TW548734B - Optical window structure - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 356
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 175
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 21
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 claims description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N CMP group Chemical group P(=O)(O)(O)OC[C@@H]1[C@H]([C@H]([C@@H](O1)N1C(=O)N=C(N)C=C1)O)O IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011440 grout Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 241000771208 Buchanania arborescens Species 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- -1 amine ester Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N carbonic acid monoamide Natural products NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013317 conjugated microporous polymer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 210000003643 myeloid progenitor cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N tiracizine Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2N(C(=O)CN(C)C)C2=CC(NC(=O)OCC)=CC=C21 KJAMZCVTJDTESW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
- B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Description
548734 五、發明說明（1) 【發明背景 1.發明之領'，域 二V:裝置，，中，係有需要進行化學機械研磨 細作。典型地，積體電路裝置係還 i後：ir具有擴散區域的電晶體裝^ 體裝置u義金r線並電連接至該電ΐ 矽等介電材料@ # s安彳b < $ °所週知，猎由如二氧化 而告由夕枓而使圖案化之導電層與其它之導電声絕络 田更夕之金屬化層及相關的介 ^: ，，〇 =料的需要即增加。若沒有平；的 =屬化層的製造將由於表巧外 得更困難。在其它之應用中==貝質上變 介雷妯袓士 1屬化線的圖案形成於兮 ^電材枓中，錢將進行金細P操作以㈣過量的成金於屬亥 典型地利用化學機械平坦化（CMp ) ::广。…典型地具有用以(操： = = ^ ί 元件為軌道型研磨墊、或直線以 Ϊ亩=本身典型地由聚胺醋材料所構成。於摔， 線帶研磨塾的表面上。一 Α上：：：：而使其散佈在直 以w &、古玄#去士 一 上具有研漿的直線帶研磨藝 :預=率移動時，即將晶圓降低至直線 ：= 如同以砂紙磨光木材一樣。接著質上平坦， ® 〇 w #接者在晶®清潔系統中m 548734 I、發明說明（2) 式、i習知技術中，化學機械研磨系.統典型地實現皮帶 晶圓的^式·、、或刷洗站，其中以皮帶、研磨墊、或刷子對 則用以作面或兩面進仃擦洗、軟布拋光、及研磨。而研漿 準備表心進並增強CMP操作。最通常將研漿導入到移動之 分佈於、&上，如，皮帶、研磨墊、刷子、及等等，且不僅 體晶圓ϊίΐ抛，二磨、或否則由cmp製程準備的半導 常由：；ί 佈於整個準備表面上。而該分佈係通 與該準備表面之3建立=曰曰囫移動及該半導體晶圓 千侑表面之間建立的摩擦力的組合所達成。 圖1A顯示一受到製造處理之介電層2的橫剖面圖，其 通吊用於構成金屬鑲嵌雕刻及雙金屬鑲嵌雕刻互連之金 化線。介電層2設有-擴散阻障層4，其沉積在介電層之之 蝕刻圖案化的表面之上。如所週知般，擴散阻： (Ν Λ广由（Ι〇的一、，且合物。一旦已將擴散阻障層4沉 積立期望厚度時，則將銅層6以填滿介電層2中之蝕 的方式而形成在擴散阻障層上。某些過度的擴散阻障 與金廣化材料亦不可避免地沉積於場區域之上。=== 該等過多之材料及定義期望之互連金屬化線與相關介層示 (未圖示）的關係，故將進行化學機械平坦化（CMp )曰操 作如上所述’將CMP操作設計成從整個介電 端之金屬化材夕料。例如’如圖1B所*，已將銅層6與擴示 陴障層4的過夕部份移除。如通常之CMP操作中，CMp操1 548734 發明說明（3) 必須持續至所有過多之金屬化盥 個介電層2上移除為止。秋 〜擴政阻卩爭材料4皆被從整 , ^^CMP4 晶圓表面處理狀態及晶圓表 =間内便需要一種偵測 行用於銅之= 二將 穩定而足以用於銅層的計時研/，理姑的研±磨去除率並不夠 效。CMP處H t π μ 磨故计時研磨對銅並無 CMP處理之對銅的研磨去除率 須監視而確定何時已到達終 大所以，係必 中，係有需要去確定多二夕)重/確驟伴之二Ρ操作 阻障層上移除Cu、& (2)確保從(二整個擴散 阻障層。因此，將使用欲點/、 ;丨電s上移除擴散 之材料皆被移除。 術以確保所有期望過多 一私^屬之CMP所用的終點偵測之許多方法係已被提出。 法分類成研磨之物質狀態 研 法使用明確的外部信號源或化學溶劑以探 在研A期間的晶圓狀態。另一 S Φ，間接方法則監視由於 磨處理中自然發生的物質或化學物質的變化呈 之内所内部產生之信號。 於工具
間接終點偵測方法包括監視：研磨墊/晶圓表面之溫 ς、研磨工具的振動、研磨墊與研磨頭之間的摩擦力、: 桌的電化學能、及聲波放射。當研磨研漿選擇性地與研 之金屬膜反應時，溫度方法係利用放熱過程反應。一 L 另一終點偵測方法係解調由研磨處理所產生的聲波放
548734 五、發明說明（4) "—"— 射，以產生研磨處理之資气 測金屬終點.，。此方法監視於 將傳聲器置於距晶圓預定之 深度到達距界面既定之距離 出偵測信號。上述所有方法 極依賴處理參數的設定值與 擦力感測已達成產業上的某 成功。 直接終點偵測方法係利 干涉、阻抗/傳導性、特定 學能改變而監視晶圓表面。 '則方法係說明監視傳播過晶 偵，金屬終點。當存在從一 貝】是波速度係改變而此則用 另 方法係使用感測器以監 7產生之流體壓力。此感測 壓力的改變，其相對於當從 研磨改變的剪切作用力。不 以處理改變。又，終點偵測 /則晶圓表面上之特定位置的 於需要空氣軸承的直線研磨 已有許多使用來自晶圓 點的建議。其歸類成兩類： 射光學信號（如β〇〇ηιη) 。聲波放射監視一般係用於偵 研磨期間所發生之研磨作用。 距離處’俾感測當材料移除的 處所產生之聲波，藉以產生輪 皆提供研磨狀態的總體測量且 消耗品的選擇。然而，除了摩 些商業性成功外，並無一方法 用聲波速度、光學反射係數及 化學溶劑之導入所引起之電化 使用聲波之金屬所用的終點债 圓/研漿之聲波速度的方法而 金屬層轉變成另一金屬層時， 於終點偵測。又，終點偵測的 視位在研磨墊之下的流體軸承 器於研磨期間係用以偵測流體 一材料層轉變成下一材料層之 幸地，此方法並不夠安定到足 為總體的，因而此方法無法偵 局部終點。此外，此方法限用 表面的光學反射係數以偵測終 使用雷射光源而監視單一波長 、或使用涵蓋電磁波譜之全
548734 五、發明說明（5) 部可見光範圍的寬頻光源（如25 5nm至70 0nm )。使用單一 波長之另一-方法中，來自雷射光源的光學信號係照射在晶 圓表面上，並監視反射信號而用於終點偵測。從一金屬的 研磨轉變成另一金屬所引起的反射係數之改變係用以偵测 轉變。不幸地，單一波長終點偵測存在對反射光線之絕對 強度過於敏感的問題，其極依賴處理參數的設定值與消耗 品的選擇。在介電CMP的應用中，此單一波長終點偵測技 術亦存在僅能測量晶圓厚度之間的差異而典型無法測量晶 圓之實際厚度的缺點。 寬頻方法係依靠使用電磁波譜之多重波長中的資訊， 其中使用分，計而獲得光學光譜之可見光範圍中的反射光 、’泉之強度光„曰在金屬C Μ P應用中，使用整個光譜以計算 偵測（EPD信號）。偵測信號十的顯著轉變代表從〜 金屬至另一金屬的轉變。 現有 度钱刻以 屬化材料 電性互連 殘留在介 狀效應本 之上留下 線的性能 功效發生 度的終點 ^ =偵測技術的常見問題為必須有某些程度的 或=介！層2之上移除所有之導電材料（如金 s = ί阻1^層4) *避免疏忽之金屬化線之間的 電岸2〜之二點偵測或過度研磨的負面作用為預, K移Λ的碟狀部8將產生在金屬化層之上。碑 碟狀2 的金屬化材料而在金屬化線 ，且過客夕ί碟狀部係負面地影響互連金屬化 故障。鑑於前：部=成預期之積體電路的預期 偵測系統及其方法有需要可提高終點偵測之精
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圖1C顯示習知直線帶CMP系統1〇」其中將研磨墊12設 計成繞著滾筒1 6旋轉。如一般之直線帶CMp系統所使用， 將平$14置於研磨墊12之下，以提供使用載部18 (如圖1D 所示）而將晶圓施加在其上的表面。研磨墊丨2亦具有研磨 墊槽12a，俾能如圖1]}所示地執行終點偵測。 圖1D顯示使用施加光線穿過平臺1 4、穿過研磨墊1 2，、 並照射在研磨之晶圓24的表面上之光學偵測器2〇而執行終 點偵測的典型方式。為了完成終點偵測，故將研磨墊槽 12a形成在研磨墊12之内。在某些實施例中，研磨墊12可 具有策略地置於研磨墊12之不同位置上的多數研磨墊槽 1 2a。典型地，將研磨墊槽丨2a設計成足夠小以極小化對研 磨操作的，響。除了研磨墊槽12a之外，將研磨平臺槽以 定義在平臺14中。在研磨期間内，將研磨平臺槽“設計成 允許光束穿過平臺14、穿過研磨墊12、並照射在晶的 期望表面上。 藉由，用光學偵測器2〇，可確定從晶圓表面所移除之 特定膜的高度。將此偵測技術設計成藉由檢查光學偵測器 20所，收之干涉形態而測量膜厚。此外，將習知平臺1 4設 計成策略地施加特定程度的背壓至研磨墊丨2上， 能精確地從晶圓24上移除。 如圖1C所示之典型終點偵測系統中，切開研磨 光學開口形成在其中。_B所示，通常於研磨 臺 之内利用光學開口，俾使雷射或光線照到晶圓之上， 收反射而確定晶圓的研磨量。 548734 五、發明說明（7) 、，、，圖1E顯示利用代表研磨距離偵測·之光線終點偵測的泛 光譜所獲得之終點偵测資料的雙重圖形4〇。在顯示反射光 之強度的圖形4 1中，曲線42顯示就終點偵測所用之光線的 不同頻率所呈現的反射之強度程度。上圖形4〗具有代表強 度的垂直軸及代表頻率的水平軸。上圖形41之曲線42顯示 依據傳輸至晶圓之光學信號的不同頻率而從晶圓反射之光 線的不同強度。曲線42所示之光線反射的強度係在無任何 研漿在其上端的穿過光學窗孔之最隹光學信號傳輸。不幸 地，當習知平坦光學窗孔系統發生光線被研漿阻隔的情況 時’則如典型習知之外形曲線的曲線所示，傳輸至晶圓 並從晶圓反射回來而被光學偵測單元接收的光線強度係降 低（信號/雜訊降低）。所以，當研漿累積在研磨窗孔中 時’習知系統並無法達成曲線42。 、一旦進行傅立葉轉換50，則峰值46與曲線48將顯示在 代表終點偵測（E P D )強度的下圖形4 3中。下圖形4 3具有 強度的垂直軸與厚度的水平軸。下圖形43的峰值46由曲線 42的傅立葉轉換50所產生，及曲線48則藉由曲線44的傅立 葉轉換50而產生在下圖形43上。若光學偵測所接收之光學 信號微弱，如曲線44所示，則曲線48係模糊且起因於光線 偵測單元所接收之強烈光學信號的峰值46並不明顯。所 以，曲線48並無法精確地顯示研磨之膜厚的峰值46。所 以，所接收之光學信號越強烈，則光學偵測單元所測量之 膜厚越清楚。所以，強烈之光學信號係極有利於能通過晶 圓或穿過光學窗孔而從晶圓反射以到達光學搞測單元。
第13頁 548734 五、發明說明（8) 圖1 F顯示用於CMP處理之終點偵測期間的習知平坦光 .學窗孔系統6 0。在此例子中，研磨墊6 2在此例之研磨作用 期間中用以提供支持研磨墊的金屬平臺之平臺64上移動。 將平坦光學窗孔6 6裝設至研磨墊6 2，及於研磨期間中，_其 在通常可使平坦光學窗孔66露出於光學偵測器72之孔部的 平臺開口 7 0上移動。一般而言，習知技術之平坦光學窗孔 係具有15mil至30mil之間的厚度（一mii等於1 x 1〇-3英 对）°當研漿68沉積在研磨墊62的上端時，研漿68將累積 在平坦光學窗孔66之上的研磨墊孔部中。不幸地，特別就 較短波長的信號而言，研漿的累積將減少反射回光學偵 恭7 2的光學信號。 不幸地’有關圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖1E、及圖 1F所說明之CMP操作中的終點偵測的習知方法與設備係具 有各種問題。習知設備亦具有因累積在平坦光學窗孔中的 研桌所導致光學終點偵測的不正確讀值而造 =或太增題。詳言…圖1E所示，研聚的= ^，低光學偵測單兀從晶圓所接收之光學信號強度。因 、白知光學窗孔形成在研磨墊開口中且為平坦，故Μ? m散佈之研漿將沈積在研磨墊孔部中。當越來越多的 這ς 磨墊孔部中日寺，將產生更大的光學信號干涉。 • ”、、耆地降低晶圓研磨精度及不良之晶圓製造可靠度。 增加晶Ξ:磨ί度上的降低將顯著地造成晶圓製造成本的 減少累二朵習知研磨帶的設計並無法適當地控制並 系積在先學_孔上端之研漿的事實，因而產生上述問
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五、發明說明（9) 題。 所以，·係需要一種能夠藉由設有可減少累積在光學窗 孔上之研漿的研磨墊結構並進一步能有更一致且有效之用 於C Μ P處理中的更精確研磨之終點偵測的方法與設備而克 服習知技術的問題。 2.相關技術之描述 【發明的綜合說明】 大體而言，本發明藉由提供用以於化學機械平坦化 (CMP )處理期間研磨晶圓的改良之光學窗孔結構而滿 上述需求。此設備包括新型且更有效的具有成 風办 之改良CMP研磨墊，其更能承受研漿的累積尤予自孔 光學窗孔孔部中的較少研漿而提高光學偵測 、為 包括以處 以下說明 光學窗孔 4 ^ 一研磨 先+窗孔開口、及 光強度。#人當明白可以各種方式實 二/所接收的
設備、系統、裝置或方法等方式加以U 本叙明的各種實施例。 貝方也 在一貫施例中，你担乂 結構包括-支持：供;:種光學窗孔結構 墊，其裝設至支持層：―上=層及'緩衝層 成型光學窗孔，置开，士4上表面、一光學窗孔Μ ^ 持層與研磨墊中^二成為於操作期間係至少Λ I 口、及一 與研磨塾的學窗孔開口之内，且2部地伸入支 〜側壁隔開。 成型光學窗孔係 在另一貫施例中 孔結構包括一支持 ^供一種光學窗孔 持層，具有-強化層及：:L;構。光學窗
第15頁 、更衝層、一研磨 548734 五、發明說明（10) 墊，其裝設至 施加空氣壓功 孔係形成為至 孔開口之内， 塾的一側壁隔 在又一實 孔結構包括一 層為不錄鋼及 層的一上表面 其形成 窗孔， 窗孔開 於研磨 英时之 料之一 在 一光學 形成為 窗孔開 開。 在 孔結構 墊’其 成型光 少局部 口之内 墊之一 間，而 另一實 窗孔開 於操作 口之内 又一實包括一 裝設至 學窗孔 地伸入 支持層的一 i撓性光學 少局部地伸 且當撓性光 開。 施例中，係 支持層，具 緩衝層為聚 ’且研磨墊 為至少局部 ’且成型光 上表面以下 成型之光I 施例中，光 Ό、及—成 期間係至少 ，且成型光 施例中，係 支持層，具 支持層的~ ，而成型光 支持層輿研 上表面、及一撓性光學窗孔，當 窗孔的一下表面時，撓性光學^ 入支持層與研磨墊中的一光學窗 學自孔局部地伸入時，則與研磨 提供一種光學窗孔結構。光學窗 有一強化層及一緩衝層，且強化 胺酯、一研磨墊，其裝設至支持 為聚合物材料、及一成型光學 地伸入研磨墊中的一橢圓形光i ί窗孔的一上表面係形成為凹= I質為0· 010英吋至實質為〇. 〇3〇 窗孔為一透明材料及一半透明材 予商孔結構包括一多層 型光學窗孔，而成型光則 局部地伸入多層研磨墊中的光學 學窗孔係與研磨墊的—侧壁隔 2供一種光學窗孔結構。光學窗 有一強化層及-緩衝層、—研磨 上表面、一光學窗孔開口、及一 學窗孔則形成為於操作期間係至 磨墊中的光學窗孔開口之内’，且
548734 五、發明說明（11) ' "— 成型光學窗孔係與研磨墊的一侧壁隔開。在此實施例中， 研磨墊為一，聚合物材料、緩衝層為一聚合物材料、及強化 層為不錄鋼。 本發明係具有各種優點。尤其，藉由構成及利用依照 本發明之成型光學窗孔結構，研磨墊係可在晶圓表面（例 如金屬與氧化表面）上提供更高效率且更有效之平坦化/ 研磨操作。又，因為晶圓通過使用成型光學窗孔結構的 CMP操作而可更精確且一致地研磨，故CMp操作亦將導致晶 圓良率的提高。本發明之成型光學窗孔結構係利用成型且 f起的光學窗孔，俾使研漿免於累積在光學信號所穿過之 區域的上彡而。所以，於終點偵測期間所利用之光學偵測單 ϊ = ϊ及接收穿過成型光學窗孔的最佳光學信號，、俾能 精確地確定於CMP處理中已完成之研磨量。 ^發明之其❿目的及優點由隨後之詳細㉟明及隨附之 申％專利範圍當可更加明白。 【較佳實施例之詳細說明】 係=了較有效及改良之CMp研磨墊與具有其更可耐累 ::並由於光學窗孔中的較少研漿而藉、 :::光成r學窗孔的直線帶結構而揭; 因此將提出許多具體：细節了ί供對=發明的徹底理解， 技藝者係可在不需某些或有=之為熟悉“ 3吳體之細卽的情況下撼1、；运 e ’X明。在此情況下，將不詳細地說明熟知之製程操;
548734 五、發明說明（12) 以避免模糊本發明。 一般而言，本發明係針對用以實 學窗孔結構及装太$五τ用/貫施終點偵測之成型光 亦可稱為光學窗孔結構。成型光學窗孔構於此 減少ΐ積的研磨墊。將成型光學窗孔形成為用以 、 在八上端的研漿。依此方式，成型来與食了丨π # ^ Λ 強i係大於ί ΐ學窗孔而從晶圓表面所接收之光學反射的 ΓΜΡ声\ 木用習知平面之光學窗孔的強度，藉以最佳化 处理已完成之研磨量的確認。依此方 型弁學窗\ 稽田位在成 最fP ^下的光學偵測單元與平臺而傳送與接收 取侄強度之光學信號，俾確定CMp處理已完成之研磨量。 甘制if 1圭實施例巾，將成型光學窗孔結構之研磨墊設計 亚衣成相郇且無縫的單元，且儘管可利用任一牢固接合的 弋4彳較仏地係利用可將其黏接至支持層的黏接劑（其 匕括藉由黏接劑而連接的緩衝層與如不銹鋼層之強化’、 層）。成型光學窗孔可以任何足以使光學窗孔 成型光學窗孔之表面上的研聚量的方式而將其 =j支持層，例如，藉由使用黏接劑。依此方式，成型光 2窗孔將減少終點偵測期間被導入之研漿所阻隔的光傳輸 量。所以，穿過本發明之成型光學窗孔而從晶圓表面所接 收之光學反射的強度係大於採用習知平面之光學窗孔的強 度。 成型光學窗孔結構係除了用以與研磨墊配合之緩衝
548734 五、發明說明（13) 層支持層、強化層、任
=件：外…括研磨塾（或AT 研磨墊係可為-般的研磨墊形式、直ί;::結構之内的 它可用於CMP處理的形式，例如，盔縫良帶^式、或任何其 無縫的聚合物研磨直線帶、聚合物研縫的聚合物研磨塾、 研磨塾、聚合物研磨直線帶 1逭2帶聚合物 ”塾為包括不錄鋼強化層 ：寺二 明之成型光學窗孔結構可用於任何類又本發 表面受到控制、有效及精確的研磨操作：任何材料之任何 美太=Iί Γ之成型光學窗孔結構的一實施例係包括三個 j本的…構性兀件··聚合物研磨墊、支持層、及成型光學 自孔。而於此所使用的支持層係具有緩衝層及如不銹鋼直 ，帶之強化層的至少之一。以任何足以使建立在成型光學 囪孔之上端的研漿減少的方式而形成成型光學窗孔。藉由 黏接劑膜而將研磨墊裝設至支持層，並藉由黏接劑而使成 型光學窗孔裝設至支持層的下表面。藉由使用此示範的結 構，晶圓的研磨設備及其方法係最佳化CMP的效果並經由 能有更有效之光學信號產能的智慧成型光學窗孔結構而導 致極精確的終點偵測以增加晶圓的處理產能。吾人應理解 可利用本發明之設備而實施任何型式之晶圓平坦化或研 磨。 圖2A顯示依據本發明之一實施例的CMP系統100之俯視 圖。係使用研磨頭1 0 6於處理期間將晶圓1 〇 8固定及夾持在
第19頁 548734 五、發明說明（14) 定位。較佳地使研磨墊102形成為圍繞旋轉滾筒1〇4的連續 環狀物。吾人應理解研磨墊102係包括具有支持層的研磨 層’而支持層則包括緩衝層及強化層。藉由使用任何型式 的黏著劑或如3M之467黏接劑的其它黏接劑材料而將研磨 層固定至支持層。在另一實施例中，經由直接鑄造支持層 之上端的聚胺酯而將研磨層固定至支持層。研磨墊丨〇 2係. 較佳地包括本發明之光學窗孔丨10，俾藉以實施終點偵 測。 、 研磨墊102係在箭號所示之方向112上旋轉。吾人應理 解研磨墊102係可以任何速度移動，俾最佳化平坦化處“ 理。在一實施例中，研磨墊102係以每分鐘實質為4〇〇英尺 的速度移動。當直線帶旋轉時，藉由研漿分配器ui而將 研磨研漿109施加及散佈在研磨墊1〇2的表面上。接著使用 研磨頭106而將晶圓108降低至研磨墊1〇2的表面上。依此 方式，預期待平坦化之晶圓1 〇8的表面係實質平坦。 在某些情況時，CMP操作係用以平坦化如鋼^ J:)之材料、及在其它情況時’其用以移除介電層或介 ^/、銅^組合。藉由調整施加至研磨墊1〇2的研磨壓力 :口改變平坦化的速率。研磨速率通常與靠 :加至：磨塾102的研磨壓力大小成比例。在一 而 π二係使用通常為平臺118與研磨墊102之間的加 轴！。吾人應理解平臺118可利用如流= 之材料旦生式的軸承。在從晶圓108的表面移除預期 "里後，即使用研磨頭106而提高晶圓108以脫離研
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按有 磨墊1 Ο 2。按有，晶圓伤M供 錶 在此實施例中，將二：二n Ba圓清潔系統。 積在光學窗孔110上，俾以子形成2於使研衆累 導致更佳的晶圓研磨控制性。二、方式貫施終點谓測而 成為用以在CMP處理期間夢由來\明之光學窗孔110形 ,,,.^ 1 n±間藉由來自平臺的加壓空氣而控 ^ ^ 了預无成型光學窗孔110(即在接合至， 研磨墊之前即成型）' 戋μ由杯打叮制4 ^ ^ Α 士 j A糟由任何可製造預期之結構的其 匕万式。
圖ϋ ^ Ί，f發明之一實施例的c M p系統1 〇 〇側視 !執二Λ V藉由研磨頭10 6而將晶圓1 °8降低至- 將\nQ Α 而虽此發生時，藉由研漿分配器111而將符 水109施加至研磨墊102，俾增強晶圓1〇8的研磨。光學偵 測區域11 6係包括在其中實施終點偵測的光學窗孔結構、 士以下關於圖3至圖13之說明）。戶斤以，研磨塾 中各具有孔冑，而使光學信號傳輸及反射穿過〆 =由使用CMP系統1〇〇，將由於更精確的研磨距離讀值 而獲得精嫁的研磨結果。
紅圖3卜員示依據本發明之一實施例的研磨墊之光學窗孔 = 2 0 0。在此實施例中，光學窗孔部2〇〇包括具有成型光學 自孔208的光學窗孔開口 2〇6。吾人當明白可利用如預先成 2ί二光學窗孔的其它型式之成型光學窗孔。在成型光 予固孔208之下方，位在孔部或平臺之透明區域之下的光 ，偵測單元係傳送穿過孔部及穿過成型光學窗孔2〇8而至 晶圓的光學信號，及接收從晶圓穿過成型光學窗孔2〇8而
548734 五、發明說明（16) 反射回來之光學信號。依此方式，將因為成型光學窗孔 208之結構係減少累積在成型光學窗孔2〇8之上表面的研 漿，故能精確地實施終點偵測。吾人當明白成型光學窗孔 2 0 8 了為任何足以使光學馆號傳送至晶圓並從晶圓反射回 來而使光學偵測單元可確定已藉由如橢圓形、圓形、長方 形、方形、或任何其它幾何或非定形之形狀的CMp所實施 之研磨量的形狀或尺寸。 於利用撓性光學窗孔之一實施例中（如下所述），光 學®孔開口206係具有實質為〇·5英吋至實質為2·3英吋的 研磨墊方向之軸長度d^2。光學窗孔開口 2 〇 6在垂直於研磨 墊方向之軸上的寬度七“係實質為〇3英吋至實質為丨.7英 =。於利用撓性光學窗孔之一較佳實施例中，長度^⑽係 實質為1.4英吋及寬度d2Q4係實質為1英吋。 於利用預先成型之成型窗孔的另一實施例中（亦如下 所述），光學窗孔開口 206係具有實質為〇· 5英吋至實質為 1. 7英吋之長度d^2。在此實施例中，光學窗孔開口 2 〇 6的 寬度d^4係實質為〇 · 4英吋至實質為丨· 3英吋。於利用預先 成型之成型窗孔的較佳實施例中，長度d2G2係實質為丨· i英 吋及寬度d2G4係實質為〇· 8英吋。 、 、 藉由使用成型光學窗孔2 0 8，可使累積之研漿維持為 最小並使穿過成型光學窗孔結構之光學信號傳輸維持為最 佳程度。 圖4顯示依據本發明之一實施例的光學偵測區域丨丨6之 切開側視圖。在此實施例中，研磨墊丨〇 2係具有光學窗孔
第22頁 548734 五、發明說明（17) 開口 206。光學窗孔開口206則具有可在方向255上移動之 橈性光學窗孔254，俾當平臺118施加空氣壓力252時，其 變成成型光學窗孔2 0 8。所以，在此實施例中，當研磨墊 102繞著滾筒旋轉時，將使撓性光學窗孔254保持平坦。接 著’當撓性光學窗孔254轉到平臺118之上方時，空氣壓力 252係施加在撓性光學窗孔254上。接著，撓性光學窗孔 2 5 4係由於空氣壓力2 5 2而擴張並形成弓狀結構（如虛線所 示），俾變成成型光學窗孔2〇 8及伸入光學窗孔開口2〇6之 中。吾人應理解光學窗孔開口 2〇6可為任何足以造成精確 的終點偵測及撓性光學窗孔254之適當成型的尺寸。關於 光學窗孔開口 2 06之可利用的不同尺寸係參考圖3之詳細說 較佳施加至研磨墊上的研漿係進入光學窗孔開口 及在4知系統中’其係阻隔來自平臺開口 Μ 8的光學 = ί本發明中，將撓性光學窗孔254形成為可控 二〒 光學窗孔208時，已累積在撓性光 厚产，俾依攄：白的二漿係滑落。控制撓性光學窗孔254之 =俾依據來自平臺的空氣壓力而決定彎曲量。 子向孔開口260完成通過平臺 一 時’成型光學_即變成 何以254係可為任 千還月材枓，其為足夠柔韌且薄，俾藉由 548734 五、發明說明（18) 空氣塵力252的作用而可控制地轉變成成型 如，聚酯膠膜、聚胺醋、任何傳輸的聚合 固孔’例 一實施例中，以厚度在實質為2mil ( 0 002英/專；在 為Unnl (0.0U英吋）之間而使光學信號 )輪、二質 S旨材料製成撓性光學窗孔。厚度係可依據預期 異。在另一貫施例中，撓性光學窗孔254係里而 (〇.〇〇6料）的厚度。藉由使用可轉變成成 的撓性光學窗孔，本發明係減少累積在成型成 予:孔 J面的研裝…最佳化穿過成型光學窗孔之光學信^ 圖5 =示依據本發明之一實施例的具有撓性 254之光學窗孔結構28〇。在此實施例中，將撓性光^自*孔 254裝設至研磨墊〗〇2。吾人應理解撓性只 :固孔 至撓性光學窗孔254的底部即可控制地傕掉& 〇工軋壓力 呈泡狀突出（或向内彎：)卩時 ^寸並由任何型式的材料構成。吾人應理解研'磨塾'、1 Μ】 之能有效地研磨晶圓的材料所構成，例如、， 祕每型胺甲酸乙醋、及如羅代爾Ic_1000 :馬=斯特813研磨墊等等任何其它型式之聚合物：
枓。此外，研磨墊丨02為可研磨晶圓的任一尺寸。 A 研磨塾102的厚度係實質為5〇mii (。。5。英；『 254λ/Λ15(^ι (().15英叶）之間。只要可將撓性窗孔 Hr又研磨塾102且仍可形成成型光學窗孔208時，則 撓性先學窗孔254之局部長度可為任一距離。吾人亦應^ 五、發明說明（19) 解可經由任何型式之黏接劑、鎖子等任何方式而將撓性光 學窗孔254裝設至研磨墊丨02。在一實施例中，使撓性光學 窗孔254以1 /8英吋至1. 〇英吋之間的距離裝設至研磨 墊102。在一較佳實施例中，距離Aw係實質為〇 5英吋。 當撓性光學窗孔254呈泡狀突出時，其係在方向255上 移動，俾形成成型光學窗孔208。所以，當研磨墊1〇2正在 研磨晶圓時，成型光學窗孔2〇8係形成且位在撓性光學窗 孔254之上端的研漿則掉落，因而增加穿過及來自成型光 學窗孔208的光學信號強度。吾人當明白撓性光學窗孔254 係可以任何允許更好的研漿從成型光學窗孔2〇8的表面流 下並允許最佳之傳輸至及自光學偵測單元（使其位在成型 光學窗孔208之下方）的光學信號之距離量而呈泡狀突 出。依此方式’將產生CMp處理的更精確讀值。 圖6顯示依據本發明之一實施例的具有預先成型之 型光學窗孔302a之光學窗孔結構3〇〇。在此實施例中，光 ΐ !=冓300包括裝設至研磨墊102之預先成型的成型光 子固 &。研磨墊1 0 2係具有足以有效地研磨晶圓的任 二在二實施例中，研磨墊102之厚度係在實質 /央^吋至貫質為〇 · 1 5英吋之間。在較佳實施例中，厚 度係貫質為〇· 〇75英吋。可藉由如任何型式之黏接劑、 銷子等任何方式而將預先成型之成型光學窗孔⑽h裝設至 研磨墊102。預先成型之成型光學窗孔3 02a為足以使光學 f號得以傳輸且能限制研漿量免於在預先成型之成型光學 固孔30 2a與晶圓之間累積的任何形狀、尺寸及構造之任何
548734 五、發明說明（20) ---- 型式材料。在一實施例中，預先成型之成型光學 為透明固體·之聚胺酯塊狀物。在另一實施例中，預 ^ 之成型光學窗孔302a為中空且填滿空氣或流體。五人亦$ 明白預，成型之成型光學窗孔的上表面為具有任二可排= 研漿的高度。在一實施例中，使預先成型之成型光學 302a以所示之實質為0·010英吋至實質為〇 〇3〇英吋:門 距離而凹陷到研磨墊丨02之上表面的下方。在較佳^施 例中，距離係實質為〇· 〇2〇英吋。在一實施例中，二^ 關圖1 3之說明中，將研漿排至研磨墊溝槽中。吾人當^白 預先成型之成型光學窗孔係可為如有關圖3之詳細說田明的 橢圓形形狀等任何形狀。所以，光學窗孔結構3〇〇係減少 ^積在光學窗孔開口中的研漿，所以可保持藉由光學偵〃測 單元所傳輸及接收之最佳光學信號。故利用先進的終點偵 ’則將達成精確的研磨。 、 圖7顯示依據本發明之一實施例的光學窗孔結構32〇的 側視圖。在此實施例中，光學窗孔結構32〇包括研磨墊 U2、支持層330、及撓性光學窗孔254。研磨墊1〇2為可精 確且有效研磨之任何型式尺寸的任何型式研磨墊，例如了 =羅代爾公司製造之iC-i 00 0研磨墊。在一實施例中，以 聚合物研磨直線帶組成研磨墊1〇2，且其厚度實質為〇 英吋與實質為〇· 1英吋之間。在另一實施例中，研磨墊1〇2 的厚度係實質為〇· 05英吋。在一實施例中，支持層“ο包 ^緩衝層330a及強化層330b。強化層的厚度實質^〇. 〇〇5 央吋至實質為〇· 040英吋之間且儘管可利用如聚對苯曱醯
548734 五、發明說明（21) 胺纖維等其它型式之支掊私如 緩衝層33〇a係由提供研廚广，但較佳地以不銹鋼構成。 所構成，例如，的任何型式之材料 Ί特公司製造之臀晚 1 5例U ΐ性光學窗孔裝設至研磨墊1 〇2 I支9持声33: =。撓：光學窗細可藉由黏接劑； ϊ I ： I ： ： ；Λν0Γ ^ --- == 上及之接?㈣，最佳= 圖8顯示依據本發明之一實施例的具 學窗孔結構_見圖。在此實施例中先二 t又至支持層330，而撓性光學窗孔254則装設至 墊m ’但並未裝設至支持層330。支持層33〇包括緩衝層 330a及強化層3 30b。在此實施例中，僅將撓性光學 曰 2 54裝設至研磨墊1〇2且並未將其裝設或連接至其下之另一 層。吾人應理解可藉由任何型式之黏接劑或任;可機械式= 接而將撓性光學窗孔254裝設至研磨墊1〇2。如有關圖7之 說明，當來自空氣平臺的空氣壓力向上作用時，撓^光學 窗孔係在方向255上呈向上的泡狀突出，俾形成成型光學# 窗孔208。所以，每當光學窗孔結構34〇在^?期間移動2 平臺之上（及晶圓之下）時，成型光學窗孔2〇8即形成。 圖9顯示依據本發明之一實施例的具有預先成型之成 型光學窗孔3 7 2的光學窗孔結構3 7 0。在此實施例中，光學
第27頁 548734 五、發明說明（22) 窗孔結構370包括研磨墊1〇2、支持層33()、及預先 成型光學窗孔372。支持層330包括藉由任何型式之黏接劑 而互相連接之缓衝層330a與強化層330b。藉由黏接劑亦將 支持層330裝設至研磨墊1〇2。黏接劑的例子包括3M之 442、3M之467MP、3M之447、橡膠基黏接劑等等。預先成 型之成型光學窗孔372與研磨墊丨02之間的間隙382為實質 〇 · 〇 2英吋至實質〇 · 1 2英吋之間的任何距離。在較佳實施例 中’間隙382係實質為〇· 03937英吋。此外，如有關圖12及 圖1 3之詳細說明的另一實施例中，係使預先成型之成型光 學窗孔372的上表面凹陷。 類似於以下有關圖1 2之說明的研漿移除機構，使典型 累積在習知光學窗孔上的研漿排出預先成型之成型光學窗 孔372之中而進入研磨墊1〇2之溝槽或複數之溝槽之中。所 以’預先成型之成型光學窗孔3 72的上表面係無研漿在其 上之顧慮’因而可藉由光學偵測單元而達成光學信號的最 佳傳輸及接收。光學信號傳輸及接收的最佳化將使研磨距 離有更好的測量解析度，藉以提高CMP程序的精度。此接 著將依次提高晶圓良率及降低晶圓製造成本。此外，因為 當預先成型光學窗孔故障時，可不需處理研磨塾1〇2及支 持層330而接著替換（藉由再黏著）預先成型光學窗孔等 理由’故預先成型光學窗孔3 72將延長研磨墊102及支持層 3 3 0的有效壽命。 圖10A顯示依據本發明之一實施例的光學窗孔結構4〇〇 之放大俯視圖。在此實施例中，光學窗孔結構4 〇 〇包括成
第28頁 548734 五、發明說明（23) 型光學窗孔208、複數之研磨墊溝槽4〇4、及複數之研磨墊 表面402。區域406為以下有關圖1〇B說明之光學窗孔結構 4 0 0的局部。 圖10B顯示圖10A之光學窗孔結構4〇〇的區域4〇6之放大 視圖。在此實施例中，區域4〇6顯示複數之研磨溝槽4〇4的 一溝槽。吾人應理解溝槽為任何足以使晶圓有效的研磨並 有效地使研漿排出成型光學窗孔之上表面的尺寸。在一實 施例中，溝槽係具有實質為1〇111丨1至實質為5〇mili間的深 度。區域406亦顯示複數之研磨墊表面4〇2的局部。區域 406更包括成型光學窗孔2〇8，且如有關圖丨丨至圖13之更詳 細說明，係將其形成為使研漿流出上表面而流進複數之研 磨溝槽4 0 4中。 吾人應理解圖11至圖丨3所說明之實施例係可利用多層 之研磨墊結構（如有關圖7至圖9之說明）、/或單層之研磨 墊結構（如有關圖5及圖6之說明）。 圖11顯示依據本發明之一實施例的於CMp期間之光學 窗孔結構5 0 0。在此實施例中，光學窗孔結構5〇〇包括可裝 设至研磨墊1 〇 2的成型研磨窗孔2 〇 8。當光學窗孔結構5 〇 〇 轉到空氣平臺之上時，空氣壓力255係上推並形成成型研 磨窗孔20 8。而當此發生時，成型研磨窗孔2〇8上端之研漿 109係掉落於成型研磨窗孔2〇8的該側、或隨著流動方向 5 1 G而流進複數之溝槽4 〇 4之中。明顯地，藉由使用光學窗 孔結構5 0 0，將大幅減少累積在成型光學窗孔2〇8之上端的 研襞’所以提供光學信號傳輸強度，藉以實質上最佳化終
I 第29頁 i 548734 五、發明說明（24) 點偵測的精度。 圖1 2顯·示依據本發明 貫施例的於CMP處理期間之 … v v%仏μ r司 具有預先成型之成型光學窗孔3〇2b的光學窗孔結構6〇〇。 在此實施例中，較佳地藉由黏接劑而將預先成型之成型 學窗孔30 2b裝設至研磨墊1〇2。在一實施例中，於CMp期 間’將研漿1 0 9施加至研磨墊1 〇 2。接著研漿丨〇 9係進入預 先成型之成型光學窗孔3〇2b所在之光學窗孔開口。因為預 先成型之成型光學窗孔3〇 2b係高至研磨墊1〇2之上表面以 下的一小距離處，故研漿109並不會累積在預先成型之 型光/學窗孔302b的上表面。反而，在一實施例中，研漿 109係沿著所示之方向51〇而流出預先成型之成型光學窗孔 3 0 2b並進入複數之研磨墊溝槽4〇4中。研漿1〇9亦沿著所示 之方向61 8而流進預先成型之成型光學窗孔3〇仏與研磨墊、 1 02=間的通道中。所以，因為有預先成型之成型光學窗 一、故會累積阻隔光學信號之研漿1 0 9的空間大小將 ===減小，所以提高藉由光學偵測單元之光學信號傳輸 μ &，。吾人應理解預先成型之成型光學窗孔為任何足以 使較累積在平坦之光學窗孔的研漿量為小的厚度。在一實 ::巾，、預先成型之成型光學窗孔係具有任何足以使預先 成聖之成型窗孔302b的上表面與研磨墊1〇2的上表面之間 的存在實質為〇· 010英吋至實質為〇· 〇3〇英吋之間的距離之 預先成型之成型窗孔3〇2b與研磨墊102之間的間隙 619係如距離所示之實質為〇· 〇2英吋至實質為〇· 12英吋 曰。在較佳實施例中，距離係實質為〇 〇3937英吋。 548734 五、發明說明（25) 所以，藉由如圖1 2所例示之研漿排出機構，本發 足以，精確且有效之CMP能監視更正確的晶圓表面研^磨’、 量，藉以提高晶圓製造良率並降低晶圓製造成本。 圖1 3顯示依據本發明之一實施例的具有預先成型 型光學窗孔302c的光學窗孔結構7〇〇，而預先成型之型風 光學窗孔3 02〇則具有於〇乂？處理期間所利用之斜邊7〇9。 此實施例中，藉由黏接劑而將預先成型之成型光學窗孔 302c裝設至研磨墊102。在一實施例中，於CMp期間，將 漿109施加至研磨墊1〇2。接著研漿1〇9係進入光學窗孔 口中。因為使預先成型之成型光學窗孔3〇2c高至與研磨 102之上表面隔開的一距離處，故研漿1〇9不會累積在 成型之成型光學窗孔3 〇2c的上表面。預先成型之成型光風 窗孔302c具有使研漿丨09滑落預先成型之成型光學窗孔予 302c的斜邊70 9。在一實施例中，研漿1〇9亦流入複數之 磨塾溝槽404中。吾人應理解只要溝槽能有效地使研漿從 $先成型之成型光學窗孔302c排出，複數之溝槽4〇4的 度係可為任何距離。 所以，因為有預先成型之成型光學窗孔3〇2c，故會 積=隔光學信號之研漿109的空間大小將大幅的減小，所、 局ί由光學偵測單元之光學信號傳輸及接收。吾人應 ΪΓ預ΐί型之成型光學窗孔3〇2c為任何足以使較累積： :坦之光學窗孔的研毁量為小的厚度。在一實施例中積㊁ ΐ;0型二光學窗孔係位在研磨塾1。2之上表面以下實 負為0.010央吋至實質為0 030英吋之間的距離處。 第31頁 548734 以上所述者，僅 例，而並非將本發明 發明所做的任何變更 五、發明說明（26)
為了用於方便說明本發明之較佳實施 狹義地限制於該較佳實施例。凡二本 ，皆屬本發明申請專利之範圍。
第32頁 548734
圖1 A顯示受到一般作為構成金屬鑲嵌雕刻及雙金屬鑲 嵌雕刻互連之金屬化線與構造的製造處理之介電層横剖面 圖。 圖1B顯示在已移除銅層之過載局部及擴散阻障層之後 的介電層橫剖面圖。 圖1 C顯示習知之皮帶式CMp系統，其中將研磨墊設成 繞著滾筒旋轉並使用光學端點偵測系統。 圖1 D顯示使用光學偵測器進行終點偵測的典型方式， 其中施加光線穿過平臺、穿過研磨墊而至研磨之晶圓的表 面上。 圖1E顯示利用代表研磨距離偵測之光線終點偵測的泛 光譜而獲得之終點偵測資料的雙重圖形。 圖1F顯示用於CMP處理之終點偵測期間的習知平坦光 學窗孔糸統。 圖2 A顯示依據本發明之一實施例的c Μ P系統俯視圖。 圖2Β顯示依據本發明之一實施例的CMp系統侧視圖。 圖3顯示依據本發明之一實施例的研磨墊之光學窗孔 部。 圖4顯不依據本發明之一實施例的光學偵測區域之切 開侧視圖。 圖5顯示依據本發明之一實施例的具有撓性光學窗孔 之光學窗孔結構。 圖6顯示依據本發明一施例的具 成型之
548734
之一實施例的光學窗孔結構側視 圖式簡單說明 圖7顯不依據本發明 圖 實施例的具有撓性光學窗孔 圖8顯示依據本發明之 之光學窗孔結構側視圖。 圖9顯示依據本發明士 — & ,, α θ丄 型光學窗孔的光學窗孔4 預先成型之成 圖1 0 A』不依據本發明之一實施例的光學窗孔結構放 大俯視圖。 圖10B顯示圖10A之光學 圖11顯示依據本發明之 窗孔結構。 窗孔結構之區域的放大視圖。 一實施例的於CMP期間之光學 圖1 2顯不依據本發明之一實施例的於CMp期間之具 預先成型之成型光學窗孔的光學窗孔結構。 圖1 3顯不依據本發明之一實施例的具有CMp處理期間 所利用之斜邊的預先成型之成型光學窗孔的光學窗孔鈐 構。 、、、口 【符號說明】 10 、 100 CMP 系統 1 2、1 0 2 研磨墊 14 、 118 、 64 平臺 1 6、1 0 4滾筒 18 載部 12a 研磨墊槽
第34頁 548734 圖式簡單說明 1 0 6 研磨頭 1 0 8、2 4 晶圓 1 0 9、6 8 研漿 II 0 光學窗孔 III 研漿分配器 112 、 255 方向 116 光學偵測區域 2 介電層
20、72 光學偵測器 22 研磨平臺槽 200 光學窗孔部 206 光學窗孔開口 208、30 2a、302b、302c、372 成型光學窗孔 252 空氣壓力 254 橈性光學窗孔 258 、 70 開口 260 光學窗孔開口 280、300、320、340、370、40 0、500、600、700 光學窗
孔結構 330 支持層 330a 緩衝層 33 0b 強化層 382 、 619 間隙 4 擴散阻障層
第35頁 548734 圖式簡單說明 40 雙重圖形 41 上圖形， 42， 、44 、 48 曲線 43 下圖形 46 峰值 50 傅立葉轉換 402 研磨墊表面 404 溝槽 406 區域 510 、61 8 流動方 6 銅層 60 光學窗孔系統 62 研磨墊 66 平坦光學窗孔 709 斜邊 8 碟狀部 ^202 長度 ^204 寬度 ^283 、d3G4 距離 ^310 厚度 ^614 距離
第36頁
Claims (1)
- 州734 六、申請專利範圍 1 · 種光學窗孔結構，包含·· 一支持層，具有一強化層 > 一研磨墊，其裝設至該支持屉=層； 一光學窗孔開口；及 勺一上表面； 成型光學窗孔，其形成 。 伸入該支持層與該研磨墊中二；知作期間係至少局部地 成型光學窗孔係與該研磨墊開口之内，且該 L如申請專利範圍第丨項之光學 學窗孔係凹陷於該研磨墊之_ 1…構，其中該成型光 吋至實質為0· 030英吋之間。表面以下實質為〇· 010英 3 ·如申請專利範圍第1項之光學 學窗孔為一透明材料及一半透明_材孔料^構一，。其中該成型光 4學Ϊ1Γ利Γ第1項之光學窗孔結構，其中該成型光 0孔為一固體材料及一中空材料 結構，其中該光學窗 5 ·如申請專利範圍第1項之光學窗孔 孔開口呈橢圓形狀。 專利範圍第1項之光學窗孔結構，其中該光學窗 礼開口在一研磨墊方向之一軸向 冉 實質為U英㈣-長度。上具有實質為°.5英叶至 第 37 548734 六、申請專利範圍 項之光學窗孔結構 ^ 再中該光學窗 之一軸向上具有實質為0.4 7.如申請專利範圍第6 :口: 口在垂直於一研磨塾方向 央对至實質為13英时的一寬度 8.如申請專利範圍第丨項之光學 為一聚合物材料、該緩 孔…構，其中該研磨墊 為不銹鋼。 衝層為-聚合物材料、及該強化層 9·如申請專利範圍第丨項之光學 係無縫。 f L…構，其中該研磨墊 ίο.如申請專利範圍第丄項之光學 光學窗孔形成為使研漿經由複數構，其中將該成型 〈研磨墊溝槽而排出。 11.如申請專利範圍第i項之光學 學窗孔係預先成型。 孔m構，其中該成型光 tA專，圍第i項之光學窗孔結構，其中將該成型 先干自孔裝设至該研磨墊及該支持層之一的一下表面。 13.如申請專利範圍第i項之光學窗孔結構，其中將該成型 光予窗孔形成為減少累積在該成型光學窗孔之一上表面 研漿。第38頁 548734 六、申請專利範圍 1 4 ·如申請專利範園第1 3項之光學窗孔結構，其中將該成 型光學窗孔形成為使光線能在該光學窗孔結構之一底部與 一頂部之間傳輸。 1 5. —種光學窗孔結構，包含： 一支持層，具有一強化層及一緩衝層； 一研磨墊，其裝設至該支持層的一上表面；及 -，生4學窗? L，當施加空氣壓力至該撓性光學窗孔 的一下表面時，該撓性光學窗孔係形成為至少局部地伸入 該支持層與該研磨墊中的一光學窗孔開口之内，且當該撓 性光學窗孔局部地伸人時’ 與該研磨塾的—侧壁隔開。 ΙΊΙ專/1^第15項之光學窗孔結構，其中將該成 ^光子自孔破仅至該研磨墊及該支持層之一。 U第15項之光學窗孔結構，其中將該成 的研g。 >成為減少累積在該成型光學窗孔之一上表面 一頂部之間傳J為能在該光學窗孔結構之—底部與第39頁 548734 六、申請專利範圍 1 9.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該成型 光學窗孔的一上表面係凹陷於該研磨墊之一上表面以下實 質為0. 0 1 0英吋至實質為0 · 0 3 0英吋之間。 2 0.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該成型 光學窗孔為一透明材料及一半透明材料之一。 2 1.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該成型 光學窗孔為一固體材料及一中空材料之一。 2 2.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該光學 窗孔開口呈橢圓形狀。 2 3.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該光學 窗孔開口在一研磨墊方向之一軸向上具有實質為0.5英吋 至實質為2.3英吋的一長度。 2 4.如申請專利範圍第23項之光學窗孔結構，其中該光學 窗孔開口在垂直於一研磨墊方向之一軸向上具有實質為 0.3英吋至實質為1.7英吋的一寬度。 2 5.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該研磨 墊為一聚合物材料。第40頁 548734 六、申請專利範圍 2 6.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該研磨 塾係無縫。· 2 7.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中將該戒 型光學窗孔形成為使研漿經由複數之研磨墊溝槽而排出。 2 8.如申請專利範圍第1 5項之光學窗孔結構，其中該研磨 墊為一聚合物材料、該緩衝層為一聚合物材料、及該強化 層為不銹鋼。 29. —種光學窗孔結構，包含： 一多層研磨墊； 一光學窗孔開口；及 一成型光學窗孔，其形成為於操作期間係至少局部地 伸入該多層研磨墊中的該光學窗孔開口之内，且該成型光 學窗孔係與該研磨墊的一側壁隔開。 30. 如申請專利範圍第29項之光學窗孔結構，其中該多層 研磨墊包括一不銹鋼強化層。 31. —種光學窗孔結構，包含： 一支持層，具有一強化層及一缓衝層，且該強化層為 不銹鋼及該緩衝層為聚胺酯； 一研磨墊，其裝設至該支持層的一上表面，且該研磨548734墊為一聚合物材料；及 φ , j =光予固孔，其形成為至少局部地伸入該研磨髮 =:开圓：；學窗孔開口之内，且該成型光學窗孔的- 0.010英吋至實W:墊之-上表面以下實質為 :該；材料之-’及該成型光學窗孔係 32.如申請專利範圍第31項之 黏接劑而將該成型光學窗孔裝設至該研磨塾的、一中二 型光學窗孔VS"為圍咸第,31累項之光學窗孔結構’其中將該成 的研毅。成n累積在該成型光學窗孔之-上表面 34·如申請專利範圍第33項之* 一頂部之間傳輪。 /先干®孔結構之一底部與 一種光學窗孔結構，包含： 一緩衝層； 層的一上表面 於操作期間係 至少局部地 一支持層，具有一強化層及 一研磨墊，其裝設至該支持 一光學窗孔開口；及 一成型光學窗孔，其形成為 35. 548734伸入該支持層與該研磨墊中的 成型光學窗孔係與該研磨塾的 其中該研磨墊為一聚合物 材料、及該強化層為不銹鋼。 該光學窗孔開口之内，且該 一側壁隔開； ； 材料、該緩衝層為一聚合物 36· —種光學窗孔結構，包含·· 一支持層，具有一強化層及一緩衝層，而該強化層為 不銹鋼；一研磨墊’其裝設至該支持層的一上 一光學窗孔開口；及 一成型光學窗孔，其形成為於操作期間係至少局部地 伸入該支持層與該研磨墊中的該光學窗孔開口之内，且該 成型光學窗孔係與該研磨墊的一侧壁隔開。 3 7 ·如申請專利範圍第3 6項之光學窗孔結構，其中將該成 型光學窗孔裝設至該支持層的一下表面且該成型光學窗孔 係凹陷於該研磨墊的一上表面之下。 38·如申請專利範圍第36項之光學窗孔結構，其中該成型 光學窗孔與該研磨墊的該側壁之間的隔開係形成一間隙。第43頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/823,685 US6641470B1 (en) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW548734B true TW548734B (en) | 2003-08-21 |
Family
ID=25239411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091106455A TW548734B (en) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | Optical window structure |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6641470B1 (zh) |
| EP (1) | EP1372908A1 (zh) |
| JP (1) | JP2005506682A (zh) |
| KR (1) | KR20030090697A (zh) |
| CN (1) | CN1543387A (zh) |
| IL (2) | IL157827A0 (zh) |
| TW (1) | TW548734B (zh) |
| WO (1) | WO2002078902A1 (zh) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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2001
- 2001-03-30 US US09/823,685 patent/US6641470B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002577151A patent/JP2005506682A/ja active Pending
- 2002-03-29 IL IL15782702A patent/IL157827A0/xx active IP Right Grant
- 2002-03-29 TW TW091106455A patent/TW548734B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-29 KR KR10-2003-7012784A patent/KR20030090697A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-03-29 WO PCT/US2002/009675 patent/WO2002078902A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-03-29 CN CNA028074831A patent/CN1543387A/zh active Pending
- 2002-03-29 EP EP02733910A patent/EP1372908A1/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-09-09 IL IL157827A patent/IL157827A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002078902A1 (en) | 2002-10-10 |
| KR20030090697A (ko) | 2003-11-28 |
| IL157827A (en) | 2008-06-05 |
| US6641470B1 (en) | 2003-11-04 |
| JP2005506682A (ja) | 2005-03-03 |
| CN1543387A (zh) | 2004-11-03 |
| IL157827A0 (en) | 2004-03-28 |
| EP1372908A1 (en) | 2004-01-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |