TW444312B - Method for classification of failure models and calculation of yield loss - Google Patents

Description

^ 44 3 1 2 S379twfi.doc/002 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（I ) 本發明是有關於一種將元件失敗模式分類的方法’且 持別是有閼於·種在半導體製程中’自動分類元件的失敗 授式並計算出紐.-種失敗模式造成的良率損失的方法。 在半導體製程屮，有許多因素影響製造出來的產品是 否可甲，因此在設計電路時，必須考慮配合生產完成後的 測試需求，預先加入測試點或測試結構，當晶圓製造完成 後，根據預定的測試項目進行電性測試，由測試的結果評 估在製程中吋能發生的問題。 收集與評估晶圓測試所得的數據資料是診斷生產線的 健全性以及鑑別製程失敗的關鍵性步驟，收集的資料包括 晶圓合格測試（wafer acceptance test, WAT)、缺陷數據、 每一區域的良率數據、每一個失敗模式的標準狀態。 習知是以人工方式逐一比對每一個測試的結果，藉以 區分出其失敗模式，以人工比對的方式，存在一些缺點， 第一是人工比對需要耗費相當長的時間，再者使用人工比 對容易因爲人爲疏忽而造成誤差。習知並沒有任何一種數 學方式可用來分類失敗模式，更無法將失敗模式與良率損 失作連結= 因此，本發明提供一種將失敗模式分類且計算良率損 失的方法，經過電性測試的分析，不僅自動找出失敗模式 的種類’對應找到有問題的製程，還可以透過此分析結果 計算出良率損失，使操作人員可以根據最大良率損失的失 敗模式進ί了除錯（debug )。 本發明提出一種將失敗模式分類且計算良率損失的方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱） 1111 - I I I I---- - I - I--I I 一6J·11111111 (請t閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 4443 1 2 5379twfl.doc/002 A7 ____ B7 五、發明說明（>) 法’以TSLY偵測方法將出現於元件上的軟錯誤歸類爲]9 個失敗模式，其中TSLY的偵測方法包括兩階段，分別取 得每片晶圓在19個測試項目中個別的良率損失，每一 片晶圓在第·階段與第階段分別可以找出一個具有最大 値的測試項目，套入運算式即可算出每一個測試項目（失 敗模式）對於整批產品的良率損失貢獻量。 另外，本發明提出一種將失敗模式分類且計算良率損 失的方法，以CPR的偵測方法將出現在元件上的硬錯誤分 成17個測試項目（失敗模式），分別計算每一個測試項目 在晶方上出現的數量Clll；m，並計算每一個測試項目在晶圓 h出現的總數S，降晶方上出現的數量除以在晶圓上出現 的總數，每一個晶方有17個數據，取具有最大値（Cllem/S)mux 的失敗模式，將其標示爲該晶方的失敗主因，以此找出所 有晶方的失敗主因，計算每一種失敗模式出現的次數與出 現錯誤晶方的數量。對晶圓進行測試可得一良率損失値 Ylinill，將取得數據帶入運算式以計算出每一個測試項目對 晶圓的良率損失貢獻量，因此每一片晶圓都可以算出Π 個測試項目的良率損失貢獻。 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂’ 下夂特舉-較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 F : 圖式之簡單說明： 第1圖繪示依照本發明一較佳實施例，偵測軟錯誤各 項目良率損失的步驟流程圖，以及 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----- 蟓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5373twfl .doc/ 002 A7 B7 五、發明說明（多） 第2圖繪示依照木發明一較佳實施例，偵測應錯誤各 _ 测試項目的位率損失之步驟流程圖。 實施例 一般而百，冗件的失敗可分爲兩種，一爲硬錯誤（h a r d f a l 1 )，一爲軟錯誤（s o f t f a 11)。硬錯誤與軟錯誤的差異 在於發生硬錯誤的兀件大多無法修復，且錯誤的發生與時 間無關，通常在…加入電流進行測試時，就可以知道元件 是否失效，此種元件的失效即稱爲”硬錯誤”；而軟錯誤的 發生通常與時間有關，在迪入電流進行電性測試時，元件 -'開始是正常無誤的，經過一段時間以後就失效，此種元 件的失效即稱爲”軟錯誤”。 TSLY爲一種偵測軟錯誤的程序名稱，包括有許多個測 試項目（items)，整個測試過程分爲兩段，第一階段稱爲 Yb_S4,包括部分測試項目，名稱包括HiVcdOFLiaPSTl、 LPSTC、VBUMP···等。第二階段稱爲Yb_S3，包括其他項測 試項目，名稱包括 3VFTRP、BLC、FCELBL、HIAWBI、HVPL、 LPVL、RETE卜RETE3、TRCDSC.·.·等，每一個測試項目可 以大略指向某些製程或結構，測試有反應，即表示該些製 程或結構出現問題，比如3VFTRP測試出現反應，表示第 一層金屬層（Ml)或第二層金屬層（M2)的蝕刻製程可能出現 問題，測試完後電腦可以顯示出一個失敗區域統計 (failure region c〇uni, FRC)的結果。 以一整片晶圓爲例，假設其上具有400個晶方或晶片 (d 1 e 〇 i_ ch 丨 p)，分別標示爲 Ci、C2、C ;、......、C_，每 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ·1 i I 1 * I 1« I n I n n I (請先閲讀贵面之注意事項再填寫本頁) 4443 1 2 5379twfl.doc/002 A7 _ — B7 五、發明說明（if) -個晶方爲64Mbil，乂區分爲1024個區域（region)，分 別標示爲R!、R2、R3、.......、RH,24。進行電性測試時，區 域中的任何一點出現錯誤，結果都會將整個區域標示爲失 敗’因此每一個晶方均會取得一個數値，顯示在此晶方上 打多少個失敗區域，最多會出現1024個失敗的區域。對 一片晶圓做電性測試，會讀取到每個晶方的數據，每一個 數據分別顯示各個晶方上失敗區域的數量= 在進行軟錯誤的偵測時，每一片晶圓都可分別得到全 部每一個測試項目的失敗區域統計數量，並由此算出每·· 個測試項目的良率損失値，其良率損失値即爲測試項目的 失敗區域統計數量除以所有的區域數量。 其中要注意的是，測試項目數量並不固定，根據製程 與可能產生錯誤的種類有所變動，測試項目越多，則對製 程或兀件錯誤項目的分類就越詳細。比如，第一階段Yb_S4 包括6個測試項目，因此可以得到6個數値，將其中具有 最大値的測試項目標示爲第一階段測試中造成晶方失效的 七要因素，其數値即爲第一階段測試的最大良率損失；同 樣的，對於第二階段的13個測試項目，也可以找出一個 具有良率損失最大値的測試項目，是造成晶方失效的主要 因素，其數値即爲第二階段測試的最大良率損失。 對於每一片晶圓來說，均可在Yb_S4階段可以取得一 個最大良率損失的測試項目以及其良率損失値，也可在 Yb-S3階段取得一個最大良率損失的測試項目，以及其良 率損失的數値。例如，標號爲I的晶圓在Yb-S4階段造成 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 {請先閲讀't面之注意事項再填寫本頁) .—------訂·------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 44 3 1 2 5379twfl.doc./002 Α7 Β7 五、發明說明（Γ) 乇耍良率損失的測試項Η爲HiVcc·良率損失爲h，在Yb_S3 階段造成主要良率損失的測試項目爲RETE3 ’良率損失爲 h;;標號爲心的晶圓在Yb_S4階段造或主要良率損失的測 試项11择LPST丨 '良率損失爲在Yb_S3階段造成主要 良率損失的測試項目爲LVPL，良率損失爲b2 ;以此類推， 對每-片晶圓都可以得到在兩個階段中造成主要良率損失 的測試項Θ，與該晶圓的良率損失百分比。 在三天的時間內，生產線可以製作出1〇〇個批次（lot) 的晶圓，每一個批次有25片晶圓’因此三天總共可生產 出2500片晶圓，每一片晶圓均會進行測試，以取得在兩 個階段中造成主要良率損失的測試項目’與該晶圓的良率 损失百分比' 經過統計，可以知道有幾片晶圓的主要良率損失爲 HiVcc，其個別晶片的良率數値爲何’有多少片晶圓的主 要良率損失在LPST1，以此類推’找出所有晶圓的主要良 率損失與其對應的良率損失値。接著便是將取得的數據轉 換成整批產品的良率損失，比如在一段時間內共生產了 N 片晶圓，其中在第一階段Yb_S4中’有η片晶圓主要的失 敗模式在於某個測試項目，因此對於整批晶圓而言，該測 試項㈡造成的良率損失爲 Y u)、！ / m 二 ^ χ 請,'呀吨η + 兄 + …] = (1) 其中η爲具有相同失敗模式的晶圓數量，N爲所有的 晶圓數量，y 1、y 1、.......、y η爲η片晶圓具有相同測試項 7 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 裝！ —II 訂 ------ί^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4443 1 2 5379twfl.doc/002 A7 B7 五、發明說明（匕） 目的良Φ損失値 請參照第]圖，其繪示爲依照本發明計算軟錯誤的各 種失敗模式的良率失的步驟流程圖。在步驟2 10中，對 每一片晶圖進行兩個階段TSLY的軟錯誤測試，第一階段 Yb_S4，第二階段Yb_S3，兩個階段在晶片中持續的時間並 不相同。 在步驟220中，分別取得兩階段各個測試項目的失敗 區域統計數量，失敗區域統計數量除以晶圓上所有區域的 數量，就是該項測試項目的良率損失値，每一片晶圓在第 -·階段可取得6個數據，在第二階段得到13個數據。 在步驟230中，分別取得每一片晶圓在第…階段的最 人-値與其對應之測試項目，以及在第二階段的最大値與對 應的測試項目。 在步驟240中，將具有相同失敗模式的晶圓數量、其 良率損失値與所有晶圓數量帶入運算式（1)中，藉以算出 每一個測試項目，也就是在整批晶圓中，每一種失敗模式 造成的良率損失値。 對每一個生產週期（如上述的三天或一週）來說’每一 個測試項目均可以算出一個良率損失値，將每個生產週期 的測試項目互相比對，比如拿此週期的HiVcc對整批晶圓 造成的良率損失與前一週期的HiVcc造成的良率損失相 比，就可以知道在HiVcc這個測試項目中，製程狀況是變 得較好還是變得較差，如果總良率損失的數値呈現增加的 狀態，表示HiVcc指向的製程出現問題’需要加以改善 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！_ 訂--------- 444312 5 3 7 9 t w f 1 , d 〇 c / 0 0 2 A7 _ B7 五、發明說明（/)) 如果良率損失彼此之間的差異不大，則表示製程穩定，可 (請先閱缋嘴面之注意ί項再填寫本頁) J彳、'11考慮到改善或進一步檢驗H i Vc c這個測試項目指向 的製程。 ιΤι]對爭一個生產週期來說，可以比對每一個測試項B 之間的良率損失，假設LPST1造成的良率損失高於HiVcc， 表示LPST1這個測試項目指向的製程造成的問題較tHVcc 指向的製程造成的問題大，因此LPST1指向的製程產生的 問題是比較迫切需要解決的。 因此，本發明提供的軟錯誤檢測與計算方式，不僅可 以計算出製程的良率損失，且可以進一步的找出造成產品 主要良率損失的原因，以及每一個原因或製程造成的影響 度，以提供-個改善產品的指標，且利用運算式找出造成 良率損失的因素，可以大幅縮減以人工分辨圖譜尋找問題 所耗費的時間.： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，將軟錯誤的偵測項目（失敗模式）與良率損失作 連結，可以分析所有的晶圓，進一步計算出每一片晶圓在 整批產品中的良率損失貢獻量。而且，所以運算均由電腦 進行，操作者僅需要輸入測試項目的名稱，就可以得到在 該測試項目中，每批產品或所有晶圓具有的良率損失貢獻 量。 而在硬錯誤的偵測方面，主要包括以直流電測試或針 對產品的功能做測試兩種方法，分別可取得兩個良率損失 的値，以直流電測試取得的良率損失稱爲Yd。，以功能性 测試取得的良率損失稱爲YA。 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 443 1 2 5379twfl.d〇c/002 A7 B7 五、發明說明（g) 比如製秤完成後，電腦會對晶圓進行直流電測試，測 試結果?^出現一個晶圓圖譜並計算出良率損失的値Y J〆 在測試過程屮，會得到晶圓圖譜，晶圚圖譜可以分別標示 品_ L·的每-個品方是合格（pass)或是失敗（faH)的狀態 以及饨听在位置，而功能性測試則針對通過直流電测試的 經方進行測試，也就是僅針對晶圓圖譜上標示合格的晶方 進行功能性的測試，進一步取得其良率損失値YA。 對製程來說，造成製程良率損失主要來自於晶方出現 錯誤，由於本發明的目的在於計算出每一個失敗楔式對總 良率損失的貢獻量，因此本發明在進行電性測試之後，取 得良率損失的數値Yd。與晶圓圖譜以後，僅對出現錯誤的 晶方加以計算，使失敗模式與良率損失連上關係。 C PR ( C1 a s s i f y p a t t e r n r e c 〇 g n i 11 ο η )是一種偵測硬 錯誤的程式名稱，比如對64Μ位元組（byte)的每一個晶 方（chip)進行測試，每一片晶方有可以區分爲A個區域， 通常爲1024個，每一個區域（single cell)中的任何一個 部分出現問題，就認定此…單元失敗。1024個區域彼此之 間具有方向關聯性，首先將此1024區域的失敗模式區分 成17個參數，比如一次一個區域失敗，稱爲單一區域 (single cell)的失敗，一次有兩個相鄰的區域失敗的話， 稱爲雙位疋（t w i n b i t )或對（p a i 1· e d )的失敗，直的方向有 連續四個區域失敗的話，稱爲位元線lM(bit line 1-mega) 的失敗，橫的方向的失敗則稱爲字元線（word 1 me)的失 敗....等總共有17種不同種類的失敗模式。這些17個測 I 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------Μ 4443 1 2 5379twfl . doc / 002 A7 B7 五、發明說明（？） (請先閲讀-f面之注意事項再填寫本頁) 試項目的名稱）j、別爲 BL16M、BL1Μ、BL2M、BLK16M、BLK U1、 BLK2M、BLK4M、BLK8M、MDQ16、MDQ32、NO DATA、PAIRED、 SINGLE 、 TOTAL ' UNKNOWN 、 WL 、 WLSHT 等。 _/i:進ί」：CPR的測試時，對每一個晶方而言，均可同時 取得17個測試項ΰ的資料；而對於其中每一個測試項目 來說，-片晶圓切割成多少個晶方，就有多少個測試結果。 在做硬錯誤的測試時，是將每一個晶方分成1024個區域， 當晶方上出現任何一種錯誤時，N〇 DATA的數値便會呈現 0，連續四個區域（1M)的錯誤出現多時，單一區域（SINGLE) 的錯誤便會少，將晶圓上每一個晶方讀取到測試項目的數 量相加起來，即可得到每一個測試項目的錯誤在這一片晶 圖出現多少次。 由於晶方分爲1024區，如果交錯出現SINGLE的錯誤， 讀取數値爲512，如果全部出現PAIRED的錯誤，則讀取 數値爲256，而如果全部都出現1M的錯誤，則讀取的數値 1 1 2 8，因此如果僅用每一個測試項目取得的加總數據（s u m) 作判斷，將會出現每一片晶圓的主要錯誤（取最大値）均爲 SINGLE的不正確判斷結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，爲了顯現正確的狀況，在取得17個測試項目的 測試結果以後，將同一片晶圖每一晶方出現的錯誤種類分 別加總起來，第一個測試項目的加總値標示爲S,，第二個 標示爲S2，以此類推，至第17個測試項目標示爲SI7。 第一個測試項目的失敗模式出現在第一個錯誤的晶方 丨·.的數量表示!i CI,，第二個測試項目的失敗模式出現的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 4443 1 2 5379twfl.doc/002 A7 B7 五、發明說明（θ ) 數童表示爲Cl^第17個測試項目出現的數量表示爲Cl p ; 第一.片晶方上在第一個測試項目出現錯誤則表示爲Cl， 第個測試項目出現錯誤的數量表示爲C22，第17個測試 项I」出現的數M;表示爲〔'2|7依此類推，可得到每一個晶方 在每·個测試項冃出現錯誤的數量。 將第一個晶方取得的17個測試項目的數値分別除以晶 圓上測試项□出現的總値，C1J S,、Cl2/ S2、....、Cll7/ sl7，自其中尋得-個最大値，該測試項目指向的失敗模式 就是造成第一個產生錯誤的晶方其失敗的最主要因素，以 此方法依序可尋得每一個晶方失敗的主要因素，也就是最 大的失敗模式到底在何處，而且經過統計，就可以知道在 '片晶圓出現錯誤的晶方中，每一個測試項自出現的次 數。 將每一個失敗模式對晶圓失敗的影響比例，乘以進行 測試取得的總良率損失YU1U|I，即可得到每一個測試項目 對晶圓良率損失的個別貢獻量，其公式表示爲 (2) 其中Yu,μ爲整片晶圓的總良率損失，由直流電測試 得到的値可表示爲Υ&，而由功能性測試得到的値可表示 铎Υ.、； f爲晶圓上主要失敗於某個測試項目的晶方數量； F則爲晶圓上所有失敗的晶方數量。 請參照第2圖，其繪示爲依照本發明計算硬錯誤的各 種失敗模式的良率損失的步驟流程圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------ 訂---------^ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 44 3 ] 2 A7 B7 五、發明說明（i| ) ή:步驟3ϋ8中，對所有的晶圓進行良率損失的測試， 巧:品圓灼有____-個良率損失値Yluui，測試包括直流電 測試與功能性·試兩種，其良率損失可進一步以Yik與γΑ +Γ「_步驟310中，對每一片晶圓進行CTR的測試，其中 CPR測試包括17種測試項Η ’也可以稱爲有17種失敗模 式 在步驟312中，找出第一片晶圓中出現錯誤的晶方數 量F以及其位置，計算每一個測試項目（失敗模式）在第一 個出現錯誤的晶方上出現的次數C,, 。 在步驟314中，計算每一個測試項目（失敗模式）在第 一片晶圓上出現的的總次數S，其中晶圓包括許多晶方’ 而晶方更進一步區分爲許多區域（reg 1 on )，總次數S係爲 出現生切；·個晶方上的失敗模式數量的加總。 在步驟第316中，由於每一個測試項目均有一個C1UM„ 値與S値，在CPR測試中可以得到17個數據，取其中具 有最大値（CiU.m/S)_的測試項目，其所指的失敗模式就是 造咴第一個晶方失敗的主要因素。 因此，在步驟第318中，將具有最大値的（C,tem/S)„la、 之測試項目標不爲第一個錯誤晶方失敗的主因° 在步驟320中，重複步驟312至318，直到將第一片 晶圓1:所有灾敗的晶方標示出其失敗模式，由於第一片晶 圓上有F個錯誤晶方，因此步驟312-318將會重複進行F 次。 ]3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (諳λ·閲讀臂面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂 ---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4443 1 2 5379twfl . doc/002 A7 B7 五、發明說明（丨>) /h步驟322中，進-步統計出每個失敗模式出現的次 數f，將f、F、Yl<mil帶入運算式（2)中，繼而計算出每一 個失敗模式對笫一片晶圓的良率損失貢獻量。 在步驟324屮，重複步驟312-322，直到對整批晶回 產品做；分析。 以上述方法進行硬錯誤的分析時，每一片晶圓均會得 到17個測試項目對良率損失的個別貢獻量，因此對整批 晶圓而言，也可以進一步算出17個測試項目對整批晶圓 產品的良率損失貢獻量，而歸納在製程中哪一種失敗模式 造成較大的影響，需要改進製程。 在分析硬錯誤時，每一片晶圓以及每一批次的產品都 可用上述方法進行分析，以檢驗製程需改進的問題及製程 的品質，分析的數量相當龐大，利用本發明提供之方法可 以自動進行龐大數量的分析。 此外，因爲硬錯誤的分析方法仔細到計算每一個晶方 出現錯誤區域的數量，因此不僅可以進行晶圓與晶圓，或 批次與批次之間的比對，更可縮小到同一片晶圓上晶方與 品方之間的比對，而找出錯誤晶方之間的差異點，有助於 進行批次分析。因此，除了檢驗每一片晶圓上晶方的品質 以外，還可將每片晶圓每塊晶方的數據收集統計，以得到 整體製程的良率曲線圖，找出製程異常的晶圓或步驟。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 本紙張尺度適用中舀國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂-----

Claims (1)

1. 經濟部智慈財產局員工消費合作杜印製 4 44 3 1 2 A8 5379twfl.doc/002 B8 六、申請專利範圍 1 . 一種將失敗模式分類並計算良率損失的方法，包 栝F列步驟： 提供一批次之晶圓，其中包括N片晶圓，每一晶圓包 拈複數倘品/j，而每一該些晶方更進一步包括複數個區 域； 進行一軟錯誤偵測，其中包括複數個測試項目，每---該些測試項目分別對應至一失敗模式； 分別取得在該每一晶圓上一失敗區域統計數量； 將具有最大失敗區域統計數量之失敗模式表示爲該對 應之晶圓之一主要失敗因素與一良率損失値；以及 統計具有相同失敗模式之晶圓數量、以及該些晶圓之 良率損失値帶入運算式，藉以求出每·該些失敗模式對該 批次之晶圓造成之良率損失値，運算式爲 Y I 〇>! / , ! cm = ^ x averagely, +y2+···· ] 其中Π爲具有相同失敗模式的晶圓數量，Ν爲晶圓總 數，y,、心、……、y„爲η片晶圓在該項測試項目的個別 良率損失値。 2 .如申請專利範圍第1項所述之將失敗模式分類並計 算良率損失的方法，其中該軟錯誤偵測分爲兩階段。 3. 如屮請專利範圍第2項所述之將失敗模式分類並計 算应率損失的方法，其中該軟錯誤偵測包括19個偵測項 S，其中第·階段包括6個偵測項目，第二階段包括13 個偵測項Η。 4. 如申請專利範圍第1項所述之將失敗模式分類並計 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> ---.-------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4443 12 Λ8 5379tWfl.doc/002 BS DS 申請專利範圍 算良率損失的方法，其中一·失敗模式出現的比例値係由一 晶圖h該失敗模式出現區域的總數除以該晶圓上區域總數 5. ·種將失敗模式分類並計算良率損失的方法，包括 下列步驟： 提供·晶圓，包括複數個晶方，每一該些晶方更包括 複數個區域； 對該晶圓進行偵測以取得-良率損失値Ytt,Ull ; 進行·硬錯誤分析，其中包括複數個測試項目，每一 該些測試項目分別對應至一失敗模式； 找出造成每一該些晶方錯誤之主要失敗模式：以及 利用…運算式計算出每一該些失敗模式對該晶圓的良 率損失貢獻量，該運算式爲： ^ 1 I! > I / ί S L'l：l ~Ύ 1 0 lu | X f ^ Ρ 其中f爲每一該些失敗模式爲主要失敗模式之晶方數 量，F爲出現錯誤之晶方總數，Ytcltill爲該晶圓之良率損 失値，Yu,«爲每一該些失敗模式之良率損失貢獻量。 6. 如屮請專利範圍第5項所述之將失敗模式分類並計 算良率損失的方法，其中該硬錯誤分析包括17個測試項 目。 7. 如申請專利範圍第5項所述之將失敗模式分類並計 算员率損失的方法，其中找出造成每一該些晶方錯誤之主 要失敗模式的步驟更進一步包括下列步驟： 計算每一該些測試項目在該晶圓之一晶方上出現之數 1 (ί 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------鱗 4 443 1 2 53^9twfl .doc/OO 六、申請專利範圍 1： Cn，其中nem表示每一該測試項冃； 統計每·該些測試項目在該晶圓上該些區域出現之總 敷量Si,。,，；以及 ，算每…該此測試項目之（CllL：m / S:I;：TI)，並取其最大 随（C ..,,./ Sm).u，此即爲主要失敗模式： 如申請專利範阐第5項所述之將失敗模式分類並計 算良率損失的方…其中對該晶圓進行偵測以取得一良率 損失値之步驟包括對晶圓進行一直流電測試與進行一功能 性泯試·' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I --------訂---------M 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21ϋ X 297公釐）