TWI280814B - Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof and organic electroluminescence display panel - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種發光元件及其製作方法與發光顯示面 板’且特狀有關於-種有機電激發光林及其 法 機電激發光顯示面板。 /' 【先前技術】 有機電激發光元件是-種可將電能轉換成光能且具有高轉 ^率的半導體元件，常見_途為指示燈、顯示面板以及光 子項寫頭之發光70件等。由於有機電激發光元件呈備一些特 視角問題、製程簡易、低成本、高應答速度、制溫 又祀圍廣泛與切化等，符合乡媒體時鶴示^特性之要求， 近年來已成為研究之熱潮。 、 叙而口有私1黾激發光元件包括一陽極、一有機發光層 極二其發光原理是將電洞、電子分別由陽極、陰極注 機發光層，當f子與電洞在有機發光層中相遇時，會進 而形成光子(phGtGn)，進而產生放光的現象。但由於在 i出二、層巾’電洞與電子的移鱗(mGbility)*相同，因此會 ΐί子結合的區軌㈣近某—個電極。有機發光層 發光材料材料，若有機發光層為ρ型材料，則在此有機 i使電洞相動率較高，因此結合區比較靠近陰極而 田易在有機發光層之外與電子結合。然而，這會 導致=電激發光元件的發光效率不佳。 機電^有—種有機電激發光元件。圖1A緣示習知一種有 X、>元件之結構圖。請參照圖1A，有機電激發光元件1〇〇 5 _ I28086!44wfcioc/g 包含一銦錫氧化物電極110、一電洞注入層（H〇le Injecti〇n

Layer，HIL)12〇、一電洞傳輸層（Hole Transport Layer，HTL)130、 一有機發光層140、一電子傳輸層(Electr〇n Transp〇rt Layer， ETL)150、一電子注入層 16〇(Eiectr〇n Injecti〇n 乙町以，EIL)與一 金屬電極170。

其中，銅錫氧化物電極110為陽極。電洞注入層12〇配置 於陰極11〇之上，用於增加電洞注入的效率。電洞傳輸層13〇 配置於電>眺人層12G之上，其具有不錯的電洞移動率以及較 低的電子移動率。有機發光層14〇配置於電洞傳輸層13〇之上， 可為P型發光材料或是N型發光材料。電子傳輸層15〇配置於 有機發光層140之上，其具有不錯的電子移動率以及較低的電 洞移動率。電子注入層160位於電子傳輸層15〇之上，用於增 加電子注入的效率。金屬電極17〇為陰極。

當一順向偏壓加諸於銦錫氧化物電極u〇與金屬電極17〇 之間時，電洞與電子會分別由銦錫氧化物電極11〇與金屬層17〇 注入到有機發光層140中。藉由電洞傳輸層13〇、電子傳輸層 “ ^進電洞、電子的流動性，可修正結合區的位置，使電洞、 =於有機發光層MG巾央處再結合放光，⑽㈣的光線從 =氧化物電極110射出。此外，也由於電洞傳輸層請的電 千和動率、電子傳輸層15G的電洞移動輪差，所以使得電子、 分別料在電洞傳輸層13〇、電子傳輸層15Q與有機發光 =40之間的界面附近，使得再結合的機率增加。因此這一多 =構的有機電激發光元件⑽具有較佳的發光效率。然而， 在㈣傳輸層⑽、電子傳輸層15G與有機發光層⑽之間的界 6 12808i^twf.d〇c/g 面附近累積了許多的電子、電洞，會使這兩個界面附近的材料 月bPs麦化’ k成兩個界面的不穩定，因此有機電激發光元件 100的元件穩定性較差。 圖1B繪示習知有機電激發光元件的壓差-時間關係圖。請 麥照圖1B，藉由對有機電激發光元件1〇〇施加一固定電流，並 隨著時間量測有機電激發光元件100兩端的電壓差，然後將記 錄的數據繪圖便可得到圖1B。由圖1B可看出，有機電激發光 元件100兩端的電壓差隨著施加電流的時間逐漸上升，這意謂

有機電激發光元件1〇〇的電阻值隨著施加電流的時間而逐漸變 大。換言之，有機電激發光元件100在運作一段時間後，元件 的穩定性變差。 除上述的缺點以外，有機電激發光元件1〇〇的有機發光層 140之製程通常採用真空蒸著的方法沈積單一種有機發光二 枓，因此有機電激發光元件⑽的雜特齡要蚊於有機發 光材料_類，故改變有機電激發光元件觸的雜特徵之^ 裕度也較小。 '

【發明内容】 有鑑於此’本發明的目的就是在提供 件，其具有較高的發光效率與較佳的元件穩定性。先几 此外，本發明的另一目的是揾供一 製作方法，可製作出具有較高的發光發光元件的 之有機電激發光元t Μ先料與較佳的元件穩定性 本發明的再一目的是提供一 有機電激發光顯示面板中的有機 種有故電激發光顯示面板，此 電激發光元件具有較高的發光 doc/g I2808Mtwf 效率與較佳的元件穩定性。 一基於上述目的或其他目的，本發明提出一種有機電激發光 兀件，包括一第一電極、一雙載子型有機發光主體層以及一第 二電極。雙載子型有機發光主體層由—第—發紐料與一第二 料共同沈積而形成於第—電極上，其中第-發i材“ 苐二發光材料無相同之主載子。第二電極配置於雙載子型有機 發光主體層上。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，其中第 •—發光材料例如為P型發光材料，而第二發光材料例如為N型 發光材料。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 包括至少一有機發光主體層，配置於第一電極與雙載子型有機 - f光主體層之間，或配置於第二電極與雙載子型有機發光主體 ，層之間。其中’有機發光主體層例如為P型有機發光主體層、N 型有機叙光主體層或雙載子型有機發光主體層。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 φ 包括一摻質，摻雜於雙載子型有機發光主體層中。 $照本發日她佳實施例所述之有機電激發光it件，例如更 包括-電洞注入層，配置於第一電極與雙載子型有機發光主體 層之間。 依，本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件 ，例如更 包括-電洞傳輸層，配置於第一電極與雙載子型有機發光主體 層之間。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 1280Silz^ltwf.doc/g 包括一電子注入層，配置於莖― 層之間。 、昂—電極與雙載子型有機發光主體 依照本發明較佳實施例所外+ 士 &例所述之有機電激發光元件，例如更 包括一電子傳輸層，配置於箆― 声之門 昂一電極與雙載子型有機發光主體 實施例所述之有機電激發光元件，例如更 發光主體狀間。 配置電極錢載子型有機

依：本，佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 發光主體層之卩| 層配置於第二電極與雙載子型有機 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，呈中第 -電極例如為陽極，第二電極例如為陰極。 ’、

本發明另提出-種有機電激發光元件，其包括一第一電 極、-電洞注人層、-電洞傳輸層、—p型有機發光主體層、 -雙載子型有機發光主體層、—N型有機發光主體層、一電子 傳輸層電子庄入層以及一第二電極。電洞注入層配置於第 一電極上，電洞傳輸層配置於電洞注入層上，p型有機發光主 體層配置於f洞傳輸層上，雙載子財機發光主體層由一第一 發光材料與一第二發光材料共同沈積而形成於p型有機發光主 體層上，其中第一發光材料與第二發光材料無相同之主載子。N 型有機發光主體層配置於雙載子型有機發光主體層上。電子傳 輸層配置於N型有機發光主體層上。電子注入層配置於電子傳 輸層上。第二電極配置於有機發光主體層上。 9 12 8 Ο 8 矗^^twf.doc/g 一;^二土叙明較佳實施例所述之有機電激發光元件，其中第 -=枓例如為p型發光材料， 發光材料。 勺紅日她佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 匕括一t貝，摻雜於雙載子型有機發光主體層中。 勺扛：:、本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 間。層’配置於第—電極與p型有機發光主體層之 勺本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，例如更 間。〜同傳輸層’配置於第—電極與p型有機發光主體層之 勺括j本發明触實施例所述之有機電激發光元件，例如更 間。⑨子〆主入層’配置於第二電極與N S有機發光主體層之 勺括3本發明較佳實施例職之有機·發光元件，例如更 間。“子傳輪層’配置於第二電極與N型有機發光主體層之 -帝^本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件，其中第 私極例如為陽極，第二電極例如為陰極。 列步Ϊ發明種有機發光元件的製作方法，其包括下 料源、用—/_發光材料與—第二發光材料做為材 上H 成—雙載子型有機發光主體層於一第一電極 形成-第二電極於雙載子财機發光主體層上。 &照本發明難實施觸述之有機電激發光元件的製作方 12808il4itwf.d〇c/g 成雙載子型有機發光主體層於第—電極上的方法例 如包括使用一p型發光材料與一 N型發 夭“ 共同形成雙載子财機發駐體層於第—電極上為_源’以 依照本發明較佳實施例所述之有機電激 法，其中在形成雙載子型有機發光主體層勺衣t方 一摻質於雙載子型有機發光主體層中。θ 匕舌摻雜 明較佳實施例所述之有機電激發光 法，其中在形成雙載子型有機發光主體 ^作方 -電洞注入層於第一電極上。體層則例如更包括形成

明較佳貫施例所述之有機電激發光元件的 法’ Ί在形錢載子财機發光主體 & I 一電洞傳輸層於第一電極上。 旯匕括形成 ==較佳實施例所述之有機電激發光 成雙載子型有機發光主體層後與形成第：= I。 L括形成—電子注人層於雙載子型有機發光主體層 方 去較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作 前:例如ίΓ二載子雪型有機發光主體層後與形成第二電极 :。 I括形成—電子傳輸層於雙載子型有機發光主體層 方 -咖發光主==體層前，例如—^ 扩’、本七明較佳貫施例所述之有機電激發光元件的製作方 12 8 Ο 81 l74tw£d〇c/g 法，其中在形成雙載子型有機發光主體層後盘 括形成一N型有機發光主體層於雙 去佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 法，/、中弟包極例如為陽極，該第二電極例如為陰極。 本發明另提出-種有機電激發光元件的製作方法， 下列步驟。首先’形成—電洞注人層於—第—電極上。3， 形成-電洞傳輸層於電祖人層上。紐，形成—p型^;

光主體層於電洞傳輸層h接著，使用—第—發光材料與一^ 二發光材料做為材料源，以制形成—雙載子型有機發光主 層於P型有機發光域層上。然後，形成—N型 體 層於雙載子财機發光域層上。錢，戦1 ^ N型有機發”體層上。然後，形成-電子注人層於電子“ 層上。形成一第二電極於N型有機發光主體層上。 依知丰發明較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 法’其中*成雙載子财機發光主體層於p财機發光主體層 上的方法例如包括使用—P型發光材料與—N型發光材料做為 材料源’以共同形成雙載子财機發光主體層於p型有機 主體層上。 :依照本發明較佳實施例所述之有機電激元件的製作方 法，其中在形成雙載子型有機發光主體層後與形成N型有機發 光主體層刚，例如更包括摻雜一摻質於雙載子型有機發光主體 層中。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 12 12808i4wf.d〇c/g 法’其中在形成p型有機發光主體層於第一電極上前，例如更 包括形成一電洞注入層於第一電極上。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 法’其中在形成P型有機發光主體層於第一電極上前，例如更 包括形成一電洞傳輸層於第一電極上。 依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 法，其中在形成N型有機發光主體層後與形成第二電極前，例 如更包括形成一電子注入層型有機發光主體層上。 、依照本發明較佳實施例所述之有機電激發光元件的製作方 法，其中在形成N型有機發光主體層後與形成第二電極前 如更包括形成—電子傳輸層於N型有機發光主體層上。 本發明更提出-種有機電激發光顯示面板，包括_ 及夕個=列配置於基板上的前述之有機電激發光元件。土 本發賴佳實闕所収錢冑歸^件，盆中美 板例如包括主動元件陣列基板。 ，、甲基 法，叙㈣魏縣树的製作方 绰上所、十、Γ1 第二電極例如為陰極。 主體層 料所共同沈積而成，因此本 t材料與—第二發光材 發光效率及較佳料件穩=化有機電激發元件具有較高的 為讓本發明之上述和1 -他目的、特徵和優點能更明顯易 13 Ι2808ι1τ4 twf.doc/g 懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 第一實施例 圖2A至圖2C繪示本發明第一實施例之有機電激發光元件 之製作方法示意圖。請先參照圖2A，本實施例之有機電激發光 元件200的製作方法包括下列步驟。首先，提供一適當材料製 作一弟一電極210，此第一電極210的適當材料例如可為銦錫氧 化物、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZ0)、金屬、碳複合物 (Carbon-Complex)或其他適當材料。 凊參照圖2B，於第一電極210上形成一雙載子型有機發光 主體層220’形成的方式是使用一第一發光材料與一第二發光材 料作為材料源，並使這兩種發光材料共同沈積於第一電極21〇 上而开>成雙載子型有機發光主體層220。共同沈積的方法例如包 括共蒸著(Co-evaporation)法或是其他的適當方法。第一發光材 料例如是一 P型發光材料，第二發光材料例如是一 N型發光材 料。P型發光材料例如為CBP、TCTA、TCPB等，而N型發光 材料例如為Bphen、默克（Merck)公司的TMM〇〇4、 TAZ(l，2,4-triazoles)等。 承上述，CBP材料的化學結構式如下··

TCTA材料之化學結構式如下··

TCPB材料之化學結構式如下： αρ

Bphen材料之化學結構式如下：

TAZ材料的化學結構式如下：

15 1280844^-^/8

Ri

在本貝化例以共蒸著法形成雙載子型有機發光層22〇的製 程中，使用到兩個材料源，—個材料源為p型發光材料源，^ 另-材料源為N型發光材料源。p型發光材料與N型發光材 可同時洛著於第-電極210上，並以物理的方式相互結合而步 成雙載子型有機發光主體層22〇。更詳細而言，在以物理方式二 合而形成的雙載子财機發光主體層，巾，分佈著許多p = 發光材料的微小區域以及許多N型發光材料的微小區域。 除此之外，在本實施例以共蒸著法形成雙載子型有機發光 層220的製程中，也可先經由化學反應使p型發光材料與n型 發光材料化合成新的化合物，然後再將此化合物沈積於第一電 極210上而形成雙載子型有機發光主體層22〇。更詳細而言，= 如此形成的雙載子型有機發光主體層220之中，材料為/型發 12808 W^oc/g 光材料與光材料化合成的新的化合物 發光材料區域與Ν型發光材料的區域。 _各別的Ρ型 承上所述，由於共蒸著法採用兩種發 = :纖壓力以及共蒸著時間等參婁 的，料源或調整製程而有所變化。換言之 =而 性频可藉由轉不_兩種㈣源或調整製程

值得-提的是，為了增加發光效率，也可以在形成雙載子 型有機發光主體層220後，摻雜一摻質(d〇pant)於此雙載子型有 機發光主體層220。摻質的材料例如為銥複合物(Ir-C〇mplex)、 翻複合物（Pt_Complex)、鈀複合物（pd_complex)、銪複合物 (Eu-Complex)、餌複合物(Er-Complex)、釕複合物讲士“狎以) 或其他幫助載子傳導、增加元件穩定、降低功耗的摻質。 舉例而言，Ir(ppy)3為銥複合物的一種，其可作為摻質，而 其化學結構式如下··

請參照圖2C，然後，於雙載子型有機發光層220上形成一 第二電極23 〇，其材料例如為金屬、金屬氧化物、聚合物(p〇1ymer) 等。 17 128081^4 twf.doc/g 明參照圖2D，除了形成上述之結構以外，為了使發光效率 更佳，在製作機電激發光元件200的製造過程中，也可在雙載 子型有機發光主體層22〇形成之前，先形成一有機發光主體層 24〇θ此有機發光主體層240可為一 P型有機發光主體層、N型 ^機务光主體層、雙載子型有機發光主體層或是其他的適當材 ^層。f進行上述步驟後，有機電激發光元件200便可大致被 疋成。、需注意的是，在本實施例中，有機發光主體層24〇雖是

先形成於第一電極21〇之上。但在其他實施例中，有機發光主 體層240也可以形成於雙載子型有機發光主體層220之上，如 圖2E所示。 一#明繼續參考圖2D，本實施例之有機電激發光元件包括 第-電極210、-有機發光主體層、—雙載子型有機發光 运220+以及一第二電極23〇。其中，雙載子型有機發光層22〇 配於第電極210上方。有機發光主體層24〇配置於第一電 極^與雙載子型有機發光層220之間。第二電極23〇則配置 於又載子型有機發光層22〇上。

注意的是，上述之第—電極21G例如作為陽極，第二 电極230例如作為陰極。

二載子型有機發光主體層22G是由P型發光材料與N 的丄同鱼二成，電洞、電子在其中的移動率相近，大多數 載子型有機發光主體層220中再結合而放 -雪搞2光效率較佳。也由於雙載子財機發光層220與第 電激發光-Z二電極細之間沒有電子、電洞累積，因此有機 电激赉先疋件200的穩定性亦較佳。 doc/g I2808it4twf 圖2F繪示圖2D之機電激發光元件的發光效率_照度關係

圖。請參照圖2F，圖2F中的BE折線、P-BE折線、BE-N折線、 P-BE-N折線以及PE_BE_NE折線為本發明提出之結構的發光效 率折線，而PA折線為習知結構的發光效率折線。其中，BE折 線是針對單一層雙載子型有機發光主體層之結構的有機電激發 光το件而繪出。P_BE折線是針對p型有機發光主體層_雙載子 型有機叙光主體層之結構的有機電激發光元件而緣出。Be_n是 針對雙載子型有機發光主體層以型有機發光主體層之結構的有 機電激發光元件而繪出。P_BE_N折線是針對p型有機發光主體 層·雙載子财機發光域層_N型錢發光主體狀結構的有 機電激發光元件而繪出。ΡΕΧΒΕ-ΝΕ折線是針對摻有雜質之p 型有機發光主體層-雙載子型有機發光主體層_摻有雜質之n型 有機，光主體層之結構的有機電激發光元件㈣出。pA折線是 針對單獨有機發光層結構之有機電激發光元件而繪出。 k圖2F中可看出，在相同的照度時，BE折線、p_bE折線、 BE_N折，、P_BE-N折線以及pE_BE_NE折線的發光效率都比 A折線问即be折線、PJE折線、BE-N折線、ρ_βε·Ν折線 ^及ΡΕ-ΒΕ-ΝΕ折線達到與ΡΑ折線相同的亮度時，所需之能量 言之’本發明提出的有機電激發光元件皆具有較高的 努无效毕。 F1。i θ示圖2D之有機電激發光元件的壓差-時間關係 I ° 3,2Gj藉由對有機電激發光元件施加―固定電 後將記錄_成關係圖便可得到圖20。由二ί出: 12808 liAtwf d〇c/g 在施加固定電流的一段時間後，有機電激發光元件200的電壓 差並未大幅度上升，即有機電激發光元件200的電阻值變化不 大。換言之，有機電激發光元件200即使運作一段長時間後， 有機電激發光元件200依然可以穩定的發光。 第二實施例 圖3A至圖3C繪示本發明第二實施例之有機電激發光元件 之製作方法不意圖。請先參照圖3A，本實施例之有機電激發光 • 元件300之製作方法包括下列步驟。首先，提供一適當材料製 • 作一第一電極310,此第一電極31〇的材料與第一實施例中所述 之第一電極210相同。 請參照@ 3B，然後，在第一電極31〇上形成一電洞注入層 320,其形的方法例如是以真空蒸著法於第一電極21〇上沈積一 - 電洞注入層32〇，而電洞注入層320的材料例如可為金屬―苯二 曱材料(Metal-Phthalocyanine series)、碳六十(C6〇)、碳氣化合物 (例如二氟曱烷(CHF3))、MTDATA、聚二氧乙基塞吩(pED〇T)、 TCNQ-series等。接著，於電洞注入層32〇上形成一電洞傳輸層 _ 330，其形的方法例如採用真空蒸著法進行成膜，而其材料例如 可為鹏、TCTA、TCPB、CBP、TpD、Mcp、測或是換雜 了摻質的上述材料之一。在完成電洞傳輸層33〇的製作後，於 電洞傳輸層330上形成一 P型有機發光層34〇，其形的方法例 女採用真工蒸著法進行成膜，而其材料例如為CBP、TCTA、 TCPB 等。 承上述，ΜΤΌΑΤΑ材料之化學結構式如下： 20 I2808il44twf.d〇c/g

TCNQ-series材料中的其中一種之化學結構式如下：

TCNQ_series材料中的另一種，即F4-TCNQ之化學結構式 如下：

NPB材料之化學結構式如下：

TPD材料之化學結構式如下：

21 12 8 Ο 8 ii4twf.d〇c/g MCP材料之化學結構式如下：

TNB材料之化學結構式如下：

請參照® 3c’接者，於P型有機發光層34〇上形成一雙 子型有機發光主體層350,形成的方式、材料以及所具有的優點 與第-實施例巾所述的雙載子型有機發光主體層 220相同，故 不再詳加敘述。 與第-實施齡同地，4 了增加發光效率，也可以在形成 又載子型有械散光主體層350後，掺雜一摻質(d〇pant)於此雙载 子型有機發光主體層350。摻質的材料例如為銥複合物、鉑複合 物、鈀複合物、銪複合物、铒複合物、釕複合物或其他發光/協 助發光的摻質。 請參照圖3D，在雙載子型有機發光主體層35〇上形成一 N 型有機發光主體層360,其形的方法例如為真空蒸著法，而其材 料例如為默克(Merck)公司的TMM004、BPhen、摻雜摻質的材 料或是中性材料。然後，在N型有機發光主體層360上形成一 電子傳輸層370,其形的方法例如為真空蒸著法，而其材料例如 22 12 8 Ο 8 i 斗 twfd〇c/g 為Bphen、Alq3、TPBI、碳六十或是摻雜摻質的上述材料之一。 接著，於電子傳輸層370上形成一電子注入層380，其形的方法 例如為真空洛者法’而其材料例如為第一族複合物 (IA-Complex)、第七族複合物(TA-Cmplex)、碳六十或是其他偶 極材料(Dipole Material)。 承上述，Alq3材料之化學結構式如下：

TPBI材料之化學結構式如下·· ^請參照目3E，在電子注入们8〇上形成一第二電極39〇， ，二電極39〇的材料例如為金屬、金屬氧化物、高分子聚合物 ，。如此便，成了有機電激發光元件300的製作。值得注意的 疋，上述之第—電極31〇例如作為陽極，第二電極390例如作 為陰極。此外，有關於此有機電激發光元件300的各部分結構 及其作用將詳述如後。 23 -12808 …凊繼_參照圖3E，本實施例之有機電激發光元件·包括 -第-電極310、_電洞注入層32〇、一電洞傳輸層咖、一 p

型有機發光主體層340、-雙載子型有機發光主體層35G、一 N 型有機發光主體層36〇、一電子傳輸層37〇、一電子注入層獅 以及一第二電極390。 曰 其中，電洞注入層320配置於第一電極31〇上，作用是增 力電/同庄入的放率。電洞傳輸層330配置於電洞注入層η。上， 其具有不錯的電洞移動率以及較低的電子移動率。P型有機發 光主體層340配置電洞傳輸層上，可作為第二電洞傳輸層。 又載子51有枝發光主體層35〇配置於p型有機發光主體層攝 上^為元件發光的區域，由第一發光材料與第二發光材料形成， 而第-發光材料的主要載子與第二發光材料的主要載子不同， 匕發光材料例如為P型發光材料，第二發光材料例如為N型 S有機發光主體層36G配置於雙載子型有機發光 體層350上’可作為第二電子傳輸層。電子傳輸層37〇配置 於機料域層上，其具有不錯的電子移動率以及 ^低^洞移動率。電子注入層遍配置於電子傳輸層37〇上， ifi增加電子注人的效率。第二電極獨配置於μ有機發 光主體層360上方’即配置於電子注入層38〇上。 靜载子型有機發光主體層35G是由ρ型發光材料與Ν 先材料所形成’電洞、電子在其中的移動率相近，大多數 光^與！^子會在雙栽子型有機發光主體層35G中再結合而放 N型效率較佳。另外，由於引入P型有機發光層34〇、 孓有枯:¾光層360作為第二電洞傳輸層33〇、第二電 24 12808U 4twf.doc/g 370，可減少電子、電洞在p型有機發光層34〇、N型有機發光 層360與雙載子型有機發光主體層wo之間的界面累積，使這 兩，界面附近的材料能階不會變化，故這兩個界面處於穩定的 狀怨。換言之，有機電激發光元件200的元件穩定性較佳。 ，、值得注意的是，本實施例之有機電激發光元件3〇〇之製作 可省略電洞注入層320、電洞傳輸層330、P型有機發光主體層 340、N型有機發光主體層36〇、電子傳輸層37〇以及電子注入 層通或其中至少一層。如此製作出的有機電激發光元件依然 _ 具有杈佳的發光效率與較佳之元件穩定性。 圖3F繪示圖3E之機電激發光元件的發光效率_照度關係 圖、。晴參照圖3F，圖3F中的P-BiE-N折線以及PE_BiE_NE折 線為本發明提出之結構的發光效率折線圖，而single_EML(N) 折線以及P_EML(N)折線是習知的發光效率折線圖。其中， Ρ-ΒιΕ-Ν折線是針對p型有機發光主體層_雙載子型有機發光主 體層_N财機發光域狀結構的有機電激發光元件而緣出。 ΡΕ-ΒιΕ_ΝΕ折線是針對摻有雜質之p型有機發光主體層_雙載子 • 型有機發光主體層_摻有雜質之N型有機發光主體層之結構的 有機電激發光το件而繪出。Single-EML(N)折線是針對單獨n 型有機發光層結構之有機電激發光元件而繪出。P-EML(N)折 線是針對P型有機發光主體層型有機發光層結構-阻障層之 結構的有機電激發光元件而繪出。 從圖3F中可看出，在相同的照度時，p_BiE_N折線以及 ΡΕ-ΒιΕ_ΝΕ折線的發光效率都比Single_EML(N)折線或 P-EML(N)折線向。即Ρ-ΒίΕ-Ν折線以及pE七私湘折線達到 25 12 S 0 S ik^twf.doc/g 與Single-EML(N)折線或P_EML(N)折線相同的亮度時，所需 之能量較小。換言之，本發明提出的有機電激發光元件皆具有 較高的發光效率。

圖4繪不本發明一實施例之有機電激發光顯示面板之示意 圖。請參考圖4,本發明之有機電激發光顯示面板4〇〇包括一基 板410以及多懈瓶置於基板上的有機電激發光元件 420。其巾，基板410例如為一主動元件陣列基板。具體而言， 基板410可以疋4膜電晶體陣列基板。多個有機電激發光元件 420例如為第-實施例中的有機電激|光元彳細、第二實施例 中的有機電激發Stg件3GG或是這兩種有機電激發光元件 200、300的變化。每一個有機電激發光元件42〇例如與基板41〇 上對應的薄膜電晶體或其他主動元件電性相連。 本貫施例之有機電激發光顯示面板4〇〇可作為顯示設備， 若有多個機電激發光元件420形成紅、綠、藍的發光元件陣列， 則有機電激發光顯示面板4〇〇可顯示出全彩的影像。

综上所述，本發明之有機電激發元件及其製作方法與有機 電激發光顯示面板至少具有下列優點： -、本發明之有機該發元件之雙載子财機發光主體層 兩種具有不同主載子的發光材料構成，因此本發明之有機電 及發兀件具有較高的發光效率及較佳的元件穩定性。 本發明之有機電激發光元件的雙載子财機發光層的 程使用兩種發光材料作為材料源，因此本發明之有機電 2先讀的電性特徵可藉由選擇不_兩種材 %而改變。 26 12808 H4^twf.d〇c/g 三、本發明之有機電激發光元件的製作 相容，無須增加額外的製程設備，因此可=現有的製程 件的生產成本。 -有機電激發光元 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，铁龙 ^ 本發明，任何熟習此技蓺者，在 "亚非用以限疋 當可作此許之更触縣發明之精神和範圍内， ^作二软更動與潤舞，因此本發明之保 申請專利範目所界枝為準。 視後附之 【圖式簡箪說明】

圖1A缘示一種有機電激發光元件之結構圖。 圖1B繪示習知有機電激發光元件的麼差_時間關係圖。 圖2A至圖2D繪示本發明第一實施例之有機電激發光元件 之製作方法示意圖。 圖2E繪示另一實施例之有機電激發光元件的結構示意圖。 圖2F繪示圖2D之機電激發光元件的發光效率-照度關係 圖0 圖2G繪示圖2D之機電激發光元件的壓差_時間關係圖。

圖3A至圖3E繪示本發明第二實施例之有機電激發光元件 之製作方法示意圖。 圖3F繪示圖3E之機電激發光元件的發光效率-照度關係 圖。 圖4繪示本發明第三實施例之有機電激發光顯示面板之示 意圖。 【主要元件符號說明】 100 :有機電激發光元件 27 1280844^°^ 110 ·•銦錫氧化物電極 120、320 ··電洞注入層 130、330 ·•電洞傳輸層 140 :有機發光層 150、370 :電子傳輸層 160、380 :電子注入層 170 :金屬電極 200、300、420 ··有機電激發光元件 210、310 :第一電極 220、350 :雙載子型有機發光主體層 230、390 ··第二電極 240 :有機發光主體層 340 : P型有機發光主體層 360 : N型有機發光主體層 400 :有機電激發光顯示面板 410 :基板

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Claims (1)

1280844^.^ 十、申請專利範圍： 1·一種有機電激發光元件，包括： 一第一電極； 一雙載子型有機發光主體層，由一第一發光材料與一第二 發光材料共同沈積而形成於該第一電極上，豆中号繁二 料與該第二發光㈣無相同之线子；以/^ ^材 一第二電極，配置於該雙載子型有機發光主體層上。

★ 2.如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，豆中 該第-發光材料為P型發狀料’而該第二發光材 型 光材料。 3·如中請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，更包 1至少一有機發光主體層’配置於該第-電極與該雙載子型有 ，發光主體層之間’或配置於該第二電_該雙載子 光主體層之間。 兮女4'·如申睛專利範圍第3項所述之有機電激發光元件，其中 2 體層包括P型有機發光主體層、N型有機發光主 體層或雙載子型有機發光主體層。 括一 t中請專利範㈣1項所述之有機電激發光元件，更包 多、，摻雜於該雙載子型有機發光主體層中。 括如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，更包 體層认層’配置於該第—電極與該雙載子型有機發光主 括如1請專利範㈣1項所述之有機電激發光元件，更包 “洞輸層，配置於該第一電極與該雙載子型有機發光主 29 128081^^°^ 體層之間。 括一請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，更包 體層:間人層，配置於該第二電極與該雙載子型有機發光主 圍第1項所述之有機電激發光元件，更包 該第二電極触雙載子财機發光主 杯1ρ0.=Γ清專利範圍第1項所述之有機電激發光元件，更包 ，配辦料—雜與雜載子型有 11·如巾4專利範圍第丨項所述之有機電激發光元件，更包 舌N5L有機發光主體層，配置於該第二電極與該 機發光主體層之間。 一 1如申f專利範圍第M1項中任何一項所述之有機電激 無先兀件，，、中韻-電極為陽極，該第二電極為陰極。 13· —種有機電激發光元件，包括： 一第一電極； 一 P型有機發光主體層，配置於該第一電極上,· 一雙載子财機發光主體層，由_第_發光材料與一第二 發光材料共同沈積而形成於該p型有機發光主體層上，其中該 第一發光材料與該第二發光材料無相同之主載子； κ 一 Ν型有光线層，配置贿雙載子财機發光主體 層上；以及 一第二電極，配置於該Ν型有機發光主體層上。 12808^41^°^ Μ.如申請專利範圍第13項所述之有機電激發光元件，苴 中:：二發光材料為P型發光材料，而該第二發 型 發光材料。 ^ ㈣13 _述之有機電激發光元件，更 包括-“ ’摻雜於該雙載子型有機發光主體層中。 包括^同申t利_ ^項所述之有機^敫發光元件，更 層之間。 θ配置㈣第—電極與該P财機發光主體 勺括範圍第13項所述之有機電激發光元件，更 ^間:贿輸層，配置於該第—電極與該p财機發光主體 包括!^子申^^利範㈣13項所述之有機電激發光元件，更 ί之間。層’配置於該第二電極與該N型有機發光主體 包括範圍第13項所述之有機電激發光元件，更 二電子傳輸層，配置於該第二電極與該_有機發光主體 20·如申請專利範圍第13_19 發光元件，其巾該第—電極A陽、7項所奴有機電激 21 -插右㈣ 為極，該第二電極為陰極。 21.種有機電激發*元件的製作方法 使用一第一發光材料與_第— 同形成-雙载子型有機發光主體為材料源’以共 形成-第二電極於該雙載 =丄以及 22·如申請專利範圍签川5㈣嗌先主體層上。 項所述之有機電激發光元件的製 1280844^°^ Π 其中形成該雙載子型有機發光主體層於該第-電極上 的方法包括： 使用- Ρ型發光材料與一 Ν型發光材 同形成該雙載子型有機發光主體層於該第—電=^^才。科源 作方I3.如21項所述之有機電激發光元件的製 作方法’其巾在㈣該雙載子财機發光主體 雜一摻質於該雙載子型有機發光主體層中。θ ^ 作方顧狀㈣賴發光元件的製 雙=有機發光主體層前，更包括形 25.如申請專鄉圍第21項所叙 作方法’其中在形成該雙載子型有機發光主 成-電洞傳輸層_第-電極上。 ®心更包括心 26·如申請專利範圍第21項 作方法，其中在形成該雙載子型：=== =前’更包括形成-電子注入層於該雙“ί有= 作方γ 項所狀麵電歸光元件的製 ΐ極前以=有機發光主體層後與形成該第 更包括形成一電子傳輸層於該雙載子型有機發光主 成-P型有機發光主體層於該第體層則’更包括形 32 -12808^44^^°^ 29.如申凊專利範圍第2i項所述之有機電激發光元件的製 作方法’其中在形成該雙載子型有機發光主體層後與形成該第 二電極前，更包括形成一 N型有機發光主體層於該雙载子型有 機發光主體層上。 30·如申凊專利範圍第2i_29項中任何一項所述之有機電激 發光兀件的製作方法，其中該第一電極為陽極，該第二電 陰極。 31·一種有機電激發光元件的製作方法，包括： • 形成一 p型有機發光主體層於一第一電極上； —/使用一第一發光材料與一第二發光材料做為材料源，以共 同形成一雙載子型有機發光主體層於該P型有機發光主體層 _ 形成一N型有機發光主體層於該雙載子型有機發光主 - 上；以及 曰 形成一第二電極於該N型有機發光主體層上。

^收增傻興形成該N 更包括換雜-摻質於該雙載子型有機發 作方法，其中在形成舞 型有機發光主體層前， 33 12808 d〇c/g 光主體層中。 34·如申請專利範圍第31項所述之有機電激發光it件的製 =方法，其中在形成該p型有機發光主體層於該第一電極上 刖’更包括形成-電洞注人層於該第—電極上。 •如申請專利範圍第31項所述之有機電激發光元件的製 寸，法其中在形成該p型有機發光主體層於該第一電極上 J更匕括开》成一電洞傳輸層於該第一電極上。 作方ΐ·如申請專·圍第31餐述之有機魏發光元件的製 極贫/，其中在形成該Ν型有機發光主體層後與形成該第二電 1 ’更包括形成-電子注人層於㈣型有機發光主體層上。 作方7·如Μ專鄉㈣31項職之錢電激發光元件的製 極前其中在形成該有機發光主體層後與形成該第二電 ⑴更包括形成-電子傳輸層於該Νί}有機發光主體層上。 發朵申請專利範圍第31-37項中任何一項所述之有機電激 ii極T❸製作方法，其中該第—電極為陽極，該第二電極為 •種有機電激發光顯示面板，包括·· 一基板；以及 激發井個=中明專利範圍第1至2G項中任何-項所述之有機電 料先凡件，P車列配置於該基板上。 戍玉 板，复=巾'月專利範圍第39項所述之有機電激發光顯示面 ’ ”中該基板包括主動元件陣列基板。 板，專利範圍帛％帛所述之有機電激發光顯示面 /、r邊基板包括薄膜電晶體陣列基板。 34