TWI337580B

TWI337580B - Device with gates configured in loop structures

Info

Publication number: TWI337580B
Application number: TW094108577A
Authority: TW
Inventors: Trudy L Benjamin; James P Axtell; Joseph M Torgerson
Original assignee: Hewlett Packard Development Co
Priority date: 2004-04-19
Filing date: 2005-03-21
Publication date: 2011-02-21
Also published as: WO2005102706A1; US20050231536A1; EP1737670A1; US7659589B2; TW200538300A; HK1096912A1; EP1737670B1; US20070290269A1; US7278715B2

Description

1337580 九、發明說明： C發明戶斤屬之技術領域3 本發明係有關於具有以迴路結構組構之閘極的裝置。【先前技術3 5 發明背景

噴墨列印系統作為流體噴出系統之一具體例，喷墨列印系統包括一喷墨頭、一供給至該喷墨頭之墨水供應源、以及一控制該噴墨頭之電子控制器。喷墨頭作為流體喷出裝置之一具體例，喷墨頭經由多數孔口或喷嘴而喷出墨 10 滴。墨水係朝向諸如紙張之列印媒體喷射，來列印影像於該列印媒體上。噴嘴典型係排列成一或多陣列，讓墨水由喷嘴適當排序喷出，造成當喷墨頭與列印媒體相對於彼此移動時，符號或其它影像被列印於列印媒體上。

於典型熱喷墨列印系統，喷墨頭經由快速加熱於氣化 15 室内之小量墨水，而經由喷嘴噴射墨滴。墨水係以小型電熱器（如此處稱作為發射電阻器）之薄膜電阻器加熱。加熱墨水，造成墨水氣化，而經由喷嘴喷出。欲喷出一滴墨水，控制喷墨頭之電子控制器，激活來自噴墨頭外部電源供應器之電流。電流通過一選定之發射 20 電阻器，來加熱於對應經選定之氣化室内之墨水，以及經由對應噴嘴噴出墨水。已知墨滴產生器包括一發射電阻器、一對應氣化室 '及一對應喷嘴。流體喷出系統為微機電系統(MEMS)裝置或半導體裝置之一具體例。典型地，MEMS裝置之大小係由裝置之機械要求決 5 疋。任何與整合且容納電子電路於一個MEMS裝置相成本，最終將轉嫁至流體噴出裝置之最終成本。本製程可整合更多功能至一i0MEMS“ 而要有低成 w MtMS裝置。於整合雷 -個MEMS裝置以程，需_ 奸電路至能之佈局的技術。 &尺寸’達成較高功二於此等及其它理由而有本發明之需求。 L明内溶^】本發明係為一種流體噴出穿置係組配來接收-具有多數能脈波一發射線，其其係組配來控制該能信號來❹、驅動開關，具有'组配於一第—迴路二出:第體」-第-電晶體，其體其具有—組配於-第二迴第一電曰曰第三電晶體，其具有一組配於二之第二問極；以及-極，該第三迴路結構係設置環锋第一一坦路結構之第三閘電晶體及該第三電晶體共享電晶體’其中該第二 —雷& 主'動區’以及其中該第冤曰曰體及第二電晶體與第三來控制該驅動開關。曰曰中之至少一者係組配圖式簡單說明第1圖顯示嘴墨列印系統之— 第2圖為略圖顯示一晶粒之一具:。一第3圖為略圖顯示於一晶教之二=-部分。給開槽之墨滴產生器之佈局圖。㈣例，位於沿墨水進第4圖為略圖顯示於晶粒之— 之具體例。 /、體例採用之發射單元第5圖為示意圖顯示噴墨頭發射單元陣列之一具體例。第6圖為示意圖顯示預充電發射單元之一具體例。第7圖為示意圖顯示喷墨頭發射單元陣列之一具體例。第8圖為時程圖顯讀射單元陣狀—具體例之操作。第9圖為略圖顯示於一晶粒之位址產生器之一具體例。第10A圖為略圖顯示於一移位暫存器之一移位暫存器單元。 ° 第圖為略圖顯示一方向電路。第11圖為時程圖顯示於正向方向之位址產生器之作。 ’、第12圖為時程圖顯示於反向方向之位址產生器之操作。第13圖為略圖顯示於—晶粒之2位址產生器及六個發射群之一具體例。第14圖為時程圖顯示於一晶粒之位址產生器之正向及反向操作。第15A圖為佈局圖顯示於一晶粒之駆動開關之一具體例。第15B圖為略圖海_ & _顯$於一晶粒之驅動開關及墨滴產生器之部分剖面圖。第16圖為佈局圖挺_ 〇〇〇圖顯不於部分晶粒之預充電及選擇邏輯單元之一具體例。第17圖為佈局圖顯示於部分晶粒之預充電及評估單元之一具體例。 7 第18圖為佈局圖顯之一具體例。示於部分晶粒之預充電及評估單元第為稀局圖顯示於部具體例。頂兄電及早兀之一 C真' 方也2 較佳實施例之詳細說明一後文私㈣係參照㈣作說明，附圖構成 ^刀’以可實作本發明之特定具體例舉職面而言’方向術語例如「頂」、「底」、「前」、「後二此方尾」等係參照所述該圖之方向性使用。由於本發且體例之組成元件可設置於多個不同方向，因此方向術語僅供舉例說明之用而非限制性。須了解可杨離本發明圍’利用其它具體例、及做出其它結構或邏輯變化。因: 後文詳細說明絕非視為限制性，本發明之範圍係由卜仏此申請專利範圍定義。％ ‘ 41 噴墨列印系統印系統20包括第1圖顯示喷墨列印系統20之一具體例。 20組成一流體喷出系統之一具體例，噴墨列一流體喷出裝置諸如噴墨頭總成22，及一流體供鹿總成諸如墨水供應總成24。喷墨列印系統20也包括—农文褒總成 26、一媒體傳送總成28、及一電子控制器30。至土夕一電源供應器32供電給喷墨列印系統2〇之各個電氣組成元件。一具體例中，喷墨頭總成22包括一個噴墨頭或噴墨頭晶粒40，喷墨頭晶粒40經由多個孔口或噴嘴34朝向列印媒體36喷射墨滴，因而列印於列印媒體36上。噴墨領4〇為漭 1337580

體噴出裝置之-具體例。列印媒體36可為任何型別之適當薄片材料，諸如紙張、卡片、透明片、密勒塑膠(Myiar): 織物等。典型地，喷嘴34排列成—或多行或-或多陣列，因此由嘴嘴34適當排序喷出墨水，造成當喷墨頭總成η與 5列印媒體36相對於彼此移動時，文字、符號 '及/或其它圖形或影像被列印於列印媒體36上。雖然後文係參照由噴墨頭總成22噴出墨水作說明，但須了解其它液體、流體、或流動性材料（包括澄清流體）皆可由喷墨頭總成2 2喷出。墨水供應總成24作為流體供應總成之一具體例，墨水 10 供應總成24提供墨水給噴墨頭總成22，墨水供應總成24包括一儲存墨水之貯槽38。如此，墨水由貯槽38流至喷墨頭總成22。墨水供應總成24及噴墨頭總成22可形成單向墨水輸送系統或循環墨水輸送系統。於單向墨水輸送系統，實質上全部供應喷墨頭總成22之墨水係於列印期間被耗盡。 15 而於循環墨水輸送系統，則供應噴墨頭總成22之墨水只有部分於列印期間被耗用。如此於列印期間未被耗用之墨水迴送至墨水供應總成24。一具體例中’噴墨頭總成22及墨水供應總成24一起被罩於喷墨卡匣或喷墨筆内。喷墨卡£或喷墨筆構成流體噴 20 出裝置之一具體例。另一具體例中，墨水供應總成24與嘴墨頭總成22分開’墨水供應總成24經由介面連結裝置例如供應管（圖中未顯示）而提供墨水給喷墨頭總成22。任一種情況下，墨水供應總成24之貯槽38可被去除、更換及/或再填充。一具體例中，此處噴墨頭總成22及墨水供應總成24 — 9 起被罩於喷墨卡匣内，貯槽38包括一位於卡匣内部之局部貯槽，也包括一與噴墨卡匣分開之大型貯槽。如此分開之大塑貯槽係用來再填充該局部貯槽。如此，分開之大型貯槽及/或局部貯槽可被去除、更換及/或再填充。安裝總成2 6將噴墨頭總成2 2相對於媒體傳送總成2 8定位，媒體傳送總成28將列印媒體36相對於喷墨頭總成22定位。如此，列印區段37係界限於噴墨頭總成22與列印媒體 36間之相鄰於噴嘴34之一區。一具體例中’喷墨頭總成22 屬於掃描型噴墨頭總成《如此，安裝總成26包括一卡匣（圖中未顯示），用來移動喷墨頭總成22相對於媒體傳送總成28 來掃描列印媒體36。另一具體例中，噴墨頭總成22為非掃描贺喷墨頭總成。如此，安裝總成26將喷墨頭總成22固定於相對於媒體傳送總成28之規定位置β如此，媒體傳送總成28將列印媒體36相對於噴墨頭總成22定位。電子控制器或印表機控制器3〇典型包括一處理器、韌體、及其它電子裝置，或其任一種組合來與噴墨頭總成22、安裝總成26、及媒體傳送總成28通訊及控制該等總成。電子控制器30接收來自主機系統諸如電腦之資料39，通常包括暫時儲存資料39之記憶體，典型地，資料39係沿電子、紅外線、光或其它資訊傳送路徑而進送至嘴墨列印系統 20。資料39例如表示欲列印文件及/或欲列印檔案。如此，負料39構成噴墨列印系統2〇之列印工作，資料39包括一或多項列印工作命令及/或命令參數。一具體例中，電子控制器3〇控制喷墨頭總成22來由噴 1337580 嘴34喷出墨滴。如此，電子控制器3〇定義可形成文字、符號、及/或其它圖形或影像於列印媒體36上的噴出之墨滴圖案。喷出之墨滴圖案係由該列印工作命令及/或命令參數決定。 5 一具體例中，喷墨頭總成22包括一喷墨頭40。另一具

體例中’喷墨頭總成22為寬陣列或多頭喷墨頭總成。於寬陣列具體例中，噴墨頭總成22包括一載具，該載具載運喷墨頭晶粒40 ’提供嘴墨頭晶粒4〇與電子控制器3〇間之電通訊，以及提供噴墨頭晶粒40與墨水供應總成24間之流體連 10 通。第2圖為略圖’顯示喷墨頭晶粒40之部分具體例。喷墨頭晶粒40包括列印元件或流體喷出元件42之陣列。列印元件42係形成於基材44上，基材上有墨水進給開槽46成形於其中。如此’墨水進給開槽46提供液體墨水供給列印元件 15 42之供應源。墨水進給開槽46為流體進給源之一具體例。流體進給源之其它具體例包括（但非限制性）進給對應氣化室之對應個別墨水進給孔口，以及各自進給對應之流體喷出元件組群之多個較短的墨水進給溝槽。薄膜結構48有墨水進給通道54形成於其中，該通道係與形成於基材44之墨 20水進給開槽46連通。孔口層50有一正面50a、以及一形成於正面50a之噴嘴開口 34。孔口層5〇也有一噴嘴室或氣化室56 形成於其中’該室係與噴嘴開口 34及薄膜結構48之墨水進給通道54連通。發射電阻器52係設置於氣化室56内部，引線58係電輕接發射電阻器52至電路，控制經由選定之發射 11 1337580 電阻器來施加電流。此處所稱墨滴產生器6〇包括發射電阻器52、氣化室56、及喷嘴開口 34。列印期間，墨水由墨水進給開槽46經由墨水進給通道 54流至氣化室56。噴嗔開口 34係工作式結合發射電阻器 5 52，讓氣化室56内部之墨水小滴於發射電阻器52被激活時，經由喷嘴開口 34(例如實質上正交於發射電阻器52平面）朝向列印媒體36喷出。

噴墨頭晶粒40之具體實施例包括熱喷墨頭、壓電喷墨頭、靜電噴墨頭、或業界已知可整合成一多層結構之任何 10其它型別之流體噴出裝置。基材44例如係由矽、玻璃、陶瓷、或適當聚合物製成，薄膜結構48製造成為包括一或多層一氧化碎、碳化妙、氮化石夕、组、複晶石夕破璃、或其它適當材料製成之被動層或絕緣層。薄膜結構48也包括至少一傳導層，傳導層48界定發射電阻器52及引線58。一具體 15例中，傳導層例如包含鋁、金、组、钽-鋁、或其它金屬或金屬合金。一具體例中，發射單元電路（容後詳述)係於基材及薄膜層如基材44及薄膜結構48實作。一具體例中，孔口層5〇包含可光成像之環氧樹脂，例如稱作為SU8由微化學（Micro-Chem)公司（麻省牛頓）出售 2 0 —〉之環氧樹脂。使用SU8或其它聚合物製造孔口層50之範例技衔細節述於美國專利第6，162,589號，該案以引用方式併入此處。一具體例中，孔口層5〇係由分開兩層製成，二層係稱作為一阻障層（例如乾膜光阻阻障層）、及一形成於該阻障層上方之金屬孔口層（例如鎳、銅、鐵/鎳合金、鈀、金、或 12 1337580 錢層）。但其它適當材料也可用來製造孔口層5〇。，第3圖為略圖，顯示於喷墨頭晶粒4〇之一具體例中，位於沿墨水進給開槽46之墨滴產生器6〇。墨水進給開槽牝包括相對兩側之墨水進給開槽側46a及46b。墨滴產生器60係 5沿墨水進給開槽側4如及個別設置。共n個墨滴產生器6〇係沿墨水進給開槽46設置，m個墨滴產生器6〇係沿墨水進給開槽側46a設置，以及n-m個墨滴產生器6〇係沿墨水進給開槽側46b設置β —具體例中，n=2〇〇墨滴產生器6〇係沿墨水進給開槽46設置，m=l〇〇墨滴產生器6〇係個別沿墨水進給 10開槽側46&及4615設置。其它具體例中，任何適當數目之墨滴產生器60可沿墨水進給開槽46設置。 15

墨水進給開槽46提供墨水給沿墨水進給開槽46設置之 η個墨滴產生器60之各個產生器。n個墨滴產生器6〇各自包括一發射電阻器52、一氣化室56、及一喷嘴34。n個氣化室 56各自係經由至少一墨水進給通道54而流體耦接至墨水進給開槽46。墨滴產生器60之發射電阻器52係以經過控制之順序被激活，由氣化室56經由喷嘴34喷出流體來列印影像於列印媒體36上。第4圖為略圖，顯示於噴墨頭晶粒4〇之一具趙例採用之 2〇 —發射單元70之一具體例。發射單元70包括一發射電阻器 52、一電阻器驅動開關72、及一記憶體電路74。發射電阻器52為墨滴產生器60之一部分。驅動開關72及記憶體電路 74為經由發射電阻器52控制電流之施加的電路之一部分。發射單元7 0係形成於薄膜結構4 8以及形成於基材4 4上。 13 1337580 一具體例中，發射電阻器52為薄膜電阻器，電阻器驅動開關72為場效電晶體(FET)。發射電阻器52係電耦接至一發射線76及該驅動開關72之汲極-源極路徑。驅動開關72之汲極-源極路徑也電耦接至一參考線78，參考線78係轉接至 5 —參考電壓，諸如地電位。驅動開關72之閘極係電耗接至記憶體電路74，其控制驅動開關72之狀態。

記憶體電路74係電耦接至一資料線80及一致能線82。資料線80接收表示影像之一部分之資料信號，以及致能線 82接收控制記憶體電路74之操作之致能信號。於一資料位 10元藉該致能信號所致能時，記憶體電路Μ儲存一資料位元。所儲存之資料位元之邏輯位準設定驅動開關72之狀態 (例如開或關、導通或非導通）。致能信號可包括一或多個選擇信號及一或多個定址信號。發射線76接收包含能脈波之能信號，以及提供一能脈 15 波給發射電阻器52。一具體例中，能脈波係由電子控制器 30提供，而有定時開始時間及定時持續時間，來提供適量能量來加熱與氣化墨滴產生器6〇之氣化至56内部之流體。若驅動開關72為可作動（導通）’則能脈波加熱發射電阻器 52，來加熱且噴出來自墨滴產生器60之流體。若驅動開關 72為不可動作（非導通），則能脈波不加發射電阻器52,流體留在墨滴產生器6〇内部。第5圖為示意圖，顯示噴墨頭發射單元陣列（示於100) 之一具體例。發射單元陣列1 〇〇包括多個發射單元7 0排列成 η個發射群l〇2a-l〇2n。一具體例中，發射單元％排列成6個 14 20 1337580 發射群102a-102n。其它具體例中，發射單元70可排列成任何適當數目之發射群l〇2a-102n，諸如4個或4個以上之發射群102a-102n 。

於發射單元陣列1〇〇之發射單元70係示意排列成為L列 5 及m行。L列發射單元70係電耦接至接收致能信號之致能線 104。各列發射單元70於此處稱作為發射單元70之列子群或子群，各列係電耦接至子群致能線106a-106L之一集合。子群致能線106a-106L接收可致能對應發射單元70子群之子群致能信號SGI、SG2、...SGL。 10 m行係電耦接至分別接收資料信號D卜D2...Dm之m資料線108a-108m。m行各自包括於η發射群102a-102n之各群之發射單元70 ’各行發射單元70於此處稱作為資料線群或資料群，各行係電耦接至資料線]08a-108m之一。換言之，各資料線108a-108m係電耦接至於一行之各發射單元7〇，包 15括於各發射群l〇2a-102n之發射單元70。例如資料線1〇8&係

電耦接至最左行之各發射單元70，包括於各發射群 102a-102η之發射單元7(^資料線丨08b係電耦接至於相鄰行之各發射單元70等等，直到且包含資料線〗08m係電耦接至最右行之各發射單元7〇 ’包括各發射群i〇2a-l〇2n之發射單 20 元70。一具體例中，發射單元陣列1〇〇排列成六個發射群 102a-102n，六個發射群1〇2a_1〇2n各自包括13子群及8資料線群。其它具體例中，發射單元陣列100可排列成任何適當數目之發射群102a-l〇2n，以及排列成任何適當數目之子群 15 1337580 及資料線群。任-具體例中，發射群咖儀非僅限於有相等數目之子群及資料線群。反而，各發射群職咖相對於任何其它發射群l〇2a-l〇2n可有不同數目之子群及/或貢料線群。此外，各子群比較任何其它子群可有不同數目 5之發射單兀7〇，各資料線群比較任何其它資料線群可有不同數目之發射單元70。於各發射群102a-102n之發射單元70係電耦接至發射線llOa-ΙΙΟη之一。於發射群丨02a，各發射單元7〇係電耦接至接收發射信號或能信號HRE 1之發射線11〇3。於發射群 10 l〇2b，各發射單元70係電耦接至接收發射信號或能信號 FIRE 2之發射線ll〇b等等，直到且含於發射群1〇2n，其中各發射單元70係電耦接至接收發射信號或能信號FIRE 發射線110η。此外，於各發射群102a_102n之各發射單元7〇係電耦接至一接地之共通參考線112。 15 操作時，子群致能信號SG卜SG2、…SGL被提供於子

群致能線106a-106L上來致能發射單元7〇之一子群。被致能之發射單元70儲存提供於資料線i〇8a-i〇8m上之資料信號 Dl、D2."Dm。資料信號Dl、D2...Dm被儲存於經致能之發射單元70之記憶體電路74。各個被儲存之資料信號D1、 2〇 D2... Dm設定於一被致能之發射單元70之一之驅動開關72 之狀態。驅動開關72係基於所儲存之資料信號值而被設定為導通及非導通。於經選定之驅動開關72之狀態設定後，能信號 FIREl-FIREn被提供於對應於包括該被選定之發射單元70 16 1337580

子群之發射群102a-102n之發射線110a-】10n上。能信號 FIREl-FIREn包括能脈波。能脈波被提供於所選定之發射線 ll〇a-ll〇n來激活於具有導通之驅動開關72之發射單元7〇之發射電阻器52。經激活之發射電阻器52加熱且噴出墨水至 5列印媒體％上’來列印資料信號Dl、D2...Dm所表示之影像。致能一發射單元70子群、储存資料信號Dl、D2...Dm 於被致能之子群、以及提供能信號FIRE1 -FIREn來激活於被致能之子群中之發射電阻器52,處理持續至列印停止為止。一具體例中’當能信號FIREl-FIREn提供給一經選定之 10發射群102a-l〇2n時，子群致能信號SGI、SG2、...SGl改變來選擇且致能於不同之發射群l〇2a-I02n之另一子群。新致能之子群儲存於資料線108a-108m所提供之資料信號D1、 D2...Dm，能信號HREl-FIREn於發射線1 l〇a-ll〇n之一提供來激活於新被致能之發射單元70之發射電阻器52。任何時 15間’只有一個發射單元70子群被子群致能信號SG1、

SG2 ' ...SGL所致能，來儲存資料線l〇8a-l〇8m所提供之資料信號Dl、D2…Dm。就此方面而言，資料線i〇8a_i〇8rn之資料信號D】、D2…Dm為分時多工資料信號。此外，於一選定之發射群l〇2a-102η中之有一子群包括驅動開關72，當 20 能信號FIRE1 -FIREn被提供至該選定之發射群丨02a·丨〇2η 時，該驅動開關72被設定為導通。但提供給不同發射群 102a-102η之能信號FIRE 1 -FIREn可重疊且確實重疊。第6圖為示意圖，顯示經預充電之發射單元12〇之一具體例。經預充電之發射單元120為發射單元70之一具體例。 17 經預充電之發射單元120包括—電耗接至一發射電阻.器52 之驅動開關m。-具體例中’驅動開關172為場效電晶體 (FET)，FET包括-祕源極路徑，該路徑於—端係電耗接至發射電阻器52之-終端’以及於另一端係電耗接至參考 5線122。參考線122係接至參考電壓，諸如地電位。發射電阻器52之另-終端係電麵接至—發射線124，發射線124接收包括能脈波之發射信號或能信號F! RE。_動開關i 7 2 為作動（導通），則能脈波激活發射電阻器52。驅動開關172之閘極形成―儲存節點電容126，儲存節點電容126係作為記憶體元件，來於循序激活預充電電晶體 128及選擇電晶體13G後儲存資料。預充電電晶體丨28之汲極 -源極路徑及閘極係電耦接至—接收預充電信號之預充電線132。驅動開關172之閘極係電耦接至預充電電晶體128之 /及極-源極路徑、及選擇電晶體13〇之汲極_源極路徑。選擇 15電晶體130之閘極係電耦接至接收選擇信號之選擇線134。健存節點電谷126係以虛線表示，原因在於儲存節點電容 126為驅動開關172之一部分。另外，與驅動開關172分開之電容器可用作為記憶體元件。資料電晶體136、第一位址電晶體138、及第二位址電 20晶體丨40包括並聯電耦接之汲極-源極路徑。資料電晶體 136、第一位址電晶體138、及第二位址電晶體14〇之並聯組合係電耦接於選擇電晶體13〇之汲極-源極路徑與參考線 122間。選擇電晶體13〇耦接至資料電晶體136、第一位址電 b曰體138、及第一位址電晶體14〇之並聯組合所組成的串聯 1337580 電路’係跨驅動開關172之節點電容126而電耦合。資·料電晶體136之閘極係電耦接至接收資料信號〜DATA之資料線 142。第一位址電晶體138之閘極係電耦接至接收位址信號〜ADDRESS 1之位址線144，以及第二位址電晶體140之閘極 5 係電耦接至接收位址信號〜ADDRESS2之第二位址線146。如信號名稱起點之否定記號(〜)指示，資料信號〜DATA及位址信號〜ADDRESS 1及〜ADDRESS2於低電壓位準時為激

活。節點電容126、預充電電晶體128、選擇電晶體130、資料電晶體136、及位址電晶體138及140構成一個記憶體胞 10 元。操作時，節點電容126經由預充電電晶體128，藉提供高位準電壓脈波於預充電線132而被預充電。一具體例中，於預充電線132之高位準電壓脈波後，資料信號〜DATA被提供於資料線丨42來設定資料電晶體136之狀態，以及位址信 15 號〜ADDRESS 1及〜ADDRESS2被提供於位址線144及146來

20 設定第·一位址電晶體138及第二位址電晶體140之狀態。夠大之電壓脈波被提供於選擇線134來導通選擇電晶體130 ; 若資料電晶體136、第一位址電晶體138、及/或第二位址電晶體140為可動作，則節點電容126放電。另外’若資料電晶體136、第一位址電晶體138、及第二位址電晶體140全部皆為無動作，則節點電容126維持充電。若二位址信號〜ADDRESS1及〜ADDRESS2為低，則經預充電之發射單元120為該被定址之發射單元；若資料信號〜DATA為高，則節點電容126被放電；或若位址信號 19 〜ADDRESS1及〜ADDRESS2為低’則節點電容126維持充電。若有位址信號〜ADDRESS1與〜ADDRESS2中之至少— 者為高，則經預充電之發射單元丨2〇非為被定址之發射單元，且節點電容126放電，而與資料信號〜DATA之電壓位準 5無關。第一位址電晶體136及第二位址電晶體138包含一位址解碼器，若經預充電之發射單元以〇經過定址，則資料電晶體136控制節點電容126之電壓位準。經預充電之發射單元120可利用任何其它數目之拓樸結構或排列，只要可維持前述操作關係即可。舉例言之， 10或閘可耦接至位址線丨44及146，其輸出端係耦接至單一電晶體。第7圖為示意圖，顯示噴墨頭發射單元陣列2〇〇之一具體例。發射單元陣列200包括多個經經預充電之發射單元 120排列成6。各個發射群2〇2a-2〇2f之經經預充電之發射單 15元120示意排列成13列及8行。發射群202a-202f、及發射單元陣列200之經預充電之發射單元120示意顯示排列成為78 列及8行’但經預充電之發射單元數目及其佈局可視需要而改變。 8行經預充電之發射單元120係電耦接至分別接收資料 20信號〜D1、〜D2...〜D8之8資料線208a-208h。8行（前文說明為資料線群或資料群）各自包括六個發射群2〇2a_2〇2f之個別經預充電之發射單元丨2〇。於各行經預充電之發射單元 120之各個發射單元120係電耦接至資料線2〇8a-208h之一。於各資料線群之全部經經預充電之發射單元12〇係電耦 20 1337580 接至相同資料線208a-208h，該資料線208a-208h係電耦.接至該行之經預充電之發射單元120之資料電晶體136之閘極。資料線208 a係電耦接至最左列之各個經預充電之發射單元120，包括各發射群2〇2a-202f之經預充電之發射單元。 5資料線2〇8b係電糕接至相鄰該行之各個經預充電之發射單元120等等，直到且包含資料線2〇8h係電麵接至最右行之各個經預充電之發射單元120為止，包括於各發射群2〇2a_2〇2f 之經預充電之發射單元120。

成列經預充電之發射單元12〇係電耦接至分別接收位 10 址信號~A1、〜A2…〜A7之位址線206a-206g。於一列經預充電之發射單元】20之各個經預充電之發射單元12〇(於此處稱作為一列子群或子群經預充電之發射單元120)係電耦接至位址線206a-206g之二。於一列子群之全部經預充電之發射單元120係電耦接至相同二位址線2〇6a-206g。 15 發射群2〇2a-2〇2f之子群係被識別為於發射群I (fgi) 202a之子群SG1-1至SGl-Π、發射群2 (FG2) 202b之子群 SG2-1至SG2-13等等，直到發射群6 (FG6) 202f之子群SG6-1 主SG6-13。其它具體例中’各個發射群2〇2a-202f可包括任何適當數目之子群，諸如14或14以上之子群。經預充電之發射單元120之各個子群係電耦接至二位址線206a-206g。對應一子群之二位址線2〇6a-206g係電搞接炱該子群之全部經預充電之發射單元120之第一位址電晶體138及第二位址電晶體140。一位址線206a-206g係電耦接玄第一位址電晶體138及第二位址電晶體140之一之閘極， 21 1337580 而另一位址線206a-206g係電耦接至第一位址電晶體138及第二位址電晶體140之另一者之閘極。位址線206a-206g接收位址信號〜A卜〜A2...〜A7,且耦接來提供位址信號〜A1、 A2…〜A7給發射單元陣列200之子群如後: 列子群位址信號列子群〜A1、〜A2 SG1-1 ' SG2-1...SG6-1 〜A1、〜A3 Γ SG1-2 ' SG2-2...SG6-2 〜A1、〜A4 SG1-3 ' SG2-3...SG6-3 〜A1、〜A5 SG1-4、SG2-4...SG6-4 〜A1、〜A6 SG1-5 ' SG2-5...SG6-5 〜A1、〜A7 SG1-6 ' SG2-6...SG6-6 〜A2、〜A3 SG1-7 ' SG2-7...SG6-7 〜A2、〜A4 SG1-8 ' SG2-8...SG6-8 〜A2、〜A5 SG1-9 ' SG2-9...SG6-9 〜A2、〜A6 SG1-10 ' SG2-10...SG6-10 〜A2、〜A7 SG1-11 ' SG2-11...SG6-11 〜A3、〜A4 SG1-12、SG2-12...SG6-12 〜A3、〜A5 SG1-13 > SG2-13...SG6-13

經預充電之發射單元120之子群係經由提供位址信號〜A1、~A2...~A7於位址線206a-206g來定址。一具體例中，位址線206a-206g係電耦接至設置於喷墨頭晶粒4〇的一或多個位址產生器。預充電線210a-210f接收預充電信號PRE1、 PRE2...PRE6 ’且提供該預充電信號PRE1、pRE2 pRE6給對應發射群202a-202f。預充電線2l〇a係電耦接至FG1 202a 之全部經預充電之發射單元12〇。預充電線2i〇b係電耦接至 FG2 202b之全部經預充電之發射單元12〇等等，且包含預充電線21 Of係電耦接至FG6 202f之全部經預充電之發射單元 22 1337580 120。預充電線210a-210f各自係電耦接至對應發射群 202a-202f之全部預充電電晶體128之閘極及汲極-源極路徑；發射群202a-202f之全部經預充電之發射單元120則僅電耦接至一預充電線210a-210f。如此，於發射群202a-202f之 5 全部經預充電之發射單元120之節點電容126係經由提供對應之預充電信號PRE1、PRE2...PRE6給對應之預充電線 210a-210f而充電。

選擇線212a-212f接收選擇信號SEL1、SEL2...SEL6，且提供選擇信號SEL1、SEL2…SEL6給對應之發射群 10 202a-202f。選擇線2I2a係電耦接至FG1 202a之全部經經預充電之發射單元120。選擇線2】2b係電耦接至FG2 202b之全

部經經預充電之發射單元120等等，直到選擇線212f係電耦接至FG6 202f之全部經經預充電之發射單元120。各選擇線 212a-212f係電耦接至對應發射群2〇2a-202f之全部選擇電 15晶體130之閘極’而發射群202a-202f之全部經預充電之發射單元120係只電耦接至一選擇線212a-212f。發射線214a-214f接收發射信號或能信號fIRei、 FIRE2...FIRE6，且提供能信號FIRE1、FIRE2...FIRE6給對應發射群2023-202卜發射線2143係電耦接至？01 202&之全 20部經預充電之發射單元120。發射線214b係電耗接至FG2 202b之全部經預充電之發射單元120等等，且包含發射線 214f係電耦接至FG6 202f之全部經預充電之發射單元12〇。各發射線214a-2I4f係電耗接至對應發射群2〇2a_2〇2f之全部發射電阻器52 ’ 一發射群2〇2a-202f之全部經預充電之發 23 1337580 射單元120只電耦接至一發射線2i4a-214f。發射線 214a-214f係藉適當介面襯墊（參考第25圖）而電耦接至外部供應電路。發射單元陣列200之全部經預充電之發射單元 120係電耦接至一接至參考電壓（諸如地電位）之參考線 5 216。如此，於一列子群經預充電之發射單元12〇之該經預充電之發射單元120係電耦接至相同位址線2〇6a-206g '預充電線210a-210f、選擇線212a-212f、及發射線214a-214f。

於操作時，於一具體例中，發射群202a-202f被選定來連續發射。FG1 202a係於FG2 202b之前被選定，後者又於 10 FG3前被選定等等直到FG6 202f。於FG6 202f後，發射群又以FG1 202a開始循環。但可利用其它順序及非循序選擇。位址信號〜A1、〜A2…〜A7循環通過13列子群位址，隨後重複一列子群位址。提供位址線206a-206g上之位址信號〜Al、-A2…〜A7於各自循環通過發射群202a-202f期間，被 15 設定為一列子群位址。位址信號〜A1、〜A2·.·〜A7對一次循環通過發射群202a-202f之各個發射群202a-202f選擇一列子群。對次一循環通過發射群202a-202f，位址信號〜A1、〜A2..·〜A7改變成選擇於各發射群202a-202f之另一列子群。如此持續至位址信號〜A1、〜A2...〜A7選擇發射群 20 202a-202f之最末列子群。於最末列子群後，位址信號〜A卜〜A2…〜A7選擇第一列子群，而開始再度重複通過位址循環。於另一操作方面，發射群202a-202f之一係經由提供預充電信號PRE1、PRE2...PRE6於一發射群202a-202f之預充 24 1337580 電線210a-210f而操作。預充電信號preI、PRE2...PRE6界定於一發射群202a-202f之各驅動開關172之節點電容改變成高電壓位準期間之一段預充電時間或期間，來預充電該一發射群202a-202f。 5 位址信號〜A卜〜A2…〜A7係提供於位址線206a-206g來

定址各發射群202a-202f之一列子群，包括經預充電之發射群202a-202f之一列子群。資料信號〜D1、〜D2…〜D8提供於資料線208a-208h來對全部發射群2〇2a-202f提供資料，包括於經預充電發射群202a-202f之該經定址之列子群提供資 10 料。其次’於經預充電之發射群202a-202f之選擇線 212a-212f提供一選擇信號SEL1、SEL2...SEL6，來選擇該經預充電之發射群202a-202f。選擇信號SEU、SEL2...SEL6 定義一段放電時間，來放電於一經預充電之發射單元120之

15 各個驅動開關172之節點電容126，該發射單元非於所選定之發射群202a-202f之經定址之列子群，或定址於該選定之發射群202a-202f ’其接收高位準資料信號〜D1、〜D2…〜D8。節點電容126未放電定址於經選定之發射群 202a-202f之經預充電之發射單元120，而節點電容126接收 20 低位準資料信號〜D1、〜D2·.·〜D8。節點電容126之高電壓位準將驅動開關172轉為導通(傳導）。於經選定之發射群202a-202f之驅動開關172被設定為導通或非導通後’能脈波或電壓脈波提供經選定之發射群 202a-202f之發射線214a-214f。具有導通之驅動開關172之 25 1337580 經預充電之發射單元120，傳導電流通過發射電阻器52，來加熱墨水且由對應之墨滴產生器60喷出墨水。發射群202a-202f係連續操作，一個發射群202a-202f之

選擇信號SEL1、SEL2…SEL6用作為下個發射群202a-202f 5 之預充電信號PRE1、PRE2...PRE6。一個發射群202a-202f 之預充電信號PRE1、PRE2...PRE6係在該發射群202a-202f 之選擇信號SEL1、SEL2...SEL6及能信號FIRE1、 FIRE2...FIRE6之前。於預充電信號PRE卜PRE2...PRE6之後，資料信號〜D1、〜D2...〜D8於時間上多工化，藉選擇信 10 號SEL1 ' SEL2...SEL6而儲存於該一發射群202a-202f之該經定址之列子群。經選定之發射群202a-202f之選擇信號 SEL1、SEL2...SEL6也是下個發射群202a-202f之預充電信號PRE1 ' PRE2...PRE6。於經選定之發射群202a_202f之選擇信號SEL1、SEL2...SEL6完成後，提供下個發射群 15 202a-202f 之選擇信號 SEL1、SEL2...SEL6。當能信號

FIRE1、FIRE2...FIRE6包括能脈波提供給該經選定之發射群202a-202f時，於該經選定之子群之經預充電之發射單元 120基於所儲存之資料信號〜D1、〜D2...〜D8發射墨水或加熱墨水。 20 第8圖為時程圖，顯示發射單元陣列200之一具體例之操作。發射群202a-202f係基於資料信號〜D卜〜D2…〜D8 300 來連續激活經預充電之發射單元120。資料信號〜D1、〜〇2...〜〇8 300係對各列子群位址與發射群2023-202[之組合喷出流體之喷嘴（於302)而改變。位址信號〜A1、 26 1337580

〜A2...〜A7 304於位址線206a-206g提供來由各發射群 202a-202f定址一列子群。位址信號〜A1 '〜A2…〜A7 304對一次循環通過發射群202a-202f設定於一個位址(於306)。於該循環完成後，於304之位址信號〜A1、〜A2...〜A7於308改變來由各發射群202a-202f定址一不同列子群β於3〇4之位址信號〜A1、〜Α2..Α7通過各個列子群遞增，來以循序順序由1定址列子群至13，然後再由13返回1。其它具體例中，於3〇4之位址信號〜A卜〜A2…〜A7係以任一種適當順序設定來定址列子群。 10 於循環通過發射群202a-202f期間，耦接至FG6 202f之選擇線212f及耦接至FG1 202a之預充電線210a接收 SEL6/PRE1信號309，包括SEL6/PRE1信號310。一具體例中’選擇線212f及預充電線210a共同電耦接來接收同一個信號。另一具韹例中’選擇線2l2f及預充電線2i〇a未共同 15 電耦接，但接收類似的信號。

於預充電線21〇3上之8£1^6/?尺£1信號脈波(於31〇)預充電於FG1 202a之全部發射單元120。於FG1 202a之各個經經預充電之發射單元120之郎點電容126改成高電壓位準。於一列子群SG1-K(指示於311)之經預充電之發射單元12〇之 20節點電容】26於被預充電至高電壓位準。列子群位址(於 306)選擇子群SG1-K，一資料信號集合於314提供給全部發射群202a-202f之全部經預充電之發射單元丨2〇(包括位址經選定之列子群SG1-K)之資料電晶體I% a FG1 202a之選擇線212a、及啦2〇2b之預充電線21〇b 27 1337580 接收SEL1/PRE2信號315，該信號包括SEL1/PRE2信號脈波 316。如此於選擇線2123上之3£1^1/?1^2信號脈波316導通於FG1 202a之各個經預充電之發射單元120之選擇電晶體 130。於FG1 202a之非屬於位址經選定之列子群SG1-K之全 5 部經預充電之發射單元120,該發射單元120之節點電容126 被放電。於位址經選定之列子群SG1-K，於314之資料被儲存（指示於318)於列子群SG1-K之驅動開關172之節點電容 126，來導通驅動開關（傳導）或戴斷驅動開關（非傳導）。

於預充電線210b之SELl/PRE2信號脈波316預充電於 10 FG2 202b之全部發射單元120。於FG2 202b之各個經經預充電之發射單元120之節點電容126被充電至高電壓位準。於一列子群SG2-K(指示於319)之經預充電之發射單元120之節點電容126於320被預充電至高電壓位準◊於3〇6之列子群位址選擇子群SG2-K，於328之資料信號集合提供給全部發射群202a-202f之全部經預充電之發射單元120,包括位址經

選定之列子群SG2-K。發射線214a接收能量信號FIRE1(指示於323)包括於 322之能脈波，來激活於FG1 202a之具有經導通之驅動開關 172之經預充電之發射單元120之發射電阻器52。當 20 SEL1/pRE2信號脈波316為高’以及當非導通驅動開關η〗之節點電容126被主動拉低時（於324指示於能信號fire 1 323) ’ FIRE 1能脈波322走向。當卸點電容126被主動下挽時’將能脈波322切換為高，阻止當能脈波322走高時，節點電容126意外經由驅動開關Π2而不慎充電。SEL1/PRE2 28 1337580 信號315走低，能脈波322提供給FGl 202a經歷一段預定時間，來對應於導通之經預充電之發射單元120，加熱墨水及經喷嘴34喷出墨水。 FG2 202b之選擇線212b及FG3 202c之預充電線210c接

5 收SEL2/PRE3信號325，包括SEL2/PRE3信號脈波326。於 SEL1/PRE2信號脈波316走低以及能脈波322為高後，於選擇線212b之SEL2/PRE3信號脈波3 26導通於FG2 202b之各個經預充電之發射單元120之選擇電晶體Π0。於FG2 202b 之非屬位址經選定之列子群SG2-K之全部經預充電之發射 10 單元120 ’節點電容126皆被放電。子群SG2-K之資料信號集合328儲存於（指示於330)子群SG2-K之經預充電之發射單元120來導通驅動開關172(導通）或戴斷(非導通）。預充電線210c之SEL2/PRE3信號脈波預充電於FG3 202c之全部經預充電之發射單元120。 15 發射線214b接收（標示於331)包括能脈波332之能信號

FIRE2，來激活於FG2 202b之具有導通之驅動開關172之經預充電之發射單元120之發射電阻器52。FIRE2能脈波332 走高，SEL2/PRE3信號脈波326為高（標示於334)。 SEL2/PRE3信號脈波326走低及HRE2能脈波332維持為 2〇高’來加熱墨水，及由對應之墨滴產生器60喷出墨水。於SEL2/PRE3信號脈波326走低以及能脈波332為高之後’ SEL3/PRE4信號提供來選擇1^3 202c及預充電FG4 202d。預充電、選擇、及提供能信號（包括能脈波)之過程持續直到且包含FG6 202f為止。 29 1337580 預充電線21 Of之SEL5/PRE6信號預充電於FG6 2〇2f^ 全部發射單元120。於FG6 202f之各個經經預充電之發射單元120之節點電容126被充電至高電壓位準。於—列子群 SG6-K之經預充電之發射單元120之節點電容126(標示於 5 339)於341被預充電至南電壓位準。於3〇6之列子群位準選擇子群SG6-K，資料信號集合338提供給全部發射群 202a-202f之全部經預充電之發射單元丨2〇(其包括位址經選定之列子群SG6-K)之資料電晶體136。 FG6 202f之選擇線212f及FG1 202a之預充電線2i〇a於 10 336接收第二SEL6/PRE1信號脈波。於選擇線2i2f之第二 SEL6/PREljg號脈波336導通於FG6 202f之各個經預充電之發射早元120之選擇電晶體130。於FG6 202f之非屬位址經選定之列子群SG6-K之全部經預充電之發射單元12〇之節點電容126經放電。於位址經選定之列子群SG6-K，資料338 15 於340被儲存於各個驅動開關172之節點電容126來導通或

截斷驅動開關。於預充電線210a之SEL6/PRE1信號預充電（標示於342) 於FG1 202a之全部發射單元12〇(包括於列子群SG1-K之發射單元120)之節點電容126至高電壓位準。於FG1 202a之發 2〇射單元120經預充電，而位址信號〜A1、〜A2.··〜A7 304選定列子群SG1-K、SG2-K等等直到列子群SG6-K。發射線214f接收能信號nRE6(標示於343)包括能脈波 (344)來激活於FG6 202f之具有導通之驅動開關172之經經預充電之發射單元120之發射電阻器52。當SEL6/PRE1信號 30 1337580 脈波336為高，以及非導通驅動開關172之節點電容126被主動下挽(標示於346)時，能脈波344走高。當節點電容126被主動下挽時，將能脈波344切換為高，可阻止能脈波344走高時節點電容126被意外經由驅動開關丨72充電。 5 SEL6/PRE1信號脈波336走低，及能脈波344維持於高經歷一段預定時間，來經由對應於導通之經經預充電之發射單元120之喷嘴34加熱墨水與噴出墨水。

於SEL6/PRE1信號脈波3 3 6走高以及當能脈波344為高時，位址信號〜A卜〜A2..•〜A7 304於308改變來選擇另一子 10群集合SG1-K+卜SG2-K+1等等至SG6-K+卜FG1 202a之選擇線212a及FG2 202b之預充電線21 〇b接收SEL1 /PRE2信號脈波(標示於348)。於選擇線2123之5£1^1/?1^2信號脈波348

導通於FG1 202a之各個經預充電之發射單元12〇之選擇電晶體130。於FG1 202a之非屬位址經選定之子群SGi_K+l之 15全部經預充電之發射單元120，節點電容126被放電。列子群SG1-K+1之資料信號集合35〇儲存於子群SG1_K+1之經預充電之發射單元120來導通或載斷驅動開關172 ^預充電線 210b之SEL1/PRE2信號脈波348預充電FG2 202b之全部發射單元120。 20 發射線214a接收能脈波352來激活發射電阻器52以及 FG1 202a之具有導通之驅動開關172之經預充電之發射單元120。當SEL1/PRE2信號脈波348為高時，能脈波352走高。SEL1/PRE2信號脈波348走低，能脈波352維持為高，來加熱且由對應墨滴產生器60噴出墨水。處理繼續至列印 31 1337580 完成為止。第9圖為略圖’顯不於喷墨頭晶粒40之一位址產生器 400之一具體例。位址產生器400包括一移位暫存器402、一方向電路404及一邏輯陣列406。移位暫存器402係經由方向 5 控制線408而電稱接至方向電路404。此外，移位暫存器402 係經由移位暫存器輸出線410a-410m而電耦接至邏輯陣列 406。

後述具體例中，位址產生器400提供位址信號給發射單元120。一具體例中，位址產生器400接收外部信號，參考 10 第25圖，外部信號包括一控制信號CSYNC及6時序信號 T1-T6，響應於此而提供7位址信號〜A1 '〜A2…〜A7。位址 15

信號〜A1、〜A2…〜A7處於低電壓位準時為具有活性，如各信號名稱前方之〜表示。一具體例中，時序信號T1-T6係於選擇線(例如第7圖所示選擇線212a-212f)提供。位址產生器 400為控制電路之一具體例，該控制電路係組配來響應於一控制信號(例如CSYNC) ’而初始化致能發射單元120被激活之一串列（例如位址〜A1 '〜A2…〜A7於正向順序或反向順序之串列）° 位址產生器400包括電阻器劃分網路412、414及416其 2〇接收時序信號T2、T4及T6。電阻器劃分網路412係經時序信號線418接收時序信號Τ2，向下劃分時序信號Τ2之電壓位準，來於第一評比信號線420提供具有降低電壓位準之Τ2 時序信號°電阻器劃分網路414係經時序信號線422接收時序信號丁4 ’向下劃分時序信號Τ4之電壓位準，來於第二評 32 1337580 比信號線424提供具有降低電壓位準之丁4時序信號。電阻器劃分網路416係經時序信號線426接收時序信號丁6，向下劃 ' 分時序信號丁6之電壓位準，來於第三評比信號線428提供具有降低電壓位準之Τ6時序信號。 • 5 隸暫存器402經控制信號線430接收控制信號 CSYNC，以及經由方向信號線接收方向信號。此外，移位暫存器402經由時序信號線432接收時序信號τι作為第— 預充電信號PRE1。經由第—評估信號線·接收電壓較低 •之T2時序信號作為第-評估信號EVAL1。時序信號T3係經 W由時序信號線434接收作為第二預充電信號pRE2以及經由第二評估信號線424接收電壓較低之丁4時序信號作為第二評估信號EVAL2。移位暫存㈣2提供移位暫存器輸出信號 . S〇1_S013於移位暫存器輸出線41〇a-41〇m。 - 移位暫存器402包括13移位暫存器單元403a-403m，其 15提供13移位暫存器輸出信號s〇i_s〇n。各個移位暫存器單 % 元她·403111提供移位暫存器輸出信號S〇l-S013之-。13 個移位暫存Is >元4G3a_4G3 m料列電補來提供於正向 =反向之移位。其它具體例中，移位暫存器似包括任何適 20 ^目之移位暫存器單元4〇3來提供任何適當數目之移位暫存器輸出信號來提供任魅目之所需位址信號。 ^位暫存益早凡4〇33提供移位暫存器輸出信號S〇丨於 ^存器輸出線佩。移位暫存器單元娜提供移位暫一子益心號8〇2於移位暫存器輪出線佩。移位暫存器單提供移位暫存器輸出信號s〇3於移位暫存器輸出線 33 c。移位暫存器單元侧提供移位暫存器輸出信號阳4 於移位暫存器輸出線侧。移位暫存器單元條提供移位，存器輸出信號S05於移位暫存器輸出線條，位暫存器單元403f提供移位暫存器輸出信號s〇6於移位暫存器線繼。移㈣_單元仙城供移位暫存輯出信號咖於移位暫存器輸出線夠。移位暫存器單元娜提供移位暫存器輸出信號S08於移位暫存器輸出線魏。移位暫存器早兀403!提供移位暫存⑽幻线⑽於移位暫存線侧。移位暫存器單元夠·提供移位暫存器輸出信號 SO10於移位暫存器輸出線綱。移位暫存器單元4㈣提供移位暫存器輸出信號SOU於移位暫存器輸出線键。移位暫存器單元4031提供移位暫存器輸出信號s〇12於移位暫存器輸出線4101以及移位暫存器單元4〇3m提供移位暫存器輸出信號S013於移位暫存器輸出線4丨〇m。方向電路404接收控制信號CSYNC於控制信號線 430。時序信號T3接收於時序信號線434作為第四預充電信號PRE4。電壓位準較低之丁4時序信號接收於評估信號線 4 2 4作為第四評估信號Ev A L4。時序信號τ 5接收於時序信號線436作為第三預充電信號PRE3以及電壓位準較低之丁6時序信號接收於評估信號線42 8作為第三評估信號EVAL3。經由方向信號線408提供方向信號給移位暫存器4〇2。邏輯陣列406包括位址線預充電電晶體438a-438g、位址評估電晶體440a-440m、評估阻止電晶體4423及44沘及邏輯坪估預充電電晶體444。此外，邏輯陣列4〇6包括位址電 1337580 晶體對446、448、…470，位址電晶體對解碼於移位暫存器輸出線410a-410m之移位暫存器輸出信號S01-S0I3來提供位址信號〜A1、〜A2…〜A7。邏輯陣列406包括位址1電晶體 446a及446b、位址2電晶體448a及448b、位址3電晶體450a 及450b、位址4電晶體452a及452b、位址5電晶體454a及 454b、位址6電晶體456a及456b、位址7電晶體458a及458b、

位址8電晶體460a及460b、位址9電晶體462a及462b、位址 10電晶體464a及464b、位址11電晶體466a及466b、位址12 電晶體468a及468b、以及位址13電晶體470a及470b。 10 位址線預充電電晶體438a-438g係電耦接至丁3信號線 434及位址線472a-472g。位址線預充電電晶體438a之閘極及汲極-源極路徑一側係電耦接至丁3信號線434。位址線預充電電晶體438a之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址線472a。位址線預充電電晶體438b之閘極及汲極_源極路徑 15 一側係電耦接至丁3信號線434。位址線預充電電晶體438b 之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址線4721)。位址線預充電電晶體438c之閘極及沒極-源極路徑一側係電輕接至T3信號線434。位址線預充電電晶體438c之汲極-源極路徑之另一側係電麵接至位址線472c。位址線預充電電晶體 2〇 438d之閘極及汲極-源極路徑一側係電叙接至丁3信號線 434。位址線預充電電晶體438d之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址線472d。位址線預充電電晶體438e之閘極及汲極-源極路徑一側係電耦接至τ3信號線434。位址線預充電電晶體438e之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位 35 1337580 址線472e。位址線預充電電晶體438f之閘極及汲極_源極路杻一側係電耦接至T3信號線434。位址線預充電電晶體438f 之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址線472f。位址線預充電電晶體43 8g之閘極及汲極-源極路徑一側係電耦接 5至丁3信號線434。位址線預充電電晶體438g之汲極-源極路徑之另一側係電耦接至位址線472g。一具體例中，位址線預充電電晶體438a-438g係電耦接至丁4信號線422，而非電耦接至T3信號線434。T4信號線422係電耦接至位址線預充電電晶體438a-438g各自之閘極及汲極_源極路徑之一側。 1〇位址評估電晶體440a_44〇m各自之閘極係電耦接至邏輯評估信號線474。位址評估電晶體44〇a_44〇m各自之汲極_ 源極路徑之一側係電耦接至地電位。此外，位址評估電晶體440a之汲極·源極路徑係電耦接至評估線47如^位址評估電晶體440b之汲極-源極路徑係電耦接至評估線47邰。位址 15評估電晶體440c之汲極—源極路徑係電耦接至評估線476c。位址評估電晶體44〇d之汲極_源極路徑係電耦接至評估線 476d。位址評估電晶體44如之汲極源極路徑係電耦接至評估線476e。位址評估電晶體44〇f之汲極·源極路徑係電耦接至評估線術。位崎估電晶體物代練源極路徑係電 2〇耗接至評估線476g。位址評估電晶體4他之沒極_源極路徑係電耗接至評估線476h。位址評估電晶體她·之祕源極路係_接至評估線4 76 i。位址評估f晶體夠·之没極_ 源極路徑係電搞接至評估線例。位址評估電晶體概之沒極-源極路㈣f_至評估線概。位崎估電晶體 36 1337580 4401之汲極-源極路徑係電耦接至評估線476ι。位址評估電晶體440m之汲極-源極路徑係電耦接至評估線476爪。

邏輯評估預充電電晶體444之閘極及汲極_源極路徑之一側係電耦接至T5信號線436，而汲極-源極路徑之另—側 5係電耦接至邏輯評估信號線47私評估阻止電晶體442a之閘極係電耦接至T3信號線434。評估阻止電晶體4423之及極· 源極路徑於一側電耦接至邏輯評估信號線474，以及於另一側電耦接至於478之參考電位。評估阻止電晶體44孔之閘極係電耦接至T4信號線422。評估阻止電晶體4421)之汲極源 1〇極路徑於一側電耦接至邏輯評估信號線474,以及於另—側電耦接至於478之參考電位。位址電晶體對446、448、…470之汲極_源極路徑係電耦接於位址線472a-472g與評估線476a-476m間。位址電晶體對446、448、…470之閘極係經由移位暫存器輸出線 15 410a-41〇m而藉移位暫存器輸出信號S01-S013驅動。位址1電晶體446a及446b之閘極係電耗接至移位暫存器輪出線410a。位址1電晶體446a之汲極·源極路徑於一側係電耗接至位址線472a，而於另一側係電耗接至評估線 476a。位址1電晶體446b之汲極-源極路徑於一側係電耦接 20至位址線472b，而於另一側係電耦接至評估線476&。當位址評估電晶體440a藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評估L號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線41 〇a之高位準移位暫存器輸出信號SO 1導通位址1電晶體44&及446b。位址1電晶體446a及位址評估電晶體44〇a導通而主動下挽 37 1337580 位址線472a至低電壓位準。位址丨電晶體44讣及位址評估電晶體440a導通而主動下挽位址線4721)至低電壓位準。位址2電晶體448a及448b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線410 b。位址2電晶體44 8 a之沒極_源極路徑於一側 5係電耦接至位址線472a，而於另一側係電耦接至評估線 476b。位址2電晶體448b之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472c，而於另一側係電耦接至評估線47讣。當位址評估電晶體440b藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線41此之高位 1〇準移位暫存器輸出信號S02導通位址2電晶體4483及4481)。位址2電晶體448a及位址評估電晶體44〇b導通，而主動下挽位址線472a至低電壓位準。位址2電晶體448b及位址評估電晶體440b導通，而主動下挽位址線472c至低電壓位準。位址3電晶體450a及450b之閘極係電耦接至移位暫存 15器輸出線410c。位址3電晶體450a之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472a，而於另一侧係電耦接至評估線 476c。位址3電晶體450b之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472d，而於另一側係電耦接至評估線47&。當位址評估電晶體440c藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評 20估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線410c之高位準移位暫存器輸出信號S03導通位址3電晶體45〇a&45〇b。位址3電晶體450a及位址評估電晶體44〇(；導通而主動下挽位址線472a至低電壓位準。位址3電晶體450b及位址評估電晶體440c導通而主動下挽位址線472d至低電壓位準。 38 1337580 位址4電晶體452a及452b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線410d。位址4電晶體452a之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472a，而於另一側係電耦接至評估線 476d。位址4電晶體452b之汲極-源極路徑於—側係電耦接 5至位址線472e，而於另一側係電耦接至評估線476d。當位址評估電晶體440d藉邏輯評估信號線474之高電壓位準評估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線41〇d之高位準移位暫存态輸出信號S〇4導通位址4電晶體4523及4521>。位址4電晶體452a及位址評估電晶體44〇d導通而主動下挽 10位址線472a至低電壓位準。位址4電晶體452b及位址評估電晶體440d導通而主動下挽位址線4726至低電壓位準。位址5電晶體454a及454b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線410^位址5電晶體454a之汲極-源極路徑於一側係電輕接至位址線472a，而於另一側係電輕接至評估線 15 476e。位址5電晶體M4b之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472f，而於另一側係電耦接至評估線47&。當位址評估電晶體440e藉高電壓位準評估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線41 〇e之高位準移位暫存器輸出信號S05導通位址5電晶體45知及45仆。位址5電晶體45知及位 2〇址砰估電晶體44如導通而主動下挽位址線472a至低電壓位準。位址5電晶體454b及位址評估電晶體44〇e導通而主動下挽位址線472f至低電壓位準。位址6電晶體456a及456b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線41〇卜位址6電晶體456a之及極源極路徑於一側係 39 1337580 電耗接至位址線472a ’而於另-側係電耗接至評估線 476f。位址6電晶體456b之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472g，而於另一側係電耦接至評估線47酐。當位址评估電晶體440f藉高電壓位準評估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線410f之高位準移位暫存器輸出信號 S06導通位址6電晶體456a及456b。位址6電晶體456a及位址評估電晶體440f導通而主動下挽位址線472&至低電壓位準。位址6電晶體456b及位址評估電晶體44〇f導通而主動下挽位址線472g至低電壓位準。 10 15 位址7電sb體458a及458b之閘極係電耗接至移位暫存器輸出線410g。位址7電晶體458a之汲極-源極路徑於—側係電耗接至位址線472b ’而於另一側係電柄接至評估線 476g。位址7電晶體458b之沒極-源極路徑於一側係電麵接至位址線472c，而於另一側係電耦接至評估線竹化。當位址評估電晶體440g藉高電壓位準評估信號levAL所導通時，於移位暫存器輸出線410g之高位準移位暫存器輸出信 20 號S07導通位址7電晶體458a及458b。位址7電晶體458a及位址評估電晶體440g導通而主動下挽位址線472b至低電壓位準。位址7電晶體45 8 b及位址評估電晶體4 4 〇 g導通而主動下挽位址線472c至低電壓位準。位址8電晶體460a及460b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線41 Oh。位址8電晶體460a之〉及極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472b ’而於另一側係電耗接至評估線 4761^位址8電晶體460b之及極-源極路徑於一側係電耗接 40 至位址線472d，而於另一側係電耦接至評估線47讣。當位址評估電晶體440h藉尚電壓位準評估信號LEVAL所導通時’於移位暫存器輸出線41 Oh之高位準移位暫存器輸出信號S08導通位址8電晶體460a及460b。位址8電晶體460a及位址評估電晶體440h導通而主動下挽位址線472b至低電壓位準。位址8電晶體460b及位址評估電晶體44〇h導通而主動下挽位址線472d至低電壓位準。位址9電晶體462a及462b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線4ΙΟι。位址9電晶體462a之汲極-源極路徑於一側係電麵接至位址線472b ’而於另一側係電编接至評估線 476i。位址9電晶體4621>之 >及極-源極路徑於一侧係電耗接至位址線472e，而於另一側係電耦接至評估線476卜當位址評估電晶體44〇i藉高電壓位準評估信號LEVALm導通時，於移位暫存器輸出線410ι之高位準移位暫存器輸出信號s〇9 導通位址9電晶體462a及462b。位址9電晶體462a及位址評估電晶體440i導通而主動下挽位址線472b至低電壓位準。位址9電晶體462b及位址評估電晶體44〇丨導通而主動下挽位址線472e至低電壓位準。位址10電晶體464a及464b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線410j。位址10電晶體464a之汲極-源極路徑於一侧係電耦接至位址線472b，而於另_側係電耦接至評估線 476j。位址1〇電晶體464b之〉及極-源極路徑於一側係電耗接至位址線472f，而於另一側係電耦接至評估線476】。當位址評估電晶體440j藉高電壓位準評估信號1£¥八1所導通時，於移位暫存器輸出線41Gj之高位準移位暫存器輸出信號 SO10導通位址10電晶體46知及4641)。位址10電晶體4643及位址評估電晶體440j導通而主動下挽位址線他至低電壓位準。位址10電晶體4641)及位址評估電晶體綱導通而主 5動下挽位址線472f至低電壓位準。位址11電晶體466a及466b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線41〇k。位址n電曰曰曰體466a之及極源極路徑於一側係電耗接至位址線472b，而於另—側係電_至評估線 476k。位址1丨電晶體466b之汲極源極路徑於一側係電耦接 1〇至位址線472g，而於另-側係電輕接至評估線47队。當位址β估電晶體44Gk藉高電壓位準評估信號LEVAL所導通時，於移位暫存器輸出線糧之高位準移位暫存器輸出信號SOI 1導通位址！ i電晶體她及佩。位址i i電晶體及位址評估電晶體概導通Μ動下挽他線他至低電 Μ壓位準Μ立址U電晶體466b及位址評估電晶體概導通而主動下挽位址線472g至低電壓位準。位址12電晶體468a&468b之閘極係電耦接至移位暫存器輸出線4]〇1。位址12電晶體468a之沒極_源極路徑於一側係電柄接至位址線他，而於另—側係㈣接至評估線 20 Μ立址12電晶體獅之沒極-源極路經於一側係電轉接至位址線472d，而於另一側係電搞接至評估線4761。當位址評估電晶體44G1藉高電壓位準評估信號LEVAL所導通時’於移位暫存器輸出線4101之高位準移位暫存器輸出信號S〇12導通位址12電晶體4683及娜。位址12電晶體偏a 42 1337580 及位址評估電晶體4401導通而主動下挽位址線47 2c至低電壓位準。位址12電晶體468b及位址評估電晶體44〇1導通而主動下挽位址線472d至低電壓位準。位址13電晶體470a及470b之閘極係電耦接至移位暫存 5器輸出線410 m。位址13電晶體470a之汲極-源極路徑於一側係電耦接至位址線472c，而於另一側係電耦接至評估線 476m位址13電晶體470b之淡極-源極路徑於一側係電柄接至位址線472e，而於另一側係電耦接至評估線476m。當位址評估電晶體440m藉高電壓位準評估信號LEVAL所導通 10時，於移位暫存器輸出線41 Om之高位準移位暫存器輸出信號S〇 13導通位址13電晶體47〇a及470b。位址丨3電晶體470a 及位址評估電晶體440m導通而主動下挽位址線47仏至低電壓位準。位址13電晶體470b及位址評估電晶體44〇m導通而主動下挽位址線472e至低電壓位準。 15 移位暫存器402將單一高電壓位準輸出信號由一移位暫存器輸出信號線410a-410m之移至次一移位暫存器輸出信號線41 Oa-41 Om。移位暫存器402接收於控制線43〇之控制 L號CSYNC之一控制脈波、以及一串列來自時序信號 T1-T4之時序脈波而將所接收得之控制脈波移位至移位暫 2〇存器402。響應於此，移位暫存器402提供單一高電壓位準移位暫存器輸出6號SO 1或s〇 13。全部其它移位暫存器輸出4號SO 1 -SO 13皆係以低電壓位準提供。移位暫存器々ο〗由時序信號T1-T4接收另一串列時序脈波，以及將單一高電壓位準輸出信號由一移位暫存器輸出信號s〇l s〇13移至 43 _人-移位暫存器輸出信號S0I-S013，❿全部其它移位暫存洛輸出仏號S01-S013皆係以低電磨位準提供。移位暫存器〇2接收重複串列之時序脈波’響應於各_列之時序脈波，移位暫存器術移位單一高電壓位準輸出信號，來提供一串歹J夕達13南電壓位準移位暫存器輸出信號5〇1_灿3。各個间電壓位準移位暫存器輸出信號s〇1_s〇]3導通兩個位址電曰曰體對446、448、...470來提供位址信號〜a卜〜A2. 〜A7 給發射單元120。位址信號〜A卜〜A2·.·〜A7係於13位址時槽提供，該13時槽係對應於13移位暫存器輸出信號 10 S01-S013。另一具體例中，移位暫存器4〇2可包括任何適當數目之移位暫存器輸出信號(諸如Μ信號）來以任何適當數目之位址時槽（諸如14位址時槽）提供位址信號〜ai、〜A2.·,〜A7。移位暫存器402係經由方向信號線4〇8接收得自方向電 15路404之方向信號。方向信號設定於移位暫存器·之移位方向。移位暫存器402可設定來於正向移位高電壓位準輸出 k號由移位暫存器輸出信號s 〇丨至移位暫存器輸出信號 S〇13 ;或於反向移位高電壓位準輸出信號由移位暫存器輸出信號S013至移位暫存器輸出信號8〇1。 20 於正向，移位暫存器4〇2接收於控制信號CSYNC之控制脈波，以及提供高電壓位準移位暫存器輸出信號SC)l。全部其它移位暫存器輸出信號S02-S013皆於低電壓位準提供。移位暫存器402接收次一串列之時序脈波，且提供高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇2，而全部其它移位暫存器輸 44 1337580

出信號SOI及S03-S013皆係於低電壓位準提供。移位暫存器402接收次一串列之時序脈波，且提供高電壓位準移位暫存器輸出信號S03，而全部其它移位暫存器輸出信號s〇卜 S02及S04-S013皆係於低電壓位準提供。移位暫存器4〇2 5繼續響應於各串列時序脈波移位高位準輸出信號，直至且包含提供一高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇13，全部其匕移位暫存器輸出信號SO 1 -SO 12皆係於低電壓位準提供。於提供高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇13後，移位暫存盗402接收次一串列時序脈波，且對全部移位暫存器輸 10出信號sol-s〇i3提供低電壓位準信號。於控制信號CSYNC 之另一控制脈波係用來起始或初始化移位暫存器4〇2於正向方向移位該等高電壓位準輸出信號串列由移位暫存器輸出信號S01至移位暫存器輸出信號5〇13。於反向，移位暫存器402接收於控制信號之控 15制脈波，以及提供高電壓位準移位暫存器輸出信號S0I3。全部其它移位暫存器輸出信號S01-S012皆於低電壓位準提供。移位暫存器402接收次一串列之時序脈波，且提供高電壓位準移位暫存器輸出信號S012,而全部其它移位暫存益輸出信號S01-S0U及S〇i3皆係於低電壓位準提供。移位暫存器4G2接收_欠—串列之時序脈波，且提供高電壓位準移位暫存器輸出信號son，而全部其它移位暫存器輸出信號 S〇1'S〇1〇、S012及S013皆係於低電壓位準提供。移位暫存器402繼續響應於各串列時序脈波移位高位準輸出信唬，直至且包含提供一高電壓位準移位暫存器輸出信號 45 1337580 so卜全部其它移位暫存器輸出信號s〇2s〇i3皆係於低電懸準提供。於提供高電壓位準移位暫存緒出信號s⑴ 後’移位暫存器402接收次一串列時序脈波，且對全部移位 , 冑存益輸出信號·8013提供低電壓位準信號。於控制信 .5號CSYNC之另-控制脈波顧來起始或初始化移位暫存器術於反向方向移位該等高電壓位準輸出信號串列由移位暫存器輸出信號S013至移位暫存器輸出信號§〇卜 S向電路404經由方向信號線提供二方向信號。方向信號設定移位暫存器術之正/反移位方向。此外，方向 10信號也可用來由移位暫存器清除高電壓位準輸出信號。方向電路姻由時序信號T3_T6接收-重複串列之時序吖波此外方向電路4〇4於控制線43〇於控制信號 ^ 接收控制脈波。方向電路4〇4響應於接收到一與來自時序信 •號T4之時序脈波重合之控制脈波，而提供正向方向信號。】5正向方向信號設定移位暫存器4〇2而於正向由移位暫存器 % 輸出信號⑽1移位至移位暫存器輸出信號sou。方向電路 404響應於接收到-與得自時序信號刊之時序脈波重合之控制脈波’而提供反向方向信號。反向方向信號設定移位暫存器402於反向’由移位暫存器輸出信號s〇u移位至移位 20暫存器輸出信號SCM。響應於方向電路4〇4接收到與得自時序信號T4之時序脈波及得自時序信號刊之時序脈波重合之控制脈波，方向電路404提供方向信號其清除移位暫存器·。邏輯陣列406於移位暫存器輸出信號線4⑽! 〇m接收移位暫存器輸出信號S〇1_s〇13，以及由時序信號線w、 46 1337580 422及436之時序信號T3-T5接收時序脈波。響應於移位暫存器輸出信號SO卜S013之單一高電壓位準輸出信號、及得自時序信號T3-T5之時序脈波，邏輯陣列406提供7位址信號〜A1、〜A2…〜A7中之二低電壓位準位址信號。 5 邏輯陣列406接收一得自時序信號T3之時序脈波，該時

序脈波導通評估阻止電晶體442a，將評估信號線474下挽至低電壓位準，以及截斷位址評估電晶體440。此外，得自時序信號T3之時序脈波經由位址線預充電電晶體438而將位址線472a-472g充電至高電壓位準。一具體例中，得自時序 10 信號T3之時序脈波由得自時序信號T4之時序脈波替代來經由位址線預充電電晶體438將位址線472a-472g充電至高電壓位準。得自時序信號T4之時序脈波導通評估阻止電晶體 442b ’將評估信號線474下挽至低電壓位準，以及截斷位址 15評估電晶體44〇。移位暫存器輸出信號S01-S013於得自時序信號T4之時序脈波期間沉降來生效輸出信號。於移位暫存器輸出信號S01-S013之單一高電壓位準輸出信號提供給於邏輯陣列406之位址電晶體對446、448、…470之閘極。得自時序信號T5之時序脈波將評估信號線474充電至高電 20壓位準，來導通位址評估電晶體440。當位址評估電晶體440 被導通時’接收該高電壓位準移位暫存器輸出信號 S01-S013之邏輯陣列4〇6之位址電晶體對446、448、…或 470被導通而放電對應位址線472。對應位址線472經由導通之位址電晶體對446'448、...470及導通之位址評估電晶體440 47 1337580 而被主動挽低。其它位址線472仍維持充電至高電壓位準。邏輯陣列406於各個位址時槽提供7位址信號〜A1、〜A2…〜A7中之二低電壓位準位址信號。若移位暫存器輸出信號SOI係於高電壓位準’則位址1電晶體446a及446b導通 5而將位址線472a及472b下挽至低電壓位準，以及提供活性低位址信號〜A1及〜A2。若移位暫存器輸出信號5〇2係於高電壓位準’則位址2電晶體448a及448b導通而將位址線472a 及472c下挽至低電壓位準，以及提供活性低位址信號〜A! 及〜A3。若移位暫存器輸出信號s〇3係於高電壓位準，則位 1〇址3電晶體45〇a及450b導通而將位址線472a及472d下挽至低電壓位準，以及提供活性低位址信號〜A1及〜八4等等適用於各個移位暫存器輸出信號s〇4_s〇13。對應移位暫存器輸出七號S01-S013之13位址時槽各自之位址信號〜幻、〜A2..，〜A7列舉於下表·

48 1337580 另一具體例中，邏輯陣列406可對13位址時槽各自提供活性位址信號〜A1、〜A2·.·〜A7且列舉於下表: 位址時槽活性位址信號 1 〜A1及〜A3 2 〜A1及〜A4 3 〜八1及~八5 4 〜A1及〜A6 5 〜A2及〜A4 6 〜A2及〜A5 7 〜A2及〜A6 8 〜A2及〜A7 9 〜A3及〜A5 10 〜A3及〜A6 11 〜A3及〜A7 12 〜A4及〜A6 13 〜A4及〜A7

此外，其它具體例中，邏輯陣列406包括位址電晶體，其對高電壓位準輸出信號S01-S013各自提供任何適當數 5 目之低電壓位準位址信號〜A1、〜A2..•〜A7，且呈任何適當

順序之低電壓位準位址信號〜A1、〜A2...〜A7。例如可經由適當定位各個電晶體對446、448、...470來放電任二期望位址線472a-g而執行。此外，其它具體例中，邏輯陣列406可包括任何適當數 10 目之位址線來提供任何適當數目之位址信號於任何適當數目之位址時槽。操作時，由時序信號T1-T6提供重複串列之6時序脈波。各個時序信號T1-T6提供各串列6個時序脈波中之一個時序脈波。得自時序信號T1之時序脈波接著為得自時序信 49 '1337580 15

20 號T2之時序脈波，接著為得自時序信號T3之時序脈波，接著為得自時序信號Τ4之時序脈波，接著為得自時序信號丁5 之時序脈波，接著為得自時序信號Τ6之時序脈波。該串列6 個時序脈波係以6時序脈波之重複串列而重複。於一串列6時序脈波中，方向電路404接收一得自時序信號Τ3之時序脈波於第四預充電信號PRE4。於第四預充電信號PRE4之該時序脈波充電方向線408中之第一者至高電壓位準。方向電路404接收得自時序信號Τ4之降低電壓位準之時序脈波於第四評估信號EVAL4。若方向電路404接收於控制信號CSYNC之一控制脈波係與第四評估信號EVAL4重合（同時），則方向電路404放電第一方向線408。若方向電路 404接收低電壓位準控制信號CSYNC而與第四評估信號 EVAL4之時序脈波重合，則第一方向線408維持充電至高電壓位準。其次’方向電路404接收一得自時序信號Τ5之時序脈波於第三預充電信號PRE3。於第三預充電信號PRE3之該時序脈波充電方向線408中之第二者。方向電路404接收得自時序信號Τ6之降低電壓位準之時序脈波於第三評估信號 EVAL3。若方向電路404接收於控制信號CSYNC之一控制脈波係與第三評估信號EVAL3重合，則方向電路404放電第二方向線408至低電壓位準。若方向電路404接收低電壓位準控制信號CSYNC而與第三評估信號EVAL3之時序脈波重合，則第二方向線408維持充電至高電壓位準。若第一方向線408被放電至低電壓位準，而第二方向線 50 1337580 408維持於高電壓位準，則第一方向線4〇8及第二方向線4的之信號位準設定移位暫存器4〇2於正向移位。若第一方向綠 408維持於高電壓位準，而第二方向線顿故電至低電壓位準，則方向線408之信號位準設定移位暫存器4〇2於反向移 5位。若第一及第二方向線408皆放電至低電壓位準，則阻止移位暫存器402提供高電壓位準移位暫存器輸出信蜆 S01-S013。方向線408之方向信號係於各串列6時序脈波期間設定。

開始時，於一串列6時序脈波設定方向，於次一串歹忉 10時序脈波移位暫存器402被初始化。為了初始化移位暫存器 402，移位暫存器402接收來自時序信號τι之時序脈波於第一預充電信號PRE1。第一預充電信號pRE1i時序脈波預充電13移位暫存器單元（顯示於403a-403m)各自之内部節點。移位暫存器402接收來自時序信號T2之降低電壓位準時序 15脈波於第一評估信號EVAL1。若控制信號CSYNC之控制脈波由移位暫存器4〇2接收而與第一評估信號EVAL丨之時序脈波重合，則移位暫存器4〇2放電13移位暫存器單元之一之内部節點’來於放電後之内部節點提供低電壓位準。若控制k號CSYNC維持於低電壓位準，且與於第一評估信號 20 EVAL1之時序脈波重合，則13移位暫存器單元各自之内部卽點維持於高電壓位準。移位暫存器402由時序信號T3接收一時序脈波於第二預充電信號PRE2。於第二預充電信號PRE2之時序脈波預充電13移位暫存器輸出線410a-410m之各輸出線，來提供高電 51 1337580 壓位準移位暫存器輸出信號sol_sol3。移位暫存器術由時序信號T4接收降低電壓位準之時序脈波於第二評估作號 EVAL2。若純暫㈣單元4G3之㈣節點係於低電壓位準，例如，由控制信號CSYNC接收控制脈波重合第一評估 5信號EVAL1之時序脈波後’移位暫存器術維持移位暫存器輸出信號S01-S013於高電壓位準。若移位暫存器單元彻之内部節點係於高電壓位準，諸如全部其它移位暫存器單元403之電壓位準，則移位暫存器4〇2放電移位暫存器輸出線410a-410m來提供低電壓位準移位暫存器輸出信號 10 S01-S013。移位暫存器402於-串列6時序脈波初始化。移位暫存器輸出信號S01-S⑴3於第二評估信號聊口之得自時序信號T4之時序脈波關維持有效，且料有效直到次-串列6時序脈波之得自時序信號丁3之時序脈波為止。於隨後之各串列之6時序脈波，移位暫存器4〇2將高電壓位準 15移位暫存器輸出信號s〇l_sol3由一個移位暫存器單元4〇3 移位至下一個移位暫存器單元4〇3。邏輯陣列406接收移位暫存器輸出信號S01-S013。一具體例中，邏輯陣列406接收得自時序信號T3之時序脈波，來預充電位址線472，以及截斷位址評估電晶體44〇。一具 20體例中，邏輯陣列4〇6接收得自時序信號Τ3之時序脈波，來截斷位址评估電晶體440 ;以及接收得自時序信號Τ4之時序脈波’來預充電位址線472。當移位暫存器輸出信號S01-S013沉降而讓移位暫存器輸出k號S0I-S013生效時，邏輯陣列406接收得自時序 52 1337580 信號T4之時序脈波來截斷位址評估電晶體44〇。若移位暫存器402經初始化，則於得自時序信號Τ4之時序脈波後，一個移位暫存器輸出信號S01-S013維持於高電壓位準。邏輯陣列406接收得自時序信號Τ5之時序脈波，來充電評估信號線 5 474及導通位址評估電晶體44〇。位址電晶體對446、 448、"·470接收高電壓位準移位暫存器輸出信號 S01-S013 ’位址電晶體對446、448、...470被導通而將7位址線472a-472g中之二位址線下挽至低電壓位準。於位址信號〜A1 '〜A2…〜A7之二低電壓位準位址信號用來致能發射 10單元120及發射單元子群供激活。於得自時序信號T5之時序脈波期間，位址信號〜A1、〜A2··.〜A7變有效，且維持有效直到次一串列6時序脈波之得自時序信號T3之時序脈波為止0 若移位暫存器402未初始化，則全部移位暫存器輸出線 15 41〇皆放電，來提供低電壓位準移位暫存器輪出信號

S01-S013。低電壓位準移位暫存器輸出信號S01-S013截斷位址電晶體對446、448、...470 ;位址線472維持充電來提供西電壓位準位址信號〜A1、〜A2...~A7。高電壓位準位址信號〜A1、〜A2...〜A7阻止發射單元120及發射單元子群被致 2〇能而激活。雖然第9圖說明位址電路之一具體例’但可利用其它採用不同邏輯元件及組成元件之具體例。舉例言之，可利用接收前文說明之輸入信號(如信號T1-T6)以及提供位址信號〜A1、〜A2...〜A7之控制器。 53 第ΙΟΑϋ為略圖，顯示於移位暫存器搬之一移位暫存器單7L 403a。移位暫存器4〇2包括13移位暫存器單元 4〇3a_4〇3m其提供η移位暫存器輸出信號s〇^s〇i3。各個移位暫存器單元4G3a-4G3m提供移位暫存器輸出信號 S01-S013之一，且各個移位暫存器單元4〇3a 4〇3m係類似移位暫存器單元4G3a。13移位暫存器單元4G3係串聯電柄接’來提供於正向及反向之移位。其它具體射，移位暫存器402包括任何適當數目之移位暫存器單元糊來提供任何適當數目之移位暫存器輸出信號。移位暫存H單元4G3a包括-第n其為輸入階段，以虛線指示於及包括-第二階段其為輸出階段以虛線指示於502。第一階段500包括一第一預充電電晶體5〇4、一第一評估電晶體506、一正向輸入電晶體5〇8、一反向輸入電晶體510、一正向方向電晶體512及一反向方向電晶體 514 ^第二階段5〇2包括一第二預充電電晶體516、一第二評估電晶體518、及一内部節點電晶體no。於第一階段500 ’第一預充電電晶體5〇4之閘極及汲極_ 源極路徑之一側係電耦接至時序信號線432。時序信號線 432提供時序信號T1給移位暫存器4〇2作為第一預充電信號 PRE1。第一預充電電晶體π#之没極_源極路徑之另一側係經由内部節點522電耦接至第一評估電晶體5 〇 6之汲極_源極路徑之一側及内部節點電晶體s2〇之閘極。該内部節點 522提供階段500與階段5〇2間之移位暫存器内部節點信號 SN1給内部節點電晶體52〇之閘極。第一評估電晶體506之閘極係電耗接至第一評估信號線420。第一評估信號線42〇提供降低電壓位準之η時序信號給移位暫存器402作為第-評估信號阶以。第—評估^ 晶體506之汲極_源極路徑之另一側係經由内部路徑$ 5電輕接至正向輸入電晶體5〇8之沒極·源極路徑之—側、及反向輸入電晶體5〗〇之汲極_源極路徑之另一側。正向輸入電晶體5 〇 8之汲極_源極路徑之另—側係於 526電耗接至正向方向電晶體512之没極_源極路徑之一側；以及反向輸入電晶體51〇之沒極_源極路徑之另_側係 1〇於528電麵接至反向方向電晶體514之沒極_源極路徑之一側。正向方向電晶體512及反向方向電晶體514之沒極·源極路徑係於530電耦接至參考電位(例如接地）。正向方向電晶體512之閘極係電輕接至方向線術a，其接收來自方向電路404之正向方向信號dirf。反向方向電晶 15體514之閘極係電_至方向線働，其接收來自方向電路 404之反向方向信號DIRR。於第二階段502，第二預充電電晶體516之閘極及沒極_ 源極路徑之一側係電麵接至時序信號線434。時序信號線 434提供時序信號丁3給移位暫存器4〇2作為第二預充電信號 20 PRE2。第二預充電電晶體516之没極源極路徑之另一側係電耗接至第二評估電晶體518之及極-源極路徑之一側，以及電柄接至移位暫存器輸出線她。第二評估電晶體518之及極-源極路徑之另—側係於53 2電麵接至内部節點電晶體 520之及極-源極路徑之一側。第二評估電晶體训之問極係 55 電輕接至第二評估信號線424，來提供降低電壓位準之丁 4 時序信號給移位暫存作為第二評估信號EVAL2。内部節點電晶體520之間極係電_至内部節點522 : 内部節點電晶體520之沒極-源極路徑之另一側係於別電耗接至參考電位’諸如地電位1部節點電晶體520之問極包括電容於536來錯存移位暫存器單元内部節點信號训。移位暫存諸出《、㈣〇跑括—電容於別來儲存移位暫存器輸出信號SOI。於-串列Π移位暫存器單元4〇3之各個移位暫存器單元4〇3a-4〇3_類似移位暫存器單元4咖。於各個移位暫存器單元403a-403m之正向方向電晶體之閘極係電輕接至控制線430或移位暫存器輸出線她·之一，來於正向方向移位。於各個移位暫存器單元4〇3a 4〇3m之反向方向電晶體51〇之閘極係電耗接至控制線43〇或移位暫存器輸出線 410b-41()m之—來於反向移位。移位暫存器輸出信號線彻係電耗接至-個正向方向電晶體5〇8及一個反向方向電晶體10 1_移位暫存器輸出信號線4l〇a及移位暫存器輸出信號線410m除外。移位暫存器輸出信號線她係電麵接於移位暫存器單元4〇3b之正向方向電晶體5〇8，但未電耗接至反向方向電晶體510。移位暫存器輸出信號線41〇m係電轉接至移位暫存器單元4〇3丨之反向方向電晶體训，但未電輕接至正向方向電晶體508。 §移位暫存器402係於正向方向移位時，移位暫存器單兀403a為該串列13移位暫存器4〇3之第一移位暫存器4们。移位暫存器單元403a之正向輸入電晶體508之閘極係電耦接至控制信號線430來接收控制信號CSYNC。第二移位暫存态單元403b包括正向輸入電晶體之閘極電耦接至移位暫存器輪出線410a來接收移位暫存器輸出信號5〇丨。第三移位暫 5存器單元403(；包括正向輸入電晶體之閘極電耦接至移位暫存器輸出線41 Ob來接收移位暫存器輸出信號s〇2。第四移位暫存器單元4〇3d包括正向輸入電晶體之閘極電耦接至移位暫存器輸出線410c來接收移位暫存器輸出信號$〇3。第五移位暫存器單元4〇3e包括正向輸入電晶體之閘極電轉接至移 10位暫存器輸*線410d來接收移位暫存器輸出信號s〇4。第六移位暫存器單元4阶包括正向輸入電晶體之問極電耗接至移位暫存諸㈣彳⑽來接收移位暫存諸丨信號犯5。第七移位暫存器單元4〇3g包括正向輸入電晶體之閑極電輕接至移位暫存器輸出線41〇f來接收移位暫存器輸出信號 b S〇6。第八移位暫存器單元娜包括正向輸入電晶體之閉極電耗接至移位暫存器輸出線41〇g來接收移位暫存器輸出信第九移位暫存器單元4〇3i包括正向輸人電晶體之閉極電輕接至移位暫存器輸出線410h來接收移位暫存器輸出信號S〇8。第切位暫存器單元彻把括正向輸人電晶體之 2〇閑極電耗接至移位暫存器輸出線·來接收移位暫存器輸出k號S09。第十—移位暫存器單元缝包括正向輸入電晶體之間極電耗接至移位暫存器輸出線4叫來接收移位暫存器輸^信號SOU)。第十二移位暫存器單元侧包括正向輸入電日日體之閘極電純至移位暫存器輸出線4·來接收移 57 丄 ίο 15

20 位=器輪出信號咖。第十三移位暫存器單元—包括正向輸人電«之祕_接至移位暫存器輸出線侧來接收移位暫存器輸出信號S012。當移位暫存器402於反向移位時，移位暫存器單元4〇3a 刷列13移位暫存器單元4〇3之最末一個移位暫存器單疋彻。於移位暫存器單元·a之反向輸人電晶體训之問極係_接至前-個移位暫衫輸出線侧來接收移位暫存器輸出信號S02。移位暫存器單元概包括反向輸入電晶體之開極_接至隸暫存㈣出線她，來接收移位暫存器輸出信號S03。移位暫存器單元微包括反向輸入電晶體,閘極電Μ接至移位暫存器輸出線侧，來接收移位暫存器輸出信號S〇4。移位暫存器單元4G3d包括反向輸入電晶體^極_接至移位暫存器輸出線條，來接收移位暫存器輸出信號S05。移位暫存器單元·跑括反向輸入電晶體之閘極找接至移位暫存器輸出線镶，來接收移位暫存器輸出信號S06。移位暫存器單元喔包括反向輸入電晶體之閘極電Μ接至移位暫存器輸出線41Qg，來接收移位暫存器輸出信號S07。移位暫存器單元㈣包括反向輸入電晶體之閘極電墟至移位暫存器輸出線键，來接收移位暫存器輸出信號S08。移位暫存器單元輸包括反向輸入電晶體之閘極電Μ接至移位暫存器輸出線柳，來接收移位暫存器輸出信號S09。移位暫存器單元侧包括反向輸入電晶體之閘極電紐至移位暫存器輸出線4 (〇j ’來接收移位暫存器輸出信號SO10。移位暫存器單元例包括反向輸入電 58 晶體之閘極電麟至移位暫存器輸出線4職，來接收移位暫存器輸出信號son。移位暫存器單元彻故括反向輸入電晶體之開極電耦接至移位暫存器輸出線410丨，來接收移位暫存器輸出信號S012。移位暫存器單元侧包括反向輸 5入電晶體之閘極電Μ接至移位暫存器輸出線41Gm，來接收移位暫存器輸出信號S⑴3。移位暫存器單元4〇3〇1包括反向輸入電晶體之閘極電耦接至控制信號線4 3 〇來接收控制信號CSYNC。移位暫存器輸出線4i〇a_4i〇m&電耗接至邏輯陣列406。 1〇移位暫存器402接收控制信號CSYNC之控制脈波，以及提供單-高電壓位準輸出信號。如前文說明及容後詳述，響應方向信號DIRF及DIRR設定移位暫存器4〇2之移位方向，方向信號DIRF及DIRR係於時序信號丁3_丁6之時序脈波期間，基於控制信號線43〇之控制信號CSYNC而產生。若 15移位暫存器402係於正向移位，響應於控制脈波及時序信號 T1-T4之時序脈波，移位暫存器4〇2設定移位暫存器輸出線 410a及移位暫存器輸出信號s〇1為高電壓位準。若移位暫存器402係於反向移位，響應於控制脈波及時序信號丁卜丁斗之時序脈波’移位暫存器402設定移位暫存器輸出線4]〇〇1及移 20位暫存輸出信號S〇13為高電壓位準。高電壓位準輸出信號SOI或S013係響應於時序信號T1_T4之時序脈波，而經由移位暫存器402，由一個移位暫存器單元4〇3移至下一個移位暫存器單元403。使用兩次預充電操作、及兩次評估操作，移位暫存器 59 402於控制脈波移位，以及移位單一高位準輸出信號由一個移位暫存1§單元403移至下—個移位暫存器單元4〇3。各個移位暫存ϋ單元4G3之第-卩皆段獅接收正向方向信號及反向方向信號DIRR。此外，各個移位暫存器4〇2之第一階段500接收正向移位暫存器輸入信號SIF及反向移位暫存器輸入信號SIR。當於時序信號丁丨_丁4之時序脈波被接收時，於移位暫存器402之全部移位暫存器單元4〇3皆設定為於同向且同時移位。各個移位暫存器單元4〇3之第一階段5〇〇係於正向移位暫存器輸入k號SIF移位，或於反向移位暫存器輸入信號 SIR移位。所選定之移位暫存器輸八信號SIF或SIR之高電魘位準或低電壓位準提供作為移位暫存器輸出信號 SO 1 -SO 13。各個移位暫存器單元4〇3之第一階段5〇〇係於得自時序號T1之時序脈波期間預充電内部節點522 ;以及於知·自時序彳§號Τ2之時序脈波期間評佑該經選定之移位暫存器輸入信號SIF或SIR。各個移位暫存器單元4〇3之第二階段 502係於得自時序信號T3之時序脈波期間預充電移位暫存器輸出線410a-410m;以及於得自時序信號丁4之時序脈波期間評估内部節點信號SN(如SN1)。方向信號DIRF及DIRR設定移位暫存器單元4〇3a、及移位暫存器402之全部其它移位暫存器單元4〇3之移位之正/ 反方向。若正向方向信號DIRF係於高電壓位準及反向方向 k號DIRR係於低電壓位準，則移位暫存器4〇2係於正向移位β若反向方向信號DIRR係於高電壓位準及正向方向信號 1337580 DIRF係於低電塵位準，則移位暫存器4〇2係於反向移位。若二方向信號D1RF及DIRR皆係於低電壓位準，則移位暫存器 402未於任何方向移位，全部移位暫存器輸出信號 S01-S013皆被清除至無活性之低電歷位準。 5 移位暫存器單元403a於正向方向操作時，正向方向信

號DIRF被設定於高電壓位準，及反向方向信號dirr被設定為低電壓位準〃高電壓位準正向方向信號DIRF導通正向方向電晶體512 ’低電壓位準反向方向信號dirr截斷反向方向電晶體514。得自時序信號T1之時序脈波於第一預充電信 10號15^^〗提供給移位暫存器402，來經由第一預充電電晶體 504充電内部節點522至高電壓位準。其次，得自時序信號 Τ 2之時序脈波提供給電阻器劃分網路412，降低電壓位準T 2 時序脈波於第一評估信號EV A L1提供給移位暫存器4 〇 2。於第一評估信號EVAL丨之時序脈波導通第一評估電晶體 15 5〇6。若正向移位暫存器輸入信號SIF係於高電壓位準，則正向輸入電晶體508被導通；正向方向電晶體512已經被導通内°卩節點522放電來提供低電壓位準内部節點信號 SN卜内部節點522係經由第一評估電晶體邓“正向輸入電晶體5〇8及正向方向電晶體512放m向移位暫存器輸 20入信號S1F係於低電壓位準，則正向輸入電晶體5〇8被截斷。以及内部即點522維持充電來提供高電壓位準内部節點 USN1。反向移位暫存器輸入信號⑽控制反向輸入電晶體510。但反向方向電晶體514被戴斷，讓内部節點522無法經由反向輸入電晶體510而放電。 61 1337580 於内部節點522之内部節點信號SN丨控制内部節點電晶體5 20。低電壓位準内部節點信號s N!截斷内部節點電晶體520 ’高電壓位準内部節點信號sm導通内部節點電晶體 520 〇 5 得自時序信號T3之時序脈波提供給移位暫存器402作為第二預充電信號PRE2。於第二預充電信號pRE2之時序脈波經由第二預充電電晶體训充電移位暫存器輸出線他至高電壓位準。其次’得自時序信號了4之時序脈波提供給電阻器劃分網路414 ’以及降低電壓位準之T4時序脈波提供 1〇給移位暫存器402作為第二評估信號EVAU。於第二評估信號EV A L 2之時序脈波導通第二評估電晶體5丨8。若内部節點電晶體520為截斷，則移位暫存器輸出線41如維持充電至高電壓位準。若内部節點電晶體520為導通，則移位暫存器輸出線410a放電至低電壓位準。移位暫存器輸出信號5〇丨為内 15部節點信號SNI之高7低反相，而内部節點信號SNI為正向移位暫存器輸入信號SIF之高/低反相。正向移位暫存器輸入信號SIF之位準移位至移位暫存器輸出信號s〇1。於移位暫存器單元403a ,正向移位暫存器輸Λ信號s[F 為控制線430之控制信號CSYNCe為了放電内部節點至 20低電壓位準，於控制信號CSYNC之控制脈波係於第一評估信號EVAU之時序信號之同時而提供。與得自時序信號丁2 之時序脈波重合之該控制信號(：3¥]^：：之控制脈波，初始化移位暫存器402來於正向移位。移位暫存器單元4〇3a於反向移位操作時，正向方向传 62 1337580 號DIRF設定為低電壓位準，反向方向信號^尺尺設定為高電壓位準。低電壓位準正向方向信號DIRF截斷正向方向電晶體512，尚電壓位準反向方向信號DIRR導通反向方向電晶體514。得自時序信號τ】之時序脈波於第一預充電信號 5 PRE1提供’來經由第一預充電電晶體504，充電内部節點 522至尚電壓位準。其次’得自時序信號丁2之時序脈波提供給電阻補分網路412’降低電壓位準之η時序脈波係於第一#估6號EVAL1提供。於第一評估信號EVAUi時序脈波導通第-評估電晶體5〇6。若反向移位暫存器輸入信號 10 SIR係於向電壓位準，則反向輸入電晶體5丨〇被導通，且反向方向電晶雜514已經被導通，故内部節點似被放電來提供低電壓位準内部節點信號sm。内部節點522係經由第一評估電晶體5G6、反向輸人電晶體51G、及反向方向電晶體 514放電。若反向移位暫存器輸入信號sir係於低電壓位 15準’則反向輸入電晶體510被載斷，以及内部節點522維持充電來提供高電壓位準内部節點信號讯卜正向移位暫存器輸入信號SIF控制正向輸入電晶體5〇8。但正向方向電晶體 512被截斷，故内部節點522無法經由正向輸入電晶體5〇8放電。 2〇得自時序信號丁3之時序脈波提供於第二預充電信號 PRE2。於第二預充電信號PRE2之時序脈波經由第二預充電電晶體516充電移位暫存器輸出線4i〇a至高電壓位準。其次’得自時序《Τ4之時序脈波提供給電阻器劃分網路 414’以及降低電壓位準之了4時序脈波提供於第二評估信號 63 ^L2。於第二評估信號EVAL&時序脈料通第二評估 =曰體518。若内部節點電晶體训為戴斷，則移位暫存器 ^線41Ga維持充電至高電壓位準。若内部節點電晶體似 =通’則純暫存器輸出線4咖放電至㈣壓位準。移立暫存器輸出信咖為内部節點信細1之高/低反相，而内部節點信號_為反向移位暫存器輪人信號sir之高/ =反相。反向移位暫存器輸人信號SIR之位準移位至移位暫存器輸出信號S〇i。於移位暫存器單W，反向移位暫存器輸人信號弧 1° :、移位器輪出線佩之移位暫存器輸出信號S02。於移子器單元4〇3m，反向移位暫存器輸入信號抓為控制線之控制b虎CSYNC。為了將移位暫存器單元柳⑺之内部節點522放電至低電壓位準，與第一評估信號祖比夺序脈波同時’提供控制脈波於控制信號csYNC。與得自 15時序信號丁 2之時序脈波重合之控制信號咖队之控制脈波初始化移位暫存器4〇2,來由移位暫存器單元他m於反向朝向移位暫存器單元403a移位。於β除移位暫存器單元4〇3a及移位暫存器4〇2之全部移位暫存器單元4〇3之操作巾，方向信肋IRF及D腿被設 20定為低電壓位準。低電壓位準正向方向信號mRF載斷正向方向電晶體512,低電壓位準反向彳向信號mRR截斷反向方向電晶體514。得自時序信號T1之時序脈波於第一預充電仏號PRE1提供來充電内部節點522，以及提供高電壓位準内部節點信號sm。得自時序信號丁2之時序脈波提供作為 64 1337580 第一評估信號EVAL1之降低電壓位準之T2時序脈波，來導通第一評估電晶體50ό。正向方向電晶體512及反向方向電晶體514被截斷，讓内部節點522不會經由正向輸入電晶體 508或反向輸入電晶體51〇放電。 5 高電壓位準内部節點信號SN1導通内部節點電晶體 520。得自時序信號ή之時序脈波於第二預充電信號pRE2 提供，來充電移位暫存器輸出信號線41〇a及全部移位暫存器輸出4號線410。其次，得自時序信號T4之時序脈波於第二評估信號EVAL2提供作為降低電壓位準以時序脈波，來 1〇導通第二評估電晶體518。移位暫存器輸出線410a經由第二評估電晶體518及内部節點電晶體52〇放電，來提供低電壓位準之移位暫存器輸出信號SOI。此外，全部其它移位暫存器輸出線410被放電來提供鈍性低電壓位準移位暫存器輸出信號S02-S013。

第10B圖為略圖說明方向電路4〇4。方向電路4〇4包括正向方向信號電路550及反向方向信號電路552。正向方向信號電路550包括第三預充電電晶體554、第三評估電晶體祝及第一控制電晶體558。反向方向信號電路552包括第四預充電電晶體560、第四評估電晶體562、及第二控制電晶體 564 〇第二預充電電晶體5 54之閘極及汲極_源極路徑之一側係電耦接至時序信號線436。時序信號線436提供時序信號 T5給方向電路4〇4作為第三預充電信號pRE3。第三預充^ 電晶體554之祕源極路徑之另-㈣經由方向信號線 65 1337580 408a電耦接至第三評估電晶體556之汲極源極路徑之一側。方向信號線4〇8a提供正向方向信號DIRF給於移位暫存器402之各個移位暫存器單元4〇3之正向方向電晶體之閘極，諸如移位暫存器單元4〇3a之正向方向電晶體5丨2之閘 5極。第二評估電晶體556之閘極係電耦接至第三評估信號線 428，其提供降低電壓位準之丁6時序信號給方向電路仙4。第三評估電晶體5 5 6之汲極-源極路徑之另一側係於5 6 6電耗接至控制電晶體558之>及極-源極路徑。控制電晶體Mg之汲極-源極路徑也於568電耦接至參考電位，如地電位。控制電晶體S584L閉極係電辑接至控制線㈣來接收控制信號 CSYNC。 ° 第四預充電電晶體560之閘極及汲極-源極路徑之一側係電耗接至時序信號線434。肖序信號線434提供時序信號丁3給方向電路404作為第四預充電信號PRE4。第四預充電 15電晶體5 60之沒極-源、極路徑之另一側係經由方向信號線 408b電耦接至第四評估電晶體562之汲極源極路徑之一側。方向信號線408b提供反向方向信號DIRR給於移位暫存器402之各個移位暫存器單元4〇3之反向方向電晶體之閘極，諸如移位暫存器單元她之反向方向電晶體514之問 2〇極帛四6平估電晶體562之閘極係電柄接至第四評估信號線 424，其提供降低電壓位準之Η時序信號給方向電路彻。第四-平估電晶體562之及極-源極路徑之另一側係於57〇電減至控制電⑽564之祕·源極職。㈣電晶體州之 /及極源極路;^也於572電_接至參考電位，如地電位。控 66 1337580 制電晶體564之閘極係電耦接至控制線43〇來接收控制信號 CSYNC。

方向信號DIRF及D1RR設定於移位暫存器4〇2之移位方向。若正向方向信號DIRF設定為高電壓位準而反向方向信 5號DIRR設定為低電壓位準，則正向方向電晶體諸如正向方向電晶體512被導通，而反向方向電晶體如反向方向電晶體 514被截斷◊移位暫存器402係於正向移位。若正向方向信號DIRF設定為低電壓位準而反向方向信號DIRR設定為高電壓位準，則正向方向電晶體諸如正向方向電晶體512被戴 10斷，而反向方向電晶體如反向方向電晶體514被導通。移位暫存器402係於反向移位。方向信號DIRF&DIRR係於得自時序信號T3-T6之各串列時序脈波期間，當移位暫存器4〇2 係於正向或反向主動移位時設定。為了結束移位暫存器4〇2 之移位或阻止移位暫存器402之移位，方向信號DiRF及 15 DIRR被设疋為低電壓位準。如此由移位暫存器輸出信號 S01-S013清除單一高電壓位準信號，讓全部移位暫存器輸出k號S01-S013皆係於低電壓位準。低電壓位準移位暫存器輸出號S01-S013戴斷全部位址電晶體對446、 448、…470 ’而位址信號〜A1、〜A2...〜A7維持於高電壓位 20 準，無法致能發射單元120。操作時，時序信號線434係於第四預充電信號PRE4提供得自時序信號T3之時序脈波給方向電路4〇4。於第四預充電信號PRE4之時序脈波充電反向方向信號線4〇8b至高電壓位準。得自時序信號T4之時序脈波提供給電阻器劃分網 67 路414，其於第四評估信號EVAL4提供降低電壓位準之τ4 時序脈波給方向電路404。於第四評估信號EVAL42時序脈波導通第四&平估電晶體562。若與於第四評估信號eval4之時序脈波k供給第四汗估電晶體562同時，得自控制作號 CSYNC之控制脈波^供給控制電晶體564之閘極，則反向方向信號線408b放電至低電壓位準。若當第四評估信號 EV A L 4之時序脈波提供給第四評估電晶體5 62時控制信號 CSYNC維持於低電壓位準，則反向方向信號線4〇扑維持充電至高電壓位準。時序信號線436係於第三預充電信號PRE3提供得自時序fs號T5之時序脈波給方向電路4〇4。於第三預充電信號 PRE3之時序脈波充電正向方向信號線4〇仏至高電壓位準。得自時序信號T6之時序脈波提供給電阻器劃分網路416，其於第三評估信號EVAL3提供降低電壓位準之T6時序脈波給方向電路404。於第三評估信號£¥八乙3之時序脈波導通第三評估電晶體556。若與於第三評估信號EVAU之時序脈波提供給第三評估電晶體556同時，得自控制信號(：：3¥\(：之控制脈波提供給控制電晶體558之閘極，則正向方向信號線4〇8a 放電至低電壓位準。若當第三評估信號EVAL3之時序脈波提供給第二評估電晶體556時控制信號CSYNC維持於低電壓位準，則正向方向信號線4〇8a维持充電至高電壓位準。第11圖為時程圖，說明位址產生器400於正向方向之操作時序h戒ΤΊ-Τ6提供一串列6重複脈波。各個時序信號 T1-T6提供於6脈波串列中之一個脈波。 1337580

於一串列6脈波中，於600之時序信號丁丨包括時序脈波 602，於604之時序信號T2包括時序脈波606，於608之時序信號T3包括時序脈波610，於612之時序信號T4包括時序脈波6丨4，於616之時序信號T5包括時序脈波618，以及於620 5之時序信號T6包括時序脈波622。控制信號CSYNC(標示於 624)包括控制脈波，控制脈波設定於移位暫存器402之移位方向，且初始化移位暫存器402來產生位址信號〜a 1、〜A2·..〜A7(標示於625)。時序信號T1之時序脈波602於第一預充電信號PRE1提 1 〇供（6〇〇)給移位暫存器402。於時序脈波602期間，於各個移位暫存器單元403a-403m之内部節點522充電來提供高電壓位準之内部節點信號SN1-SN13。全部移位暫存器之内部節點信號SN(標示於626)於628被設定為高電壓位準。高電壓位準内部節點信號SN 626導通於各個移位暫存器單元 15 403a_403m之内部節點電晶體520。本實施例中，於時序脈

波602之前，該串列6時序脈波已經被提供，移位暫存器4〇2 尚未被初始化，故全部移位暫存器輸出信號5〇(標示於63〇) 被放電至低電壓位準（標示於632)，全部位址信號〜幻、〜Α2·"〜A7(625)維持於高電壓位準（標示於633)。時序信號T2之時序脈波606於第一評估信號EVAL1於 604提供給移位暫存器402。時序脈波606導通於各個移位暫存器單元4〇3a-403m之第一評估電晶體5〇6。當控制信號 CSYNC 624維持於低電壓位準(634)，及全部移位暫存器輸出信號SO 630維持於低電壓位準(636)時，於各個移位暫存 69 1337580 益單7L403a-403m之正向輸入電晶體5〇8及反向輸入電晶體 510被截斷。非導通之正向輸人電晶體⑽及非導通之反向輸入電晶體5】0可阻止於各個移位暫存器單元他仙如之内4節點522被放電至低電壓位準。全部移位暫存器内部節 5點彳§號SN 626於638維持於高電壓位準。時序#號T3之時序脈波61〇於第二預充電信號pRE2，於608提供給移位暫存器402 ;於第四預充電信號pRE4提供給方向電路404,以及於邏輯陣列4〇6提供給定址線預充電電晶體438及評估阻止電晶體422a。於第二預充電信號pRE2 1〇之時序脈波61G關，全部移位暫存諸出信邮⑽〇皆於 640充電至高電壓位準。此外，於第四預充電信號腦之時序脈波610期間，反向方向信號DIRR 642於644充電至高電壓位準。此外，時序脈波610於646充電全部位址信號625 至高電壓位準，及於650導通評估阻止電晶體4瓜來將邏輯 15評估信號LEVAL 648下挽至低電壓位準。時序信號T4之時序脈波614於第二評估信號EVAL2，於 612提供給移位暫存器402，於第四評估信號£乂八匕4提供給方向電路404，以及於邏輯陣列406提供給評估阻止電晶體 442b。於第二評估信號EVAL2之時序脈波6】4導通於各個移 20位暫存器單元403a-403m之第二評估電晶體518。於高電壓位準之内部節點信號SN 626已經導通於各個移位暫存器單元4〇3a-403m之内部節點電晶體520，全部移位暫存器輸出信號SO 630於652放電至低電壓位準。此外，於第四評估信號EV A L4之時序脈波6】4導通第四評估電晶體5 62。控制俨 70 1337580 號CSYNC 624之控制脈波654導通控制電晶體564。第四評估電晶體562及控制電晶體564導通，方向信號DIRR 042放電至低電壓位準656。此外，時序脈波614導通評估阻止電晶體442b，來維持邏輯評估信號LEVAL 648於低電壓位準 5 658。低電壓位準邏輯評估信號LEVAl 648截斷位址評估電晶體440。

時序信號T5之時序脈波618(616)於第三預充電信號 PRE3提供給方向電路404，以及於邏輯陣列406提供給邏輯評估預充電電晶體444。於第三預充電信號PRE3之時序脈 10波618期間，正向方向信號DIRF 058充電至高電壓位準 660。高電壓位準正向方向信號DIRJ 658導通於各個移位暫存器單元4〇3a-403m之正向方向電晶體512，來設定移位暫存器402於正向方向移位。此外，於時序脈波618期間，邏輯評估信號LEVAL 648充電至高電壓位準662，其導通全部 15邏輯評估電晶體44〇。全部移位暫存器輸出信號SO 030於低電壓位準，全部位址電晶體對446、448、· 47〇被載斷，以及全部位址信號〜Α卜〜Α2...〜Α7於625維持於高電壓位準。得自時序信號T6之時序脈波622於620提供給方向電路 4〇4作為第三評估信號EVAL3。時序脈波622導通第三評估 20電晶體556。因控制信號CSYNC 624於664維持於低電壓位準故控制電晶體558截斷，以及正向方向信號dirf 658 維持円電壓位準。高電壓位準正向方向信號DIRF 658及低電壓位準反向方向信號DIRR 642設定各個移位暫存器單元 403a-403m於正向移位。 71 1337580 於次一串列之6時序脈波，時序脈波666充電全部内部節點L號SN 626至高電壓位準。時序脈波668導通於各個移位暫存态單元4〇3a-403m之第一評估電晶體5〇6。控制信號 SYNC 624於670提供控制脈波給於移位暫存器單元4〇3a 5之正向輸入電晶體508。正向方向電晶體512已經導通，移位暫存器單元4〇3a之内部節點信號SN1於672放電至低電壓位準。移位暫存器輸出信號S0 63〇於674係於低電壓位準， /、截斷於移位暫存器單元4〇3b-403m之正向輸入電晶體。正向輸入電晶體截斷之情況下，於移位暫存器單元彻b_4〇3m 10之全部其它内部節點信號S N 2 - S N13於6 76維持於高電壓位準。 15

於時序脈波678期間，全部移位暫存器輸出信號s〇 63〇皆於680充電至高電壓位準，反向方向信號DIRR 642於682 充電至高電壓位準。此外，於時序脈波678期間，全部位址 k號〜A卜〜A2·.·〜A7 625於684被充電至高電壓位準，邏輯砰估k號LEVAL 648於686被放電至低電壓位準。低電壓位準之邏輯評估信號LEVAL 648戴斷位址評估電晶體440，阻止位址電晶體對446、448' ...470將位址信號〜a卜〜A2…〜A7 625下挽至低電壓位準。於時序脈波688期間，移位暫存器輸出信號5〇2_5〇13 於690放電至低電壓位準。因内部節點信號SN1於672截斷移位暫存器單元403a之内部節點電晶體520，故移位暫存器輸出#號801於692維持於高電壓位準。此外，時序脈波688 導通第一 έ平估電晶體562，控制脈波694導通控制電晶體 72 1337580 564 ’來於696放電反向方向信號DIRR 642至低電壓位準。此外，時序脈波688導通評估阻止電晶體442b，來於698將邏輯評估信號LEVAL 648下挽至低電壓位準，且維持評估電晶體440為截斷。 5 於時序脈波700期間，正向方向信號DIRF 658維持於高

電壓位準，邏輯評估信號LEVAL 648將於702被充電至高電壓位準。高電壓位準邏輯評估信號LEVAL 648於702導通評估電晶體440。高電壓位準移位暫存器輸出信號S01於692 導通位址電晶體對446a及446b ;位址信號〜A1及〜A2 625於 10 704被主動下挽至低電壓位準。其它移位暫存器輸出信號 S02-S013於690被下挽至低電壓位準，讓位址電晶體448、 450、...470被戴斷’位址信號〜A3-〜A7維持於高電壓位準(標示於706)。位址信號〜A1、〜A2.,·〜A7 625於時序信號丁5之時序脈波700期間，於616變有效。時序脈波708導通第三評 I5估電晶體556。但控制信號CSYNC 624於710係於低電壓位

準，正向方向信號DIRF 658於712維持於高電壓位準。於次一串列之6時序脈波中，時序脈波714於716充電全部内部節點信號SN 626至高電壓位準。若於各個移位暫存器單元403a-403m之正向輸入信號SIF係於高電壓位準，則 2〇時序脈波7】8導通於各個移位暫存器單元4〇33-403111之第一評估電晶體506來允許節點522的放電。於移位暫存器單元 403a之正向輸入信號SIF為控制信號CSYNC 624，控制信號 CSYNC 624於720為低電壓位準。於其它移位暫存器單元 403b-4〇3m各自之正向輸入信號SIF為前一個移位暫存器單 73 1337580 tl403之移位暫存器輸出信號阳63〇。移位暫存器輸出信號 SOI於692係於高電壓位準，且為第二移位暫存器單元機之正向輸入L號SIF。移位暫存器輸出信號於全部皆於低電壓位準。 5 移位暫存器單元403a&403c-4〇3m接收低電壓位準正向輸入h號31?，其戴斷於各個移位暫存器單元牝以及 403c 403m之正向輸入電晶體5〇8，故内部節點信號sni及 SN3 SN13於722維持為高。移位暫存器單元4〇儿接收高電壓位準之移位暫存器輸出信號S01作為正向輸入信號SIF， 10其導通正向輸入電晶體，來於724放電内部節點信號SN2。於時序脈波726期間，全部移位暫存器輸出信號s〇 63〇白於728被充電至高電壓位準，以及反向方向信號dirr 642 於730被充電至高電壓位準。此外，時序脈波於將全 4位址彳s號〜A1、〜A2…〜A7 625朝向高電壓位準充電，且 15導通5平估阻止電晶體442a，來於734將LEVAL· 648拉至低電

壓位準。位址信號〜A1、〜A2···〜A7 625於下述範圍為有效，由時間位址信號〜A1及〜A2於704被挽低，至全部位址信號〜A1、〜A2...〜A7 625於732被挽高為有效。位址信號〜A1、 20〜Α2··.〜Α7 625於下述期間為有效，前一串列6時序脈波之得自時序信號Τ6之時序脈波708 (於62〇)至本串列6時序脈波之得自時序信號T1之時序脈波714 (600)及得自時序信號Τ2 之時序脈波718 (604)期間為有效。時序脈波736導通於各個移位暫存器單元403a-403m之 74 1337580 第二評估電晶體518來評估内部節點信號SN 626。内部節點信號SN1及SN3-SN13於722係於高電壓位準，以及於乃8放電移位暫存器輸出信!虎則及阳3侧3至低電壓位準。内部節點信號SN2於724係於低電壓位準，裁斷移位暫存器單 5元403b之内部節點電晶體，且於74〇維持移位暫存器輸出信號S02於高電壓位準。當第四評估電晶體562藉時序脈波736被導通，於 CSYNC 624之控制脈波742導通控制電晶體564時，反向方向信號DIRR 642於744放電至低電壓位準。方向信號dirr 10 642及DIRF 658於各串列6時序脈波期間經設定。此外，時序脈波736於746導通評估阻止電晶體442b來維持leval 648於低電壓位準。於時序脈波748期間，正向方向信號DIRF 658於75〇維持於高電壓位準，LEVAL 648於752充電至高電壓位準。高 15電壓位準邏輯評估信號LEVAL 648於752導通評估電晶體 440。高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇2於74〇導通位址電晶體448a及448b，來於754將位址信號〜A1及〜人3下挽至低電壓位準。其它位址信號〜A2及〜A4-〜A7於756維持於高電壓位準。時序脈波758導通第三評估電晶體556。控制信號 CSYNC 624於760维持於低電壓位準，來載斷控制電晶體 558 ’且維持正向方向信號DIRF 642於高電壓位準。次一串列之6時序脈波移位高電壓位準移位暫存器輸出信號S〇2至次—移位暫存器單元403c，該移位暫存器單元 75 4〇3c提供面電壓位準移位暫存器輸出信號s〇3。以各串列6 時序脈波繼續移位，至各個移位暫存器輸出信號s〇1_s〇l3 白變尚一次為止。於移位暫存器輸出信號s〇13已經變高， η玄串列南電壓位準移位暫存器輸出信號s〇 63〇中止。移位 5暫存器402可再度藉提供控制脈波於控制信號CSYNC(例如控制脈波670)重合得自時序信號下2之時序脈波而於6〇4被初始化。於正向操作’於控制信號CSYNC 624之控制脈波係於 612與得自時序信號丁4之時序脈波重合，來設定移位方向於 10正向。此外’得自控制信號CSYNC 624之控制脈波於604 與得自時序信號T2之時序脈波重合提供，來開始或初始化移位暫存器402，經由移位暫存器輸出信號S01_S〇13移位高電壓信號。第12圖為時序圖，顯示位址產生器4〇〇於反向之操作。 15時序信號T卜T6提供重複串列之6時序脈波。時序信號τ】_Τ6 各自提供一串列6時序脈波中之一個脈波。於一 _列6脈波中’於800之時序信號Τ1包括時序脈波802，於804之時序信號Τ2包括時序脈波806，於808之時序信號Τ3包括時序脈波 810，於812之時序信號Τ4包括時序脈波814，於816之時序 20信號Τ5包括時序脈波818，以及於820之時序信號Τ6包括時序脈波822。控制信號CSYNC 824包括控制脈波，其設定於移位暫存器402之移位方向，於825初始化移位暫存器4〇2來產生位址信號〜A1、〜A2...〜A7。時序脈波802於第一預充電信號PRE1提供給移位暫存 76 1337580 器402。於時序脈波8〇2期間，於各個移位暫存器單元 4〇3a_4G3m之内部節點522充電來提供對應之高電壓位準内部節點信號SN1-SN13 移位暫存器内部節點信號SN 826於 828。又疋為呵電壓位準。高電麼位準内部節點信號阳826 5導通於移位暫存器單元彻之内部節點電晶體52〇。本實施例甲’ -串列6時序脈波已經於時序脈波8〇2之前且未初始化私位暫存器402提供，讓全部移位暫存器輸出信號犯⑽ 被放電至低電壓位準（832) 以及全部位址信號〜A1、 A2…〜A7 825於833維持於高電壓位準。

，〇料脈波嶋於第—評估信號EVAL!提供給移位暫存益402。時序脈波8〇6導通於各個移位暫存器單元4〇3a 4〇細之第-評估電晶體506。控制信號⑽敗似於請維持於低電壓位準’全部移位暫存器輸出信號SC)謂於836維持於低電壓位準1來截斷於各個移位暫存器單元她-4〇3m之正 15向輸入電晶體508及反向輸入電晶體51〇。非導通之正向輸入電晶體508及非導通之反向輸人電晶體训可阻止於各個移位暫存器單兀403a-403m之内部節點522以免放電至低電壓位準。全部移位暫存器内部節點信號SN 826k838維持於高電壓位準。 20 _序脈波請於第二預充電信號PRE2提供給移位暫存器402，提供給於第四預充電信號pRE4之方向電路4〇4，以及提供給於邏輯陣列4G6之定址線預充電電晶體438及評估阻止電晶體422a。於時序脈波81〇期間，全部移位暫存器輸出信號SO 830於840被充電至高電堡位準。此外，於時序脈 77 波810期間，反向方向信號DIRR 842於844被充電至高電壓位準。此外，時序脈波81〇維持全部位址信號825至高電壓位準，以及導通評估阻止電晶體422a，來於85〇將邏輯評估 L號LEVAL 848下挽至低電壓位準。時序脈波814於第二評估信號£¥人12提供給移位暫存器402，於第四評估信號EVAL4提供給方向電路404，以及於邏輯陣列406提供給評估阻止電晶體44孔。時序脈波814 導通於各個移位暫存器單元4〇3a_4〇3m之第二評估電晶體 518。内部節點信號sn 826於高位準，該信號導通於各個移 1〇位暫存器單元403a_403m之内部節點電晶體520，全部移位暫存荔輸出信號SO 830於852放電至低電壓位準。此外，時序脈波814導通第四評估電晶體562及控制信號CSYNC 824 來提供低電壓來麟控制電晶體564。控制電晶體564被截斷，方向信號DIRR 842維持充電至高電壓位準。此外，時 15序脈波814導通評估阻止電晶體442b，來維持邏輯評估信號 LEVAL 848於低電壓位準858。低電壓位準邏輯評估信號 LEVAL 848截斷位址評估電晶體440。時序脈波818於第三預充電信號PRE3提供給方向電路 404，以及於邏輯陣列4〇6提供給邏輯評估預充電電晶體 20 444。於時序脈波818期間，正向方向信號DIRF 858充電至高電壓位準860。此外，於時序脈波818期間，邏輯評估信號LEVAL 848充電至高電壓位準862，來導通全部邏輯評估電晶體440。全部移位暫存器輸出信號s〇 83〇皆於低電壓位準，全部位址電晶體對446、448、...470皆被截斷，以及全 78 1337580 部位址k號〜A1、〜Α2·.•〜A7於825皆維持於高電壓位準。時序脈波822提供給方向電路404作為第三評估信號 EVAL3。時序脈波822導通第三評估電晶體556。控制信號 CSYNC 824提供控制脈波864來導通控制電晶體Mg,以及 5 正向方向信號DIRF 858於865放電至低電壓位準。低電壓位準正向方向信號DIRF 858及高電壓位準反向方向信號 DIRR 842設定各個移位暫存器單元4〇3a-403m來於反向移位。

於次一串列之6時序脈波’於時序脈波866期間，全部 10内部節點信號SN 826皆被充電至高電壓位準。時序脈波868 導通於各個移位暫存器單元403a-403m之第一評估電晶體 506。控制脈波870可於控制信號CSYNC，提供來導通於移位暫存器卓元403m之反向輸入電晶體；反向方向電晶體被導通’内部節點信號SN13放電至低電壓位準，示於872。移 15位暫存器輪出信號SO 830於874係於低電壓位準，截斷於移位暫存器單元4〇3a-4031之反向輸入電晶體。反向輪入電晶體為載斷，其它各個内部節點信號SN1-SN12於876維持於高電壓位準。於時序脈波878期間，全部移位暫存器輸出信號S0 830 20皆於880被充電至高電壓位準，而反向方向信號DIRR 842 於882維持於高電壓位準。此外，時序脈波878維持全部位址信號〜A1、〜Α2·.，Α7 825於高電壓位準884 ’以及於886 將邏輯評估信號LEVAL 848下挽至低電壓位準。低電壓位準之邏輯評估信號LEVAL 848截斷評估電晶體440，阻止位 79 址電晶體對446、448、..._下挽位址㈣〜A卜〜A2〜A7 825至低電壓位準。於時序脈波888期間，移位暫存H輸出信號S01-S012 於890被放電_£低電壓位準。餘於872之低電壓位準之内 4節點㈣SN13，其載斷移位暫存器單元4〇3m之内部節點電晶體520，移位暫存器輸出信號S013於892維持於高電壓位準。此外，時序脈波888導通第二評估電晶體，以及控制信號CSYNC 824朗控制電晶體564，來於8%維持反向方向L號DIRR 842於高電壓位準。此外，時序脈波哪導通評估阻止電晶體442b，來維持邏輯評估信號LEVAL 848於低電壓位準898，以及維持評估電晶體44〇被截斷。移位暫存器輸出信號SO 830於時序脈波888期間沉降，故一個移位暫存器輸出信號S013係於高電壓位準，而全部其它移位暫存器輸出信號S01-S012皆係於低電壓位準。時序脈波900期間’正向方向信號dirf 858於901充電至尚電壓位準，以及於邏輯評估信號LEVAL 848於902充電至高電壓位準。於902之高電壓位準邏輯評估信號LEVAl 848導通評估電晶體440。於892之高電壓位準移位暫存器輸出k號SO 13導通位址電晶體470a及470b，以及位址信號〜A3及〜A5於904被主動下挽至低電壓位準。其它移位暫存器輸出信號S01-S012於8%被下挽至低電壓位準，故位址電晶體對446'448、·_·468被截斷，而位址信號〜A1、〜A2、〜Α4、〜Α6及〜Α7維持於高電壓位準，示於906。於時序脈波 900期間，位址信號〜Α1、〜Α2...〜Α7 825變有效。時序脈波 1337580 908導通第三評估電晶體556，於控制信號CSYNC 824之控制脈波910導通控制電晶體558 ’來於912放電正向方向信號 DIRF 858至低電壓位準。於其次各串列之6時序脈波中，於時序脈波914期間， 5全部内部節點信號SN 826皆於916被充電至高電壓位準。若於各個移位暫存器單元4〇3a-403m之反向輸入信號sir係於尚電壓位準，則時序脈波918導通於各個移位暫存器單元 4〇3a_4〇3m之第一評估電晶體506來充電節點522。於移位暫存器單元403m之反向輸入信號SIR為控制信號csync 】〇 824 ’其於920係處於低電壓位準。於其它各個移位暫存器早疋403a_4G3丨之反向輸八信號SIR為隨後移位暫存器單元移位暫存器輸出仏號s〇 83〇。移位暫存器輸出信號 S013於892係於高電壓位準，且為移位暫存器單元侧之反。輸入I^SIR。移位暫存器輸出信號§〇丨_§〇12於柳皆係 15於低電壓位準。移位暫存器單元4〇3a-4〇3k及4〇3m具有低電 % 壓位=之反向輪人信號SIR，反向輸入信號抓導通反向輸，曰曰體51〇’故内部節點信號SN1-SN11及SN13於922維持勒，5：位準。移位暫存器單元柳接收高電壓位準移位 20號SIRif出仏號⑽13作為反向輸入信號观’反向輸入信洲2 ^入電晶體來於924放電内部節點信號於928^序脈波926期間全部移位暫存器輸出信號S0 830

Mrm &電至同電壓位準，反向方向信號D1RR 842於 930維持於高電壓位進, +。此外，於時序脈波926期間，全部 81 1337580 位址信號〜A1、〜A2·.·〜A7 825皆於932被充電至高電壓位準；評估阻止電晶體442a被導通來於934下挽LEVAL 848至低電壓位準。位址信號〜A1、〜A2…〜A7 825由時間位址信號〜A3及〜A5於904被挽低，直至全部位址信號〜A1、 5〜A2…〜A7 825於932被挽高皆有效。位址信號〜A1、〜A2...〜A7 825於時序脈波908、914及918期間皆有效》

時序脈波936導通於各個移位暫存器單元403a-403m之第—s平估電晶體518 ’來s平估内部郎點信號SN 826。内部節點信號SN1-SN11及SN13於922皆處於高電壓位準，來於938 10 放電移位暫存器輸出信號SOI-S011及S013至低電壓位準。内部節點信號SN12於924係於低電壓位準，裁斷移位暫存器單元4031之内部節點電晶體，且於940維持移位暫存器輸出信號S012於高電壓位準。

此外，時序脈波936導通第四評估電晶體562，控制信 15 號CSYNC 824係於低電壓位準來截斷控制電晶體564,來於 944維持反向方向信號DIRR 842於高電麼位準。此外，時序脈波936導通評估阻止電晶體442b，來於946維持LEVAL 848於低電壓位準。於時序脈波948期間，正向方向信號dirf 858充電至高 20 電壓位準950 ’以及LEVAL 848充電至高電壓位準952。於 952之高電壓位準邏輯評估信號LEVAL 848導通評估電晶體440。於940之高電壓位準移位暫存器輸出信號S012導通位址電晶體468a及468b，來於954下挽位址信號〜A3及〜A4 至低電壓位準。其它位址信號〜A卜〜A2及〜A5-〜A7則於956 82 1337580 維持於高電壓位準。時序脈波958導通第三評估電晶體556。於控制信號 CSYNC 824之控制脈波960導通控制電晶體558，正向方向信號DIRF 842於962放電至低電壓位準。 5 其次各串列之6時序脈波移位高電壓位準移位暫存器

輸出仏號SO 12至次一移位暫存器單元4〇处，該移位暫存器單元403k提供高電壓位準移位暫存器輸出信號§〇11。各串列6時序脈波持續移位至各個移位暫存器輸出信號 S01-S013皆已經變高一次為止。於移位暫存器輸出信號 ίο soi為高後，該串列高電壓位準移位暫存器輸出信號s〇 830中止。經由與得自時序信號丁2 804之時序脈波重合，提供控制脈波如控制脈波870,移位暫存器402再度被初始化。

於反向操作，來自CSYNC 824之控制脈波與來自時序信號T6之時序脈波820重合，提供來設定移位方向成為反 15向。此外，來自CSYNC 824之控制脈波與得自時序信號丁2 之時序脈波804重合提供’來開始或初始化移位暫存器 402’移位高電壓位準信號通過暫存器輸出信號s〇1S(M3。第13圖為方塊圖，顯示二位址產生器1〇〇〇及1〇〇2及6 個發射群1004a-l〇04f之一具體例。位址產生器⑺⑻及丨⑼之 20各自係類似第9圖之位址產生器400，以及發射群 1004a-1004f係類似第7圖所示發射群2〇2a-202f。位址產生器1000係經第一位址線1〇〇6而電耦接至發射群 1004a-1004f。位址線1 〇〇6提供來自位址產生器丨000之位址信號〜A卜〜A2.·.〜A7給各個發射群i〇〇4a-i〇〇4c。此外，位 83 1337580

10 15

址產生器1000係電耦接至控制線101(^控制線10〗0接收傳導控制信號CSYNC給位址產生器1〇〇〇。一具體例中， CSYNC信號由外部控制器提供給列印頭晶粒，於該列印頭晶粒上製作二位址產生器丨000及1002以及六個發射群 5 1004a_1004f。此外，位址產生器1000係電耦接至選擇線 1008a-1008f。選擇線】〇〇8a_i〇〇8f係類似第7圖所示選擇線 212a-212f。選擇線l〇〇8a-i〇〇8f傳導選擇信號SEL1、 SEL2、…SEL6至位址產生器ι〇00，以及傳導至對應之發射群1004a-1004f(圖中未顯示）。選擇線1008a傳導選擇信號SEL1至位址產生器丨000，於一具體例為時序信號Τό。選擇線i〇〇8b傳導選擇信號SEL2 至位址產生器1000，於一具體例為時序信號T1。選擇線 1008c傳導選擇信號SEL3至位址產生器1〇00,於一具體例為時序信號T2。選擇線l〇〇8d傳導選擇信號SEL4至位址產生器1000，於一具體例為時序信號13。選擇線丨0086傳導選擇信號SEL5至位址產生器1〇〇〇，於一具體例為時序信號T4 ; 以及選擇線1008f傳導選擇信號SEL6至位址產生器1000,於一具體例為時序信號T5。位址產生器1002係經由第二位址線】〇12而電耦接至發 20射群1004d_1004f。位址線丨〇!2提供得自位址產生器1〇〇2之位址信號〜B卜〜B2··.〜B7給各個發射群1〇〇4d_i〇〇4fe此外，位址產生器1002係電耦接至控制線1〇丨〇，其傳導控制信號 CSYNC給位址產生器1〇〇2。此外，位址產生器1〇〇2係電耦接至選擇線1008a-1008f。選擇線丨〇〇8a•丨〇〇8f傳導選擇信號 84 1337580 SELl、SEL2、...SEL6給位址產生器ι〇〇2以及對應之發射群 1004a-1004f(圖中未顯示）。選擇線1008a傳導選擇信號SEL1至位址產生器1002,於一具體例為時序信號T3。選擇線i〇〇8b傳導選擇信號SEL2 5至位址產生器1002，於一具體例為時序信號T4。選擇線 1008c傳導選擇信號SEL3至位址產生器1〇〇2,於一具體例為時序信號T5。選擇線l〇〇8d傳導選擇信號SEL4至位址產生器1002,於一具體例為時序信號丁6。選擇線1〇〇86傳導選擇信號SEL5至位址產生器1〇〇2 ’於—具體例為時序信號丁！以 10及選擇線l〇〇8f傳導選擇信號SEL6至位址產生器1002,於一具體例為時序信號T2。選擇6號SELl、SEL2、...SEL6包括一串列6脈波以6 脈波之重複串列重複。各個選擇信號SELi、SEL2、...SEL6 15 20 包括於該串列6脈波中之一個脈波。一具體例中，於選擇信號SEL1之一脈波接著為選擇信號SEL2之脈波，接著為選擇信號SEL3之脈波，接著為選擇信號SEL4之脈波，接著為選擇仏號SEL5之脈波，接著為選擇信號sel6之脈波。於選擇信號SEL6之脈波後，串列由選擇信號SEL1之脈波重複開始。控制信號CSYNC包括與選擇信號SEU、SEL2、...SEL6 之脈波重合之脈波來初始化位址產生器1〇〇〇及1〇〇2，以及設定移位方向或於位址產生器丨000及1002之位址產生如就第11圖及第12圖之§寸論。為了初始化由位址產生器1 〇〇〇產生位址，控制信號CSYNC包括與時序信號丁2之時序脈波重合之控制脈波，其係對應於選擇信號SEL3之時序脈波。 85 1337580 位址產生器1000響應於選擇信號SELl、 SEL2、...SEL6及控制信號CSYNC，而產生位址信號~八1、〜A2…〜A7。位址信號〜A卜〜A2.,A7經由第一位址線1006 提供給發射群l〇〇4a-1004c。

於位址產生器1000 ’於對應於選擇信號SELl、SEL2 及SEL3之時序脈波的時序信號T6、T1及T2之時序脈波期間’位址信號〜A卜〜A2…〜A7為有效。控制信號CSYNC包括控制脈波其重合時序信號T4之時序脈波且對應選擇信號 SEL5之時序脈波，來設定位址產生器1〇〇〇於正向方向移位。控制信號CSYNC包括一重合時序信號T6之時序脈波之控制脈波，其係對應於選擇信號SEL1之時序脈波，來設定位址產生Is 1 〇〇〇供於反向方向移位。發射群1004a-1004c於選擇信號SELl、SEL2及SEL3之

脈波期間接收有效位址信號〜Al、~A2…〜A7。當於1 〇〇4a 15 之發射群1 (FG1)接收位址信號〜A1、〜A2…〜A7及選擇信號 SEL1之脈波時，於選定之列子群SG1之發射單元120藉發射信號FIRE1致能而作動。當於l〇〇4b之發射群2 (FG2)接收位址信號〜A1、〜A2·.•〜A7及選擇信號SEL2之脈波時，於選定之列子群SG2之發射單元120藉發射信號HRE2致能而作 20 動。當於l〇〇4c之發射群3 (FG3)接收位址信號〜A1、〜A2.··〜A7及選擇信號SEL3之脈波時，於選定之列子群SG3 之發射單元120藉發射信號HRE3致能而作動。位址產生器1002響應於選擇信號SELl、SEL2、...SEL6 及控制信號CSYNC而產生位址信號〜B1、〜B2..·〜B7。位址 86 1337580 信號〜B1、〜B2..‘〜B7經由第二位址線1012提供給發射群 1004d-1004f。於位址產生器1〇〇2，位址信號〜m、〜β2 係於時序信號Τ6、Τ1及Τ2之時序脈波期間為有效，該等時序脈波係對應於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波。 5控制彳s包括一控制脈波重合於時序信號Τ4之時序脈波而該脈波係對應於選擇信號SEL2之時序脈波，來設定位址產生器〗002於正向移位。控制信號csync包括一控制脈波重合於時序信號T6之時序脈波而該脈波係對應於選擇信號SEL4之時序脈波’來設定位址產生器1〇〇2於反向移 10位。為了初始化由位址產生器1002產生位址，控制信號 CSYNC包括一控制脈波重合於時序信號丁2之時序脈波，而該脈波係對應於選擇信號SEL6之時序脈波。發射群1004d-1004f於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之

脈波期間接收有效位址信號〜B1、〜B2…〜B7。當於l〇〇4d 15之發射群4 (F〇4)接收位址信號〜B】、~B2...〜B7及選擇信號 SEL4之脈波時’於選定之列子群s<34之發射單元120藉發射信號FIRE4致能而作動。當於i〇〇4e之發射群5 (FG5)接收位址信號〜B1、〜B2.··〜B7及選擇信號SEL5之脈波時，於選定之列子群SG5之發射單元120藉發射信號FIRE5致能而作 2〇動。當於l〇〇4f之發射群6 (FG6)接收位址信號〜B1、 ~B2…〜B7及選擇信號SEL6之脈波時，於選定之列子群SG6 之發射單元丨2〇藉發射信號FIRE6致能而作動。於一範例操作中，於一串列之6脈波期間，控制信號 CSYNC包括控制脈波重合選擇信號SEL2及SEL5之時序脈 87 1337580 波來設定位址產生器1000及1002於正向移位。控制脈波重合選擇信號SEL2之時序脈波來設定位址產生器1〇〇2於正向移位。控制脈波重合選擇信號SEL5之時序脈波來設定位址產生器1000於正向移位。 5 於次一串列6脈波中’控制信號CSYNC包括控制脈波

重合選擇信號SEL2、SEL3、SEL5及SEL6之時序脈波。重合選擇信號SEL2及SEL5之控制脈波設定於位址產生器 1000及1002之移位方向為正向。重合選擇信號SEL3&SEL6 之控制脈波初始化位址產生器1000及1002來產生位址信號 10〜A1、〜A2…〜A7及〜B1、〜B2…〜B7。重合選擇信號SEL3之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器1〇〇〇 ;重合選擇信號SEL6之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器ι〇〇2。

於第三串列時序脈波期間，位址產生器1000產生位址信號〜A1、〜A2"•〜A7，其於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3 15之時序脈波期間為有效。有效之位址信號〜A1、〜A2...〜A7 用來致能於發射群1004a-：1004c之發射群FG1、FG2及FG3之列子群SGI、SG2及SG3之發射單元120供作動。於第三串列時序脈波期間，位址產生器1002產生位址信號〜B1、〜B2…〜B7，其於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波 2〇期間為有效。有效之位址信號〜B1、〜Β2··,Β7用來致能於發射群1004d-1004f之發射群FG4、FG5及FG6之列子群 SG4、SG5及SG6之發射單元120供作動。於選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6之第三串列時序脈波期間’位址信號〜A1、〜A2...〜A7包括低電壓位準信號其係 88 1337580 對應於13位址之一，以及位址信號〜Βι、〜Β2·〜B7包括低電疋位準"is戒其係對應於1 3位址中之該同一位址。於得自選擇信號SEL1、SEL2、…SEL6之為主各串列時序脈波期間’位址信號〜A1、〜A2…〜A7及位址信號〜B1、〜B2.,,〜B7 包括低電壓位準信號，其係對應於13位址之該同一位址β 各串列時序脈波為一位址時槽，故於各串列時序脈波期間 it供】3位址之一。

於正向操作期間’位址1首先由位址產生器1 〇〇〇及1 〇〇2 提供’接著為位址2等等至位址13。於位址13之後，位址產 10生器1000及1提供全部高電壓位準位址信號〜A1、〜A2...〜A7及〜B】、〜B2."〜B7。此外，於來自選擇信號SEL1、 SEL2、…SEL6之各串列時序脈波期間’控制脈波係與選擇信號SEL2及SEL5之時序脈波提供來繼續於正向移位。於另一範例操作中，於一串列之6脈波期間，控制信號 CSYNC包括控制脈波重合選擇信號SEU及SEL4之時序脈

波來設定位址產生器1000及1002於反向移位。控制脈波重合選擇信號SEL1之時序脈波來設定位址產生器1〇〇〇於反向移位。控制脈波重合選擇信號SEL4之時序脈波來設定位址產生器1002於反向移位。 20 於次一串列6脈波中，控制信號CSYNC包括控制脈波重合選擇信號SEL1、SEL3、SEL4及SEL6之時序脈波。重合選擇信號SEL1及SEL4之控制脈波設定於位址產生器 1000及1002之移位方向為反向》重合選擇信號SEL3及SEL6 之控制脈波初始化位址產生器1000及1002來產生位址信號 89 1337580 〜A1、〜A2.·•〜A7及〜B1、〜B2…〜B7。重合選擇信號SEL3之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器1000 ;重合選擇信號SEL6之時序脈波之控制脈波初始化位址產生器】〇〇2。

於第三串列時序脈波期間，位址產生器1000產生位址 5信號〜A1、〜A2...〜A7 ’其於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3 之時序脈波期間為有效。有效之位址信號〜A1、〜A2...〜A7 用來致能於發射群l〇〇4a-l〇〇4c之發射群FG1、FG2及FG3之列子群SGI、SG2及SG3之發射單元120供作動。於第三串列時序脈波期間，位址產生器1〇〇2產生位址信號〜B1、 10〜B2"·〜B7 ’其於選擇信號SEL4、託“及託“之時序脈波期間為有效。有效之位址信號〜B1、〜B2…〜B7用來致能於發射群l〇〇4d-l〇〇4f之發射群FG4、FG5及FG6之列子群 SG4、SG5及SG6之發射單元12〇供作動。於反向操作於選擇信號SEL1 、SEL2、...SEL6之第三串 15列時序脈波期間，位址信號〜、〜a2包括低電壓位準信號其係'對應於13位址之-，以及位址信號〜B1、〜B2···〜B7包括低電壓位準信號其係對應於13位址中之該同位址。於得自選擇信號SEL1、SEL2、...SEL6之為主各串列時序脈波期間，位址信號〜A1、〜A2...〜A7及位址信號 2〇〜Β1 ' ~Β2···〜Β7包括低電壓位準信號，其係對應於13位址之該同一位址。各串列時序脈波為一位址時槽’故於各串列時序脈波期間提供13位址之-。於反向操作期間，位址13首先由位址產生器1〇〇〇及 1002提供’接著為位址12等等至位址卜於位址1之後’位 90 1337580 址產生器1000及1002提供全部高電壓位準位址信號〜A i、〜A2…〜A7&~B]、~B2...~B7。此外’於來自選擇信號SELl、 SEL2、…SEL6之各串列時序脈波期間，控制脈波係與選擇信號SEL1及SEL4之時序脈波提供來繼續於反向移位。 5 為了結束或阻止位址產生，控制信號CSYNC包括重合

選擇信號SEL1、SEL2、SEL4及SEL5之時序脈波之控制脈波。如此清除於位址產生器1000及1002之移位暫存器如移位暫存器402。於控制信號CSYNC之恆常高電壓位準或一串列高電壓脈波也結束或阻止位址之產生；控制信號CSYNC 10 之恆常低電壓位準不會初始化位址產生器1〇〇〇及1〇〇2。第14圖為時程圖，顯示位址產生器]〇〇〇及1〇〇2之正向操作及反向操作。用來於正向移位之控制信號為 CSYNC(FWD) 1124,以及用來於反向移位之控制信號為 CSYNC(REV) 1126。於1128之位址信號〜A1、〜A2...〜A7係 15 由位址產生器1〇〇〇提供且包括正向及反向操作之位址參考。於1130之位址信號〜B卜〜B2...〜B7係由位址產生器1002 提供且包括正向及反向操作之位址參考。選擇信號SEL卜SEL2、...SEL6提供重複串列之6脈波。選擇信號SEL1、SEL2、SEL6各自包括於該串列6脈波中之 20 一個脈波。於一串列之重複串列6脈波中，於1100之選擇信號SEL1包括時序脈波1102 ’於1104之選擇信號SEL2包括時序脈波1106 ’於1108之選擇信號SEL3包括時序脈波1110，於1112之選擇信號SEL4包括時序脈波1114，於1116之選擇信號SEL5包括時序脈波1118以及於1120之選擇信號SEL6 91 1337580 包括時序脈波1122。於正向操作’控制信號CSYNC(FWD) 1124包括於1104 重合選擇信號SEL2之時序脈波1106之控制脈波U32。控制脈波Π32設定位址產生器1〇〇2供於正向方向移位。此外， 5控制信號CSYNC(FWD) 1124包括於1116重合選擇信號 SEL5之時序脈波1118之控制脈波1134。控制脈波1134設定位址產生器1〇〇〇供於正向方向移位。於其次各重複串列之6脈波中，於11〇〇之選擇信號seli 包括時序脈波1136，於1104之選擇信號SEL2包括時序脈波 10 Π38，於1108之選擇信號SEL3包括時序脈波mo，於1U2 之選擇信號SEL4包括時序脈波1142，於1116之選擇信號 SEL5包括時序脈波1144以及於1120之選擇信號SEL6包括時序脈波1146。

控制信號CSYNC(FWD) 1124包括與時序脈波1138重 15合之控制脈波1148，來繼續設定位址產生器1002供於正向移位，以及包括與時序脈波1144重合之控制脈波1152，來繼續設定位址產生器1〇〇〇供於正向移位。此外，控制信號 CSYNC(FWD) 1124於1108包括控制脈波1150，該控制脈波 1150係與選擇信號SEL3之時序脈波1140重合。控制脈波 20 1 150於1128初始化位址產生器1000來產生位址信號〜A1、〜A2···〜A7。此外，控制信號CSYNC(FWD) n24M112〇包括控制脈波1154 ’該控制脈波1154係與選擇信號SEL6之時序脈波1146重合。控制脈波n54於u3〇初始化位址產生器 1002來產生位址信號〜B1、〜B2...〜B7 〇 92 於次一串列之6脈波或第三串列之6脈波，於lioo之選擇信號SEL1包括時序脈波〗丨56，於丨104之選擇信號SEL2包括時序脈波1158，於11〇8之選擇信號SEL3包括時序脈波 H60，於m2之選擇信號SEL4包括時序脈波丨162，於iU6 5之選擇信號SEL5包括時序脈波1164以及於1120之選擇信號 SEL6包括時序脈波1166。控制信號CSYNC(FWD) 1124包括與時序脈波1158重合之控制脈波1168，來繼續設定位址產生器1002供於正向移位，以及包括與時序脈波1164重合之控制脈波1170’來繼續設定位址產生器1〇〇〇供於正向移位。 10 位址產生器1000於1128提供位址信號〜A1、〜A2...〜A7。於正向操作初始化後，位址產生器1〇〇〇及於 1128之位址信號〜A1、〜A2…〜A7於1172提供位址卜於1172 之位址1於選擇信號SEL6之時序脈波丨146期間於1]20維持有效，且仍然維持有效直到於1112之於選擇信號SEL4之時 15序脈波1162為止。於1172之位址1於1100 ' 1104及1108之於選擇信號SEL1、SEL2及SEL3之時序脈波1156、1158及1160 期間為有效。位址產生器1002於1130提供位址信號〜B1、〜B2…〜B7。於正向操作初始化後’位址產生器1〇〇2及於 20 1 130之位址信號〜81、〜82...〜87於1174提供位址1。於1174 之位址1於選擇信號SEL3之時序脈波1160期間於1108維持有效’且仍然維持有效直到於11〇〇之於選擇信號SEL1之時序脈波1176為止。於Π74之位址1於1112、〖116及1120之於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波ll62、1164及1166 93 1337580 期間為有效。

於1128之位址信號〜A1、~A2...〜A7及於1130之位址信號〜B1、〜B2...〜B7提供相同位址亦即於1Π2及1174之位址 1。位址1係於下述串列之6時序脈波期間提供，該串列時序 5 脈波係始於時序脈波1156而終於時序脈波1166，此乃位址1 之位址時槽。於次一串列之6脈波期間，始於時序脈波 1176，於1128之位址信號〜Al、-A2…〜A7提供於1178之位址2,以及於1130之位址信號~B卜〜B2···〜B7也提供位址2。藉此方式位址產生器1000及1002於正向提供由位址1至位 10 址13之各個位址。於位址13後，位址產生器1000及1002再度初始化而以相同方式再度循環通過各個有效位址。於反向操作，控制信號CSYNC(REV) 1126包括於1100 重合選擇信號SEL1之時序脈波1102之控制脈波ι180。控制脈波1180設定位址產生器1000供於反向方向移位》此外， 15 控制信號CSYNC(REV) 1126包括於1112重合選擇信號 5£1^4之時序脈波1114之控制脈波1182。控制脈波1丨82設定位址產生器1002供於反向方向移位。控制信號CSYNC(REV) 1126包括與時序脈波1136重合之控制脈波1184，來繼續設定位址產生器1〇〇〇供於反向移 20 位，以及包括與時序脈波1142重合之控制脈波丨〗88，來繼續設定位址產生器1002供於反向移位。此外，控制信號 CSYNC(FWD) ]126於1108包括控制脈波1186，該控制脈波 1186係與選擇信號SEL3之時序脈波1M0重合。控制脈波 1186於1128初始化位址產生器1〇〇〇來產生位址信號〜A1、 94 1337580 〜A2...〜A7。此外，控制信號CSYNC(REV) 1126於1120包括控制脈波1190，該控制脈波1190係與選擇信號SEL6之時序脈波1146重合。控制脈波1190於1130初始化位址產生器 1002來產生位址信號〜B1、〜B2…〜B7。 5 控制信號CSYNC(REV) 1126包括與時序脈波1156重合之控制脈波1192，來繼續設定位址產生器1000供於反向移位，以及包括與時序脈波1162重合之控制脈波1194,來繼續設定位址產生器1002供於反向移位。

位址產生器1000於1128提供位址信號〜A1〜A7。於正向 10 操作初始化後’位址產生器1000及於1128之位址信號〜A1、〜A2…〜A7於1172提供位址13。於1172之位址13於時序脈波 1146期間變有效，且仍然維持有效直到時序脈波1162為止。於1172之位址13於11〇〇、11〇4及1108之於選擇信號 SEU、SEL2及SEL3之時序脈波1156、1158及1160期間為有 15 效。位址產生器1〇〇2於1130提供位址信號〜Bi、〜B2…〜B7。於反向操作初始化後，位址產生器1〇〇2及於 1130之位址信號〜B1、〜B2…〜B7於1174提供位址13。於1174 之位址13於時序脈波U6〇期間維持有效，且仍然維持有效 20直到時序脈波1176為止。於1Π4之位址13於1112、1116及 1120之於選擇信號SEL4、SEL5及SEL6之時序脈波1162、 1164及1166期間為有效。於丨丨28之位址信號〜A1、〜A2…〜A7及於1130之位址信號〜B1、〜B2·.·〜B7提供相同位址亦即於1172及1丨74之位址 95 U。位址13係於下述串列之6時序脈波期間提供，該串列時序脈波係始於時序脈波1156而終於時序脈波1166，此乃位址13之位址時槽。於次一串列之6脈波期間，始於時序脈波】176，於1128之位址信號〜A1、〜A2…〜A7提供於1178之位 5址12，以及於1130之位址信號〜B卜〜B2...〜B7也提供位址。位址產生器1000及1002於反向提供由位址13至位址1之各個位址。於位址1後，位址產生器1000及1002再度初始化而再度循環通過各個有效位址。第15A圖及第15B圖為略圖，顯示於部分晶粒4〇之驅動 10開關1200及墨滴產生器1202之一具體例。墨滴產生器12〇2 為第2圖及第3圖之墨滴產生器60之一具體例，其包括發射電阻器52、氣化室56、及喷嘴34。驅動開關1200為第4圖之驅動單元70之驅動開關72之一具體例，以及為第6圖驅動單元120之驅動開關172之一具體例。 15 第I5A圖為佈局圖，顯示於晶粒40之驅動開關1200之一具體例。驅動開關1200包括一閘極1204、一主動汲極區 1206、及部分主動源極區1208。一具體例中，源極區1208 係延伸至晶粒40之鄰近驅動開關。汲極區1206包括沿y方向之四個汲極區段i2〇6a-1206d 20 以及一個沿X方向之汲極區1206e。汲極區1206係透過通孔 1212而電耦接至汲極導體1210。汲極導體1210係電耦接至類似發射電阻器52之發射電阻器。一具體例中，汲極導體 1210係沿沒極區段I206a-1206e延伸，多個通孔類似通孔 1212，係電耦接汲極導體1210至汲極區12〇6。 96 1337580 閘極1204成形為環繞汲極區i2〇6之迴路結構。閘極遮罩用來形成環繞汲極區1206之閘極1204。一具體例中，閘極1204之迴路結構形成環繞汲極區】2 〇 6之封閉閘極結構。閘極1204係經由通孔1216而電耦接至閘極導體1214。 5閘極導體1214可電耦接至第4圖之記憶體電路74，及第6圖之預充電電晶體128及選擇電晶體no。一具體例中，閘極導體1214係沿閘極1204延伸，多個通孔類似通孔1216係電耦接閘極導體1214至閘極1204。

閘極1204外部區域為源極區1208。源極區1208係經由 10通孔1220而電耦接至源極導體1218。源極導體1218係電耦接至參考電位，諸如地電位。一具體例中，源極導體1218 係經由多個類似通孔1220之通孔而電耦接至源極區12 〇 8。於本驅動開關1200之具體例中，閘極]2〇4係成形為蜿礙迴路結構，婉蜒迴路結構比較非婉誕迴路結構，可增加 15閘極1204之長度，且造成電阻的下降。閘極1204可隔離閘極1204内部之汲極區1206，隔開晶粒40之其它元件例如電晶體。一具體例中’未形成場氧化物介電層來隔開相鄰之電晶體彼此。此外，未使用島狀遮罩來形成於場氧化物介電 20 層用來形成電晶體之該等開口。第15B圖為略圖’顯示於晶粒40之驅動開關]2〇〇及墨滴產生器1202之部分剖面圖。晶粒40包括一基材1222、_薄膜結構1224、及一扎口層1226。基材1222包括沒極區1206 及源極區1208a及1208b。基材1222較佳係以p摻雜劑飛雜用 97 1337580 於N通道金氧半導體(NMOS)製成。汲極區1206及源極區 1208a及1208b較佳摻雜n+摻雜劑來於P-基材1222形成n+主動區。驅動開關1200包括閘極區段1204a及1204b、汲極區 5 1206及源極區1208a及1208b。閘極區段1204a及1204b為環繞汲極區1206之閘極1204之一部分。閘極1204外部區域為源極區1208。

為了形成驅動開關1200，蜿蜒之閘極遮罩用來形成環繞汲極區1206之閘極1204。閘極氧化物層1228係設置於基 10 材1222上，閘極導體1230係設置於閘極氧化物層1228上。場氧化物介電層並未形成於基材1222上來隔開各個元件如電晶體。此外，未使用島狀遮罩來形成於場氧化物介電層用來形成電晶體用的開口。晶粒40包括介電層1232沉積於基材1222及閘極導體 15 1230上。電阻傳導層1234設置於介電層1232上，第一傳導

層1236係設置於電阻傳導層1234上。第一傳導層1236係由諸如鋁之傳導材料製成，但也可使用諸如銅及金之其它導體。部分第一傳導層1236被去除來形成發射電阻器1238於電阻傳導層1234。此外，第一接觸通孔124〇製作於介電層 2〇 1232，來電耦接第一傳導層1236至驅動開關12〇〇之汲極區 1206 ’其電耦接汲極區1206至發射電阻器1238。此外，第二接觸通孔1242製作於介電層1232，來電耗接第—傳導層 1236至驅動開關1200之閘極12〇4。—具體例中，介電層1232 厚度至少為2000埃，且較佳為6〇〇〇埃至丨2〇〇〇埃。此外，一 98 1337580 具體例中，介電層1232為磷矽酸玻璃。介電層1232提供發射電阻器1238於基材1222間之絕熱與絕電。

被動層1244設置於發射電阻器1238上方，電阻傳導層 1234及其它薄膜層設置於基材1222上。被動層1244保護發射電阻器1238不接觸反應性流體如墨水。接觸通孔1246製作於被動層1244，第二傳導層1248設置來經由接觸通孔 1246而與第一傳導層1236接觸。第三傳導層1250設置於第二傳導層1248上方，第二傳導層1248及第三傳導層1250電耦接至閘極1204。此外，第二傳導層1248作為發射電阻器 10 1238之成穴層。第二傳導層1248之成穴層部分保護被動層 1244及發射電阻器1238避免喷嘴室或氣化室1252内部之氣泡癟陷。一具體例中’閘極1204係藉閘極導體1230、電阻傳導層1234及第一傳導層1236而耦合至其它電路，閘極 1204並未連結至第二傳導層1248及第三傳導層1250。 15 孔口層1226包括一流體障層1254及一孔口板1256。孔

口板1256具有一正面1256a以及形成於正面1256a之喷嘴開口 1258。流體障層1254具有氣化室1252形成於其中’來容納流體且與喷嘴開口 1258連通。墨滴產生器1202包括氣化室1252、喷嘴開口 1258、及發射電阻器1238 ’其係經由電 20 阻傳導層1234及傳導層1236而電耦接至驅動開關Π00。操作時，氣化室1252接納流體如墨水。驅動開關1200 導通來導電’發射電阻器1238接收定時能脈波於晶粒40之發射線。發射電阻器〗238加熱而經喷嘴開口 1258噴出流體，氣化室1252再度填裝流體。 99 1337580 晶粒40之一具體例中，各個電晶體使用封閉閘極結構形成來隔開電晶體之主動區於封閉閘極結構内部。另一主動區係位在封閉閘極結構外部。一具體例中，多個電晶體組織於封閉閘極結構内。 5 第16圖為佈局圖，顯示預充電及選擇邏輯單元1300於部分晶粒40之一具體例。預充電及選擇邏輯單元1300包括閘極於迴路結構。一具體例中，迴路結構形成多個封閉閘極結構。

一具體例中，預充電及選擇邏輯單元1300為第6圖之預 10 充電及選擇邏輯單元127之一具體例，該單元包括預充電電晶體128、選擇電晶體130及保護電晶體〗31。預充電及選擇邏輯單元1300包括預充電電晶體1302、選擇電晶體1304及保護電晶體1306。一具體例中，邏輯單元1300可為晶粒之其它電路具體例。其它具體例中，邏輯單元1300可用於使 15 用類似之電晶體示意組配狀態之其它積體電路元件，諸如其它MEMS裝置。預充電電晶體1302包括一預充電閘極1308及一汲極區 1310 ;以及選擇電晶體1304包括一選擇閘極1312及一源極區1314。此外，保護電晶體1306包括一保護閘極1318及一 20 源極區1320。一具體例中，源極區1320延伸至晶粒40之相鄰封閉閘極結構。預充電閘極1308及選擇閘極1312外側至保護閘極1318 内側區域為源極/>及極區1316。源極/>及極區1316為預充電電晶體1302之源極區、及選擇電晶體1304及保護電晶體1306 100 1337580 之汲極區，其電耦接在一起來形成預充電及選擇邏輯單元 1300 〇預充電閘極1308隔開汲極區1310與源極/汲極區 1316，選擇閘極1312隔開源極區1314與源極/汲極區1316。選擇電晶體1304係組配有源極區〗314於選擇閘極1312内部 5 而非組配有汲極區，以及組配有源極/汲極區1316於選擇閘極1312外部，來配合預充電及選擇邏輯單元13〇〇之多數電晶體結構。

源極/汲極區1316設置於預充電閘極1308、選擇閘極 1312與保護閘極1318間之源極/汲極區1316為一種互連預 10充電電晶體1302、選擇電晶體1304及保護電晶體1306之面積有效方式。此等互連結構係利用n+主動源極/汲極區1316 作為額外互連層，來排除使用金屬或複晶矽導體互連結構。若有所需’結構可擴充來含括3個或3個以上由單一電晶體所包圍之内部電晶體。若電路有n個電晶體之源極/汲 15 極區連結在—起，則n-1個電晶體可藉該剩餘一個電晶體所

包圍。β包圍電晶體之問極可麵接至地電位，或麵接至電路之控制線。那一個電晶體來包圍其它電晶體之選擇係與電路拓樸結構中安置所需電晶體電容有關。於動態儲存節點，諸如 20儲存電荷用來作動驅動開關之節點、儲存内部節點信號SN 之節點、及儲存移位暫存器輸出信號之節點，該等節點上額外電谷可促成雜訊降低，且減少節點間之電荷分享問題。於其它節點，電容降低促成切換速度的增高以及電荷分享減少的問題。大型η+主動區諸如汲極/源極區13丨6設置 101 於包路佈局之額外電容為有利之處，諸如設置於動態儲存筋ϊΐ °若與大型η+主動區相關之額外電容無法置於電路佈局之有利之處，則電容可置於藉外部提供之具有適當驅動此力之信號可被主動驅動區。保護電晶體諸如保護電晶體 1306可加至電路來提高動態儲存節點之電容。預充電電晶體〗302之預充電閘極1308係透過通孔1326 而電耦接至預充電導體1322，以及汲極區1310係透過通孔 1324而電耦接至預充電導體丨322。預充電導體】322接收於預充電信號PRECHARGE之時序脈波來充電驅動開關（諸如 1〇驅動開關12〇〇)之閘極至高電壓位準。選擇電晶體1304之選擇閘極1312係經由通孔1330而電耦接至選擇導體1328。選擇導體1328接收選擇信號SELECT之時序脈波來導通選擇電晶體1304。選擇電晶體1304之源極區1314係經由通孔 1334而電耦接至資料/位址導體1332。資料/位址導體〖332 15 係電耦接至電晶體，諸如第6圖之發射單元120之資料電晶體136及位址電晶體138及140。其它具體例中，資料/位址導體1332可電耦接至地電位。源極/汲極區1316係經由通孔1338而電耦接至輸出導體1336。輸出導體丨336係電耦接至驅動開關之閘極(諸如第 20 6圖驅動開關】72，其為發射單元120之動態儲存節點），或電耦接至驅動開關1200之閘極1204來導通或戴斷驅動開關 1200。輸出導體1336包括與汲極/源極區1316關聯之電容。保護電晶體1306之保護閘極1318係經由通孔1342而電執接至閘極參考導體丨340 1源極區1320係經由通孔1346而電搞 102 接至源極參考導體1344。閘極參考導體係輕接至間極參考電位，諸如接地；以及源極參考導體1344係耦接至源極參考電位，諸如接地。一具體例中，閘極參考導體1 可電耦接至構成電路—部分之控制信號。 5 一具體例中’保護電晶體1306之保護閘極1318將預充電電晶體1302及選擇電晶體13〇4與鄰近之封閉閘極結構隔開。一具體例中，各個封閉之閘極結構包括一源極區諸如電耗接至相同源極參考電位如接地之源極區132〇。預充電及選擇邏輯單元13〇〇之佈局包括汲極/源極區 10 1316之額外電容於輸出導體1336，且設置遠較小電容於資料/位址導體1332。一具體例中，預充電導體1322係對應於第一預充電線432(顯示於第1〇入圖），以及選擇導體1328係對應於第一評估線420，邏輯單元13〇〇之佈局包括汲極/源極區1316之額外電容於輸出導體1336，其係對應於内部節 15點線522，其為儲存内部節點信號SN1之動態儲存節點。因内部節點線522係耦接至兩個源極/汲極區，故可增加額外保護電晶體來隔開組合之汲極/源極區1316 ;以及將保護電晶體（諸如保護電晶體丨306)之閘極/汲極電容加至對應於輸出導體1336之内部節點線522。 20 資料/位址導體丨332係對應於内部路徑524(顯示於第 ΐ〇Α圖）’資料/位址導體]332包括比對應於内部節點線之輸出導體1336更小之電容。當第-評估電晶體5〇6被導通時，電荷由對應於内部節點線522之輸出導體1336去除，且加至對應於内部路徑524之資料/位址導體丨332。如此降低 103 1337580 輸出導體1336及内部節點線522之電壓。但因輸出導體1336 有遠較大電容，故移動部分儲存電荷至資料/位址導體1332 不會改變内部節點線522之内部節點信號SNi之邏輯位準。於作為預充電及選擇邏輯單元127之一具體例之預充 5電及選擇邏輯單元1300操作時，預充電電晶體1302接收充電驅動開關1200之閘極1204之該預充電信號pREChaRGE 之時序脈波。其次，選擇電晶體13〇4接收於選擇信號 SELECT之時序脈波來導通選擇電晶體丨3〇4。若耦接至資料 /位址導體1332之資料/位址電晶體之一被導通，則閘極12〇4 10放電，以及驅動開關1200被載斷。若耦接至資料/位址導體 1332之全部資料/位址電晶體皆被载斷，則閘極12〇4維持充電，驅動開關1200被導通。於選擇信號SELECT之時序脈波後，充/放電狀態儲存於閘極1204。第17圖為佈局圖’顯示於部分晶粒4〇之預充電及評估 15單元1400之一具體例。預充電及評估單元1400包括閘極於迴路結構。一具體例中，迴路結構形成多數封閉閘極結構。預充電及评估單元14〇〇為預充電及評估電路之一具體例，例如第10B圖之正向及反向丨向信號電路55〇及552。正向方向信號電路550包括第三預充電電晶體554、第三評估 2〇電晶體556及控制電晶體558。反向方向信號電路552包括第四預充電電晶體560、第四評估電晶體562及控制電晶體 564。預充電及評估單元！彻包括_預充電電晶體魔一坪估電晶體1404、及一控制電晶體屬。其它具體例中，早兀14GG可驗其它使㈣似之電晶體示意組態之積體電 104 1337580 路元件’諸如其它MEMS裝置。預充電電晶體1402包括一預充電閘極1408及一沒極區 141 〇。評估電晶體1404包括一評估閘極1412，位於預充電閘極1408外側之評估閘極1412内部區與為源極/汲極區 5 1414。源極/汲極區1414為預充電電晶體丨4〇2之源極區及評估電晶體1404之汲極區，二區電耦接而形成預充電及評估早1400之—部分。

控制電晶體1406包括一控制閘極1416及一源極區 1418。評估閘極1412外部及控制閘極1416内部之區域為源 10極/汲極區1420。源極/汲極區1420為評估電晶體丨404之源極區及控制電晶體1406之汲極區，二區電耦接來形成預充電及評估單元14〇〇之一部分。預充電閘極1408隔開汲極區1410與源極/沒極區 1414，評估閘極1412隔開源極/汲極區1414與源極/汲極區 15 1420。控制閘極1416隔開預充電電晶體1402及評估電晶體 1404與晶粒40之鄰近各元件。一具體例中，源極區1418延伸至晶粒40之鄰近封閉閘極結構。預充電電晶體1402之預充電閘極1408係經由通孔1426 而電耗接至預充電導體1422 ;汲極區1410係經由通孔1424 20而電耦接至預充電導體1422。源極/汲極區1414係經由通孔 1430而電耦接至輸出信號導體1428。預充電導體1422接收預充電信號PRECHARGE之時序脈波來充電輸出信號導體 1428及輸出信號OUTPUT至高電壓位準。評估電晶體1404之評估閘極1412係經由通孔1434而電 105 1337580 耦接至評估導體1432。評估導體M32接收於評估信號 EVALUATION之時序脈波來導通評估電晶體M〇4。控制電晶體1406之控制閘極1416係經由通孔M38而電耦接至控制

導體1436 ;以及源極區1418係經由通孔1442而電耦接至源 5極參考導體1440。㈣導體1436接收諸如控制信號CSYNC 之仏號來開關控制電晶體14〇6。源極參考導體144〇係電耦接至源極參考電位，諸如接地。具體例中’控制閘極1416隔開預充電電晶體14〇2及評估電晶體1404與鄰近封閉閘極結構。一具體例中，各個】〇封閉閘極結構包括源極區諸如電耦接至相同源極參考電位如接地之源極區1418。操作時，預充電電晶體1402接收於預充電信號 precharge之時序脈波，將輸出導體1428充電至高電壓位準。其次’評估電晶體丨4〇4接收評估信號EVALUATION 15之時序脈波來導通評估電晶體1404。控制閘極1416接收控制k號’若控制電晶體1406被導通，則輸出導體1428放電至低電壓位準。若控制電晶體1406被戴斷，則輸出導體1428 維持充電至高電壓位準。於評估信號EVALUATION之時序脈波之後’充/放電狀態儲存於輸出導體1428。 20 預充電及評估單元1400之佈局為包括三個電晶體諸如預充電電晶體、評估電晶體及控制電晶體之電路拓樸結構之面積有效佈局。但由控制閘極1416至源極/沒極區1420之電容大，結果，控制導體1436可能意外被充電至高電壓位準’當評估信號EVALUATION之時序脈波導通評估電晶體 106 1337580 1404時，造成控制電晶體ι406的導通。如此意外放電輸出導體1428至低電壓位準。為了防止輸出導體1428之意外放電，控制導體1436可耦接至一主動驅動節點（諸如晶粒4〇之一輸入接腳）來主動凌駕控制導體1436之意外充電。連結控 5制V體143 6至動恕儲存卽點，諸如第1 〇a圖所示之内部節點線522，可能導致控制導體】436之意外充電以及輸出導體 1428之意外放電。此外，輸出導體1428包括相對低電容，其可能導致電荷共享問題。當評估電晶體1404被導通時，輸出導體1428 10之電荷係與評估電晶體1404與控制電晶體丨4〇6間之該節點共享’結果降低輸出導體1428之高電壓位準，可能導致錯誤情況。一具體例中，預充電及評估單元1400可用作為方向信號電路，諸如正向及反向方向信號電路55〇及552(顯示於第 15 10B圖）之一。控制導體1436係電輕接至控制線430，控制線 430提供控制信號CSYNC給控制導體1436。控制信號 CSYNC為主動驅動k號，該信號可凌駕試圖意外充電控制導體1436。此外，預充電及評估單元14〇〇用作為方向信號電路，控制導體1436之小電容連結至一或多個方向電晶體 20之閘極，例如於移位暫存器單元之全部電晶體之閘極(如第 10A圖所示）。一或多個電晶體之閘極提供多於適當電容之電容至該節點。一具體例中，預充電及評估單元14〇〇用於第6圖之發射單元120。預充電電晶體對應於預充電電晶體⑶， 107 1337580 評估電晶體1404係對應於選擇電晶體130，以及控制電晶體 H06係對應於資料電晶體丨36。包括預充電導體1422、評估導體1432及控制導體1436之各個輸入端接收主動驅動信號。控制導體1436接收主動驅動資料信號，其阻止控制導 5體1436之意外充電。此外，驅動開關172之閘極電容丨26提供大於適當電容之電容給輸出導體1428。預充電及評估單元1400用於第6圖之發射單元12〇，而驅動開關172之閘極電容126經由預充電電晶體1402充電。經由預充電電晶體1402充電閘極電容126可能導致充電時 10間延長，而影響晶粒40之操作速度。發射單元12〇之另一種佈局係使用第16圖之預充電及選擇邏輯單元13⑻，預充電電晶體1302製作成比預充電電晶體14〇2更大。第18圖為佈局圖，顯示於部分晶粒4〇之預充電及評估單元1500之一具體例。預充電及評估單元15〇〇包括閘極於 15迴路結構。一具體例中，迴路結構形成多數封閉閘極結構。預充電及評估單元1500包括封閉閘極結構15〇〇3及 1500b。閘極結構1500a包括一預充電電晶體15〇2及一保護電晶體1504。閘極結構1500b包括評估電晶體丨5〇6及控制電晶體1508。 20 本具體例中，預充電電晶體1502係與評估電晶體1506 及控制電晶體1508分開。結果控制電晶體丨5〇8可比控制電晶體1406更小，控制電晶體15〇8之相關電容可比控制電晶體1406之相關電容更小。電容較小可減少電容耦接問題。預充電電晶體1502未被評估電晶體丨5〇6及控制電晶體 108 1337580 1508所包圍，加入保護電晶體來提供一源極區，源極區可耦接至參考電位，諸如接地.保護電晶體15〇4將預充電電晶體與接地絕緣。一具體例中，預充電及評估單元1500為預充電及評估 5電路，諸如第10B圖之包括保護電晶體559及565之正向及反向方向信號電路550及552。正向方向信號電路55〇包括第三預充電電晶體554、第三評估電晶體556、控制電晶體5观保護電晶體559。反向方向信號電路552包括第四預充電電晶體560、第四評估電晶體562、控制電晶體5料及保護電晶 10體565。此外’-具體例中，預充電及評估單元】可為第 10A圖之移位暫存器單元彻a之第二階段5〇2，但第二階段 5〇2須包括-保護電晶體。其它具體例中，單元丨可用於其它使用類似之電晶體示意組態之積體電路元件，諸如其它MEMS裝置。 15 ㉟充電電晶體15G2包括—預充電開極1510及-沒極區 ⑸2。保護電晶體15〇4包括一保護問極⑸*及源極區 ⑸6。於預充電閑極⑸〇外部而於保護間極⑸*内部區域為源極/沒極區⑸8。源極/沒極區1518為預充電電晶體⑽ 之源極區及保護電晶體1504之沒極區，二區電耗接在一起 20而形成預充電及評估單元1500之一部分。評估電晶體1506包括評估閘極⑽及—沒極區1522。控制電晶體1508包括控制閘極1524及源極區⑽。控制電晶體1508及保護電晶體15〇4共享相同源極區⑸6。位於評估閘極1520外部而於控額極152納·域為源極/沒極 109 1337580 區1526。源極/汲極區1526為評估電晶體】506之源極區及控制電晶體1508之汲極區，二區共同電耦接來形成預充電及評估單元1500之一部分。

預充電閘極1510隔開汲極區丨5丨2與源極/汲極區 5丨5丨8，保濩閘極丨5丨4隔開源極/及極區1518與源極區1516及晶粒40之各鄰近元件。評估閘極】52〇隔開汲極區1522與源極/汲極區丨526 ’控制閘極1524隔開源極/汲極區1526與源極區1516及晶粒40之各鄰近元件。一具體例中，源極區1 $ 16 延伸至晶粒40之鄰近封閉閘極結構。 10 預充電電晶體15似之預充電閘極1510係經由通孔153〇

而電耦接至預充電導體1528，以及汲極區1512係經由通孔 1532而電耦接至預充電導體1528。源極/汲極區1518係經由通孔1536而電耦接至第一輸出導體丨534，第一輸出導體 1534係經由通孔1540而電耦接至複晶矽輸出導體1538。保 15 D隻電aB體】504之保濩閘極1514係經由通孔】562而電相接至保護導體1560。保護導體1560係耦接至閘極參考電位，諸如地電位。預充電導體1528接收於預充電信號 precharge之時序脈波來充電輸出導體1538至高電壓位準。 S平估電晶體1506之評估閘極1 520係經由通孔1544而電耦接至評估導體〗542，汲極區1522係經由通孔1548而電耦接至第二輸出導體1546。第二輸出導體1546經由通孔155〇而電耦接至輸出導體1538。輸出導體丨538係耦接至晶粒4〇之其它元件。評估導體1542接收評估信號EVALUATION之 110 1337580 時序脈波來導通評估電晶體1506。輸出導體丨538係由複晶矽製成，若未形成場氧化物介電層來隔開相鄰之電晶體彼此，則複晶矽為高電容互連材料。此外’輸出導體1538延伸超出通孔1540及】550來增加 5輸出導體丨538之電容。此外，保護電晶體1504之閘極至汲極電容增加輸出導體1538之電容，具有二區亦即源極/汲極區1518及汲極區1522連結至複晶矽輸出導體1538，增加輸出節點電容。若輸出導體1538係連結至動態儲存節點，則額外電容較有利。 10 控制電晶體1508之控制閘極丨524係經由通孔1554而電搞接至控制導體1552，源極區15] 6係經由通孔1558而電搞接至源極參考導體1556。控制導體1552接收信號諸如控制信號CSYNC或移位暫存器内部節點信號SN1(如第1〇A圖所示）來導通及截斷控制電晶體1508 ^源極參考導體1556係耗 15 接至源極參考電位，諸如地電位。一具體例中，各個封閉閘極結構包括一源極區’諸如源極區1516其係電耗接至相同源極參考電位’諸如地電位。細作時’預充電電晶體1502接收預充電信號 PRECHARGE之時序胍波來充電輸出導體1538至高電壓位 2〇準。其次，評估電晶體1506接收評估信號EVALUATION之時序脈波來導通評估電晶體1506。控制閘極1524接收控制信號，且若當評估電晶體1506被導通時控制電晶體15〇8為導通，則輸出導體1538放電至低電壓位準。若當評估電晶體1506被導通時控制電晶體1406被截斷，則輸出導體1538 111 1337580 維持充電至高電壓位準。於評估信號EVALUATION之時序脈波後，充/放電狀態儲存於輸出導體丨538。由控制閘極1524至源極/汲極區1526之電容比由控制閘極1416至源極/汲極區1420之電容減少。結果，控制導體 5 1552未被挽至高電壓位準，當評估信號EVALUATI〇N之時

序脈波導通評估電晶體1506時，其意外導通控制電晶體 1508。此外’控制電晶體1508可小於控制電晶體1406，以及評估電晶體1506可小於評估電晶體14〇4。結果’輸出導體1538與控制電晶體1508共享之電荷減少，輸出導體1538 10維持適當高電壓位準。此外，保護電晶體1504之電容加至輸出導體1538之電容，其增加輸出導體1538之電壓位準之穩定度。為了降低若干節點之電容，與電晶體之連結可交換，讓閘極内區連結來提供較小電容；以及閘極外區被連結至 15玎忍受較大電容之節點，諸如接收主動驅動輸入信號之節點。第19圖為饰局圖，顯示於晶粒4〇之一部分之預充電單元1600之一具體例。預充電單元16〇〇包括迴路結構之閘極。一具體例中，迴路結構形成多數封閉閘極結構。 2〇預充電單元1600包括一預充電電晶體1602及一保護電晶體1604。連結至預充電電晶體16〇2之連結電路可組配來降低於預充電電晶體1602輸出端提供之電容。一具體例中，預充電單元1600可用來替代包括預充電電晶體ι5〇2及保遵電晶體1504之閘極結構15〇〇a 連結電路來有利地定位 112 1337580 電容之技術可用來替代預充電電晶體。一具體例中，預充電單元1600可擴充來有多數預充電電晶體設置於一個保護電晶體之閘極内部，結果獲得更為具有面積效率之佈局。一具體例中，一個信號可預充電多 5數線’諸如時序信號T3(顯示於第9圖）可充電多數位址線 472。其它具體例中，單元1600可用於使用類似之電晶體示意組配狀態之其它積體電路元件，諸如其它MEMS裝置。預充電電晶體1602包括一預充電閘極16〇6及—源極區 1608。保護電晶體1604包括保護閘極丨610及源極區“以。 10於預充電閘極16 〇 6外側而於保護閘極丨6丨〇内側區域為汲極區1614。汲極區】614為預充電電晶體16〇2之汲極區及保護電晶體1604之汲極區，二區共同電耦接而形成預充電單元 1600之一部分。預充電閘極1606隔開源極區16〇8與沒極區1614，以及 15保護閘極丨610隔開汲極區1614與源極區丨612及晶粒4〇之鄰近各元件。一具體例中，源極區1612延伸至晶粒4〇之鄰近封閉閘極結構。預充電電晶體1602之預充電閘極16〇6係經由通孔丨618 而電耦接至預充電導體1616，汲極區1614係經由通孔162〇 20而電耦接至預充電導體1616。源極區1608係經由通孔1624 而電耦接至輸出導體1622。輸出導體1622係供耦接晶粒4〇之其它各兀件。預充電導體丨616接收預充電信號 PRECHARGE之時序脈波來充電輸出導體】622至高電壓位準。 113 1337580 保護電晶體1604之保護閘極]610係經由通孔1628而電耦接至保護導體1626。保護導體1626係耦接至閘極參考電位，諸如地電位。源極區1612係經由通孔1632而電耗接至源極參考導體1630。源極參考導體1630係電耦接至源極參 5 考電位’諸如地電位。一具體例中’各個封閉閘極結構包括一源極區，諸如源極區1612，其係電耦接至相同源極參考電位諸如地電位。

預充電電晶體1602係連結來降低輸出導體1622之電容。於輸出導體1622之來自源極區1608之電容係小於汲極 10 區1614之電容。來自預充電閘極1606及汲極區1614之較大電容係藉預充電信號PRECHARGE直接充電。須注意雖然第15-19圖顯示一具體例，此處電晶體之問極及汲極共同耦接；但也可利用其它組態，此處閘極與沒極係耦接至不同驅動信號。 15 此處所述電晶體佈局可用於其它積體電路元件，諸如其它MEMS裝置。此等MEMS裝置例如包括微鏡陣列或繞射光栅。此種結構中，驅動開關如驅動開關72或172可耦接至機械結構、微鏡、壓電元件、繞射光柵耗接至微鏡之可變形元件等。 20 雖然於此處已經舉例說明特定具體例，但業界熟諳技藝人士了解可以多種其它替代實作及/或相當實作來取代所示及所述之特定具體例，而未悖離本發明之範圍。本案意圖涵蓋此處討論之特定具體例之任何調整或變化。因此本發明僅受申請專利範圍及其相當範圍所限。 114 1337580 I：圖式簡單說明3 第1圖顯示喷墨列印系統之一具體例。第2圖為略圖顯示一晶粒之一具體例之一部分。第3圖為略圖顯示於一晶粒之一具體例，位於沿墨水進 5 給開槽之墨滴產生器之佈局圖。第4圖為略圖顯示於晶粒之一具體例採用之發射單元之一具體例。

第5圖為示意圖顯示噴墨頭發射單元陣列之一具體例。第6圖為示意圖顯示預充電發射單元之一具體例。 10 第7圖為示意圖顯示噴墨頭發射單元陣列之一具體例。第8圖為時程圖顯示發射單元陣列之一具體例之操作。第9圖為略圖顯示於一晶粒之位址產生器之一具體例。第10A圖為略圖顯示於一移位暫存器之一移位暫存器 ΧίΌ — 早兀。 15 第10B圖為略圖顯示一方向電路。

第11圖為時程圖顯示於正向方向之位址產生器之操作。第12圖為時程圖顯示於反向方向之位址產生器之操作。 20 第13圖為略圖顯示於一晶粒之2位址產生器及六個發射群之一具體例。第14圖為時程圖顯示於一晶粒之位址產生器之正向及反向操作。第15A圖為佈局圖顯示於一晶粒之驅動開關之一具體 115 1337580 例。弟15 B圖為略圖顯不於晶粒之驅動開關及墨滴產生器之部分剖面圖。第16圖為佈局圖顯示於部分晶粒之預充電及選擇邏輯 5 單元之一具體例。第17圖為佈局圖顯示於部分晶粒之預充電及評估單元之一具體例。

第18圖為佈局圖顯示於部分晶粒之預充電及評估單元之一具體例。 10 第19圖為佈局圖顯示於部分晶粒之預充電及單元之一具體例。

【主要元件符號說明】 20...噴墨列印系統 4 0…噴墨頭或噴墨頭晶粒 22...喷墨頭總成 42...列印元件或流體喷出元件 24...墨水供應總成 44...基材 26...安裝總成 46...墨水進給開槽 28...媒體傳送總成 46a-b...墨水進給開槽側 30...電子控制器或印表機控制器 48...薄膜結構 32...電源供應益 50...孔口層 34...孔口或喷嘴，喷嘴開口 50a…正面 36...列印媒體 52...發射電阻器 37…列印區段 54...墨水進給通道 38...貯槽 56...氣化室 39...資料 58...引線 116 1337580

60.. .墨滴產生器 70.. .發射單元 72.. .電阻器驅動開關 74.. .記憶體電路 76.. .發射線 78.. .參考線 80.. .資料線 82.. .致能線 100.. .喷墨頭發射單元陣列 102a-n...發射群 104…致能線 106a-L...子群致能線 108a-m...資料線 110a-n…發射線 112.. .共通參考線 120.. .預充電發射單元 122.. .參考線 124.. .發射線 126.. .儲存節點電容 128.. .預充電電晶體 130.. .選擇電晶體 132.. .預充電線 134.. .選擇線 136…資料電晶體 138.. .第一位址電晶體 140.. .第二位址電晶體 142.. .資料線 144.. .位址線 146.. .第二位址線 172.. .驅動開關 200.. .噴墨頭發射單元陣列 202a-f...發射群 206a-g…位址線 208a-h...資料線 210a-f...預充電線 212a-f...選擇線 214a-f...發射線 216.. .參考線 300.. .資料信號 302.. .喷嘴 304.. .位址信號 306.. .列子群位址 308.. .列子群位址 309.. .5.L6/PRE1 信號 310.. .5.L6/PRE1 信號脈波 311.. .列子群 312.. .預充電 314.. .資料信號集合 117 1337580

315.. .5.L1/PRE2 信號 316.. .5.L1/PRE2 信號脈波 318.. .儲存之資料 319…列子群 320…預充電 322…FIRE1能脈波 323··.能信號 FIRE1 324…低電壓位準 325…SEL2/PRE3 信號 326…SEL2/PRE3信號脈波 328…資料信號集合 330…儲存之資料 331.. .能信號 FIRE2 332.. .FIRE2 能脈波 334…高電壓位準 336…第二SEL6/PRE1信號脈波 338…資料信號集合 339…列子群 340…儲存之資料 342…列子群 343.. ·能信號 FIRE6 344…能脈波 346…低電壓位準 348.. .5.L1/PRE2 信號脈波 350…資料信號集合 352…能信號 400…位址產生器 402…移位暫存器 403a-m...移位暫存器單元 404…方向電路 406·.·邏輯陣列 408…方向控制線 410a-m.··移位暫存器輪出線 412…電阻器劃分網路 414…電阻器劃分網路 416…電阻器劃分網路 418…時序信號線 420…評估信號線 422…時序信號線 424…評估信號線 426…時序信號線 428…評估信號線 430…控制信號線 432…時序信號線 434.. .時序信號線 436.. .時序信號線 438a-g…位址線預充電電晶體 440a_m·.·位址評估電晶體 118 1337580

442a-b...評估防止電晶體 444…邏輯評估預充電電晶體 446a-b、448a-b...470a-b...位址電晶體對 472a-g...位址線 474.. .邏輯評估信號線 476a-m...評估線 478…參考電位 500.. .第一階段 502…第二階段 504…第一預充電電晶體 506.. .第一評估電晶體 508—向輸入電晶體 510.. .反向輸入電晶體 512.. .正向方向電晶體 514.. .反向方向電晶體 516.. .第二預充電電晶體 518.. .第二評估電晶體 520.. .内部節點電晶體 522.. .内部節點 524.. .内部路徑 526.. .電耦接 528.. .電耦接 530.. .電耦接 532.. .電耦接 534.. .參考電位 536.. .電容 538.. .電容 550.. .正向方向信號電路 552.. .反向方向信號電路 554.. .第三預充電電晶體 556.. .第三評估電晶體 558.. .第一控制電晶體 560.. .第四預充電電晶體 562.. .第四評估電晶體 564.. .第二控制電晶體 566.. .電耦接 568.. .參考電位 570.. .電耦接 572…參考電位 600、604、608、612、616、620. 時序信號 602、606、610、614、618'622. 時序脈波

624.. .控制信號CSYNC 625.. .位址信號

626.. .移位暫存器内部節點信號SN 119 1337580

628.. .高電壓位準 630…移位暫存器輸出信號SO 632…低電壓位準 633.. .高電壓位準 634.. .低電壓位準 636.. .低電壓位準 638.. .高電壓位準 640.. .高電壓位準

642.. .反向方向信號DIRR 644.. .高電壓位準 646.. .高電壓位準

648.. .邏輯評估信號LEVAL 650.. .低電壓位準 652.. .低電壓位準 654.. .低電壓位準 656.. .低電壓位準

658.. .正向方向信號DIRF 660.. .高電壓位準 662.. .高電壓位準 664.. .低電壓位準 666…時序脈波 668.. .時序脈波 670.. .控制脈波 672.. .低電壓位準 674.. .低電壓位準 676.. .高電壓位準 678.. .時序脈波 680、682、684...高電壓位準 686.. .低電壓位準 688.. .時序脈波 690.. .低電壓位準 692.. ，高電壓位準 694.. .控制脈波 696、698…低電壓位準 700.. .時序脈波 702.. .高電壓位準 704.. .低電壓位準 706.. .高電壓位準 708.. .時序脈波 710.. .低電壓位準 712.. .高電壓位準 714、718、726'736、748、758 時序脈波 716.. .高電壓位準 720.. .低電壓位準 722.. .高電壓位準 724…内部節點信號SN2 728、730、732…高電壓位準 120 1337580

734、738…低電壓位準 740…高電壓位準 742…控制脈波 744、746…低電壓位準 750、752、756...高電壓位準 754…低電壓位準 800、804、808、812、816、820...

時序信號T 802'806'810'814'818'822... 時序脈波 824.··控制信號CSYN(： 825…位址信號

826…移位暫存器内部節點信號SN 828…高電壓位準 830…移位暫存器輪出信號s〇 832··.低電壓位準 833…高電壓位準 834、836…低電壓位準 838、840·.·高電壓位準 842…反向方向信號以狀 844.. ·高電壓位準 848.. ·邏輯評估信號LHVAL 850、852、858...低電壓位準 858…正向方向信號DIRp 860、862..·高電壓位準 865.. .低電壓位準 866、868、878、888、900、908... 時序脈波 870…控制脈波 872、874.··低電壓位準 876…高電壓位準 880、882、884…高電壓位準 886、890·.·低電壓位準 892、896·.·高電壓位準 901、902...高電壓位準 904…低電壓位準 906…高電壓位準 910…控制脈波 912…低電壓位準 914、918、926、936、948、958... 時序脈波 916…高電壓位準 920…低電壓位準 922.. .高電壓位準 924··.内部節點信號SN12 928、930、932...高電壓位準 934、938...低電壓位準 121 1337580 940、944...高電壓位準 1168、1170…控制脈波 946…低電壓位準 1172、1174...位址 1 950'952、956...高電壓位準 954…低電壓位準 1176.. .時序脈波 1178.. .位址 2 960…控制脈波 1180-1192…控制脈波 962…低電壓位準 1200...驅動開關 1000、1002…位址產生器 1202...墨滴產生器 1004a-f...發射群 1204...閘極 1006·.·第一位址線 1206...主動汲極區 1008a-f·..選擇線 1208…主動源極區 1010…控制線 1210…汲極導體 1012…第二位址線 1212...通孔 1100、1104、11〇8、1112、1116、 1214…閘極導體 1120·.·選擇信號SEL 1216...通孔 1102、1106、111〇、1114、1118、 1218…閘極導體 1122…時序脈波 1220…通孔 1124…控制信號CSYNC(FWD) 1222…基材 1126…控制信號CSYNC(REV) 1224…薄膜結構 1128、1130...位址線 1226·..孔口層 1132、1134…控制脈波 1228.·.閘極氧化物層 1136-1146…時序脈波 1230…閘極導體 1148、1150、1152、1154 …控制 1232…介電層脈波 1234…電阻傳導層 1156-1166…時序脈波 1236…第—傳導層 122 1337580

1238.. .發射電阻器 1240.. .第一接觸通孔 1242.. .第二接觸通孔 1244.. .被動層 1246.. .接觸通孔 1248.. .第二傳導層 1250.··第三傳導層 1252.. .噴嘴室或氣化室 1254.. .流體屏障 1256.. .孔口板 1256a...下面 1258…喷嘴開口 1300.. .預充電與選擇邏輯單元 1302.. .預充電電晶體 1304.. .選擇電晶體 1306.. .保護電晶體 1308.. .預充電閘極 Π10...汲極區 1312.. .選擇閘極 1314…源極區 1316.. .源極/汲極區 1318.. .保護閘極 1320.. .源極區 1322…預充電導體 1324、1326...通孔 1328.. .選擇導體 1330、1334...通孔 1332…資料/位址導體 1336.. .輸出導體 1338、1342、1346·.·通孔 1340.. .閘極參考導體 1344.. .源極參考導體 1400.. .預充電與評估單元 1402.. .預充電電晶體 1404…評估電晶體 1406.. .控制電晶體 1408.. .預充電閘極 1410.. .〉及極區 1412.. .評估閘極 1414.. .源極/汲極區 1416.. .控制閘極 1418.. .源極區 1420.. .源極/>及極區 1422.. .預充電導體 1424、1426、1430...通孔 1428.. .輸出信號導體 1432.. .評估導體 1434、1438、1442…通孔 123 1337580

1440…源極參考導體 1500…預充電與評估單元 1500a-b…封閉閘極結構 1502…預充電電晶體 1504…保護電晶體 1506.. .評估電晶體 1508…控制電晶體 1510…預充電閘極 1512…汲極區 1514…保護閘極 1516.. .源極區 1518…源極/汲極區 1520…評估閘極 1522…汲極區 1524…控制閘極 1526…源極/汲極區 1528…預充電導體 1530、1532、1536、1540…通孔 1534…第一輸出導體 1538…複晶矽輸出導體 1542…評估導體 1544、1548、1550、1554…通孔 1546…第二輸出導體 1552…控制導體 1556.. .源極參考導體 1558.. .通孔 1560.. .保護導體 1562.. .通孔 1600…預充電單元 1602.. .預充電電晶體 1604.. .保護電晶體 1606.. .預充電閘極 1608.. .源極區 1610…保護閘極 1612.. .源極區 1614.. .汲極區 1616…預充電導體 1618、1620、1624、1628、1632 通孔 1622…輸出導體 1626…保護導體 1630…源極參考導體〜A1-7…位址信號〜ADDRESS 1 -7…位址信號 CSYNC··.控制信號 Dl-m…資料信號〜DATA…資料信號 DIRF，.，正向方向信號 124 1337580 DIRR...反向方向信號 EVAL...評估線 FIREl-n...發射信號或能信號 LEV AL...邏輯評估信號 PRE1-6...預充電信號 SEL1-6...選擇信號 SG1-L...子群致能信號 SIF...正向移位暫存器輸入信號 SIR...反向移位暫存器輸入信號 SN...内部節點信號 S01-13...移位暫存器輸出信號 T...時序信號

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Claims

第94108577號申請案申請專y圍修正本 99,07.06. 十、申請專利範圍：％7月6日修(和正替換頁 h —種流體噴出裝置，其包含： …一發射線’其係組配來接收—具有多數能量脈波之能量信號； -驅動開關，其係組配來控制該能量信號來嗦出流體；

第一一第一電晶體，其具有一組配於一第閘極；一迴路結構之 15

20 一第二電晶體，其具有-組配於—第二迴路結構之第二閘極；以及一第三電晶體，其具有-触於—第三迴路結構之第三閘極’該第三迴路結構係設置環繞該第—電晶體，其中該第二電晶體及該第三電晶體共享一第一作用區’以及其中該第一電晶體及該等第二與第三電晶體中之至少一者係組配來控制該驅動開關。 2·如申請專利範圍第i項之流體噴出裝置，其中該第二電晶體及該第三電晶體係組配來控制該驅動開關。 3.如申請專利範圍第1項之流體喷出裝置，包含： ^ —第四電晶體，其具有組配於一第四迴路結構之一第四閉極，其中该第二電晶體與該第四電晶體共享一第二作用區，以及該第一閘極係設置環繞一第三作用區，該第三作用區係電耦接至該第二作用區。 4.如申請專利範圍第3項之流體喷出裝置，其中該第四閘極係設置環繞-第四作用區，該第四作用區係組配來接 126 1337580 5

日修(t)正替換頁收一信號來將該第二作用區及該第三作用區充電。 5，如申請專利範圍第1項之流體喷出裝置，包含：一第四電晶體，其具有組配於一第四迴路結構之一第四閘極，其中該第二電晶體與該第四電晶體共享一第 —作用區。 6.如申請專利範圍第5項之流體喷出裝置，其中該第四閘極係設置環繞一第三作用區，以及該第一閘極係設置環繞一第四作用區，該第四作用區係電耦接至該第三作用 [A ο 10 如申請專利範圍第6項之流體噴出裝置，其中該第二作用區係組配來接收一信號來將該第三作用區及該第四作用區充電。 15 8.如申請專利範圍第丨項之流體喷出裝置，其中該第二閘極係設置環繞該第三電晶體。

9·如申請專利範㈣1項之流體喷出裝置，其中該第一電曰曰體及第二電晶體共享該第一作用區’以及該第一開極係^置環繞-第二作驗，該第二作㈣係組配來接收 k號來將該第一作用區充電。 20 叫寻利乾圍第1項之流體喷出裝置，其中該第曰體及β第二電晶體共享該第__作用區。種具有以迴路結構組構之閘極的裝置其包含： —第—電晶體’其具有一組配於一第-迴路社第一閘極； α 一第二電晶體’其具有一組配於一第二迴路結構之 127 5 5

15

20 迴路結構中的 ^^7月6日修⑻正替換頁第二閘極；以及一第三電晶體，其具有一組配於〆第三迴路結構之第三閘極，其中該第一電晶體及該第二電晶體係設置於 5玄第三閘極内部。如申请專利範圍第11項之裝置，其中該第一電晶體及該第三電晶體共享一作用區。 13·如申請專利範圍第11項之裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體共享一作用區。 14·如申請專利範圍第11項之裝置，其中該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體共享一第一作用區’以及該第一閘極係設置環繞一第二作用區，該第二作用區係組配來接收一信號來將該第一作用區充電。 15. 如申請專利範圍第11項之裝置，包含：一驅動開關，其中該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體共n作題，該第—作用區係輕接至該驅動開關；以及該第一閘極係設置環繞—第二作用區，該第二作用區係耦接至資料/位址電晶體。 16. —種具有以迴路結構組構之閘極的裝置其包含. -基體，其具有-第一作用區、—第二作用區、一第三作用區、及一第四作用區；組配於環繞該第一作用區之一第— —第一閘極；組配於環繞該第二作㈣之—第二迴路結構中 —第二閘極； ° 的 128 1337580 执；?月έ曰修(f)正替換頁組配於環繞該第三作用區之一第三迴路結構中的一第三閘極，其中該第二作用區係電耦接至該第三作用區；以及以％繞该第四作用區之—第四迴路結構組配的— 第四閘極’其中該第_閘極係設置環繞該第二閘極，以及該第三閑極係設置環繞該第四閘極。

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