TW486842B - Planar leaky-wave retrodirective antenna arrays - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 發明背t 發明領I 本發明倍— 洩漏波天線所έ f有關於微帶—孔徑耦合饋入方式之微帶 高廣角反射筆ί:對入射電磁波能量有原方向反射回去之 選用組合排列牟方法。所提供之單純佈線方式及天線的 地實現回波反C 可以針對所須之回波掃描仰角，容易 電源供給，即ί =二加任何主動電路元件，不需外加 /、備尚廣角反射回波能力特性。 相關先趙1^_^ ， 驾知種天線所排列之陣列組合方式首見於樊艾塔之 卷磁反射③（L· C. Van Atta， "Electromagnetic reflector", U.S. Patent 2 908 002, Serial no. 5 1 40 40， Oct· 1 9 5 9·)。參見圖i，此陣列須以成對的天 線3 4組成，每一對天線以傳輸連接線3 5連結在一起，其設 計機制為△ L· = π X λ g (△ L ··任意兩傳輸連接線之差， λ g :導波波長，η為整數）在這樣的排列下，當平面波 3 8以角度<9 3 6的方向入射過來時，在兩相鄰天線間，產 生一個△ =k〇dsin<9的接收相位落後37，（k〇二2ττ /又〇是自 由空間波數’ d疋相鄰天線間的間距）。所以當天線接受到 入射訊號時，後即藉由傳輸連接線再饋送入其各自的成對 天線’力使兩相鄰天線間產生一個k 〇d s i η 0的超前相位， 再輻射回去，此再輻射波因此會對入射波源方向造成一個 建設性干涉’而產生回波效應。此平行排列之天線陣列， 對原入射電磁波，具有高反射回波掃描角之特性，唯非用 486842 五、發明說明（2) )¾漏波天線來實現’其设汁之機制必須擁有一對以上兩兩 成對的天線所組成，且每對天線相連接之傳輸線差須為整 數倍之導波波長（guided wavelength)。之後將有不少 依循此樊艾塔陣列（V a n A11 a a r r a y)設計回波反射器之 實例。如 Shyh-Jong Chung and Kai Chang， ，fA ’

Re trod i rect i ve Microstrip Antenna Array", IEEE Trans· On Antennas and Propagation，vol.46，No· 12, D E C · 1 9 9 8。其結構參見圖2，是以共振型式之貼片天線2 8 (patch antenna)來實現樊艾塔陣列的實例，成對之貼 片天線2 8是以孔徑2 9麵合方式將所接收之訊號以傳輸線3 〇 相互傳到各自成對天線再輻射出去。其缺點是二維的陣列 平面設計，卻只有一維較為顯著的回波效應。而後將其改 進特性為二維平面陣列設計，具有二維的回波效果，見 (Wen-Jen Tseng and Shyh-Jong Chung, "Analysis and Design of A Planar Two-Dimensional Re trod i rect i ve Array Reflector", Antenna and Propagation Society, 1999. IEEE International Symposium 1999, Volume· 3， August 1999， Page(5): 1678-1681.)及（Wen-Jen Tseng，Shyh-Jong Chung, and Kai Chang,丨丨 A Planar Van A11a Array Reflector with Retrodirectivity in Both E-Plane and Η-Plane丨丨，IEEE Trans. On Antennas and Propagation， vol.48， No.2， FEB. 2000.)。其結 構參見圖3，仍是以貼片天線3 1組成，以孔徑3 2耦合方式 在傳輸線3 3上傳送信號，其改進的不同處是以對稱回波反

第6頁 486842 五、發明說明（3) 射器中心點的方式所設計組成，雖有不錯的回波仰角，卻 有其複雜的佈線網路結構3 3，不僅設計本易，若要增多陣 列元件數目以獲得更為寬廣的回涑掃描角，實有極困難的 可行性，幾乎不可能。 發明概述 ' 針對上述習知裝置的缺點，本發明乃提出一種有效對 於入射源的高回波量，具有寬掃描仰角回波特性之平面反 射器。 本發明解決習知技術中所遭遇之問題，並提供其它優 點。因此，本發明的目的之一為提供一種平面式、製造簡 單、成本低廉、可攜性高、不須外加主被動元伴及外掛電 源、更寬廣的回波效果之反射裝置。 / 本發明的又一目的為提供一種易於與主動元件等結合 具高回波場的應用結構，其信號以微帶：-孔徑耦合傳輸方 式連結饋入電路與洩漏波天線，且中間以金屬接地面做為 安全隔離，可避免饋入電路與洩漏波天線面間的不當耦合 干擾，故可分開做最佳化設計。 本發明的另一目的為提供一種一維的天線陣列結構， 而具備二維高回波效果之設計方式，且不受固定回波掃描 仰角能力限制，可針對所需的回波仰角，增減天線陣列對 之元件，而做個別設計。 本發明之平面式陣列漏波天線回波器其結構參見圖 4，使用兩層基板1和2合成，上層基板1設計為第一高階漏 波模之成對微帶天線3，下層基板2設計為饋入上層之成對 486842 五、發明說明（4) ’戈漏波天線3之準平面波（quasi-TEM)微帶連接線5，兩 夾層中間為共同接地金屬面6，此接地金屬面6，可以基板 1做^為支撐，位於基板1的下方面，或以基板2做支撐，位 基板2的上方面，亦或單獨另加一金屬板，只要將此共地 金屬面6位於上層基板1和下層基板2的中間即可。並蝕刻 孔徑4於此共地金屬面6，做為信號耦合之用，將信號由下 層微帶線5饋入，經由孔徑4激發上層微帶3第一高階漏波 模’以達輻射回波之目的。 璧之詳細說明

根據本發明實施例，參見圖4，其為平面式之陣列漏 波天線回波器示意圖。基板1與基板2之介質可為玻璃纖 維、塑膠、陶瓷、鐵氟龍、半導體、氧化鋁、陶鐵磁、電 木、石申化鎵（GaAs)、蜂窩狀體（honeycomb)、彈性低 塑膠泡沫片（flexible low-loss plastic foam sheet )、熱硬化微波泡珠材料（Thermoset microwave foam material)、微纖維鐵氟隆膠右玻璃（microfiber Teflon glass laminate)、聚稀（polyolefin)、聚四

氟乙浠次潰玻璃布（PTee impregnated glass cloth)、 笨乙烯共 1 合體（cross-iinked styrene copolymer)、 挽欽 t 本乙烯（p〇lyStyrene with titania filler)、 絡石夕（fuzed silica)、陶磁聚四氟乙（ceramic -,loaded PTFE)、礬土（ Alumina)、藍寶石（Sapphire) 等材料’本實施例採用RT/Duroid 5880基板，基板1介電 常數ε r = 2.2，厚度為157mm;基板2介電常數ε r =

第8頁 486842 五、發明說明（5) 3.38 ，厚度為 0.508mm。 參考圖4，上層微帶3位於基板1上面，由四組不同成 對元件的微帶寬度而組成八個元件的洩漏波天線3，其結 構尺寸上視透視圖參見圖5，元件對一 7、元件對二8、元 件對三9、元件對四10，其對應寬度各別為8. 3mm、 8.5mm、8.7mm、8.9mm，長度皆設計為6cm，其各自有其相 同尺寸的洩漏波天線與之成對，透過孔徑1 1耦合信號至傳 輸線1 2，並連接至另一與之成對的天線。一般而言，欲激 發第一高階漏波模，上層微帶3的長度至少大於半個漏波 模波長。此寬度變化之微帶第一高階模複數傳波常數與頻 率的關係，參見圖6，包括元件對一 1 3、元件對二1 4、元 件對三1 5、元件對四1 6，的相位常數/3與衰減常數α ，可 由頻域（spec tra 1 doma i η)場論分析方法配合適當的積 分路徑數值方法求得。圖6中，其第一高階漏波模設計區 域，是位於正規化相位常數）S / k 〇和正規化衰減常數a /k 曲線交叉點之右往頻率增加的方向，利用e L估計剩餘能 量，可得洩漏波天線元件所需的長度L ;天線之輻射仰角 0可以sin_1(/5 /k〇)估算之，此0輻射仰角是平面回波器 的法線方向與天線輕射方向之夾角。 在圖4中，金屬共地面6介於兩層基板1和2之間，再钱 刻孔徑4於其内，此孔徑4可為矩形、圓形、三角形、多邊 形、扇形及其他不規則形狀，如啞鈴形、沙漏形、領結 形、骨頭形，其兩頭或一頭修飾為矩形、圓形、三角形、 多邊形、扇形及其他不規則形狀，目的做為耦合信號之

第9頁 486842 五、發明說明（6) 用。於本實施例為長方形孔徑， 在圖4中，下層饋入微* 我為iOmm，寬為0.2mm。 方面，為5 0Ω微帶傳輪線"，f ^輪連接線路5位於基板2下 於連結成對之洩漏波天線，f =驗實施例為1 · 1 8mm寬，用 導之媒介。本實施例中微二，成對天線間訊號相互傳 ^ ( gUlded V ^ ^ 天線的微帶傳輸線長差，為整數倍導，任相異之兩成對 wavelength)，滿足了樊艾塔陣列。（波長（guided 工作機制。此微帶傳輸線長度標準， Atta vwy)的 :匕徑4中心點投影對正至微帶傳輸線5上，：J :相同天線 傳輸線走線長度。微帶傳輸線長度以外至ς j，兩，間之 册:扪j敛長度，即孔徑4中心點投影對正 π傳輸線長度方向到端點的長度，約此 =:5之非微 (^ided wavelength)的四分之一，配微人二^導波波長 人a恶 合耦合孔徑4的‘ ° 、大小、形狀、長度或寬度，加以適产 7耦 阻抗匹配時所需之最佳輸入阻抗及頻寬，ς二’可得 用。 用來做阻抗匹配 在圖4中，單一洩漏波天線3的輻射示专 耦合孔棱1 8將訊號饋入微帶洩漏波天線1 7，^ ^回7 ’ ^，本實施例的耦合信號是從洩漏波天線的笋磁輻射 &成的輻射場型示意圖參見圖8，雙耦合孔二入/所 入微帶汽漏波天線2 0，產生電磁輻射2 2，但由於:餹\说饋 饋入故其造成的電磁總輻射場型如粗線2 3 。；端耦合 上電磁波入射碰到圖4中之金屬共地面6 :沾^此再加 厓玍的平面回波

第10頁 486842 五、發明說明（7) 為天線面之法線方向的散射場（s c a 11 e r e d f i e 1 d)，所 、、、心成的總輕射回波場不意圖如圖9所不’總輕射場2 4為 戍漏波天線所產生之再輻射場2 5再加上圖4之金屬共地面6 所造成之散射場26 ( scattered field)之總和，其輻射 仰角2 7中的零度是指平面回波反射器天線面法線方向。此 總輕射場2 4即為回波反射器在η平面上所造成的回波輕射 劳i ’其原理如别面所描述，是由Ά漏波天線本身幸昌射原 理所達成，但由於泡漏波天線本身所造成的主波束寬 (beamwidth)有限，故本實施例設計了四組不同寬度的 洩漏波天線對，來達成更寬回波輻射仰角效果，此是因為 不同的微帶洩漏波天線寬度所造成的輻射仰角不同，如此 適度的搭配微帶洩漏波天線寬度可以達成回波器H平面上 更寬的回波仰角。 本實施例回波反射器在E平面輕射回波仰角的提昇主 要是以樊艾塔陣列（Van Atta array)的方式來排列^漏 波天線’可以造成寬廣的輻射回波仰角，原則上每單^ ^ 洩漏波天線間距以小於二分之一自由空間光速波長疋的 (入〇 / 2)，可達E平面上更寬廣的回波仰角，但其門足 不受限固定，可依實際需要自由設計所需之回波仰'角a 1 線間距；每單元的洩漏波天線間距是以兩相鄰的线漏皮 線為準’以兩洩漏波天線本身中心點，其間的距離計曾天 之’本實施例設計13匪為其間距。本實施例的回波器f 平面的座標指示圖參見圖1〇’ χ-y平面即是E平面， 、， 面即是Η平面，本實施例用此座標系來做e平面和ΗΧΖ+ 由的 五、發明說明（8) 回波器實際量測。 本只靶例以圖4的架構，圖5的尺寸來實現回波反射 器，其實際量測的結果參見圖丨丨及圖i 2，工作頻率於 9.8GHz，E平面量測參見圖n，H平面量測參見圖12，其中 零度的輻射仰角指平面回波器之天線面法線方向，圖丨1的 E平面和圖12的Η平面量測皆同時顯示了相同回波器大小之 金屬平板反射波回入射波方向的電場型量測，用以和回波 器做：個明顯的對比；纟中實線部分為回波反射器的量 測，虛線部分為金屬平面板量測，皆顯示了 36〇度（_18〇 度〜+180度）的全方位輻射回波仰角量測，將兩比較取最 in，量測值為0dB做一個統—的正規化及標準，往下 1 μ ββ内的輻射仰角為其回波仰角寬度，圖11中E平面在 ^ ^，回波仰角為-115度〜+ιΐ5度（即23〇度），圖12 ),t卜如如1〇心内的回波仰角為—55度〜+55度（即U0度 Θ ^相同大小金屬板在正規化—1 0 dB内回波，的確 二妒^ σ、回^ %型較震盪激烈且狹窄的回波仰角金屬板回 ’琢^ $波器的場型較平滑穩定且具極寬廣的回波仰角。 爐^要的，本發明所提供的回波反射器設計方式、結 !二：提供茂漏波天線的-維陣列排列方式、較單純簡 =曰j剧連接線佈線結構，不僅具備了二維的回波效果， 對爽=ί仰角不受限固定，可以任意加減洩漏波天線元件 . 所而的回波仰角，且不需要額外加任何主動被動 非常言，甩，原’就可具備極寬廣之回波仰角，且可攜性 门本實施例的頻率亦非受限固定，可依本發明上述

第12頁 486842 五、發明說明（9) 方法來設計所需 線路單純，欲加 便且容易，基於 的平面式結構， (Intelligent 汽車防撞雷達或 別等方面，應用 本發明參照 制本發明，熟習 有脫離上述實施 理。 頻率，本發明所提供的方式簡單，其佈線 主動元件以提高增益等回波能量亦非常方 本發明的高廣角回波性質，加上高可攜性 易於應用在智慧型運輸系統 Vehicle Highway System， IVHS);諸如 道路交通管理系統及電子收費，RF I D識 度非常之廣。 特定實施例來說明及圖示，但並非以此限 此項技藝者可以實施若干修改及變動而沒 例及下文之申請專利範圍所述的發明原

第13頁 486842 圖式簡單說明 元件符號之說明 1 基板 2 基板 3 洩漏波天線 4 孔徑 5 微帶 6 共地金屬面 7 洩漏波天線 8 洩漏波天線 9 洩漏波天線 10 洩漏波天線 11 孔徑 12 微帶 13 傳播常數 14 傳播常數 15 傳播常數 16 傳播常數 17 泡漏波天線 18 孔徑 19 輻射場型 20 洩漏波天線 21 孔徑 22 輻射場型 23 輻射場型

第14頁 486842 圖式簡單說明 24 輻 射 場 型 25 輻 射 場 型 26 輻 射 場 型 27 輻 射 仰 角 28 貼 片 天 線 29 孔 徑 30 微 帶 31 貼 片 天 線 32 孔 徑 33 微 帶 34 天 線 35 傳 連 接 線 36 入 射 角 度 37 相 位 差 38 入 射 波 波 前 將配 合所 附 圖 示 簡單 說明 圖1係上述一種習知由天線所排列組合之具有高回波 仰角之樊艾塔陣列（Van At ta array)工作機制示意圖。 圖2係上述一種習知由貼片天線（patch antenna)組 成，採樊艾塔陣列（Van At t a array)工作原理，二維陣 列僅一維回波效果之回波器示意圖。 圖3係上述一種習知改良圖2貼片天線回波器，二維陣 列設計具二維回波效果之回波裔不意圖。

第15頁 486842 圖式簡單說明 圖4係本發明之實施例：平面式之陣列洩漏波天線回 波器示意圖。 圖5係本發明之實施例：平面式陣列洩漏波天線回波 器的結構尺寸之上視透視圖。 圖6係本發明實施例之四組不等寬度洩漏波天線對， 其微帶第一高階模複數傳播常數與頻率之關係圖。 圖7係本發明實施例之單一洩漏波天線單端耦合饋入 時，其福射場型示意圖。 圖8係本發明實施例之單一洩漏波天線雙端耦合饋入 時，其福射場型示意圖。 圖9係本發明實施例之平面式陣列洩漏波天線回波 器，Η平面場型分解示意圖。 圖1 0係本發明之實施例：平面式之陣列洩漏波天線回 波器，其Ε平面和Η平面之座標指示圖。 圖1 1係本發明之實施例：平面式之陣列洩漏波天線回 波器，其Ε平面與相同大小金屬板量測比較圖。 圖1 2係本發明之實施例：平面式之陣列洩漏波天線回 波器，其Η平面與相同大小金屬板量測比較圖。

Claims (1)

1. 月 曰 案號 89119196 六、申請專利範圍 ίϋ專利範圊 執合ί m: 列漏波天線回波器，使用微帶-孔徑 (貝，~陣列建構而成，具有樊艾塔陣列 uan Atta array)回波. 括：兩層基板，由至少一種介=之”反；：’其包 隔； ；丨貝構成，中間以金屬面板相 一第一金屬微帶，縱向排列 陣列方式排列數個寬度不板之表π黃向以 帶之縱向長度至少大於半個：:v：/凡件對，5亥第一微 線之古/>、*、s π亚 、+们漏波杈波長，藉此能輻射微帶 、天’該第一微帶之橫向兩相鄰茂漏波 =間距亚：雙限固定’可依實際需要自由設計所4 回波仰角的天線間距； τ而之 -第二金屬微帶’排列於第二基板之表面，並且 共同，用該金屬面板當作接地面，藉此該第：：： :為準平面波之饋入波導及用以接連第一微帶的成對二 波天線之傳輸線； /¾ /属 -單洩漏波天線元件雙孔徑’係大致沿該第一微 轴配置在兩端點之邊緣，於肖兩層基板中間之金屬^縱 用以輕合雨層基板間之能量；藉此，雙端饋入的_ ，對回波器Η平面有著更寬廣的回波仰肖；且本發 广 的頻率非受限固定，可依實際需要依 法 專利 作頻率之回波器。 个冋工 2· $申請專利範圍第1項之平面式陣列洩漏波天線回 ，八中第一層與第二層基板之材料可選自下列群組之一 ·

   第17頁 12.31.017 486842 --------案號 89119196_年月日_修正___ 六、申請專利範圍 玻璃纖維、塑膠、陶瓷、鐵氟龍、半導體、氧化鋁、陶鐵 磁、電木、石中化鎵（GaAs)、蜂窩狀體（honeycomb)、 彈性低塑膠泡沫片（flexible low- loss plastic foam sheet)、熱硬化微波泡沐材料（Thermoset microwave foam material )、微纖維鐵氟隆膠右玻璃（microfiber Teflon giass laminate)、聚烯（p〇ly〇lefin)、聚四 鼠乙；^次潰玻璃布（PTEE impregnated glass cloth)、 本乙細共聚合體（cross-linked styrene copolymer)、 攙鈦聚苯乙烯（polystyrene with titania filler)、 烙石夕（fuzed silica)、陶磁聚四氟乙浠（ceramic一 loaded PTFE )、礬土（ Alumina )、藍寶石（Sapphire ) 等材料。 3·如申請專利範圍第2項之平面式陣列洩漏波天線回波器 ’其中第一層和第二層基板之大小至少須涵蓋其各自層面 之金屬微帶。 4·如申請專利範圍第1項之平面式陣列洩漏波天線回波器 ’其中弟一層基板上之金屬微帶為連接第一層基板上之成 對微帶沒漏波天線之傳輸信號線，其轉彎拐角處可為圓弧 、直角、切角方式等不規則形狀，目的僅在於信號之傳輪 連接線功能，並避免信號傳輸中損耗產生。 別 5·如申請專利範圍第4項之平面式陣列洩漏波天線回波器 ，其中第一層基板上之金屬微帶傳輪連接線雙端為 帶型式。 Μ 6·如申請專利範圍第4項之平面式陣列洩漏波天線回波器

   486842 案號 891191QR 六、申請專利範圍 厘其中第二層基板上之金屬微帶傳輸連接線，對應中間金 屬板上成對的兩洩漏波天線之同方向端，兩耦合孔徑中心 :,傳輸線的連接線長，比較另一成對洩漏波天線也以其 ^ =〜點的计异方式中傳輸線連接線長之差，為第二層 土反導波波長（guided wavelength )的整數倍。 ，· ： ： !青專：範圍第6項之平面式陣列洩漏波天線回波器 梯开;倏ί : Ϊ板之微帶傳輸連接線可以為矩形條帶狀、 為信號之镇入端。 戈其他曲線條帶型式；其雙端 8. 如申請專利範圍第6項之 ，其中第二層基板之每一微帶僂妒陣*列戌漏波天線回波器 洩漏波天線其相對應孔徑為接線上’“成對之兩 端點，別於連接兩成對孔===傳輸連接線兩末 段長度的傳輸線長，是為τ ~ =接線以外，尚有兩段一小 小、位置、形狀、長寬^等-^，基板間之耦合孔徑的大 線長寬度，和第一層：；二層基上之茂漏波天 而調配做為長寬度或形狀 ^ 厚度等差異性， 9. 如申請專利範圍第！』之又平化面的_；且，匹配段長度。 ，其中孔徑可為矩形、圓形、二'陣列洩漏波天線回波器 他不規則形狀，如啞鈐形、沙2形：多邊形、扇形及其 兩頭或一頭修飾為矩形、圓形、:7員結形、骨頭形，其 其他不規則形⑼，目的做為 田多邊形、扇形及 10. 如申請專利範圍第i項之用。 ，其中孔徑之你 、 式陣列茂漏波天繞 之位置可全部或部分為第一 n嫌t天線回波器

   第19頁 弟诸甲洩漏波天線所 ^«0842

   月 曰 修」 11·如申請專利範圍第i項之平面式陣m皮天線回波器 ^ 中位於第層與第二層基板夾層之金屬平面板，可以 弟一層基板做為支撐，位於第一層基板的下方面，或以第 二層基板做支撐，位於第二層基板的上方面，亦或單獨另 加金屬板，只要將此共地金屬面板位於兩層基板的中門 即可。 | 1 J 1 2 ·姓種平面式之陣列洩漏波天線回波器，其中該回波器 τ^構0括·中間以金屬面板相隔之兩層基板，其兩層基 版由至少一種介質構成； 料：Ϊ : ΐ屬微帶’縱向排列於第-基板之表®，該第- ，^ Ϊ此^ ί f天線之縱向長度需至少大於半個漏波模波 :丄⑼μ之高次茂漏模平面波；•向以陣列 Η平面的回波二/戌漏波線疋件對’以增加回波器 限固定且J广中陣列茂漏波天線元件個數並非受 ，原列上門^漏波天線的間距空隙亦非受限固定 、、i上間距越小可獲得回波器Ε平 ;間距越大則反之； 早乂見層之回波仰角 ΐ帶，排列於該第二基板之表面，並且盘第一厚 土板/、同使用該金屬面板當作共地 /、弟層 =為準平面波之饋入波導及連繫第一 ：;b;亥：二微帶可 天，，之信號能量傳輸連接線； 成對的洩漏波 一早洩漏波天線元件雙孔徑，係大致沿嗲 軸配置在兩端點之邊緣於該兩層基板=:微帶的縱 〜兔屬面上，用

   2001.12.31.020 IEH1 第20頁 486842 月 修正 曰 案號 89119196 六、申請專利範圍 以耦合兩基板間之能量；該方法包含下列步驟·· ，微波電磁入射信號被第一微帶之高次洩漏模天線 ，二能量經由兩夾層基板中間之平面金屬板内的孔徑， 合k號至第二微帶傳輸線並將信號連接傳導至另— 經由夾層中與之成對的洩漏波天線其下方另一孔徑，脾^ 號再耦合至第一微帶與之成對的另一洩漏波天線 再： 設計之高次洩漏模式將信號經由微帶天線輻射回去；、 描述為完成信號接收後再發射的回波步驟 上 漏波天線中，Η漏波天線若為接收天線在=兩茂 天線則為發射天線；當信號由成對的洩漏波天線之單^波 線所接收，後再經由成對之另一洩漏波天線發射回 ^ 的步驟，稱之為單方向的回波；藉此，本發明專利之去 陣列洩漏波天線回波器具備雙方向的回波特性，即在面 的兩洩漏波天線中，雖然信號被某一洩漏波天線接收，' ^ 再經由成對之另一洩漏波天線發射回波回去，而構成單唆 向回波，然而，本發明之平面陣列洩漏波天線回波器2方 對天線，其原接收天線亦設計是發射天線，且原發&天成 亦設計是接收天線，如此信號被原當成是發射天線的2 波天線接收，後再經由原當成接收天線的洩漏波天線發f 回波出去’故k號在回波為之傳遞輪射回波的過程中 卜 一洩漏波天線皆扮演著接收及發射信號的角色，故對作^ 有雙方向性的回波功能；另外本發明之平面陣列茂漏^歲 線回波器中位於第一金屬微帶上的每一洩漏波天線縱向天 雙端皆透過雙層基版中的金屬板内之孔徑來輕合^號，^

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