TWI411050B - 使用劃線裂片製程的光學裝置晶圓級封裝之方法與裝置 - Google Patents
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Description
本發明大致地關聯於一封裝技術，更確切地來說，本發明包括用以封裝接合基板的光學裝置之方法與結構。只藉由例子，本發明已被應用至整合機械性基礎結構與積體電路晶片，但需明瞭的是，本發明具有更為寬廣之應用性。
視訊顯示器技術在這些年來已快速地發展，更確切地說，即用以輸出電視節目與流動影像等之電子顯示器。在早些時候，陰極射線管技術，一般稱為CRT，輸出特定的像素單元至傳統電視機之玻璃螢幕。此些電視機首先輸出黑白的移動畫面，彩色電視機很快地取代即使不是全部也是大部分的黑白電視機，即便非常地成功，CRT常笨重、難以大尺寸化且具有其他限制。
CRT很快地被取代，至少一部分被液晶平面顯示器取代，此些液晶平面顯示器一般被稱作LCD，其使用耦接至一液晶材料與濾色器之一陣列的電晶體單元以輸出彩色的移動畫面。許多電腦終端與較小的顯示器裝置常仰賴LCD以輸出視訊、文件與其他視訊特徵。不幸的是，液晶面板常具有低產能且難以達到較大尺寸。此些LCD常不適合常需求於電視機等的較大顯示。
據此，發展出投影顯示單元，此等投影顯示單元包含，一液晶顯示器，其輸出由選定畫素單元經由透鏡至較大螢幕的光線，以產生移動畫面、文件與其他視訊影像。另一技術被稱為「數位光處理(Digital Light processing，DLP)」，其為由美國德州之德州儀器(TI)股份有限公司而來的一商業名稱，DLP經常被稱為「微鏡」的使用，DLP藉由數十萬的微鏡，其排列為每600個鏡一列，排成800列，懸吊每一鏡，貼附一致動器至每一多個懸吊。該致動器經常為靜電能，其能以高頻傾斜每一鏡，移動鏡可調節光線，其能通過透鏡傳送且之後顯示在螢幕上，雖然DLP已成功，通常難以生產且低產能等，生產DLP亦可使用以MEMS為基礎的處理技術，這種以MEMS為基礎的處理技術通常昂貴且難以升級以有效處理。更確切地說，使用於MEMS的封裝技術亦困難且升級昂貴。
由上述可知，可看出需要於封裝裝置之改良技術。
根據本發明，提供用以封裝光學裝置之技術，更確切地說，本發明包括用以封裝光學裝置以接合基板的一方法與結構。僅舉例子來說，本發明以應用到整合一機械性基礎結構與一積體電路晶片。但需明白的是，本發明具有更寬的實用性。
在一特定實施例中，本發明提供一方法以由接合晶圓級基板結構劃分一或多個晶片。本方法包括提供包括至少
一基體電路晶片於其上之一第一基板，其具有一胞區域與一週邊區域，更佳地是，週邊區域包括一接合墊區域，其具有一或多個接合墊與圍繞每一一個或多個接合墊之抗黏滯區。本方法包括耦接包括至少一或多個偏向裝置於上之一第二基板至第一基板，且於第一基板上暴露至少一或多個接合墊。本方法亦包括當形成腔區域以允許於腔區域之一部分中移動該一或多個偏向裝置，耦接覆蓋於第二基板上之透明構件，而形成至少包括第一基板之一部分、第二基板之一部分與透明構件之一部分的夾層結構。本方法形成一第一劃線當維持關聯於第一基板之第一部分的第一劃線之鄰近與非結合於第一劃線分離時，於透明構件之第一部分上形成第一劃線，且於透明構件之第二部分與第一基板之第二部分上形成第二劃線。更佳地是，第一基板的第一部分與第一基板的第二部分具有形成於第一部分與第二部分之間的抗黏滯區域。本發明包括經由第一劃線與第二劃線導致透明區域之一部分被移除，並且於第一基板上暴露抗黏滯區域以及一或多個接合墊。
於一選擇性的特定實施例中，本發明提供一多層積體光學以及電路裝置，該裝置具有其上包括至少一積體電路晶片的第一基板，其包括胞區域與週邊區域。更佳地是，週邊區域具有接合墊區域，其包括一或多個接合墊以及一圍繞該一或多個接合墊之抗黏滯區域。本裝置具有至少一或多個偏向裝置於其上的耦接第一基板之第二基板，於第一基板上，暴露至少一或多個接合墊，當形成一腔區域以
允許於腔區域之一部分中移動該一或多個偏向裝置，本裝置具有覆蓋於第二基板上之透明構件，而形成至少包括第一基板之部分、第二基板之部分與透明構件之部分的夾層結構。其中當維持該一或多個偏向裝置於腔區域之部分中，暴露該一或多個接合墊與抗黏滯區域。
又於一選擇性的特定實施例中，本發明提供一方法以由多層基板結構劃分一或多個晶片。本方法包括提供第一基板，其具有一或多個接合墊與週邊區域。本方法在週邊區域，當於第一基板的一部分與第二基板的一部分之間維持一間隙時，接合第二基板至第一基板。更佳地是，間隙防止第一基板的部分貼附至第二基板的部分，此間隙作為該些基板之部分間的防靜電機制。本方法包括當第二基板的部分與第一基板維持不變時，移除第二基板的一部分以於第一基板上暴露出一或多個接合墊與週邊區域。
更進一步來說，本發明提供一方法以由多層基板結構劃分一或多個晶片。本方法包括提供第一基板，其具有一或多個接合墊與週邊區域，其具有一抗黏滯區域。本方法包括當使用抗黏滯區域防止第一基板的一部分貼附至第二基板的一部分時，接合第二基板至第一基板。本方法當第二基板的部分與第一基板維持不變時，移除第二基板以暴露出於第一基板上之一或多個接合墊與週邊區域。
本發明與習知技術比較可達成許多優點，舉例來說，本技術提供一關連於習知技術的簡易使用流程。在某些實施例中，本方法提供相容於習知流程技術一流程，而毋須
對習知設備與流程作重大修飾。較佳地說，本發明提供用於顯示應用的改良整合結構，其包括積體電路與鏡結構。更佳地，本發明提供一晶圓級流程以劃分複合接合基板結構。能更具效率且簡易地使用此晶圓級流程。視實施例而定，可達成一或多個此些優點，在本說明書中將描述此些及其他優點，以下將更確切地說明。
藉由參考以下的實施方式與所附圖示，本發明之其餘目的、特徵和優點將更顯明。
根據本發明，提供用以封裝光學裝置之技術，更確切地說，本發明包括用以封裝光學裝置以接合基板的一方法與結構。僅舉例子來說，本發明以應用到整合一機械性基礎結構與一積體電路晶片。但需明白的是，本發明具有更寬的實用性。
圖1是依據本發明之一實施例的積體晶片與鏡裝置100之簡化剖面圖，其包括接合墊區域。此圖僅為例示，其不該過度地限制本發明之申請專利範圍，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。如同所顯示的，圖中繪示一多層整合積體光學與電路裝置100，裝置具有包括至少一積體電路晶片於其上之第一基板101，其具有胞區域107與週邊區域106，該積體電路晶片可為基礎相容的CMOS積體電路晶片，雖然可使用其他晶片。在一特定實施例中，該晶片包括驅動器、胞區域與其他積體電路裝
置。更佳地，週邊區域具有接合墊區域109，其具有一或多個接合墊與圍繞該一或多個接合墊之抗黏滯區域112。較佳地，週邊區域具有涵蓋此區域之抗黏滯特性，本裝置具有第二基板，其包括至少於其上形成陣列結構110之一或多個偏向裝置103，且第二基板耦接至第一基板。偏向裝置可為鏡結構，其每一耦接至電極結構105，耦接每一電極結構至一驅動電路與其他控制電路(未繪示)，以提供電壓而產生靜電力於偏向裝置與電極間。該偏向裝置為樞接，根據一特定實施例，當指向靜電力時，移動於第一方向，以及當此力已被移除時，移動於第二方向。積體晶片與鏡裝置之進一步描述可於2004年1月13號所提出之美國專利說明書序號No.10/756,936中尋得，其為通用目的而參考地整體地編入且整合於此。
同樣亦顯示的是，該裝置亦具有暴露於第一基板上的至少一或多個接合墊115，提供位於第二基板內之一開口以暴露此或此等接合墊。該裝置亦具有抗黏滯區域117，其為提供於第一基板之週邊區域，其亦為第二基板之週邊區域。藉由任何適合的材料可提供抗黏滯區域，如鋁、鈦、氮化鈦、金、銀與銅的組合，或此些的任何組合，包括適合的合金或於週期表中的任何其他元素。依據一特定實施例，設計抗黏滯區域的上表面以防止插入至含矽材料，如同二氧化矽、矽氮化物、純矽與其他相似的材料。
圖2為依據本發明之一實施例的封裝組件200之簡化剖面圖，其包括一玻璃板與隔開區域。本圖僅為一例，其不
應過度地限制此處之申請專利範圍的範圍，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。如同所顯示的，封裝組件200包括板201，其較佳地為光學性的透明，此板可為任何適合的玻璃板，或其餘相似者。此板貼附至隔開結構203，其包括複數之隔開區域。此些隔開區域形成開區域205。一頂視圖亦繪示開區域205與隔開區域203，也同樣顯示地，基板為晶圓級形式基板，其將以晶片形式包圍複數之積體電路裝置與鏡裝置。於隔開區域中提供每一晶片，且為部分板所圍繞。於說明書全文或以下更確切地提供積體晶片、鏡與封裝組件之進一步細節。
圖3是依據本發明之一實施例的接合晶片與鏡裝置以封裝組件之一簡化剖面圖。本圖僅為一例，其不應過度地限制此處之申請專利範圍的範圍，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。
在一特定實施例中，根據以下提供的步驟，本發明提供一方法以由多層的基板結構劃分一個或多個晶片。
提供第一基板，其具有一或多個接合墊與週邊區域(其包括抗黏滯區域)；當使用抗黏滯區域以防止第一基板的部分貼附至第二基板的部分時，接合第二基板至第一基板；接合第三基板至第二基板，以形成夾層結構，其包含第一基板、第二基板與第三基板；移除第三基板的部分以暴露該一或多個接合墊與週邊區域；以及
如果有需要的話，執行其他步驟。
根據本發明之一實施例，上述步驟的順序提供一方法。如同所顯示的，此方法使用步驟的組合，其包括形成具有抗黏滯特性的週邊區域的方式，用於積體晶片、鏡與封裝裝置的製造。亦可提供另外選擇，來增加步驟、移除一或多個步驟，或提供不同順序的一或多個步驟而無脫離本申請專利範圍之範疇，提供使用上述方法的細節如下。
圖4至圖11繪示根據本發明之一實施例用於接合與分離晶片與鏡裝置以封裝組件的方法。此圖僅為例示，其不該過度地限制本發明之申請專利範圍，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。在此選擇性特定實施例中，本發明提供方法以由多層基板材料劃分一或多個晶片，如同所顯示的，該等方法包括提供第一基板100，其具有一或多個接合墊401與週邊區域409。本方法包括在週邊區域當使用抗黏滯區域405以防止第一基板的部分貼附至第二基板的部分時，接合第二基板至第一基板。更佳地，抗黏滯區域防止第一基板的部分貼附至第二基板的部分。
參考圖5，本方法包括接合第三基板200至第二基板，以形成包括第一基板、第二基板與第三基板的夾層結構。第三基板包括板與隔開區域，此隔開區域包括表面區域407，表面區域接合至週邊區域之選擇部分501，選擇部分包括矽表面，其使用矽上矽或是絕緣層上矽之接合技術而接合至彼此。選擇性地，接合技術包括密封及/或非密封
的密封。其他部分503與505包括抗黏滯區域，其不貼附第二基板的表面至第一基板。
現參考圖6，本方法於接合基板結構的選擇部分形成複數的劃線，本方法藉鋸605經由第一基板的部分形成劃線607，劃線是經由第一基板的厚度但不切經由第一基板之所有方式。於晶片上之劃線區域提供劃線607，其於晶圓上，具有複數個晶片。
本方法經由板的全部且經由隔開區域的部分，形成一對劃線611與615，如同所顯示的，鋸面601切過板609以及隔開區域611之部分。鋸面603切過板613與隔開區域615的部分。參考圖7，其繪示頂視圖，結構包括鏡藉隔開結構區域701圍繞的陣列區域703，隔開結構區域形成介於陣列與週邊區域之界線，週邊區域包括劃線611與607(615)，其為與先前圖中相似的編號。結構亦包括接合墊705，其於週邊區域中提供，使用圖8繪示最終劃線結構，最終劃線結構包括劃線611、615與607，劃線605與607以其間材料之厚度面朝彼此，材料的厚度包括隔開區域的部分、第二基板的部分與第一基板。第二基板包括抗黏滯區域，其可為例如鋁或相似之材料。顯然地，熟知此技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。
參考圖9，本方法包括移除第三基板之部分901，以暴露903該一或多個接合墊與週邊區域。更佳地，藉破裂隔開區域的部分907由貼附之隔開區域發生移除，因為隔開區域之其他部分903不貼附於第二基板，在沒有損害到接
合墊或第一及/或第二基板之其他週邊部分的情形下，輕易地移除部分901。如同圖10所顯示的，多層接合基板1000由接合晶圓結構所移除。
在特定實施例中，本方法形成如同圖11所繪示之接合流程。接合流程包括打線接合1101繞至接合墊401，其暴露於週邊區域上。此週邊區域亦包括抗黏滯區域與破裂區域，接合多層結構包括封裝區域701，其包括封裝組件(亦即板或隔開)接合與密封至整合鏡與電路結構701，如同所顯示的。在一特定實施例中，隔開區域可具有範圍視實施例而定的自約為0.4 mm且更大之厚度。平面玻璃具有大約1/2 mm的厚度或其他尺寸，包括更厚與更薄。如同所顯示的，介於接合墊與隔開區域之週邊區域1100應足夠以允許接合繞組之接合。就是說，距離應容納接合流程之表面張力，更佳地，距離為至少1 mm但視實施例而定亦可為其他大小。此圖亦包括圍繞接合墊之區域。一般說來，根據本發明之特定實施例，只要接合墊沒損壞此區域可非常小，同時亦顯示，基於第二基板的厚度接合墊是於凹區域，根據特定實施例其係使用以形成偏向及/或鏡裝置，於本說明書全文且於下更確切地，可闡示本發明之其他實施例。
在又一選擇性特定實施例中，本發明提供一方法，其用以自多層基板結構劃分一或多個晶片，如同以下所描述的：1.提供第一基板，其具有一或多個接合墊與週邊區
域；2.當於第一基板之一部分與第二基板之一部分間維持間隙時，於週邊區域中，接合第二基板至第一基板；3.使用此間隙，防止第一基板的部分貼附至第二基板的部分；4.接合第三基板至第二基板以形成夾層結構，其包括第一基板、第二基板與第三基板；5.移除第三基板的部分以暴露該一或多個接合墊與週邊區域；以及6.如果需要的話，執行其他步驟。
根據本發明之一實施例，上述步驟的順序提供方法。如同所顯示的，此方法使用步驟的組合，包括形成週邊區域的方式，藉由空氣隙其具有抗黏滯特性以生產積體晶片、鏡與封裝裝置。亦可提供其他選擇以增加步驟，移除一或多個步驟或提供一或多個步驟於不同的順序，而無脫離本申請專利範圍的範疇，以下提供使用上述方法的細節。
圖12為根據本發明之一實施例的接合墊週邊結構之簡化剖面圖，此些圖僅為例示，其不應過度限制了本申請專利範圍的範疇，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。顯示用以自多層基板結構劃分一或多個晶片的方法。此方法包括提供第一基板，其具有一或多個接合墊與週邊區域，此方法包括於週邊區域當維持間隙1201於第一基板之部分與第二基板的部分之間時，接合第
二基板至第一基板。更佳地，間隙防止貼附第一基板的部分至第二基板的部分。較佳地，本方法包括移除第二基板的部分以暴露一或多個接合墊與週邊區域。因已提供此間隙於第一與第二基板的特定部分，無貼附至第一基板而移除第二基板的部分。
在特定實施例中，設計此間隙以防止貼附及/或第一與第二基板之黏貼，根據一特定實施例，此間隙通常充滿氣體及/或其他不具反應性的氣體。通常使用蝕刻製程以形成此間隙，其形成任一或此等基板的兩者。依據此實施例此凹區域通常大約1微米左右或更多，如同亦顯示於頂視圖中的，此間隙圍繞隔開結構之週邊區域，其圍繞晶片結構之平面區域，當然地，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。
圖13為根據本發明之再一實施例的一接合墊週邊區域之簡化剖面圖。此些圖僅為例示，其不應過度限制了本申請專利範圍的範疇，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。如同顯示於選擇性特定實施例的，週邊部分包括複數的虛擬金屬層1301、1309與1307。亦顯示接合墊1305，複數的虛擬金屬層形成抗黏滯區域，其被使用以防止第一基板貼附至第二基板，如同所顯示的。亦顯示的是，第一基板包括暴露區域，其具有複數的虛擬金屬層，其於相同製程步驟期間被製程，當然，任何熟習本技藝者，應能明瞭更多的改變、修飾與選擇。
同樣了解到此處描述的此些例子與實施例僅為例示性
目的，且對於熟習此技藝者所提出不同的修飾或改變，為包括在本說明書之精神與範圍中，以及所附之申請專利範圍之範疇中。
100‧‧‧積體晶片與鏡裝置
101‧‧‧第一基板
103‧‧‧偏向裝置
105‧‧‧電極結構
107‧‧‧胞區域
109‧‧‧接合墊區域
106、409、1100‧‧‧週邊區域
110‧‧‧陣列結構
115、401、705、1305‧‧‧接合墊
112、117、405‧‧‧抗黏滯區域
200‧‧‧封裝組件
201、609、613‧‧‧板
203‧‧‧隔開結構
205‧‧‧開區域
407‧‧‧表面區域
501‧‧‧選擇部分
503、505‧‧‧其他部分
601、603‧‧‧鋸面
605‧‧‧鋸
607‧‧‧劃線
611、615‧‧‧隔開區域
701‧‧‧隔開結構區域
703‧‧‧陣列區域
901‧‧‧第三基板之部分
903‧‧‧隔開區域之其他部分
907‧‧‧隔開區域的部分
1000‧‧‧多層接合基板
1100‧‧‧隔開區域之週邊區域
1101‧‧‧打線接合
1201‧‧‧間隙
1301、1309、1307‧‧‧虛擬金屬層
圖1是依據本發明之一實施例的積體電路之簡化剖面圖，與包括接合墊區域的鏡裝置。
圖2是依據本發明之一實施例的封裝組件之簡化剖面圖，其包括玻璃板與隔開區域。
圖3是依據本發明之一實施例的接合晶片與鏡裝置以組合地封裝之簡化剖面圖。
圖4至圖11繪示用於接合與分離晶片與鏡裝置以組合地封裝的方法。
圖12是依據本發明之一選擇性的實施例的接合墊週邊結構之一化剖面圖。以及圖13是依據本發明之一選擇性的實施例的接合墊週邊結構之簡化剖面圖。
100‧‧‧第一基板
200‧‧‧封裝組件
401‧‧‧接合墊
405‧‧‧抗黏滯區域
407‧‧‧表面區域
409‧‧‧週邊區域
Claims (26)
- 一種用以由接合的晶圓級基板結構劃分一或多個晶片的方法，該方法包含：提供一第一基板，其包含位於該第一基板上的至少一積體電路晶片，該積體電路晶片包含一胞區域與一週邊區域，該週邊區域包含一接合墊區域，該接合墊區域包含一或多個接合墊以及圍繞該一或多個接合墊之各個墊的一抗黏滯區域；耦接一第二基板至該第一基板，該第二基板至少包含位於其上的一或多個偏向裝置；至少暴露該第一基板上的一或多個接合墊；耦接一透明構件，其覆蓋該第二基板並形成一腔區域以允許該一或多個偏向裝置在該腔區域之一部分內移動，用以形成至少包含該第一基板之一部分、該第二基板之一部分與該透明構件之一部分的一夾層結構；在該透明構件之一第一部分上形成一第一劃線，並使與該第一基板的一第一部分相關之該第一劃線的鄰近處保持與該第一劃線相分離；在該透明構件之一第二部分與該第一基板之一第二部分上形成一第二劃線，該第一基板的該第一部分與第一基板的該第二部分具有形成在該第一部分與該第二部分之間的抗黏滯區域；以及經由該第一劃線與該第二劃線導致該透明構件之一部分被移除，且暴露該第一基板上的該抗黏滯區域以及該一 或多個接合墊。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該透明構件包含一耦接至一框結構之透明板，該框結構形成由該透明板之一部分所界限的腔區域之一部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該透明構件包含一與該第二基板的一部分之共價鍵。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該抗黏滯區域包含一金屬材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一劃線係由一鑽石鋸提供。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二劃線係由一鑽石鋸提供。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中當形成該第一劃線與該第二劃線時，該一或多個接合墊保持與任何晶圓分離。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該透明構件包含一接合至圍繞該胞區域之區域的一部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中導致該透明構件之一部分被移除的步驟包含在該第一劃線之一鄰近處內破裂該透明構件之一部分，並且在該第二劃線之一鄰近處內破裂該透明構件之一部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該透明構件包含耦接至一框構件的一實質平面玻璃構件。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該平面 玻璃構件被密封至該框構件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二劃線區域包含該透明構件之一部分與該第一基板之一部分上的一劃線。
- 一種多層積體光學及電路裝置，該裝置包含：一第一基板，其包含位於該第一基板上之至少一積體電路晶片，該積體電路晶片包含一胞區域與一週邊區域，該週邊區域包含一接合墊區域，該接合墊區域包含一或多個接合墊以及圍繞該一或多個接合墊之各個墊的一抗黏滯區域；一第二基板，其包含位於該第二基板上之至少一或多個偏向裝置，並耦接至該第一基板，且至少暴露該第一基板上的一或多個接合墊；一透明構件，其覆蓋該第二基板並形成一腔區域以允許該一或多個偏向裝置在腔區域之一部分內移動，以形成至少包含該第一基板之一部分、該第二基板之一部分以及該透明構件之一部分的一夾層結構，其中，當該一或多個偏向裝置保持在該腔區域之該部分內，該一或多個接合墊與該抗黏滯區域係暴露的。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該透明構件包含一耦接至一框結構之透明板，該框結構形成由該透明板所的一部分所界限之該腔區域之一部分。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該透明構件包含一與該第二基板的一部分之共價鍵。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該抗黏滯區域包含一金屬材料。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該透明構件包含一接合至一圍繞該胞區域之區域的一部分。
- 如申請專利範圍第13項所述之裝置，其中該透明構件包含一耦接至一框構件的實質平面玻璃構件。
- 如申請專利範圍第18項所述之裝置，其中該平面玻璃構件被密封至該框構件。
- 一種用以由多層基板結構劃分一或多個晶片的方法，該方法包含下列步驟：提供一第一基板，該第一基板包含一或多個接合墊與一週邊區域；將一第二基板接合至該第一基板，並在該週邊區域中的該第一基板的一部分與該第二基板的一部分之間保持一間隙，該間隙防止該第一基板的該部分貼附至該第二基板的該部分；以及移除該第二基板的一部分，以暴露該一或多個接合墊與該週邊區域，其中該間隙係設於該第二基板之一部分中。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中移除該第二基板的一部分之步驟包含在該第二基板之一第一部分上形成一第一劃線區域，以及在該第二基板的一第二部分上形成一第二劃線區域，該第一部分與該第二部分係在該週邊區域之一鄰近處之間。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該間隙係設於該第一基板之一部分中，該第一基板的該部分被蝕刻至一由一金屬層所界定之區域，該金屬層至少包含該一或多個接合墊。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該間隙具有大小約為1 μm或更大，以防止該第一基板之該部分貼附至該第二基板之該部分。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該第一基板包含一含矽材料。
- 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中該第二基板包含一耦接至一矽框結構之透明板，該矽框結構被接合至該第一基板。
- 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該透明板被密封至該矽框結構。
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