TW521227B - Electrode substrate, method for producing the same and display device including the same - Google Patents

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521227 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明背景 1. 發明領域： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一電極基板，其包括一透明導電層以接觸 於一由無機絕緣材料製成之無機絕緣層及一由有機絕緣材 料製成之有機絕緣層，且關於其製造方法及包含電極基板 之顯示裝置。 2. 相關技藝之説明： 一包括ΠΌ (銦錫氧化物）之透明導電層可做爲一電極， 供光線穿透及控制光線傳輸，目前已有多項嘗試在實施上 使用具有此一透明導電層之電極基板於顯示裝置中，例如 電流明顯示裝置、觸控式面板、及太陽能電池。 一舉例之顯示裝置包括一電極基板，其具有一透明導電 層於一有機絕緣層與一無機絕緣層上，顯示裝置係一液晶 顯示裝置，液晶顯示裝置現在即積極地做爲一平板式顯示 器而替代一 CRT顯示器，液晶顯示裝置已在實施上用於一 電池驅動式超小型電視、筆記型電腦或類此者。之後將說 明一液晶顯示裝置包括一電極基板，其包括一透明導電層 於*^有機絕緣層與一無機絕緣層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1簡示一液晶顯示装置100之基本π結構，液晶顯示裝 置100係一使用薄膜電晶體（TFT)做爲切換裝置之主動矩陣 TFT陣列型，此型顯示裝置有利於提供一高品質顯示。 如圖1所示，液晶顯示裝置100包括一頂基板102、一 做爲電極基板之底基板101、及一介置於頂基板102與底 基板101之間之液晶層109，液晶層109内之液晶分子係由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521227 五、發明說明（2 ) 頂基板102與底基板ι〇1控制。 辰基板ιοί包括一絕緣板20 ;且複數閘極線1〇5、複數 源極線1〇6、複數像素電極1〇3、及分別相對應於複數像 素電極103之複數TFTsl〇8係提供於絕緣板2〇上，複數像 素電極103各通過相對應之TFT 1〇8而連接於相對應之閘 極線105及相對應之源極線1〇6。 圖2係底基板101之平面圖，底基板1〇1之平面區包括 一顯示區150 (圖2之陰影線處）及一周邊區16〇，顯示區 150包括複數像素電極1〇3及用於控制相連接像素電極工们 之複數TFTs 108，像素電極103各由一透明導電層製成。 由於液晶顯示裝置1〇〇 (如圖1}係傳輸型，至少一部分絕 緣板20由透明材料製成，且像素電極1〇3由一透明導電層 製成，因此，影像即利用光線（通常爲來自一光源之光線） 自相對立於液晶顯示裝置100顯示側之一側通過至顯示側 而顯示，依此，光線即得以傳輸及控制。液晶顯示裝置 1〇〇 (如圖1)係透明型，但是其説明可適用於一傳輸/反射 型液晶顯示裝置之一傳輸區。 周邊區160包括複數閘極連接終端11〇、複數源極連接 終端120、及複數共用連接終端13〇，複數閘極連接終端 no分別連接於複數閘極線105 ;複數源極連接終端12〇分 別連接於複數源極線106 ;及複數共用連接終端13()分別 連接於複數共用線107。閘極線1〇5、源極線1〇6、及共用 線107係提供於周邊區16〇内，且延伸至顯示區〗50。在本 文中’各閘極連接終端110及其附近將稱爲一"閘極連接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 填？ ί裝 頁I I 訂 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 521227 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

521227 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（4 ) 106，及汲極46b連接於連接電極48，包括上述元件之 TFT 108係由一透明材料製成之有機絕緣層49覆蓋，有機 絕緣層49具有一平坦之頂面，且像素電極103提供於有機 絕緣層49上。 在接觸區中，共用電極107提供於絕緣板20上，且閘極 絕緣層44提供於絕緣板20上以覆蓋共用電極1〇7，閘才亟 絕緣層44係由連接電極48覆蓋，且閘極絕緣層44係由有 機絕緣層49覆蓋。像素電極103提供於有機絕緣層49 上’接觸孔50係提供以令連接電極48及像素電椏ι〇3彼 此直接接觸。 顯示區150之上述結構主要係因爲以下二原因而提供一 高數値孔徑。（1)由於供像素電極1〇3提供於上之有機絕緣 層49表面呈平坦狀，因此可緩和TFT 1〇8上之像素電極各 端處之一階級部之液晶層109 (如圖υ内液晶分子之對準 紊亂所致之顯示瑕疵（領域現象），因而可增大液晶層内之 有效顯示面積。（2)由於像素電極103下方之有機絕緣層49 厚達〇·3至2微米，因此，·有機絕緣層49上之像素電極 1〇3 (在顯示側上）及相對立於像素電極1〇3之有機絕緣層 49另側上之閘極線1057源極線1〇6不致於相互短路。據 此，自顯示側視之，像素電極103可提供以叠覆於問極線 1〇5、源極線106及其他線，因而可增大像素電極1〇3之 積。 /大體上’在周邊區16〇(圖2)中，_透明導f層提供於做 爲-郅分電極之-無機絕緣層上，提供於無機絕緣層上之透明 -7 - 參紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱— ------------MWI ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521227 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（5 ^ 導電層可防止周邊終端區氧化而造成閘極連接終端n〇、 源接連接終端12〇及共用連接終端13〇之電阻增大。吾人 可提供諸終端11〇、12〇、13〇於有機絕緣層上之周邊終端 區内，但是此非最佳者，因爲其可能發生與其他組件之瑕 规式連接而降低穩定性，且有機絕緣層會不必要地變脆。 透明導電層通常做濕性蝕刻，不適合採用乾性蝕刻之原 因如下。（1)乾性蝕刻會改變有機絕緣層之品質，且絕緣 貝心化（2)在使用上述電極基板於一液晶顯示裝置之 例子中，一液晶層易受到乾性蝕刻殘餘物之不必要污染， 因而惡化絕緣品質。在本文中，"蝕刻”係指"濕性蝕刻^， 除非另有指定。 、在本文中，蚀刻變移係指利用蚀刻去除之一層之長 度，母單位時間之蚀刻變移則稱爲"蚀刻率"。 、可以考量將有機絕緣層上之透明導電層及無機絕緣層上 i透明導電層同時蝕刻，亦即在同一步驟中。惟，在實施 ^不適合之原因爲二透明導電層之蝕刻變移不同。當^機 絕緣層上之透明導電層及無機絕緣層上之透明導電層係雙 計成大致相同尺寸且以相似方式蚀刻時，二透明導;層會 因爲不同之触刻變移而成爲不同尺寸，亦即㈣率不= 結果，如圖5所示，設計尺寸及其中—透明導電層之最終 生成尺寸即不同。據此，二透明導電層無法在同 蝕刻。 請參閲圖6 ，揭述一方法用於槊止

、I ^圖2所示電極基板 101之像素電極103、閘極連接故迆11A 祛、、、崎110、源極連接終端 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297^17 ------------裝--------訂------—^__w · (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 521227 一 A7 — _ 丨·- - B7 五、發明說明（6 ) 120及共用連接終端13〇。關於像素電極，其在丁打 108内之部分係特別揭示於圖6中，像素電極⑻之其他 部分則大致上以相同方式製造。 在步驟⑷中，一透明導電層155 (例如由ιτ〇製成）係在 同一步驟中製成於TFT區及周邊區16〇内。 欲成爲像素電極103之TFT區内之透明導電層155係製 成於有機絕緣層49之平坦表面上。 在周邊區160之各閘極及共用連接終端區ui、i3i中， 閘極線105或共用線1〇7製成於絕緣板扣上。一益機絕 層⑷製成於問極線105或共用線1〇7，儘管無機絕緣層 144並未提供於間極線1〇5或共用線1〇7中央。在問極線 105或共用線1〇7中央上係製成一電椏154，隨後一透明導 電層I55製成於無機絕緣層m，以利覆蓋電極w。透 月導私層155係用於成爲一具有穩定連接電阻之透明導電 層 157。 在步驟㈨中，光致抗蝕劑模製係依下所示實施於周邊 區160内。首先，—第—光致抗蚀劑層165製成於欲保留 之透明導電層155 —區上（即欲成爲—透明導電層157之區 域），第一光致抗蝕劑層165係由正抗蝕劑製成，例如自 TokyoOhkaKogyo公司取得之可溶可熔酚醛樹脂。在步驟⑻ 中，在TFT區内，第一光致抗蚀劑層165係製成於透明導 電層155之整個表面上。 在步驟⑷中，在周邊區160内，透明導電層155係利用 濕性蚀刻去除，但是由第一光致抗蚀劑I 165覆蓋之區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)~------- 裳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521227 員 工 消 費 社 印 製 A7 五、發明說明（7 ) 除外。 在步躁⑷中，第-光致抗蚀劑^ 165係去除，由透明導 電層155製成之透明電極157製成於周邊g 16〇肖，而透明 導電層155保留，即使其僅有_部分在TFT區内。 在步驟（e)中，光致抗蝕劑模製係依下所示實施於tft區 内。首先，-第二光致抗蚀劑層167製成於欲保留之透明 導電層"5-區上(即欲成爲像素電極1〇3之區域），第二 光致抗蚀劑層167係由正抗敍劑製成，例如自响〇〇心

Kogyo公司取得之可溶可炫㈣樹脂。在步驟（e)中，在周 邊區⑽内，第二光致抗蚀劑層167係製成於所生成 之整個表面上。 在步驟ω中，在TFT區内，透明導電層155係利用濕性 蚀刻去除，但是由第二光致抗蚀劑層167覆蓋之區域除 外0 在步驟(g)中，第二光致抗蚀劑層167係去除， 素電極103。 表象 如上所述，無機絕緣層144上之透明導^ 155 絕緣層49上之透明導電層155即因不同姓刻率而需分開餘 刻（在步驟（c)及（f)中）。· 請決上述不便性，以下即舉例提出使用電漿處理。 、弟9-_5號日本先前公告案揭露—製造電極基板 法’其係藉由以乳電聚處理一有機绍給成 钱絕緣層，及製成一透明 導電層，以改善有機絕緣層與透明壤+ 令兒層間之黏著性。 第11-283934號日本先前公告奮 揭硌一利用氣體例如 -10. ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公i" ^9— ^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521227 A7 — B7 五、發明說明（8 ) cf4+o2以處理一有機絕緣層之方法，以利改善透過有機絕 緣層内一接觸孔而連接之像素電極與汲極間之電力連接， 因而增進顯示品質。惟，使用cf4+o2或類此氣體於電漿處 理會提昇有機絕緣層上之透明導電層之蝕刻率，因此，有 機絕緣層上之透明導電層及無機絕緣層上之透明導電層再 次無法在同一步驟中蝕刻。 發明概述 依本發明之一内容所示，一種製造一電極基板之方法， 電極基板具有一由有機絕緣材料製成之有機絕緣區及一由 無機絕緣材料製成於同一側上之無機絕緣區，其包含以下 步驟：實施有機絕緣區之一電漿處理；製成一第一透明導 電層以接觸於有機絕緣區，及製成一第二透明導電層以接 觸於無機絕緣區；及在同一步驟中蝕刻第一透明導電層及 第二透明導電層。 在本發明之一實施例中，實施電漿處理之步驟包括在相 同於有機絕緣區電漿處理之步驟中實施無機絕緣區電漿處 理之步驟。 在本發明之一實施例中，電漿處理係選自以氧電漿處 理、氬電漿處理及cf4電漿處理組成之旅群中。 在本發明之一實施例中，電漿處理包括實施一氧電漿處 理之步驟，及在實施氧電漿處理步驟後實施一氬電漿處理 之步驟。 在本發明之一實施例中，電漿處理包括實施一氧電漿處 理之步驟，及在實施氧電漿處理步驟後實施一 CF4電漿處 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -m ϋ I ϋ n »ϋ ϋ n ϋ · n ·ϋ I ί n «^1 n 一口τ I n I n n i an I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（9 理之步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π ::發明之_實施例中，電漿處理使有機絕緣層之一表 °度<均方根値在1.0毫微米以下。 牛施例中’製造_電極基板之方法係進一 二：電漿處理步驟後熱處理第-透明導電層及第二透 π导电層之步驟。 :本發明之—實施例中，熱處理係4 15κ以上且220 c以下之溫度實施。 依本發明之另一内容所，— 法，兩 丨丁 種製造一電極基板之方 -由^ 土板具有由有機絕緣材料製成之有機絕緣區及 以下3絕緣材料製成於同—側上之無機絕緣區，其包含 製成二求·製成第一透明導電層以接觸於有機絕緣區，及 =:透明導電層以接觸於無機絕緣區，使第-透明導 =具：20毫微米以上且50毫微米以下之晶粒尺寸；及 在太7驟中㈣第—透明導電層及第：透明導電層。 米以上發明心一實施例中，第-透明導電層具# 20毫微 未以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。 +勺本，月二Λ施例中’製造—電極基板之方法係進-y匕έ在製成第一透明導 每 處理之步驟。 ·⑨層^她有，機絕緣區之-電滎 、二發明之又-内容所示，1製造-電極基板之方 基板具有-由有機絕緣材料製成之有機絕緣 =:機絕緣材料製成於同一側上之無機絕緣區，其包含 亦製成一第一透明導電層以接觸於有機絕緣區，

請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事14里裝 頁I 訂 # ¥ 本紙張 ^用 -12- x 297公釐） 521227 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作4 6穿 五、發明說明（10 ) 及第二透明導電層以接觸於無機絕緣區；熱處理第 :=:層 透明導電層；及在同-步驟中㈣第 透月導電層及第二透明導電層。 在本發明之-實施例中，熱處理係在150 1以下之溫度實施，且並保持..^ 在本發明之一實施例中，'熱處理係在200 以上且220 °〇以下之溫度實施，且其保持—特定之時間周期。 依本發明之再-内容所示’―種電極基板包含：一有機 絕緣區，係由-有機絕緣材料製成，且具有一 1〇毫微米 以下之表面糙度之均方根値；一無機絕緣區，係由一益機 絕緣=料製成，且提供於一與有機絕緣區相同之側邊上； 及第—透明導電層，係接觸於有機絕緣區，及一第二透 明導電層，係接觸於無機絕緣區。 在本發明之一實施例中，有機絕緣區之表面糙度之均方 根値係在0·28毫微米以上且1.0毫微米以下。 、，在本發明之一實施例中，第一透明導電層具有2〇毫微 米以上且50毫微米以下之晶粒尺寸。 、，在本發明之一實施例丰，第一透明導電層具有2〇毫微 米以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。 依本發明之再一内容所示，一種顯示裝置包括上述電極 基板之任一^者。 依本發明之又再一内容所示，一種電極基板包含·· 一有 機絕緣區，係由一有機絕緣材料製成；一無機絕緣區，係 由一無機絶緣材料製成，且提供於一與有機絕緣區相同之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--- #. 13- 本紙張尺度適用中國國家標準（Cns)a4規格（210 χ 297公釐） 521227 A7 B7 、發明說明（11 ) 作,J l 、您上；及一第一透明導電層，係接觸於有機絕緣區，及 第二透明導電層，係接觸於無機絕緣區，第一透明導電 層具有一晶粒尺寸，其係設定使第一透明導電層及第二透 月導電層具有一大致相等之變移率。 、，在本發明之一實施例中，第一透明導電層具有2〇亳微 米以上且50亳微米以下之晶粒尺寸。 ，在本發明之一實施例中，第一透明導電層具有2〇亳微 米以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。 依本發明之再-内容所示，—種顯示裝置包括上述電極 基板之任一者。 因此，本發明之優點在提供一種製造電極基板之方法， 猎此使一透明導電層接觸於一由有機絕緣材料製成之有機 邑彖層及一透明導電層接觸於一由無機絕緣材料製成之 典機絕緣層，其大致上可同時蝕刻，且 包含此-電極基板之顯示裝置。上述方法係藉 诸項而達成，⑴在製成透明導電層前實施電漿處理，⑺ 透明導電層之晶粒之控制，及（3)透明導電層之熱處理（即 退火），及（4)進行⑴至⑺至少二者之組合。 本發明之上述及其他優點可由習於此择者審讀及瞭解以 下相關圖式之詳細説明後更爲明瞭。 圖式簡單説明 圖1係-等體積簡示圖，説明—液晶顯示裝置之基本結 構； 圖2係圓〗所示液晶顯示裝置之一電極基板平面圖； -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）

--------------------^---------. c請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) ^1227 A7 五、發明說明（ 圖3係圖2之放大圖 圖4係沿圖3之A-A，線所取之截面圖 揭示一層之設計尺寸及一層之最終生成尺寸之差 圖6揭示一習知製造一電極基板之方法； 、圖7係一圖表，説明一有機絕緣層上之透明導電層及 無機絕緣層上之透明導電層之濕性蚀刻時間與㈣二移 之關係； 圖8係一圖表，説明一有機絕緣層上之透明導電層之 聚處理時間與蝕刻變移間之關係； 圖9係一圖表，説明一有機絕緣層之表面糙度與有機 緣層上之透明導電層之蝕刻變移間之關係； 、、圖10揭示本發明一透明導電層之電榘處理與製造 法； 圖11揭示本發明製造電極基板之—像素電極與_透 電極之方法； 圖表，説明CF4電漿處理時間與由—有機絕 d之透明導電層及—無機絕緣層上之透明導電 電極之接觸電阻間之關係； 圖13係—圖表，説明透明導電層之退火溫度虫片狀 圖Η係一圖表，説明當有機 辦、，巴、·袭層上I透明導電層 :粒二寸大㈣毫微米時，-有機绝緣層上之透明導 層及一典機絕緣層上之透明導電居、 曰孓濕性蝕刻時間與蝕刻 間 絕 方 明 緣 之 之電 ^1 ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} # -I I I - -15- 五、發明說明（13 ) 變移間之關係；

圖15係一圖表，諸 A .. 1 §有機絕緣層上之透明導電層之 叩权尺寸大約100亳微 子私臂< M ^ AM 木時’一有機絕緣層上之透明壤心 層及1機絕緣層上之透明 導电 變移間之關係； 曰 < 在、性蝕刻時間與蝕刻 圖16係一圖表，与 ^ r r,,,—有機絕緣層上之透明導電層之 日印粒尺寸與蚀刻變移間之關係； h看心 v ^ 有機絕緣層上之透明導電層及 典機絕緣層上又透明導兩 久 間之關係； 月導%層〈濕性蚀刻時間與蚀刻變移 圖18揭示本發明實施例之-製造電極基板之方法.及 圖19揭示本發明另一每、A ^ 々次’及 另實施例之一電極基板。 較佳實施例説明 文後本發明將參考相關圖式舉例説_ < $ 未 區 在本説月曰中’彳機絕緣區”係指例如圖11所示— 機絕緣層49或圖18所示-有機絕緣層U49之區域，其 供做爲-層以接觸於一透明導電層，或指一無機絕緣： 提供於圖19所示—塑膠基板1420内之區域。"無機絕： 係指例如圖11所示-無機絕緣層144或圖18、19所亍一 有機絕緣層1444之區域，其提供做爲一層以接觸於_^明

導電層。 J (υ製成一透明導電層前實施電漿處理 圖7係一圖表，説明當製成一透明導電層前所生疊層全 部以電漿處理時，濕性蚀刻時間（分）與㈣變移（微米曰): 521227 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（14 ) 間之關係。cf4、氧及氬做爲電聚氣體，透明導電 叫銦錫氧化物）製成。在圖7中，當電漿處^= CF4、乳及氬實施時，自有機絕緣層上提供之透 取得之結果係以▼、_及▲表示，其線性内插㈣分= 厚實線、虛線及鏈狀線表示，而自無機絕緣層上提供 明導電層取得之結果係以•表示，且其線性内插法 線表示。在透明導電層提供於無機絕緣層上之例子中：： 論電漿處理實施與否，蚀刻變移並無極度不同。 操 當濕性蚀刻時間爲3分鐘時，無論是否❹W 風’有機絕緣層上之透明導電層之蝕刻變移皆在^ 以下，其並非極度不同於無機絕緣層上之 刻變移（大約〇·5微米），據此，队、氧及氯H = 使用。 可白1 當濕性蚀刻時間較長（例如5分鐘）時，當 =二透明導電層之㈣變移即大幅增加(大約= 二在:丄7於無機絕緣層"之透明導電層之-刻變 =在此例子中，同時姓刻即不可彳。當使用CF4或數 時間爲5分鐘時有機絕緣層上之透明導電層之蚀 刻交移播大幅增加，故可同時蝕刻。 由圖7中可知’無機絕緣層上之透明導電層 j不像有機絕緣層上之透明導電層之㈣變㈣子_^ 里相關於濕性蚀刻時間而變化，大體上，一無機絕緣層上 I一透明導電層之㈣變移變化係小於—有機絕緣層上之 透明導電層之㈣變移。在本發明人實施之實驗中^機

本紙張尺度綱巾_家 X 297公釐） ^21227 A7 五、發明說明（I5 表層上〈透明導電層之蚀刻變移爲1.G微米以下。 、圖8揭π電漿處理時間（秒）與機絕緣層上之透明導電居 』夂私（微米）之間之關係，《 cf4、氧及氬取得之二 果係以▼、_及▲本- 、’ 在斗 衣7，不論使用那一氣體，蝕刻變移皆 1著％水處理時間延長而增加。在氧之例子中，相關於啦 處里〈則變移增加係遠大於队及氬之例子者。當電 ,、，务時，不論使用CF4、氧或氬，蝕刻變移皆 在兩0微米以T，其並無極度不同於無機絕緣層上之透明 導電層之蝕刻變移。因此，有機絕緣層上之透明導電層可 與無機絕緣層上之透明導電層在同一步驟中蚀刻，而當 漿處理延長時，以氧處理之有機絕緣層上之透明導電層 典法與無機絕緣層上之透明導電層在同一步驟中蚀刻。 圖9係-圖表，説明由電浆處理所致有機絕緣層之表 糙度（譲）之均彳根値（RMS)與製於其上之透明導電層之姓 刻變移（微米）之間關係。在圖9中，"〇2身表示電漿處 理係以氧實施180秒，而"Αγ_3〇"表示電漿處理係以氬實 3〇秒，濕性蝕刻時間爲18〇秒。表面糙度係利用純。儀 公司製造之SPA 500測量’且測量係在使用2〇臟懸操 度之輕敲模式（DFM :針.對可製造率而碑計）中實施。 ，由圖9中可知’蚀刻變移係隨著有機絕緣層之表面链度 增加而增加，而無關於電漿處理氣體之類型。當 1.0毫微米以下時，蚀刻變移可抑制至丨〇毫微米以下， 180秒足濕性蝕刻時間下其係接近於無機絕緣層上之透 導電層之蚀刻變移。因此，有機絕緣層上之透明導電層 則 面 施 器 強 # 爲 在 明 及 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 Α7五 部 智 慧 局 員 工 消 費 、發明說明（I6 無=層上之透明導電層可在同-步驟中蚀刻。 明導電二：疋傻f電浆處理係以氬實施30秒時，由透 導私層製成心像素電極103與連接電極48之間 接即可改善，在此狀態下之表…、48…“連 米。 卜心表面糙度〈RMS爲0.28毫微 ^明導電層之蝕刻變移係藉由熱處理(例如纟150。。以 = 22(rc以下，且較佳爲細τ以上及,ec 當製成於有機絕緣層上之^日步減X。例如 透月導电層係以氬做電漿處理及 尤、處理時，蚀刻變移即 ^ P比未芦'她熱處理之例子減少大約 • 4 "，而當製成於有機絕緣層上之透明導電層 =電漿處理及做熱處理時，㈣變移即比未實施熱處 理 <例子減少大約〇·〇5微米。 回 8所示，蚀刻變移係隨著濕性蝕刻時間及電 處理時間增加而增加，據此，其較佳爲熱處理於電漿處 有機絕緣層上製成之透明導電層，以減少㈣變移。 、包括本發明電極基板之_液晶顯示裝置實例將說明比 万:包括g知電極基板之_液晶顯示裝置，液晶顯示裝置 爲本發明可應用（一襞置實例，本發明可應用於包括一％ 極基板且具有一透明導電層於一有機絕緣層與—無機絕緣 層一者上之任意裝置。例如，本發明可應用於—電流明 置，其包括一透明導電層，以做爲一發光區内之—有機 緣構件上製成之-正電極，且亦包括—透明導電層於一 端區内之一無機絕緣構件上。 訂 漿 理 較 /ffp* 裝 絕 終 # 印 制 I______· 19. 本纸張尺度_帽目家鮮（CNS)A4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521227 __ Α7 ---— Β7 五、發明說明（17) 圖10揭示依本發明所7F電漿處理之製程及在顯示區15〇 及周邊區160(閘極連接終端區11〇、源極連接終端區121 及共用連接終端區131)中之一透明導電層之製成，爲了 方便，所用之參考編號係相同於圖1至6所示之電極基板 101 者。 顯示區150包括如圖4中所示之TFT區（圖10之部分（I) 至（iv)之左邵）及接觸孔區（圖1〇之部分⑴至（iv)之右 部）。 · 在圖10之步驟（I)中，一有機絕緣層49係製成以覆蓋 TFT 108，且一部分有機絕緣層49去除，以製成接觸孔5〇 於接觸孔區内。 在周邊區160之閘極及共用終端區m、ι31各者中，閘 極線105或共用線107係製成於絕緣板20上，而一無機絕 緣層144製成於閘極線105或共用線1〇7上，儘管無機絕緣 層144並未提供於間極線105或共用線1〇7之中央上。在閘 極線105或共用線107之中央上係製成一電極154。 在源極連接終端區121中，一無機絕緣層144製成於絕 緣板20上，且源極線106製成於無機絕緣層144上。 製成於顯示區150内之有機絕緣層49例如由一光敏性樹 脂製成’有機絕緣層49係利用一旋塗法施加，其次以— 光石版印刷法曝光，及隨後以一鹼性溶液顯影。因此，一 部分有機絕緣層49即去除，以曝露連接電極48，藉此製 成接觸孔50。隨後有機絕緣層49以200 Ό做熱處理而固 化。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I —I — ----—---^ --------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（18 ) 在步驟（II)中，顯示區15〇、閘極連接終端區m、共用 連接終％區131及源椏連接終端區121係以氧做電漿處 理，電漿處理例如以9000 sccm、3〇〇〇毫托（mT〇rr)實施3〇 秒。 在步驟（III)中，顯示區15〇、閘極連接終端區工i i、共用 連接終端區131及源極連接終端區121係以CF4或氬做電漿 處理。 利用CF4做電漿處理係例如在4〇〇 及毫托之 衣立兄中’以1000瓦功率實施3〇秒，而利用氬做電裝處理 則例如在290 ^^.7帕斯卡㈣之氨環境中，以⑺仟 瓦之射頻（RF)功率實施％秒。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印剩衣 在y |(IV)中，欲成爲一像素電極或一透明電極Μ? 、透月導私層155係製成於顯示區150及周邊區160中之 生成疊層上。當有機絕緣層49由一丙烯酸樹脂製成時， 透明導電層155以細°C製成，以利於不使丙晞酸樹脂加 熱而變脆，甚至當有機絕緣層49由另_材料製成時，其 較佳爲以類似溫度製成透明導電層155。透明導電層155 、製成係例如使用一單一基板型濺擊裝置而實施於⑽至 120毫/米之厚度。在層製造狀態之'實例下，層製造係 使用乳與氬之混合物氣體做爲一濺擊氣體，及使用恥〇3 (口有/〇至1〇/° Sn〇2)做爲一革巴件，以100 seem氣體流動 率、〇.7Pa氣體壓力、及功率實施。 在圖1〇户斤示之製程中，μ用氧之電蒙處理（步驟（π))係 隨後進行利用❿或氬之電漿處理（步驟（m))，如上所

本紙張尺㈣财關家#^NS)A4規^ 521227 ___B7 五、發明說明（I9 述，則僅有利用氧之電漿虚 、 一 處理了男、她，吓即步驟（II)之後 糸接著步驟（IV)，而不實游+职m 、卜、 4兵施步驟（ΠΙ) 0另者，僅有利用cf4 或風之電漿處理可會％ . „ . 施，亦即步驟⑴之後緊接著步驟 (III)，而不實施步驟(π)。 雖然應該注意的是，利用氧 J虱 < 包漿處理（步驟（II))可減 低接觸孔50處之接觸電阻，其理由在於利用氧之電浆處 理可以有效地去除接觸孔50内之殘餘物，即餘刻後仍 存之材料等。 藉由實施上述電衆處理’透明導電層155即製成於有機 絕緣層49及無機絕緣層144上，如圖u所示(部分⑷）。 參考圖11，其將説明―種製成像素電極103及透明電極

157 (万法’在圖11中，在顯示區15G部分内僅揭示TFT 區。 透明導電層155熱處理後，可實施進一步熱處理。 透明導電層155如步驟⑷所示製成後，光致抗蚀劑模製 即如㈣述在步驟⑻中實施於TFT區及周邊區⑽内。首 先，一第一光致抗蝕劑層169製成於透明導電層155朝左 心一區上（即欲成爲像素電椏103或透明電極157之區）， 第一光致抗蝕劑層169·係由一正抗蝕劑製成，例如取自 y〇 Ohka Kogyo有限公司之一可溶可溶酚酸樹脂。 在步I⑷中’透明導電層155係利用濕性蚀刻去除，但 是顯示區15〇及周邊區16〇中由第一光致抗蚀劑層169覆蓋 之區域除外。濕性蝕刻例如使用一氣化鐵溶液實施，該溶 欣馬FeCls及HC1之混合物，具有4〇 t溫度，以做爲一濕 頁 訂 # 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 -22- 521227

發明說明（2G ) 性蝕刻劑達180秒。 在步驟⑷中，第一光致抗蝕劑層Kg係去除，結果，由 透明導電層155製成之像素電極1〇3及透明電極ι57二者即 分別製成於顯示區150及周邊區ι6〇中。 依本發明所不，圖6所示之步驟⑻至步驟⑷及步驟⑷ 至步驟（g)大致上可在同一步驟中實施，因此可縮短製 私降低生產成本及改善生產力。此外，由於光致抗蚀劑 模製步驟數減少，故可避免因桉製瑕疵所致之產量降低， 所需光致抗㈣及-光致抗㈣彳去除溶液之量亦減少。由 於有機絕緣層浸入光致抗蝕劑去除溶液之時間減少，故可 減少有機絕緣層之膨脹，因而改善液晶顯示裝置之穩定 性。 _ 在電極154進行電漿處理閘極與共用連接終端區⑴、 131後才製成透明導電層155之例子中，電極154則成爲 透明電極157之）透明導兩恳0日、，、 兒層155 i間i接觸電阻即降低。 圖12係圖表’説明化電衆處理時間及問極與共用連 接終端區m、131内之電極154與（成爲透明電極π之） 透明導電層155之接觸電阻間之關係，由圖12可知，接觸 電阻係藉由實施。_處理3〇秒以上，而降低三級，以提 供 &疋之接觸電阻，相々里+ 丄γ 提供。 门（效…由氧或氬電咖 楮由在製成(成爲透明電極157之)透明導電I 155後實 施上述電漿處理，透明_ 155之結晶性得以改善，且 無機絕緣| Η4内之透明電極157之電阻降低。結果，無 ________ - 23 - ^纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4^^ X挪 ------------裝--------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 521227 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（21 ) 機絕緣層144上之線電阻亦降低。 圖13係一圖表，説明製成透明導電層155後實施之退火 (熱處理）溫度（°C)與透明電極157之單位面積電阻（片狀電 阻ΜΩ/口）間之關係，由圖13可知，片狀電阻可藉由熱: 理而減少。 在此實例實施Ch或氬電漿處理之例子中，在有機絕緣 層49之一表面層内混合以用於電漿處理之氣體可利用— XPS(X射線光電子光譜學)裝置或其他分析器做成分分析 而指定之。 (2)透明導電層之晶粒尺寸控制 有機絕緣層上之透明導電層之蚀刻變移可藉由控制透明 導電層之晶粒尺寸’ 〃令其較接近於無機絕緣層上之透明 導電層之蝕刻變移。 圖14係一圖表，説明當有機絕緣層上之透明導電層之 晶粒尺寸係大約40毫微米時，濕性蝕刻時間（分）與^明 導電層之蚀刻變移（微米）之間之關係。在圖14中，自有 機絕緣層上之透明導電層取得之結果係以睿表示，而自無 機絕緣層上之透明導電層取得之結果係以表示，並線性 内插法則分別以-厚實線及一薄實線表示。有機絕緣層係 由丙晞酸樹脂製成，透明導電層則由IT〇製成，及無機絕 緣層由SiNx製成。 μ ^ 如圖14所示，當濕性蝕刻時間爲3至5分時，有機絕 緣層上之透明導電層之蝕刻變移即小於15微米，且無機 絕緣層上之透明導電層之蝕刻變移小於1〇微米。由於二 -24- 本紙張尺度綱㈣目家鮮(CNS)A4規格（210 X 297公f I ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ II ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ H ϋ I I 一I i I I ϋ ϋ I I I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ^21221 A7

五、發明說明（23 ) ^ A乃令電声之曰私 寸爲20毫微米以上且5。毫微米以 :日h只 央0 πτ甘夺a 1 蚀刻交移爲1·〇猶 未以下，其並非極度不同於無機絕緣層上之 姓刻變移(大約0.2微米，如圖14) 月導氧層之 Μ )囚此一透明導電層可 在同-步驟中㈣。當有機絕緣層上之透明導電層之 尺寸爲20毫微米以上且5〇毫微米以下時，電心適：: -電極，當晶粒尺寸爲20毫微米以上且4〇毫微米以下 時，蚀刻變移較小且因而改善有機絕緣層上之透明導電声 之可控制率。本發明人已確認當晶粒尺寸$的毫微= 上時，蝕刻變移即大幅增加，如圖15所示，且由於二透 明導電層間之蝕刻變移差異過大，致令其無法在同二；驟 中蝕刻二透明導電層。 水 當晶粒尺寸爲20毫微米以下時，電阻過度增高而不適 用於-電極，使用具有此一大電阻透明導電層之電極基板 並非較佳，因爲像素電極、閘極連接終端區、共用連接終 端區、及源極連接終端區之電阻皆增加。較特別的是，閘 極、共用及源極連接終端區之電阻增加並不利於製造一高 解析度、大螢幕之液晶顯示裝置。 參閱圖11，在透明導電層！55製成畛有機絕緣層49上 之後，電漿處理例如即在290 %咖與L7Pa之氬環境中以 1.0 kW之RF功率實施30秒。依此方式做電漿處理而製成 於有機絕緣層49上之透明導電層155係具有2〇毫微米以 上且50毫微米以下之晶粒尺寸。 此後將實施參考於圖11之上述步驟⑻至（句。 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ------ A7

521227 五、發明說明（24 ) 依本發明所示，圖6所示之步驟（b)至⑷及步驟⑷至⑷ 大致上可在同一步驟中實施，因此可縮短製程、降低生產 成本及改善生產力。此外，由於光致抗蝕劑模製步驟數減 少，故可避免因模製瑕疵所致之產量降低，所需光致抗蚀 劑及一光致抗蚀劑去除溶液之量亦減少。由於有機絕緣層 浸入光致抗蝕劑去除溶液之時間減少，故可減少有機絕緣 層之膨脹’因而改善液晶顯示裝置之穩定性。 (3)在透明導電層製成後實施熱處理（退火） 藉由退火於透明導電層，有機絕緣層上之透明導電層之 蝕刻變移可較接近於無機絕緣層上之透明導電層之蝕刻變 圖17係一圖表，説明在一特定周期時間實施退火之溫 度（度，文後稱爲’’退火時間”）與後退火透明導電層之蝕刻 變移（微米）間之關係。在圖17中，'線示自有機絕緣 層上（透明導％層取得（結果，'線12表示自無機絕緣層 上《透明導電層取得之結果。有機絕緣層係由丙晞酸樹脂 製成，無機絕緣層由SiNx製成，及透明導電層由ιτ〇製 成。濕性蝕刻係使用氣化鐵溶液實施18〇秒，退火溫度則 設定於保持1小時。 如圖'17所示，彳機絕緣層上之透明$電層與無機絕緣 層上1透明導電層（蝕刻變移間之差異係隨著退火溫度上 昇而減小，特別是當退火溫度在150 °C以上且220。(：以下 時有機、，、巴緣層上 < 透明導電層之#刻變移減少n = 透明導電層之蚀刻變移間之差異減小，因&，有機絕緣: --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •27- 521227 A7 B7 五、發明說明（25 ) 上之透明導電層與無機絕緣層上之透明導電層即可在同一 步驟中蚀刻。當退火溫度在200 °C以上且220 °C以下時， 有機絕緣層上之透明導電層之蝕刻變移更小且較爲適宜。 南過220 C之退火溫度較不適宜，因爲有機絕緣層通常 會在南溫下昇華’且在有機絕緣層周側會有不必要之負面 影響可能行，因此退火溫度之上限爲220 °C。 在製成透明導電層之釗’蚀刻變移可利用電浆至少處理 於有機絕緣層之表面而進一步減少，可用於電漿處理之氣 體例如包括氬及CF4。 在使用CF4或氬做電漿處理之例子中，用於電漿處理且 在有機絕緣層之表面層中混合之氣體可利用一 裝置或 其他分析器做成分分析而指定之。 藉由製成欲成爲透明電極157之透明導電層ι55於周邊 區160内（如圖2)之後實施熱處理，透明導電層1$5之結晶 性得以改吾，且無機絕緣層144内之透明電極i57之電阻 降低。結果，無機絕緣層144上之線電阻亦降低。 由上述圖13可知，片狀電阻可隨著退火溫度上昇而減 小 〇 參閱圖11，退火係在·透明導電層155枭成於有機絕緣層 49與無機絕緣層144上之後才實施，退火可在氮氣環境或 空氣中實施，例如，退火可在一單一基板型烤箱中實施。 此後將實施參考於圖1 1之上述步驟（b)至（d)。 依本發明所示，圖6所示之步驟⑻至⑷及步驟⑷至⑷ 大致上可在同一步驟中實施，因此可縮短製程、降低生產 -28· 本紙張尺度適用中國國豕標準λ /1 w a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 『裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 度 0 ) α ^ V 11 C / ▲ 521227 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（26 ) 成本及改善生產力。此外，由於光致抗蝕劑模製步驟數減 少’故可避免因模製瑕疵所致之產量降低，所需光致抗蝕 剑及一光致抗蝕劑去除溶液之量亦減少。由於有機絕緣層 次入光致抗蝕劑去除溶液之時間減少，故可減少有機絕緣 層 <膨脹，因而改善液晶顯示裝置之穩定性。 文後將參考圖18説明本發明用於製造一電極基板17〇〇 之方法特定實例。 . 在步驟⑷中，一無機絕緣層1444係製成於一絕緣板 1420區域上，絕緣板142〇可由透明玻璃或塑膠材料製成， 可用I塑膠材料例如包括聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二 酉曰、聚丙烯酸酯、及聚乙烯。無機絕緣層1444例如由

Sl02、SlNx或·Ta2〇5製成，且製成例如50至500毫微米厚 度。 、在步驟（b)中，一有機絕緣層1449係製成於絕緣板142〇 心另區域上’有機絕緣層1449例如可由環氧樹脂、丙烯 酸樹脂或聚碳酸酯製成，且製成例如1〇毫微米至 厚度。 、，步驟（C)中，一透明導電層1455係藉由濺擊或類此者 =製成於絕緣板142G上，以覆蓋無機缚緣層1444及有機 絶緣層1449，透明導電層批可由ιτ〇製成，透明導電層 1455製成例如5〇至300毫微米厚度。 在步I (d)中’一光致抗蚀劑層1465係製成於透明導電 日曰1:〈整個表面上，且模製而僅剩下欲留做爲電極之透 月導弘層1455區域，光致抗蝕劑層1465可由-可溶可熔 ^1 ^---— — III ^----I I I I I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "氏張尺度適用規格⑵〇 -29- X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521227 A7 ~ B7 五、發明說明（27) 酚醛樹脂製成，且濕性蚀刻劑可爲FeCl3與HC1或HBr之混 合物溶液。透明導電層1455隨後利用光致抗蝕劑層1465 做爲一遮罩而進行蚀刻。 在步驟（e)中，光致抗蚀劑層1465係去除，.藉以製成電 極1456、1457且分別具有一指定形狀於無機絕緣層1444 及有機絕緣層1449上。透明導電層1455製成之前實施電 漿處理，及/或透明導電層1455製成之後實施熱處理，使 得有機絕緣層1449上之透明導電層1455與無機絕緣層 1444上之透明導電層1455二者之蚀刻變移彼此不致因爲相 差太多，而無法以同一步驟在二不同區域内蚀刻透明導電 層 1455 。 用於製成無機絕緣層1444及有機絕緣層1449之方法可 依其材料而適當地選定，較特別的是可使用印字、網印、 旋塗或類此者。透明導電層1455可利用紫外線做熱處理或 照射。 依一剝離試驗之結果可以發現，以此方式製成之透明導 電層1455具有一令人滿意之對無機絕緣層1444及對機絕 緣層1449之黏接性。 電極基板1700包括製成於絕緣板1420上之有機絕緣層 1449及無機絕緣層1444。本發明亦適用於如圖19所示之 電極基板1800，電極基板1800包括一塑膠絕緣基板 1420、一提供於塑膠絕緣基板1420 —區上之無機絕緣層 1444、一提供於無機絕緣層1444上且亦在塑膠絕緣基板 1420另一區上之透明導電層1455。具有此一結構之電極基 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） n ϋ ϋ ϋ In ·ϋ ϋ n n · I ϋ I n in 一 心，I ϋ n ϋ ϋ ϋ in I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521227 A7 B7 五、發明說明（28) 板1800可併合無機絕緣層1444上之一含有切換裝置與類 此者之1C，透明導電層1455可做爲一線以及一電核，供 控制液晶分子或類此者。 依本發明所示，（〗）在製成透明導電層前實施電漿處 理’（2)透明導電層之晶粒之控制，及（3)透明導電層之熱 處理（即退火），及⑷進行（1)至（3)至少二者之組合。結 果，接觸於有機絕緣層之透明導電層及接觸於無機絕緣層 之透明導電層可在同一步驟中蝕刻，因此，電極基板之製 程縮短，且電極基板之製造成本及含有電極基板之顯示裝 置製造成本亦降低。 在不脱離本發明之精神範疇下，習於此技者仍可達成多 種其他變換型式，據此，文後之申請專利範圍不應拘眼於 文内之説明，而應做廣義解釋。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ir------— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）

Claims (1)

1. 521227 521227

   !•-種製造—電極基板之方法，電 絕緣材料製成之有機絕緣有由有機 於同-側上之無機絕緣區其及二“機:緣材科製成 U 其包含以下步驟·· 貝施有機絕緣區之一電漿處理； 製成一第一透明壤兩Μ ,斤 %層以接觸於有機絕緣區，及製 成一弟二透料電層轉觸於無機絕緣區，·及 層在同—步驟中蚀刻第-透明導電層及第二透明導電 2·如申请專利範圍第丨項 中-…“ 電極基板之方法，其 ^施"漿處理之步驟包括在相同於有機絕緣區電聚 理（步驟中實施無機絕緣區電漿處理之步驟。 3. 如中請專利範園第1項之製造-電極基板之方法，其 中％水處理係選自以氧電漿處理、氬電漿處理及CF4 電漿處理組成之族群中。 4. 如申請專利範圍第1項之製造-電極基板之方法，1. 中電漿處理包括實施一氧電聚處理之步驟，及在實施 乳電漿處理步驟後實施一氬電漿處理之步驟。 5. 如：請專利範圍第i項之製造—電極基板之方法，其 =吧水處理包括實施一氧電漿處理冬步驟，及在實施 氧兒水處理步驟後實施一 CP#電漿處理之步驟。 6·如申請專利範圍帛i項之製造_電極基板之方法，其 中電漿處理使有機絕緣層之一表面糙度之均方根値在 毫微米以下。 7·如申請專利範圍帛i項之製造_電極基板之方法，進 ------ -32- 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮）

   --------t------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n I I 521227

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一步包含在電漿處理步 又…、、理罘一透明導兩 第二透明導電層之步驟。 等見層及 8·如申請專利範圍第7項之製心 %極基板之方法，甘 中熱處理係在150X：以上i 22。 其 且220 C以下之溫度實施。 9. 一種製：一電極基板之方法，電極基板具有二由有機 絕緣材料製成之有機絕緣區及—由無機絕緣材料= 於同一侧土之無機絕緣區，其包含以下步驟： 製成帛❼月導電層以接觸於有機絕緣區，及 成-第二透明導電層以接觸於無機絕緣區，使第 明導電層具有20毫微米以上且5()毫微米以下之晶粒 尺寸；及. 在同-步-驟中蝕刻第一透明導電層及第二透明導電 層。 1〇.如申請專利範圍第9項之製造—電極基板之方法，並 中第-透明導電層具有20毫微米以上且4〇毫微米以下 之晶粒尺寸。 11·如申請專利範圍第9項之製造一電極基板之方法，進 一步包含在製成第一透明導電層前實施有機絕緣區之 一電漿處理之步驟。 12. —種製造一電極基板之方法，電極基板具有一由有機 絕緣材料製成之有機絕緣區及一由無機絕緣材料製成 於同一側上之無機絕緣區，其包含以下步驟： 製成一第一透明導電層以接觸於有機絕緣區，及製 成一第二透明導電層以接觸於無機絕緣區； -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521227 六、申請專利範圍 濟 部 智 慧 熱處理第一透明冑電層及第二透明導電層；及 層在同-步驟中蝕刻第一透明導電層及第二透明導電 江如申請專利範圍帛12項之製造—電極基板之方法，且 中熱處理係在15(TC以上且飢以下之溫度實施，： 其保持一特定之時間周期。 14. 如申請專利範圍第13項之製造—電極基板之方法，其 中熱處理係在20(TC以上且22〇eC以下之溫度實施， 其保持一特定之時間周期。15. —種電極基板，包含： 一有機絕緣區，係由一有機絕緣材料製成，且具 一 1.0毫微米以下之表面糙度之均方根値； 一無機絕緣區，係由一無機絕緣材料製成，且提供 於一與有機絕緣區相同之側邊上；及 第一透明導電層，係接觸於有機絕緣區，及一 二透明導電層，係接觸於無機絕緣區。 16. 如申請專利範圍第15項之電極基板，其中有機絕緣 I表面糙度足均方根値係在0 28毫微米以上且10 且 有 第 區 亳 --------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 員 工 消 費 微米以下 17·如申請專利範圍第15項之電極基板;其中第一透明導 迅層具有20¾微米以上且5〇毫微米以下之晶粒尺寸。 18.如申請專利範圍第17項之電極基板，其中第一透明導 電層具有20毫微米以上且4〇毫微米以下之晶粒尺寸。 19· 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第15項之電極基 (____ -34- 本紙張尺度適用中關家標準（CNS〉A4規格咖χ &公爱〉一 I L厶厶I 申凊專利範圍 板 20. 種電椏基板，包含 一有機絕緣區，係由—有 _ A ^ ^ 有機絶緣材料製成 且提供 於—盥有機蝠绘1^4 ”、、機絕緣材料製成 -、I機、，、邑緣區相同之側邊上及 及一第 I:透明導電層，係接觸於有機絕緣區 -透明導電層，係接觸於無機絕緣區， 其中第一透明導電層具有_ ^ ^ ^ I ^粒尺寸，其係設定使 乐一透明導電層及第二透明導雨 更 變移率。 導％層具有一大致相等之 ^申請專利範圍第20項之電極基板，其中第一透明導 電層具有2α毫微米以上且5G毫微米以下之晶粒尺寸。 22.:申請專利範圍第21項之電極基板，其中第一透明導 迅層具有20毫微米以上且4〇毫微米以下之晶粒尺寸。 23· 一種顯不裝置，包括如申請專利範園第20項之電極基 板。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製