傳輸線垂直連接。
  3. 如請求項1所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該第一傳輸線與該第四傳輸線連接處設有一由該第一傳輸線一體向外延伸的第一矩形段，該第一矩形段可供該輸入埠組設，該第三傳輸線與該第四傳輸線連接處設有一由該第三傳輸線一體向外延伸的第二矩形段，該第二矩形段可供該輸出埠組設，該第一矩形段與該第二矩形段的線寬皆為3.1mm，該第一矩形段與該第二矩形段的長度皆為5mm。
  4. 如請求項1~3任一項所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該第一傳輸線與該第三傳輸線的線寬皆為3.1mm，該第一傳輸線與該第三傳輸線的長度皆為41.911mm，該第二傳輸線與該第四傳輸線的線寬皆為5.3mm，該第二傳輸線與該第四傳輸線的長度皆為36.23mm。
  5. 如請求項1~3所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該第一傳輸線與該第二傳輸線連接之外緣轉角形成一第一斜切邊，該第三傳輸線與該第四傳輸線連接之外緣轉角形成一第二斜切邊。
  6. 如請求項1所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該輸入埠及該輸出埠各包含一具外螺牙的訊號接座，以供一量測裝置之一訊號插座螺合而訊號連通，用以量測出一散射參數，並可依據該散射參數而計算出與該散射參數相應的該待測電容器之電容值。
  7. 如請求項1所述之枝幹耦合式電容測試器，其中，該第一傳輸線與該第三傳輸線的該特性阻抗皆為50歐姆，該第二傳輸線與該第四傳輸線的該特性阻抗皆為33.35歐姆，該輸入埠與該輸出埠的特性阻抗皆為50歐姆。
  8. 一種枝幹耦合式電容測試器的測試方法，其包含下列步驟：提供一種如請求項1所述之枝幹耦合式電容測試器；於該基板上覆設四個依序垂直連接的該第一傳輸線、該第二傳輸線、該第三傳輸線及第四傳輸線，以組成該枝幹耦合器；將該待測電容之二個電極分別電性搭置於該基板上的該搭接端以及該接地端上；及將一量測裝置之二訊號插座分別與該枝幹耦合器之該輸入埠以及該輸出埠訊號連通，進而量測出一散射參數，並依據該散射參數而計算出與該散射參數相應的該待測電容器的電容值。
  9. 如請求項8所述之測試方法，其中，該枝幹耦合式電容測試器的電路分析係以傳輸矩陣方式進行，而所提供之該量測裝置係為一向量網路分析儀，並由一電磁模擬軟體IE3D內含之LineGauge將該第一傳輸線、該第二傳輸線、該第三傳輸線及該第四傳輸線各項特性阻抗及電氣長度(θ)進行微帶線結構尺寸計算，該電路模擬給定中心頻率為1GHz，該第一傳輸線與該第三傳輸線的該特性阻抗為35.35Ω，該第二傳輸線與該第四傳輸線的該特性阻抗為50Ω，該第一傳輸線、該第二傳輸線、該第三傳輸線及該第四傳輸線的電氣長度皆為90度。
  10. 如請求項8所述之測試方法，其中，該第一傳輸線、該第二傳輸線、該第三傳輸線、該第四傳輸線、該搭接端以及該接地端係以印刷或蝕刻方式成型於該基板上。
TW99116557A 2010-05-24 2010-05-24 Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method TWI412755B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW99116557A TWI412755B (zh) 2010-05-24 2010-05-24 Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW99116557A TWI412755B (zh) 2010-05-24 2010-05-24 Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201142311A TW201142311A (en) 2011-12-01
TWI412755B true TWI412755B (zh) 2013-10-21

Family

ID=46765034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW99116557A TWI412755B (zh) 2010-05-24 2010-05-24 Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI412755B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012006314A1 (de) * 2012-03-28 2013-10-02 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Zeitbereichsmessverfahren mit Kalibrierung im Frequenzbereich
CN111398693A (zh) * 2020-04-28 2020-07-10 江苏神州半导体科技有限公司 一种基于s参数网络分析仪测量真空电容esr和q值的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4266184A (en) * 1979-06-15 1981-05-05 Devine Clifford W Method and apparatus for testing insulators
TW413982B (en) * 1995-12-13 2000-12-01 Jau Fang Lin Equivelent circuit measurement method for transmission line structure
TW522246B (en) * 2001-11-20 2003-03-01 Yung-Ling Lai Method of using discrete capacitance transmission line model to extract parasitic capacitance of field effect transistor
US7099808B2 (en) * 1999-08-26 2006-08-29 Mentor Graphics Corp. Capacitance and transmission line measurements for an integrated circuit
TWI284206B (en) * 2004-09-23 2007-07-21 Frontend Analog And Digitial T Conductive line inductor measurement and modeling method and system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4266184A (en) * 1979-06-15 1981-05-05 Devine Clifford W Method and apparatus for testing insulators
TW413982B (en) * 1995-12-13 2000-12-01 Jau Fang Lin Equivelent circuit measurement method for transmission line structure
US7099808B2 (en) * 1999-08-26 2006-08-29 Mentor Graphics Corp. Capacitance and transmission line measurements for an integrated circuit
TW522246B (en) * 2001-11-20 2003-03-01 Yung-Ling Lai Method of using discrete capacitance transmission line model to extract parasitic capacitance of field effect transistor
TWI284206B (en) * 2004-09-23 2007-07-21 Frontend Analog And Digitial T Conductive line inductor measurement and modeling method and system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201142311A (en) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bussey Measurement of RF properties of materials a survey
CN110108949A (zh) 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器
TWI412755B (zh) Branch Coupling Capacitance Tester and Its Method
CN102004121A (zh) 同时测量陶瓷收缩率和介电常数的装置及方法
Porwal et al. Design of RF sensor for simultaneous detection of complex permeability and permittivity of unknown sample
Popovic et al. Materials characterization with multiple offset reflects at frequencies to 110 GHz
Contopanagos et al. RF characterization and isolation properties of mesoporous Si by on-chip coplanar waveguide measurements
TWI391677B (zh) 耦合線結構之高頻電容測試器及其測試方法
TWI390216B (zh) 橋式高頻電容值測定器及方法
KR101393423B1 (ko) 주파수 종속 복소 유전 상수를 사용하여 주파수 종속 전송선로 파라미터 결정 방법
US20220099720A1 (en) Series Tee Splitter for Impedance Measurements
CN106199285B (zh) 任意交流载波下的电容特性测量设备及其测量方法
Lee et al. Amplitude-only measurements of a dual open ended coaxial sensor system for determination of complex permittivity of materials
CN112782486A (zh) 一种基于阶梯阻抗谐振结构的多频点介电常数测量装置
Julrat et al. Open-ended coplanar waveguide sensor for dielectric permittivity measurement
CN106093642B (zh) 一种任意交流载波下的电容特性测量电路及其方法
Huntley et al. Lumped parameter impedance measurements
Haase et al. Study of calibration standards for extreme impedances measurement
Callegaro et al. The frequency dependence of a 10 nF gas-dielectric capacitor
Contopanagos et al. Broadband electrical characterization of macroporous silicon at microwave frequencies
TW201435366A (zh) 氣體絕緣開關局部放電感測天線及其裝置
Letavin et al. Determination of the electrodynamic properties of the material and their subsequent use for the realization of a miniature microstrip coupler device
Narampanawe et al. An empirical characterization of a flexible current probe for in-circuit impedance measurement
Koche Measurement and modeling of passive surface mount devices on FR4 substrates
Kucera et al. Improved calculable 4TP coaxial capacitance standards

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees