TWI409470B - 共模電容之量測設備及方法 - Google Patents

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TWI409470B
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Delta Electronics Inc
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Description

共模電容之量測設備及方法
本案係關於一種開關電源供應器，尤指一種應用於量測切換式電源供應器兩隔離元件間共模電容之量測設備及方法。
現今，電器與電子設備欲導入市場，需符合一些由美國聯邦通信委員會(Federal Communications Commission,FCC)或國際無線電干擾特別委員會(Commission Internationale Specialedes Perturbations Radio,CISPR)所制定之電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)規範標準。通常EMI電磁干擾可區分為差模雜訊(differential-mode(DM)noise)與共模雜訊(common-mode(CM)noise)。其中差模雜訊之電流路徑係介於火線(Line,L)與中性線(Neutral,N)兩線之間，而其雜訊位準係由電源供應輸入端之雜訊電流所決定。而共模雜訊之電流路徑則是介於電源線與接地線之間，藉由電壓跳變點與接地線間寄生電容之充電及放電所生成，其中電壓跳變點之電壓在EMI測試頻率範圍內之電路中快速跳動而得。
通常，共模電流並非僅由單一電容決定。第一圖係揭示一具反激(flyback)式轉換器之電源供應器拓撲結構。第一圖中之反激式轉換器100包含有一橋式整流器110、一濾波電容器112與該橋式整流器110並聯、一具有初級繞組(primary winding)N100及次級繞組(secondary winding)S100之變壓器T100、一開關114連接至該初級繞組N100、一整流二極體116連接至該次級繞組S100、以及一輸出電容118。而該反激式轉換器100係架構於供應電源至一負載120。又，一標準之電源傳輸阻抗穩定網路(Line Impedance Stabilizing Network,LISN)130亦提供連接至該反激式轉換器100輸入端，並架構於以提供該轉換器固定阻抗以量測EMI雜訊，且使被測設備(Equipment Under Test,EUT)能與電源線之環繞雜訊隔絕。該開關114之開/關運作會在電路中之P點產生高dv/dt值；而P點即為電壓跳變點(hot-voltage point)。B點和S點是同名端。共模電流3透過初級側電容CP 、等效共模寄生電容CPS 及次級側電容CS_G 而抵達接地線，其中，初級側電容CP 與次級側電容CS_G 係介於電源供應器與接地線間之電容。如第一圖所示，而該電源供應電路的等效共模電容即等同於為次級側電容CS_G 與等效共模寄生電容CPS 串聯後再與初級側電容CP 並聯者。已有許多的技術可用以減小初級側電容CP ；一旦次級側電容CS_G 大於等效共模寄生電容CPS 許多，與等效共模寄生電容CPS 串聯之次級側電容CS_G 電容值則取決於該等效共模寄生電容CPS 。所以，等效共模電容最後主要終由之等效共模寄生電容CPS 值所決定。若越早得知等效共模寄生電容CPS 之電容，則越有利於設計EMI濾波電路。因此若可以獲致準確的等效共模寄生電容CPS 值，則量產之品質將可獲得改善。
通常獲等效共模寄生電容CPS 有兩種方法。一為計算，另一則為測試。眾所皆知，在變壓器結構之模型建立 後，在靜電場中變壓器初級側與次級側間之寄生電容可被算出。然而結果卻與事實不符，因為當開關電源供應器運作時，沿著線圈之電壓發生變化，因此變壓器線圈每一繞圈之電壓並不同。然而在靜電場中計算寄生電容並未考量此點。因此並沒有一種簡單的方法可以準確地計算出在工程應用上之等效共模電容。
第二圖A及第二圖B揭示習知計算共模電容之量測設備，其中第二圖A揭示量測設備之內部架構；而第二圖B則揭示量測設備與變壓器一起之量測架構。該量測設備7係為一典型之阻抗分析儀(Impedance analyzer)或阻抗測試器(LCR meter)。由典型量測設備7所完成之計算並不準確，因為不論是阻抗分析儀或阻抗測試器僅為具兩端點8及9之單端口網路。該量測設備7之內部電壓源10係透過端點8及9而連接至被測設備11。在獲得致響應電流12與響應電壓13後，該被測設備11之阻抗特性即可被計算出來。然而顯見地，在該單一端口網路7中，電壓源10與響應電流12、響應電壓13均係由相同的端點8及9所獲得。在第二圖B中，阻抗分析儀或阻抗測試器可精確地量測一介於初級繞組15與次級繞組16間之寄生電容14。但介於初級繞組15與次級繞組16間之共模電流係為位移電流(displacement current)，其與如第三圖中所示繞組間之壓降有關。第三圖A係揭示無屏蔽之變壓器結構；而第三圖B則揭示具屏蔽之變壓器結構。假設繞組15之繞圈匝數(turns)大於繞組16者的匝數，且底部繞圈17通常係連接至第一圖中之B點，該處於EMI測試頻率範圍內電壓 幾乎是穩定的，我們稱其為靜地點(quiet point)。頂部繞圈18則通常接至第一圖中之熱電壓點電壓跳變點P，該處之電壓跳動快速。並且繞圈18及20具有相同極性，為同名端。很明顯地，繞圈17及19間之電壓差幾乎是零，因此繞圈17及19該處間便幾乎無共模位移電流。而繞圈18及20間之電壓差最大，因此該處間則有最大之共模位移電流。第二圖B中之電容14無法顯示如此的現象，所以其並非我們所要之電容。換句話說，由於在第二圖所示的方法下，並未考慮繞組15或16沿頂部線圈至底部線圈的電壓變化，而繞圈17及19間之電壓差幾乎是零，這樣，繞組15及16之間電壓差幾乎為零。如果繞組15及繞組16間沒有電壓差，則即使電容14存在，位移電流iCM 仍為零，故電容14對共模電流毫無貢獻可言。電容14顯然非前述關鍵之等效共模寄生電容CPS 。若變壓器內初級繞組15與次級繞組16間具有一屏蔽層21，則單端口網路僅可量測介於屏蔽層21與次級繞組16間之寄生電容22。而寄生電容22亦無法代表等效共模寄生電容CPS 。
本案申請人有鑑於前述習知技藝之限制與缺失，乃經悉心試驗與研究，遂而提出一具雙端口網路量測等效參數之量測設備。該量測設備不僅可用於已完成產品之測試，亦可於早期設計週期獲致精確的寄生參數，進而輔助設計一開關電源供應器之EMI濾波器。同時亦可用於作為變壓器量產時之品質管控，有效地降低管控之費用。因此開發一種用於電源轉換器之共模電容之測試設備及方法，即可處理解決前述習知限制與缺失。
本案之目的在於提供一種可準確量測存在於一第一元件及與該第一元件隔離之一第二元件間共模電容之量測設備。
為達上述目的，本案之一較廣義實施態樣為提供一種應用於量測存在於一第一元件及與該第一元件隔離之一第二元件間共模電容之量測設備。其量測設備之結構包括一信號產生器，連接至該第一元件，並具有一內部信號源串聯至一第一內電阻，用以傳送一信號至該第一元件；以及一信號接收器，連接於該第二元件與該第一元件間，並具有一第二內電阻，用以量測該第一元件與第二元件間之一信號響應，進而基於該信號響應而計算出存在於該第一元件與該第二元件間之共模電容。
為達上述目的，本案之另一較廣義實施態樣為提供一種應用於量測存在於一第一元件及與該第一元件隔離之一第二元件間共模電容之量測方法，其包括步驟：提供一信號產生器及一信號接收器，其中該信號產生器連接至該第一元件且具有一內部信號源串聯至一第一內電阻；以及該信號接收器連接於該第二元件與該第一元件間且具有一第二內電阻；藉由該訊號產生器之該內部信號源提供一訊號至該第一元件；以及藉由該訊號接收器量測該第一元件與該第二元件間之一信號響應，以及基於該信號響應計算存在於該第一元件與該第二元件間之該共模電容。
本案之前述及其他技術特徵、功效及優點將由下述實 施例及圖式說明而可以進一步了解。
體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖式在本質上係當作說明之用，而非用以限制本案。
本案揭示一種具雙端口網路機制之等效共模電容之量測設備。如第四圖A及第四圖B所示，本案之量測設備400包含一信號產生器410及一信號接收器412。其中第四圖A揭示本案一較佳實施例之等效共模寄生電容之量測設備，設置於初級側電壓跳變點P與次級側靜地點S間。該信號產生器410係連接至變壓器初級繞組NP400之點P及P’。而該信號接收器412則係連接於該初級側繞組NP400之點P’與該次級側繞組NS400之點S間。對於該信號接收器412而言，其係可以一頻譜分析儀(Spectrum analyzer)替代之。此量測機制係模擬一於開關電源供應器內變壓器之實際運作狀態。這表示信號源被注入該初級側繞組NP400，而於該初級側與次級側間之響應可被該信號接收器412所測得。其信號源與響應係位於不同的端口；不同於單端口網路量測者的信號源與響應均在同一端口。所以其可準確的量測出等效共模寄生電容CPS 。
第四圖B係為第四圖A中該量測設備之等效電路圖。如第四圖A所示，該信號產生器410內之內電阻ZP 與該信號接收器412內之內電阻ZS 均為50Ω，則該信號產生器 410之輸出電壓UP 係參照於該內電阻ZP 上之電壓，而非內部信號源U’P 之實際幅值。通常 U’ P =2U P ，或以分貝(dB)為單位則 U’ P | dB =U P | dB +6 。根據歐姆定律(Ohm’s law)，CPS 可由下列算式(1)計算而得。
其中Us 是信號接收器412之輸入電壓(信號響應)，以及 f 為量測頻率，f的取值最好在EMI測試頻率範圍內。
第五圖A係揭示本案較佳實施例之量測設備，其中該信號產生器410與該信號接收器412係配置於一EMI測量接收機500內。該EMI測量接收機500廣泛地應用於EMI測試；且具信號輸出模組之EMI測量接收機500可以通過量測插入損耗(Insertion loss,IL)測試功能來量測該等效共模寄生電容CPS ，即如第五圖A所示。若將測試結果標示為 IL ，則前述式(1)可轉換為下列式(2)。
另外，第五圖B係揭示本案另一較佳實施例之量測設 備，其中該信號產生器410與該信號接收器412係配置於一網路分析儀(Network analyzer)510內。該網路分析儀510通常用於量測轉換函數；具輸入/輸出計算功能之網路分析儀510亦可用以量測該等效共模寄生電容CPS ，即如第五圖B所示。若將測試結果標示為 I/O ，則前述式(1)可轉換為下列式(3)。
任何具信號產生及信號接收功能之設備均可應用於本案發明中。而內電阻ZP 與ZS 可為50Ω或任何其他值。為獲致更為精確之結果，該內電阻ZP 與ZS 相較於該等效共模寄生電容CPS 之阻抗值越小越佳。若信號產生器之內電阻為ZA ；信號接收器之內電阻為ZB ；而信號產生器之輸出電壓為UA ；信號接收器之輸入電壓(信號響應)為UB ；等效共模寄生電容CPS 則可由下式(4)計算而得。
前述公式係為頻域式(Frequency domain)測試結果。事實上，本案所述之量測設備亦可由時域式(Time domain)之裝置為之。第六圖A揭示本案較廣義實施態樣之量測設備方塊圖。被測設備600係包括相互隔離之第一元件601及第二元件602，且第一元件601具有至少兩端點620、630，第二元件602具有至少一端點640。其中，信號產生器610 係連接於第一元件601的兩端點620、630，信號接收器612係連接於第二元件602的端點640與第一元件601的端點630間。舉例說來，被測設備600可以是一變壓器，第一元件601為變壓器初級繞組NP600，第二元件602為包括有變壓器之次級繞組NS600。端點620可以是變壓器初級繞組之一電壓跳變點，端點630可以是變壓器初級繞組之靜地點；而端點640可以是變壓器次級繞組之靜地點。第六圖B係揭示第六圖A較佳實施例之等效電路圖。同樣地，該信號產生器610之內電阻為ZA (或稱第一內電阻)；該信號接收器612之內電阻為ZB (或稱第二內電阻)；而該信號產生器610之輸出電壓為UA ；該信號接收器612之輸入電壓為UB 。於本實施例中，信號產生器610具有一內部信號源串聯至內電阻ZA (或稱第一內電阻)，用以傳送一信號至第一元件601。信號接收器612具有一內電阻ZB (或稱第二內電阻)，用以量測第一元件601與第二元件602間之一信號響應，進而基於該信號響應而計算出存在於第一元件601與第二元件602間之共模寄生電容C13 。依據本案之構想，端點620與640間之阻抗則可依歐姆定律由下式(5)計算而得。
該等效寄生CM電容則可由下式(6)計算而得。
第七圖顯示了信號產生器710連接至如第四圖A~B、第五圖A~B與第六圖A~B所示之變壓器之部份繞組。如第七圖所示，其係揭示本案再一較佳實施例之量測設備示意圖。該信號產生器710係連接至一變壓器初級繞組NP700之一電壓跳變點720，以及該電壓跳變點720與該變壓器初級繞組NP700之一靜地點730間的另一電壓點740。該信號接收器712係連接於該另一電壓點740與變壓器次級繞組NS700之一靜地點750間。當然，該信號產生器710也可以連接至該變壓器初級繞組NP700之另一電壓點740以及一靜地點730，該信號接收器712係連接於變壓器初級繞組NP700之該靜地點730與變壓器次級繞組NS700之一靜地點750間。
而本案之量測設備不僅可以量測於一反激式轉換器之變壓器等效共模寄生電容，也可以量測任何其他拓撲轉換器之變壓器。以一移相全橋式轉換器(Phase-shift full-bridge converter)為例，該初級側繞組之兩端點均為電壓跳變點P1 與P2 ，而我們可分別量測之，即如第八圖A及第八圖B所示。第八圖A及第八圖B揭示本案較佳實施例之量測設備應用於量測一移相全橋式轉換器之變壓器。如第八圖A所示，信號產生器810係連接至一變壓器初級繞組NP800之第一電壓跳變點P1以及第二電壓跳變點P2，信號接收器812係連接於初級繞組NP800之第二電壓跳變點P2以及次級繞組NS800之一靜地點S，例如一中心抽頭點，藉此該初級繞組NP800之一第一電壓跳變點P1 與該次級繞組NS800之一中心抽頭分接靜地點S間 之共模寄生電容CPS1 可由信號響應所量測而得。如第八圖B所示，信號產生器810係連接至一變壓器初級繞組NP800之第一電壓跳變點P1以及第二電壓跳變點P2，信號接收器812係連接於初級繞組NP800之第一電壓跳變點P1以及次級繞組NS800之一靜地點S，例如一中心抽頭點，藉此該初級繞組NP800之一第二電壓跳變點P2 與該次級繞組NS800之一中心抽頭分接靜地點S間之共模寄生電容CPS2 可由信號響應所量測而得。
在許多轉換器內，其變壓器更具有多重繞組，而通常我們係測試主要繞組之等效共模寄生電容CPS 。第九圖A係揭示本案應用於具複數個初級繞組及一次級繞組變壓器之量測設備電路示意圖。而第九圖B則係揭示本案應用於具複數個初級繞組及複數個次級繞組變壓器之量測設備電路示意圖。在第九圖A中，該等初級繞組NP910、NP920之靜地點K1 及K2 係連接至一共同節點940，而該信號產生器910連接於該主要初級繞組NP910之電壓跳變點P與該共同節點940間。又該信號接收器912則連接至該次級繞組NS900之一靜地點S與該共同節點940。
在第九圖B中，該等初級繞組NP910、NP920之靜地點係連接至一第一共同節點940，而該信號產生器910連接於該主要初級繞組NP910之電壓跳變點P與該第一共同節點940間。又該等次級繞組NS900之靜地點係連接至一第二共同節點960，而該信號接收器912則連接於該第一共同節點940與該第二共同節點960間。在不同端點間之測試結果並不相同，因為不同端點間之電壓並不相同。所 以此一量測需依據開關電源供應器中變壓器之實際運作狀態而得。
以上實施例中，待測設備，例如變壓器，包括一屏蔽層，該屏蔽層連接至該第一元件並設置於該第一元件與該第二元件間，用以減小第一元件與該第二元件之間的共模電流。當然，於一些實施例中，本案之測試設備與方法亦適用於無屏蔽層之變壓器。
此一量測設備不僅適用於量測變壓器之共模參數，亦適用於量測其他任兩點間之共模參數。例如在第十圖A與第十圖B中所分別揭示之開關之一端如金氧半場效電晶體(以下簡稱MOSFET)之汲極與其散熱器間之共模參數(散熱器與MOSFET隔離)，以及光耦合器之初級側與次級側間之共模參數。如第十圖A所示，一量測設備1000包含有一信號產生器1010及一信號接收器1012及源極1022。該信號產生器1010係連接至該MOSFET 1020之汲極1021。而該信號接收器1012則連接於該MOSFET 1020之源極1022與其散熱器1030之間，其中散熱器1030與MOSFET 1020相隔離，且其中信號接收器1012與散熱器1030的連接點可以是一靜地點。藉此該量測設備1000可用於量測MOSFET 1020之汲極1021與其散熱器1030間之等效共模寄生電容CPS 。又如第十圖B所示，一量測設備1100包含有一信號產生器1110及一信號接收器1112。該信號產生器1110係連接至該光耦合器1120之初級側1121之兩末端。而該信號接收器1112則係連接於該光耦合器1120之初級側1121一末端與該次級側1122之一末端 間，其中，該光耦合器1120之初級側1121與次級側1122相隔離，且其中該次級側1122之一末端可以是一靜地點。藉此該量測設備1100可用於量測該光耦合器1120之初級側1121與次級側1122間之等效共模寄生電容CPS 。
綜上所述，本案提供一種具雙端口網路量測共模寄生電容之量測設備。該量測設備除了可作為完成品之測試外，亦可於早期設計週期時先行獲致精確的寄生參數，進而輔助設計一開關電源供應器之EMI濾波器。同時更可做為變壓器量產時之品質管控，有效地降低管控之費用。另一方面，本案之量測設備更可廣泛地應用於任兩點間之寄生參數量測，此為習知技藝所無法達成者。
本案得由熟習此技術之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。
100‧‧‧反激式轉換器
110‧‧‧橋式整流器
112‧‧‧濾波電容器
114‧‧‧開關
116‧‧‧整流二極體
118‧‧‧輸出電容
120‧‧‧負載
130‧‧‧電源傳輸阻抗穩定網路
3‧‧‧共模電流
7‧‧‧量測設備
8‧‧‧端點
9‧‧‧端點
10‧‧‧電壓源
11‧‧‧被測設備
12‧‧‧響應電流
13‧‧‧響應電壓
14‧‧‧寄生電容
15‧‧‧初級繞組
16‧‧‧次級繞組
17‧‧‧底部繞圈
18‧‧‧頂部繞圈
19‧‧‧底部繞圈
20‧‧‧頂部繞圈
21‧‧‧屏蔽層
22‧‧‧寄生電容
400‧‧‧量測設備
410‧‧‧信號產生器
412‧‧‧信號接收器
500‧‧‧EMI測量接收機
510‧‧‧網路分析儀
600‧‧‧被測設備
601‧‧‧第一元件
602‧‧‧第二元件
610‧‧‧信號產生器
612‧‧‧信號接收器
620‧‧‧端點
630‧‧‧端點
640‧‧‧端點
710‧‧‧信號產生器
712‧‧‧信號接收器
720‧‧‧電壓跳變點
730‧‧‧靜地點
740‧‧‧電壓點
750‧‧‧靜地點
810‧‧‧信號產生器
812‧‧‧信號接收器
910‧‧‧信號產生器
912‧‧‧信號接收器
940‧‧‧第一共同節點
960‧‧‧第二共同節點
1000‧‧‧量測設備
1010‧‧‧信號產生器
1012‧‧‧信號接收器
1020‧‧‧MOSFET
1021‧‧‧汲極
1022‧‧‧源極
1030‧‧‧散熱器
1100‧‧‧量測設備
1110‧‧‧信號產生器
1112‧‧‧信號接收器
1120‧‧‧光耦合器
1121‧‧‧初級側
1122‧‧‧次級側
B‧‧‧靜地點
CP ‧‧‧初級側電容
CPS ‧‧‧等效共模寄生電容
CPS1 ‧‧‧共模寄生電容
CPS2 ‧‧‧共模寄生電容
CS_G ‧‧‧次級側電容
C13 ‧‧‧共模寄生電容
IL‧‧‧穿透損耗
N100‧‧‧初級繞組
NP400‧‧‧初級繞組
NP600‧‧‧初級繞組
NP700‧‧‧初級繞組
NP800‧‧‧初級繞組
NP910‧‧‧初級繞組
NP920‧‧‧初級繞組
NS400‧‧‧次級繞組
NS600‧‧‧次級繞組
NS700‧‧‧次級繞組
NS800‧‧‧次級繞組
NS900‧‧‧次級繞組
P‧‧‧電壓跳變點
P’‧‧‧點
P1 ‧‧‧第一電壓跳變點
P2 ‧‧‧第二電壓跳變點
S100‧‧‧次級繞組
S‧‧‧靜地點
T100‧‧‧變壓器
K1 ‧‧‧靜地點
K2 ‧‧‧靜地點
UP ‧‧‧輸出電壓
U’P ‧‧‧信號源
US ‧‧‧輸入電壓
UA ‧‧‧輸出電壓
UB ‧‧‧輸入電壓
VP ‧‧‧電壓
VS ‧‧‧電壓
ZA ‧‧‧內電阻
ZB ‧‧‧內電阻
ZP ‧‧‧內電阻
ZS ‧‧‧內電阻
f ‧‧‧量測頻率
iCM ‧‧‧共模位移電流
第一圖：揭示一具反激式轉換器之電源供應器拓撲結構。
第二圖A：揭示習知技藝應用於計算共模電容之量測設備之內部架構示意圖。
第二圖B：揭示習知技藝之量測設備與變電器一同之量測架構示意圖。
第三圖A：揭示習知技藝無屏蔽層之變壓器結構示意圖。
第三圖B：揭示習知技藝具屏蔽層之變壓器結構示意圖。
第四圖A：揭示本案一較佳實施例之等效共模寄生電容之量測設備示意圖。
第四圖B：揭示第四圖A中該量測設備之等效電路圖。
第五圖A：揭示本案較佳實施例之量測設備配置有一EMI測量接收機之結構示意圖。
第五圖B：揭示本案較佳實施例之量測設備配置有一網路分析儀之結構示意圖。
第六圖A：揭示本案較廣義實施態樣之量測設備方塊圖。
第六圖B：揭示第六圖A較佳實施例之等效電路圖。
第七圖：揭示本案再一較佳實施例之量測設備示意圖。
第八圖A及第八圖B：揭示本案應用於量測一移相全橋式轉換器之變壓器之量測設備電路示意圖。
第九圖A：揭示本案應用於具複數個初級繞組及一次級繞組變壓器之量測設備電路示意圖。
第九圖B：揭示本案應用於具複數個初級繞組及複數個次級繞組變壓器之量測設備電路示意圖。
第十圖A：揭示本案應用於量測MOSFET汲極與其散熱器 間之寄生參數之量測設備電路示意圖。
第十圖B：揭示本案應用於量測光耦合器之初級側與次級側間之寄生參數之量測設備電路示意圖。
400‧‧‧量測設備
410‧‧‧信號產生器
412‧‧‧信號接收器
CPS ‧‧‧等效共模寄生電容
NP400‧‧‧初級繞組
NS400‧‧‧次級繞組
P‧‧‧電壓跳變點
S‧‧‧靜地點
UP ‧‧‧輸出電壓
US ‧‧‧輸入電壓

Claims (21)

  1. 一種應用於量測存在於一第一元件及與該第一元件隔離之一第二元件間共模電容之量測設備，其結構包括：一信號產生器，連接至該第一元件，並具有一內部信號源串聯至一第一內電阻，用以傳送一信號至該第一元件；以及一信號接收器，連接於該第二元件與該第一元件間，並具有一第二內電阻，用以量測該第一元件與第二元件間之一信號響應，進而基於該信號響應而計算出存在於該第一元件與該第二元件間之共模電容。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該信號接收器包含有一頻譜分析儀。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該信號產生器及該信號接收器係配置於一EMI測量接收機或一網路分析儀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該第一元件包含有一變壓器初級繞組；該第二元件包含有一變壓器次級繞組。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之共模電容之量測設備，更包含一屏蔽層，連接至該第一元件，並設置於該第一元件與該第二元件間，用以降低該第一元件與該第二元件間之一共模電流。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之共模電容之量測設備，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一電壓跳 變點與一靜地點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該靜地點間。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之共模電容之量測設備，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一電壓跳變點與位於該電壓跳變點及該變壓器初級繞組一靜地點之間一電壓點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該靜地點間。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之共模電容之量測設備，其中該變壓器初級繞組與該變壓器次級繞組均配置於一反激式轉換器。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之共模電容之量測設備，其中該變壓器初級繞組與該變壓器次級繞組均配置於一移相全橋式轉換器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之共模電容之量測設備，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一第一電壓跳變點與一第二電壓跳變點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該第一電壓跳變點間。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之共模電容之量測設備，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一第一電壓跳變點與一第二電壓跳變點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該第二電壓跳變點間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該第一元件包含有複數個變壓器初級繞組；該第二元件包含有一變壓器次級繞組。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之共模電容之量測設備，其中該複數個變壓器初級繞組之靜地點均彼此連接至一共同節點；而該信號產生器係連接於該複數個變壓器初級繞組中一主要繞組之一電壓跳變點與該複數個變壓器初級繞組之該共同節點間；且該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該複數個變壓器初級繞組之該共同節點間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該第一元件包含有複數個變壓器初級繞組；該第二元件包含有複數個變壓器次級繞組。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之共模電容之量測設備，其中該複數個變壓器初級繞組之靜地點均彼此連接至一第一共同節點；而該複數個變壓器次級繞組之靜地點均彼此連接至一第二共同節點；該信號產生器係連接於該複數個變壓器初級繞組中一主要繞組之一電壓跳變點與該複數個變壓器初級繞組之該第一共同節點間；且該信號接收器則係連接於該複數個變壓器次級繞組之該第二共同節點與該複數個變壓器初級繞組之該第一共同節點間。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該第一元件包含有一開關；而該第二元件包含有一散熱器。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之共模電容之量測設備，其中該第一元件包含有一光耦合器之一次側；該第二元件包含有該光耦合器之一次級側。
  18. 一種應用於量測存在於一第一元件及與該第一元件隔離之一第二元件間共模電容之量測方法，其包括步驟：提供一信號產生器及一信號接收器，其中該信號產生器連接至該第一元件且具有一內部信號源串聯至一第一內電阻；以及該信號接收器連接於該第二元件與該第一元件間且具有一第二內電阻；藉由該訊號產生器之該內部信號源提供一訊號至該第一元件；以及藉由該訊號接收器量測該第一元件與該第二元件間之一信號響應，以及基於該信號響應計算存在於該第一元件與該第二元件間之該共模電容。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之共模電容之量測方法，其中該第一元件包含有一變壓器初級繞組；該第二元件包含有一變壓器次級繞組。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之共模電容之量測方法，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一電壓跳變點與一靜地點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該靜地點間。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之共模電容之量測方法，其中該信號產生器係連接於該變壓器初級繞組之一電 壓跳變點與位於該電壓跳變點及該變壓器初級繞組一靜地點之間一電壓點間；而該信號接收器則係連接於該變壓器次級繞組之一靜地點與該變壓器初級繞組之該靜地點間。
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