TWI363381B - Substrate treatment apparatus and substrate treatment method - Google Patents

Description

1363381 九、發明說明： .【發明所屬之技術領域】 .本發明有關於用來處理以半導體晶圓、液晶顯示裝置用 基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emissi〇n Disp丨ay) 用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩 用基板等為代表之各種被處理基板之基板處理裝置及基 板處理方法。 【先前技術】 在半導體裝置之製造步驟，進行對作為被處理基板之半 導體晶圓（以下簡稱為「晶圓」）之表面供給處理液(藥液 或純水）之處理。特別是在洗淨晶圓用之基板洗淨裂置， 對晶圓之表面供給洗淨處理用之藥液，然後供給純水用來 進订沖洗處理。在該沖洗處理後，晶圓表面因 水，所以為了除去該纯水，祐B 丄 ..... 有、”屯 f云哀，七水使晶圓高速旋轉，用炎用本曰 圓表面之純水藉以進行乾燥處理。 曰曰 該乾燥處理所使用之典型之基板乾 夾嘴’在將晶圓保持為水平之狀態進行旋:、有查自轉 機構，用來使該自轉夾嘴高速旋轉。^㈣驅動 該旋轉使純水受到離心力之作帛 輯造，隨著 達成基板之乾燥。 用來將純水甩去’藉以 [專利文獻1]日本專利特開平1()_412 【發明内容】 號厶報 (發明所欲解決之問題） 但是，例如在形成有所謂 — 之'0"膜(由介電常數小於 326\專利說明書(補件)\95-04\95 ] 0】856 5 1363381 矽之材料構成之絕緣膜）之 .水性。因此’當對晶圓表面供气:，晶圓表面成為疏 轉央嘴高速旋轉時，晶 ϋ、、·水進行沖洗處理，使自 微小液滴，該多個微小㈣mz會分裂，成為多個 該條紋狀之粒子是一種 ，子形成放射狀。 味之粒子（Β欠，，文（wat打mark)，與通常 了于U日圓表面之異物）不同。 巾心心 粒子數之粒子计數哭 疋。十數晶圓表面之 子地進行計數 刀此種條紋狀之粒子和通常之粒 二匕：抑制或防止條紋狀粒子發生成為課題。 、口此本發明之目的是提供基板處理裝置 法，經由從基板表面良好地排除 ^处 在美虹本“* 拼丨示冼淨液’可以抑制或防止 长土扳表面上產生條紋狀之粒子。 (解決問題之手段） ，發明之第！態樣之基板處理裝置包含有：基板保持機 構（1、101)，可以保持基板（w)使其成為一方表面朝向上 方之姿勢；沖洗液供給機構（15、17、112、120)，用來將 沖洗液供給到被該基板保持機構保持之基板之上述一方 表面（上面）；基板傾斜機構（25、1〇2) ’用來使被上述基 板保持機構保持之基板’從上述一方表面沿著水平面之水 平姿勢’傾斜成為上述一方表面對水平面傾斜指定角度之 傾斜姿勢；和基板乾燥手段（2、103) ’用來使被上述基板 保持機構保持之基板表面進行乾燥。另外，括弧内之英數 字在後面所述之實施形態中表示對應之構成元件等。以 326\專利說明書(補件)\95-〇4\95 ] 01856 6 1363381 下，與此項同。 .依照此種構造時，在沖洗液之供給後利用基板傾斜機構 ..使基板傾斜，在從基板表面排除沖洗液之過程可以抑制在 •，板=面殘留沖洗液之微小液滴。另外，可以利用基板乾 燥手段使基板之表面乾燥。利用此種方式，可以良好地排 除基板之表面和端面之全體區域之洗淨液。 特別是假如基板表面上之沖洗液以液塊之狀態朝向下 方移動和排出時，在基板表面更不會有微小液滴殘留，變 成沖洗液以大液塊之狀態從基板表面被排除。利用此種方 式可以抑制或防止產生條紋狀之粒子’和可以排除基板表 面之沖洗液。 此處之「液塊」是指在基板表面上之指定區域擴散之大 致膜狀之液體之塊。另外，液塊在沖洗液排除中最好是單 一之狀態，但是在沖洗液排除之過程亦可以分裂成為數個 之程度。亦即，在基板表面之中，至少在沖洗液被排除之 • 區域（在沖洗液之液塊之存在區域之上側之區域），於未殘 留有微小液滴之範圍，亦可以使液塊成為多個。 處理對象之基板可以是表面為疏水性之基板，亦可以是 親水性之基板，但是對於表面容易殘留微小液滴之疏水性 之基板比較有效。 • 沖洗液除了純水外，亦可以使用碳酸水、電解離子水、 ’ 氫水、磁性水等之功能水，或稀薄濃度（例如lppm程度） 之氨水等。 最好是上述基板傾斜機構使基板傾斜成為使在上述基 326\專利說明書(補件)\95-04\9510185<5 7 1363381 板之一方表面上移動之上述液塊之後緣以每秒3〜2〇毫米 _之速度移動。 ' •依照此種構造時，經由使基板傾斜成為在基板上由沖洗 液形成之液塊之後緣（液塊之最上側之緣部）以每秒3〜 • 毫米之速度移動，可以確實地防止基板表面之微小液滴之 殘留。利用此種方式，可以更有效地抑制條紋狀之粒子。 最好使上述基板處理裝置更包含有接觸構件（5 ),在利 用上述基板傾斜機構使基板傾斜時，接觸在上述傾斜姿 鲁之基板下側端面。 依照此種構造時，利用接觸在基板之下側端面之接觸 件，可以導引從基板流落之沖洗液。亦即，在沿該接觸構 件流下沖洗液。利用此種方式，可以從基板表面將、沖洗液 有效地排除。另外，該接觸構件接觸在基板之時序可以^ 基板進灯傾斜之期間（以下稱為基板傾斜期間）中之任 時期。例如，對基板之接觸可以是基板傾斜期間之初期°， 亦可以是基板傾斜期間之末期’亦可以在 間中經常進行。 ^貝針期 該接觸構件可以是基板保持機構所具備之基板包 件，亦可以是與此種基板包夾構件分開設置之構件 外，該接觸構件可以是」個，亦可以是多個 傾斜時接觸在最低位置之基板端面。 基板 最好：上述基板處理裝置更包含有控制手段(4〇、 )’用來控制上述沖洗液供給機構 構，對於被上述基板保持機構保持為水平之基板==機 326\專利說明書(補件)\95_〇4\95】〇】856 Ο 1363381 方表面之一部份或全體區域，以從上述沖洗液供給機構供 給之沖洗液之液膜加以覆蓋，然後利用上述基板傾斜機構 .使上述基板傾斜。利用此種方式，在基板上面形成沖洗液 之液膜使其覆蓋在基板之表面之一部份或全體區域。特別 是當在全體區域形成沖洗液之液膜之情況時，因為基板表 面未接觸到氧，和從該大液膜之狀態轉移到沖洗液之排除 步驟’所以可以從基板上面將沖洗液良好地排除。另外， 在具備有基板旋轉手段（2)用來使被基板保持機構保持之 基板旋轉之情況時，最好使基板成為停止狀態或低速旋轉 狀態’以沖洗液之液膜覆蓋在基板表面。 最好使上述控制手段還控制上述基板乾燥手段，利用上 述基板傾斜機構使上述基板傾斜用來從上述一方表面排 除沖洗液之後，利用上述基板乾燥手段用來使基板上之液 成分乾燥。依照此種構造時，使基板傾斜在將沖洗液從基 板上面排除之後’因為使基板之表面乾燥，所以可以抑制 φ 或防止在基板上面之微小液滴之移動。利用此種方式，可 以抑制條紋狀之粒子之產生。 亦可以使上述基板乾燥手段包含有基板旋轉手段（2 )， 用來使被上述基板保持機構保持之基板旋轉。在此種情 況’亦可以使上述控制手段在使基板乾燥時，利用上述基 •板旋轉手段使上述基板旋轉，用來將殘留在該基板之端面 之液滴甩去。利用此種構造，在使基板傾斜用來將沖洗液 從基板上面排除之後，因為使基板旋轉用來甩去端面之微 小液滴’所以可以抑制或防止在基板上面之微小液滴之移 326\專利說明書(補件)\95-04\95101856 9 1363381 動。利用此種方式，可以抑制條紋狀之粒子之產生 傾上述㈣手段利用上述基板傾斜機構使基板 貝斜用來從上述基板之—方表面將沖洗液排除之後，利用 /述基板傾斜機構使基板從傾斜姿勢回復到水平姿勢，然 =利用上述基板旋轉手段使基板旋轉1㈣去^留㈣ 暴板之端面之液滴。 依照此種構造時，因為構建成從基板回到水平姿勢起， 利用基板旋轉手段使基板旋轉，用來甩去基板端面之液 ^所以可以防止從基板端面甩去之液滴飛散到基板處理 裝置之斜上7。另夕卜，在使用可以保持基板使其旋轉之基 板保持機構作為基板旋轉手段之情況，在使基板傾斜時， 基板保持機構本身不需要傾斜，可以只使基板傾斜。因 此’可以使基板傾斜機構之構造簡化。 亦可以使上述基板乾燥手段包含有紅外線產生手段 (135)，用來對被上述基板保持機構保持之基板照射紅外 鲁線。依照此種構造時，不是使基板高速旋轉，而是利用紅 外線之照射，可以使基板上之液成分（包含基板端面之液 滴）蒸發和排除，用來使基板乾燥。亦即，在此種構造之 .情況，可以使基板以非旋轉狀態或低速旋轉狀態進行乾 燥。 另外，在此種構造之情況，最好更包含有過濾器板 (137)，被配置在上述紅外線產生手段和被上述基板保持 機構保持之基板之間’在從上述紅外線產生手段照射之紅 外線中’至少吸收被上述基板保持機構保持之基板能夠吸 326\專利說明書(補件)\95_04\95〗〇1856 10 1363381 收之波長之紅外線，和使其以外之波長之紅外線透過。利 用此種方式，可以抑制基板之升溫，和使其表面之液成分 •.吸收紅外線，可以使該液成分蒸發。利用此種方式，因為 .可以抑㈣由於基板之加熱使基板材料㉟出，戶斤卩可以抑制 水紋之產生。 基板乾燥手段亦可以使用氣體供給機構（18 ' 138)，對 被基板保持機構保持之基板供給常溫（例如，大約23。〇 氣體或加熱（例如抓〜⑸以之氣體^氣體供給機構 供給之氣體，例如’可以是空氣或惰性氣(氮氣等）等，亦 可以是該等與IPA(異丙醇）蒸氣或HFE(水氟醚）蒸氣等之 有機溶劑之蒸氣混合之混合氣體。另外，基板乾燥手段亦 可以使用減壓乾燥機構，用來使被基板保持機構保持之基 板之周圍之空間，例如收容有基板保持機構之處理室， 行減壓。 另外，利用基板傾斜機構使基板傾斜時，為著排除殘留 •在基板之下端之沖洗液之液滴，亦可以設置接觸在傾斜姿 勢之基板之下端之海棉等之多孔質構件或吸引噴嘴等之 吸液構件。利用此種方式，可以有效地排除基板上之液體。 亦可以使上述基板處理裝置更包含有惰性氣體供給機 •構（18、1 9) ’用來對被上述基板保持機構保持之基板之上 ^方表面，供給惰性氣體。在此種情況，最好使上述控 * 3手段更控制上述惰性氣體供給機構，在使基板傾斜藉: 攸其一方表面將沖洗液排除時，對上述基板之一方表面之 至少沖洗液被排除之區域，供給來自上述惰性氣體供給手 观專利說明書(補件娜5麵56 段之惰性氣體。 •依照此種構造時，妹A斟I 4c L 1 域供給惰性氣體，可==上面之沖洗液被排除― •出區域與存在有… 基板表面之露出區域和該露 、存在有冲洗液之區域之邊界區域(以下稱為「邊 )成為在情性氣體環境中，卩以抑制基板表面之 口為乳氣而產生之粒子。

=好使上述基板處理裝置更包含有：遮斷構件（1〇)，具 …二以配置成接近被上述基板保持機構保持之基板之上 =方表面之基板面對面⑴）；和遮斷構件移動機構 ，用來使㈣斷構件對被·上述基彳聽持機構保持之基 板之上述-方表面接近/離開。在此種情況，最好使上述 控制手段更控制上述遮斷構件移動機構，從上述惰性氣體 供,手段之惰性氣體供給於上述基板之一方表面供給惰 性氣體時，控制上述遮斷構件移動機構使上述遮斷構件之 基板面對面被配置在接近上述基板之一方表面之指定位

依照此種構造時，在使遮斷構件之基板面對面接近基板 上面，限制該上面附近空間之狀態，對該空間供給惰性氣 體。利用此種方式，可以使基板上面之露出區域和邊界區 域之周圍確實成為惰性氣體環境。 最好使上述基板處理裝置更包含有遮斷構件傾斜機構 (60) ’用來使上述遮斷構件傾斜，當利用上述基板傾斜機 構使基板傾斜時，倣照該基板之傾斜使上述基板面對面傾 斜。 - 、 326\專利說明書(補件)\95-04\95101856 12 I363381 依照此種構造時，當使基板 板面對面亦隨著傾斜，所 # = ’ 口為遮斷構件之基 J上面。因此’在從基板上面排除沖洗 二：基 面之近旁之空間始終被戚 J間，基板上 式，可以使美板上、 牛良好地限制。利用此種方 ]以使基板上面之露出區 ^ 為惰性氣體環境。 遺，1 £域之周邊確實成 上述遮斷構件傾斜機構亦可以 之傾钭媸堪r κ η、 疋人基板傾斜機構相同 之悄斜機構（60)。此種傾斜機 可動框架（61 )，對仵持庐斷 成例如具備有： 了保持遮斷構件之遮斷構件 和上述基板保持機構進 ”、冓（23) 采使该可動框架圍繞指定 用 仏，利用可動框架之旋轉，可以 偁 嫵媸仅找《 ^ 使遮辦構件和被基板保持 機構保持之基板成為一體地傾斜。 上料性氣體供給手段最好是則、流量對上述基 反之方表面供給惰性氣體，該小流量小於上述基板之_ 方表面之沖洗液之液塊被破壞之流量。 利用此種構造’因為可以保持沖洗液之液塊，所以可以 P制或防止由於沖洗液之液塊之破壞而產生條紋狀之粒 子，和可以使基板上面之露出區域和邊界區域之近旁成為 惰性氣體環境。 最好使上述基板處理裝置更包含有沖洗液補給機構 (50)，用來對利用上述基板傾斜機構成為傾斜姿勢之基板 之上述一方表面上之沖洗液，供給新的沖洗液。 依如此種構造時，對基板表面上之沖洗液補給新的沖洗 326傳利說明書(補件)\95-04\95〗01856 13 1363381 •乎，可以防止基板上之沖洗液之液塊之分 跑基板即使與水平面形成大角度，亦可二沖= 之液塊之分裂，所以可以從基板上面將沖洗液 定 除。其結果是可以縮短處理時間。 、~地排 本發明之第2態樣之基板處理裝置包含 構⑴，可以將基板保持成為大致水平;沖有洗 =、广用來將沖洗液供給到被該基板保持:構 土板面，乳體刀機構（70)，用來將氣體喷麗在被 二構保持之基板上面’藉以在該基板上面形成氣二 t鹿區域之同時’在該氣體喷灑區域可以 體 板上面之全體區域；沖洗液補給 二τ田基 板上面，用來將沖洗液供給到比上述氣體：構=基 體嘴㈣域更在該氣體喷灑區域之掃描方 = 區域；和基板乾燥手段⑺，用來使被上述基板 保持之基板表面乾燥。 败保持機構 依照此種構造時，利用氣體刀機構將氣體讀在 面，使基板上面之氣體喷灑區域在一方向移動，掃 上面，用來從基板上面將沖洗液排除。這時，在氣體= 區域之移動方向之下游側，因為基板表面被 沖 液，所以在該區域，沖洗液之液塊不容易產生分裂，保持 大液塊之狀態。如此一來，在基板 … 液塊（最好為單一之液塊）之狀_，刹面1沖洗液以保持大 其結果是可以抑制或防止產生條紋狀2 =機構排除。 如此一來’在利用氣體刀機構從基板表面將沖洗液排除 326傳利說明書(補件)\95·〇4\95Η)】856 ^ 丄 JJO1 丄 JJO1 以 ==板乾操手段使基板之表面乾燥時’可 •拼丨：殘遠在基板上之微量之沖洗液。 •最好使上述基板處理裝置更包含有控 控：上述基板乾燥手段，上述沖洗液 構將沖洗液述沖洗液供給機 ^ ^ + 这基板上面之後，在上述氣體刀機構 A成之氣體㈣區域掃描基板上面之同時，從上述沖洗、r 補給機構將沖洗液供給到該氣體喷灌區域之掃描方向： 下游側之區域’用來從基板上面將沖洗液排除，然後 用上述基板乾燥手段使基板上之液成分乾燥。 依照此種構造時’在利用氣體刀機構將沖洗液從基板上 面排除之後’因為使基板乾燥，所以可以抑制或防止在基 板上面之微小液滴之移動。利用此種方式，可以抑制條二 狀之粒子之產生。 、 亦以使上述基板乾燥手段包含有基板旋轉手段（2)，用 •來使被上述基板保持機構保持之基板旋轉。在此種情況， 最好使上述控制手段在使基板乾燥時，利用上述基板旋轉 手^又使上述基板旋轉，用來甩去殘留在該基板之端面之液 滴。利用此種構造，在利用氣體刀機構從基板表面將沖洗 液排除之後’假如利用基板保持旋轉機構使基板旋轉時， 可以利用離心力將殘留在基板之端面之微量之沖洗液甩 • 去。 亦可以使上述氣體刀機構在基板上面形成線狀之上述 氣體噴灑區域（75、81〜85)。依照此種構造時，經由使線 326傳利說明書(補件)\95-04\95 HH 856 15 可以從基板上面將沖洗液有效地 狀之氣體噴灑區域移動， 排除。 亦可以使上述氣體刀 ^ ^ E ^ i- 4, 構在基板上面形成朝向上述氣 拉貧媲£域之掃描方向 狀氣體喷灌區域⑻、⑷中央部後退之凹形之線 氣體喷灑£ Μ夕 依妝此種構造時，因為線狀之 側地後退，所以沖洗.…广朝向其私動方向之上游 側，同^… 該線狀之氣體噴灑區域之内

。τ P以字该沖洗液從基板上面排除。利用此種方 二洗液之液塊之二 (25)，用來使^反处里裝置更包含有基板傾斜機構 破，板保持機構保持之基板，從其上面 姿勢，傾斜成為該上面對水平面傾斜指 疋角度之傾斜姿勢。 、十导曰

可經由併用基板之傾斜和氣體刀機構 了以將基板上面之液滴更確實地排除。在此種情 對氣體刀之掃財向下游側之區域補給沖洗液，所j 抑制或防止基板上面之沖洗液之液塊之分裂，因此可則 制或防止在基板上面殘留沖洗液之微小液滴。 本心月之樣之基板處理方法包含冑：基板保+ 驟，利用基板保持機構（1、101)將基板（w)保持成為一S 表面朝向上方之姿勢；沖洗液供給步驟，用來將沖洗液= 給到在該基板保持步驟被上述基板保持機構保持之基板 之上述-方表面（上面）；基板傾斜步驟，在該沖洗液ς給 步驟之後，使被上述基板保持機構保持之基板，從上述二 326\專利說明書(補件)\95·〇4\95】0 ] 856 】6 方表面沿著水平面之水平姿勢 :厂傾斜指定角度之傾斜姿勢，、用來使該 ，先液，以在兮_古主c , 4田上/宁 • ΟΛ 方表面上成為液塊之狀能下，朝 動和排除；和乾燥牛驟h甘方移 之表面乾燥。7在〜基板傾斜步驟之後，使基板 =使上述基板傾斜步驟用來使基板傾斜，藉以使在上 ::板之—方表面上移動之上述液塊之後緣以每秒H。 2:速度私動。利用此種方法，可以更確實地抑制或防 止在基板上面之沖洗液之液塊產生分裂，和可以從基板上 面將沖洗液排除。 本《月之另ϋ之基板處理方法包含有：基板保持步 :利用基板保持機構（1)將基板（W)保持成為大致水平； 冲洗液供給步驟’用來將沖洗液供給到在該基板保持步驟 破上述基板保持機構保持之基板上面；氣體刀步驟，在該 ’中洗液供給步驟之後，利用氣體刀機構（70)對被上述基板 保持機構保持之基板上面喷灑氣體，用來在該基板上面形 f氣體=灑區域（75、81〜85)之同時，在氣體噴灑區域以 一方向掃描基板上面之全體區域；沖洗液補給步驟，與該 氣肢刀步驟並行地，在上述基板上面，用來將沖洗液供給 到比上述氣體刀機構形成之氣體喷灑區域更在該氣體喷 灑區域之掃描方向之下游彻之區域；和乾燥步驟，在上述 氣體刀步驟和沖洗液補給步驟之後，用來使基板之表面乾 燥。 亦可以使上述乾無步驟包含甩去步驟，使被上述基板保 326溥利說明書(補件)\95观95丨〇丨856 17 1363381 ::構保持之基板旋轉，用來甩去殘留在該基板之端面之 •二以使上述乾燥步驟包含有照射步驟，將來自 基板照#。 艮對破上述基板保持機構保持之 ^好使上述沖洗液供給步驟包含㈣覆蓋”， 液之液膜覆蓋當上述基板保 持為水平之基板之上述-方表面基板保持機構保 另外，最好使沖洗液供給步驟 速旋轉狀態，經由在基板上面成長沖二：：、、狀態或低 成長步驟，進行上述液膜覆蓋步驟。z攻錢之液塊 本發明之上述和其他之目的 — 特效和效果經由參照附圖 下面所述之貫施形態之說明當可明白。 【貫施方式】 =照附圖用來詳細地說明本發明之實施形態。 處】用來說明本發明之第1實施形態之基板 破置之構4。該基板處理I置是葉片 如對於如同半導體晶圓之大致 衮1例 愉+ & t之基板w ’利用處理液 水平之姿勢同時，圍繞通過二=二持成為大致 i-fe ^ ^ . 之大致鉛直之旋轉軸線 進仃旋轉。基板W是以在表面形成 方式，使穿置形点6 + & 成有L〇w-k膜之矽晶圓之 便装置形成面成為疏水性表

被自轉夾嘴1保持成使1 ^種土板W 自轉夾幻係被固i::用(疏水性表面)向上。 疋在利用夹嘴旋轉驅動機構2進行旋 326傳利說明書(補件)\95-〇彻丨〇丨856 18 JO丄 :專之旋轉軸3之上端’其具備有：大致圓板 4，和多個包夾構侔ς L 曰锝暴座 座4之周緣部之多個位：大二等角度間隔設在該自轉基 為中空軸，在該旋轉夾基板W。旋轉軸3成. R 疋轉軸3之内部插穿有下面處理液供蛑瞢 HI·生地被供給有作為處理液之藥液或純水。該 ;理：供給官6延伸到接近被自轉夾嘴i保持之基板讲之 面央之位置’在其前端形成有下面 板W之下面中央吐出處理液。 木朝向基 “在下面處理液供給f 6，經由藥液閥8可以被供給來自 樂液（例如姓刻液）供給源之藥液，和經由純水閥9可以被 供給來自純水供給源之純水（脫離子化之純水）。 在自轉夹嘴1之上方設有圓板狀之遮斷板10，具有與 基板w大致相同之直徑，和在下面具有面對基板w之上面 之基板面對面n。在遮斷板1Q之上面岐有沿著與自轉 夾嘴1之旋轉軸3共同軸線之旋轉軸12。該旋轉軸12是 中空軸，在其部插穿有處理液喷嘴15用來對基板W之上 面供給處理液。在該處理液喷嘴15可以被供給來自藥液 喷嘴1 6之藥液或來自純水閥丨7之純水（脫離子化之純 水。沖洗液之一實例）。 另外，在旋轉軸12之内壁面和處理液喷嘴丨5之外壁面 之間形成氮氣供給通路18，用來朝向基板w上面之中央 給作為惰性氣體之氮氣。供給自該氮氣供給通路18之氮 氣，供給到基板W之上面和遮斷板丨〇之下面（基板面對面 11)之間之空間。在氮氣供給通路j 8經由氮氣閥j 9和流 326傳利說明書(補件)\95、〇4\95101856 19 1363381 二凋正。卩30被供給氮氣。流量調整部3〇用來變更供給到 ·=乱供、·。通路18之氮氣之供給流量（例如變更為2個 段）。 曰 走軸12被女裝成為從沿著大致水平方向設置之 之前端附近形成垂下之狀態。與f2Q相關地，設有遮斷0 機構21，利用該臂20升降，用來使遮斷板10, 和大 置之間升降。另外，盥 f相關地’設有遮斷板旋轉驅動機構22,用來使遮斷 板10進行盥自Μ冰喈】仏扣巾木使‘斷 之旋轉。轉丈'1所保持之基㈣之旋轉大致同步 將【板10之基板面對面11接近基板W上面之同時， ，虱矾導入到基板面對面η和 基板W之上面附近保持在氮㈣;板/之間，可《用來將 等嘴1之俯視圖。在自轉夾嘴1例如以大致 =各:轉基座4之周緣部，配置3個之包 文構件5。各個包夾構件5 之匕 式支持基Μ之周緣部之下面；35 ’以點接觸方 .板W之周端面；構成以支持部^部、36 ’接觸在基 周圍轉動；利用此種方式可 :心圍繞叙直抽線 讲之周端面之包Μ態，觸在基板 退避之解放狀態。該等之包夹 36仅基板讲之周端面 13(參照圖1)同步驅動。 5與包央構件驅動機構 如圖1和® 2所示，在自轉夹 烏1之側方配置有基板傾 326\專利說明書(補件)\95-04奶〗〇1856 20 斜機構25,用來使自轉夾嘴 該基板傾斜機構25具備有 呆二之基板W成為傾斜。 置成依水平方向延柚.、致L子形之搖動臂26,配 臂26之前端 ，.土板支持構件2?，被設在該搖動 26以其基端: ，搖動驅動機構28,用來使搖動臂 土而口 (M乍為中心圍繞 動機構29,用來使搖動臂2β、^轴、·表搖動，和臂升降驅 利用搖動躯動機構28使搖動基板支持構件打 被保持於自轉夾嘴〗上之狀 動板W在 面和基板W之下面，„姑μ 付土 /丄4之上 使搖動臂26上升，^板用臂升降驅動機構29 W之周緣部之下面，^ 、 4 27之上端接觸在基板

之周緣部藉以將其提上。 支持基板W 美=捭^除利用包夹構件5包夹基板W之狀態，利用 二=?將基板W之周緣部之-個位置上提，可 以將基板W之姿勢，從盥水 更成為對水平面傾斜之傾 平姿勢’變 作動用來使基板“_ =夾==機;冓25 制，使多個包夾槎“由爲之疋轉位置被控 ^構件5中之至少1個位於相對於傾斜方向 杯 'i進入基板W下方之基板支持構件27不會虚 ΓΓ個士包央構件5發生干涉。實質上，3個之包夹構;牛 在以士大致專間隔沿著圓盤狀自轉基座4之周緣部配置 • 馬】之奴轉位置被控制成為使其中]個 Μ自轉夾嘴1之旋轉中心，成為正對基板支 、 自轉夾嘴1之旋轉位置之控制之實現，例如， 326\專利說明書(賴丨件)\95·〇4\95丨〇1856 21 設置與自轉夾喈 •3 9 (參照目3 )，根攄^轉子編碼器等旋轉位置感測器 旋轉驅動機構2。 ^疋轉位置感測器39輸出控制夾嘴 圖3疋方塊圖，用來說明上述基板處 造。利用由電腦構成 反處理裝置之電性構 動機構2、包方错也 衣置用來控制夹嘴旋轉驅 2卜遮斷板^ 動機構13、遮斷板料驅動機構 k断板灰轉驅動機構22、搖動驅動 苒 =機構⑼之動作。該控制裝置4。更控= =氮氣閥19、藥液閥8和純水閥=16二 控制裳置40被輸入有用以檢測自轉 在 旋轉位置感測器39之輸出信號。火Η之㈣位置之 置40之控=:’圖5是時序圖，用來說明控制裝 5⑷)、華液門S、、中顯不自轉夾嘴1之旋轉/停止(圖 条液閥16之開閉（圖5(b))、純水閱 5(c))、利用基板傾斜機 之開閉（圖 ，氣閥19之=55:“之傾斜之狀態(圖 當從基板搬運機器人（未圖 給自轉爽嘴制裝置 對，板W供給樂液之藥液處理步驟。實質上，控制裝置 〇控制包央構件驅動機構13,用來使包夹構件5成為勺 ^有基板W之包夾狀態。其次，控制裝置40控制夾嘴^ 条液閥8、16開放’從處理液喷嘴巧朝向基板w之 326\專利說明書(補件)\95-〇4\95 ] 〇 1856 22 之位詈：市液化日”遮斷板10退避到離開基板w上方 . ，使純水閥17保持閉合狀態。 依照此種方式，將玆油 盥白趙+也 竹市夜供給到基板W之上下面之同時，

、—1一起以水平姿勢旋轉基板W，用來使某板W 之上下面全砰卩敁用木便暴板W 理5帛液擴散’利用該藥液進行基板處 以使其閉合。 了以使酬19開放’亦可 當此種藥液處理進行— 如圖4(b)所示，將其士 其次控制裝置40 洗處理牛驟土反W上之藥液替換成純水，實行沖 ㈣广。亦即，控制裝置40使藥液閱8、16閉合， 、” 7閥9、17開放。利用此種方式，對基板w之上 供給純水之同時，使盘自 板W，在M w 〇 轉 起以水平姿勢旋轉基 在基板W\ T^全體區域使純水擴散。如此-來， 步被替換成為純水。在該沖洗處理 =二取好使氮氣閥19開放.，使基板f之周圍成為氮 動Si處:f驟之末期，控制裝置4〇控制夹嘴旋轉驅 來使自轉夾嘴】之旋轉速度減速，使其= τ止。廷時，控制裝置4〇根據旋轉位置 控制自轉夾嘴1之旋轉停止位置。亦即，如1述1=， 控制自轉夾幻之旋轉停止位置，使任一個之包夾構夂 之基板支持構=:1轉:任1面1基，傾斜機構以 ^ t ^ 心仪罝便任何一個包夾構件5 έ與基板支持構件2 7干擾。 =不 32说專利說明書(補件)奶-〇4\95】⑴S56 23 1363381 5 =使1之㈣#正之後，延遲—定時間（例如 Mu度）’控制裝置40使純水閥9、〗？閉合。因此，备 自轉夾嘴1之旋轉變成極低速旋轉狀態時，在基板w之: 7開始成長純水液塊45(液塊成長步戰）。然後，在 =i之旋轉停止後，亦賴純水之供給，“在至純水T 間9、Π閉合前之期間，在基板w之上面，如圖4( ^士長覆蓋在其大致全體區域之純水液塊（液膜）45(液 、復盍步驟）。在自轉夾嘴i之旋轉停止後之液膜[去、 知，控制裝置40控制包夾構件驅動機構13，使包夹_ 5 ^為解除狀態。利用此種方^，可抑制純水沿包夹構件 5流下，使純水液塊45易於成長。 從該狀態起，控制裝置40如圖4(d)所示，實行純水 =步驟’使基板W傾斜從基板W之上面將純水排除。亦即， 控制裝置40控制搖動驅動機構28和臂升降驅動機構"， 使基板支持構件27進入到自轉基座4之上面和基板w 面之間隙。這時’控制裝置4〇利用包夾構件驅動機構13 =控制，將包夾構件5保持為解除狀態，解放基板w之包 失。在基板W之包夾被解放之狀態，控制裝置4〇控制^ 升降驅動機構29 ’使基板支持構件27上升至指定之高产。 利用此種方式，基板w成為對水平面傾斜指定角°度0 (例如，1度〜5度）之傾斜姿勢。角度Θ被設定成為使$水 ，塊45不會分裂，保持單一液塊之狀態朝向下方移動， 藉以從基板W之上面排去。更具體者是決定基板支持構件 2了上升時之高度，使傾斜姿勢之基板w和水平面之間形 326X專利說明書G甫件)\95-04\95〗0丨856 24 1363381 成該角度。 .在純水液塊45成為單一液塊之狀態，要從基板w之 方側將其排除時，可以將上述角度Θ設定成在基板w之上 面移動之純水液塊45之後緣45a(純水液塊&之最上側 之緣部）之移動速度為每秒3,毫米，更好為每秒真 米。 毛 :傾斜姿勢之基板W之下側端緣，使包夾構件5接觸在

二夾自轉夾嘴1之旋轉中心之面對基板支持構件27之位 置（亦即’與傾斜姿勢之基板w之最低位置之端面對應之 位置）。因此’在基板w之上面流落而來之純水液塊杜， 以在沿該包夾構件5之方式被導引，從基板W之上面平滑 地流下去。 在使基板W傾斜進行純水排除步驟之前，首先使控制裝 置40控制遮斷板升降驅動機構2卜以遮斷板iq不會接 觸傾斜後=基板w之程度，使基板面對面n接近基板w 之上面。貝貝上，假如基板面對面Η位於從水平姿勢之 基板W之上面以上到指定之下限高度(=基板直徑) 以上之高度時，遮斷板10不會與基板w接觸。 另外，控制裝置40用來在純水排除步驟中，將氮氣閥 19保持為開放狀態。如此一來，基板w之上方之空間被 遮=板1 G限制’該被限制之空間成為充滿氮氣。在此種 狀悲，開始利用基板傾斜機構25進行基板w之傾斜操作。 利用此種方式’在基板w之上面之純水被排除之區域（露 出區域）和該露出區域與存在有純水液塊“之區域之邊 遍專利說明書(補件)\95-04\95101856 25 界區域（邊界域）， 谭境中，所以可以抑2純水排除步驟中，始終處於氮氣 在純水排除步驟，栌 成形成乳化物。 來使氮氣之供给产旦^ 制流量調整部30,用 货.σ机里成為指定之小流量。 a 給流量之值被設定成為少於使基 心之乳氣之供 破壞之流量。實質上、上/ / 之純水液塊45被 声、貝上’這時之氮氣之供柃法旦私&从 公升/分，更好為5公升/分。 …口机里幸乂子為卜1〇 在純水排除步驟中，可以 為停止狀態。 —Μ &轉，亦可以成 如此來，在基板w上之純水液塊 3置二靖升降驅動機構29,使基板二 + |此種方式，基板w回到被包 平姿勢。另外，抑制驻罢μ 偁忏^克持之水 使搖動臂2 fi L 制搖動驅動機構2 8，用來 ==搖動，使基板支持構件㈡退避到自轉夹幻 其次，控制裝置40控制包央構件驅動機構】 央構件5包央基板W。然後，如圖4(e)所示，控制& W控制夾嘴旋轉驅動機構2’使自轉夾嘴i以指定之乾於 紅轉速度（例h 3GGGrPm)旋轉時間（例如15秒, :)’實行乾燥步驟。利用此種方式，即使在基板评之周 端面殘留微小之水滴，亦可以利用離心力將該水滴甩去。 該微小水滴不會通過基板议之上面之裝置形成區域，所以 不會有成為條紋之粒子之原因存在。 在乾燥步驟，控制裝置40控制遮斷板升降驅動機構 326傳利說明書(補件)\95·04\95】0】856 26 I363381 21’使遮斷板1G之基板面對面丨丨接近基板 •如〇.5_〜5.〇_程度之距 上面至例 ㈡使遮斷板】G以與基板W相同之方== 式，基板W之上方之*M 轉利用此種方 氮氣，更推半 到限制’該被限制之空間充滿 '孔更進-步該氮氣形成朝向基板" 此，可以如在丨丨+ π丄》 万之氣机°因 或防止在基板W之上面形成不妙 物和來自處理室内之# ^ 王有之氧化 主円之亂放物附考在基板W之表面。 在乾燥步驟，控制裝置4()_ϋ 氣之供給流量成為指定 旦。」，用末使鼠 大於純水排除步驟時之供仏氣之供給流量 供給量較好為”二 。貫質上，這時之氮氣之 里季乂好為5〜20公升/分，更好為1〇公升/分。 此種乾燥步驟進行一定時間（例如】5，秒）之後，控 制裝置4 0控制夾嘴旋韓驅曹 工 旋轉，㈣使自轉夹嘴1停止 避到上：動機構21，用來使遮斷板10退 心對基板二=動， 匕入，和使亂氣閥19閉合。 然後’利用基板搬運機哭 之_W。 时人k自轉夾嘴1搬出處理過 依照上述方式之實施形 藉以進行乾焊牛啊+、， 牡便目轉夾為1同速紅轉 上成导使基板W傾斜，可以使在基板w 即，：7液塊45不會分裂地排除到基板W外。亦 下因：液塊45不會在基板说之上面殘留微小液滴地落 二 在基板w之上面(裝置形成面)殘留微細之 液滴，所以可以克服條紋狀之粒子之問題。 32阶專利說明書(補件)汐5铺95丨0〗856 27 1363381 ▲圖6是用來說明上述實施形態之變化例之圖解圖。在該 •變化例中具備有移動噴嘴5〇，可以對基板w之表面一邊 •供給作為沖洗液之純水，一邊使基板W上之純水供給位置 、移動。在該移動噴嘴50經由純水閥51被供給有來自純水 供給源之純水。該純水閥51之開閉被上述控制裝置4〇控 制。另外，設有噴嘴移動機構52用來使移動噴嘴在= 轉炎嘴1之上方在水平方向上移動，該噴嘴移動機構^ 之動作亦被控制裝置4〇控制。 •在利用基板傾斜機構25使基板w傾斜，藉以排除該基 板W之上面之純水液塊45之純水排除步驟中，控制裝^ 40使純水閥51開放之同時’控制喷嘴移動機構52使移 動喷嘴50在傾斜姿勢之基板w之上方移動。更具體者， 來自移動噴嘴50之純水之著液點55,位於在基板w上移 動之純水液塊45的後緣45a之下{則，因此，使移動喷嘴 50移動成為保持位於純水液塊.内之狀態。 • 依照此種構造時，從移動噴嘴5 〇對純水液塊4 5補給新 的純水，可以更確實地防止純水液塊45之分裂，所以可 以更有效地排除基板W上面之純水。因此，使基板评成為 傾斜姿勢時即使對水平面之角度Θ成為比較大亦可以阻 ，、屯夂液塊45之分裂’所以可以更快速地進行從基板冗 之上面，除純水。利用此種方式，可以縮短處理時間。 圖：疋圖解圖’用來說明使基板w傾斜用之基板傾斜機 f之夂化例之構造。該基板傾斜機構6〇具備有：可動框 架61，共同保持’遮斷板保持機構23 ,包含有臂20、遮 遍專利說明書(補件)奶.5KH856 ?〇 斷板升降驅動機構21和遮 当 •夾嘴1。該可動框架‘ 疋竹驅動機構22 ;和自轉 圍繞通過被自轉夹嘴} 1 ^之紅轉支持軸63、64支持， 心之水平旋轉轴線62旋轉。基板W之大致申 63結合有旋轉驅動機 —方之旋轉支持軸 轉軸線Θ2雙方向% σ以使妩轉支持軸63圍繞旋 制裳置40控制讀。該旋轉塊動機㈣被上述之控 在該構造中，利用旋 幻和遮斷板^為—體㈣，使自轉夹 上述之純水排除步驟。然後’遮=θ之=實行 倣照基板w之傾斜地進行傾 反1()之基板面對面11 所以在純水排除步驟，遮斷板1〇之^ ^持平行狀態， 在更接基板W之上面 土板面對面11被配置 w ^ ^ 位置。利用此種方式，可以使A柘 W之上面附近4實地成為氮氣環境。 了乂使基板 態斜視圖，用來說明本發明之第2實施形 之側<構造’圖9是表示動作狀態之圖解式 等之圖δ和圖9中，在與上述之圖1〜 圖7所不之各個部份同箄处 嗲某板卢迎賠m 4力此之邛伤附加相同元件符號。 被Γ“： ！具備有氣體刀(gaS knife)機構7〇,在 ,^保持之基板W之上方（遮斷板10之下方）能 有直後雀：:力 體刀機構70具備有：氣體喷嘴7:1，具 體喷嘴η曰供體吐出口71a;氮氣供給管72 ’對該氣 氮氣供給管、7;.:::氣體之氮氣；氮氣閥73 ’裝在該 、 ，和氣胆噴嘴移動機構74，用來使氣體喷 326\專利說明書(補件 29 嘴71在自轉夹嘴】之上方在水 制 •之開閉和氣體噴嘴移動機 σ移動。氮氣閥73 。 冓74之動作被控制裝置40控 春貧嘴71利用從氣體吐 體刀76，該氣體刀76減 a吐出之氮氣形成氣 噴丨麗區域75。^ 土板评之表面形成直線狀之氣體 之範圍 “體她域75涵蓋比基板W之直徑長 用來對基板;裝1具備有-對之移動喷嘴77、78 ’ 基板W上邊供給作為沖洗液之純水，-邊使 78，婉由純^ ^給位置移動。在該等之移動喷嘴77、 純水閥79之ΓΓ給有來自純水供給源之純水。該 9之開閉由上述控制裝置4〇控制。另外，設 °移動機構80用來使移動喷嘴77、78在自轉夹嘴]之上 移動。該喷嘴移動機構8〇之動作亦被控制裝 上述之第1實施形態中是使基板…傾斜用來排除基板 W之上面之純水液塊45’但是在該第2實施形態中是不使 基板W傾斜，利用氣體刀機構70將純水液塊45從基板w 之上面排除。 亦即，與苐1貫施形態之情況同樣地進行至圖4 (c)之 步驟，在形成有純水液塊45使其覆蓋在水平姿勢之基板 W之上面之大致全體區域之狀態，使氣體噴嘴移動機構μ 動作。實質上，控制裝置40使氮氣閥73開放將氮氣供給 到氣體喷嘴71之同時，使氣體喷嘴移動機構74進行動 326傳利說明書(補件)\95補9510〗856 30 1363381 種該氣體喷嘴71之氣體編域75, ιΓ之上面一 面對之另—周端部’在—方向掃描基板 .上面。依知此種方式，利用從氣體喷嘴71吐出之氮 =形成之氣體刀76 ’將純水液塊45從基板评上_口 二1之控制嘴嘴移動 ((78之者液點，在氣體刀76之蒋動太A D , 一 區域75之下游側，在與氣體 P之乳體喷遲 向移動。 一刀76之移動方向R之相同方 依照此種方式，利用氣體 液塊45排去，另外—方面基板W之上面將純水 方面利用在氣體刀76移動 側之純水供給，可以防止純水液塊45分裂=向= 液塊45保持大液塊（最好為 W之上面排除，不會有在仏^之液塊）之狀悲下從基板 留微小之液滴之問題。板W之上面之裳置形成區域殘 一對移動噴嘴77、78右太者# 〇匕 基板W之互相面μ中被配置成從包夾 基板W之互相面對之位置對基彳以之上面 =動喷嘴7W8可以是直線喷嘴’亦可以是喷霧喷嘴 ===為噴霧狀地供給到基板1之上面。移動 莧鳴亦可以不需要設置—# 和 水補給到基板w之上面之㈣:利二-個⑽ 二Π:，動嘴嘴㈣之著液點到達基板r 周力而部’或其前之時戽，此 、 體刀⑶之氣體噴麗區域75掃二:合。然後，當氣 几基板W上面之全體區域 32<5傳利說明書(補件)\95-04\95101856 31 二控制裝置4 o控制氣體喷嘴移 然後，之側方之同時’將氮氣闕73閉合。 燥牛驟介 只也形態同樣地，進行圖4(e)所示之乾 使Μ專夾嘴:二裝置4〇控制夾嘴旋轉驅動機構2， 之微小之^ 轉，用來甩去殘留在絲k周端面 液滴和進行乾燥。另外，控 板升降驅動機構21，使板 工"遮斷 遮斷㈣旋:步控制遮斷板旋轉驅動機構22而使 堍H此广方式’在本實施形態中，基板⑻上面之純水液 心 保持為大液塊之狀態下，從基板W之上面將1排 7所以可以抑制或防止在基^之上面產生條紋狀; 子0 “圖10疋圖解式之剖面圖’用來說明本發明之第3實施 形悲之基板處理裝置之構造。另外，目U是其圖解式之 •俯視圖。該基板處理裝置具傷有：基板保持機構1〇1，用 來以非旋轉狀態保持1月基板W;基板姿勢變更機構102, 用來變更保持於該基板保持機構101之基板W之姿勢成為 水平姿勢或傾斜姿勢；藥液閥⑴，用來對被基板保持機 構101保持之基板w之上面供給藥液；純水閥112，用來 對被基板保持機構101保持之基板w之上面供給作為沖洗 液之純水；和基板乾燥單元103,用來使基板保持機構1〇1 上之基板W乾燥。圖11表示除了基板乾燥單位1()3外之 構造之俯視圖。 326傳利說明書(補件)\95-〇4\95101856 32 1363381

、基成保持機;f冓101.以非旋轉狀態保持基S w使其裝置形 .成面成為上面。該基板保持機構101具備有基座，和 仗。亥基座104之上面突出之3根之支持梢丨3卜1犯、。 支持梢⑶、132、133分別被配置在以基板w之中心為重 心之正三角形之頂點之對應位置處（但是，在圖中，為 著方便將支持梢⑶、132、133顯示成與實際之配置不 同）。δ玄寺之支持梢131、132、133被配置成沿著鉛直方 向，被安褒在基座104。該等中之j個之支持梢133被安 裝成對基座m可以升降，其他之2個之支持梢ΐ3ι、ΐ32 被固定和設置在基座1Q4。該等之支持梢⑶、132、⑶ 之頭部接觸在基板w之下面，用來支持該基板w。基板姿 勢變更機構1G2具備有氣^ 1Q5用來使支持梢ΐ3ι、ΐ32、 133中之一個之支持梢133升降。該氣缸m之驅動軸 l〇5a結合到支持梢133。因此，經由驅動氣缸ι〇5使支持 梢133升降，可以使該基板支持高度與其他之2根之支持 梢131 132之基板支持南度成為不同。其結果是可以使 基板_w從圖1G中之實線所示之水平姿勢，傾斜成為圖ι〇 中之一點鏈線所示之傾斜姿勢。 另外，2個之支持梢131、132被固定地及設置在基座 104 ’但是不一定要被固定’亦可以如支持梢⑶般，被 安裝成對基座104可以升降。亦即，假如支持梢131、132、 133中之至少！個支持梢被安褒成對基座ι〇4可 時’可以實現對基板W傾斜。另外’在至少2個之支持梢 對基座104可以升降之情況時，可以任意地選擇基板w之 326傳利說明書(補件)\95-_5】〇】S56 33 1363381 傾斜方向。 •藥液噴嘴111在本實施形態中是朝向基板W之大致中心 ..吐出藥液之直線噴嘴。在該藥液喷嘴111經由藥液閥119 被供給有藥液。 對於純水噴嘴112 ’經於純水閥120被供給有來自純水 1給源之純水。純水喷嘴丨丨2在本實施形態中具有直線喷 备之幵v恕，用來朝向基板W之大致中心供給純水。 ;基板乾燥單元103被配置在基板保持機構i 0丨之上方。 板乾燥單元1〇3具備有圓板狀之板狀加熱器（例如陶 瓷衣加熱器）13 5，具有與基板w大致相同之直徑。該板狀 加熱裔135係被升降機構134升降之支持筒136支持成為 大致火平文勢。另外，在板狀加熱器135之下方設有大致 扒平（。亦即，與板狀加熱器i 35大致平行）之薄的圓板狀之 =濾器板137,具有與該板狀加熱器135大致相同之直 徑。過據器板137為石英玻璃製者，圓板狀加熱器135經 • 英玻璃構成之過遽器板137,可以將紅外線照射在基 板W之上面。 在支持筒136之内部形成有第}氮氣供給通路138，用

Si::之上面之中央部份供給作為冷卻氣體之溫 第]成為室溫程度（大約2卜23t)之氮氣。從該 和過給通路138供給之氮氣，供給到基板w之上面 气心:：反137之下面(基板面對面)之間之空間。在第1 =給通請，經由氮氣闊139被供給有氮氣。· ’在第1氮氣供給通路138周圍形成有第2氮氣供 卿_書(補件)'9_101856 34 1363381 給通路140’用來對過濾器板137之上面和板狀加熱器i35 ,之下面之間之空間内，溫度被調整成為大致室溫程度（大 ’力21〜2 3 C )之供給作為冷卻氣體的氮氣。從該第2氮氣 供給通路140供給之氮氣，供給到過濾器板137之上面和 板狀加熱器135之下面之間之空間。在第2氮氣供給通路 140經由氮氣閥141被供給有氮氣。 。。在使基板保持機構1〇1上的基板讲乾燥時，對板狀加熱 為135通電，使氮氣閥139、141開放之同時，使' 板137之基板面對面（下面）接近基板w之表面（例如了: 近至距離！―呈度）。依照此種方式，利用通過過據器板 137之紅外線，用來使基板w表面之水分蒸發。 由石英玻璃構成之過濾器板137吸收紅外線中 =區域之紅外線。亦即，從板狀加熱器135照射之“ =因璃吸收之波長之紅外線被過遽器板 二p 不照射在基板⑼。另外，透過過遽器請 ' 、破璃之波長區域之紅外線選擇性地昭射在A # ::射實大質么’由紅外線陶究製加熱器構成之板狀 照射大約3〜2〇"之波長區域之紅外線 ^。 厚度石英玻璃吸收上之波長之紅外線。：：： 使用該等之陶究製紅外線加熱器和石英破璃之情況= 約3"至未滿之波長之紅丁 在基板W。 a文戢璉擇性地照射 :外了面，水具有吸收波長3⑽一 性貝。被水吸收之紅外線之能量使水分子振動，在振 卜= 326傳利說明書(補件)\95-〇4\95丨0丨S56 35 1363381 水分子間產生摩擦熱。亦即，將水可吸收之 在水，可以有效地對水加熱加使其乾燥。因此:= 基板w上照射大約3//m之波長之紅外線時 ： w上之純水之微小液滴吸收紅外線，被加轨乾燥。土板 比二在之？：本身為彻之情況時，因為具有吸收 二 紅外線和使比^短之波長之紅外線 f過之性貝，所以即使照射3…波長之紅外線，亦大 少不會破加熱。亦即’從陶究製紅外線加熱器照射之έ工外 線中，被水有效吸收之透過基板w本身之波長區域之红 線，選擇性地照射在基板W，因此基板评本身大多不合被 加熱’可以使附著在基板W之微小液滴被有效地減乾 煉。過濾器板137亦可以使用具有使被水有效吸收之波長 之紅外線透過，和吸收可以被基板w本身吸收之波長之紅 外線之材質者。 '广 '，Χ 當對板狀加熱器（陶瓷製加熱器）135通電時，考慮到從 籲該板，加熱器135朝向基板⑼之熱對流之傳熱，該傳熱： 過濾器板1 37遮斷。但是，在板狀加熱器丨35之下面和過 濾器板137之上面之間之空間因為對流熱使溫度上升，所 以過濾器板137被逐漸加熱，來自該過濾器板i 37之對流 熱’傳熱到基板W，所以會有基板W被加熱之問題。因此， - 對板狀加熱器135之下面和過濾器板137之上面之間之空 • 間，供給作為冷卻氣體之氮氣，用來抑制該空間之升溫。 另外’過濾器板1 37吸收來自板狀加熱器1 35之紅外線， 但是細:由對板狀加熱器135和過濾器板137之間供給氮 326傳利說明書(補件)\95-04\95〗01S56 36 1363381 氣，既可以抑制過濾器板137之升溫，也可以防止來自過 /慮為板13 7之對流熱對基板w加熱。 圖1 2是方塊圖，用來說明上述基板處理裝置之控制用 之構造。在該基板處理裝置具備有控制部11()其中包含有 電腦等。該控制部11〇用來控制氣缸·1〇5之動作，藥液閥 119和純水閥丨20之開閉’升降機構丨34之動作，對板狀 加熱器135通電’和氮氣閥139、之開閉。 圖13是流程圖，用來說明該實施形態之基板處理裝置 之動作一實例。未處理之基板w被未圖示的基板搬運機哭 人搬入到該基板處理裝置，交接給基板保持機構101之支 持梢13卜132、133(步驟S1)。這時，支持梢13卜13卜 之基板支持高度相等，所以基板W被支持成為水平姿 噴嘴⑴丄二 樂液閥119開放，從藥液 華、、广“Γ 基板w之中心吐出（步驟⑻。這時 =:置=給到基板w上面之藥液保持液堆積之狀 ΐ “之=Γ。如此—來可以在基板…之上面使藥液成 為液堆和。比較低黏性之藥 液）從具有直線嗔嘴 虱過虱化虱水混合 甘 之樂液喷嘴111之供給，可以容 易擴散到基板W表面之全體 ^ ^ 各 面全體區域時，控制部二:或。當樂液涵蓋基板W之表 之供給(步㈣)r閉合’停止藥液 基板w保持為水平姿勢時用盆曰液堆積之樂液只有在 W之上面.。 用/、表面張力被保持在基板 32轉利說明書(補件抑5·卿5】⑽ 37 1363381 然後’控制部110驅動氣缸1〇5，使支持梢]33之基板 支持南度上升。其結果是基板w成為從基板支持梢1Μ在 朝向基板W之中心之方向下降之傾斜姿勢。利用此種方 式’在基板W之上面之液堆積過之藥液從基板w流 驟 S4)。 在將基板w之傾斜姿勢保持一定時間之後，控制部ιι〇 驅動氣紅105，使支持梢133之基板支持高度回到原來之 局度。利用此種方式，基板W成為水平姿勢（步驟S5)。 二此種狀態’控制部11〇使純水闕12。開放，從純水闕 112朝向基板w之中心吐出純水（步驟S6)。這日夺，供仏纯 水=量是可以在水平姿勢之基板w表面使純水液堆積 來在基板^上面使純水被液堆積（成 :叫，當純水涵蓋其上面之全體區域時，控制部 使純水閥120閉合（步驟⑺。基板W上之純水只有在基 ==水平姿勢時，利用其表面張力在基板保㈣ 如此—來’在基板W之表面，純水成為液堆積之狀 後广部110驅動氣M°5,使支持梢； 方mi使基板w成為傾斜姿勢。利用此種 =，在基板^表面液堆積之純水，從 排液（步驟S8)。 L ^口被 控制部110在使基板？成為上述傾斜姿勢一 =之;Γ:二使支持梢133之基板支持高= 原末之同度。利用此種方式使基板w回到水平姿勢（步驟 326傳利說明書(補件)^95-04奶丨〇丨856 3g 1363381 S9)。 其次，控制部lio利用升降機構134使板狀加熱器l35 下降到指定之處理位置，成為過濾器板137之基板面對面 (下面）接近基板w之上面至指定距離（例如lmm)之狀態。 δ然，在此之前，藥液噴嘴1 Π和純水噴嘴丨丨2退避到基 板w之外方。在此種狀態，控制部11〇對板狀加熱器 通電。利用此種方式，通過加熱器板丨37到達基板w表面 之紅外線使傾斜排液後殘留在基板w上之水滴蒸發。然 後，控制部110使氮氣閥139、141開放，對第i和第^ 氮氣供給通路138、140供給氮氣。利用此種方式，對基 板W和過濾器板137之間之空間，及過濾器板丨37和板狀 加熱器135之間之空間，供給溫度被調整成為室溫之氮氣 (冷卻氣體）。利用此種方式’可以一邊控制從板狀加熱器 135和過濾器板丨37傳熱到基板w，一邊使基板w之上面 保持在氮氣環境，紅外線被殘留在基板⑺之上面之水滴吸 收之同時，經由從第1氮氣供給通路138供給氮氣，藉以 可以進行基板乾燥處理（步驟Si 〇)。 在該乾燥處理之後，利用基板搬運機器人將處理過之基 板W搬運到裝置外（步驟si 1)。 如此一來，結束對1片之基板w之處理。然後，在有欲 處理而未處理基板之情況時，重複進行同樣之處理。 依照上述之實施形態時，構建成利用氣缸丨〇 5使被設在 基板保持機構101之3根之支持梢131、132、133中之至 少1根上下移動，用來使被支持在支持梢131、132、133 326傳利說明書(補件)\95-04\95101856 39 1363381 上之基板w傾斜，可以排除基板w上之藥液或純水。 •另外，在本實施形態中，不是構建成利用基板保持機構 1:1使基板w旋轉’而是將基板w保持為水平姿勢或 文勢，對基板W供給處理液。亦即，將基板w保持為非旋 轉狀態，以處理液之液膜覆蓋基板w之上面，利用該處理 液進行基板W之表面處理。因此，處理液不會強力地:出 =基板W之外方。因此，不需要用來阻止飛散之處理液之 本罩另：以ί構造簡化’可以達成基板處理裝置之降低成 本。另外’當與先前技術之裝置比較時 ，理液之趣向裝置内擴散，所以亦可以抑;= 4樂液附著物朝向環境擴散之問題。另外，因為沒有以 :::出到基板W外之液滴，在護罩跳回再附著在基板w 之問題，所以可以提高基板處理之品質。 使=為不需要使基板W高速旋轉，所以不需要設置 便基板疑轉用之馬達。因此 防止對击 馬達周邊之產生灰塵之 製造成:。一層地降低基板處理裳置之 d卜周邊W不需要護罩和馬達’所以在基板保持機構 間對心 而要確保大的空間。因此，因為可以以小空 :基：W進行液處理，所以基板處理裝置可以大幅地小 成為相同士假如使基板處理裝置之大小與先前技術者 理單元承1日守，在5亥基板處理裝置可以具備多個基板處 單 ^具體者’可以將同種或不同種之多個基板處理 卜豐層地配置。 326'專利說明書(補編娜51酿 40 · 1363381 另外’因為構建成進行使筚滿 處理，所^ 基板WJL液堆積之藥液 以降低運使用量可以顯著地變少。利用此種方式可 用純水之液堆積處理進行;之沖洗處理是利 少，囡^ 丁所以純水之使用量亦可以減 因此可以降低裝置之運轉成本。 之=卜Π用基板w之高速旋㈣來進行基板w之乾燥 =中:遺著高速旋轉以放射狀飛出之微 起產生水紋之問題，但是在本 成為非旋轉狀態進行紅外線乾：因為使基板w 紋之產生。 ”乙‘’所以可以抑制或防止水 ::’因為不需要使基板W高速旋轉，所以不需要設置 來強固支持基板W之支持構件。 支持構件對餘W^A貞載 W έ有因為此種 止基板W之缺陷等之不良 問.所以可以抑制或防 另外，在使基板W高速旋轉 Μ1 荦液或mb h k中’不可避地會因為 次二乳與基板表面之摩擦引起靜電產生之門0胃/ s 嚴採土本上以非旋轉方式對基板w進行 處理’所以可以抑制或防止摩擦帶電之問題。 進仃 在使藥液和純水分離之排液時 使支持梢13…32之—方或雔方二了 2加綠用來 因為可以使基板w之傾斜方向變換成為2方 =， 所以可以使處理液之排液方向隨著每 液方向， Γ不同。在上述之實例中，可以使藥液之排二 水之排液方向成為不同。利用此種方式，藥液可以 326\專利說明書(補件)^-04^ ] 〇丨856 41 1363381 ^。另外彳面，可以將純水導5丨到H液處理設 外，在本實施形態中是將基板w保持為非旋轉狀能， =處:液之液膜覆蓋在基板w之上面，卿該處理液進^于 土板之表面處理’但是亦可以將基板w 狀態(例…〇,程度)，一邊對基板w之上= 專 理液，一邊利用該處理液進行基Μ之表面處理。或= 可以只在利用基板乾燥單元1G3使基板w乾燥時，才= 板'成為低速旋轉狀態。此種基板W之低速旋轉狀能之： 現例如可以使具有對基板w表面大致正交之_之= =，接觸在基板w之端面地旋轉。在此種情況，因； 土板W不以〶速旋轉，所以馬達或氣缸等之旋轉 二 ::用廉價小型者’在成本上，空間上成為優點。另:二 在處理液供給時，可以將處理液<飛散抑制至最小限定 另外，該基板W之低速旋轉可以連續地。 式地進行。 W」以間歇 =上已說明本發明之3個實施形態，但是本發明更可以 以其他之形態實施。例如，在上述 ::::包夾基…周端面之所謂之機 夾鳥1，但疋亦可以使用噴灑基板w之下面 保持之真空夾嘴型之自轉夾嘴』仃 形態中，假如使用第3實施形態所說明 103時，因為在乾燥步驟不需要使基= 可以使用將基板W保持為非旋轉狀態或低迷旋轉狀= 326\專利說明書(補件)\95-〇4\95〗01856 42 基板保持機構。 但Γ亦卜可在上述之實施形態中是使用氮氣作為惰性氣體， .'、。以使用其他氬氣作為惰性氣體。黑冰，A 氣體者，亦可以使用.利 L ’ l惰性 办友、 心。。寺/月淨化後之空氣（清潔 燥=驟使用該等之惰性氣體或清淨空氣進行氣體乾 對^ μp’代替上述之基板乾燥單元103者，亦可以 。「土 ^ w表面供給被加熱至常溫（例如坑）或⑼u 此氣體或清淨空氣’用來使基板W之表面乾燥。在 h况，在氣體乾燥步驟亦不f要使基板w高速旋轉， 2使用將基板W保持在非旋轉狀態或低速旋轉狀綠之 土板保持機構。當使用惰性氣體或清淨空氣等之氣體進行 =時’亦可以併用1PA(異丙醇）蒸氣或猶（水敦事 氣荨之有機溶劑之蒸氣之供給。 除此之外，在乾燥步驟亦可以使用減壓乾燥步驟，使美 …周圍之空間，例如使上述第卜3實施形態之至少： •容保持基板用之機構（1、101)之處理室内減壓。 另外，在上述之實施形態中是使用純水作為沖洗液，但 ，亦可以使用碳酸水、電解離子水、氫水、磁性水等之功 能水，或稀薄濃度（例如1 P p m程度）之氨水等作為沖洗液。 另外，在上述之第1實施形態中，使基板w傾斜之機構 所示之實例是只使基板w傾斜者（圖υ，和使自轉夾嘴} 傾斜者（圖7)，但是亦可以使收容自轉夾嘴丨等之處理室 全體傾斜，或使基板處理裝置全體傾斜或基板w對水平面 傾斜。 326傳利說明書(補件)\95-04\95】01S56 43 1 j Γ ’如圖14之圖解所示，亦可以構建成組合上述第 7形4和第2實施形態，使基板w傾斜，另外一方面， ，^利用形成在氣體喷嘴71之氣體刀76將純水液塊45 • j傾斜之基板w之下方。在此種情況，最好是在氣體 噴嘴之移動方向之下游側，對純水液塊45補給來自移動 77、78之純水，用來防止純水液塊45之分裂。 卜在上述第2貫施形態中是使用氣體噴嘴71在基 f W表面形成直線狀之氣體喷灑區域乃，但是亦可以使 2形成如圖15⑷、15⑻、15⑷所示之折線狀 如：^貪灑區域8卜82、83，亦可以使用氣體喷嘴形成 °: i5(d)、i5(e)所示之曲線狀（圓弧形狀）之氣體喷灑 k 域.84、85。 例如，圖15(a)、15(d)之氣體噴灑區域81、84之各個 央部具有對氣體刀之移動方肖R朝向上游側凹陷之形 在此種情泥’因為可以—邊將基板说上面之純水集中 _ —方邊將純水液塊推向移動方向r側，所以純水液塊 不容易產生分裂。 作為氣體噴嘴者，除了使基板⑺上之氣體喷濃區域成為 =者之外，亦可以使用例如在基板w上形成橢圓形之氣 體噴灑區域。 另外’在上述之實施形態中是以單一之液塊狀態，從基 反表面排除沖洗液(純水)’但是亦可以在沖洗液之排除過 程中’以微小液滴不會殘留在基板表面之程度，使沖洗淨 之液塊分裂成為多個塊。例如，在圖15(b)、i5(c)、i5(e) 326傳利說明書(補件)\95.〇4\951〇1856 44 1363381 之實施形態中，在沖洗液排除過程之末 .2個、3個之液塊。 刀別分離成為 另外，在上述之實施形態中是在液臈晷笔 (純水液塊）覆蓋在基板w之上面之大 ^错’使液膜 双王體區域，但是亦 可以使液膜覆蓋在基板W之上面之一部份。 另外，在上述之第i和第3實施形態^亦可以設置吸 液構件，使基板W傾斜，在排除基板w表面之沖洗液之後， 用來吸取殘留在基板之端面之液滴。該吸液構件可以使用 PVA製海棉等之多孔質構件，或連接真空產生器（__) 等吸引機構之吸引噴嘴等構成，或安裝在對基板w可以接 近:離開之移動臂上。利用此種方式，在從基板w表面排 除沖洗液之後，被設在移動臂之吸液構件，接近基板w , 接近或接觸在基板W端面中之基板w傾斜時最低之部份， 可以吸取該基板W端面之液滴。因此，在其後之基板评之 乾燥步驟，可以使基板w更確實地乾燥。 另外，在上述之實施形態中是以裝置形成面（上面）為疏 水性之基板w為例，但是對於親水性之基板亦可以使用本 發明。另外，在上述之實施形態中，所說明之情況是以圓 形之基板w作為處理對象’但是對於例如用以處理液晶顯 不裝置用玻璃基板或電漿顯示用玻璃基板等方形基板之 處理裝置，亦可以使用本發明。 另外’在申請專利範圍所記載之範圍内，可以施加各種 之設計變更。 【圖式簡單說明】 326傳利說明書(補件)\95-04\95101856 45 1363381 圖】是圖解圖 .處理裝置之構造 用來說明本發明之第]實施形態之基板

造。 疋β上述基板處理裝置所具備之自轉夾嘴之俯視圖。 是方塊圖，用來說明上述基板處理裝置之電性構 圖（a) 4(e)用來說明利用上述基板處理裝置之基板 理之流程圖。 圖5(a)〜（e)是時序圖，用來說明控制裝置之控制内容。 :6气圖解圖，用來說明第1實施形態之變化例。 Θ疋圖解圖’用來說明基板傾斜機構之變化例之構 造〇 圖8疋圖解式斜視圖，用來說明本發明之第2實施形態 之基板處理裝置之構造。 圖9疋圖解圖’用來表示第2實施形態之基板處理裝置 之全體之構造。 …圖1〇是圖解式剖㈣，用來說明本發明之第3實施形 態之基板處理裝置之構造。 之圖解式俯 圖11是上述第3實施形態之基板處理裝置 視圖。 圖丨2是方塊圖，用來說明上述第3實施形態之基板處 理裂置之控制用之構造。 圖13是流程圖，用來說明上述第3實施形態之基板處 理裝置之動作之一實例。 圖14是圖解圖，用來表示併用有基板之傾斜和氣體刀 326\專利說明書(補件)沿ΜΑ奶1〇1幻6 46 1363381 之將基板上之純水液塊排除之實施形態。 圖15(a)〜15(e)是圖解圖，用來表示氣體噴灑區域之形 狀之變化例。 【主要元件符號說明】 1 自轉夹嘴 2 夾嘴旋轉驅動機構 3 旋轉軸 4 自轉基座

5 包夾構件 6 下面處理液供給管 7 下面噴嘴 8 藥液閥 9 純水閥 10 遮斷板 11 基板面對面 12 旋轉轴 13 包灸構件驅動機構 15 處理液喷嘴 16 藥液閥 17 純水閥 18 氮氣供給通路 19 氮氣閥 - 20 臂 21 遮斷板升降驅動機構 326\專利說明書(補件)\95·(Μ\95101856 47 1363381

22 遮斷板旋轉驅動機構 23 遮斷板保持機構 25 基板傾斜機構 26 搖動臂 27 基板支持構件 28 搖動驅動機構 29 臂升降驅動機構 30 流量調整部 35 支持部 36 包失部 39 旋轉位置感測器 40 控制裝置 45 純水液塊 45a 後緣 50 移動喷嘴 51 純水閥 52 喷嘴移動機構 55 著液點 60 基板傾斜機構 61 可動框架 62 旋轉軸線 63、64 旋轉支持軸 65 旋轉驅動機構 70 氣體刀機構 326\專利說明書(補件)\95-04\9510] 856 48 1363381

71 氣體喷嘴 71a 氣體吐出口 72 氮氣供給管 73 氮氣閥 74 氣體喷嘴移動機構 75 氣體喷麗區域 76 氣體刀 77 ' 78 移動喷嘴 79 純水閥 80 喷嘴移動機構 81-85 氣體喷灑區域 101 基板保持機構 102 基板姿勢變更機構 103 基板乾燥單元 104 基座 105 氣缸 105a 驅動軸 110 控制部 111 藥液噴嘴 112 純水噴嘴 119 藥液閥 120 純水閥 131-133 支持梢 134 升降機構 326傳利說明書(補件)\95-04\95101856 49 1363381 135 板狀加熱益 136 支持筒 137 過濾器板 138 第1氮氣供給通路 139 氮氣闊 140 第2氮氣供給通路 141 氮氣閥 R •移動方向 W 基板 Θ 角度

326\專利說明書(補件)\95-04\95101856 50

Claims (1)

1363381 本 * SEP2 3 2011 十、申請專利範圍： 一 · 〜替渙本 丨· 一種基板處理裝置’其特徵在於包含有： 基板保持機構，可以保持基板使其成為一方表面朝向上 方之姿勢； 基板旋轉手段，用來使被上述基板保持機構保持之基板 旋轉； 冲洗液供給機構，用來將沖洗液供給到被上述基板保持 機構保持之基板之上述一方表面； 基板傾斜機構，用來使被上述基板保持機構保持之基 板，從上述一方表面沿著水平面之水平姿勢，以非旋轉狀 態傾斜成為上述一方表面對水平面傾斜指定角度之傾斜 姿勢，並以非旋轉狀態保持傾斜姿勢之基板；和 控制手段，其係用來控制上述基板旋轉手段、上述沖洗 液供給機構和上述基板傾斜機構，對於被上述基板保持機 構保持為水平之基板之上述一方表面之全體區域，以從上 述沖洗液供給機構供給之沖洗液之液膜& ，上述基板之旋轉停止之狀態下，湘上述基板傾斜機= 使上述基板傾斜，並藉由在使上述基板停止旋轉之狀態下 =持傾斜狀態’而從上述一方表面排除冲洗液，然後再利 =上述基板旋轉手段使上述基板旋轉’藉以將殘留在上述 基板端面之液滴甩去； ==板：斜機構之構成，係具有舉起被上述基板保 寺機構保持之基板之另—方表面周緣部的—個位置之 降構件’而使基板在上述基板保持機構上傾斜。 95101856 51 1363381 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述 基板傾斜機構使基板傾斜’而成為使該一方表面上之沖洗 液以在該一方表面上成液塊之狀態下，朝向下方移動並排 除。 3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述 基板傾斜機構使基板傾斜，而成為使在上述基板之一方表 面上移動之上述液塊之後緣以每秒3〜2〇毫米之速度移 動。 4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包 含有在利用上述基板傾斜機構使基板傾斜時，接觸在上述 傾斜姿勢之基板下侧端面的接觸構件。 5·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述 控制手段利用上述基板傾斜機構使基板傾斜，藉以從上述 基板之一方表面將沖洗液排除之後，利用上述基板傾斜機 構使基板從傾斜姿勢回復到水平姿勢，然後利用上述基板 旋轉手段使基板旋轉，而甩去殘留在該基板端面之液滴。 6.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 還包含有惰性氣體供給機構，其係用來對被上述基板保 持機構保持之基板之上述一方表面，供給惰性氣體， 上述控制手段還控制有上述惰性氣體供給機構，在使基 板傾斜而從其一方表面將沖洗液排除時，對上述基板之一 方表面之至少沖洗液被排除之區域，供給來自上述惰性氣 體供給機構之情性氣體。 ' 7·如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，還包 95101856 52 含有： 構件’具有可以配置成接近被上述基板保持機構保 .基板之上述一方表面之基板面對面；和 持H構件移動機構’用來使該遮斷構件對被上述基板保 夺機構保持之基板之上述—方表面接近/離開； =上述控制手段還控制有上述遮斷構件移動機構，來自 惰性氣體供給手段之惰性氣體，供給於上述基板之一 t面時’㈣上述遮斷構件移動機構，使上述遮斷構件 板面對面被配置在接近上述基板之-方表面之指定 位置。 ~ 8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中， 含有遮斷構件傾斜機構，當利用上述基板傾斜機構使基^ 傾斜h，用來使上述遮斷構件傾斜，而倣照該基板之二 使上述基板面對面傾斜β '、 9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裴置，其中，更勹 含有沖洗液補給機構，其係用來對洲上述基板傾= 而成為傾斜替之基板之上述—方表面上之沖洗 2 新的沖洗液。 v's 10. —種基板處理裝置，其特徵在於包含有： 基板保持機構，可以將基板保持成為大致水平； 沖洗液供給機才冓，用來將沖洗液供給到被該基板 構保持之基板上面； “哥機 基板傾斜機構，用來使被上述基板保持機構保持之 板，從其上面沿著水平面之水平姿勢’以非旋轉狀態傾ς 95101856 53 1363381 = =:::=角度之傾斜姿勢，並以非旋 傾用/將氣體喷灑在被上述基板傾斜機構以 區域之π Β:夕“反上面’而在該基板上面形成氣體喷灑 二二該氣體喷灌區域能以-方向掃描基板上面 <王體區域； 沖洗液補給機構’在上述基板上面，用來將沖洗液供給 到比上述氣體刀機構所形成之氣體喷灑區域轉 噴灑區域之掃描方向下游側之區域； ；；奴 基板乾燥手段’絲使被上述基板保持機構保持之基板 控制手段，其係用來控制上述基板乾燥手段、上述基板 傾斜機構、上述沖洗液補給機構、上述氣體刀機構和二述 :洗液供給機構’在利用上述沖洗液供給機構將沖洗液供 、’《到上述基板上面之後，利用上述基板傾斜機構使上述基 板傾斜，並以非旋轉狀態保持該基板成為傾斜姿勢，而在 上述氣體刀機構所形成之氣體喷灑區域掃描上述傾斜姿 勢之基板上面，同時，從上述沖洗液補給機構將沖洗液供 給到該氣體喷灑區域之掃描方向下游側之區域，藉以從基 板上面將沖洗液排除，然後，利用上述基板乾燥手段使基 板上之液成分乾燥。 ^ 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之基板處理裝置，其中， 上述基板乾燥手段包含有用來使被上述基板保持機構 保持之基板旋轉的基板旋轉手段， 95101856 54 1363381 上述控制手段在使基板乾燥時，利用上述基板旋轉手段 使上述基板旋轉，而甩去殘留在該基板端面之液滴。 12. 如申請專利範圍第1〇項之基板處理裝置，其中，上 述氣體刀機構在基板上面形成線狀之上述氣體喷灑區域。 13. 如申請專利範圍第1〇項之基板處理裝置其中上 f乳體刀機構在基板上面形成朝向上述氣體喷灑區域之 掃描方向上游側，而使中央部後退之凹形之線狀氣體喷灑 區域。 14. 一種基板處理方法，其特徵在於包含有： 基板保持步驟，利用基板保持機構將基板保持成為一方 表面朝向上方之姿勢； 沖洗液供給步驟，用來將沖洗液供給到在該基板保持步 驟被上述基板保持機構保持之基板之上述一方表面； 基板傾斜步驟，在該沖洗液供給步驟之後，使被上述基 板保持機構保持之基板，從上述一方表面沿著水平面之水 平姿勢，以非旋轉狀態傾斜成為上述一方表面對水平面傾 斜指定 >角纟之傾斜姿#，並以非旋轉狀態保持傾斜姿勢之 基板，藉以使該一方表面上之沖洗液，以在該一方表面上 成為液塊之狀態下，朝向下方移動並排除；和 乾燥步驟，在該基板傾斜步驟之後，使基板之表面乾燥； 而上述沖洗液供給步驟包含液膜覆蓋步驟，以沖洗液之 液膜於上述基板保持步驟覆蓋被基板保持機構保持為水 平之基板之上述一方表面之全面。 15.如申請專利範圍第14項之基板處理方法，其中，上 95101856 55 1363381 述基板傾斜步驟係用來使基板傾斜之步驟，藉以使在上述 基板之一方表面上移動之上述液塊之後緣以每秒3~2〇毫 米之速度移動。 16.如申請專利範圍第14項之基板處理方法其中上 述乾燥步驟包含甩去步驟，使被上述基板保持機構保持之 基板旋轉，藉以甩去殘留在該基板端面之液滴。 1 7.如申請專利範圍第丨4項之基板處理方法，其中，上 述乾燥步驟包含有照射步驟，以來自紅外線產生手段之紅 外線照射被上述基板保持機構保持之基板。 、 18.—種基板處理方法，其特徵在於包含有： 基板保持步驟，利用基板保持機構將基板保持成為大致 水平； 沖洗液供給步驟，用來將沖洗液供給到在該基板保持步 驟被上述基板保持機構保持之基板上面； 基板傾斜㈣，在料洗液供給㈣之後，用來使被上 述基板保持機構保持之基板，從上述上面沿著水平面之水 平姿勢’以非旋轉狀態傾斜成為上述上面對水平面傾奸 定角度之傾斜姿勢，並以非旋轉狀態保持傾斜姿勢之基 板； 氣體刀步驟’利用氣體刀機構對經由上述基板傾斜步驟 以亡述傾斜姿勢而被上述基板保持機構料之基板上面 喷遲氣體’並在該基板上面形成氣體噴灑區域之同時，在 該氣體噴灑區域以一方向掃描基板上面之全體區域. 冲洗液補給㈣，與該氣體刀㈣並行地，在 95101856 56 1363381

上面’用來將沖洗液供给石I A L、上& 體噴灑區域更在該氣 在上述氣體刀步驟和沖洗液補給步驟之 乾餘步驟> 用來使上述基板之表面乾燥； =上述沖洗液供給步驟包含液膜覆蓋步驟，以沖洗液之 液膜於上述基板保持步驟覆蓋被基板保持機構保持為冰 平之基板之上述一方表面之全面。 19. 如申請專利範圍第18項之基板處理方法其中上 述乾燥步驟包含甩去步驟，使被上述基板保持機構保持之 基板旋轉，藉以甩去殘留在該基板端面之液滴。 20. 如申請專利範圍第18項之基板處理方法，其中，上 述乾燥步驟包含有照射步驟，以來自紅外線產生手段之紅 外線照射被上述基板保持機構保持之基板。 95101856 57