TWD166702S - 發光二極體晶粒 - Google Patents
發光二極體晶粒Info
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- TW
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- gallium nitride
- emitting diode
- nitride layer
- light emitting
- substrate
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
Abstract
【物品用途】;本創作施加電壓後會發光，而可作為發光源使用。;【設計說明】;請參閱各圖面所示，本創作為發光二極體晶粒，其包含一基板與堆疊於該基板上的一氮化鎵層與堆疊於該氮化鎵層上的一電極層，其中該氮化鎵層的區域略小於該基板，而該電極層為具如圖所示之外形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103302899F TWD166702S (zh) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 發光二極體晶粒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103302899F TWD166702S (zh) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 發光二極體晶粒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWD166702S true TWD166702S (zh) | 2015-03-21 |
Family
ID=89711511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103302899F TWD166702S (zh) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 發光二極體晶粒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWD166702S (zh) |
-
2014
- 2014-05-15 TW TW103302899F patent/TWD166702S/zh unknown
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