TWI329679B - Method of producing a dopant gas species - Google Patents

Description

1329679 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於製造一含有植入一靶材所欲之摻雜元 素之摻雜氣體物種的方法，以及用於實施此種方法的離子 源。更明確而言，雖然並非專指，但此發明係關於製造利 用離子佈植器植入半導體晶圓的摻雜物離子。 【先前技術】

對於製造半導體元件，半導體工業通常都要求需能符 合在單一晶圓上製造許多元件陣列。半導體元件通常需要 摻雜至非常良好的容忍度以達所欲的特性。此種摻雜可利 用離子佈植器來進行，離子佈植器包括用以產生與所需摻 雜物相對應、或具有所欲摻雜物的離子源。光學儀器接著 將離子形成為聚焦離子束，使其可入射於晶圓上。在判定 晶圓中的摻雜物濃度時，離子束的控制（例如束狀電流、離 子物、能量、尺寸、掃瞄等）以及植入深度特別重要，以判 定元件的導電性。

典型摻雜物包括硼、磷、砷、鋁、銻及銦。此等摻雜 物的離子通常藉由於離子源中取得含所欲摻雜物之氣體的 方式來產生，以讓氣體進入電弧處理室，使該處的電弧放 電可將氣體離子化而形成電漿。汲取電極係經由電弧處理 室中所設的孔徑汲取來自該處理室的離子。其他的電極則 用於形成離子束，以導至預作植入的晶圓處。一般而言， 離子束可通過質量分析磁鐵（mass -analysing magnet)以選 1329679 擇僅需的所欲質量/電荷比例。換言之，質量分析磁鐵可有 效的阻擋電弧處理室/電漿或其他狀況所無法避免而產生 的不欲離子。 供應至電弧處理室的氣體可以各種方式取得。一種方 法是在加熱爐中加熱元素態的摻雜物（總是為固態），因此 形成的蒸汽便可進入電弧處理室。然而，許多摻雜物為低 蒸汽壓的金屬，因此加熱爐便必須操作在高溫下以形成所 欲蒸汽。

或者，含有所欲換雜物的化合物也可於加熱爐中加 熱。美國專利申請第2002/0029746號中便揭示加熱氟化銦 以得銦摻雜物。調整電流束需要調整加熱爐的溫度，且因 此其控制便可藉由加熱爐的熱反應時間（至多 3 0分鐘）予 以限制。此外，因為加熱爐的内含物其真實溫度無法準確 得知，故無法有效預測控制。氟化銦的低蒸氣壓所造成的 另一問題在於蒸氣凝結。因此，蒸氣傳送變的較為困難。

此等形成摻雜氣體物種的方法會因其在不同溫度上所 展現的高度敏感性而形成問題，亦即，顯示其蒸氣壓如何 隨溫度變化的曲線在加熱爐操作溫度附近特別陡峭。因 此，有需要妥善控制加熱爐溫。一般而言，加熱爐必須控 制到較1 °C為佳。 另一種形成所欲氣態摻雜物的方法是將氣體通過摻雜 物（或其化合物）以使兩者反應而形成所欲流入電弧處理室 的氣體。無論是在離子佈植及其他領域，此技術已為業界 熟知一段時間。例如，標題為「Sidenius and Stilbreid in 1329679 E .M. Separations with High Efficiency of Qualities」，1960 年 5 月 Springer-Verlag 於維 射性等向分離國際座談會議記錄pp 244-249 氯化碳通過加熱的稀土氧化物以形成氣態稀 通常使用鹵化物（例如四氯化碳）是因其具有 最近則有美國專利第6，0 0 1,1 7 2號所揭示將 氣化物（NF3、CIF3、BF3以及氟本身）通過加 形成隨後將離子化的銦或銻氟化物。

【發明内容】 本發明之目的在於改善形成前述摻雜 法。 於本發明之一態樣中，係關於形成一種 原子以植入靶材中之摻雜氣體物種的方法， 將元素來源質量暴露至氣態溴，以使溴及原 應性產物，並離子化該反應性產物以形成摻 離子。

Microgramme 也納E. Μ.放 頁係揭不將四 土的氯化物。 高蒸汽壓。較 不同氣體例如 熱的銦或銻以 氣體物種之方 含有所欲摻雜 該方法包含： 子反應形成反 雜氣體物種之 化物及氟化物 的還原溫度敏 求。因而，爐 的量有明顯改 使用溴氣體、而非使用先前所建議的氣 來形成揮發溴已發現有如下諸多優點。 (1)溴反應已發現有較其他鹵化物為多 感性*以除去需嚴格控制加熱爐.溫的麻煩要 溫可趨向於一所欲溫度附近而不會使溴形成 變。溴蒸汽的流動可接著做調整以控制，例如離子束通量。 (2)當使用銦作為來源原子時，較佳係使溴成為溴化 1329679 銦，以在低至約 4 Ο 0 °C的溫度時有較高的蒸汽壓。低爐溫 可使反應性環境降低。反之，使用氟需要實質加熱銦形成 氟化銦，故需要超過800°C方能釋放足夠的蒸汽量。 (3) 溴較氟不具反應性，故其較易處理而僅需較少的安 全預防。同樣的，其較高的蒸汽壓代表較不易凝結。因此 將溴蒸汽由瓶子送至反應室較為容易。

(4) 溴在室溫、高蒸汽壓下為液體，使得液體釋放的蒸 汽得以沿普通氣體處理系統行進（採氣態溴，吾人意指純氣 體蒸汽、水氣、霧化懸浮物等實質上氣態且因此可以對待 氣體之方式處理）。 (5) 溴相當便宜。 (6) 與四氣化碳不同的是，使用溴不會使碳沈積殘留在 氣體來源中。

(7) 溴有兩種同位素 79 amu(原子質量單位）及 81 amu，兩者皆與其他使用在半導體工業中的熱門元素不 同。銦同位素為113 amu及115 amu且同位素為56.5 amu 及5 7.5 amu時形成二價離子，而銻同位素為 129 amu及 131 amu且同位素為64.5 amu及65.5 amu時形成二價離 子。此種區隔可確保由離子化反應室取得的任何溴離子都 將被質量分析磁鐵所阻擋。 較佳而言，本發明方法更包含調整氣態溴至元件的供 給。此接著可調整離子化反應室中的離子產生率並因此調 整離子束電流。此外，此控制方法較習知改變爐溫的方法 更有影響。 1329679 事實上，僅有流率可調整以控制離子束電流，且爐溫 不需做調整。例如，在關閉加熱爐及接近一對應加熱爐開 始冷卻之時間的離子形成停止點之間會發生延遲。很明顯 的，終止供應溴氣體將有立即影響，使得隨後可較為快速 的中斷離子形成。

亦可選擇的是，調整氣態溴的供應以使離子化反應室 中不會形成反應產物。此種「匱乏（starved)」操作模式可 確保反應產物在離子化且被汲取之前於離子化反應室中有 非常短暫的平均壽命。一般並不希望使離子化反應室中的 反應物存量太少，因為調整溴氣體流率後的反應時間會降 低。氣態溴的流動則可藉由流量控制裝置（亦即直流控制器 或閥）進行調整。

於本發明之第二態樣中係提供一種自離子佈植機中 (包括一具有離子化反應室之離子源以及一設有經調整之 氣體供應器的加熱爐）的來源材料產生離子的方法，該方法 包括於加熱爐中提供來源金屬質量；將一含有液體溴之容 器連接至氣體供應器；調整沿該氣體供應器之液體溴形成 的溴蒸汽流；將來源材料暴露至經調整供應的溴蒸汽以反 應而形成氣態反應產物，且氣態反應產物可自由進入離子 化反應室；以及操作該離子化反應室中的電弧放電以離子 化該反應產物並形成離子。 於本發明之第三態樣中係提供一種佈植半導體晶圓的 方法，其包括前述任何一種形成換雜氣體物種之方法。 於本發明之第四態樣中係提供一種離子源，其包括一

9 1329679 含有液態溴的容器；一界定自該容器經離子化反應室而至 離子化反應室出口之路徑的裝置，其中由液體溴形成的溴 蒸汽可通過該出口；位於路徑中的來源材料質量；及數個 電極，可操作以提供該離子化反應室内的電弧放電。 該界定一路徑的裝置可為導管，例如輸送管或類似者。

較佳而言，該離子源更包含一調節器，沿該路徑設置 以可操作地調整沿該路徑之溴蒸汽流。亦可選擇的是，該 調節器可設於來源質量材料的上游處，或者該調節器可設 在該多數來源材料及離子化反應室之間。 亦可選擇的是，該離子源更包含一控制器，其可操作 以接收一指出離子源應關閉的輸入並藉由關閉調整器的方 式關閉離子源。控制器可為專用元件，或與可位於離子佈 植器中的其他元件共用。 輸入可來自各種來源，例如，輸入可來自手動關閉方 式，内容為在操作者按下「關閉」鍵或利用電腦控制之圖 形使用者介面進行關閉。輸入也可能在預程式化程序之終 端處或自動偵測到錯誤時自動產生。

除僅離子源關閉外，控制器也可調整氣態溴的流量。 此可在回應控制器判定溴蒸汽流率時執行。 於本發明之第五態樣中係提供一離子佈植器，其至少 包含前述離子源；用於經由離子化反應室之出口汲取離子 之裝置；以及用於引導沿離子束路徑且依據欲植入靶材入 射之汲取離子的裝置。 用於汲取離子之裝置可為一含有電荷以由離子化反應 10 1329679 室吸引或排斥離子之結構元件，例如，供應適當電壓之電 極。或者，用於汲取離子之裝置可為一可操作以產生磁場 而將離子逐出離子化反應室之磁鐵。 用於引導所汲取離子之裝置可包含離子光學器，例如 供應適當電壓之電極或其他荷電結構元件，或例如可操作 以產生適當聚焦磁場之磁鐵。

亦可選擇的是，離子佈植器可利用一回饋路徑方式操 作，以使溴蒸汽流經調整而達所欲離子束電流。對離子佈 植器而言，一種可能的實施方式係進一步包含一監視器， 用於監控來回移動於離子束路徑的離子束；以及一控制 器，可操作以接收來自該監視器且指出離子束電流的訊 號。該控制器可判定該電流是否對應所欲電流，若不是， 則調整該調節器以達所欲電流。 前述方法及設備之其他較佳但可選擇的特徵將界定於 下文申請專利範圍中。 【實施方式】

第1圖係顯示用於植入離子於半導體晶圓12中之離子 佈植器1 〇，其包括一依據本發明之離子源1 4。離子係由欲 被汲取及通過一質量分析台30之離子源14所形成。所欲 離子量對電荷比係經選擇以通過質量分析狭口 3 2並接著 轟擊半導體晶圓1 2。 離子佈植器10包含一離子源14以於真空處理室15 内產生所欲物種之離子束。離子源14大致包含一電弧（或 11 1329679 放電或離子化）處理室16，其於一端含有一陰極20及一由 電弧處理室壁18提供之陽極。陰極20係加熱至足夠產生 熱電子。 由陰極20發散之熱電子會被吸引至陽極，亦即，鄰近 處理室壁 1 8。熱電子離子化氣體分子會行經電弧處理室 1 6，以形成電漿並產生所欲離子。氣體分子係於加熱爐2 1 中產生並經由氣體進入口 22流入電弧處理室16。

由熱電子所依循之路徑係經控制以避免電子僅依循最 短路徑至處理室壁18。磁鐵組件46可提供延伸通過電弧 處理室1 6之磁場，以使熱電子依循螺旋路徑沿著電弧處理 室長度而朝向該電弧處理室16相對端處的相反陰極44移 動。

氣體進入口 22會以先驅物氣體物種填充電弧處理室 16。移動經電弧處理室16之熱電子會將先驅物氣體分子離 子化並也可能裂解先驅物氣體分子以形成其他離子。電漿 中形成的離子也將含有微量的污染離子（例如由處理室壁 材料所形成的污染離子）。 來自該電弧處理室16内的離子會利用負偏壓汲取電 極2 6而經由一出口 2 8被汲取。離子源1 4及其後質量分析 台3 0間會經由電源供應器21施加一電位差以加速所汲取 離子，離子源1 4及質量分析台3 0彼此係以絕緣體（未示出） 電性隔絕。所汲取離子的混合物會接著通過質量分析台3 0 以使其可於磁場影響下繞一彎曲路徑。任一離子所移動之

12 1329679 曲率半徑係由其質量、電荷態及能量所決定。磁場則經控 制以對一設定光束能量而言，僅有此等具有所欲質量及電 荷態的離子可沿著一與質量分析狹口 3 2相符的路徑離 開。突現的離子束3 4則接著移動至靶材，亦即一或多片欲 植入之半導體晶圓1 2或靶材位置無晶圓1 2時的光束檔體 38上。於其他模式中，光束34也可利用一位於質量分析 台3 0及靶材位置間之鏡組減速。

適用於第1圖之離子佈植器1 0的離子源14係以概要 方式示於第2圖。離子源14包括一藉由氣體供應器22連 接至一加熱爐2 1的電弧處理室1 6。加熱爐2 1.係以加熱元 件50加熱，並供應以來自電流源52之電流（可為dc或ac 源）。加熱元件5 0位於鄰近加熱爐2 1處，其包含來源材料 反應物5 4。於本實施例中，反應物5 4為條狀銦，然而也 可使用其他金屬例如銻或其他來源材料，無論是否為條狀 態或其他形式（例如粉狀）。

溴蒸汽56可由氣體入口 58(包含一可調式調節器60, 例如質流控制器）引入加熱爐2 1中。液態溴64之瓶管則經 由一閥門66連接至氣體入口 58之另一端。 第二管線7 0則設置以與氣體入口 5 8合併。此管線7 0 經由閥門74連接至氬氣供應器72。氬氣供應器72可以氬 氣（或其他任何適合之惰性氣體）洗淨離子源1 4。在溴氣供 應器5 6被抑制時，也可使用此氣體以維持電弧處理室1 6 内的電弧。 ⑧ 13 1329679 因此，離子源14可以如下方式操作。瓶管6 2含有液 體溴64以及因其高蒸汽壓之溴蒸汽56。閥門66維持開啟 以使溴蒸汽5 6沿氣體入口 5 8通至調節器6 0。調節器6 0 則設定以僅讓所欲溴蒸汽流流向加熱爐2 1。

溴蒸汽5 6可流至加熱爐2 1，其可於該處與銦5 4接觸 並反應形成氣態溴化銦6 8。加熱爐2 1則經操作以維持在 約3 8 0度。如前文所述，本發明的優點在於不需小心控制 加熱爐 2 1溫度。此是因為溴/銦反應不會對溫度過於敏 感，因此加熱爐21溫度可在無溴化銦6 8流率下流至處於 不利影響的電弧處理室1 6。 來自加熱爐21的氣體，包括溴蒸汽5 6及氣態溴化銦 68，都會沿著氣體入口 22進入電弧處理室16(於該處在隨 後經開口 2 8汲取之前被離子化）。為清楚說明，陰極 2 0 及相反陰極44均未圖示於第2圖之電弧處理室16中。

調節器6 0係經設定以容許溴蒸汽5 6流動，使僅有足 夠的溴化銦6 8收集在電弧處理室1 6中以符合所需銦離子 束電流（溴匱乏操作模式）。換言之，電弧處理室1 6並未注 滿備供汲取之形成溴化銦/銦離子蓄積。操作調節器6 0以 得正確流率可依經驗取得、或利用來自離子束流監視器或 類似者之負反饋迴路自動執行。 第3圖係更詳細顯示具有大致柱形本體75之加熱爐 21範例。加熱爐21係經由一凸緣7 9安裝至電弧處理室 16，以使氣體入口 22突出深入電弧處理室16中。本體75

14 1329679 為具有中心壁77可部分界定出該加熱爐21之中空體。本 體75也界定出具支座（stand-off)之處理室7 6。

加熱爐21含有銦條體54且具有一對應至氣體入口 58 之入口。氣體入口 5 8進入加熱爐2 1與銦5 4相對以使溴蒸 汽5 6在離開氣體入口 5 8後可通過銦。螺形溝槽8 0係設在 繞該加熱爐2 1之單一本體中，以承接加熱元件5 0(為簡明 起見並未示於第3圖中）。因此，加熱元件50在電流通其 中時可加熱該加熱爐2 1。 範例 藉由舉例的方式，第4圖係顯示利用第2及3圖所舉 例之離子源1 4實施時的實驗結果。於該實驗中，係將1 0 0 g 的溴液體 64置於不鏽鋼容器 62中。溴蒸汽流則定在 0.24 sc cm，該流量現以發現可最佳化二價溴離子的形成。

加熱爐21含有8g銦金屬條54且加熱至380 °C。電弧 處理室1 6則經操作以7 5 V/1 A產生電弧。此汲取電壓相當 低，但可觀察到一價銦離子。此等條件可形成1 m A的二價 因離子束電流，如第4圖所示由電弧處理室16中所汲取之 不同離子束電流。於實施期間，溴離子及不樂見的銦離子 可利用質量分析磁鐵3 0逐出。 此外，業已發現以1 m A之二價銦離子束改變爐溫的影 響。400°C的最初爐溫會在回至 400°C並超過至 420°C、 440°C及460°C之前降至3 80°C、360°C及接著340°C。僅有 在 340°C銦離子束電流觀察到有改變（減少）：而在其他所 ⑧ 15 1329679 有溫度離子束電流都維持穩定，因此顯示出該製程對於超 過相當大範圍的溫度並不敏感。如前文所提及，此結果在 其除去了需高度控制爐溫的要求時特別有利。

最後，調節器6 0操作後的反應時間會關閉，並在測得 溴蒸汽56時開啟。調節器60會快速關閉且二價銦離子束 則會於3 0秒内消失。在關閉調節器6 0後，氬供應器7 0 會開啟以清潔離子源1 4並持續保持電弧。氬氣會接著關閉 並以調節器6 0快速擋住。二價銦離子束會於3 0秒内再次 消失。 該等熟習此項技術人士應領會可於不背離本發明範圍 下對前述實施例進行潤飾。例如，第3圖之加熱爐2 1僅為 可使用之設計之一。當調節器60做調整時，第3圖之氣體 入口 22長度可較短以利達更快的反應時間。 雖然僅使用液體溴 64(可由其收集到溴蒸汽56)較為 合宜，但其他配置亦有可能。例如，液體溪64可加熱或由 其他任何來源取得氣態溴。

當然，溴5 4或其他來源材料如何加熱並非本案重點。 事實上加熱甚至可完全省略，雖然此舉將導致離子束電流 的減少。 前述實施例係顯示來源材料反應物 5 4係位於與電弧 處理室16分離之加熱爐21中，然此並非必須。反應物5 4 在不需加熱時不須位在加熱爐21中，且無論考量為何，反 應物54也可位在電弧處理室16内。於後者配置中，前述

16 1329679 實施例中分別用於提供漠蒸汽5 6及氬氣之氣體入口 5 8及 線路70也可直接連接至電弧處理室16。 【圖式簡單說明】 為能更快速領會本發明，可參照用於舉例之附加圖 示，其中： 第1圖係依據本發明一實施例之離子佈植器的概要 圖；

第2圖係依據本發明一實施例之離子源的簡化圖； 第 3圖係依據本發明一實施例之加熱爐的側面截面 圖：及 第4圖係依據本發明一實施例產生之離子源的質量波 譜。

【主要 元 件 符 號說明】 10 離 子 佈 植 器 12 半 導 體 晶 圓 14 離 子 源 15 真 空 處 理 室 16 電 弧 處 理 室 18 處 理 室 壁 20 陰 極 21 加 爐 22 氣 體 入 σ 26 汲 取 電 極 28 出 〇 30 質 量 分 析 台 32 質 量 分 析 狹口 34 離 子 束 38 束 檔 體 44 相 反 陰 極 46 電 磁 組 件 50 加 熱 元 件 17 1329679 52 電 流 源 54 來 源 材 料 反 應物 56 溴 蒸 汽 58 氣 體 入 σ 60 可 調 式 調節器 62 不 鑛 鋼 容 器 64 液 態 溴 66 閥 門 68 溴 化 銦 70 第 二 氣 體 線 72 氬 氣 供 應 74 閥 門 75 本 體 76 具 支 座 處 理 室 77 中 心 壁 80 螺 形 溝 槽

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Claims (1)

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拾、申請專利範圍： 1. 一種形成一含有所欲摻雜元素之摻雜氣體 植入一靶材中之方法，其至少包含將該元素 露至氣態溴，以使溴與元素反應形成一反應 離子化該反應產物以形成摻雜氣體物種之離 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包 溴至該元素的供應。 3 .如申請專利範圍第2項所述之方法，其更包 氣態溴的供應以控制離子的形成率。 4.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中調 該離子化反應室之供應以操作於一匱乏未 mode) >使溴流率經調節而不足以於該離子 形成反應產物之蓄積。 5 .如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該 一與離子化反應室分隔之反應室中，且該方 由操作一流量控制裝置以調節氣態溴進入反 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中操 制裝置包括操作一質流控制器或一閥門。 物種以用於 來源質量暴 產物；以及 子 。 含調節氣態 含藉由調節 節氣態漠至 I 式（starved 化反應室中 元素係位於 法更包含藉 應室中。 作該流量控 19 1329679 7.如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含提供一局 部來源之液態溴且其中將該元素之來源質量暴露至氣 態溴的步驟包含將該元素暴露至該液態溴形成的溴蒸 汽。 8 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其至少包含暴露一 金屬之來源質量至該氣態漠。

9.如申請專利範圍第8項所述之方法，其包含暴露銦或銻 的來源質量至氣態溴。 1 〇.如申請專利範圍第1項所述之方法，其更包含加熱該元 素之來源質量。

1 1 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中控制離子之形 成率的步驟不包含改變該加熱爐之溫度。 12.如申請專利範圍第1項所述之方法，其包含於一與離子 化反應室分隔之加熱爐中加熱該元素，並讓反應產物通 過一連接至該加熱爐及離子化反應室之導管。 13. —種自一離子佈植器中之來源材料產生離子之方法，該

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離子佈植器包含一具有一離子化反應室之離子源以及 一供應有經調節之氣體供應的加熱爐，該方法包含於該 加熱爐中提供來源材料質量；將一含有液態溴之容器連 接至氣體供應；調節沿該氣體供應之液態溴所產生之溴 蒸汽流；將來原材料暴露至該經調節溴蒸汽流，藉以進 行反應形成氣態反應產物，該氣態反應產物並不通過離 子化反應室；以及於該離子化反應室中操作電弧放電， 藉以離子化反應產物並形成離子。 14. 一種植入一半導體晶圓之方法，其包括將依據申請專利 範圍第13項形成之離子導引入射於晶圓上。 15.—種離子源，其包含：一含有液態溴之容器；一界定自 該容器經離子化反應室至該離子化反應室出口之路徑 的裝置，其中由液態溴形成的溴蒸汽可通過該出口；一 位於該路徑之來源材料質量；以及數個電極，其可操作

以於該離子化反應室内提供電弧放電。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之離子源，更包含一沿該 路徑設置之調節器，其可操作以調節沿該路徑之溴蒸汽 流0 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之離子源，其中該調節器 (L 21 1329679 係位於該來源材料質量之上游。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項所述之離子源，其中該調節器 係一質流控制器或一閥門。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項所述之離子源，其中該來源材 料質量係位於一加熱爐中，該路徑係通過該加熱爐。

2 0.如申請專利範圍第1 5項所述之離子源，其中該來源材 料質量包含一金屬。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述之離子源，其中該金屬包 含銦或録。 2 2 .如申請專利範圍第1 5項所述之離子源，更包含一控制 器，其可操作以接收一輸入，該輸入係指出該離子源應

關閉且藉由關閉調節器的方式關閉離子源。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項所述之離子源，其中該控制器 更可操作以判定溴蒸汽進入該離子化反應室之流率，並 據此操作調節器。 24.—種包含申請專利範圍第15項所述離子源之離子佈植 22 1329679 器，其具有用以經由該離子化反應室之出口汲取離子且 用於將該沿一離子束路徑之汲取離子入射於欲植入之 乾材上。

25.如申請專利範圍第24項所述之離子佈植器，其更包含 一監視器，用於監控來回移動於離子束路徑的離子束； 以及一控制器，可操作以接收來自該監視器且指出離子 束電流的訊號，且該控制器可判定該電流是否對應一所 欲電流，若不是，則調整該調節器以達所欲電流。

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