TW202410689A

TW202410689A - 電相位偵測自動對焦

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Publication number: TW202410689A
Application number: TW112120792A
Authority: TW
Inventors: 鄭榮友; 熊志偉; 文生凡尼賈; 志強林; 李相柱
Original assignee: 美商豪威科技股份有限公司
Priority date: 2022-08-23
Filing date: 2023-06-05
Publication date: 2024-03-01

Abstract

本發明係關於電相位偵測自動對焦。在一個實施例中，一影像感測器包含以安置在一半導體材料中之一像素陣列之列及行配置之複數個像素。各像素包含複數個光電二極體，該複數個光電二極體經組態以接收通過該半導體材料之一照明表面之入射光。該複數個像素包含至少一個自動對焦相位偵測(PDAF)像素，該像素具有：無光屏蔽之一第一子像素及無該光屏蔽之一第二子像素。該影像感測器之自動對焦至少部分地基於該第一子像素及該第二子像素之不同電輸出來判定。

Description

電相位偵測自動對焦

本發明大體上係關於影像感測器之設計，且特定言之，係關於使用電相位偵測來改良其自動對焦之影像感測器。

影像感測器已經變得無處不在。其等廣泛用於數位靜態相機、蜂巢電話、保全相機以及醫療、汽車及其他應用中。用於製造影像感測器之技術持續快速發展。例如，對更高影像感測器解析度及更低功耗之需求促使影像感測器進一步小型化且整合至數位裝置中。

在一些應用中，影像感測器之自動對焦依賴於參與相位偵測自動對焦(PDAF)之專用像素群組。已知，可藉由對照射在像素之光電二極體上之光的一差動屏蔽來達成自動對焦。即，選擇光電二極體(PD)使用光屏蔽結構來屏蔽光，而其等相鄰PD缺乏光屏蔽結構，從而導致作為PDAF之一基礎之一不均勻照明。接著，比較鄰近光電二極體(經光學屏蔽及未經光學屏蔽)之數位輸出以執行自動對焦。

然而，此等差動屏蔽結構之製造受程序變化之影響。實際上，一半屏蔽像素難以製造，可導致缺陷，需要最佳化，在中心/邊緣像素之間產生差異等。因此，仍然需要能夠提供改良之自動對焦同時限制程序變化之系統及方法。

揭示影像感測器，且特定言之，具有微透鏡之影像感測器，該等微透鏡經配置以改良影像感測器之解析度及自動對焦。在以下描述中，闡述許多特定細節以提供對實施例之透徹理解。然而，熟習此項技術者應認識到，可在無需運用該等特定細節之一或多者之情況下或可運用其他方法、組件、材料等等實踐本文描述之技術。在其他例項中，未展示或詳細描述熟知之結構、材料或操作以便避免使某些態樣模糊不清。

貫穿本說明書對「一個實例」或「一個實施例」之引用意指結合實例描述之一特定特徵、結構或特性包含在本發明之至少一個實例中。因此，在貫穿本說明書之各種位置中出現片語「在一個實例中」或「一個實施例」不一定係指同一實施例。此外，特定特徵、結構或特性可以任何合適之方式組合於一或多個實施例中。

為了便於描述，空間相對術語，例如「下面」、「下方」、「下」、「之下」、「上方」、「上」及其類似者可在本文中用於便於描述一個元件或特徵相對於另一(些)元件或特徵之關係，如圖中所繪示。應理解，空間相對術語旨在涵蓋裝置在使用或操作中除圖中描繪之定向之外之不同定向。舉例而言，若圖中之裝置翻轉，則描述為在其他元件或特徵「下方」或「下面」或「之下」之元件將定向成在其他元件或特徵「上方」。因此，示範性術語「下面」或「之下」可涵蓋上方及下方之一定向兩者。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文使用之空間相對描述詞可相應地進行解譯。另外，亦將理解，當一層被稱為在兩個層「之間」時，其可為兩層之間的唯一層，或亦可存在一或多個中介層。

根據前文，應瞭解，本文已出於闡釋目的描述本技術之特定實施例，但可在不脫離本發明之情況下進行各種修改。此外，雖然上文已經在某些實施例之內容背景中描述與該等實施例相關聯之各種優勢及特徵，但其他實施例亦可展現此等優勢及/或特徵，且並非所有實施例必須展現此等優勢及/或特徵以落入本技術之範圍內。在描述方法之情況下，該等方法可包含更多、更少或其他步驟。另外，可按任何適當順序執行步驟。因此，本發明可涵蓋本文未明確展示或描述之其他實施例。在本發明之內容背景中，術語「約」表示所陳述值之+/-5%。

貫穿本說明書，使用若干技術術語。此等術語具有其等所源自之領域中之普通含義，除非本文中明確定義或其等使用內容背景另有明確指示。應注意，元件名稱及符號可貫穿此文獻互換地使用(例如，Si與矽)；然而，兩者具有相同含義。

簡單言之，本技術之實施例係關於具有能夠基於電信號自動對焦而不必求助於差動光學屏蔽之光電二極體(PD)之影像感測器。在一些實施例中，所選擇之PD電連接至一已知電位，因此產生等效於例如完全光學屏蔽PD之一數位輸出。一般技術者應理解，即使在不曝露於光時，個別PD亦可能產生不同之電輸出。因此，與試圖在一數位域中模擬被屏蔽之PD相對照，將一PD (或其讀出電路之一部分)連接至一給定電壓當對實體PD執行時(無論為PDAF選擇多少實體PD)，提供對被屏蔽PD之一更真實之模擬。

在一些實施例中，可藉由將光電二極體連接至像素供應電壓(PIXVD)來達成選擇PD至一已知電位之此連接，以保證對應於一完全光學屏蔽PD之一期望輸出。在一些實施例中，選擇光電二極體可透過一淺井(例如，透過一弱摻雜之半導體)連接至像素供應電壓。

在一些實施例中，對於所選擇之光電二極體，省略半導體之強摻雜區之一摻雜步驟，因此此等所選擇之子像素在被照明時不產生電荷，此再次近似一完全光學屏蔽之PD。在其他實施例中，藉由將電晶體閘極保持在一某一預定電壓下，可將轉移電晶體(TX)或讀出電路中之其他元件保持為斷開 (關閉)，因此防止一放電及累積電荷之隨後讀出。

在其他實施例中，可添加(若干)額外之金屬化元件來選擇光電二極體，以確保其等短接至例如像素供應電壓或其他已知電壓。此額外金屬化可採取金屬跳線或金屬元件與摻雜半導體之組合之形式，其等共同確保由用於自動對焦之選擇光電二極體產生一目標電壓。如上文解釋，額外金屬化(或一光電二極體之其他定製)僅對目標光電二極體執行，即對專用於PDAF功能之光電二極體，而非對所有光電二極體/像素。因此，在許多情況下，鑒於期望之結果(即，改良之PDAF功能)，額外/不同製造步驟之製造損失係可接受的。

圖1係根據本技術之一實施例之一實例影像感測器之一圖。成像系統100包含像素陣列102、控制電路系統104、讀出電路系統106及功能邏輯110。在一個實例中，像素陣列102係光電二極體，或影像感測器像素112 (例如，像素P1、P2…、Pn)的二維(2D)陣列。如繪示，光電二極體配置成列(例如，列R1至Ry)及行(例如，行C1至Cx)。在操作中，光電二極體獲取一人、地點、物件等之影像資料，接著該影像資料可用於呈現人、地點、物件等之一2D影像。然而，光電二極體不必配置成列及行，且可採取其他組態。

在一實施例中，像素陣列102之各像素112已獲取其影像資料或影像電荷之後，影像資料經由位元線118由讀出電路系統106讀出，且接著轉移至一功能邏輯110。在各種實施例中，讀出電路系統106可包含信號放大器、類比轉數位(ADC)轉換電路系統及資料傳輸電路系統。功能邏輯110可儲存影像資料或甚至藉由應用影像後效應(例如，剪裁、旋轉、移除紅眼、調整亮度、調整對比度或其他)來操縱影像資料。在一些實施例中，控制電路系統104及功能邏輯110可組合成一單一功能區塊，以控制像素112對影像之擷取及自讀出電路106讀出影像資料。功能邏輯110可例如為一數位處理器。在一個實施例中，讀出電路系統106可沿著讀出一行線(如繪示)一次讀出一列影像資料，或可使用各種其他技術(未繪示)(諸如串列讀出所有像素或同時全部並行讀出所有像素)讀出影像資料。

在一個實施例中，控制電路104耦合至像素陣列102以控制像素陣列102中之複數個光電二極體之操作。例如，控制電路系統104可產生用於控制影像獲取之一快門信號。在一個實施例中，快門信號係用於同時啟用像素陣列102內之所有像素以在一單一資料獲取視窗期間同時擷取其等各自影像資料之一全域快門信號。在另一實施例中，快門信號係一捲動快門信號，使得在連續獲取視窗期間循序啟用像素之各列、各行或各群組。在另一實施例中，影像獲取與照明效果(諸如一閃光)同步。

在一個實施例中，資料傳輸電路系統108可自類比轉數位轉換器(ADC)接收影像資料，從而將類比影像資料轉換成其數位表示。影像資料之數位表示被提供至功能邏輯110。在一些實施例中，資料傳輸電路系統108可並行地自ADC接收影像資料之數位表示，且將其串列提供給功能邏輯110。

在一個實例中，成像系統100可包含於一數位相機、手機、膝上型電腦或類似物中。另外，成像系統100可耦合至諸如一處理器(通用或其他處理器)、記憶體元件、輸出(USB埠、無線發射器、HDMI埠等)、照明/閃光燈、電輸入(鍵盤、觸控顯示器、跟蹤板、滑鼠、麥克風等)及/或顯示器之其他硬體。其他硬體可將指令遞送至成像系統100，自成像系統100提取影像資料或操縱由成像系統100供應之影像資料。

圖2係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。在操作中，入射光50 (電磁輻射)透過一背側110處之微透鏡250及濾色器240進入影像感測器100，微透鏡250及濾色器240針對一半導體材料60 (例如，摻雜矽)內側之一給定光電二極體(PD) 210對入射光進行對焦及適當濾色。例如，一綠光電二極體210可被一綠濾色器240覆蓋，綠濾色器240透射綠光，同時反射其他波長之光。在一些實施例中，一介電層220 (亦稱為一平坦化層或緩衝氧化物層)將濾色器240與光電二極體210分開。濾色器240可經組態以將綠(G)、紅(R)或藍(B)光透射至其等對應之光電二極體，或者透射所有光(稱為透明或C濾色器及光電二極體)。影像感測器之一前側標記為120。光電二極體210操作以基於入射光50光生電荷。此等電荷隨後被選擇性地排放至光電二極體210之相關聯支援電子器件中，例如，透過一各自耦合轉移電晶體排放至與光電二極體210相關聯之一浮動擴散部。

光電二極體210可容易發生串擾。例如，入射光50 (例如較長波長之光，諸如紅光或紅外光)可透過一微透鏡250及一濾色器240-2進入一PD 210，其中光在相鄰PD 210之方向上被部分吸收及部分透射，例如由於折射或反射誘發之串擾。此光學串擾在光未如原先設計通過濾色器240-1之情況下發生。因此，在一些實施例中，相鄰光電二極體210由隔離結構232分開，隔離結構232限制雜散光自一個光電二極體傳播至另一光電二極體。此等隔離結構之一些實例係深溝槽隔離(DTI)結構232，其等自半導體材料60之一背側110 (影像感測器之照明側)一直垂直延伸至矽(Si)材料中之某一深度(例如，1.5 um至2.5 um)。在不同之實施例中，DTI結構232可包含對光不透明之材料，例如金屬。在一些實施例中，DTI結構232可包含折射率低於半導體材料60之介電材料，諸如氧化矽。DTI結構232可防止或至少減少雜散光50-2到達相鄰光電二極體。所繪示之DTI結構232基本上延伸貫穿Si材料層之整個厚度，但在不同之實施例中，DTI結構可僅部分地在相鄰之光電二極體之間延伸。在一個實例中，DTI結構232互連，從而形成圍繞PD 210且在相鄰PD之間提供電及/或光隔離之一網格結構。

圖3展示根據本技術之實施例之一影像感測器中之一實例像素單元之一電示意圖。圖3係根據本技術之一實施例之一樣本四電晶體(4T)像素單元之一電路圖。應瞭解，圖2之像素單元210可為圖1之一像素單元110之一實例，且下文引用之類似命名且編號之元件可類似耦合且作用。例如，像素單元210可耦合至一位元線118，例如讀出行，其可向讀出電路系統(例如讀出電路系統106)提供影像資料。像素單元210可自諸如控制電路系統104之控制電路系統接收控制信號，以控制像素單元210之各種電晶體之操作。控制電路系統可用相對時序以期望之序列控制電晶體之操作，以便將像素重設至一暗狀態，且例如在一積分之後讀出影像資料。

像素單元210之所繪示實例包含一光敏或光電轉換元件，諸如一光電二極體(PD) 316。在操作中，PD 316回應於入射光而光生一電荷。

像素單元210亦包含一轉移閘極電晶體(TX) 318及一浮動擴散部(FD) 320。在操作中，TX 318回應於一轉移閘極信號而將影像電荷自PD 316轉移至FD 320。一重設電晶體(RST) 322回應於一重設信號而將一電源電壓(PIXVD，亦稱為VDD) 328耦合至FD 320以重設像素單元210 (例如，將光電二極體及浮動擴散部放電或充電至一預設電壓)。一放大器電晶體(亦稱為一源極跟隨器或SF) 324之閘極端子耦合至FD (320)以回應於FD中之影像電荷而產生一影像資料信號。一列選擇電晶體(亦稱為RS或SEL) 326耦合至SF 324以將影像資料信號306輸出至輸出位元線118。進一步處理類比影像資料信號以產生代表一給定光電二極體處之光強度之一數位輸出。

圖4係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。在操作中，光50透過透鏡250及濾色器240進入光電二極體210。所繪示實施例包含覆蓋一個光電二極體210之小透鏡250及覆蓋多個光電二極體210之大透鏡250。在一些實施例中，個別光電二極體由隔離結構232 (例如，深溝槽隔離或DTI)分開。由光電二極體210累積之電荷透過一淺井(例如，輕摻雜井) 260及金屬化層(例如，金屬跡線) 268朝向保持及採樣電路(未展示)轉移。

在所繪示實施例中，像素212包含由同一透鏡(亦稱為一微透鏡) 250覆蓋之子像素211-1及211-2。此配置通常對應於具有一2×2子像素211佈局之一像素212，但其他實施例(例如2×1子像素佈局)亦係可能的。子像素211-1由一光屏蔽物231覆蓋，光屏蔽物231防止或至少減少對應光電二極體210上之入射光50。如上文解釋，對光之此差動曝光可用於自動對焦。換言之，所繪示像素212執行自動對焦功能。在本說明書之內容背景中，術語子像素211係指光電二極體210、金屬化層、深溝槽隔離、濾色器及其他相關聯元件之一組合。然而，一般技術者將知曉，術語光電二極體與子像素(或像素)在行業中有時可互換使用。

圖5係根據本技術之實施例之實例影像感測器之一橫截面側視圖。在所繪示實施例中，像素212藉由產生來自子像素211-1及211-2之不同輸出來執行自動對焦功能。特定言之，子像素211-1不包含光電二極體210，因此子像素211-1在被照明時不產生電荷或產生至少顯著減少之電荷。具有一光電二極體210 (例如，一重摻雜半導體)之子像素211-2產生與入射光50之強度成比例之一電荷。因此，當被組合時，子像素211-1及211-2可執行自動對焦功能。共同地，子像素211-1及211-2可被稱為自動對焦像素212。

在一些實施例中，子像素211-2包含一淺井260，其形成自光電二極體至其等對應之TX金屬化層268且進一步至位元線118之電連接之一部分。然而，所繪示之子像素211-1不包含淺井260，因此進一步防止任何殘餘電荷透過TX被排放(或，若被排放，則具有一顯著減少之量)。

一般技術者將知曉，即使重摻雜之光電二極體210不包含在子像素211-1中，當子像素211-1被照明時，由於在子像素211-1中存在輕摻雜區域，仍然可能發生一些電荷累積。在一些實施例中，像素211-1之TX 318可保持在一預定狀態中，以進一步防止子像素211-1之電荷累積。下文關於圖6描述控制一預定狀態中之TX 318之一些實例。在一些實施例中，金屬化層268之不同元件(亦稱為閘極268)可與淺溝槽隔離(STI) 266連接。

圖6展示根據本技術之實施例之一影像感測器中之像素單元之一實例之一電示意圖。在一些實施例中，像素211-1之TX 318可保持在接通(打開)位置(始終高)以用於恆定排放，從而進一步防止子像素211-1之電荷累積。例如，在影像感測器之操作期間，TX 318之一閘極可連接至PIXVDD (VDD)電壓至一永久接通狀態。在其他實施例中，子像素211-1之TX 318可保持在斷開位置(始終低，即，在影像感測器操作期間之一永久斷開狀態)，以防止由子像素211-1累積之電荷到達位元線118。圖6中未繪示TX 318之閘極處於斷開位置之實施例，然而，一般技術者將理解，此電狀態可藉由例如將TX 318之閘極連接至接地來達成。因此，上述實施例可進一步降低子像素211-1之感光度。

圖7係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。在所繪示實施例中，子像素211-1包含一光電二極體210，但不包含淺井260，該淺井260形成光電二極體至其等對應之TX金屬化層268之電連接之一部分。因此，即使子像素211-1之光電二極體210能夠在被照明時產生電荷，此電荷亦不會透過TX被排放(或，若被排放，則與包含淺井260之子像素相比具有一顯著減少之量)。在一些實施例中，子像素211-1之TX可另外偏壓至斷開狀態，以進一步防止任何殘餘電荷轉移至位元線。

圖8係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。在所繪示實施例中，子像素211-1不包含光電二極體210，但包含一淺井260。如上文解釋，即使子像素211-1不包含光電二極體，一些殘餘電荷仍然可在子像素211-1內產生。因此，在一些實施例中，TX金屬化層268可被偏壓為始終接通，以確保恆定排放且防止此殘餘電荷之累積。

圖9A係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一前側視圖。在所繪示之實施例中，不同之像素佈局為由大微透鏡250覆蓋之2×2子像素配置，或者佈局為由小微透鏡250覆蓋之一單一子像素。在不同之實施例中，可使用不同之像素，例如2×1或1×2像素。在一些實施例中，淺井260可為輕度摻雜之N井以用於將電荷傳導至金屬化層。

在一些實施例中，一接觸件270 (亦稱為一跳線)將PIXVD (VDD) 328連接至光電二極體，從而模擬屏蔽光之一光電二極體210。直接連接至VDD之光電二極體210經受電荷之一恆定排放，因此模擬一金屬屏蔽之光電二極體。在不同之實施例中，接觸件270可製造為重摻雜半導體或一金屬化層。因此，接觸件270之存在使一些光電二極體能夠模擬光屏蔽光電二極體，如下文關於圖9B及圖9C更詳細地解釋。

圖9B及圖9C係根據本技術之實施例之實例影像感測器之橫截面側視圖。圖9B繪示接觸件270將光電二極體與PIXVD (VDD) 328電耦合之一實施例。因此，在操作中，連接至VDD (例如，透過淺井260)之子像素211-1以電方式表現得好像屏蔽光，即，不產生光電荷。圖9C繪示接觸件270電耦合兩個導電元件266之一實施例。在一些實施例中，導電元件266可放置在Si表面上，而非埋入在矽內側。在任一情況下，當接觸件270連接至VDD 328時，與VDD之此連接同樣致使子像素211-1表現得好像屏蔽光。

上文描述之技術之許多實施例可採取電腦或控制器可執行指令之形式，包含由一可程式化電腦或控制器執行之常式。熟習此項技術者將瞭解，本技術可在除了上文展示及描述之電腦/控制器系統外之電腦/控制器系統上實踐。本技術可在經特定程式化、組態或構造以執行上文描述之一或多個電腦可執行指令之一專用電腦、特定應用積體電路(ASIC)、控制器或資料處理器上體現。當然，本文描述之任何邏輯或演算法可以軟體或硬體或軟體與硬體之一組合來實施。

本發明之所繪示實例之以上描述(包含在摘要中之描述之內容)並不旨在將本發明限制於所揭示之精確形式。雖然在本文中出於繪示之目的描述本發明之特定實例，但熟習此項技術者將認識到各種修改在本發明之範疇內係可能的。

鑒於上文詳細描述，可對本發明之實例做出此等修改。所附發明申請專利範圍中所使用之術語不應被解釋為將本發明限制於說明書中揭示之特定實例。實情係，本發明之範疇將完全由所附發明申請專利範圍判定，所附發明申請專利範圍應根據發明申請專利範圍解釋之既定原則來解釋。

50:入射光 50-2:雜散光 60:半導體材料 100:成像系統 102:像素陣列 104:控制電路系統 106:讀出電路系統 108:資料傳輸電路系統 110:功能邏輯/背側/像素單元 112:影像感測器像素 118:位元線 210:給定光電二極體 211-1:子像素 211-2:子像素 212:像素 231:光屏蔽物 232:隔離結構 240:濾色器 240-1:濾色器 250:微透鏡 260:淺井 266:淺溝槽隔離 268:金屬化層 270:接觸件 306:影像資料信號 316:光電二極體(PD) 318:轉移閘極電晶體(TX) 320:浮動擴散部(FD) 322:重設電晶體(RST) 324:放大器電晶體 326:列選擇電晶體 328:電源電壓 C1-Cx:行 R1-Ry:列 P1-Pn:像素

參考下圖描述本發明非限制性及非窮盡性實施例，其中類似元件符號貫穿各種視圖指代類似部分，除非另外指定。

圖1係根據本技術之一實施例之一實例影像感測器之一圖。

圖2係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。

圖3展示根據本技術之實施例之一影像感測器中之一實例像素單元之一電示意圖。

圖4係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一橫截面側視圖。

圖5係根據本技術之實施例之實例影像感測器之一橫截面側視圖。

圖6展示根據本技術之實施例之一影像感測器中之像素單元之一實例之一電示意圖。

圖7及圖8係根據本技術之實施例之實例影像感測器之橫截面側視圖。

圖9A係根據本技術之實施例之一實例影像感測器之一前側視圖。

圖9B及圖9C係根據本技術之實施例之實例影像感測器之橫截面側視圖。

對應之參考字符貫穿圖式中之若干視圖指示對應組件。熟習此項技術者將瞭解，圖中之元件係出於簡單及清晰之目的繪示且不必按比例繪製。舉例而言，圖中一些元件之尺寸可相對於其他元件而被誇大以幫助改良對本發明之各種實施例之理解。且，通常不描繪在商業上可行之實施例中有用或必要之常見但充分理解之元件，以便有助於更不受阻礙地觀察本發明之此等各種實施例。

50:入射光

100:成像系統

210:給定光電二極體

211-1:子像素

211-2:子像素

212:像素

232:隔離結構

240:濾色器

250:微透鏡

260:淺井

266:淺溝槽隔離

268:金屬化層

270:接觸件

328:電源電壓

Claims

一種影像感測器，其包括：複數個像素，其等以安置在一半導體材料中之一像素陣列之列及行配置，其中各像素包括複數個子像素，該複數個子像素經組態以接收通過該半導體材料之一照明表面之入射光，其中該複數個像素包括至少一個自動對焦相位偵測(PDAF)像素，該像素包括：無光屏蔽之一第一子像素，及無該光屏蔽之一第二子像素，其中該影像感測器之一自動對焦至少部分地基於該第一子像素及該第二子像素之不同電輸出來判定。
如請求項1之影像感測器，其中該第二子像素包含一光電二極體，且其中該第一子像素不包含該光電二極體。
如請求項2之影像感測器，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久接通狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項3之影像感測器，其中在該影像感測器之操作期間，藉由將該第一子像素之該TX之一閘極連接至一像素供應電壓(PIXVD)來將該TX設定為該永久接通狀態。
如請求項2之影像感測器，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久斷開狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項5之影像感測器，其中在該影像感測器之操作期間，藉由將該第一子像素之該TX之一閘極連接至一電接地來將該TX設定為該永久斷開狀態。
如請求項2之影像感測器，其中該第二子像素包括一淺井，該淺井經組態以透過一金屬化層將該第二子像素之該光電二極體與一像素供應電壓(PIXVD)電連接。
如請求項7之影像感測器，其中該第一子像素不包含該淺井。
如請求項1之影像感測器，其中該第一及第二子像素各自包含一光電二極體。
如請求項9之影像感測器，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久接通狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項10之影像感測器，其中在該影像感測器之操作期間，藉由將該第一子像素之該TX之一閘極連接至一像素供應電壓(PIXVD)來將該TX設定為該永久接通狀態。
如請求項9之影像感測器，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久斷開狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項12之影像感測器，其中在該影像感測器之操作期間，藉由將該第一子像素之該TX之一閘極連接至一電接地來將該TX設定為該永久斷開狀態。
如請求項2之影像感測器，其中該第一子像素包括一第一淺井，該第一淺井經組態以透過電耦合至該第一子像素之一轉移閘極電晶體(TX)之一第一金屬化層將該第一子像素之該光電二極體與該像素供應電壓(PIXVD)電連接；且該第二子像素包括一第二淺井，該第二淺井經組態以藉由電耦合至該第二子像素之該轉移閘極電晶體(TX)之一第二金屬化層將該第二子像素之該光電二極體與像素供應電壓(PIXVD)電連接。
如請求項2之影像感測器，其中該第一子像素包括：一接觸件：一淺井；以及一金屬化層，其連接至一像素供應電壓(PIXVD)，其中該接觸件被組態用於透過連接至該像素供應電壓(PIXVD)之該金屬化層將該淺井與該像素供應電壓(PIXVD)電耦合。
如請求項15之影像感測器，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久接通狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項15之影像感測器，其中該接觸件係一金屬跳線。
如請求項15之影像感測器，其中該接觸件係一重摻雜半導體。
一種用於操作一影像感測器之電腦實施方法，該方法包括：將一影像感測器之至少一部分曝露於入射電磁輻射，該影像感測器包括：複數個像素，其等以安置在一半導體材料中之一像素陣列之列及行配置，其中各像素包括複數個光電二極體，該複數個光電二極體經組態以接收通過該半導體材料之一照明表面之入射光，其中該複數個像素包括至少一個自動對焦相位偵測(PDAF)像素，該像素包括：無光屏蔽之一第一子像素，及無該光屏蔽之一第二子像素，其中該影像感測器之一自動對焦至少部分地基於該第一子像素及該第二子像素之不同電輸出來判定。
如請求項19之電腦實施方法，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久接通狀態來模擬該光屏蔽。
如請求項19之電腦實施方法，其中該第一子像素經組態以藉由在該影像感測器之操作期間將一轉移閘極電晶體(TX)設定為一永久斷開狀態來模擬該光屏蔽。