TW426881B - Method of defining pattern - Google Patents
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42688 t 五、發明說明(3) 如果只用 成圖案,則因 有所差距。所 小的第二曝光 的圖案更為接 光阻層之 臨界曝光量時 光製程要定義 於臨界曝光量 二曝光量要小 補償圖案 運算是依據實 腦輔助軟體處 外,因為第二 必要受限於設 本發明之 圖案的圖案。 可以容易的經 的簡單化,所 成本將能獲得 為使本發 下文特舉一較 下: 次曝光製程以及顯影製程於光阻層上形 ,光阻層上的圖案會與原始圖案 次曝光製程,以補償光罩以及較 層上的圖案做修飾,使光阻層上 為繞射效應 以加上第二 量來對光阻 近原始圖案 特性中含有 ,該光阻層 出一個大概 。而第二曝 於臨界曝光 是根據原始 驗的結杲去 理,所以可 曝光量小於 計規範,可 優點在可以 而且,補償 由電腦輔助 以原始光罩 有效的控制 明之上述目 佳實施例, 圖式之簡單說明:
臨界曝光量,當曝光量大於該 才會改其化 的圖案,所 光製程是用 量。 圖案經由邏 制定,而且 以很快的產 臨界曝光量 以隨需求而 於光阻層上 圖案並不必 軟體而獲得 與補償光罩 〇 的、特徵和 並配合所附 學性質。因為第一曝 以第一曝光量必須大 來微調圖案,所以第 輯運算而產生。邏輯 原始圖案可以經甴電 生補償圖案。除此之 ,所以補償圖案並不 設計的比較簡潔。 產生一個接近於原始 要受限於設計規範, 。相對的,因為圖案 的製作會更為迅速, 優點能更明顯易懂, 圖式,作詳細說明如
障’對光阻層進行曝光。而於第一次曝光以及第二次曝光 後’進行一顯影製程,以去除部分之光阻層,使光阻層形 成近似於原始圖案之圖案。
五、微州 ~ 本發明係有關於一種定義圖案的方法,尤指—種能使 一光罩的圓案更清楚的定義於一光阻層上的方法。 微影製程是半導體製程中經常使用的製程,用來在— 半導體晶片的光阻層上定義出希望的圖案,以便將 g u ± T- r- T 等體 B曰片表面區別出不同的區域,做不同的處理。如第i圖所 示’圖案事先形成在光罩上,微影製程的目的就是將光罩 上的圖案盡可能的重現於光阻層上。 然而’隨著半導體製程的演進,光罩上的圖案也變的 越來越小’一但光罩上之圖案的寬度接近於微影製程時的 光源波長時’光源的繞射效應便會影響到光阻層上圖牵、 形狀。如第2圖所示’第2圖為光罩上圖案11與相對應’、的 阻上圖案1 3之示意圖。因為繞射效應,所以光限^…之光 於光罩上尖角的部分會變的圓鈍’形成了 一個與上相對 案11截然不同的圖案13。 ”光罩上圖 一種防止產生不希望的圖案之方法稱為微調 法(〇 p t i c a 1 p r ο X i m i t y c 〇 r r e c t i ο η,〇 p C)。如 * 學補償 示’第3圖為微調光學補償法所產生的光罩圖第3圖所 應之光阻上圖案1 7之示意圖。微調光學補償法、1 5與相對 經驗值、或者是電腦輔助軟體,去調、利用實驗的 譬如第3圖上於光軍圖案上尖角處^的圖案/ 顯影後的光阻層圖案1 7能更接近所希望圖^ °以使曝先 圖的光阻層上的圖案就更接近原始希的案,譬如第3 請參閱第4圖以及第5圖’第4圖為罩形。 圖為第4圖經OPC調整後之光罩上的圍·安 的圖素,第5 但是,的方
426Q8 7 五、發明說明¢4) 第1圖為一微影製程的示意圖; 第2圖為光罩上圖案與相對應之光阻上圖案之示意 圖; 第3圖為第2圖經微調光學補償法所產生的光罩圖案 與相對應之光阻上圖案之示意圖; 第4圖為光罩上的圖案; 第5圖為第4圖經OPC調整後之光覃上的圖案; 第6圖為依據本發明之原始圖案; 第7圖為依據第6圖之原始圖案所產生之補償圖案; 第8圖為第7圖之補償圖案與第6圖之原始圖案之位置 關係圖; 第9圖為依據第6圖之原始圖案所產生之另一種補償圖 案;以及 第10圖為第9圖之補償圖案與第6圖之原始圖案之位置 關係圖; 符號說明: 1 0原始圖案1 2、1 4補償圖案 實施例: 本發明提出一種定義圖案的方法,用於將一原始光罩 (original mask)上的原始圖案轉移至一半導體晶片之光 阻層。如第6圖所示,第6圖為依據本發明之原始圖案。原 始圖案1 0是根據電路需求並且依照設計規範而產生。 請參閱第7圖與第8圖所示,第7圖為依據第6圖之原始
4、81 五、發明說^^ — 囷宏 圖之2產生之補償圖案,第8圖為第7圖之補償圖案與第6 圖案^始圖案之位置關係圖。本發明之方法首先依據原始 據補俨行一邏輯運算’以產生一補償圖案12。接著依 償圖案12 ,製作一補償光罩(supplementary 。 補償圖案12是根據原始圖案10經由邏輯運算而產生。 安邏輯運算是依據實驗的結果去制定,用來補償原始圖 ^在光阻層上的變形。而且原始圖案可以經由電腦輔助 乂體處理,所以可以报快的產生補償圖案。譬如原始圖案 0中的尖角處是最容易於微影製程中變形的區域,所以補 償圖案12主要部分便是包含了尖角處,來補償尖角處在 阻層上的變形。 然後進行第一以及第二曝光製程。第一曝光製程是以 一第一曝光量’以原始光罩為屏障,對光阻層進行曝光。 第一曝光製程用以定義光阻層上的主要圖案,所以第 一曝光量必須大於光阻層的臨界曝光量,才能使光阻層才 會改變化學性質。 第二曝光製程以一較第一曝光量少之第二曝光量,以 補償光罩為屏障,對光阻層進行曝光。第二曝光製程只希 望影響到光阻層相對於原始圖案的邊緣地帶,也就是說, 第二曝光製程只做補償以及微調的工作,所以第二曝光量 必須少於第一曝光量,而且最好是低於臨界曝光量,才不 會影響整個的光阻層圖案的形成。 最後,於第一次曝光以及第二次曝光後,進行一顯影 製程,以去除部分之光阻層,使光阻層形成近似於原始圖
1HI 42SQ8 / 五、發明說明¢6) 案1 0之圖案。 如果只用第一次曝光製程以及顯影製程於光阻層上形 成圖案,則因為繞射效應,光阻層上的圖案會與原始圖案 有所差距°所以加上第二次曝光製程,以補償光罩以及較 小的第二曝光量來對光阻層上的圖案做修飾,使光阻層上 的圖案更為接近原始圖案。 因為第二曝光量小於臨界曝光量,補償圖案不必要受 限於設計規範,可以隨需求而設計的比較簡潔。所以補償 圖案中的圖案可以晝的很近、很密,也可以橫跨於原始圖 案沒有定義的區域。最重要的是要根據實驗的結果定義出 一套邏輯運算,然後電腦輔助軟體便可以產生補償圖案。 因為原始圖案1 0並沒有做任何的細部修改,而且補償 圖案1 2也可以隨需求而設計的比較簡潔,所以原始光罩與 補償光罩都可以很容易的製造出來,並不會於使製造光罩 的過程浪費太多的時間,可以有效的控制成本。 補償圖案並不設限於一定的畫法,晝法主要依據是實 驗的結果以及用來判斷的邏輯運算。如第9圖以及第10圖 所示,第9圖為依據第6圖之原始圖案所產生之另一種補償 圖案14,而第10圖為第9圖之補償圖案與第6圖之原始圖案 之位置關係圖。雖然補償圖案1 2、1 4有顯著的不同,但是 補償圖案12、14的目的都是一樣的,都是對光阻層上的圖 案做修飾。 相較於習知的定義圖案方法,本發明之定義圖案方法 是以兩次曝光製程來定義光阻層上的圖案,第一曝光製程
4^βββ 7_ 五、發明說明(7) 將原始圖案大致的定義於光阻層上,第二曝光製程以補償 圖案對光阻層做修飾,所以可以於光阻層上產生一個接近 於原始圖案的圖案。而且,補償圖案並不必要受限於設計 規範,可以容易的經由電腦辅助軟體而獲得。相對的,因 為圖案的簡單化,所以原始光罩與補償光罩的製作會更為 迅速,成本將能獲得有效的控制。 本發明雖以一較佳實施例揭露如上,然其並非用以限 定本發明,任何熟習此項技藝者,在不脫離本發明之精神 和範圍内,當可做些許的更動與潤飾,因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第10頁
Claims (1)
- ^26881 六、申請專利範圍 1. 一種定義圖案的方法,適用於將一原始光罩上的原 始圖案轉移至一光阻層,該方法包含有下列步驟: 依據該原始圖案,進行一邏輯運算,以產生一補償圖 案; 依據該補償圖案製作一補償光罩; 以一第一曝光量,以該原始光罩為屏障,對該光阻層 進行第一曝光製程; 以一較該第一曝光量少之第二曝光量,以該補償光罩 為屏障,對該光阻層進行第二曝光製程;以及 於該第一次曝光以及第二次曝光後,進行一顯影製 程,以去除部分之該光阻層,使該光阻層形成近似於該原 始圖案之圖案。 2. 如專利申請範圍第1項之方法,其中該光阻層之特 性中含有一臨界曝光量,當曝光量大於該臨界曝光量時, 該光阻層才會改其化學性質,而該第一曝光量係大於該臨 界曝光量。 3. 如專利申請範圍第2項之方法,其中該第二曝光量 係小於該臨界曝光量。 4. 如專利申請範圍第1項之方法,其中該光阻層係設 於一半導體晶片上。第11頁
Priority Applications (1)
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TW426881B true TW426881B (en) | 2001-03-21 |
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Family Applications (1)
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TW88117651A TW426881B (en) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | Method of defining pattern |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113655687A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 获取光掩模的补偿掩膜的方法、曝光方法及曝光系统 |
-
1999
- 1999-10-13 TW TW88117651A patent/TW426881B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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