1380301 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於自濺鍍靶將粒子注射至旋轉碟片•板以 使薄膜沉積在碟片基板上之濺鍍裝置，使用該濺鎪裝置來 製造光學記錄媒體的方法，且藉由該製造方法所製造之光 學記錄媒體。 【先前技術】 近年來，具有大於諸如CD (光碟）及DVD (多樣化 數位光碟）之一習知光碟的儲存容量之下一代光碟的標準 已被提議，以及諸如HD-DVD(高解析DVD)及BD-R( 可記錄藍光光碟）之下一代光碟已被商業化，該等下一代 光碟藉由使用具有約400nm (稱爲藍色雷射光）的波長之 雷射光而能夠實施資訊的記錄及複製。 通常，記錄資訊之光碟的記錄區具有多層結構，其中 兩或更多薄膜被層疊，且用於決定光碟的記錄及複製特性 之因素的一者係每一膜的厚度分佈。爲此理由，當形成薄 膜在碟片基板上時，需要以充份準確度來控制厚度分佈， 及各種方法被提議來解決該問題。例如，參照國際公開案 第2 00 3 /0 3 663 3號及日本專利先行公開申請案第 2002-324335 號。 揭示於國際公開案第200 3/03 663 3號的方法爲，覆蓋 碟片基板上之膜沉積區的一部份之遮蔽板係配置在旋轉碟 片基板及濺鍍靶之間，且薄膜係斷續地沉積在膜沉積區中 -5- 1380301 。此方法針對形成具有均質特性的薄膜。 揭示於日本專利先行公開申請案第2002-324335號的 方法爲，覆蓋碟片基板的周圍部份之外周掩膜被移除於膜 沉積的中間，且薄膜係形成在碟片基板上。此方法針對固 >定在外周之薄膜的厚度。 - 揭示於國際公開案第2003/036633號的遮蔽板供作用 _ 於斷續地形成薄膜之斬波器。使此方法明確地控制形成在 φ 碟片基板上之薄膜的厚度以獲得想要的膜厚度分佈是困難 的。 f n 揭示於日本專利先行公開申請案第2002-324335號的 方法能夠固定在外周之薄膜的厚度。然而，使此方法明確 地控制形成在碟片基板上之薄膜的厚度以獲得想要的膜厚 度分佈是困難的。再者，薄膜亦被形成於碟片基板的外周 ’以及這是難以藉由紫外線硬化樹脂的塗佈附加地形成於 f後續處理'中之保護層或保護膜而獲得良好黏著特性。 【發明內容】 • 於本發.明的—形態，本揭示提供能夠獲得形成在碟片 • 基板上之薄膜的想要厚度分佈之濺鍍裝置。 於解決或減少上述問題的一或多者之本發明的實施例 • @中’本揭示.提供一種濺尊裝置，其自濺鍍靶將粒子注射至 旋轉碟片基板以使薄膜沉積在該碟片基板上，該濺鍍裝置 J ^ 包含：旋轉裝置，其配置使該碟片基板旋轉；及遮蔽構件 --- 一 ’其配置成基於沉積在該碟片基板上之該薄膜的分佈，保 -6 - 1380301 護該碟片基板的表面上之膜沉積區的一部份免受自該濺鏡 \靶注射之該等粒子。 於本發明的另一形態，本揭示提供藉由使用該濺鍍裝 置而能夠製造具有均勻記錄特性的光學記錄媒體之光學記 錄媒體製造方法。 於解決或減少上述問題的一或多者之本發明的實施例 ，本揭示提供一種製造光學記錄媒體的方法，該光學記錄 媒體包括碟片基板、形成在該碟片基板上之記錄層、及以 預定膜厚度分佈形成在該記錄層的主要表面上之保護層， 該方法包含以下步驟：自含有該保護層的材料之濺鍍靶將 粒子注射至旋轉的該碟片基板；及基於該預定膜厚度分佈 ，保護該碟片基板的一部份免受自該濺鍍靶注射之該等粒 子。 於本發明的另一形態，本揭示提供藉由使用該製造方 法所製造之具有均勻記錄特性的光學記錄媒體。 於解決或減少上述問題的一或多者之本發明的實施例 ，本揭示提供一種光學記錄媒體，其係依據光學記錄媒體 的製造方法而製造，該光學記錄媒體包括碟片基板、形成 在該碟片基板上之記錄層、及以預定膜厚度分佈形成在該 記錄層的主要表面上之保護層，該方法包含以下步驟：自 含有該保護層的材料之濺鍍靶將粒子注射至旋轉的該碟片 基板；及基於該預定膜厚度分佈，保護該碟片基板的一部 份免受自該濺鍍靶注射之該等粒子。 本發明的實施例的濺鍍裝置係配置成基於形成在碟片 1380301 基板上之薄膜的想要厚度分佈而保護碟片基板上之膜沉積 區的一部份免受自濺鍍靶注射之粒子。這係可能形成具有 想要厚度分佈之薄膜於碟片基板上之膜沉積區。 依據本發明的實施例的濺鍍裝置，自濺鍍靶注射至旋 轉碟片基板之粒子係基於預定厚度分佈而被阻擋，且保護 層係以想要厚度分佈而形成在碟片基板上。因此，形成在 記錄層的主要表面上之保護層的厚度分佈係依據記錄層的 記錄特性而控制以獲得預定厚度分佈，且這係可能獲得光 碟的均勻記錄待性。 於依據本發明的實施例的製造方法之光學記錄媒體製 造中，可使在整個記錄表面之上的記錄特性均勻，且可能 以足夠準確度而實施資訊的記錄及複製。 當與附圖一起閱讀時，自以下詳細說明，本發明的其 它目的、特徵及優點將變得更清楚。 【實施方式】 現將參照附圖說明本發明的實施例。 圖1係本發明的實施例的光碟10的平面圖。 例如’光碟10係HD DVD-R，其能夠藉由使用具有 約400nm的波長之雷射光束而實施資訊的記錄及播放。 如圖1所示，光碟10包括：具有圓板狀之碟片基板11， 其中圓形開口 1 1 a係形成於光碟的中心。 例如’碟片基板11係具有圓板狀之基板，其具有 120mm的直徑及1mm的厚度。於碟片基板11，繞著碟片 1380301 基板11的中心〇之徑向R1的圓及徑向R3的圓之間的區 係配置爲記錄區10a，其符合藍色雷射光。 圖2顯示圖1的光碟1〇的橫剖面結構。 如圖2所示，於記錄區i〇a中，第一電介質層12、 記錄層13、第二電介質層14、反射層15及保護層16係 以此順序沉積在碟片基板11的表面上而形成疊層結構。 虛設基板18係經由黏著層17接合於形成在碟片基板11 的表面上之保護層16。 碟片基板11係藉由玻璃、陶瓷及樹脂（諸如聚碳酸 酯、丙烯酸樹脂或聚烯烴）的一者的射出成型而製成。而 且，螺旋槽係形成於碟片基板11的頂表面。 記錄層13係藉由包括著色劑材料所製成。記錄層13 可藉由著色劑材料的濺鍍而形成在碟片基板11的表面上 ’第一電介質層12係形成在碟片基板11上。 者色劑材料的貫例可包括青藍（cyanine)基著色劑 、氣 f# 鹽（pyrylium)基或硫氧鐵鹽（thio-pyrylium)基 著色劑、azulenium基著色劑、squalilium基著色劑' Ni 或Cr金屬錯合物基著色劑、萘酚醌（naphth〇quinone)基 或蔥醌（anthraquinone)基著色劑、靛酚（indophenol) 基著色劑、indoaniline基著色劑、三苯甲烷（ triphenylmethane )基著色劑、trial ly lmethane 基著色劑、 胺 （aminium) 基或 diimmonium 基著色劑、亞硝 （ nitroso )化合物、偶氮（azo )基著色劑、鈦青素（ phthalocyanine )基著色劑等。 1380301 第一電介質層12及第二電介質層14的每一者供作保 護記錄層13之保護膜。第一電介質層12及第二電介質層 14分別係形成在記錄層13的底表面及頂表面上。這些電 介質層12及14可藉由具有高熔點的透明材料（諸如金屬 或半導體氧化物、硫化物、氮化物、碳化物等）的濺鍍而 形成在碟片基板11的表面上或在碟片基板11上之記錄層 1 3的表面。 電介質層12及14的每一者的材料的實例可包括金屬 氧化物，諸如 SiOx、ZnO、Sn02、A1203、Ti02、In2〇3 ' MgO、Zr02、Ta205 ;氮化物，諸如 S i3N4、AIN、TiN、 BN、ZrN ;硫化物，諸如 ZnS、TaS4 ;及碳化物，諸如 SiC、TaC、B4C、WC、TiC ' ZrC。
反射層15係藉由包括具有對雷射光束的高反射率之 金屬材料所製造。反射層15可藉由金屬或半金屬的濺鍍 而形成在碟片基板11的表面上之第二電介質層14的表面 上。使用來形成反射層15之材料的實例可包括金屬或半 金屬，諸如 Mg、Se' Y、Ti' Zr、Hf、V、Nb、Ta' Cr、 Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、ru > Rh、Pd、Ir、Pt、
Cu、Ag ' Au、Zn ' Cd ' A1 ' Ca ' In、Si、Ge ' Te、Pb '
Po、 Sn、 Si、 Nd 等。 保護層16可被形成如下。紫外線硬化樹脂材料的旋 塗係實施於形成在碟片基板11上之上述層12_15的表面 ，且保護層16係藉由此樹脂材料至紫外線射線的硬化而 形成。 -10- 1380301 虛設基板1 8係以相同如碟片基板1 1的材料之 製成。虛設基板18係由使用黏著劑接合至形成在 板11上之保護層16的表面。黏著層17係經由黏 硬化所形成之層，該黏著劑使虛設基板18及碟片； 接合一起。 所使用的黏著劑可以是紫外線硬化黏著劑，其 被紫外線射線照射時之黏著能力。例如，所使用的 係紫外線硬化黏著劑或陽離子基紫外線硬化黏著劑 接著，現將解說將第一電介質層12、記錄層 二電介質層14、反射層15形成在光碟10的碟片g 的表面之濺鍍裝置100。 圖3係顯示濺鍍裝置1〇〇的組成之示意圖。 如圖3所示，濺鍍裝置1〇〇包括：濺鍍陰極： 轉單元30，濺鍍靶25係經由支承板23附接至濺 21，及旋轉單元30以可旋轉方式固持光碟10的碟 Η且係配置成正對濺鍍陰極21。濺鍍裝置100另 置在旋轉單元30及濺鍍陰極21之間以支撐遮蔽構 之環構件35、容納上述元件之真空室20A、固定 室20A的+X側端面之殻部20B、配置在殼部20B 鐵40、及控制上述元件之控制裝置（未顯示於圖3 例如，真空室20A係其內部空間保持在預真 之圓柱形室，且此真空室20A具有平行至X的方 向。 具有圓板的形狀之電極部份（濺鍍陰極21的 材料而 碟片基 著劑的 S板1 1 具有當 黏著劑 〇 13、第 S板11 【1及旋 鍍陰極 片基板 包括配 件50A 於真空 內之磁 )° 空狀態 向之軸 ZX橫 -11 - 1380301 剖面）係T形組件，且正對固持在旋轉單元3 0之 板11，其係配置於起自電極部份之+Χ的方向，且 個配置部份的部份於自真空室20 Α的內部空間之殻 的內部空間》 電極部份的的-X側之表面係經由支承板23設 靶25。作爲實例，冷卻水循環通過支承板23內部 施濺鍍靶25及濺鍍陰極21間的熱交換，以及冷卻 濺鍍靶25及濺鍍陰極21的熱上升。濺鍍靶25係 形成在碟片基板11上的各層12-15而選擇，且濺 2 1係設有它。 旋轉單元30設有滾動機構32旋轉實施碟片| 的吸附固持之具有圓板狀之基板座31，且在預定 度將基板座31旋轉至平行至X軸之軸的周邊。 圖4A係圖3的濺鍍裝置中之基板座31及碟 11的立體圖。圖4B係當自-Y的方向觀看時之基相 及碟片基板1 1的側視圖。 碟片基板11係固持在基板座31，其中該中心 於基板座3 1的旋轉中心。如圖4A及4B所示，碟 1 1的表面（+X側的表面），僅圖1所示的碟片塞 的記錄區l〇a係處於藉由以內部掩膜34覆蓋之圓 11a周圍的區域及以外周掩膜33覆蓋之碟片基板1 面的外周而外露於濺鍍靶25之狀態。 覆蓋碟片基板Π之外周掩膜3 3供作錐形，對 形，覆蓋碟片基板11的表面之部份朝向碟片基板1 碟片基 具有二 部20B 有濺鍍 ，且實 水控制 對應至 鍍陰極 !板1 1 旋轉速 片基板 泛座31 係定位 片基板 ^板11 形開口 1的表 於該錐 1的內 -12- 1380301 周變薄。內部掩膜34供作錐形’對於該錐形，覆蓋碟片 基板11的表面之部份朝向碟片基板11的周圍部份變薄。 圖5A係圖3的濺鍍裝置中之環構件35及其周邊的 立體圖。圖5B係圖3的濺鍍裝置中之環構件35及其周邊 的側視圖。 環構件35係以例如鋁製成，且係具有比碟片基板η 的外徑的更大的內徑之環形組件。藉由固定至真空室20Α 的壁側之周面，環構件35係配置在基板座31的+Χ接近 伴隨側，如圖5 Α及5 Β所示。 遮蔽構件50A係使縱向Z成爲軸向之片狀組件。當 此遮蔽構件50A顯示於圖5A及5B時，其係處於該中心 定位在基板座31的旋轉軸上以及以螺釘等將二端固定至 環構件3 5的頂面之狀態。 圖6係顯示遮蔽構件5 0 A及形成於碟片基板1 1的記 錄區1 0a之示意圖》 如圖6所示，遮蔽構件5 0 A的中心及基板座3 1所固 持之碟片基板1 1的中心係一致的，且遮蔽構件50A的配 置係自對應至碟片基板Π的中心之位置在固定率展開於 碟片基板1 1的徑向。 碟片基板11上之半徑供作半徑應用於對應至R1的圓 周上之位置的位置之配置，且係自對應至R2的圓周上之 位置的位置在固定率而收斂。 亦即，就碟片基板Π上之記錄區l〇a而論，遮蔽構 件5 0A係形成有以下配置，該配置包括具有自記錄區10a -13- 1380301 的內周緣延伸至半徑R2的圓周上之位置之配置之角01 的扇區的形狀之部份、及在預定率自記錄區l〇a的半徑 R2的圓周上之位置而收斂至半徑R1的圓周上之位置之部 份。間隙GP係形成在遮蔽構件50A及記錄區1 〇a的外周 之間。 爲方便起見，延伸自記錄區l〇a的內周緣之扇區的形 狀之部份將稱爲扇區。於此實施例，遮蔽構件50A的扇 區的外周的角01係等於42.6度，半徑R1的値係等於 59.5mm，半徑R2的値係等於55mm，及半徑R3的値係等 於 2 5 mm 〇 於此實施例，遮蔽構件50A的後表面係受到使用鋁 之熱噴處理。此熱噴處理係藉由噴濺熔化或軟化塗佈材料 (金屬、陶瓷、塑膠等）將膜沉積在膜沉積物體的表面上 的一種表面製備方法。藉由對遮蔽構件50A實施熱噴處 理，可形成具有粒子重疊粗表面之結構的該粗表面之多孔 膜。作爲通用熱噴處理的方法，電弧噴濺、火焰噴濺、電 漿噴塗等被述及，以及藉由塗佈材料的等級或物體的等級 而適當地使用該方法。 回到圖3’磁鐵40係環形電磁鐵，其中濺鍍陰極21 的延伸部份被插入，以及此磁鐵40係容納於固定至真空 室20A的殼部20B的內部空間。磁鐵40控制真空室20A 內之磁場以調整真空室20A內之電子密度。 例如’控制裝置（未顯示）係藉由包括記憶體而配置 之CPU或微電腦’程式及用於控制上述元件的參數係儲 -14- 1380301 存於記億體。控制裝置依據自主裝置或使用者送出之指令 來控制上述元件》 接著’將解說藉由使用上述濺鍍裝置100將薄膜形成 在碟片基板11上的方法。 在此假設’第一電介質層12係形成在碟片基板11上 以及含有第一電介質層12的材料之濺鍍靶25被選擇。在 此假設，真空室20 A內之電子密度係藉由磁鐵40調整至 濺鍍用的最佳狀態。 如果濺鍍裝置100的控制裝置接收來自主裝置或使用 者之起動指令’基板座31係藉由機構32旋轉在預定旋轉 速度。藉此，僅記錄區l〇a外露之碟片基板11係旋轉在 該預定旋轉速度。濺鍍陰極21被激化，且自濺鍍靶25注 入使用作爲將形成在碟片基板11上之薄膜（第一電介質 層12)的材料之粒子。 所注入粒子的部份係由遮蔽構件5 0 A所覆蓋，且剩 餘部份達到被旋轉之碟片基板11表面的記錄區l〇a，以 及該部份係固定至其上使得第一電介質層12係形成在碟 片基板1 1的表面上。 同樣地，將形成在光碟10上之記錄層13、第二電介 質層1 4及反射層1 5亦被形成。 圖7顯示厚度相對値及藉由濺鍍裝置1〇〇而形成於碟 片基板11的記錄區l〇a之薄膜（例如，第一電介質層12 )的徑向位置間之關係。 在此假設，圖7中的曲線LN所表示之厚度相對値係 -15- 1380301 當形成在碟片基板11上而未使用遮蔽構件5 OA時之薄膜 的厚度相對値，圖7中的曲線LA所表示之厚度相對値係 當使用遮蔽構件5〇A而形成在碟片基板11時之薄膜的厚 度相對値’且圖7中的曲線LB所表示之厚度相對値係當 使用遮蔽構件5 0B (將後述）而形成在碟片基板Π時之 薄膜的厚度相對値。 此實施例的厚度相對値係在當距碟片基板11的中心 40mm之徑向位置（40mm半徑的周圍之位置）的厚度設 定於1時之各別位置之厚度的相對値。 當薄膜係形成於碟片基板11的記錄區l〇a而未使用 遮蔽構件50A時，如曲線LN所表示，厚度相對値的下降 被見於記錄區l〇a的周圍部份，亦即，於自距碟片基板 1 1的中心約4 5 m m的徑向位置至約5 9.5 m m的徑向位置（ 最外周圍位置）之範圍。而且，最小相對値係〇. 9 8。 另一方面’當薄膜係使用遮蔽構件50A形成於碟片 基板11的記錄區l〇a時’厚度相對値的下降未被見於記 錄區10a的最外周圍位置之厚度相對値最大能夠增加至 1.06。 因爲來自濺鍍IG 25的粒子通過由圖6所示之記錄區 1 0a的外周及遮蔽構件50A所指定之間隙Gp，上述結果 被獲得。粒子係朝向碟片基板1 1的中心而進入，且粒子 係於自半徑R2的圓周的內側至半徑r的圓周之區域而沉 積在碟片基板11表面上。 當灘鏟裝置100設有取代遮蔽構件50A之圖8的遮 -16- 1380301 蔽構件5 OB及薄膜係形成在碟片基板11時，厚度相對値 係如圖7的曲線LB所示。清楚地如圖8所示，遮蔽構件 50B不同於遮蔽構件50A，在於扇區的外周的角02設定 於約31.4度。 於使用遮蔽構件50B所形成之薄膜，厚度相對値的下 降未被見於記錄區l〇a的最外周，而最外周之厚度相對値 最大能夠增加至1 · 〇 1。如圖7所示，此薄膜的厚度相對値 是曲線LA所示的厚度相對値及曲線LN所示的厚度相對 値間的中間値。 以上結果被獲得，因爲遮蔽構件50B具有由半徑R2 圓周所指定且配置來阻擋小於遮蔽構件50A的粒子之粒 子之區域，以及除了外周以外之區域的厚度對於記錄區 10a的外周的厚度係相當大。 如以上所述，於此實施例的濺鍍裝置100，藉由使用 遮蔽構件50A或50B可能防止記錄區l〇a的外周之厚度 下降。藉由改變遮蔽構件5 0 A的扇區的組態（角度）亦 可能調整記錄區l〇a的外周之厚度。 亦即，依據形成在碟片基板Π上的薄膜所需之厚度 分佈，這亦可能藉由改變遮蔽構件的扇區的組態（角度） 在碟片基板Π上形成均勻厚度分佈的薄膜。 通常，藉由濺鍍裝置形成在碟片基板上之薄膜的組態 係凸形段’且厚度的均勻度相對於平均厚度係約±3%或更 小。特別地’由於外周掩膜3 3的影響，碟片基板的周緣 附近之厚度係處於快速下降的趨勢。 -17- 1380301 厚度分佈或厚度均勻度主要係依據濺鍍靶對碟片基板 的材料的尺寸或距離及控制電漿的密度及分佈之磁控管的 磁場來決定。基本上，如果濺鍍靶及磁控管的材料的尺寸 變大，厚度的均勻度改善。然而，濺鍍設備的尺寸亦將不 可避免地變大，以及裝置的高成本、裝置的配置面積之增 加等將影響光碟的製造成本。依據此實施例的濺鍍裝置 100，這係可能以均勻厚度分佈將薄膜形成在碟片基板11 上而無濺鍍裝置本身的主要修改。 在此假設，包圍碟片基板11的中心之半徑r的圓周 C係指定於記錄區10a，A(r)表示圓周C的周圓的長度 ’ B(r)表示圓周C的周圓中由遮蔽構件所覆蓋之周圍的 長度，及k表示來自濺鍍靶25之周圍係數，遮蔽構件的 組態可由k ( B ( r ) /A ( r ))所表示之遮蔽比來界定。 當r的値改變於圖6中自R4至R1之範圍且遮蔽比係 恆定時，未形成如於遮蔽構件5 0A及5 0B中粒子通過之 間隙GA。然而，當r的値改變於圖6中自R4至R1之範 圍且遮蔽比改變時，形成粒子通過之間隙GA。因此，依 據將形成在碟片基板Π上的薄膜所需之厚度分佈來決定 由 k(B(r)/A(r))所表示之遮蔽比（R4SrSRl)可 界定用於形成均勻厚度之遮蔽構件的組態。 記錄區10a的外周之厚度的下降可藉由使上述遮蔽比 於記錄區1 〇a的外周變最小以及形成粒子通過的間隙而避 免。 如於上述的遮蔽構件50A及50B，可避免形成在碟片 -18- 1380301 基板11上之薄膜的外周之厚度的下降，以及可藉由調整 遮蔽構件的組態來增加或減小在記錄區1 0 a的想要位置之 厚度。 例如，使用圖9所示的組態的遮蔽構件5 0 C，藉由形 成薄膜於碟片基板11的記錄區l〇a，圖1〇的曲線LC將 顯示薄膜的厚度相對値。曲線LC係處於曲線LN上下顛 倒之形狀，且其顯示，厚度係增加在薄膜的內與外周的側 上。 如圖9所示，不像遮蔽構件5 0 A，遮蔽構件5 0 C係形 成使得該等扇區形成於自對應至包圍碟片基板11的中心 之半徑R4的圓周之位置至對應至半徑R2的圓周的位置 之範圍。 因此，藉由調整遮蔽構件的組態，可將具有想要厚度 分佈之薄膜形成於碟片基板11的記錄區l〇a。 扇區不必要形成於遮蔽構件。例如，具有上述遮蔽比 連續地改變之彎曲輪廓之部份可取代扇區。 較佳地’遮蔽構件所覆蓋的記錄區1 0 a的大小係少於 全部記錄區l〇a的大小的50%。此係因爲如果完全覆蓋 記錄區l〇a，則形成於記錄區i〇a之薄膜的沉積速度將下 降以及光碟10的產能將下降。 此實施例的遮蔽構件5 0A及50B供作相對於碟片基 板11的旋轉軸之對稱組態。當藉由覆蓋記錄區10a的— 部份而改變薄的厚度分佈時，如果碟片基板11的旋轉速 度不快’相對於膜沉積時間，周圍的方向的厚度分佈可能 -19- 1380301 變更壞，以及藉由使遮蔽構件50A及50B的組態成爲點 對稱，這係可能避免周圍的方向的厚度分佈的惡化。 在此假設，τ表示碟片基板11的週期以及s表示薄 膜的膜沉積時間，較佳地，週期T及膜沉積時間S間的關 係係由以下公式（1 )所表示： S = Txn + C (1) 其中η係自然數且C係小於週期T之常數。藉此， 當使用遮蔽構件50Α及50Β來調整薄膜的厚度分佈時， 這係可能防止周邊方向之厚度分佈變更壞。 於此實施例’遮蔽構件5 0 Α及5 0Β的後表面係受到 使用鋁之熱噴處理。藉由實施熱噴處理，遮蔽構件50A 及50B的表面粗糙度的値變大，且可加大來自濺鍍靶粒子 所黏附之表面積。熱噴塗層的表面的不均勻性，機械性地 保持黏附粒子之錨定效應亦是可期待的。熱噴塗層具有粒 子重疊之結構，來自遮蔽構件的基材的表面之機械撓性係 高的，以及亦可期待減緩藉由粒子的沉積所形成之膜所產 生之應力的功效。亦即，可避免地是，形成在遮蔽構件表 面上之膜被分開且變成粒子，該等粒子變成形成在碟片基 板上之薄膜中的缺陷。 雖然可使用除了鋁外的銅來實施熱噴處理，以膜保持 力、表面粗糙度、具有掩膜基材的黏著性、材料成本、穩 定性等的觀點來看，使用鋁係較佳的。較佳的是，熱噴塗 層的厚度等於50微米或更多。 -20- 1380301 雖然以上實施例中已解說光碟ι〇(其係hd ，依據本發明之光碟1〇未受限於此實施例。依 的光碟10可以是光學記錄媒體’諸如BD’其具 薄膜之記錄區。 接著，將解說本發明的光學記錄媒體的一些 以下實例係典型實例，而本發明的光學記錄 限於以下實例。 (實例1 ) 聚碳酸酯的粒（其係光碟的碟片基板11的 分解，且以聚碳酸酯實施之噴出成型，以形成 0.4微米的導槽係形成在其表面上之0.6mm厚碟. 〇 接著，在噴出成型之後，使用濺鍍裝置100 Si〇2 (分子百分比=8 0 : 20 )黏附至足夠冷卻之 11的表面，以形成60nm厚的第一電介質層12。 圖11係用於解說使用配置有遮蔽構件50A 置1〇〇而形成於碟片基板11的記錄區l〇a之第 層1 2的厚度相對値及碟片基板11的徑向位置間 示意圖。 圖1 1的曲線LN所示之厚度相對値係於移 構件50A的狀態下形成在碟片基板11上的電介 度相對値。圖1 1的曲線LA所示之厚度相對値 遮蔽構件50A保護來自濺鍍靶25之粒子的一部 DVD-R ) 據本發明 有層疊有 實例。 媒體未受 材料）被 其軌距爲 片基板11 ，使 ZnS- 碟片基板 的濺鍍裝 一電介質 之關係之 除的遮蔽 質層的厚 係於藉由 份的狀態 -21 - 1380301 下而形成在碟片基板11上的薄膜的厚度相對値。 如曲線LA所示，實例1的第一電介質層12 相對値在離碟片基板1 1的中心5 8 m m之徑向位 1.08。厚度相對値意指當在離碟片基板11的中心 之徑向位置之厚度被假設等於1時在各位置之厚度 〇 第一電介質層的厚度相對値係如曲線LA所示 是，來自濺鍍靶25之粒子通過遮蔽構件5 0A及圖 之記錄區1 〇a的外周圓間的間隙GP。粒子係朝向 板1 1的中心而轉向及進入，使得粒子沉積在自半徑 圓周至半徑R1的圓周之區域周圍之碟片基板11的 〇 接著，使用濺鍍裝置100，使Bi2〇3-B2〇3 (分 比=2: 1)黏附至其上形成有第一電介質層12之碟 11的表面，以形成15nm厚的記錄層13。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使ZnS-Si02(分子 =8 0 : 20 )黏附至其上形成有記錄層13之碟片基板 表面，以形成20nm厚的第二電介質層14。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使AlTi(wt%=9 9: 附至其上形成有第二電介質層14之碟片基板11的 以形成40nm厚的反射層15。 接著，對其上形成有反射層15之碟片基板11 所實施之紫外線硬化樹脂材料的旋塗，且藉由使此 化而形成保護層1 6。 的厚度 置係約 40mm 相對値 之理由 6所示 碟片基 :R2的 表面上 子百分 片基板 百分比 1 1的 1)黏 表面， 的表面 材料硬 -22- 1380301 接著，0.6mm厚的虛設基板18係接合至其上形成有 保護層16之碟片基板11的表面，以製造具有約丨·2111111 的厚度之光碟10。 (實例2 ) 使聚碳酸酯的粒（其係光碟的碟片基板11的材料） 被分解以及以聚碳酸酯實施之噴出成型，以形成具有0·4 微米的軌距之導槽形成在其表面上之0.6mm厚碟片基板 1 1 〇 接著，在噴出成型之後，使用濺鍍裝置100’使ZnS-Si〇2 (分子百分比=80 : 20 )黏附至足夠冷卻之碟片基板 Π的表面，以形成50nm厚的第一電介質層12» 如曲線LA所示，此第一電介質層1 2的厚度相對値 在離碟片基板的中心5 8mm之徑向位置係約1 .08。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使Bi203-Ge02(分子百分 比=2: 1)黏附至其上形成有第一電介質層12之碟片基板 1 1的表面，以形成1 5nm厚的記錄層13。 接著，使用濺鍍裝置100，使ZnS-Si02(分子百分比 =8 0 : 20 )黏附至其上形成有記錄層13之碟片基板11的 表面，以形成16nm厚的第二電介質層14。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇,使Si3N4沉積成爲中間層 ，以形成4nm厚的中間層。 接著，使用濺鍍裝置100，Ag-Nd-Bi (at%=97.0: 2·5: 0.5)黏附至其上形成有中間層之碟片基板11的表 -23- 1380301 面，以形成80nm厚的反射層15。 接著，對其上形成有反射層15之碟片基板11的表面 所實施之紫外線硬化樹脂材料的旋塗，以及藉由使此材料 硬化而形成保護層16。 接著，使0.6 mm厚的虛設基板18係接合至其上形成 有保護層16之碟片基板11的表面，以製造具有約1.2 mm 的厚度之光碟10。 (比較例1 ) 使用濺鍍裝置1〇〇 (未配置），遮蔽構件50A將實例 1的光碟的第一電介質層12形成於碟片基板11。 (比較例2) 使用濺鎪裝置1〇〇 (未配置），遮蔽構件5 0A將實例 2的光碟的第一電介質層12形成於碟片基板11。 相對於以上實例1-2及相較例1-2的光碟，使用光碟 評估系統（Pulstec Industrial 公司，ODU-1000)，基於 HD DVD-R的標準將資訊記錄在該等條件，以及實施關於 每一光碟的最佳記錄功率之評估。 最佳記錄功率係如果PRSNERC對雜訊的部份回應信 號）作爲最大値之記錄功率。 例如，如圖1 2所示，記錄功率的變化將伴隨且改變 PRSNER至圖12所示的凸形曲線。最佳記錄功率係對應 至圖1 2中之曲線的最高頂點之記錄功率。 -24- 1380301 圖13係基於顯示最佳記錄功率的相對値之碟片基板 11的中心之徑向位置的位置之示意圖。 最佳尋錄功率的相對値係以記錄區1 0a的內周之最佳 記錄功率設定成1而標準化。 圖13的曲線exl ' ex2、ex3及ex4分別顯示實例1、 實例2、比較例1及比較例2的光碟的最佳記錄功率的相 對値。 圖13顯示實例1-2的光碟，最佳記錄功率的相對値 的範爲是0.95至1.0 5，以及有最佳記錄功率的相對値的 極小變化。 另一方面，於比較例1-2的光碟中，最佳記錄功率的 相對値係於1.00至1.15或更大的範圍，且最佳記錄功率 的相對値的改變變大。 接著，將說明該理由。通常，濺鍍靶的狀態及含於濺 鍍靶之元件的濺鍍被實施，以及光碟10其取決於基於諸 如在膜沉積時的電荷電力及在膜沉積時的氛圍之條件而形 成在碟片基板上之記錄層的成份。 爲此理由，即使厚度形成均勻記錄層於記錄區10a， 記錄層的特性不可能容易地作爲均勻性。 缺氧狀態於整個記錄層將不會變均勻，而，特別地， 記錄層的內周於記錄特性方面將與外周大不同。 圖14中的鏈線顯示依據距碟片基板的中心之位置改 變之記錄層對雷射光束（405 nm的波長）的吸收率的相對 値，以及實線所示之記錄層的厚度相對値。 -25- 1380301 吸收率的相對値係當記錄層最接近碟片基板11的中 心之位置的吸收率設定至1時之相對値。 如圖1 4所示，當記錄層與碟片基板丨1的中心分開時 ’吸收率的相對値於記錄層的徑向的每一位置係小至約1 的厚度相對値。此意指，需要使雷射光的功率變小，以及 於中央部份朝向外周而加大雷射光束的功率，當功率固定 時，記錄層的厚度照射記錄層且記錄資訊。 如圖14所示，比較例1的一因素及採用比較例2的 光碟，記錄層的吸收率係自周圍部份而缺掉，因此變小且 顯示於圖13的曲線ex3及ex4，最高記錄功率將因爲記 錄層的周圍部份而快速增加。 爲達到光碟的記錄特性的均勻性，增加厚度於記錄層 的低吸收性之部份亦被考慮到，而考慮到記錄層及堆狀形 成於此記錄層之第一電介質層及第二電介質層的相互作用 ，光碟的記錄特性的均勻性亦可藉由提高記錄層具有低吸 收性之部份的敏感性而注意到。 圖15係顯示記錄敏感性（mW)對膜厚度的變率的變 化之示意圖，直線L12顯示第一電介質層的記錄敏感性的 變化，直線L13顯示記錄層的記錄敏感性的變化，直線 L14顯示第二電介質層的記錄敏感性的變化。 圖15中之記錄層及第一與第二電介質層的成份係等 效於光碟1〇中的記錄層13及第一與第二電介質層12、 1 4之成份。 如圖1 5所示，記錄敏感性對直線L 1 2所示之第一電 -26- 1380301 介質層的膜厚度變化率的變化係大於記錄敏感性對直線 L13及直線L14所示之記錄層與第二電介質層的膜厚度變 化率的變化。 爲此理由，依據記錄層的位置而調整最佳記錄功率， 無關雷射光束的入射位置，最佳記錄功率可變固定，更有 效的是，調整第一電介質層的厚度分佈以及調整對光碟的 雷射光束的記錄敏感性，而不是調整記錄的厚度分佈以及 調整對光碟的雷射光束之吸收性。 因爲至少一元素的氧化物選擇自例如，Bi氧化物、B 、Cu、Fe及Ge之著色劑材料作爲記錄層13以及Ζιι係含 於此實施例讀光碟1 0，記錄層1 3中對雷射光束之吸收性 的相對値成爲如圖14中的鏈線所示，且使用濺鍍裝置 1〇〇來形成第一電介質層12，以使其可成爲想要的厚度分 佈。 光碟10中之雷射光束的記錄敏感性可在整個記錄區 1 〇a設成恆定。 如圖13的曲線ex 1及ex3所示，實例1及實例2的 光碟具有記錄層的厚度，藉由於小部份加大第一電介質層 的厚度，能夠完成最佳記錄功率的相對値於0.95至1.05 的範圍。以上結果顯示最佳記錄功率在整個記錄區10a約 爲1 〇 如上述，於Bi氧化物、B及Cu、Fe的此實施例，第 一電介質層12係形成於記錄層13的主平面側，其藉由記 錄區10a的外周變厚之厚度分佈且包括選自Ge及Zri的 -27- 1380301 至少一元素的氧化物而構成。 因此，對光碟10的記錄區l〇a的雷射光束之記錄敏 感性的均勻性，亦即，光碟的記錄特性的均勻性被實現， 接著，將參照圖16解說本發明的一實施例的最佳記 錄媒體。 於圖1 6，相同如先前實施例中的對應元件之元件係 以相同參考號碼所標示，且其說明將被省略。 圖1 6顯示此實施例的光碟1 〇 ’的橫剖面結構。 光碟10’係BD-R，其藉由使用具有約400nm的波長 雷射光束而能夠實施資訊的記錄及複製。 光碟10’係不同於光碟1〇，在於形成於上述之碟片基 板Π的表面之每一級的列順序。 於圖16所示之光碟10’，記錄區10a、反射層15、第 二電介質層14、記錄層13及第一電介質層12係一層接 一層地沉積在碟片基板11的表面上。 碟片基板11的表面，其中第一電介質層12被形成， 幾乎等效於保護層16之覆蓋層16’被形成，以及覆蓋層 16’的表面被形成，而不是藉由該方法作爲保護層16之覆 蓋層16’，具有高硬度的硬塗層19幾乎是相同的。 如果遮蔽構件50A是自濺鍍裝置100移除以及記錄 區l〇a亦於此實施例全部曝光，反射層15、第二電介質 層14及記錄層13被形成，以及如果記錄區l〇a的一部份 係在使用遮蔽構件50A之後覆蓋，第一電介質層12被形 成。 -28- 1380301 接著，將解說製造光碟10’的方法。 聚碳酸酯的粒（其係光碟10’的碟片基板11 )被分解且以聚碳酸酯實施之噴出成型，以使其 0-32微米的導槽形成在其表面上之i.lmm厚碟片g 被形成。 接著，在噴出成型之後，使用濺鍍裝置100，1 (wt% =99: 1)黏附至足夠冷卻之碟片基板11的 以形成35nm厚的反射層15。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使ZnS-Si02(分子 =8 0 : 20)黏附至其上形成有反射層15之碟片基板 表面，以形成1 Onm厚的第二電介質層14。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使Bi203-B203 (分 比=2: 1)黏附至其上形成有第二電介質層14之碟 1 1的表面，以形成1 6nm厚的記錄層1 3。 接著，使用濺鍍裝置1〇〇，使ZnS-Si02(分子 =80 : 20 )黏附至其上形成有記錄層13之碟片基板 表面，以形成l〇nm厚的第一電介質層12。 接著，將紫外線硬化樹脂材料的旋塗實施至其 有第一電介質層12之碟片基板11的表面，以藉由 料硬化所形成覆蓋層1 6 ’。 接著，將紫外線硬化樹脂的旋塗同樣地實施至 成的覆蓋層16’之碟片基板11的表面’以形成有 19。藉此，可製造具有1.2mm的厚度之光碟10’》 如上述，於此實施例，第一電介質層1 2係形 的材料 軌距爲 g板1 1 Κ AlTi 表面， 百分比 1 1的 子百分 片基板 百分比 :11的 上形成 使此材 其上形 硬塗層 成在記 -29- 1380301 錄層13的主表面上，該記錄層13含有Bi氧化物以及選 自B、Cu、Fe、Ge及Zn中之至少一元素的氧化物於厚度 分佈’以使記錄區10a的外周變厚。因此，可能達到對形 成在光碟10’上之記錄區10a的雷射光束之記錄敏感性的 均勻性，亦即，光碟的記錄特性的均勻性。 接著，圖17係本發明的實施例的濺鍍裝置210的結 構的橫剖面圖。 如圖17所示，濺鏟裝置210包括：真空室211、濺 鍍陰極212、基板座213、遮蔽構件214、支撐板215、磁 鐵216、內部掩膜217、外周掩膜218及旋轉部219。於 圖17’參考號碼211a標示真空室211的開口，220標示 濺鍍靶，及221標示碟片基板。 濺鍍裝置2 1 0係將膜按順序地沉積在膜沉積物（碟片 基板）上之濺鍍裝置的類型。 於圖17的濺鍍裝置210，真空室211 (其係膜沉積室 )係內部空間的壓力保持於預定真空狀態之室。濺鍍陰極 212係配置於真空室211。真空室211的開口 211a係藉由 圓形基板座213而關閉。濺鍍陰極212於ZX橫剖面具有 T形構造且係配置正對基板座213。 濺鍍靶220 (其係形成在碟片基板22 1上之薄膜的材 料）係經由支撐板2 1 5而附接至濺鍍陰極2 1 2。例如，冷 卻水係循環通過支撐板2 1 5的內側，以及熱係藉由濺鍍陰 極212交換在冷卻水及濺鍍靶220之間。支撐板215用來 防止濺鍍靶220及濺鍍陰極212的溫度的上升。 -30- 1380301 濺鍍靶220係依據形成在碟片基板221上之薄膜的種 類而選擇。所選的濺鍍靶2 20係經由支撐板215附接至濺 鍍陰極212。 當濺鍍陰極212被激化時，來自濺鍍靶220之粒子（ 其係形成在碟片基板221上之薄膜的材料）被注入。磁鐵 216係配置在支撐板215後方。磁鐵216係其中插置有濺 鍍陰極212的延伸部份之環形電磁鐵，以及磁鐵216用來 控制真空室211中的電子密度以處於濺鍍用之最佳狀態。 基板座213設有一裝置，其中外周掩膜218的內部掩 膜217的周緣掩膜碟片基板22 1的內周端，以及碟片基板 221被保持。藉由內部掩膜217及外周掩膜218，碟片基 板221係保持在基板座213上。 於碟片基板221，未以內部掩膜217及外周掩膜218 掩膜之區域變成以濺鍍所形成的薄膜之膜沉積區域。 基板座213係連接至旋轉部219。基板座213係與碟 片基板221、內部掩膜217及外周掩膜218結合，且具有 在預定旋轉速度旋轉至平行於X軸之軸的圓周之裝置。 在濺鍍靶220及基板座213之間，遮蔽構件214係配 置成遮蔽構件214、碟片基板221及基板座213的旋轉中 心可以是一致的。 遮蔽構件2 14係直接地固定至真空室211的壁，使得 遮蔽構件214可不與碟片基板221旋轉。 當用於防止濺鍍膜黏著至真空室211的壁之遮蔽板係 直接地配置至濺鍍裝置210時，遮蔽構件214可以是固定 -31 - 1380301 至遮蔽板。 遮蔽構件214具有藉由碟片基板221覆蓋自濺鍍靶 220注入之粒子的一部份之功能。碟片基板221係120mm 直徑的基板，且具有約〇.6mm厚的圓形板之形狀，具有 1 5mm直徑之通孔係形成於中心。 當使用濺鏟裝置210將薄膜形成至碟片基板221時， 碟片基板221(其係膜沉積物體）設有內部掩膜217及外 周掩膜218，以及碟片基板221保持在基板座213上。真 空室211設有掩膜214及濺鍍靶220。 接著，藉由基板座213所關閉之真空室211的開口 2 1 1 a ° 接著，磁鐵216調整真空室211中的電子密度於用於 濺鍍之最佳狀態。 接著，基於來自上裝置或使用者的起動指令，藉由控 制裝置（未顯示）所控制之旋轉部2 1 9，基板座2 1 3係與 碟片基板221、內部掩膜217及外周掩膜218集成，且在 預定旋轉速度旋轉至平行於X軸之軸的周圓。 接著，濺鍍陰極212被激化，以及供作自濺鍍靶220 形成在碟片基板221上之薄膜的材料之粒子被注入。 遮蔽構件2 1 4所覆蓋所注入粒子的部份，該部份抵達 剩餘部份旋轉之碟片基板221的膜沉積區，然後黏著，以 及薄膜形成於碟片基板221的表面》 圖18係顯示自圖1中的+X所見之遮蔽構件214、內 部掩膜217及外周掩膜218以及碟片基板221之示意圖。 -32- 1380301 於圖18，內部掩膜217及外周掩膜218所圍繞之半 徑區域係膜沉積區，其中薄膜係由濺鍍而形成。 A顯示半徑的模長度，以該半徑，B係由A中之遮蔽 構件214所覆蓋於碟片基板221的預定徑向位置之周圍的 模長度，且界定B/AxlOO爲遮蔽比（％)。 碟片基板221的預定徑向位置所指的是位於距碟片基 板22 1的中心的預定半徑之位置。A半徑區所指的是圍繞 在某一徑向位置的周圍及其它徑向位置的周圍之甜甜圈形 狀的區域。 遮蔽構件214係具有預定組態2 14a之片狀組件，預 定組態2 1 4a具有對應至碟片基板22 1的徑向位置之預定 遮蔽比，以覆蓋自濺鍍靶220由碟片基板221所注入之粒 子的一部份。 爲方便起見，預定組態2 1 4a將可稱爲扇區。 遮蔽構件214具有二扇區214a，且被固定以使縱向 可相當於圖17中的Z軸向。遮蔽構件214的材料的實例 可包括 SUS 3 03、SUS 3 04、SUS403 及 SUS404。 例如，可對遮蔽構件214的後表面實施使用鋁之熱噴 處理。熱噴處理係藉由濺鍍熔化或軟化塗佈材料（金屬、 陶瓷、塑膠等）而將膜沉積在膜沉積物體的表面上的表面 製備方法的一種。藉由對遮蔽構件214實施熱噴處理，可 形成具有粒子重疊之結構的粗表面之多孔性的膜。 當一般熱噴處理、電弧噴濺、火焰噴濺、電漿濺鍍塗 佈等的方法被提及時，其被塗佈材料的等級或物體的等級 -33- 1380301 適當地使用。 圖19-21顯示遮蔽構件的其它結構。 圖丨8所示的遮蔽構件214具有二扇區214a。另一方 面，圖19所示的遮蔽構件224係具有一扇區2 24a的結構 〇 圖20所示的遮蔽構件234係具有三扇區234a的結構 。圖21所示的遮蔽構件2 44係具有四扇區244a的結構。 使用圖18-21所示之遮蔽構件所要檢查是應被包括於 遮蔽構件以形成適當遮蔽構件之扇區的數量。 於圖 18-21所示的遮蔽構件 214、224、234、244, 扇區 214a、224a、234a、244a的尺寸被調整，以及遮蔽 比亦於該徑向位置變成25%之遮蔽構件被製造。 接著，濺鍍裝置210依序設有圖18-21所示之遮蔽構 件214、224、2 34、244，及使用21^-3丨02作爲濺鑛靶而 將厚度的想要値設爲50nm。 對碟片基板221的22mm半徑至59mm半徑的範圍而 實施濺鍍，以及薄膜被形成於其中。爲了使周邊厚度分佈 均勻，碟片基板22 1於濺鑛期間被旋轉。 圖22係顯示在距藉由濺鍍陰極21所形成在碟片基板 221上之2118-3丨02薄膜的碟片基板22〗的中心40mm的位 置的周邊厚度分佈之示意圖》 如圖22所示，當具有二扇區214a之遮蔽構件214、 具有一扇區22 4a之遮蔽構件224、具有三扇區234a之遮 蔽構件234及具有四扇區244a之遮蔽構件244被使用時 -34- 1380301 ，周邊厚度分佈變成幾乎均勻。 當具有一扇區224a之遮蔽構件224被使用時，其結 果是，厚度之部份變厚發生於周圍內巧部份。也就是說， 於使碟片基板221於濺鍍期間旋轉如上所述以使周邊厚度 分佈均勻的例子，而當具有一扇區224a之遮蔽構件224 被使用時，這是不適當的，且濺鍍不均勻性發生。 如上述，爲了使周邊厚度分佈幾乎均勻，需要使用具 有包括二或更多扇區的結構之遮蔽構件。在形成薄膜至碟 片基板22 1時之碟片基板221的徑向位置上之厚度分佈變 成凸狀彎曲模組裝，而無需濺鍍裝置210設有遮蔽構件， 以及所知道的是，厚度的均勻性相對於平均厚度係約±3 % 或更少。 厚度沿著碟片基板221的內側周圍（具有距碟片基板 221中心35mm-50mm的半徑之位置）變最厚，更特別地 是，厚度沿著內周及周圍部份變薄。 尤其，在碟片基板221的周圍附近（自碟片基板221 的中心至50mm-57mm半徑），厚度有快速下降的趨勢， 以回應外周掩膜2 1 8的效應。 如上述，爲了使周邊厚度分佈幾乎均勻，需要使用具 有兩個或更多扇區的結構的遮蔽構件，然而使用包括二個 扇區之結構的遮蔽構件來檢查用於使碟片基板221的徑向 位置上之厚度分佈均勻之組態。 結果，確認的是，圖23所示之組態係較佳的。圖23 係顯示此實施例之遮蔽構件2 54之示意圖。圖24係顯示 -35- 1380301 此實施例的遮蔽構件2 54中之徑向位置及遮蔽比間之關係 之示意圖。 於圖23，參考號碼254標示此實施例的遮蔽構件。 於圖23，C標示碟片基板221的膜沉積區的最大內周的半 徑，D標示第一遮蔽比轉折點的半徑，E標示第二遮蔽比 轉折點的半徑，及F標示碟片基板22 1的膜沉積區的最外 周圍的半徑。於圖23，CD標示第一半徑區，DE標示第 二半徑區，及EF標示第三半徑區。 遮蔽比的轉折點，係遮蔽比的上升或下降的趨勢變成 此實施例的遮蔽構件254之轉折點。 其係設有此實施例的遮蔽構件254使得其可以是與碟 片基板2 2 1的中心一致，亦即，遮蔽構件2 5 4的中心係膜 沉積物體。 如圖23及24所示’遮蔽構件254的遮蔽比上升，以 使其基於碟片基板221的中心（其係膜沉積物體）沿著第 一半徑區CD前進至周圍側。 遮蔽比下降’以使其經由不是第一半徑區CD之周圍 的側前進至第二半徑區DE中的周圍側，及遮蔽比以比第 二半徑區DE更大的下降率而下降，以使沿著不是第二半 徑區DE之周圍的側前進至第三半徑區ef中的周圍側。 自對應至碟片基板221的膜沉積區的最大內周c之半 徑’第一半徑區CD係上達4〇mm(D)半徑之區，第二半 徑區DE係超過40mm(D)半徑上達55mm(E)半徑之 區’及第二半徑區EF係超過55mm (E)半徑上達對應至 -36 - 1380301 最外周圍（F)的半徑之區。 第一半徑區CD及第二半徑區DE的邊界係第一遮蔽 比轉折點D，及第二半徑區DE及第三半徑^區EF的邊界 係第二遮蔽比轉折點E。 圖23顯示此實施例的遮蔽構件的組態的實例。如上 述’在將薄膜形成至碟片基板221時，於碟片基板221的 徑向位置上之厚度分佈，無需使濺鍍裝置210設有遮蔽構 件。因爲厚度沿著碟片基板221的內側周圍（具有距碟片 基板221的中心35mm-50mm的半徑之位置）變最厚，於 此實施例的遮蔽構件，重要的是使諸位置的一 35mm-50mm的半徑位置成爲第一遮蔽比轉折點d。 於此實施例的遮蔽構件254，40mm半徑位置被致使 成爲第一遮蔽比轉折點D。 如上述，在將薄膜形成至碟片基板221時，其設定至 碟片基板221的徑向位置上之厚度分佈，而無需使濺鍍裝 置2 1 0設有遮蔽構件。 因爲其係處於厚度在碟片基板22 1的周圍附近（自碟 片基板221的中心至55mm-57mm半徑）快速下降之趨勢 ，於此實施例的遮蔽構件，重要的是使諸位置的一55 mm-5 7mm的半徑位置成爲第二遮蔽比轉折點E。 於此實施例的遮蔽構件254，55mm半徑位置被致使 成爲第二遮蔽比轉折點E作爲實例。 圖25係顯示此實施例的濺鍍裝置210中之遮蔽構件 254、內部掩膜217、外周掩膜218及碟片基板221的位 -37- 1380301 置關係之示意圖。 如上述，於圖25所示的遮蔽構件254，具有第一遮 蔽比轉折點D及第二遮蔽比轉折點E之扇區25 4a的組態 係重要的。於頂視圖，重疊內部掩膜217之部份的組態是 不重要的。 圖25所示之遮蔽構件254係具有二扇區254a的結構 。替代地，考慮到上述周邊厚度分佈的分析結果（圖22 )，其可以是具有三或更多扇區的結構。 圖26係顯示藉由濺鏟裝置210形成至碟片基板221 的徑向位置之ZnS-Si02薄膜的厚度的相對値之示意圖。 於圖26，“無遮蔽構件”表示當濺鍍裝置210未設有 遮蔽構件時之ZnS-Si02薄膜形成在碟片基板221上之例 子，以及其係厚度對碟片基板221的徑向位置的相對値。 以及’“有遮蔽構件”表示當濺鍍裝置210設有此實施例的 遮蔽構件254及ZnS-Si02薄膜形成在碟片基板221上時 ，厚度對碟片基板221的徑向位置的相對値之例子。 此實施例之厚度的相對値係當距碟片基板22 1的中心 22mm之徑向位置（22mm半徑的周圍上之位置）之厚度 係設定1時，厚度在各別位置的相對値。 於圖26的“無遮蔽構件”例子，在碟片基板221的內 周之厚度係最大（繞著碟片基板22 1的中心之35mm-5 0mm半徑的範圍），以及厚度係處於在碟片基板221的 周圍附近（繞著碟片基板22的中心之50mm-57mm半徑 的範圍）快速下降的趨勢。 -38- 1380301 另一方面，於圖26中“有遮蔽構件25 4”的例子’自 內周至外周之範圍內之幾乎均勻厚度分佈被獲得，以及有 藉由遮蔽構件2 54之厚度控制。 此實施例的遮蔽構件254具有在40mm半徑位置之第 一遮蔽比轉折點D及在55mm半徑位置之第二遮蔽比轉折 點 E。同樣地，當第一遮蔽比轉折點D改變於 3 5mm-50mm半徑的範圍以及第二遮蔽比轉折點E改變於55mm-57mm半徑的範圍之遮蔽構件被製造以及相同實驗被實施 時，相同效應亦被確認。 然而，當第一遮蔽比轉折點D改變超出35mm-50mm 半徑的範圍及第二遮蔽比轉折點E改變超出55mm-57mm 半徑的範圍之遮蔽構件被製造且相同實驗被實施時，以上 功效不能夠被確認。 藉由使用設有遮蔽構件254之濺鍍裝置210來實施濺 鍍，這是可能以幾乎均勻厚度分佈將薄膜形成在自內周至 外周附近之範圍。於自具有22 mm半徑的位置（其係對應 至碟片基板22 1的膜沉積區的最內周圍之徑向位置）至第 一遮蔽比轉折點D之範圍（在繞著碟片基板221的中心 之35mm-50mm半徑的任一徑向位置），遮蔽比朝向外周 附近而上升。 於自第一遮蔽比轉折點D至第二遮蔽比轉折點E的 範圍（在繞著碟片基板221的中心之55mm-57mm半徑的 任一徑向位置），遮蔽比以第一下降率朝向外周附近而下 降。 -39- 1380301 於自第二遮蔽比轉折點E至對應至碟片基板221的膜 沉積區的最外周圍之徑向位置的範圍中，遮蔽比以大於第 一下降率的第二下降率朝向外周附近而下降。 於上述實施例，薄膜係形成在120mm直徑的碟片基 板221上。當將薄膜形成在不是120mm直徑之直徑L的 碟片基板上時，於上述1 2 0mm直徑的例子，需要對徑向 位置的範圍乘以係數（L/120)。 例如’當薄膜係形成在60mm直徑的碟片基板上時， 對上述120mm直徑的例子之範圍乘以1/2的係數，而且 第二遮蔽比轉折點E可被設於17.5mm-25mm半徑的範圍 及第二遮蔽比轉折點E可被設於27_5mm-28.5mm半徑的 範圍。 接著’圖27係顯示此實施例的遮蔽構件254的端部 之放大圖。 於濺鍍裝置210，遮蔽構件254係幾乎配置於濺鍍靶 220及碟片基板221間的中間點，且此位置係藉由電漿暴 露於高度上升的溫度。 以金屬製成之遮蔽構件2 54係暴露於該上升溫度，且 遮蔽構件254係膨脹於軸向（縱向）。 如果遮蔽構件254的兩端被完全固定，膨脹部份可使 遮蔽構件254變形。於此例中，自耐久性的觀點來看，這 是難以在量產上使用遮蔽構件254。 爲避免此問題，如圖2 7所示，遮蔽構件2 5 4係配置 有用於使構件固定在一端之圓孔254b及能夠使構件在另 -40- 1380301 一端移動而未被固定於該端之隙縫254c。 僅遮蔽構件254的圓孔254b係藉由螺釘固定至真空 '室21 1的壁，且定位銷被插入隙縫254c以能夠使遮蔽構 件254移動於軸向而未被固定於此。即使熱使遮蔽構件 254膨脹，這係可能防止遮蔽構件254的變形。 圖28A及28B顯示將此實施例的遮蔽構件254配置 Η 在真空室211的內壁上的方向。 φ 如圖28Α所示，以在垂直方向（圖17中的Ζ方向） 配置於圖2 8Β中的真空室211的內壁之情況下，顯示遮蔽 構件2 5 4的縱向。 遮蔽構件254不同的是，遮蔽構件254係水平地（圖 17的Υ方向）配置於真空室211的內壁。 圖29係用於解說遮蔽構件254的固定方法及此實施 例的配置方向間之關係以及遮蔽構件254的變形之示意圖 〇 • 於圖29，G標示遮蔽構件254係於垂直方向配置在 真空室211的內壁上之例子，其中圓孔254b及隙縫254c - 兩者係藉由螺釘所固定。Η標示以下例子，當僅圓孔 - 254b係由螺釘所固定且可被致使實施隙縫2 5 4c的可移動 ’ 性時，遮蔽構件254係於垂直方向配置在真空室211的內 - 壁上。I標示以下的例子，遮蔽構件2 5 4係水平地配置在 真空室211的內壁上，其中僅圓孔254b係由螺釘固定， 且顯示遮蔽構件254可被致使實施隙縫254c的可移動性 之例子。 -41 - 1380301 當遮蔽構件254係於垂直方向配置在真空室211 壁上時’爲了藉由平順施熱而致使對遮蔽構件2 54的 之膨脹’隙縫254c已開啓於上側（圖17中的Z +側 邊緣’遮蔽構件2 5 4的圓孔254b已開啓之邊緣被折 圖1 7中的Z-側）。 如圖29所示，遮蔽構件254係於垂直方向配置 空室2 1 1的內壁上。 當僅圓孔254b被固定在螺釘等且可被致使實施 2 5 4c的可移動性時（圖 29的“H”），即使增加濺鍍 數’遮蔽構件2 54的變形幾乎是零，其係於垂直方向 蔽構件254配置於真空室211的內壁，僅固定圓孔 在螺釘上，且能夠被致使實施隙縫254c的移動，以 檢查的是，實質上可延長遮蔽構件254的壽命。 因此，考慮到其爲容許軸向的移動之結構，由於 構件254的熱之變形可變小，而完全不需固定遮蔽 2 5 4邊緣的至少一者。 其設定至具有容許軸向的移動的結構之遮蔽構件 ，而完全不需固定遮蔽構件254邊緣的至少一者。 藉由向下轉動邊緣（容許軸向的移動之邊緣）， 隙縫2 5 4c已開啓於圓孔254b已開啓之邊緣上側，且 定圓孔2 5 4b在螺釘上。 如果遮蔽構件254係固持在垂直方向，遮蔽構件 由於熱之軸向的膨脹可變成平滑，以及遮蔽構件254 的變形可變成更小。 的內 軸向 )之 回（ 在真 隙縫 的次 將遮 254b 及所 遮蔽 構件 254 其中 僅固 254 由於 -42- 1380301 依據此實施例的漉鏟裝置，在自具有2 2 mm半徑的位 置（其係對應至碟片基板221的膜沉積區的最內周圍之徑 向位置）至第一遮蔽比轉折點D(繞著碟片基板221的中 心之35mm-5〇mm半徑的任一徑向位置）之範圍內，遮蔽 比朝向周圍側而上升）。 如果第一遮蔽比轉折點超過，在對第二遮蔽比轉折點 E (具有距碟片基板221的中心55mm-57mm的徑向位置 之半徑）之範圍，遮蔽比以第一下降率朝向外周邊緣而下 降。 如果第二遮蔽比轉折點E超過，遮蔽比在相對於對應 至碟片基板22 1的膜沉積區的最外周圍之徑向位置的範圍 內以大於第一下降率的第二下降率朝向最外周邊緣而下降 〇 藉由使用設有遮蔽構件254之濺鍍裝置210來實施濺 鍍，這係可能以幾乎均勻厚度分佈將薄膜形成在自內周至 外周邊緣的範圍。依據此實施例的濺鍍裝置無需完全固定 固持遮蔽構件254邊緣的至少一者，藉由使考慮其爲容許 移動的結構之邊緣轉向，允許固定至軸向之邊緣至上側（ + Z側），且容許軸向的移動至下側（-Z側），以及固持 遮蔽構件254於垂直方向（Z軸向），這係可能藉由平順 施熱致使對遮蔽構件254的軸向之膨脹，以及由於遮蔽構 件2 54的熱之變形可變小。 圖30係藉由使用本發明的此實施例的濺鑛裝置所製 造之一次寫入式光學記錄媒體260的橫剖面圖。 -43- 1380301 如圖30所示，在碟片基板261上，第一電介質層 262、記錄層263、第二電介質層264及反射層265係層 層地疊置’一次寫入式光學記錄媒體26 0係一起塗在反射 層265上，且虛設基板267已經由層266塗在反射層265 上。 現將解說製造一次寫入式光學記錄媒體2 60的方法。 碟片基板261，其具有0.40微米軌距、21 nm深的導 槽之120mm直徑、及由聚碳酸酯樹脂製作之〇.59mm厚度 ，被製備用於介紹及表面。 接著，使用來自Balzers公司之濺鍍裝置，在碟片基 板261上，由 ZnS-Si02(分子百分比=8 0: 20)製作之 40nm厚度的第一電介質層262、由Bi203製作之20nm厚 度的記錄層263、由ZnS-Si02(分子百分比= 80: 20)製 作之20nm厚度的第二電介質層264、及由 Ag製作之 60nm厚度的反射層265係層層地形成。 接著，在以旋塗方式將含有紫外線硬化樹脂（Nippon Kayaku Co.,Ltd.DVD003 )之應用流體施加在反射層265 以及將紫外線硬化樹脂同樣地應用至虛設基板267 ( 0.5 9mm厚度）之後，其在解壓縮氛圍下塗在一起》 然後，紫外線光係自虛設基板267側照射，紫外線硬 化樹脂被硬化，且25微米厚的塗層266被形成。 因此，圖30所示之一次寫入式光學記錄媒體2 60被 生產。當一次寫入式光學記錄媒體260形成第一電介質層 262及第二電介質層264時，其生產二種，未使用任何遮 -44- 1380301 蔽構件之一次寫入式光學記錄媒體260a及使用此實施例 的遮蔽構件25 4之一次寫入式光學記錄媒體2 60 b。 圖31係顯示已量測一次寫入式光學記錄媒體2 6 0a及 一次寫入式光學記錄媒體260b中之內側與外側周圍的反 射性的變化的結果之示意圖。圖31的資料係以最內周圓 的反射性而標準化。 如圖3 1所示，超過自厚度對徑向位置的變化所期待 的’其中圖26顯示“不具有遮蔽構件”，以未使用任何遮 蔽構件之一次寫入式光學記錄媒體260a，其結果是，反 射性係銳利地改變。周圍部份之反射性變化係顯著的。 另一方面，於使用此實施例的遮蔽構件2 54之一次寫 入式光學記錄媒體2 60b，確認的是，自內周圓端至周緣 之反射性的改變被控制。 雖然其係大大地取決於第一電介質層2 62及第二電介 質層264的厚度，因爲第一電介質層262及第二電介質層 2 64係藉由幾乎均勻厚度分佈自內周圓端形成至周緣，反 射性係藉由使用此實施例的遮蔽構件254來控制。 於此實施例的濺鍍裝置，在自具有22 mm半徑的位置 (其係對應至碟片基板261的膜沉積區的最大內周之徑向 位置）至第一遮蔽比轉折點D (具有自碟片基板261的中 心至35mm-5Gmm的徑向位置之半徑）之範圍內，遮蔽比 朝向周圍側而上升。 如果超過第一遮蔽比轉折點D，在對於第二遮蔽比轉 折點E (具有自碟片基板261的中心至55mm-5 7mm的徑 -45- 1380301 向位置之半徑）之範圍內，遮蔽比將朝向周圍側以第一下 降率而下降。 如果超過第二遮蔽比轉折點E，濺鍍裝置210將設有 遮蔽構件254，遮蔽構件254在對於對應至碟片基板261 的膜沉積區的最外周圍的徑向位置之範圍內以具有比第一 下降率更大的遮蔽比之第二下降率朝向周圍側而下降。 藉由實施濺鍍，具有幾乎均勻厚度分佈之層可自內周 圓端形成至周緣。 依據此實施例的濺鍍裝置，這係可能形成具有幾乎均 勻厚度分佈之電介質層於碟片基板261，且自內周圓端至 碟片基板261的周緣之反射性可被控制。 如上述，雖然已解說於關於本發明的合意實施例之全 部細節，本發明可對上述實施例增加各種變化與取代，未 受限上述實施例。例如，圖24所示之遮蔽比係線性地改 變於各半徑區。 然而，遮蔽比不必然需要線性地改變。例如，其無關 於具有彎曲剖面之凸狀物的形狀的模架構、凹形彎曲模架 構等。 本發明未受限於特定揭示的實施例，且可作變化及修 改而不離開本發明的範圍。 本案係基於2007年8月28日申請之日本專利申請案 第2007-221586號、2007年8月28日申請之日本專利申 請案第2007-22 1598號、及2008年2月22日申請之日本 專利申請案第2〇〇8-〇41751號，該等案的全部內容倂入本 -46- 1380301 文作爲參考。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明的實施例的光碟的平面圖。 圖2係顯示圖1的光碟的橫剖面結構之橫剖面圖。 圖3係顯示本發明的實施例的濺鍍裝置的組成之示意 圖。 圖4A係圖3的濺鍍裝置中之基板座及碟片基板的立 體圖。 圖4B係當自-Y的方向觀看時之基板座及碟片基板的 側視圖。 圖5A係圖3的濺鍍裝置中之環構件及其周邊的立體 圖。 圖5 B係環構件及其周邊的側視圖。 圖6係顯示本發明的實施例的遮蔽構件及形成於碟片 基板的記錄區之示意圖。 圖7係用於解說形成於記錄區之薄膜的厚度相對値及 徑向位置間之關係之示意圖。 圖8係顯示本發明的實施例的遮蔽構件及形成於碟片 基板的記錄區之示意圖。 圖9係顯示本發明的實施例的遮蔽構件及形成於碟片 基板的記錄區之示意圖。 圖10係用於解說形成於記錄區之薄膜的厚度相對値 及徑向位置間之關係之示意圖。 -47- 1380301 圖11係用於解說形成於記錄區之薄膜的厚度相對値 及徑向位置間之關係之示意圖。 圖12係用於解說最佳記錄功率的解析度之示意圖。 圖13係用於解說最佳記錄功率的解析度之示意圖。 圖14係用於解說對雷射光束之吸收率的相對値及所 沉積記錄層的膜厚度的相對値之示意圖。 圖15係用於解說記錄反射率對膜厚度的變率的變化 之示意圖。 圖1 6係顯示本發明的實施例的光碟的橫剖面結構之 橫剖面圖。 圖1 7係顯示本發明的實施例的濺鍍裝置的組成之示 意圖。 圖18係顯示當自+X的方向觀看時之圖17的遮蔽構 件、內部掩膜、外周掩膜及碟片基板的組成之示意圖。 圖19係顯示遮蔽構件的實例的結構之示意圖。 圖20係顯示遮蔽構件的實例的結構之示意圖。 圖21係顯示遮蔽構件的實例的結構之示意圖。 圖22係用於解說在距碟片基板的中心40mm之徑向 位置而沉積在碟片基板上之ZnS-Si〇2的薄膜的周邊厚度 分佈之示意圖》 圖2 3係顯示本發明的實施例之遮蔽構件的組成之示 意圖。 圖24係用於解說此實施例的遮蔽構件中之遮蔽比及 徑向位置間之關係之示意圖。 -48- 1380301 圖25係顯示此實施例的濺鍍裝置中之遮蔽構件、內 部掩膜、外周掩膜及碟片基板的組成之示意圖。 圖26係用於解說相對於碟片基板的徑向位置之沉積 在碟片基板上之ZnS-Si02的薄膜的膜厚度的相對値之示 意圖。 圖27係顯示此實施例的遮蔽構件的端部之放大圖。 圖28A及28B係顯示此實施例的遮蔽構件在真空室 的壁上的配置方向之示意圖。 圖29係用於解說此實施例的遮蔽構件的變形及固定 方法與配置方向間之關係之示意圖。 圖30係藉由使用此實施例的濺鍍裝置所製造之單寫 光學記錄媒體的橫剖面圖。 圖31係用於解說一次寫入式光學記錄媒體的反射率 相對於徑向位置的變化的量測結果之示意圖。 【主要元件符號說明】 〇 :中心 R 1 :徑向 R3 :徑向 0 1 :角 GP :間隙 LN :曲線 LA :曲線 Z ·-縱向 -49- 1380301 R2 :半徑 LB :曲線 k :周圍係數 A ( r ):周圓的長度 B ( r ):周圍的長度 C :圓周 GA :間隙 LC :曲線 T :週期 S =膜沉積時間 η :自然數 L 1 2 :直線 ex 1 :曲線 ex2 :曲線 ex3 :曲線 ex4 :曲線 mW :記錄敏感性 C D :第一半徑區 D E :第二半徑區 E F :第三半徑區 F :最外周圍 D:第一遮蔽率轉折點 E:第二遮蔽率轉折點 L :直徑 -50 1380301 光碟 :記錄區 =光碟 碟片基板 :圓形開口 第一電介質層 記錄層 第二電介質層 反射層 保護層 :覆蓋層 黏著層 虛設基板 硬塗層 :真空室 :殼部 濺鍍陰極 支承板 濺鍍靶 旋轉單元 基板座 滾動機構 外周掩膜 34 :內部掩膜 1380301 3 5 :環構件 40 :磁鐵 50A :遮蔽構件 50B :遮蔽構件 50C :遮蔽構件 1〇〇 :濺鍍裝置 210 :濺鍍裝置 21 1 :真空室 2 1 1 a :.開口 212 :濺鍍陰極 213 :基板座 2 1 4 :遮蔽構件 2 14a :預定組態 215 :支撐板 2 1 6 :磁鐵 217 :內部掩膜 2 1 8 :外周掩膜 219 :旋轉部 220 :濺鍍靶 221 :碟片基板 224 :遮蔽構件 224a :扇區 2 3 4 :遮蔽構件 234a ：扇區 1380301 244 :遮蔽構件 2 4 4a ·扇區 254 :遮蔽構件 254a :扇區 2 5 4 b :圓孔 254c :隙縫 260: —次寫入式光學記錄媒體 260a:—次寫入式光學記錄媒體 260b :—次寫入式光學記錄媒體 261 :碟片基板 262:第一電介質層 2 6 3 :記錄層 264 :第二電介質層 2 6 5 :反射層 2 6 6:層 2 6 7 :虛設基板 -53-