TWI330416B - Light emitting device - Google Patents

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TWI330416B TW96115211A TW96115211A TWI330416B TW I330416 B TWI330416 B TW I330416B TW 96115211 A TW96115211 A TW 96115211A TW 96115211 A TW96115211 A TW 96115211A TW I330416 B TWI330416 B TW I330416B
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1330416 . 九、發明說明: 【發明所屬之技術領據*】 本發明係關於一種發光裝置及其製造方法,尤其關於 發光二極體裝置及其製造方法。 【先前技術】 • 發光二極體(LED)之發光原理和結構與傳統光源並 不相同,且具有體積小、高可靠度等優點,在市場上的 應用頗為廣泛。例如’光學顯示裝置、雷射二極體、交 • 通號誌、資料儲存裝置、通訊裴置、照明裝置、醫療裝 置、以及配合需求製成各種大型元件,以應用於室内或 室外大型顯示螢幕。 隨著白光LED之出現,使得LED應用領域跨足至照 明光源市場。白光LED其中之—作法為藉由uv LED激 發RGB二顏色的螢光粉,其主要優點在於只要一顆led 晶片即可產生白光,控制電路相對簡單,而且演色性也 可以藉由RGB螢光粉調配達到9〇%以上,只是目前uv % LED效率不高,離實際使用尚有一段距離。 另種作法係使用耳光與藍光二顆LED,控制通過LED 之電流再經過混光而產生白光。在上述之做法,若其中一顆 LED發生劣化’則無法得到所需之白光,且同時使用多個 MD,成本也相對提高。又因其演色性具有先天限制,對於 局演色性需求之應用’如LCD背光源,將受到限制。 還有使用紅光、藍光與綠光三顆LED,分別控制通 過LED之電狀再經過遇光後以產生白光。lED設 5 1330416 計主要在於有效混光且不會因此損失出光效率,第一圖 為目前將R/G/B LED放置在同一碗杯進行混光之封裝設 計,但其缺點在於封裝透鏡(Lens)無法同時對焦三個晶另 外,同時LED出光將受彼此相鄰晶片影響,致使出光效 • 率損失。 • 另外一種發光二極體可解決前述之問題,以達到有效 混光,參考第二圖,該發光二極體包含一紅光發光二極 體(R)為基底,於紅光發光二極體上分別並列疊置一藍光 ❿ 發光二極體(B)及一綠光發光二極體(G),紅光、藍光及綠 光發光二極體所發出光線經過混光形成白光。此設計可 以有效達成R/G/B混光,但此結構安排將影響散熱及 R/G/B顏色有效應用,尤其目前紅光材料對於溫度最為敏 感,所以操作電流將受限’而當紅色輸出受限,則藍光 將形成浪費,這樣設計似乎衍生更多問題。 【發明内容】 I 本發明提供一種發光裝置,包含:一基板,包括一第一凸 出部、及一第二凸出部形成於基板之上表面側;以及複數個磊 晶單元,包含一發出第一顏色光的磊晶單元與一發出第二顏色 光的遙晶單元分別形成於該第一凸出部與第二凸出部上,其中 於基板各凸出部及複數個磊晶單元之間分別包含一接合面。 本發明提供一種發光裝置之製造方法,包含:選擇一第一 基板,該第一基板之上表面側包含一第一凸出部及一第二凸出 部,選擇一第二基板,該第二基板之上表面侧包含一第一凸出 6 1330416 部及一第二凸出部;選擇一第一半導體磊晶片,包含發出第一 顏色光的第一個磊晶單元及發出第一顏色光的第二個磊晶單 元;選擇一第二半導體磊晶片,包含發出第二顏色光的第一個 磊晶單元,及發出第二顏色光的第二個磊晶單元;將發出第一 顏色光的第一個蠢晶單元接合到第一基板之第一凸出部;將發 出第一顏色光的第一個磊晶單元與第一半導體磊晶片分離;將 發出第二顏色光的第一個磊晶單元接合到第二基板之第一凸 出部;將發出第二顏色光的第一個磊晶單元與第二半導體磊晶 片分離;將第二個發出第二顏色光的蟲晶單元接合到第一基板 之苐二凸出部;將第二個發出第二顏色光的蠢晶單元與第二半 導體磊晶片分離;將第二個發出第一顏色光的磊晶單元接合到 第一基板之第二凸出部;以及將第二個發出第一顏色光的蠢晶 單元與第一半導體磊晶片分離。 【實施方式】 請參考第三圖’其繪示出根據本發明實施例之半導體 發光裝置剖面示意圖。發光裝置1,例如一發光二極體 (LED ),包括一第一透光基板1〇’具有一圖案化之上 表面’此上表面包含一第一凸出部1〇1,一第二凸出部 102 ’及一第三凸出部103 ;複數個磊晶單元,包含發出 第一顏色光的第一磊晶單元111、發出第二顏色光的第二 磊晶單元212、及一發出第三顏色光的第三磊晶單元313 分別形成於該第一凸出部101,第二凸出部1 〇2,以及第 7 1330416 • 三凸出部103上,其中於各凸出部及複數個磊晶單元之 間分別包含一接合層12; —第一電極13以及一第二電極 14,形成於各磊晶單元上。 第四圖所示為依本發明一實施例發光二極體丨之製 造方法。首先進行第一次磊晶單元與透光基板之接合, ' 包括選擇一第一透光基板10,該第一透光基板之上表面 包含一第一凸出部101、一第二凸出部102、及一第三凸 出部103 ;接著如第五圖所示,選擇一第一半導體磊晶片 # 11 ’包含一第一磊晶片基板100,可發出第一顏色光之一 第一磊晶單元m、一第二磊晶單元112、及一第三磊晶 早元113,其中該第一顏色光例如為紅光。再依第六圖所 示’將該第一半導體磊晶片11的第一磊晶單元111對準 第一透光基板10之第一凸出部101,並以接合層12接合 該第一半導體磊晶片11的第一磊晶單元111及第一透光 基板10之第一凸出部101後,以雷射光照射該第一磊晶 早元111’使第一蟲晶早元111與第'一蟲晶片基板100分 • 離。移除基板後的結構如第七圖所示。 本實施例中第一半導體磊晶片11的製造方法是在一 GaAs基板上成長一 AlGalnP蠢晶疊層,接著以一 UV膠 120將該AlGalnP蠢晶疊層與一藍寶石(sapphire)基板 100接合,再以蝕刻的方法將原先的GaAs基板移除,最 後再自AlGalnP磊晶疊層表面進行切割至UV膠120,使 AlGalnP磊晶疊層成為複數個磊晶單元111。 接著如第八圖所示,選擇一第二透光基板20,其上 表面包含一第一凸出部201,一第二凸出部202,以及一 8 1330416 . 第三凸出部203 ;接著選擇一第二半導體磊晶片21,包 含一第二磊晶片基板200,可發出一第二顏色光之一第一 磊晶單元211、一第二磊晶單元212、及第三磊晶單元213; 其中該第二顏色光例如為藍光。將第二半導體磊晶片21 •’ 的第一磊晶單元211對準第二透光基板20之第一凸出部 ' 201 ’並以接合層12接合該第二半導體磊晶片21的第一 磊晶單元211及第二透光基板20之第一凸出部201,再 以雷射光照射該第二半導體磊晶片21的第一磊晶單元 • 211 ’使第一磊晶單元211與第二磊晶片基板200分離。 移除基板後的結構如第九圖所示。 本實施例中第二半導體磊晶片21的製造方法是在一 藍寶石基板200上成長一AlGalnN磊晶疊層,最後再自 AlGalnN磊蟲疊層表面進行切割到藍寶石基板200,使 AlGalnN磊晶疊層成為複數個磊晶單元。 最後如第十圖所示,選擇一第三透光基板30,該第 三透光基板之上表面包含一第一凸出部3(Π,一第二凸出 • 部302,以及一第三凸出部303;接著選擇一第三半導體磊 晶片31,包含一第三磊晶片基板300,可發出第三顏色 光的一第一磊晶單元311,一第二磊晶單元312,及第三 磊晶單元313 ;其中該第二顏色光例如為綠光。將第三半 導體磊晶片31的第一磊晶單元311對準第三透光基板30 之第一凸出部301,並以接合層12接合該第三半導體磊 晶片31的第一蠢晶单元311及第三透光基板30之第一 凸出部301,再以雷射光部分照射該第三半導體磊晶片 31的第一磊晶單元311,使第一磊晶單元311與第三磊 9 1330416 •晶片基板300分離。移除基板後的結構如第十一圖所示。 本實施例中第三半導體磊晶片31的製造方法是在一 藍寶石基板300上成長一 A1GaInN磊晶疊層,最後再自 AlGalnN遙晶疊層表面進行切割到藍寶石基板3〇〇,使 AlGalnN磊晶疊層成為複數個磊晶單元。 • 接著進行第二次磊晶單元與透光基板之接合。請參考 第十二及十三圖’其接合步驟包括將第三半導體磊晶片 31的第二磊晶單元312對準第一透光基板1〇之第二凸出 • 部102’並以接合層丨2接合該第三半導體磊晶片31的第 二磊晶單元312及第一透光基板1〇之第二凸出部1〇2, 再以雷射光照射該第二磊晶單元312,使得第二磊晶單元 312與第三磊晶片基板300分離;移除基板後的結構如第 十四圖所示。 請參考第十五及十六圖,接著將第一半導體磊晶片 11的第二磊晶單元112對準第二透光基板20之第二凸出 部202,並以接合層12接合該第一半導體磊晶片η的第 鲁二磊晶單元112及第二透光基板20之第二凸出部202, 再以雷射光照射該第二磊晶單元112,使第二磊晶單元 112與第一磊晶片基板100分離。移除基板後的結構如第 十七圖所示。 請參考第十八及十九圖,接著將第二半導體磊晶片 21的第二磊晶單元212對準第三透光基板30之第二凸出 部302’並以接合層12接合該第三半導體磊晶片21的第 二磊晶單元212及第三透光基板30之第二凸出部302, 再以雷射光照射該第二磊晶單元212,使第二磊晶單元 1330416 212與第二磊晶片基板200分離。移除基板後的結構如第 二十圖所示θ 接下來進行第三次磊晶單元與透光基板之接合,請參 考第二十一及二十二圖,其接合步驟包括將第二半導體 磊晶片21的第三磊晶單元213對準第一透光基板1〇之 • 第三凸出部1〇3,並以接合層12接合該第二半導體磊晶 片21的第三磊晶單元213及第一透光基板10之第三凸 出部103,再以雷射光照射該第三磊晶單元213,使得第 籲 三蠢晶早元213與第二蟲晶片基板200分離,形成一第 一發光元件。移除基板後的結構如第二十三圖所示。 請參考第二十四及二十五圖,接著將第三半導體磊晶 片31的第三磊晶單元313對準第二透光基板20之第三 凸出部203,並以接合層12接合該第三磊晶單元313及 第三凸出部203,再以雷射光照射該第三磊晶單元313, 使第三磊晶單元313與第三磊晶片基板300分離,形成 一第二發光元件。移除基板後的結構如第二十六圖所示。 馨 請參考第二十七及二十八圖,最後將第一半導體蠢晶 片11的第三磊晶單元113對準第三透光基板3〇之第三 凸出部303 ’並以接合層12接合該第三蠢晶單元us及 第三凸出部303,再以雷射光照射該第三磊晶單元113, 使第二蟲晶早元113與第一蠢晶片基板100分離,形成 一第三發光元件。移除基板後的結構如第二十九圖所示。 最後分別形成一第一電極13及一第二電極14於各發 光元件之磊晶單元上形成發光裝置1。 本發明中各發光裝置中所包含的磊晶單元並不限於 11 1330416 . 三個,可重複前述之步驟以接合三個以上之磊晶單元。 各發光裝置之磊晶單元之排列並不限於成列佈置,亦可 形成一矩陣之排列。如第三十A圖所示第二實施例之發 光裝置中,於基板40之凸出部上形成之磊晶單元可以一 ' 2x2的矩陣排列佈置,其數目可依各磊晶單元之發光效率 • 不同來增減其數目,例如發綠光之磊晶單元發光效率不 如發紅光及藍光之磊晶單元,因此可將發綠光之磊晶單 元413增加到2個,與一個發紅光411之磊晶單元及一 • 個發藍光之磊晶單412元搭配成發光裝置2。於發光裝置 2中,各磊晶單元分別包含兩個電極,於基板40上進行 電路佈置,連接至對外電極421、422、423、及424,使 各電極之間可以串聯或並聯形式導通。第三十B圖是一 4 x4磊晶單元排列佈置之發光裝置。 於第三實施例中,如第三十一 A圖及第三十一 B圖 所示,發光裝置可固定於一封裝支架311上,藉由打線 將各磊晶單元分別與對外電極作電性連結。第三十二圖 φ 為三個發光裝置固定於封裝支架311上,個別與對外電 極電性連結。 固定於支架上之發光裝置可再藉由電路控制作為背 光模組、照明、車燈、或投影機之應用。 第一透明基板10、第二透明基板20、及第三透明基 板30上表面的凸出圖案可藉由蝕刻或雷射切割的方法, 形成一規則成列之凸出及/或凹陷圖案;各磊晶單元可藉 由蝕刻或切割等方法,規則成列形成於第一半導體磊晶 片11、第二半導體蠢晶片21、及第二半導體蠢晶片31 12 1330416 上,其中各磊晶單元之寬度大致上接近於各凸出圖案及 凹陷圖案之寬度。
第一透明基板10、第二透明基板20、及第三透明基板30 上表面的凸出圖案另一種製造方法步驟如下:選擇包含 一具有平坦上表面之透明基板,透明基板上表面具有規 則成列之圖案化之凸塊,該凸塊形成一規則成列之凸出 及凹陷圖案。該凸塊可具有透光或散熱之功能。當凸塊 為折射係數介於磊晶單元及透明基板之間的材料,即具 有透光功能,可提高光摘出效率。其材料包含鑽石 (Diamond)、SiC、或玻璃等。當凸塊為熱傳係數大於磊晶 平元之材料,即具有散熱之功能’例如Diamond、Si、或 金屬。 前述透明基板之上表面上可塗布形成一散熱層,以達 到散熱之功能,散熱層的材料包含至少一種材料選自於 鑽石、類鑽碳(Diamond Like Carbon ; DLC)、奈米碳管 (Carbon nano-tube)、及金屬所構成之材料群組。 磊晶單元與透明基板表面凸出圖案之接合方式包含 直接加壓接合、以及間接接合形成一接合面,其中間接 接合之方式包含以膠接合或金屬接合;膠的材料包含至 少一種材料選自於聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烷(BCB)、過 氟環丁烧(PFCB)、環氧樹脂(ep〇xy代刪、矽樹脂 (SiHcone)、及銀賴構成之材料群組。金屬接合的材料 包含至少-種材料選自於In、Au、Sn、pb、Ge、pdq 前是金屬之合金所構成之材料群組。 於雷射光照射蠢晶單元之步驟中,雷射光可經由半導 13 1330416 . 體磊晶片的藍寶石基板端或者是透明基板端照射,使得 磊晶單元及藍寶石基板之間因吸收雷射光能量而斷裂分 離。關於本實施例中發出紅光的第一半導體磊晶片中, 磊晶單元經過雷射光罩射後與藍寶石基板分離,於磊晶 ^ 單元之表面可能會有uv膠殘留,因此還需要一道去除殘 餘之UV膠的步驟。 前述之透明基板包含至少一種材料選自於選自於 Al2〇3、Glass、Gap、GaN、Diamond及SiC所構成之材料 • 群組。該透明基板亦可以吸光基板取代,吸光基板包含 至少一種材料選自於選自於Si、及金屬所構成之材料群 組。 於本實施例中’於前述之透光基板之下表面更包含一 反射層,該反射層包含至少一種材料選自於鋁、鋼、銀、 及^凡所構成之材料群組。 、、 本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明,並 以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何用 • 易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。而 【圖式簡單說明】 第-圖為-示意圖’顯示依先前技藝所示之一 置; 顿趱骏 第二圖為—示意圖’顯示依先前技藝所示之另 裝置; 疋〜槌赠 第三圖為—示意圖,顯示依本發明之-發光裝置; 第四圖至第二十九圖揭示依本發明之發光裝置之製造方 令; 14 1330416 第三十A圖為一示意圖,顯示依本發明之一發光裝置; 第三十B圖為一示意圖,顯示依本發明之一發光裝置; 第三十一 A圖及第三十·一 B圖分別為一剖面圖及上視圖’顯 示依本發明之一發光裝置; 第三十二圖為一示意圖,顯示依本發明之一發光裝置。 【主要元件符號說明】 10 :第一透光基板;20 :第二透光基板;30 :第三透光基 板;101、201、301 :第一凸出部;102、202、302 :第二凸 出部;103、203、303 :第三凸出部;111、211、311 :第一 磊晶單元;112、212、312:第二磊晶單元;113、213、311 : 第三磊晶單元;12:接合層;13:第一電極;14:第二電極; 11 :第一半導體磊晶片;21 :第二半導體磊晶片;31 :第三 半導體磊晶片;40:基板;411、412、413:磊晶單元;42卜 422、423、424 :電極;311、331 :封裝支架;120 : UV 膠; 100、200、300:藍寶石晶片;210、310: AlGalnN 磊晶疊層。
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Claims (1)

1330416 _ 十、申請專利範圍: 1. 一種發光裝置,包含: 一基板’包含一第一凸出部及一第二凸出部於基板之上 表面; 複數個蠢晶單元,包含: 一發出第一顏色光的磊晶單元形成於該第一凸出部 上;以及 • 一發出第二顏色光的磊晶單元形成於該第二凸出部 上;以及 一第一接合面位於各該凸出部及各該複數個磊晶單元 之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中,該基板 之上表面更包含一第三凸出部,以及一發出第三顏色光 的磊晶單元形成於該第三凸出部上。 3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,更包含一反射 層形成於該基板之下表面。 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,更包含一接合 層形成於該基板之該凸出部及該複數個磊晶單元中至 少其一之間,其中該第一接合面係位於該接合層靠近該 複數個磊晶單元之一側,以及一第二接合面位於該接合 16 1330416 層罪近§亥基板之一側。 5. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置,其中該接合層 包含至少一種材料選自於共熔合金、銀膠、聚醯亞胺 (PI)、苯并環丁烷(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、環氧樹脂 (epoxy resin)、及矽樹脂(Silicone)所構成之材料群組。 6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中各該凸出 部之組成材料與該基板相同。 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中各該凸出 部組成材料與該基板不相同。 8. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置,其中各該凸出 #包各至少一種材料選自於鑽石(Diamond)、SiC、玻璃、 Si、及金屬所構成之材料群組。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置,更包含一散熱 層形成於該基板上表面或各該凸出部之上表面。 10. 如申清專利範圍第9項所述之發光裝置其中該散熱層 的材料至y種材料選自於鑽石、類鑽碳(Diamond Like Carbon ; DLC)、奈米碳管(Carb〇n 腿〇 tube)、及金 屬所構成之材料群組。 17 1330416 11. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中該基板為 一透光基板。 12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置,其中該透光基 板包含至少一種材料選自於Al2〇3、Glass、GaP、GaN、 Diamond及SiC所構成之材料群組。 13. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置,其中該反射層 包含至少一種材料選自於銘、銅、銀、及SiNx所構成之 材料群組。 14. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中於該基板 各凸出部之間更包含一凹陷部。 15. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中於該基板 上更包含一電路佈局,將各磊晶單元之間電性連結。 16. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置,其中該基板係 形成於一封裝支架上。 17. —種發光裝置之製造方法,包含: 選擇一第一基板,該第一基板之上表面側包含一第一凸 出部,以及一第二凸出部; 選擇一第二基板’該第二基板之上表面側包含一第一凸 1330416 出部,以及一第二凸出部; 選擇一第一半導體磊晶片, 第一個發出第一顏色 早疋,及一第二個發出第一顏色光的蟲晶單 元; =:半導_片,包含-第-個發出第二顏色 先的蠢曰曰早疋’及一第二個發出第二顏色光的蠢晶單 兀; 進行該等遙晶單元與該基板之第-次接合,包含: 將°亥第個發出第一顏色光的遙晶單元接合到該第 一基板之該第一凸出部; 將°亥第個發出第一顏色光的蟲晶單元與該第一半 導體磊晶片分離; 將該第-個發出第二顏色光的蟲晶單元接合到該第 二基板之該第一凸出部; 將該第個發出第二顏色光的蟲晶單元與該第二半 導體蠢晶片分離;以及 進行該㈣晶翠元與該基板之第二次接合,包含: 將該第—個發*第:顏色光的▲晶單元接合到該第 -基板之該第二凸出部; 义第個發出第二顏色光的磊晶單元與該第二半 導體磊晶片分離; 1330416 將該第二個發出第一顏色光的磊晶單元接合到該第 二基板之該第二凸出部;以及 將該第二個發出第一顏色光的磊晶單元與該第一半 導體磊晶片分離。 18. 如申請專利範圍第17項所述之發光裝置之製造方法,其 中該接合包含直接加壓接合、或以一接合層接合。 19. 如申請專利範圍第17項所述之發光裝置之製造方法,其 中該第一半導體磊晶片的製造方法包含在一成長晶片 上成長一磊晶疊層,再以一UV膠將該成長晶片上的該磊 晶疊層與一藍寶石晶片接合。 20. 如申請專利範圍第17項所述之發光裝置之製造方法,其 中於該第一基板及該第二基板各該凸出部之間更包含 一凹陷部,該凸出部及/或該凹陷部規則成列;各該磊晶 單元規則成列形成於該第一半導體磊晶片及該第二半 導體磊晶片上,且各該磊晶單元之寬度大致上接近於各 凸出部及凹陷部之寬度。 21. 如申請專利範圍第17項所述之發光裝置之製造方法,其 中各該磊晶單元與各該半導體磊晶片之分離包含以雷 射光照射各該半導體磊晶片後,將各該磊晶單元與各該 20 1330416 半導體磊晶片分離。 22. —種發光裝置之製造方法,包含: 選擇一第一基板,該第一基板之上表面側包含一第一凸 出部,一第二凸出部,及—第三凸出部; 選擇一第二基板,該第二基板之上表面側包含一第一凸 出部’ 一第二凸出部,及—第三凸出部;
選擇一第三基板,該第三基板之上表面侧包含一第一凸 出部,一第二凸出部,及一第三凸出部; 選擇一f —半導體蟲晶片,包含—第—發出第一顏色光 的站曰曰單元’-第二發出第-顏色光的磊晶單元,以及 一第二發出第一顏色光的磊晶單元; ,:ft半導體磊晶片,包含-第-發出第二顏色光
:::早凡’ 一第二發出第二顏色光的磊晶單元,以及 一第二發出第二顏色光的磊晶單元; 三半導體蟲晶片’包含-第-發出第三顏色光 一第二發出第三顏色光的蟲晶單元,以及 、發出第三顏色光的蟲晶單元; 進:::磊晶單元與該基板之第-次接合,包含: 时通第一發φ 基板之該第 光的蟲晶單元接合到該第一 χ弟〜凸出部; 將该弟一發& g 坩第一顏色光的磊晶單元與該第一半導 21
體蟲晶片分離; 將5亥第一發出第二顏色光的磊晶單元接合到嗲第二 基板之該第—凸出部; " 將該第一發屮楚A 第一顏色光的磊晶單元與該第二车道 體蠢晶片分離;
將°亥第第三顏色光的蟲晶單元接合到該第三 基板之該第—— 將該第一發屮结_ 第二魅光㈣晶單元㈣第三半導 ® 日日片分離; 進行該等以單Μ該基板之第 二次接合,包含: 將該第二於Ψ钕— 一·顏色光的蠢晶單元接合到該第一 基板之該第二凸出部; 將該第二發屮楚_
印弟三顏色光的磊晶單元與該第三半導 體猫晶片分離. 將該第二發屮结 Λ出第一顏色光的磊晶單元接合到該第二 基板之該第二凸出部; 將該第二發屮货 一顏色光的磊晶單元與該第一半導 體蠢晶片分離; 將該第二發屮楚_ 第二顏色光的磊晶單元接合到該第三 基板之該第二凸出部; 將該第二發屮货 第二顏色光的磊晶單元與該第二半導 22 1330416 . 體蟲晶片分離,以及 進行該等磊晶單元與該基板之第三次接合,包含: 將該第三發出第二顏色光的磊晶單元接合到該第一 - 基板之該第三凸出部; . 將該第三發出第二顏色光的磊晶單元與該第二半導 體蟲晶片分離, 將該第三發出第三顏色光的磊晶單元接合到該第二 • 基板之該第三凸出部; 將該第三發出第三顏色光的磊晶單元與該第三半導 體蠢晶片分離, 將該第三發出第一顏色光的磊晶單元接合到該第三 基板之該第三凸出部;以及 將該第三發出第一顏色光的磊晶單元與該第一半導 體遙晶片分離。 23.如申請專利範圍第22項所述之發光裝置之製造方法,其 中該接合包含直接加壓接合、或以一接合層接合。 24·如申請專利範圍第22項所述之發光裝置之製造方法,其 中該第一半導體磊晶片的製造方法包含在一成長晶片 上成長磊晶疊層,再以一UV膠將該成長晶片上的磊晶疊 層與一藍寶石晶片接合。 23 1330416 25. 如申請專利範圍第22項所述之發光裝置之製造方法,其 中於該第一基板、該第二基板、及該第三基板各該凸出 部之間更包含一凹陷部,該凸出部及/或該凹陷部規則成 列;各該磊晶單元規則成列形成於該第一半導體磊晶 片、該第二半導體蠢晶片及該第二半導體蠢晶片上,各 該磊晶單元之寬度大致上接近於各該凸出部及該凹陷 部之寬度。 26. 如申請專利範圍第22項所述之發光裝置之製造方法,其 中各該蟲晶早元與各該半導體蠢晶片之分離包含以雷 射光照射各該半導體蠢晶片後’將各該蠢晶早元與各該 半導體磊晶片分離。 24
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