TW556458B - Polymeric circuit protection device and method of making the same - Google Patents

Polymeric circuit protection device and method of making the same Download PDF

Info

Publication number
TW556458B
TW556458B TW91120530A TW91120530A TW556458B TW 556458 B TW556458 B TW 556458B TW 91120530 A TW91120530 A TW 91120530A TW 91120530 A TW91120530 A TW 91120530A TW 556458 B TW556458 B TW 556458B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
layer
conductive
reinforcing
circuit protection
Prior art date
Application number
TW91120530A
Other languages
English (en)
Inventor
Gan-Shan Huang
Ren-Hau Huang
Ruei-Ying Chen
Original Assignee
Protectronics Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Protectronics Technology Corp filed Critical Protectronics Technology Corp
Priority to TW91120530A priority Critical patent/TW556458B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TW556458B publication Critical patent/TW556458B/zh

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

經濟部中夹標準局員工消費合作社印裝 556458 at B7 五、發明説明(/) _明背景 一種高分子基電路保護裝置,以及其製法,尤指一具 有正溫度係數熱敏電阻(Positive Temperature Coefficient,以下簡稱PTC)特性之表面接著型高分子基電 路保護裝置。按,PTC裝置已被廣泛應用於溫度檢測、安 全控制、溫度補償· ••等等領域。以往,熱敏電阻裝置 主要是以陶瓷爲材料,但陶瓷需要較高溫度製造,製造溫 度多在攝氏九百度以上,需要消耗大量的能源,製程也比 較複雜。而後,高分子基之熱敏電阻裝置被開發出來,由 於高分子基材之熱敏阻抗裝置,製造溫度在攝氏三百度以 下’加工、成型比較容易,能源消耗較少,製程簡單,成 本低廉,因此應用領域日漸寬廣,而市場上已有相關產品 銷售’其中主要的生產公司如Raychem與Littelfuse公司, 亦有相關專利,如美國第5852397、5900800專利公開。
Raychem公司,揭示一種利用導電塡充材塡充之高分 子複合材料,製成ptc電路保護裝置。該具有PTC特性 之導電塡充材塡充之高分子複合材料,在常溫時,爲低電 阻狀態,當流經廣分子複合材料之電流過大,造成高分子 複口材料的溫度,達到一定的切換溫度(Switching Temperature,Ts)時,導電塡充材塡充之高分子複合材料 之電阻,會迅速上升,而切斷電流,避免電路重要元件被 燒毀,因此,可以應用在於電流過載保護裝置,以及溫度 開關裝置之設計。 請參第一圖,▲習知之具有ptc特性之導電性複合材 本纸張適用中國國家榇率(CNS )八视^ ( 210><297公董]' --------- ---- (請先閱讀^面之>4意事項异填寫本頁) ^ —β----- 556458 A7 B7___ 五、發明説明(2) 料元件12組成之PTC電路保護裝置1〇,其以鍍通孔11 (Plate-Through-Hole)將上方電極13與下面之第二電極 I4形成電導通,再製作下面一阻絕層16,區隔第一電極 14與第二電極15,使其成爲絕緣狀態。而一般使用的電 極材料,爲鎳金屬及銅金屬,其體積電阻在10_5歐姆公 分到1(Τό歐姆公分之間。而碳黑的體積電阻在ΗΓ1歐姆 公分到1〇_2歐姆公分之間;製成碳黑塡充之高分子複合材 料後,複合材料之常溫體積電阻在10-1歐姆公分到10·2 歐姆公分以上。當溫度在切換溫度Ts以上時,複合材料 之體積電阻更會大幅提高,遠大於金屬電極的體積電阻。 因此由下面第一電極I4與下面第二電極15爲兩個端電極 之電路保護裝置10,在通過電流時,主要的電位降,發 生在電流流經上方電極13與下面第二電極15間具有pTc 特性之導電性複合材料元件I·2。而鍍通孔11、上方電極 13,以及下面第一電極14上,都具有相近的電位。而下 面第二電極15,則爲另電位。 i靑穸第一圖’ Littelfuse公司揭示另一種高分子基電 路保護裝置,其^用具有上下兩層金屬箔22、23 (作爲 金屬電極),以及一中間層具有PTC特性之導電性複合材 料元件21之PTC積層結構。其搭配分別垂直於下層爾極 22及上層電極23之第一側邊電導機構28及第二側邊電 導機構29,以及絕緣材料阻絕層26及27,將具有pTc 特性之導電性複合材料元;件的上下兩層金屬電極22、23, 電導通至同一平面(上面或是下面),而製得高分子基鼇 本紙張尺度A用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) l·.1-T------秦. «% (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、ΤΓ 線 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 556458 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(3) 路保護裝置。 而前述該等技術,主要係採用金屬箔,以及具有PTC 特性之導電性複合材料元件,經由熱壓合形成之pTC積層 結構後’再進行電鍍、蝕刻、鍍通孔及端銀電鍍等製程。 由於金屬箔以及具有PTC特性之導電性複合材料元件,以 及金屬箔’在熱壓合形成之PTC積層結構,其機械強度不 足’在製程中容易翹曲變形,尺寸安定性(Dimension Stability)較差,使得在製作線路後再與其他pTC:積層結 構、絕緣補強材料或金屬電極進行熱壓合形成多層之pTC 積層結構時,會有上下層對位準確性問題。 同時’上述技術製作之具有PTC特性之導電性複合 材料元件’因無適當的絕熱層阻隔,容易受到週圍環境溫 度’例如焊接高溫之影響,直接反應在元件之電阻變化 上’使電阻跳動之變化難以預測與控制。 又且,上述技術製作之具有PTC特性之導電性複合 材料元件,其上下兩端之電極,須先將元件上下兩平面之 電極層以蝕刻方式分割開來,以致於造成具有PTC特性 龜 &導電性複合材‘料元件的有效使用面積之減少,效能會被 降低。 發明目的 本發明之目的,在於提供一種高分子基電路保護裝置 及其製法,其運用耐熱材料作爲具有PTC特性之導電性 複合材料元件之絕熱層,.使得具有PTC特性之導電性複 合材料元件,不易受週圍環境溫度,例如焊接高溫之影 本纸張尺度適用中國國家標準(A4規格(210x297公釐) LI-^------$1 - Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 556458 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(冬) 響’而反應在元件之電阻變化上,使得元件不易產生電阻 跳動之變化’進而使高分子基電路保護裝置,具有較穩定 之電阻。 本發明又一目的,在於提供一種高分子基電路保護裝 置及其製法,在目4具有PTC特性之導電性複合材料元件 之上層電極與下層電極之間,並未有任何鍍通孔通過該具 有PTC特性之導電性複合材料元件,或是有直接與上層 電極或下層電極垂直實體接觸之側面導電機構,使得該具 有PTC特性之導電性複合材料元件,得以因溫度上升而 充分膨脹,完全撐斷成爲不連續的狀態,使得高分子基電 路保護裝置,在電流過載時,具有最佳之斷電特性。 本發明之另一目的,在於提供一種高分子基電路保護 裝置及其製法,有較佳的結構強度,使該裝置製作加工, 更爲簡單,並得減少尺寸安定性的問題。 本發明之再一目的,在於提供一種高分子基電路保護 裝置及其製法,該高分子基電路保護裝置在製作時,其得 以運用強化塑膠成型材料及塑膠金屬化製程,使得高分子 鱔 基電路保護裝置^}加工與製造,更爲簡易。 本發明的又一目的,在於提供一種新型之高分子基電 路保護裝置及其製法,其中具有PTC特性之導電性複合 材料元件·,其上下層金屬電極層具有最大有效使用面積, 而使得高分子基電路保護裝置,得有最低電阻的效果,得 以發揮電路保護裝置最佳之.功效。 發明槪述 I---^------^^1 - « (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 .5-- 本纸張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 556458 A7 -—-----B7 五、發明說明(5 ^ -- 维壯舄了達到上述目的,本發明提供一種高分子基電路保 ^衣蟹,由〜第一電阻構件以及一第一強化構件組合而 成,其中,該第一電阻構件,包括一 1有pTC:特性之第 A導雩複合材料層,且在該具有PTC特性之第一導電複 口材料層之第〜面上,設有〜第二導電層,且在該具有 PTC特性之第〜導電複合材料層之第二面上,設一第二導 電層。 而該第一強化構件,包括一強化元件,該強化元件, 主要爲提供機械強度或是耐高溫,較佳者,當然爲二者兼 具,例如使用強化塑膠成型材料。並在該強化元件上設有 一第一電極以及一第二電極。而該第一電極一端設爲接觸 端,另一端延伸至該強化元件之第一平面上。該第二電極 一端亦設爲接觸端,且另一端亦延伸至該強化元件之第一 平面上。並且,該第一電極與該第二電極,係設爲絕緣狀 態;並設使該第一電阻構件,安置於該第一強化元件朝外 的一第二平面上,並使該第一電阻構件之第一導電層,與 該第一強化構件.之該第一電極接觸端構成電性接觸,且使 該第一電阻構件之第二導電層,與該第一強化構件之該第 二電極接觸端構成電性接觸,組合而成高分子基電路保護 裝置。 由於’使用強化元件,具有強耐熱性,可以作爲該具 有PTC特性之導電複合材料層之絕熱層,使得該具有PTC 特性之導電複合材料層,.不易受週圍環境溫度,例如焊接 高溫之影響’而反應在製得之高分子基電路保護元件之電 ί紙張尺度適用中國國家標準(CMs7a4規格(21〇><29_7公董) "~" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 556458
i、發明説明(6) 阻變化上,使得電路保護裝置不易產生電阻跳動之變化, 進而使商分子基電路保護裝置,具有較穩定之電阻。 且,在該具有PTC特性之導電複合材料層兩端之第一導 電層與第二導電層之間,並未有任何鍍通孔通過該具有 PTC特性之導電複合材料層,亦未有直接與第一導電層與 第一導電層垂直實體接觸之側面導電機構,使得該具有 PTC特性之導電複合材料層,得以因溫度上升而充分膨 脹’完全撐斷成爲不連續的狀態,使製得的高分子基電路 保護裝置,在電流過載時,具有最佳之斷電特性。 同時’由於本發明設置了強化元件,具有較佳的結構 強度’使該高分子基電路保護裝置在製作加工,更爲簡 單,並得減少尺寸安定性的問題。 再則,在本發明中,該具有PTC特性之導電複合材 料的第一導電層、第二導電層.,因未有任何蝕刻或切割, 具有最大有效使用面積,而使得高分子基電路保護裝置, 得以具有最低電阻的效果,得以發揮高分子基電路保護裝 置最佳之功效。 寒 Λ 至於本發明之其他優點,以及進一步細節,以下用實 施例作進一步之說明。 圖式之簡單說明 第一圖爲~先前技藝之說明示意圖; 第二圖爲另一先前技藝之說明示意圖; 第三圖爲本發明第一實施例之基礎結構示意圖; 第四圖爲上述實施例的電路保護裝置部份元件之一製作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面义注意事項再填寫本頁) ,11 線 經濟部中夬樣準局員工消費合作社印裝 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 556458 A7 B7 五、發明説明(7) 過程剖面圖; 第五圖爲上述實施例的電路保護裝置元件之進一步製作 過程剖面圖; 第六圖爲上述實施例的電路保護裝置元件再進一步製作過 程剖面圖; 第七圖爲上述實施例具有PTC特性之導電性複合材料元件 示意圖; 第八圖爲上述實施例之元件結合示意圖; 第九圖爲本發明第二實施例的電路保護裝置元件結合示意 圖; 第十圖爲本發明第三實施例之部份元件基礎結構示意圖; 第十一圖爲上述實施例中元件製作過程剖面圖; 第十二圖爲上述實施例的電路保護裝置元件之進一步製作 過程剖面圖; 第十三圖爲上述實施例的電路保護裝置元件之再進一步製 作過程剖面圖; 第十四圖爲上述寰施例的電路保護裝置元件結合示意圖; 第十五圖爲上述實施例的電路保護裝置元件結合最終示 意圖。 圖式編碼的簡單說明 (10-29爲習知前案元件標號) 10 :第一習知前案之PTC電路保護裝置; 11 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的鍍通 孔;_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ:297公釐) Γr------^------、訂------^0— 4 m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 556458 A7 B7 五、發明説明(8 ) 12 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的具有 PTC特性之導電性複合材料元件; 13 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的上面 電極; 14 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的下面 第一電極; 15 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的下面 第二電極; 16 :第一習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的阻絕 層; 20 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖; 21 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的具有 PTC特性之導電性複合材料元件; 22 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的下面 電極; 23 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的上面 電極; m 24 :第二習知前<案之PTC電路保護裝置示意圖上的下面 電極在靠近一側端部分; 25 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的上面 電極在靠近另一側端部分; 26 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的第一 阻絕層; 27 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的第二 l·——,-----------IT------ 4 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐〉 556458 A7 B7 五、發明説明(9) 阻絕層; 28 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的第一 側面導電層; 29 :第二習知前案之PTC電路保護裝置示意圖上的第二 側面導電層; (30以下,爲本發明實施例之元件標號) 30、30f :強化元件; 40 :強化構件製程中之半成品; 41 :強化構件之電極層; 41A、41A’ :強化構件之第一電極; 41B、41B’ :強化構件之第二電極; 50 :強化構件製程中之半成品; 51 :電極補強層; 51A、51A’ :第一電極補強構件; 51B、5lBf :第二電極補強構件; 60、 6(Τ :強化構件; 61、 6Γ :絕緣部份; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 62、 621 :絕緣溝槽; 70、 :電阻元件; 71、 7Γ :具有PTC特性之導電複合材料層·, 72、 72':電阻元件之第一導電層; 73、 73’ :電阻元件之第二導電層; 74、 74f :第一導電補強層; 75、 75':第二導電補強層; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 556458 A7 B7 五、發明説明(/〇) 80 :第一實施例之高分子基電路保護裝置; 90 :第二實施例之高分子基電路保護裝置; 100 :中間強化構件之強化元件; 110 :中間強化構件製程中之半成品; 111 :連接導電金屬層/ 111A :第一連接導電金屬層; 111B :第二連接導電金屬層;. 120 :中間強化構件製程中之半成品; 121 :連接導電金屬補強層; 121A :第一連接導電金屬補強層; 121B :第二連接導電金屬補強層; 130 :中間強化構件; 131、132 :絕緣部份; 140 :第三實施例之高分子基電路保護裝置半成品; 150 ··第三實施例之高分子基電路保護裝置 第一實施例: 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 請參第三圖.,其爲本發明第一實施例之一強化構件之 強化元件30基礎結構示意圖。在本實施例中,該強化元 件30,設爲L型,並以強化塑膠成型材料爲加工基材, 可提供高分子基電路保護裝置結構所需之機械強度及尺 寸安定性。強化元件30在形狀上,並不限於L型,只要 足可提供下述導電複合材料層遮蔽即可。而在材料選擇方 面,只要是耐高溫、機械強度佳之工程塑膠材料皆可適 用,例如聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚對苯二甲酸丁酯 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210x297公釐〉 556458 A7 _B7______ 五、發明説明(丨/ ) (PBT)、聚氧化二甲苯(PPO)、聚砜(Polysulfone)、聚醚 砜(PES)、聚硫化二甲苯(PPS)、聚芳香酯(PAR)、聚二 醚酮(PEEK)及液晶高分子塑膠材料(LCP)等塑膠材質,利 用塑膠射出成型或塑膠押出成型製程以製作本實施例之 強化元件30。 但是強化元件30本身並不具導電性,無法製作所需 之電導通機構,因此本發明乃運用塑膠金屬化方式製作金 屬導電電極。請參第四圖,本發明在強化元件30四周夕f 側覆蓋一層電極層41,製成強化塑膠金屬化製程之半成 品40,而此塑膠金屬化製程,首先須將強化元件30表面 粗糙化或極性化處理,以增加強化元件30與電極層41 之接著強度,而此一塑膠表面處理程序,可使用噴砂、化 學微蝕或電漿表面處理等方式,再配合塑膠金屬化製程, 可使用塑膠電鍍,金屬真空蒸鍍,金屬真空濺鍍等方式, 形成電極層41,而此一電極層41之材質可爲金,銀,銅, 白金,或鎳等金屬或合金皆可。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而爲了便玲高分子基電路保護裝置之電極易於熔 接,本實施例在電極層41之外,設電極補強層5 1,以補 強電極層41的熔接能力,而此電極補強層51,可使用化 學或電鍍方式在電極層41四周外側覆蓋而成,組成可爲 錫、錫鉛合金或其它低熔點焊接溫度之金屬合金材料皆 可,而此所謂低熔點焊接溫度係指溫度低於攝式三百度以 下者。請參第五圖,爲本實施例之電鍍錫鉛製程之半成品 50。請參第六圖,利用化學蝕刻、機械物理刷磨或切割等 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " ' 556458 A7 五、發明説明(/2) 方式,再去除部份電極層41與電極補強層51,使之形成 絕緣部份61,以及一絕緣溝檜62,並使電極層41在強化 元件一第一平面上,區分爲第一電極41A,以及第二電極 41B,且第一電極4iA與第二電極41B,係設爲絕緣狀態。 而電極補強層51,亦被區分爲第一電極補強構件51A(或 稱爲第一電極補強層)和第一電極補強構件51B (或稱爲 第二電極補強層)。 亦即,該強化構件60之強化元件30上,形成一第一 電極41A以及一第二電極41B。而該第一電極41 a接近 絕緣部份61之一端爲接觸端,而其另一端延伸至該強化 元件30之一平面上。而該第二電極41B接近絕緣部份61 之一端,亦爲其接觸端,且其另一端亦延伸至該強化元件 30與第一電極41A—端相同之一平面上。 濟 部 中 央 標 準 局 員 工 消 费 合 作 社 印 製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 請參第七圖,爲本實施例之電阻構件7〇之結構示意 圖’此電阻構件7〇,包括-融.PTC特性之導電複合材 料層71,在該具有PTC特性之導電複合材料層?!之第— 面上’設有-第厂導電層72,且在該具有PTC特性之導 電複合材料層71之第二面上,設—第二導電層73。同樣 的’爲使第—導電層72與第=導電層73易於熔接,本實 施例分別在第一導電層?2與第二導電層73 導電補強層74以及第二導電補強層75。 口 ^構件^ 複合材_71,可爲碳黑塡 晶性料子複合.材料,此〜_結晶性高分子複 _可選用聚乙烯,聚丙烯,聚氟烯或甘丑窮么物 本紙張;^適用 fii^(CNS)A4i^.210x297公釐)----入一 一水口十yj 556458 A7 B7 五、發明説明(/3) 在本實施例中,係爲聚乙烯(PE) Petrothene LB832(此爲美 國Eguistar公司商品)。而碳黑爲Raven450(此爲美國 、?τ
Columbian公司商品)。兩者以重量比例一比一,在攝氏二 百一·h度下以塑譜儀混練八分鐘,再以熱壓成型機在攝氏 一百七十五度下熱壓成型爲具有PTC特性而厚度爲 〇.5mm左右之板狀導電性複合材料,再以鎳鍍銅箔(總厚 度38微米)形成本實施例之第一導電層72與第二導電層 73,而後在第一導電層72上方,以及第二導電層73下方 分別覆蓋第一導電補強層74以及第二導電補強層75,此 第一導電補強層74及第二導電補強層75可用化學或電鍍 方式製作完成,其組成可爲錫、錫鉛合金或其他低熔點銲 接之金屬或合金材料皆可。 線 請參第八圖,將完成之強化構件60 (第六圖),在強 化兀件3 0之一向外的平面上’放置電阻構件7 0,或以鄰 靠的方式將該電阻構件70,安置在該強化構件60旁,但 未必要使該強化元件30直接與電阻構件70直接接觸,而 該平面不同於強.化元件30同時形成第一電極與第二電極 Λ 經濟部中央梂準局負工消费合作社印製
之平面。使得該電阻構件70之第一導電層72,與該強化 構件60之該第一電極41Α接觸端構成電性接觸,且使該 電阻構件70之第二導電層73,與該強化構件之該第二電 極41B接觸端構成電性接觸,在本實施例中,電阻構件 70之第二導電補強層75與第二電極補強構件5 1B形成直 接接觸,而第一導電層72及第一導電補強層74則分別與 強化構件60之第一電極41A以及第一電極補強構件51A 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 556458 A7 —_— B7_ 五、發^説明(/手) 形成直接接觸,再連接該等接觸點,如利用金屬積層熱熔 接或迴銲方式,使該等接觸點形成實體接觸和電連接,而 組成表面接著型高分子基電路保護裝置8〇。 而此表面接著型高分子基電路保護裝置8〇,即可利用第 一電極補強構件51A以及第二電極補強構件51B,作爲對 外焊接之電極,發揮功用。 而由以上說明可知,本發明所提供之高分子基電路保 護裝置,由於,使用強化元件30,運用具有強耐熱材料, 作爲具有PTC特性之導電性複合材料元件(導電複合材 料層70)之絕熱層,使得導電複合材料層7〇,不易受週 圍環境溫度,例如焊接高溫之影響,而反應在製得之高分 子基電路保護元件之電阻變化上,使得電路保護裝置不易 產生電阻跳動之變化,進而使局分子基電路保護裝置,亘 有較穩定之電阻。 且,在導電複合材料層70兩端之第一導電層72與第· 二導電層73之間,並未有任何鍍通孔通過該導電複合材 料層70,本發明·亦未有直接與第一導電層72跑第二導電 層73垂直實體接觸之側面導電機構,使得該導電複合材 料層70 ’得以因溫度上升而充分膨脹,完全撑斷成爲不 連續的狀態’使製得的高分子基電路保護裝置,在電流過 載時,具有最佳之斷電特性。 同時,由於本發明設置了強化元件3〇,具有較佳的 結構強度,使該高分子基電路保護裝置在製作加工,更爲 簡單,並得減少尺寸安定性的問題。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐1 ' --- l·——1-----------、ΤΓ------ (請先閲讀背面t注意事項再填寫本頁) 556458 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(/右) 又且,本發明之高分子基電路保護裝置,運用強化塑 膠成型材料及塑膠金屬化製程,使得高分子基電路保護裝 置的加工與製造,更爲簡易。 再則,在本發明中,導電複合材料層70的兩側第一 導電2 72、第二導電層73,具有最大有效使用面積,而 使得高分子基電路保護裝置,得以具有最低電阻的效果, 得以發揮高分子基電路保護裝置最佳之功效。 第二實施例: 請參第九圖,在本實施例中,係以高分子基電子保護 裝置80爲基礎,進一步增加一與原強化構件(以下稱「第 一強化構件60」)相同結構之一第二強化構件6〇,。將前 述強化構件60與第二相同之強化構件60,,方向相反,位 置相對地堆疊起來,而將電阻構件70契合於其中,而可 得出本發明之第二實施例之高分子基電路保護裝置90。 其中,第二強化構件60’之第二電極補強構件51B’分 別直接與電阻構件70之第一導電補強層74和第一強化構 件60之第一電極補強構件51A,形成實體接觸和電連接。 » 且,而第二強化<構件60’之第一電極補強層41A,,則直接 與電阻構件70之第一導電層73直接接觸;而第二強化構 件60’之第一電極補強構件51A’,則分別直接與電阻構件 7〇之第二導電補強層75和第一強化構件60之第二電極 補強構件5 1B直接接觸,再利用金屬積層熱熔接或迴銲方 式,使該等實體接觸之端.點,形成實體接觸和電連接。在 本實施例中,由於使用兩個相同之強化構件,且以互爲上 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) (諳先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 訂 556458 ^ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Α7 Β7 型的組合方式搭接,配合具有PTC特性之導電性複 合材料元件(電阻構件7〇),而形成一尺寸安定性佳,以 及使用便利性之表面接著型高分子基電路保護裝置90。 第三實施例: 請參第十圖至第十五圖,爲本發明第三實施例之說明 圖。 請參第十五圖,在本實施例中,係使用二個強化構件 6Q'60’、二個電阻構件70、70s以及一中間強化元件130。 該中間強化元件在本實施例中,設爲T型,但實際上,並 + 1¾於T型。而該中間強化元件之製法,請參第十圖,此 間強化元件與前述實施例之強化元件相似,係使用強 化塑膠成型材料基材100,爲耐高溫,機械強度佳之工程 塑膠材料,且使用與第一實施例之相似之製程,可使用塑 @射出成型或塑膠押出成型製程,而得中間強化元件 1GG °請參第十一圖,在中間強化元件100四周外側,先· &類似第一實施例之塑膠金屬化製程,覆蓋一層連接導電 金屬層111,而製得塑膠金屬化製程之半成品110。 \ 請參第十二圖,在該連接導電金屬層111四周外側, 利用化學或電鍍方式覆蓋一層連接導電金屬補強層121, 而製得電鍍錫鉛製程之半成品120。請參第十三圖,進一 步利用化學蝕刻、機械物理刷磨或切割等方式,將本實施 例之電路保護裝置半成品120之連接導電金屬層111和連 接導電金屬補強層121的部份區域去除,露出絕緣部份 131和132,因此連接導電金屬層111被絕緣部份131和 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ:Ζ97公釐) rlk-------Φ------、訂------線、T Μ- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 556458 A7 _ B7__ 五、發明説明(/7) 132,區分爲第一連接導電金屬層111A和第二連接導電 金屬層111B,而連接導電金屬補強層亦區分爲第一連接 導電金屬補強層121A和第二連接導電金屬補強層 121B,分別設於該中間強化構件13 0之兩端。請參第十四 圖,將中間強化構件13〇,與二個強化構件60、60’(以 下稱60’爲第二強化構件),依圖所示互相堆疊成契型組合 方式,而製得本實施例之另一電路保護裝置半成品140。 請參第十五圖,將二個電阻構件70 (以下稱70第一 電阻構件)、7〇’(以下稱70’爲第二電阻構件)分別契入前述 電路保護裝置半成品140,如圖所示,使該第二電阻構 件70’安置於該第二強化構件60’之一第二平面之上,並使 該第二電阻構件701之第二導電補強層75’,與該第二強化 構件60’上之該第二電極補強構件51B’接觸端構成電性接 觸,且使該第二電阻構件70’之第一導電補強層74’,與該 第二強化構件6〇|之該第一電極補強構件51A’接觸端構成 電性接觸。 同時,並使該中間強化構件130之該第一連接導電金 屬補強層121A,與該第一電阻構件70之第一導電補強層 74,以及該第二電阻構件70’之該第一導電補強層74’構成 電性接觸;且設以該中間強化構件130之該第二連接導電 金屬補強層121B,與該第一電阻構件70之該第二導電補 強層75,以及該第二電阻構件70’之該第二導電補強層 75’,構成電性導通。 再經由金屬積層熱熔接或迴銲方式,將各接觸點焊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) r.— -^-------Φ------1T------ -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 556458 A7 £7_ 五、發明説明(/&) 接,使之形成實體接觸和電性連接,而製得第二實施例之 高分子基電路保護裝置150。 本實施例之高分子基電路保護裝® l5Q, 同時有兩條路徑分別可由第一電極補強橡51A 二電極補強構件51B :其一,由第一電極補強構件5ia, 依序經由第一電阻構件7〇之第一導電補強層Μ、第一導 電層72、具有ptc特性之導電複合材料層?1、第二導 電層73、第二導電補強層75,到達第〜強化構件6〇之第 二電極補強構件51B,·第二,由第一電極補強構件5iA, 依序經中間強化構件13〇之第一連接導電金屬補強層 1Z1A、第二電阻構件70,之第一導電補強層74,、第一導 電層72’、具有PTC特性之導電複合材料層η,、第二導 電層73’、第二導電補強層75’、乃至於中間強化構件13〇 之第二連接導電金屬補強層121Β,而到達第一強化構件 60之第二電極補強構件51Β,形成一並聯電路之結構, 可使得本實施例之高分子基電路保護裝置,有更寬廣之應 用。 t 雖然本發明以上述的實施例作說明,但並不表示本發 明之保護範圍,以上述之說明爲限。對於習於此項技藝之 人士而言,當可作各種修改,例如,改變選擇之的高分子 材料、或添加不同的導電粒子、改變電鍍條件,或是改變 組成重量比率,或是將各導電補強層、電極補強層之省 略,乃至於改變導電材料與成份••等等,而可達到相同 w_之功效。惟此等修改,應不脫本發明之精神,仍屬於本發 tSIil ( CNS ) Α4^7ΐΊ〇χ 297^*1 ' ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 556458 A7 ___B7 _五、發明説明(/7)明之保護範圍內。本發明的保護範圍,仍應視申請專利範 圍所述爲主。 I--------^w — ♦ * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 556458 經濟部中央揉率局負工消費合作社印裝 六 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1·一種高分子基電路保護裝置之製法,包括下述步 驟:提供一絕緣之強化元件; 在該強化元件外設一具有導電性之電極層; 去除部份該電極層’使該電極層在該強化元件上形成 一絕緣部份,以及一絕緣溝槽,而使該電極層在該強化元 件一第一平面上,區分爲絕緣之一第〜電極以及一第二電 極,而構成一強化構件; 提供一氣有PTC特性之導電複合材料層元件; 在該具有PTC特性之導電複合材料層之第一面上,設 有一第一導電層,且在該具有PTC特性之導電複合材料 層之第二面上,設一第二導電層,組成一電阻構件; 將該強化構件,在該強化元件之一向外的平面上,放 置電阻構件,使得該電阻構件之該第一導電層,與該強化 構件之該第一電極接觸’且使該電阻構件之該第二導電 層,與該強化構件之該第二電極接觸; 連接該電阻構件之該第一導電層,與該強化構件之該 第一電極構成電;ί生接觸點,以及該電阻構件之該第二導電 層,與該強化構件之該第二電極構成電性之接觸點,使形 成實體接觸和電性連接,而製成一表面接著型高分子基電 路保護裝置。 2·如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置之 製法,其中該強化元件係爲強化塑膠成型材料° 3.如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置之 製法,其中該強化元件所使用之強化塑取成型材魁_ ’ 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 556458 ?S D8 1,1 " — 六、申請專利範圍 自由聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚對苯二甲酸丁酯 (PBT)、聚氧化二甲苯(pp〇)、聚砜(Polysulfone)、聚醚砜 (PES)、聚硫化二甲苯(PPS)、聚芳香酯(PAR)、聚二醗 酮(PEEK)及液晶高分子塑膠材料(LCP)所組成之群組中, 胃以射出成型製得。 4·如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置之 製法,其中該強化元件係設爲L型。 5.如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置之 製法,其中該強化元件外設該電極層之方法,係使用塑膠 金屬化製程,該強化元件使用強化塑膠製成,而該電極層 使用選自金,銀,銅,白金,或鎳所組成群組之金屬或合 金所構成。 6·如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置之 製法,其中在該電極層外,更設一電極補強層,並在去除 部份電極層之步驟中,在該第一電極以及該第二電極上, 分別形成一第一電極補強層及一第二電極補強層;而該電 阻構件之該第一P電層,與該第一電極補強層接觸,且該 電阻構件之該第二導電層,與該強化構件之該第二電極補 強層接觸。 7·如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該第一導電層上,更設有一第一導電補強 層,且該第二導電層下方,設有一第二導電補強層,使得 該電阻構件之該第一導電補強層,與該強化構件之該第一 __電極接觸,且使該電阻構件之該第二導電補強層,與該強^ 纸浪尺度逋用中國國家榡準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 556458 A8 B8 C8 〇8 六 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 申請專利範圍 化構件之該第二電極接觸。 1項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中在_麵外H襲補麵,並在去 除部份電麵技驟巾—翻以賴第二電極 f ^別⑽〜弟—電购_詹及―第二電極補強層;而 ㈣補強層,且該第二導電 層下方口又有〜弟一導電補強墙;並麵驅構件之該第 導:補麵,與該弟—電極補強層接觸,且該電關件 =弟一導电’_層’輯料構件之該第二電極補強層 接觸。 如::專:8項之高分子基電路保護裝置 笛㈣Γ料一導電補強靨,該第二導電補強層、該 第一電極補強層、該第二蕾& 一電極補強層,係使用選自錫、鉛 所組成群組之金屬或合金。 ,郵::t申:R專利範圍弟1項之高分子基電路保護裝置 古:中痛顧合㈣物,爲碳顯充導電結晶性 冋为口材料•’係进自聚2¾,聚酬,聚讎或其共 聚合物之結晶性高分子複合材料。 胃·’ i項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中更包括一提供〜第二強化構件之步驟,而該 第一強化構件與該強化構件結構相同;設使該第二強化構 件與該強化構件相對應設置,而該電阻構件置於其中,並 使該電阻構件之第二導電層,與該第二強化構件之第一電 極接觸端接觸,且使該電阻構件之第一導電層,與該第二 L.--·------— • « (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 556458 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 強化構件之該第二電極接觸端接觸,再進行連接接觸點步 驟。 12. 如申請專利範圍第1項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中更包括一提供一第二電阻構件步驟、一提供 一第二強化構件步驟,以及一提供一中間強化構件步驟; 而該製作該第二電阻構件與該製作該電阻構件相 同,該製作該第二強化構件步驟與該製作該強化構件相 同;而該中間強化構件,以一中間強化元件爲基材,在該 中間強化元件四周外側,以塑膠金屬化製程,覆蓋一層連 接導電金屬層,再去部份該連接導電金屬層,使該中間強 化元件上,形成一第一連接導電金屬層和一第二連接導電 金屬層,而製得該中間強化構件; 依序將該強化構件、該電阻構件、該中間強化構件、 該第二電阻構件,以及該第二強化構件排列,使該第二電 '阻構件安置於該第二強化構件之一第二平面之上,並使該 第二電阻構件之第三導電層,與該第二強化元件上之該第 一電極接觸,且使該第二電阻構件之第二導電層,與該第 m 4 二強化元件之該第二電極接觸;並使該中間強化構件之該 第一連接導電金屬層,與該第一電阻構件之該第一導電 層,以及該第二電阻構件之該第三導電層,構成電性接觸; 且使該中間強化構件之該第二連接導電金屬層,與該 第一電阻構件之該第二導電層,以及該第二電阻構件之該 第四導電層,構成電性接觸;再進行連接接觸點步驟。 13. 如申請專利範圍第12項之高分子基電路保護裝置 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) l· — -r------Φ.-----ir------ ·· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局貝工消费合作社印装 556458 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 申清專利範圍 之數法’其中該中間強化元件,係使用強化塑膠成型材 製成。 * 14·如申請專利範圍第12項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該中間強化元件,設爲τ型。 、15· —種高分子基電·路保護裝置,係由一第一電阻構 件以^〜第一強化構件組合而成,其中; 八0第一電阻_件,包括一氣有pTC特性之第〜導電 複^材料層,在該具有PTC特性之第-導電複合材料層 之^〜面上,設有〜第—導電層,且在該具有PTC特性 之第〜導電複合材料層之第二面上,設一第二導電層; 該第一強化橇件,包括一強化元件,在該強化元件上 设有一第一電極以及一第二電極;而該第一電極一端設爲 接觸端’另一端延伸至該強化元件之第一平面上; 而該第二電極一端亦設爲接觸端,且另一端亦延伸至 該強化元件之第一平面上;並且,該第一電極與該第二電 極’係設爲絕緣狀態; 設使該第一;1阻構件安置於該第一強化元件朝外的 4 —第二平面上,並使該第一電阻構件之第一導電層,與該 第一強化構件之該第一電極接觸端構成電性接觸,且使該 第一電阻構件之第二導電層,與該第一強化構件之該第二 電極接觸端構成電性接觸,進而組合而成高分子基電路保 護裝置。 16.如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置,其中該第一電阻構件之該第一導電層上,更設有一第 本紙張尺度逋用中國國家梂準(CNS ) A4规格(21〇><四7公董) ----------— m- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 線 8888 ABCD 556458 六、申請專利範圍 一導電補強層,該第二導電層上,更設有一第二導電補強 層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17. 如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置’其中該第一強化構件之第一電極上,更設有一第一電 極補強層,該第二電極上,更設有一第二電極補強層。 18. 如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置’其中更包括一第二強化構件,該第二強化構件,包括 一第二強化元件,在該第二強化元件上設有一第三電極以 及一第四電極;而該第三電極一端設爲接觸端,另一端延 伸至該第二強化元件之第一平面上;而該第四電極一端亦 設爲接觸端,且另一端亦延伸至該第二強化元件之第一平 面上;並設使該第一電阻構件安置於該第二強化元件之一 第二平面之上,並使該第一電阻構件之第二導電層,與該 第二強化構件上之該第三電極接觸端接觸,且使該第一電 阻構件之第一導電層,與該第二強化構件之該第四電極接 觸端接觸,而組成高分子基電路保護裝置。 經濟部中夬榡準局員工消费合作社印裝 19·如申請專;利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置,其中更包括一第二電阻構件、一中間強化構件,以及 一第二強化構件; 該第二電阻構件,包括一具有PTC特性之第二導電 複合材料層,在該具有PTC特性之第二導電複合材料層 之第一面上,g受有一第三導電層,且在該具有pTC特性 之第二導電複合材料層之·第二面上,設一第四導電層; 一該中間強化構件,設有一第一連接導電層設於該由A 本紙張从逋用中國國巧準(CNS)A4^ ox297公E 1 556458 A8 ?s D8 ^__ 六、申請專利範圍 強化構件之一第一端上,以及一第二連接導電層於該中間 強化構件之一第二端上; 而該第二強化元件上設有一第三電極以及一第四電 極; 而該第三電極一端設爲接觸端,另一端延伸至該桌一 強化元件之第一平面上;而該第四電極一端亦設爲接觸 端,且另一端亦延伸至該第二強化元件之第一平面上; 設使該第二電阻構件安置於該第二強化構件之一第 二平面之上,並使該第二電阻構件之第三導電層,與該第 二強化元件上之該第三電極接觸端接觸,且使該第二電阻 構件之第四導電層,與該第二強化元件之該第四電極接觸 _接觸; 並設以該中間強化構件之該第一連接導電層,與該第 一電阻構件之該第一導電層,以及該第二電阻構件之該第 三導電層,構成電性接觸; 且設以該中間強化構件之該第二連接導電層,與該第 一電阻構件之該筹二導電層,以及該第二電阻構件之該第 四導電層,構成電性接觸,而組成一高分子基電路保護裝 置。 20.如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置,其中該強化元件係由強化塑膠成型材料製成。 21·如申請專利範圍第20項之高分子基電路保護裝 置,其中該強化元件所使用之強化塑膠成型材料,係選自 由聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚對苯二甲酸丁酯(PBT)聚 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ΤΓ 線一 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 •=_1 HI HI In 556458 A8 B8 C8 D8___ $5專利範圍 氧化二甲苯(pp〇)、聚砜(Polysulfone)、聚醚砜(PES)聚 ^化二甲苯(PPS)、聚芳香酯(PAR)、聚二醚酮(PEEK) 晶高分子塑膠材料(LCP)所組成之群組中,而以射出 成型製得。 22.如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置’其中該強化元件係設爲L型。 23·如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置’其中該強化元件外設該電極層之方法,係使用塑膠金 屬化製程,該強化元件使用強化塑膠製成,而該電極層使 用選自金,銀,銅,白金,或鎳所組成群組之金屬或合金 所構成。 24·如申請專利範圍第17項之高分子基電路保護裝 置,其中該第一電極補強層、該第二電極補強層,係使用 選自錫、鉛所組成群組之金屬或合金。 25·如申請專利範圍第15項之高分子基電路保護裝 置,其中該導電複合材料層,爲碳黑塡充導電結晶性高分 經濟部中夬揉率局負工消費合作社印装 L--------- -* (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 子複口材料,係_自聚乙稀,聚丙稀,聚氟嫌或其共聚合 物之結晶性高分子複合材料。 26·—種高分子基電路保護裝置,係由一電阻構件以 及一強化構件組合而成,其中; 該電阻構件,包括一复有PTC特性之導電複合材料 層,在該具有PTC特性之導電複合材料層之相對兩平面 上,分別設有一第一導電層、一第二導電層; 該強化構件’包括〜強化元件,在該強伙元件上势气 本纸張纽逋用中國國家揉準(CNS ) A4胁(21^297公〜 —----- 556458 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一第一電極以及一第二電極;而該第一電極與該第二電 極,係設爲絕緣狀態; 設使該電阻構件以鄰靠的方式,置於該強化構件旁, 並使該電阻構件之第一導電層,與該第一強化構件之該第 一電極構成電性接觸,並且使該電阻構件之第二導電層, 與該強化構件之該第二電極構成電性接觸,進而組合而成 高分子基電路保護裝置。 27.如申請專利範圍第26項之高分子基電路保護裝 置,其中該第一電阻構件之該第一導電層上,更設有一第 一導電補強層,該第二導電層上,更設有一第二導電補強 層;且該第一強化構件之第一電極上,更設有一第一電極 補強層,該第二電極上,更設有一第二電極補強層。 28·—種高分子基電路保護裝置之製法,包括製作強 化構件程序、製作電阻構件程序,以及組裝電路保護裝置 程序,其中: 製作強化構件程序,包括:提供一強化元件,次而在 該強化元件周圍P—電極層後,再去除部份電極層,使該 Λ 電極層在強化元件一第一平面上,區分爲絕緣之一第一電 極以及一第二電極,製得一該強化構件; 製作電阻構件程序,包括:提供一县_有PTC特性之 導電複合材料層,而後,在該具有PTC特性之導電複合 材料層之兩面上,分別設一第一導電層、一第二導電層, 組成一電阻構件; _ 組裝電路保護裝置程序,包括:將該電阻構件鄰靠於 本纸張尺度逋用中國國家榇卒(CNS ) A4规格(210 X 297公簸) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝康 訂 線 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印装 556458 ?? D8 _ 六、申請專利範圍 該強化構件之一第二平面上,使得該電阻構件之該第一導 電層,與該強化構件之該第一電極接觸,且使該電阻構件 之該第二導電層,與該強化構件之該第二電極接觸; 再連接該電阻構件之該第一導電層,與該強化構件之 該第一電極構成電性接觸點,以及該電阻構件之該第二導 電層,與該強化構件之該第二電極構成電性之接觸點,使 形成實體接觸和電性連接,而製成一表面接著型高分子基 電路保護裝置。 29.如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該強化元件係爲強化塑膠成型材料。 3〇.如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該強化元件係設爲L型。 31. 如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該強化元件外設該電極層之方法’係使用塑 膠金屬化製程,該強化元件使用強化塑膠製成’而該電極 層使用選自金,銀,銅,白金,或鎳所組成群組之金屬或 合金所構成。4 32. 如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中在該電極層外,更設一電極補強層,並在去 除部份電極層之步驟中,在該第一電極以及該第二電極 上,分別形成一第一電極補強層及一第二電極補強層;而 該電阻構件之該第一導電層,與該第一電極補強層接觸, 且該電阻構件之該第二導電層,與該強化構件之該第二電 ^ 極補強層接觸。 _____ 本纸張尺度逋用t國國家榇準(CNS ) A4规格(公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 、ΤΓ 線 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裝 556458 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 33. 如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中該第一導電層上,更設有一第一導電補強 層,且該第二導電層下方,設有一第二導電補強層,使得 該電阻構件之該第一導電補強層,與該強化構件之該第一 電極接觸,且使該電阻構件之該第二導電補強層,與該強 化構件之該第二電極接觸。 34. 如申請專利範圍第28項之高分子基電路保護裝置 之製法,其中在該電極層外,更設一電極補強層,並在去 除部份電極層之步驟中,在該第一電極以及該第二電極 上,分別形成一第一電極補強層及一第二電極補強層;而 該第一導電層上,設有一第一導電補強層,且該第二導電 層下方,設有一第二導電補強層;並使該電阻構件之該第 一導電補強層,與該第一電極補強層接觸,且該電阻構件 之該第二導電補強層,與該強化構件之該第二電極補強層 接觸。 請 先 閲 背 I 填 窝 本 頁 訂 線 經濟部t央揉準局員工消費合作社印裝 本纸張又度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
TW91120530A 2002-09-10 2002-09-10 Polymeric circuit protection device and method of making the same TW556458B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW91120530A TW556458B (en) 2002-09-10 2002-09-10 Polymeric circuit protection device and method of making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW91120530A TW556458B (en) 2002-09-10 2002-09-10 Polymeric circuit protection device and method of making the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW556458B true TW556458B (en) 2003-10-01

Family

ID=32228123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW91120530A TW556458B (en) 2002-09-10 2002-09-10 Polymeric circuit protection device and method of making the same

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW556458B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103594213A (zh) * 2012-08-14 2014-02-19 聚鼎科技股份有限公司 过电流保护元件
TWI500063B (zh) * 2008-04-21 2015-09-11 Littelfuse Inc 包含電阻及熔線元件之電路保護裝置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI500063B (zh) * 2008-04-21 2015-09-11 Littelfuse Inc 包含電阻及熔線元件之電路保護裝置
CN103594213A (zh) * 2012-08-14 2014-02-19 聚鼎科技股份有限公司 过电流保护元件
TWI449060B (zh) * 2012-08-14 2014-08-11 Polytronics Technology Corp 過電流保護元件
US9007166B2 (en) 2012-08-14 2015-04-14 Polytronics Technology Corp. Over-current protection device
CN103594213B (zh) * 2012-08-14 2017-07-07 聚鼎科技股份有限公司 过电流保护元件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI503850B (zh) 過電流保護元件
TWI433169B (zh) 表面黏著型熱敏電阻元件
US8687336B2 (en) Over-current protection device and battery protection circuit assembly containing the same
CN103594213B (zh) 过电流保护元件
US8576043B2 (en) Surface-mount type overcurrent protection element
TWI584308B (zh) 過電流保護元件
JP2002280746A (ja) 埋込み機能素子を備えたプリント回路基板
TW200845528A (en) Circuit protection device
TW556458B (en) Polymeric circuit protection device and method of making the same
US6898063B2 (en) Over-current protection device
TWI441200B (zh) 表面黏著型過電流保護元件
TWI486988B (zh) 過電流保護元件及其電路板結構
CN111696738B (zh) 过电流保护元件
TW201029285A (en) Over-current protection device and manufacturing method thereof
CN104658726B (zh) 过电流保护元件及其保护电路板
TWI254503B (en) Over-current protection apparatus and manufacturing method thereof
TW200522090A (en) Over-current protection apparatus
CN109427452B (zh) 正温度系数电路保护装置及其制法
US20060202794A1 (en) Resettable over-current protection device and method for producing the same
CN219676985U (zh) 一种过电流保护元件
TW463443B (en) A PTC circuit protection device
CN100448133C (zh) 过电流保护装置及其制作方法
CN207503904U (zh) 复合型多功能保险丝
US20020058208A1 (en) Polymeric substrate circuit protection device and method of making the same
CN116364362A (zh) 过电流保护元件

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees